JP2019211738A - X線マスク及びx線マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】陽極酸化により形成されるナノホールを利用して、ナノメートルオーダーのX線吸収部を有するX線マスクを得る。【解決手段】X線マスク20は、基板10を陽極酸化して基板10の表面にナノホール14を形成した酸化膜12と、酸化膜12のナノホール14に充填されたX線不透過材料16と、を有する。【選択図】図1
Description
本発明は、X線マスク及びX線マスクの製造方法に関する。
基板上に設けられた陽極酸化アルミナ膜のナノホールに半導体又は金属を埋め込む技術が開示されている(特許文献1参照)。
また、陽極酸化法を用いてX線用金属格子を製造する技術が開示されている(特許文献2参照)。
また、陽極酸化法を用いてX線用金属格子を製造する技術が開示されている(特許文献2参照)。
しかしながら、上記した特許文献1では、ナノホールに半導体を埋め込んで発光素子を得たり、ナノホールにV、Cr、Co、Ni等を含む金属を埋め込んで磁気記録媒体を得たりする内容となっている。
また、上記した特許文献2では、X線リソグラフィー(LIGA方式)により金属基板の上にパターンニングをして形成されたレジストの開口部から、金属基板を陽極酸化することにより金属基板にマイクロメートルオーダーの複数の穴を形成し、この穴にX線吸収部を埋めてX線用金属格子を製造するものであって、X線マスクの製造ではない。尚、X線リソグラフィー(LIGA方式)には、X線吸収部を有するX線マスクが用いられ、X線マスクは、リソグラフィーと電鋳により製造することが可能であるが、このリソグラフィー及び電鋳ではナノメートルオーダーのX線吸収部を形成することは極めて困難である。従って特許文献2における穴もナノメートルオーダーのX線吸収部を形成することは極めて困難である。
本発明は、陽極酸化により形成されるナノホールを利用して、ナノメートルオーダーのX線吸収部を有するX線マスクを得ることを目的とする。
第1の態様に係るX線マスクは、基板を陽極酸化して前記基板の表面にナノホールを形成した酸化膜と、前記酸化膜の前記ナノホールに充填されたX線不透過材料と、を有している。
このX線マスクでは、陽極酸化により得られたナノメートルオーダーの微細なナノホールに、X線不透過材料が充填されている。したがって、このX線マスクは、ナノメートルオーダーのX線吸収部を有している。
第2の態様に係るX線マスクの製造方法は、基板を陽極酸化して、ナノホールを有する酸化膜を前記基板の表面に形成する陽極酸化工程と、前記酸化膜の前記ナノホールにX線不透過材料を充填する充填工程と、を有する。
このX線マスクの製造方法では、基板を陽極酸化することで得られる酸化膜のナノホールに、X線不透過材料を充填し、基板を除去することによりX線マスクとなる酸化膜を得ることができる。この酸化膜は、ナノメートルオーダーの微細なナノホールにX線不透過材料が充填されている。このX線不透過材料の充填部分がX線吸収部となるため、酸化膜をX線マスクとして用いることができる。
第3の態様に係るX線マスクの製造方法は、第2の態様に係るX線マスクの製造方法において、更に、前記基板を除去し、前記ナノホールにX線不透過材料が充填されX線マスクとなる前記酸化膜を得る除去工程を有する。
このX線マスクの製造方法では、残存する基板を除去することにより、X線の透過率を高めることができる。
第4の態様は、第2の態様に係るX線マスクの製造方法において、前記充填工程では、前記X線不透過材料を含むコロイド溶液の前記ナノホールへの充填と前記コロイド溶液の液体の乾燥を繰り返すことにより、前記X線不透過材料を前記ナノホールに段階的に充填する。
このX線マスクの製造方法では、充填工程において、X線不透過材料を含むコロイド溶液をナノホールへ充填する。コロイド溶液は、ナノホールにも充填することが可能である。ナノホールに充填されたコロイド溶液の液体を乾燥させると、ナノホールにX線不透過材料が残存しつつ体積が減少する。つまり、ナノホールに空洞が残った状態となる。そこで、更にコロイド溶液のナノホールへの充填と液体の乾燥を繰り返すことにより、ナノホールにおけるX線不透過材料の充填率を高めて行き、結果的にナノホールをX線不透過材料で満たすことができる。
第5の態様は、第2の態様に係るX線マスクの製造方法において、前記充填工程では、電鋳により、前記X線不透過材料を前記ナノホールに充填する。
このX線マスクの製造方法では、電鋳を用いることで、ナノホールにX線不透過材料を容易に充填することができる。
本発明に係るX線マスクの製造方法によれば、陽極酸化により形成されるナノホールを利用して、ナノメートルオーダーのX線吸収部を有するX線マスクを製造できる。
