JP6029764B2 - 金属充填微細構造体の製造方法 - Google Patents

金属充填微細構造体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6029764B2
JP6029764B2 JP2015534172A JP2015534172A JP6029764B2 JP 6029764 B2 JP6029764 B2 JP 6029764B2 JP 2015534172 A JP2015534172 A JP 2015534172A JP 2015534172 A JP2015534172 A JP 2015534172A JP 6029764 B2 JP6029764 B2 JP 6029764B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
barrier layer
film
aluminum substrate
filled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015534172A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015029881A1 (ja
Inventor
広祐 山下
広祐 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP6029764B2 publication Critical patent/JP6029764B2/ja
Publication of JPWO2015029881A1 publication Critical patent/JPWO2015029881A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/20Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/10Moulds; Masks; Masterforms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/006Nanostructures, e.g. using aluminium anodic oxidation templates [AAO]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/04Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/045Anodisation of aluminium or alloys based thereon for forming AAO templates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/04Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/20Electrolytic after-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/04Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/24Chemical after-treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70Coupling devices
    • H01R12/7076Coupling devices for connection between PCB and component, e.g. display
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R2201/00Connectors or connections adapted for particular applications
    • H01R2201/20Connectors or connections adapted for particular applications for testing or measuring purposes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/162Testing a finished product, e.g. heat cycle testing of solder joints
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

本発明は、金属充填微細構造体の製造方法に関するものである。
絶縁性基材に設けられた微細孔に金属が充填されてなる金属充填微細構造体(デバイス)は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電部材としての用途が期待されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材や機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
このような異方導電性部材として、特許文献1には、「導電性の素材を陽極酸化して形成された膜状絶縁部材と、膜状絶縁部材内に設けられ、該絶縁部材の膜厚方向に導電する導電部材と、を備えたことを特徴とする異方性導電膜。」が記載されており([請求項1])、また、「導電基板の上層部を陽極酸化して、所定深さの複数の微小な孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、電解析出により陽極酸化膜の微小孔内に導電性の金属を折出して導電部材を形成する工程と、陽極酸化膜を導電基板の下層部から分離する工程と、陽極酸化膜の表層部を除去して導電部材を陽極酸化膜から突出させる工程と、を含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法。」が記載されている([請求項6],第11図)。
また、特許文献2には、「絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において露出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において露出した状態で設けられる異方導電性部材であって、前記導通路の密度が200万個/mm2以上であり、前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である、異方導電性部材。」が記載されおり([請求項1])、更に、「アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して前記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、および、前記貫通化処理工程の後に、得られた前記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填して前記異方導電性部材を得る金属充填工程、を具備する異方導電性部材の製造方法。」が記載されている([請求項5])。
特開平04−126307号公報 特開2008−270158号公報
本発明者は、特許文献1に記載された異方性導電膜(金属充填微細構造体)の製造方法を検討したところ、導電基板の下層部を電極として用いた場合は、陽極酸化膜の微小孔(マイクロポア)内への金属の析出が進行し難く、導電部材が形成され難いことが分かった。
また、本発明者は、特許文献2に記載された異方導電性部材(金属充填微細構造体)の製造方法を検討したところ、金属充填に伴う残留応力により、製造される金属充填微細構造体には反りが発生したり、クラックが発生したりすることが分かった。
そこで、本発明は、マイクロポアへの金属充填が容易となり、かつ、金属充填に伴う残留応力の発生を抑制することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意研究した結果、陽極酸化処理により形成されるバリア層を除去した後、アルミニウム基板を除去する前に、マイクロポアの内部への金属充填を行うことにより、マイクロポアへの金属充填が容易となり、かつ、金属充填に伴う残留応力の発生を抑制することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の構成の金属充填微細構造体の製造方法を提供する。
[1] アルミニウム基板の片側の表面に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の片側の表面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、
陽極酸化処理工程の後に、陽極酸化膜のバリア層を除去するバリア層除去工程と、
バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施してマイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、
金属充填工程の後に、アルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程と、を有する金属充填微細構造体の製造方法。
[2] バリア層除去工程が、陽極酸化処理工程の陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する工程である、[1]に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
[3] バリア層除去工程が、エッチングによりバリア層を除去する工程である、[1]に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
[4] バリア層除去工程が、陽極酸化処理工程の陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解した後に、更に、エッチングによりバリア層を除去する工程である、[1]に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