以下、本発明を実施するための形態を図面に基づき説明する。図1において、本実施形態に係るX線マスクの製造方法は、陽極酸化工程S1(図1(B))と、充填工程S2(図1(C))と、除去工程S3(図1(D))と、を有している。
図1(A)において、基板10は、アルミニウム(Al)の板であり、厚さは3mmである。図1(B)において、陽極酸化工程S1では、基板10を陽極酸化して、ナノホール14を有する酸化膜12を基板10の表面に形成する。陽極酸化は、公知の方法を用いて行うことができる。陽極酸化により形成されるナノホール14は、直径がナノメートルオーダーの微細な穴であり、酸化膜12の厚さの増加、つまり酸化膜12の成長と共に直線的に成長する。酸化膜12には、無数のナノホール14が形成される。基板10の材料は、アルミニウム(Al)以外に、チタン(Ti)、ケイ素(Si)であってもよい。基板10の材料がアルミニウムである場合、酸化膜12は酸化アルミニウム、所謂アルミナとなる。
図1(C)において、充填工程S2では、酸化膜12のナノホール14にX線不透過材料16を充填する。X線不透過材料16は、例えば金(Au)、タングステン(W)、鉛(Pb)、ニッケル(Ni)の微粒子である。この充填工程S2では、例えばX線不透過材料16を含むコロイド溶液18のナノホール14への充填とコロイド溶液18の液体の乾燥を繰り返すことにより、X線不透過材料16をナノホール14に段階的に充填する。コロイド溶液18では、上記した金等のX線不透過材料16が、微粒子となって液体中に分散している。
図2(A)〜(F)に示されるように、ナノホール14内のコロイド溶液18は、乾燥による液体の減少より体積が減るため、コロイド溶液18の充填と乾燥を繰り返すことにより、ナノホール14にX線不透過材料16を段階的に充填することができる。具体的には、図2(A)において、ナノホール14にコロイド溶液18を充填する。このコロイド溶液18の液体を乾燥させると、ナノホール14にX線不透過材料16が残存しつつ体積が減少する(図2(B))。つまり、ナノホール14のうちX線不透過材料16で満たされなかった部分に空洞14Aが残る。この空洞14Aにコロイド溶液18を充填し(図2(C))、液体を乾燥させると、ナノホール14内に残存するX線不透過材料16が増加し、空洞14Aが減少する(図2(D))。更に、空洞14Aにコロイド溶液18を充填し(図2(E))、液体を乾燥させると、ナノホール14がX線不透過材料16で満たされる(図2(F))。
このように、コロイド溶液18のナノホール14への充填と液体の乾燥を繰り返すことにより、ナノホール14におけるX線不透過材料16の充填率を高めて行き、結果的にナノホール14をX線不透過材料16で満たすことができる。なお、コロイド溶液18のナノホール14への充填と液体の乾燥の繰返し数は、特に限定されない。コロイド溶液18におけるX線不透過材料16の含有料が多ければ、繰返し数は少なくなる。逆に含有量が少なければ、繰返し数は多くなる。
なお、ナノホール14にX線不透過材料16を充填する手段は、コロイド溶液18を用いるものに限られず、電鋳を用いてもよい。
図1(D)において、厚さ2mmの基板10があるとX線の透過率が10%以下となるため、除去工程S3では、残存する基板10を除去し、ナノホール14にX線不透過材料16が充填されX線マスク20となる酸化膜12を得る。基板10を除去する手段としては、例えばエッチングが用いられる。ナノホール14に充填されたX線不透過材料16は、X線吸収部22を構成する。このようなX線吸収部22を有する酸化膜12は、X線マスク20として利用可能である。換言すれば、X線マスク20は、基板10を陽極酸化して基板10の表面にナノホール14を形成した酸化膜12と、酸化膜12のナノホール14に充填されたX線不透過材料16と、を有している。なお、本実施形態では、基板10の表面にナノホール14を形成した酸化膜12を得るために陽極酸化の技術を用いており、陽極酸化を抜きにして当該酸化膜を物の構造又は特性により直接特定することは不可能である。
変形例に係る図3(A)〜(C)は、図1(A)〜(C)と同様であるが、図3(A)の基板10の厚さを0.15〜1.5mmとしている。図3(C)において、酸化膜12が形成されることで、基板10の厚さは0.1〜1.0mmとなる。0.1mmの厚さであれば、X線の透過率が90%となる。1mmの厚さであれば、X線の透過率が60%となる。このように、基板10の部分で60%以上のX線透過率が得られれば、X線吸収部22を有する酸化膜12に基板10が残っていても、X線マスク20として利用可能である。したがって、基板10を除去しなくてもよい。
(作用)