[5] 陽極酸化処理工程の前に、陽極酸化処理を施すアルミニウム基板の片側の表面に、予め所望の形状のマスク層を形成するマスク層形成工程を有する、[1]〜[4]のいずれかに記載の金属充填微細構造体の製造方法。
[6] 金属充填工程の後であって基板除去工程の前に、金属が充填されたマイクロポアを有する陽極酸化膜の表面に、剥離可能な粘着層付きフィルムを貼り付けるフィルム貼付工程を有し、
更に、基板除去工程の後に、粘着層付きフィルムを剥離するフィルム剥離工程を有する、[1]〜[5]のいずれかに記載の金属充填微細構造体の製造方法。
[7] 金属充填工程の後に、金属が充填されたマイクロポアを有する陽極酸化膜およびマスク層の表面を研磨し、少なくともマスク層を除去する研磨工程を有する、[5]または[6]に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
[8] 基板除去工程の後に、アルミニウム基板と接していた側の、金属が充填されたマイクロポアを有する陽極酸化膜の表面を平滑化する表面平滑化工程を有する、[1]〜[7]のいずれかに記載の金属充填微細構造体の製造方法。
本発明によれば、マイクロポアへの金属充填が容易となり、かつ、金属充填に伴う残留応力の発生を抑制することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供することができる。
図1(a)〜(e)は、本発明の金属充填微細構造体の製造方法の一例(第1態様)における各処理工程前後の部材を示す模式的な断面図である。 図2(a)〜(f)は、本発明の金属充填微細構造体の製造方法の他の一例(第2態様)における各処理工程前後の部材を示す模式的な断面図である。 図3(a)〜(h)は、本発明の金属充填微細構造体の製造方法の他の一例(第3態様)における各処理工程前後の部材を示す模式的な断面図である。 図4(a)〜(i)は、本発明の金属充填微細構造体の製造方法の他の一例(第4態様)における各処理工程前後の部材を示す模式的な断面図である。 図5(a)〜(j)は、本発明の金属充填微細構造体の製造方法の他の一例(第5態様)における各処理工程前後の部材を示す模式的な断面図である。 図6(a)〜(d)は、比較例1で作製した金属充填微細構造体の製造方法における各処理工程前後の部材を示す模式的な断面図である。
[金属充填微細構造体の製造方法]
本発明の金属充填微細構造体の製造方法(以下、「本発明の製造方法」とも略す。)は、アルミニウム基板の片側の表面(以下、「片面」ともいう。)に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜のバリア層を除去するバリア層除去工程と、バリア層除去工程の後に電解めっき処理を施してマイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程と、を有する金属充填微細構造体の製造方法である。
本発明においては、上述した通り、陽極酸化処理により形成されるバリア層を除去した後、アルミニウム基板を除去する前に、マイクロポアの内部への金属充填を行うことにより、マイクロポアへの金属充填が容易となり、かつ、金属充填に伴う残留応力の発生を抑制することができる。
これは、詳細には明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
すなわち、陽極酸化膜のマイクロポアの底部に存在するバリア層を除去することにより、アルミニウム基板を除去する必要がなくなっただけでなく、アルミニウム基板をマイクロポアの内部への金属充填の際に電極として利用することが可能となり、また、アルミニウム基板によって陽極酸化膜が支持された状態で陽極酸化膜に存在するマイクロポアの内部へ金属を充填することにより、意外にも残留応力が緩和されたためと考えられる。
このことは、特許文献2に記載された製造方法、すなわち、アルミニウム基板を除去し、マイクロポアに由来する貫通孔を形成した後に金属を充填する方法で作製した比較例1に示す金属充填微細構造体が、大きな残留応力値を示す結果からも推察することができる。同様に、陽極酸化処理を施す前にマスク層を形成し、陽極酸化膜の下部だけでなく、陽極酸化膜の周囲がアルミニウム基板で囲まれた状態で、マイクロポアの内部に金属を充填すると、残留応力が極めて小さくなる結果からも推察することができる。
次に、本発明の製造方法および特許文献2などに記載された従来の製造方法における各工程の概要を図1〜図5および図6を用いて説明した後に、本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板およびアルミニウム基板に施す各処理工程について詳述する。
<第1態様>
図1(a)〜(e)に示すように、金属充填微細構造体10は、アルミニウム基板1の片面に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板1の片面に、厚み方向に存在するマイクロポア2とマイクロポア2の底部に存在するバリア層3とを有する陽極酸化膜4を形成する陽極酸化処理工程(図1(a)(b)参照)と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜4のバリア層3を除去するバリア層除去工程(図1(b)(c)参照)と、バリア層除去工程の後にマイクロポア2の内部に金属5を充填する金属充填工程(図1(c)(d)参照)と、金属充填工程の後にアルミニウム基板1を除去する基板除去工程(図1(d)(e)参照)と、を有する製造方法により作製することができる。
<第2態様(好適態様)>
本発明の製造方法は、後述するマスク層形成工程を有するのが好ましい。
例えば、図2(a)〜(f)に示す通り、金属充填微細構造体10は、アルミニウム基板1の片面に所望の形状のマスク層6を形成するマスク層形成工程(図2(a)(b)参照)と、マスク層形成工程の後にマスク層6を形成した側のアルミニウム基板1の表面に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板1の片面に、厚み方向に存在するマイクロポア2とマイクロポア2の底部に存在するバリア層3とを有する陽極酸化膜4を形成する陽極酸化処理工程(図2(b)(c)参照)と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜4のバリア層3を除去するバリア層除去工程(図2(c)(d)参照)と、バリア層除去工程の後にマイクロポア2の内部に金属5を充填する金属充填工程(図2(d)(e)参照)と、金属充填工程の後にアルミニウム基板1とともにマスク層6を除去する基板除去工程(図2(e)(f)参照)と、を有する製造方法により作製することができる。
<第3態様(好適態様)>
本発明の製造方法は、後述するフィルム張付工程およびフィルム剥離工程を有するのが好ましい。
例えば、図3(a)〜(h)に示す通り、金属充填微細構造体10は、アルミニウム基板1の片面に所望の形状のマスク層6を形成するマスク層形成工程(図3(a)(b)参照)と、マスク層形成工程の後にマスク層6を形成した側のアルミニウム基板1の表面に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板1の片面に、厚み方向に存在するマイクロポア2とマイクロポア2の底部に存在するバリア層3とを有する陽極酸化膜4を形成する陽極酸化処理工程(図3(b)(c)参照)と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜4のバリア層3を除去するバリア層除去工程(図3(c)(d)参照)と、バリア層除去工程の後にマイクロポア2の内部に金属5を充填する金属充填工程(図3(d)(e)参照)と、金属5が充填されたマイクロポア2を有する陽極酸化膜4およびマスク層6の表面に、剥離可能な粘着層付きフィルム7を貼り付けるフィルム貼付工程(図3(e)(f)参照)と、フィルム貼付工程の後にアルミニウム基板1を除去する基板除去工程(図3(f)(g)参照)と、基板除去工程の後に粘着層付きフィルム7をマスク層6とともに剥離するフィルム剥離工程(図3(g)(h)参照)と、を有する製造方法により作製することができる。
<第4態様(好適態様)>
本発明の製造方法は、後述する研磨工程を有するのが好ましい。
例えば、図4(a)〜(i)に示す通り、金属充填微細構造体10は、アルミニウム基板1の片面に所望の形状のマスク層6を形成するマスク層形成工程(図4(a)(b)参照)と、マスク層形成工程の後にマスク層6を形成した側のアルミニウム基板1の表面に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板1の片面に、厚み方向に存在するマイクロポア2とマイクロポア2の底部に存在するバリア層3とを有する陽極酸化膜4を形成する陽極酸化処理工程(図4(b)(c)参照)と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜4のバリア層3を除去するバリア層除去工程(図4(c)(d)参照)と、バリア層除去工程の後にマイクロポア2の内部に金属5を充填する金属充填工程(図4(d)(e)参照)と、金属5が充填されたマイクロポア2を有する陽極酸化膜4およびマスク層6の表面を研磨し、少なくともマスク層6を除去する研磨工程(図4(e)(f)参照)と、金属5が充填されたマイクロポア2を有する陽極酸化膜4およびアルミニウム基板1の表面に、剥離可能な粘着層付きフィルム7を貼り付けるフィルム貼付工程(図4(f)(g)参照)と、フィルム貼付工程の後にアルミニウム基板1を除去する基板除去工程(図4(g)(h)参照)と、基板除去工程の後に粘着層付きフィルム7を剥離するフィルム剥離工程(図4(h)(i)参照)と、を有する製造方法により作製することができる。
<第5態様(好適態様)>
本発明の製造方法は、後述する表面平滑化工程を有するのが好ましい。
例えば、図5(a)〜(j)に示す通り、金属充填微細構造体10は、アルミニウム基板1の片面に所望の形状のマスク層6を形成するマスク層形成工程(図5(a)(b)参照)と、マスク層形成工程の後にマスク層6を形成した側のアルミニウム基板1の表面に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板1の片面に、厚み方向に存在するマイクロポア2とマイクロポア2の底部に存在するバリア層3とを有する陽極酸化膜4を形成する陽極酸化処理工程(図5(b)(c)参照)と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜4のバリア層3を除去するバリア層除去工程(図5(c)(d)参照)と、バリア層除去工程の後にマイクロポア2の内部に金属5を充填する金属充填工程(図5(d)(e)参照)と、金属5が充填されたマイクロポア2を有する陽極酸化膜4およびマスク層6の表面を研磨し、少なくともマスク層6を除去する研磨工程(図5(e)(f)参照)と、金属5が充填されたマイクロポア2を有する陽極酸化膜4およびアルミニウム基板1の表面に、剥離可能な粘着層付きフィルム7を貼り付けるフィルム貼付工程(図5(f)(g)参照)と、フィルム貼付工程の後にアルミニウム基板1を除去する基板除去工程(図5(g)(h)参照)と、基板除去工程の後に金属5が充填されたマイクロポア2を有する陽極酸化膜4の表面(アルミニウム基板1と接していた側の表面)を平滑化する表面平滑化工程(図5(h)(i)参照)と、表面平滑化工程の後に粘着層付きフィルム7を剥離するフィルム剥離工程(図5(i)(j)参照)と、を有する製造方法により作製することができる。
<従来態様>
図6(a)〜(d)に示すように、従来公知の製造方法で作製される金属充填微細構造体20は、アルミニウム基板1の片面に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板1の片面に、厚み方向に存在するマイクロポア2とマイクロポア2の底部に存在するバリア層3とを有する陽極酸化膜4を形成する陽極酸化処理工程(図6(a)(b)参照)と、陽極酸化処理工程の後にアルミニウム基板1およびバリア層3を除去し、マイクロポア2を貫通化させる貫通化工程(図6(b)(c)参照)と、貫通化工程の後にマイクロポア2の内部に金属5を充填する金属充填工程(図6(c)(d)参照)と、を有する製造方法により作製することができる。
〔アルミニウム基板〕
本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板;アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等が挙げられる。
本発明においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理工程により陽極酸化膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、99.5質量%以上であるのが好ましく、99.9質量%以上であるのがより好ましく、99.99質量%以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポア配列の規則性が十分となる。
また、本発明においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理工程を施す片側の表面は、あらかじめ熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
ここで、熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理については、特許文献2(特開2008−270158号公報)の[0044]〜[0054]段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
〔陽極酸化処理工程〕
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板の片面に陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する工程である。
本発明の製造方法における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、金属充填微細構造体の異方導電性を担保する観点から、自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法や定電圧処理については、特許文献2(特開2008−270158号公報)の[0056]〜[0108]段落および[図3]に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
〔バリア層除去工程〕
上記バリア層除去工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。バリア層を除去することにより、図1(c)にも示す通り、マイクロポア2を介してアルミニウム基板の一部が露出することになる。
バリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する方法(以下、「電解除去処理」ともいう。);エッチングによりバリア層を除去する方法(以下、「エッチング除去処理」ともいう。);これらを組み合わせた方法(特に、電解除去処理を施した後に、残存するバリア層をエッチング除去処理で除去する方法);等が挙げられる。
<電解除去処理>
上記電解除去処理は、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位(電解電位)よりも低い電位で施す電解処理であれば特に限定されない。
本発明においては、上記電解溶解処理は、例えば、上記陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、上記陽極酸化処理と連続して施すことができる。
上記電解除去処理は、電解電位以外の条件については、上述した従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液および処理条件を採用することができる。
特に、上述したように上記電解除去処理と上記陽極酸化処理とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理するのが好ましい。
(電解電位)
上記電解除去処理における電解電位は、上記陽極酸化処理における電解電位よりも低い電位に、連続的または段階的(ステップ状)に降下させるのが好ましい。
ここで、電解電位を段階的に降下させる際の下げ幅(ステップ幅)は、バリア層の耐電圧の観点から、10V以下であるのが好ましく、5V以下であるのがより好ましく、2V以下であるのが更に好ましい。
また、電解電位を連続的または段階的に降下させる際の電圧降下速度は、生産性等の観点から、いずれも1V/秒以下が好ましく、0.5V/秒以下がより好ましく、0.2V/秒以下が更に好ましい。
<エッチング除去処理>
上記エッチング除去処理は特に限定されないが、酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いて溶解する化学的エッチング処理であってもよく、ドライエッチング処理であってもよい。
(化学エッチング処理)
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、上記陽極酸化処理工程後の構造物を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸漬させ、マイクロポアの内部に酸水溶液またはアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜のマイクロポアの開口部側の表面にpH緩衝液に接触させる方法等により、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。
ここで、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸、シュウ酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。また、酸水溶液の濃度は1〜10質量%であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、15〜80℃が好ましく、更に20〜60℃が好ましく、更に30〜50℃が好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は0.1〜5質量%であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、10〜60℃が好ましく、更に15〜45℃が好ましく、更に20〜35℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、50g/L、40℃のリン酸水溶液、0.5g/L、30℃の水酸化ナトリウム水溶液、0.5g/L、30℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、pH緩衝液としては、上述した酸水溶液またはアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。
また、酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、5〜120分であるのが好ましく、8〜120分であるのがより好ましく、8〜90分であるのが更に好ましく、10〜90分であるのが特に好ましい。なかでも、10〜60分であるのが好ましく、15〜60分であるのがより好ましい。
(ドライエッチング処理)
ドライエッチング処理は、例えば、Cl2/Ar混合ガス等のガス種を用いることが好ましい。
〔金属充填工程〕
上記金属充填工程は、上記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して陽極酸化膜におけるマイクロポアの内部に金属を充填する工程である。
<金属>