本実施形態は、上記のように構成されており、以下その作用について説明する。図1において、本実施形態に係るX線マスクの製造方法では、このX線マスクの製造方法では、基板10を陽極酸化することで得られる酸化膜12のナノホール14に、X線不透過材料16を充填し、基板10を除去することによりX線マスク20となる酸化膜12を得ることができる。この酸化膜12は、ナノメートルオーダーの微細なナノホール14にX線不透過材料16が充填されている。このX線不透過材料16の充填部分がX線吸収部22となるため、酸化膜12をX線マスク20として用いることができる。
本実施形態は、上記のように構成されており、以下その作用について説明する。図1において、本実施形態に係るX線マスクの製造方法では、このX線マスクの製造方法では、基板10を陽極酸化することで得られる酸化膜12のナノホール14に、X線不透過材料16を充填し、基板10を除去することによりX線マスク20となる酸化膜12を得ることができる。この酸化膜12は、ナノメートルオーダーの微細なナノホール14にX線不透過材料16が充填されている。このX線不透過材料16の充填部分がX線吸収部22となるため、酸化膜12をX線マスク20として用いることができる。
図2に示されるように、このX線マスクの製造方法では、充填工程S2において、例えばX線不透過材料16を含むコロイド溶液18をナノホール14へ充填する。コロイド溶液18は、ナノホール14にも充填することが可能である。ナノホール14に充填されたコロイド溶液18の液体を乾燥させると、ナノホール14にX線不透過材料16が残存しつつ体積が減少する。つまり、ナノホール14のうちX線不透過材料16で満たされなかった部分に空洞14Aが残る。そこで、更にコロイド溶液18のナノホール14への充填と液体の乾燥を繰り返すことにより、ナノホール14におけるX線不透過材料16の充填率を高めて行き、結果的にナノホール14をX線不透過材料16で満たすことができる。
このように、本実施形態に係るX線マスクの製造方法によれば、陽極酸化により形成されるナノホール14を利用して、ナノメートルオーダーのX線吸収部22を有するX線マスク20を製造できる。また、このX線マスク20を用いたX線リソグラフィにより、ナノホール14の直径に対応した微細な柱形状や穴形状を成形することができる。
変形例(図3)に係るX線マスクの製造方法では、X線の透過率が60%以上となる厚さの基板10を除去せずに残している。基板10の部分のX線の透過率が60%であれば、該基板10が残っていてもX線マスク20として利用可能であるので、該基板10を除去する工程が不要となる。このため、製造コストを抑制できる。
[他の実施形態]
以上、本発明の実施形態の一例について説明したが、本発明の実施形態は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。
以上、本発明の実施形態の一例について説明したが、本発明の実施形態は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。
ナノホール14にX線不透過材料16を充填する手段は、コロイド溶液18を用いるものや、電鋳に限られず、例えばCVD(化学的気相成長法)、スパッタリング、蒸着であってもよい。この場合、X線不透過材料がナノホールのみでなく、同時にナノホールの周辺の平面部にオーバーコートされたら、このオーバーコートの部分を機械的に研磨して除去すれば良い。
10 基板
12 酸化膜
14 ナノホール
16 X線不透過材料
18 コロイド溶液
20 X線マスク
S1 陽極酸化工程
S2 充填工程
S3 除去工程
12 酸化膜
14 ナノホール
16 X線不透過材料
18 コロイド溶液
20 X線マスク
S1 陽極酸化工程
S2 充填工程
S3 除去工程
Claims (5)
- 基板を陽極酸化して前記基板の表面にナノホールを形成した酸化膜と、
前記酸化膜の前記ナノホールに充填されたX線不透過材料と、
を有するX線マスク。 - 基板を陽極酸化して、ナノホールを有する酸化膜を前記基板の表面に形成する陽極酸化工程と、
前記酸化膜の前記ナノホールにX線不透過材料を充填する充填工程と、
を有するX線マスクの製造方法。 - 前記充填工程の後に、前記基板を除去する除去工程を有する請求項2に記載のX線マスクの製造方法。
- 前記充填工程では、前記X線不透過材料を含むコロイド溶液の前記ナノホールへの充填と前記コロイド溶液の液体の乾燥を繰り返すことにより、前記X線不透過材料を前記ナノホールに段階的に充填する請求項2又は請求項3に記載のX線マスクの製造方法。