上記金属は、電気抵抗率が103Ω・cm以下の材料であるのが好ましく、その具体例としては、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、インジウムがドープされたスズ酸化物(ITO)等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
<充填方法>
上記金属をマイクロポアの内部に充填する方法としては、例えば、特許文献2(特開2008−270158号公報)の[0123]〜[0126]段落および[図4]に記載された各方法と同様の方法等が挙げられる。
本発明においては、上記バリア層除去工程によりバリア層を除去しているため、特許文献2とは異なり、上記アルミニウム基板を電極(膜)として利用することができる。
そのため、本発明においては、上述した通り、マイクロポアへの金属充填が容易となり、かつ、金属充填に伴う残留応力の発生を抑制することができる。
〔基板除去工程〕
上記基板除去工程は、上記金属充填工程の後に、上記アルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る工程である。
アルミニウム基板を除去する方法は特に限定されず、例えば、溶解により除去する方法等が好適に挙げられる。
<アルミニウム基板の溶解>
上記アルミニウム基板の溶解は、陽極酸化膜を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いるのが好ましい。
このような処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、1μm/分以上であるのが好ましく、3μm/分以上であるのがより好ましく、5μm/分以上であるのが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、0.1nm/分以下となるのが好ましく、0.05nm/分以下となるのがより好ましく、0.01nm/分以下となるのが更に好ましい。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも1種含み、かつ、pHが4以下または8以上となる処理液であるのが好ましく、そのpHが3以下または9以上であるのがより好ましく、2以下または10以上であるのが更に好ましい。
このような処理液としては、酸またはアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物(例えば、塩化白金酸)、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであるのが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドするのが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液(塩酸/塩化水銀)、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液(塩酸/塩化銅)が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、このような処理液の組成は特に限定されず、例えば、臭素/メタノール混合物、臭素/エタノール混合物、王水等を用いることができる。
また、このような処理液の酸またはアルカリ濃度は、0.01〜10mol/Lが好ましく、0.05〜5mol/Lがより好ましい。
更に、このような処理液を用いた処理温度は、−10℃〜80℃が好ましく、0℃〜60℃が好ましい。
また、上記アルミニウム基板の溶解は、上記金属充填工程後のアルミニウム基板を上述した処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。このときの接触時間としては、10秒〜5時間が好ましく、1分〜3時間がより好ましい。
〔マスク層形成工程〕
上記マスク層形成工程は、上記陽極酸化処理工程の前に、上記陽極酸化処理を施すアルミニウム基板の片面に、予め所望の形状のマスク層を形成する任意の工程である。
このようなマスク層形成工程を有することにより、作製される金属充填微細構造体の金属充填に伴う残留応力の発生をより抑制することができる。これは、上述した通り、陽極酸化膜の下部だけでなく、陽極酸化膜の周囲がアルミニウム基板で囲まれた状態でマイクロポアの内部に金属を充填することができることに起因していると推察できる。
そのため、本発明においては、残留応力のより小さい金属充填微細構造体を大きな面積で作製することができる理由から、マスク層は、アルミニウム基板の片側の表面上の端部に設けるのが好ましい。
上記マスク層は、例えば、上記アルミニウム基板の表面に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して所定の開口パターンに現像する方法等により形成することができる。
ここで、上記画像記録層を形成する材料は特に限定されず、従来公知の感光層(フォトレジスト層)や感熱層を形成する材料を用いることができ、必要に応じて、赤外線吸収剤等の添加剤も含有していてもよい。
〔フィルム貼付工程〕
上記フィルム貼付工程は、上記金属充填工程の後であって上記基板除去工程の前に、金属が充填されたマイクロポアを有する陽極酸化膜(上記マスク層形成工程を有する場合は「陽極酸化膜およびマスク層」であり、後述する研磨工程を有する場合は「陽極酸化膜およびアルミニウム基板」をいう。)の表面に、剥離可能な粘着層付きフィルムを貼り付ける任意の工程である。
このようなフィルム貼付工程および後述するフィルム剥離工程を有することにより、上記マスク層形成工程を有する場合において、個片化されて作製される金属充填微細構造体を一次的に保持することができ、ハンドリング性が向上する(図3(g)、図4(h)等参照)。
上記粘着層付きフィルムは特に限定されず、従来公知の易剥離性の粘着剤層付きフィルムを用いるのが好ましい。
本発明においては、上記粘着層付きフィルムとして、例えば、ポリエチレン樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているサニテクト(SUNYTECT)〔登録商標〕(株式会社サンエー化研製)、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているE−MASK〔登録商標〕(日東電工株式会社製)、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているマスタック〔登録商標〕(藤森工業株式会社製)等のシリーズ名で販売されている市販品を用いることができる。
また、上記粘着層付きフィルムを貼り付ける方法は特に限定されず、従来公知の表面保護テープ貼付装置やラミネーターを用いて貼り付けることができる。
〔フィルム剥離工程〕
上記フィルム剥離工程は、上記フィルム貼付工程および上記基板除去工程の後に、粘着層付きフィルムを、上述したマスク層形成工程を有し、後述する研磨工程を有さない場合にはマスク層とともに剥離する任意の工程である。
ここで、上記粘着層付きフィルムを剥離する方法は特に限定されず、従来公知の表面保護テープ剥離装置を用いて貼り付けることができる。
〔研磨工程〕
上記研磨工程は、上記金属充填工程の後(上記フィルム貼付工程を有する場合は上記フィルム貼付工程の前)に、金属が充填されたマイクロポアを有する陽極酸化膜およびマスク層の表面を研磨し、少なくともマスク層を除去する任意の工程である。
このような研磨工程を有することにより、上記フィルム張付工程における粘着層付きフィルムの貼り付けがしやすくなり、また、マイクロポアに金属を充填させた後の陽極酸化膜の表面に付着した余分な金属を除去することができる。
また、上記研磨工程における研磨方法としては、例えば、後述する表面平滑化工程における各種の処理方法等を挙げることができる。
〔表面平滑化工程〕
上記表面平滑化工程は、上記基板除去工程の後(上記フィルム剥離工程を有する場合は上記フィルム剥離工程の前)に、アルミニウム基板と接していた側の、金属が充填されたマイクロポアを有する陽極酸化膜の表面を平滑化する任意の工程である。
このような表面平滑処理工程を有することにより、マイクロポアに金属を充填させた後の陽極酸化膜の表面に付着した余分な金属を除去することができる。
このような表面平滑処理としては、例えば、以下に示す、機械研磨処理、化学機械研磨(CMP)処理、電解研磨処理、イオンミリング処理が好適に挙げられる。
<機械研磨処理>
機械研磨処理としては、例えば、#800〜#1500の粒度の研磨布(例えば、SiC布)を用いて、ラッピングを行い、厚みを調整し、その後、平均粒子径1〜3μmのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行い、さらに、平均粒子径0.1〜0.5μmのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行うことで、鏡面状態にすることができる。
ここで、電極面の研磨厚みは0μm〜20μmであるのが好ましく、対する開口面の研磨厚みは10μm〜50μmであるのが好ましい。
また、回転速度は、10rpm〜100rpmであるのが好ましく、20〜60rpmであるのがより好ましい。
また、荷重は、0.01〜0.1kgf/cm2であるのが好ましく、0.02〜0.08kgf/cm2であるのがより好ましい。
<化学機械研磨(CMP)処理>
CMP処理には、フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE−7000、日立化成社製のGPX HSC800、旭硝子(セイミケミカル)社製のCL−1000等のCMPスラリーを用いることができる。
<電解研磨処理>
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」,第6版,(社)日本アルミニウム協会編,2001年,p.164−165に記載されている各種の方法;米国特許第2708655号明細書に記載されている方法;「実務表面技術」,vol.33,No.3,1986年,p.32−38に記載されている方法;等が好適に挙げられる。
<イオンミリング処理>
イオンミリング処理は、上記CMPによる処理や、電解研磨処理よりもさらに精密な研磨が必要な際に施され、公知の技術を用いることができる。イオン種としては一般的なアルゴンイオンを用いることが好ましい。
〔その他の処理〕
<保護膜形成処理>
本発明の製造方法においては、陽極酸化膜のマイクロポアが、空気中の水分との水和により、経時により孔径が変化してしまうことから、上記金属充填工程前に、保護膜形成処理を施すことが好ましい。
ここで、保護膜形成処理については、特許文献2(特開2008−270158号公報)の[0133]〜[0140]段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
<水洗処理>
本発明の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。
このような各処理工程を有する本発明の製造方法により、アルミニウム基板の陽極酸化膜からなる絶縁性基材に設けられたマイクロポア由来の貫通孔の内部に金属が充填されてなる金属充填微細構造体が得られる。
具体的には、本発明の製造方法により、例えば、特許文献2に記載された異方導電性部材、すなわち、絶縁性基材(マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化膜)中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において露出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において露出した状態で設けられる異方導電性部材が、残留応力が少ない(反りやクラックが少ない)状態で得ることができる。
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
〔実施例1〕
<アルミニウム基板の作製>
Si:0.06質量%、Fe:0.30質量%、Cu:0.005質量%、Mn:0.001質量%、Mg:0.001質量%、Zn:0.001質量%、Ti:0.03質量%を含有し、残部はAlと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ500mm、幅1200mmの鋳塊をDC鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均10mmの厚さで面削機により削り取った後、550℃で、約5時間均熱保持し、温度400℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ2.7mmの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を500℃で行った後、冷間圧延で、厚さ1.0mmに仕上げ、JIS 1050材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅1030mmにした後、以下に示す各処理を施した。
<電解研磨処理>
上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧25V、液温度65℃、液流速3.0m/minの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、GP0110−30R(株式会社高砂製作所社製)を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(アズワン株式会社製)を用いて計測した。
(電解研磨液組成)
・85質量%リン酸(和光純薬社製試薬) 660mL
・純水 160mL
・硫酸 150mL
・エチレングリコール 30mL
<陽極酸化処理工程>
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開2007−204802号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度16℃、液流速3.0m/minの条件で、5時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、0.2mol/L無水クロム酸、0.6mol/Lリン酸の混合水溶液(液温:50℃)に12時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度16℃、液流速3.0m/minの条件の条件で、10時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚80μmの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はGP0110−30R(株式会社高砂製作所製)を用いた。また、冷却装置にはNeoCool BD36(ヤマト科学株式会社製)、かくはん加温装置にはペアスターラー PS−100(EYELA東京理化器械株式会社製)を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(アズワン株式会社製)を用いて計測した。
<バリア層除去工程>
次いで、上記陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を40Vから0Vまで連続的に電圧降下速度0.2V/secで降下させながら電解処理(電解除去処理)を施した。
その後、5質量%リン酸に30℃、30分間浸漬させるエッチング処理(エッチング除去処理)を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は60nmであった。なお、平均開口径は、FE−SEMにより表面写真(倍率50000倍)を撮影し、50点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは80μmであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対してFIBで切削加工し、その断面をFE−SEMにより表面写真(倍率50000倍)を撮影し、10点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約1億個/mm2であった。なお、マイクロポアの密度は、特許文献2(特開2008−270158号公報)の[0168]および[0169]段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、92%であった。なお、規則化度は、FE−SEMにより表面写真(倍率20000倍)を撮影し、特許文献2(特開2008−270158号公報)の[0024]〜[0027]段落に記載された方法で測定し、算出した。
<金属充填工程(電解めっき処理)>
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源(HZ−3000)を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
(銅めっき液組成および条件)
・硫酸銅 100g/L
・硫酸 50g/L
・塩酸 15g/L
・温度 25℃
・電流密度 10A/dm2
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をFE−SEMで観察し、1000個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率(封孔マイクロポアの個数/1000個)を算出したところ、96%であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してFIBで切削加工し、その断面をFE−SEMにより表面写真(倍率50000倍)を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
<基板除去工程>
次いで、20質量%塩化水銀水溶液(昇汞)に20℃、3時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより、金属充填微細構造体を作製した。
〔実施例2〕
上記陽極酸化処理工程の前に、以下に示すマスク層形成工程によりマスク層を形成した以外は、実施例1と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。
<マスク層形成工程>
アルミニウム基板の表面に、フォトレジスト(FC−230G、東洋紡株式会社製)をコートし、所定の開口パターンを付与するべくマスクを介してUV照射を施した。
その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、アルミニウム基板の表面をパターン状に露出させた。
〔実施例3〕
上記金属充填工程後であって上記基板除去工程の前に、以下に示すフィルム貼付工程により粘着層付きフィルムを貼り付け、また、上記基板除去工程の後に、フィルム剥離工程により粘着層付きフィルムを剥離した以外は、実施例2と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。
<フィルム貼付工程>
上記金属充填工程後の構造体の陽極酸化膜およびマスク層の表面に、ラミネーターを用いて、粘着層付きフィルム(E−MASK〔登録商標〕HR6010、日東電工株式会社製)を貼り付けた。
<フィルム剥離工程>
上記基板除去工程後の構造体から、表面保護テープ剥離装置を用いて、マスク層とともに粘着層付きフィルムを剥離し、金属充填微細構造体を作製した。
〔実施例4〕
上記金属充填工程後であって上記フィルム貼付工程の前に、以下に示す研磨工程(機械研磨処理)により金属が充填されたマイクロポアを有する陽極酸化膜およびマスク層の表面を研磨した以外は、実施例3と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。なお、作製された金属充填微細構造体の厚みは、65μmであった。
<研磨工程(機械研磨処理)>