- 前記充填工程では、電鋳により、前記X線不透過材料を前記ナノホールに充填する請求項2又は請求項3に記載のX線マスクの製造方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5046530A (ja) * | 1973-08-01 | 1975-04-25 | ||
JPS63136518A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | X線マスクの製造方法 |
JPH06215711A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平行x線源 |
JPH06215891A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線源 |
JP2001194462A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-07-19 | Xerox Corp | 微細加工されたx線画像コントラストグリッド |
JP2001278700A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Canon Inc | ナノ構造体、その製造方法および磁気デバイス |
US6482553B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-11-19 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Graphite mask for x-ray or deep x-ray lithography |
JP2005171306A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属微粒子層の作製方法 |
JP2008168396A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Fujifilm Corp | 微細構造体及びその製造方法、ラマン分光用デバイス、ラマン分光装置 |
WO2015029881A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 金属充填微細構造体の製造方法 |
-
2018
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5046530A (ja) * | 1973-08-01 | 1975-04-25 | ||
JPS63136518A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | X線マスクの製造方法 |
JPH06215711A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平行x線源 |
JPH06215891A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線源 |
US6482553B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-11-19 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Graphite mask for x-ray or deep x-ray lithography |
JP2001194462A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-07-19 | Xerox Corp | 微細加工されたx線画像コントラストグリッド |
JP2001278700A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Canon Inc | ナノ構造体、その製造方法および磁気デバイス |
JP2005171306A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属微粒子層の作製方法 |
JP2008168396A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Fujifilm Corp | 微細構造体及びその製造方法、ラマン分光用デバイス、ラマン分光装置 |
WO2015029881A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 金属充填微細構造体の製造方法 |
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