研磨工程に用いる試料台としては、セラミック製冶具(ケメット・ジャパン株式会社製)を用い、試料台に貼り付ける材料としては、アルコワックス(日化精工株式会社製)を用いた。また、研磨剤としては、DP−懸濁液P−6μm・3μm・1μm・1/4μm(ストルアス社製)を順に用いた。
〔実施例5〕
上記基板除去工程の後であって上記フィルム剥離工程の前に、上記研磨工程と同様の機械研磨処理を施す表面平滑化工程により、アルミニウムニウム基板と接していた側の陽極酸膜の表面を研磨した以外は、実施例4と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。なお、作製された金属充填微細構造体の厚みは、50μmであった。
〔実施例6〕
金属充填工程を以下に示す方法で行い、Niを充填した以外は、実施例1と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。
<金属充填工程(電解めっき処理)>
アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電界めっき処理を施した。そして、硫酸ニッケル/塩化ニッケル/ホウ酸=300/60/40(g/L)の混合溶液を50℃に保った状態で電解液として使用し、定電流電解(5A/dm2)を行うことにより金属充填を行った。
〔実施例7〕
バリア層除去工程を以下に示す方法で行ったこと以外、すなわち、バリア層除去工程においてエッチング除去処理を施さなかった以外は、実施例1と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。
<バリア層除去工程>
次いで、上記陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を40Vから0Vまで連続的に電圧降下速度0.2V/secで降下させながら電解処理(電解除去処理)を施した。
〔比較例1〕
上記陽極酸化工程の後の工程を下記工程に変更した以外は、実施例1と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。
<貫通化処理工程>
次いで(上記陽極酸化処理工程の後)、20質量%塩化水銀水溶液(昇汞)に20℃、3時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、5質量%リン酸に30℃、30分間浸漬させることにより陽極酸化膜の底部(バリア層)を除去し、マイクロポアを有する陽極酸化膜からなる構造体を作製した。
<加熱処理工程>
次いで、上記で得られた構造体に、温度400℃で1時間の加熱処理を施した。
<電極膜形成処理>
次いで、上記加熱処理後の構造体の一方の表面に電極膜を形成する処理を施した。
すなわち、0.7g/L塩化金酸水溶液を、一方の表面に塗布し、140℃/1分で乾燥させ、更に500℃/1時間で焼成処理し、金のめっき核を作成した。
その後、無電解めっき液としてプレシャスファブACG2000基本液/還元液(日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース株式会社製)を用いて、50℃/1時間浸漬処理し、空隙のない電極膜を形成した。
<金属充填工程>
次いで、実施例1と同様の電解めっき処理を施し、構造体のマイクロポアの内部に金属を充填した。
<研磨工程・表面平滑化処理工程>
次いで、実施例4の研磨工程と同様の機械研磨処理を施し、両面から15μmずつ研磨することにより、膜厚50μmの金属充填微細構造体を得た。
〔比較例2〕
バリア層除去工程(電解除去処理およびエッチング除去処理)を施さなかった以外は、実施例1と同様の方法により、金属充填微細構造体を作製した。
ここで、実施例1と同様、金属充填工程後において、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をFE−SEMで観察し、1000個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率(封孔マイクロポアの個数/1000個)を算出したところ、1%以下であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してFIBで切削加工し、その断面をFE−SEMにより表面写真(倍率50000倍)を撮影し、マイクロポアの内部のバリア層付近を確認したところ、殆どのマイクロポアで金属が析出しておらず、金属の充填が不十分であることが分かった。
この結果から、比較例2の作製方法では、マイクロポアへの金属の充填が容易ではないことが分かった。
〔評価〕
実施例1〜7および比較例1で作製した各金属充填微細構造体について、以下に示す方法により、残留応力およびクラック数を調べた。これらの結果を下記第1表に示す。なお、下記第1表中、比較例2については、これらの評価項目を「−」としている。
<残留応力>
残留応力は、X線回折装置(XRD、ブルカー・バイオスピン株式会社製、D8 Discover with GADDS)を用いて、2θ・sin2ψ法により、残留応力を算出した。電圧/電流は45kV/110mAで、X線波長はCrKα線、X線照射径は500μm、評価結晶面はCu(311)面またはNi(311)面で測定を行った。
<クラック数>
クラック数は、各金属充填微細構造体を10サンプル作製し、マイクロフォーカスX線CT(株式会社島津製作所製、SMX−160CTS)を用いて、金属充填微細構造体の内部構造を観察することで、それぞれのサンプルについてクラック数を求め、クラック数の平均値を算出した。
Figure 0006029764
第1表に示す結果から、基板を除去し、マイクロポアを貫通化させた後に金属を充填させた場合は、残留応力が大きくなり、クラック数が増えることが分かった(比較例1)。
これに対し、バリア層を除去し、アルミニウム基板を電極として用いて金属を充填させた場合は、いずれも残留応力が低くなり、クラック数も低減することが分かった(実施例1〜7)。
特に、実施例1と実施例2の対比から、マスク層を形成し、陽極酸化膜の下部だけでなく、陽極酸化膜の周囲がアルミニウム基板で囲まれた状態で、マイクロポアの内部に金属を充填すると、残留応力が極めて小さくなることが分かった。
また、実施例1と実施例7の対比から、バリア層の除去工程が、電解除去処理だけでなく、エッチング除去処理も施すことにより、残留応力がより低くなり、クラック数もより低減することが分かった。
1 アルミニウム基板
2 マイクロポア
3 バリア層
4 陽極酸化膜
5 金属
6 マスク層
7 粘着層付きフィルム
10,20 金属充填微細構造体

Claims (13)

  1. アルミニウム基板の片側の表面に陽極酸化処理を施し、前記アルミニウム基板の片側の表面に、厚み方向に存在するマイクロポアと前記マイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、
    前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化膜の前記バリア層を除去するバリア層除去工程と、
    前記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して前記マイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、
    前記金属充填工程の後に、前記アルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程と、を有し、
    前記バリア層除去工程が、前記陽極酸化処理工程の前記陽極酸化処理における電位よりも低い電位で前記バリア層を電気化学的に溶解する工程である、金属充填微細構造体の製造方法。
  2. アルミニウム基板の片側の表面に陽極酸化処理を施し、前記アルミニウム基板の片側の表面に、厚み方向に存在するマイクロポアと前記マイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、
    前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化膜の前記バリア層を除去するバリア層除去工程と、
    前記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して前記マイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、
    前記金属充填工程の後に、前記アルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程と、を有し、
    前記バリア層除去工程が、前記陽極酸化処理工程の前記陽極酸化処理における電位よりも低い電位で前記バリア層を電気化学的に溶解した後に、更に、エッチングにより前記バリア層を除去する工程である、金属充填微細構造体の製造方法。
  3. 前記陽極酸化処理工程の前に、前記陽極酸化処理を施す前記アルミニウム基板の片側の表面に、予め所望の形状のマスク層を形成するマスク層形成工程を有する、請求項1または2に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  4. 前記金属充填工程の後であって前記基板除去工程の前に、前記金属が充填された前記マイクロポアを有する前記陽極酸化膜の表面に、剥離可能な粘着層付きフィルムを貼り付けるフィルム貼付工程を有し、
    更に、前記基板除去工程の後に、前記粘着層付きフィルムを剥離するフィルム剥離工程を有する、請求項1〜のいずれか1項に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  5. 前記金属充填工程の後に、前記金属が充填された前記マイクロポアを有する前記陽極酸化膜および前記マスク層の表面を研磨し、少なくとも前記マスク層を除去する研磨工程を有する、請求項またはに記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  6. 前記基板除去工程の後に、前記アルミニウム基板と接していた側の、前記金属が充填された前記マイクロポアを有する前記陽極酸化膜の表面を平滑化する表面平滑化工程を有する、請求項1〜のいずれか1項に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  7. アルミニウム基板の片側の表面に陽極酸化処理を施し、前記アルミニウム基板の片側の表面に、厚み方向に存在するマイクロポアと前記マイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、
    前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化膜の前記バリア層を除去するバリア層除去工程と、
    前記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して前記マイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、
    前記金属充填工程の後に、前記アルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程と、を有し、
    前記基板除去工程の後に、前記アルミニウム基板と接していた側の、前記金属が充填された前記マイクロポアを有する前記陽極酸化膜の表面を平滑化する表面平滑化工程を有する、金属充填微細構造体の製造方法。
  8. 前記バリア層除去工程が、前記陽極酸化処理工程の前記陽極酸化処理における電位よりも低い電位で前記バリア層を電気化学的に溶解する工程である、請求項7に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  9. 前記バリア層除去工程が、エッチングにより前記バリア層を除去する工程である、請求項7に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  10. 前記バリア層除去工程が、前記陽極酸化処理工程の前記陽極酸化処理における電位よりも低い電位で前記バリア層を電気化学的に溶解した後に、更に、エッチングにより前記バリア層を除去する工程である、請求項7に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  11. 前記陽極酸化処理工程の前に、前記陽極酸化処理を施す前記アルミニウム基板の片側の表面に、予め所望の形状のマスク層を形成するマスク層形成工程を有する、請求項7〜10のいずれか1項に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  12. 前記金属充填工程の後であって前記基板除去工程の前に、前記金属が充填された前記マイクロポアを有する前記陽極酸化膜の表面に、剥離可能な粘着層付きフィルムを貼り付けるフィルム貼付工程を有し、
    更に、前記基板除去工程の後に、前記粘着層付きフィルムを剥離するフィルム剥離工程を有する、請求項7〜11のいずれか1項に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
  13. 前記金属充填工程の後に、前記金属が充填された前記マイクロポアを有する前記陽極酸化膜および前記マスク層の表面を研磨し、少なくとも前記マスク層を除去する研磨工程を有する、請求項11または12に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
JP2015534172A 2013-08-30 2014-08-21 金属充填微細構造体の製造方法 Active JP6029764B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013180005 2013-08-30
JP2013180005 2013-08-30
PCT/JP2014/071930 WO2015029881A1 (ja) 2013-08-30 2014-08-21 金属充填微細構造体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6029764B2 true JP6029764B2 (ja) 2016-11-24
JPWO2015029881A1 JPWO2015029881A1 (ja) 2017-03-02

Family

ID=52586441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015534172A Active JP6029764B2 (ja) 2013-08-30 2014-08-21 金属充填微細構造体の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160153104A1 (ja)
EP (1) EP3040450A4 (ja)
JP (1) JP6029764B2 (ja)
KR (1) KR101745485B1 (ja)
CN (1) CN105492659B (ja)
WO (1) WO2015029881A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022177390A1 (ko) * 2021-02-22 2022-08-25 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
WO2022181951A1 (ko) * 2021-02-26 2022-09-01 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀의 정렬 모듈 및 정렬 이송방법
WO2022182177A1 (ko) * 2021-02-26 2022-09-01 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어셈블리 및 그 제조방법
WO2022215906A1 (ko) * 2021-04-06 2022-10-13 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법
WO2022216090A1 (ko) * 2021-04-09 2022-10-13 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6535098B2 (ja) * 2015-09-29 2019-06-26 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法
KR101817246B1 (ko) * 2016-04-22 2018-01-10 (주)포인트엔지니어링 유기발광다이오드용 마스크
JP6889020B2 (ja) * 2016-05-02 2021-06-18 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルムの製造方法、及び異方性導電フィルム
JP6580642B2 (ja) * 2016-08-12 2019-09-25 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法
WO2018037805A1 (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 富士フイルム株式会社 保管方法
DE102017200952B4 (de) * 2017-01-20 2023-02-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
WO2018155273A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法
EP3431637A1 (en) 2017-07-18 2019-01-23 IMEC vzw Porous solid materials and methods for fabrication
KR102536305B1 (ko) * 2018-01-05 2023-05-24 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 구조체 및 이의 제조방법
JP2019211738A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 株式会社オプトニクス精密 X線マスク及びx線マスクの製造方法
KR102650163B1 (ko) * 2018-10-29 2024-03-21 (주)포인트엔지니어링 프로브 카드용 가이드 플레이트 및 그 제조방법 및 이를 구비한 프로브 카드
WO2020166240A1 (ja) * 2019-02-15 2020-08-20 富士フイルム株式会社 陽極酸化処理方法および異方導電性部材の製造方法
US11230786B2 (en) * 2019-06-17 2022-01-25 Nanopec, Inc. Nano-porous anodic aluminum oxide membrane for healthcare and biotechnology
WO2021033467A1 (ja) * 2019-08-16 2021-02-25 富士フイルム株式会社 構造体の製造方法
CN115003864A (zh) * 2020-01-31 2022-09-02 富士胶片株式会社 金属填充微细结构体的制造方法
CN115135809A (zh) * 2020-02-26 2022-09-30 富士胶片株式会社 金属填充微细结构体、金属填充微细结构体的制造方法及结构体
JP7357142B2 (ja) * 2020-03-06 2023-10-05 富士フイルム株式会社 充填微細構造体および搬送方法
WO2021176847A1 (ja) * 2020-03-06 2021-09-10 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法
CN113122845B (zh) * 2021-04-03 2023-04-28 昆山陆新新材料科技有限公司 一种铝合金金属镀件的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008272912A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Fujifilm Corp 微細構造体及びその製造方法
JP2012117144A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Imec 正確に制御されたマスク陽極酸化のための方法
JP2012201915A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Fujifilm Corp 金属充填構造体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2708655A (en) 1955-05-17 Electrolytic polishing of aluminum
JP3154713B2 (ja) 1990-03-16 2001-04-09 株式会社リコー 異方性導電膜およびその製造方法
US5747180A (en) * 1995-05-19 1998-05-05 University Of Notre Dame Du Lac Electrochemical synthesis of quasi-periodic quantum dot and nanostructure arrays
KR20050103284A (ko) * 2003-01-30 2005-10-28 니혼 아루미나 가코 가부시키가이샤 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면에 양극 산화 피막을형성하는 방법
JP2007204802A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Fujifilm Corp 構造体の製造方法
US20100219079A1 (en) * 2006-05-07 2010-09-02 Synkera Technologies, Inc. Methods for making membranes based on anodic aluminum oxide structures
EP2074243A1 (en) * 2006-09-22 2009-07-01 Istanbul Teknik Universitesi Method for the preparation of nanostructures and nanowires
JP5043621B2 (ja) 2007-03-27 2012-10-10 富士フイルム株式会社 異方導電性部材およびその製造方法
JP5523941B2 (ja) * 2009-09-10 2014-06-18 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法
EP2626450A1 (en) * 2012-02-08 2013-08-14 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of manufacturing nanostructures on a surface, on a mould and on an optical element, and an optical element as such manufactured.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008272912A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Fujifilm Corp 微細構造体及びその製造方法
JP2012117144A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Imec 正確に制御されたマスク陽極酸化のための方法
JP2012201915A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Fujifilm Corp 金属充填構造体

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022177390A1 (ko) * 2021-02-22 2022-08-25 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR20220119880A (ko) * 2021-02-22 2022-08-30 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
TWI814256B (zh) * 2021-02-22 2023-09-01 南韓商普因特工程有限公司 導電接觸針與其製造方法
KR102519285B1 (ko) * 2021-02-22 2023-04-17 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR20220122209A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀의 정렬 모듈 및 정렬 이송방법
KR20220122212A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어셈블리 및 그 제조방법
KR102490034B1 (ko) * 2021-02-26 2023-01-18 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀의 정렬 모듈 및 정렬 이송방법
KR102517778B1 (ko) * 2021-02-26 2023-04-04 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어셈블리 및 그 제조방법
WO2022182177A1 (ko) * 2021-02-26 2022-09-01 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어셈블리 및 그 제조방법
WO2022181951A1 (ko) * 2021-02-26 2022-09-01 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀의 정렬 모듈 및 정렬 이송방법
TWI818449B (zh) * 2021-02-26 2023-10-11 南韓商普因特工程有限公司 導電接觸針組合與其製造方法
WO2022215906A1 (ko) * 2021-04-06 2022-10-13 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법
KR102549551B1 (ko) * 2021-04-06 2023-06-29 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법
TWI818486B (zh) * 2021-04-06 2023-10-11 南韓商普因特工程有限公司 導電接觸針、具有相同導電針之檢測裝置以及其製造方法
WO2022216090A1 (ko) * 2021-04-09 2022-10-13 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR102577539B1 (ko) 2021-04-09 2023-09-12 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3040450A4 (en) 2016-08-31
WO2015029881A1 (ja) 2015-03-05
JPWO2015029881A1 (ja) 2017-03-02
CN105492659A (zh) 2016-04-13
KR101745485B1 (ko) 2017-06-09
CN105492659B (zh) 2018-06-01
KR20160035034A (ko) 2016-03-30
EP3040450A1 (en) 2016-07-06
US20160153104A1 (en) 2016-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6029764B2 (ja) 金属充填微細構造体の製造方法
JP5435493B2 (ja) 微細構造体およびその製造方法
US8133578B2 (en) Microstructure and method of manufacturing the same
WO2017057150A1 (ja) 金属充填微細構造体の製造方法
US9899306B2 (en) Anisotropic conductive member and multilayer wiring substrate
JP2012089481A (ja) 異方導電性部材
JP6412587B2 (ja) 多層配線基板
TW202231937A (zh) 金屬填充微細結構體和金屬填充微細結構體的製造方法
WO2018216433A1 (ja) 被処理部材の製造方法および積層体
JP6055552B2 (ja) 多層構造体、インターポーザ、および、インターポーザの製造方法
JP7343706B2 (ja) 異方導電性部材の製造方法
JP2010177171A (ja) 異方導電性部材およびその製造方法
JP2011202194A (ja) 金属充填微細構造体の製造方法
WO2022044585A1 (ja) 金属充填微細構造体の製造方法
WO2022138151A1 (ja) 金属充填微細構造体及び金属充填微細構造体の製造方法
JP7369871B2 (ja) 異方導電性部材の製造方法
WO2022138150A1 (ja) 構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6029764

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250