JPH0277597A - リフローめっき材の製造方法 - Google Patents
リフローめっき材の製造方法Info
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- JPH0277597A JPH0277597A JP22643788A JP22643788A JPH0277597A JP H0277597 A JPH0277597 A JP H0277597A JP 22643788 A JP22643788 A JP 22643788A JP 22643788 A JP22643788 A JP 22643788A JP H0277597 A JPH0277597 A JP H0277597A
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子部品や食缶用材料などに利用されるリフ
ローめっき材の製造方法に関する。
ローめっき材の製造方法に関する。
[従来の技術]
銅または銅合金あるいは鉄の条材に連続的に錫または錫
合金を電気めっきした後、リフロー処理するリフローめ
っき材が生産されている。
合金を電気めっきした後、リフロー処理するリフローめ
っき材が生産されている。
銅または銅合金を母材とするリフロー錫めっきあるいは
リフローはんだめっきは、端子コネクターなどの電子部
品として用いられ、鉄を母材とするリフロー錫めっきは
いわゆるブリキとして食缶用材料などに利用されている
。
リフローはんだめっきは、端子コネクターなどの電子部
品として用いられ、鉄を母材とするリフロー錫めっきは
いわゆるブリキとして食缶用材料などに利用されている
。
これらのリフローめっき材は、その製造ラインにおいて
は、いずれも錫を電気めっきされた後、その融点以上の
温度まで電気炉、誘導加熱炉などにより加熱され、錫層
または錫合金層を溶融させる。そして、金属が溶融状態
のままめっき材は水中に浸漬され急冷され、めっき金属
が凝固(クエンチ)される。
は、いずれも錫を電気めっきされた後、その融点以上の
温度まで電気炉、誘導加熱炉などにより加熱され、錫層
または錫合金層を溶融させる。そして、金属が溶融状態
のままめっき材は水中に浸漬され急冷され、めっき金属
が凝固(クエンチ)される。
[発明が解決しようとする課題]
金属が凝固するとき、溶融しためっき層に触れる部分の
水は沸騰するが、その沸騰により生じる気泡のため、溶
融めっき層の冷却凝固が不均一となり、クエンチスティ
ンと呼ばれる冷却むらが生じる。リフローめっき材の表
面は高い光沢を有するため、クエンチスティンは目立ち
やすく、そのために商品価値が低下する問題がある。
水は沸騰するが、その沸騰により生じる気泡のため、溶
融めっき層の冷却凝固が不均一となり、クエンチスティ
ンと呼ばれる冷却むらが生じる。リフローめっき材の表
面は高い光沢を有するため、クエンチスティンは目立ち
やすく、そのために商品価値が低下する問題がある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、錫または錫合金を金属材料に電気めっき後リ
フロー処理するめっき材の製造方法において、リフロー
加熱直後の溶融めっき層の冷却を、水槽内で超音波をあ
てながら行うことを特徴とするリフローめっき材の製造
方法である。
フロー処理するめっき材の製造方法において、リフロー
加熱直後の溶融めっき層の冷却を、水槽内で超音波をあ
てながら行うことを特徴とするリフローめっき材の製造
方法である。
リフロー加熱後のめっき材が冷却層に通人される際、溶
融状態の錫まだは錫合金めっき層が水と接触する部分に
超音波を照射すると、キャンビテーションによる沸騰に
より気泡が微細で均一にな、るため、錫または錫合金の
凝固が均一になり、クエンチスティンが軽減されるもの
と考えられる。
融状態の錫まだは錫合金めっき層が水と接触する部分に
超音波を照射すると、キャンビテーションによる沸騰に
より気泡が微細で均一にな、るため、錫または錫合金の
凝固が均一になり、クエンチスティンが軽減されるもの
と考えられる。
本発明に用いる超音波は、超音波洗浄用に市販されてい
る発振器振動子によって発生して適用できる。周波数と
発信方式でいえば、26〜50kHzの単一周波数の超
音波が一般的に利用できる。振幅および周波数を変調さ
せることは必ずしも必要ではなく、特に制限されない。
る発振器振動子によって発生して適用できる。周波数と
発信方式でいえば、26〜50kHzの単一周波数の超
音波が一般的に利用できる。振幅および周波数を変調さ
せることは必ずしも必要ではなく、特に制限されない。
次に実施例と比較例について述べる。
実施例
厚さ 0.3μmのりん青銅(Cu−8vt%5n−0
,1wL%P)の条を連続めっきラインで1μm厚さの
錫を電気めっき後、電気炉で連続的にリフロー加熱した
後、ひき続き錫が溶融状態のまま冷却水槽の内部から超
音波を照射させながらクエンチさせた。
,1wL%P)の条を連続めっきラインで1μm厚さの
錫を電気めっき後、電気炉で連続的にリフロー加熱した
後、ひき続き錫が溶融状態のまま冷却水槽の内部から超
音波を照射させながらクエンチさせた。
ラインの通板速度は15Il/ll1n %水槽温度は
60℃、超音波は2Gk llz、 150wを用いた
。
60℃、超音波は2Gk llz、 150wを用いた
。
こうして作成したリフロー錫めっき材には問題となるク
エンチスティンは認められなかった。
エンチスティンは認められなかった。
比較例
超音波を照射しない他は実施例と同一条件で、リフロー
錫めっきを作成したところ、クエンチスティンが認めら
れた。
錫めっきを作成したところ、クエンチスティンが認めら
れた。
[発明の効果]
本発明により製造されるリフローめっき材は、クエンチ
スティンが認められないか、あるいは極めて軽微である
ため、均一な光沢面の外観を有する。
スティンが認められないか、あるいは極めて軽微である
ため、均一な光沢面の外観を有する。
Claims (1)
- 錫または錫合金を金属材料に電気めっき後リフロー処理
するめっき材の製造方法において、リフロー加熱直後の
溶融めっき層の冷却を、水槽内で超音波をあてながら行
うことを特徴とするリフローめっき材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22643788A JPH0277597A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | リフローめっき材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22643788A JPH0277597A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | リフローめっき材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0277597A true JPH0277597A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16845100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22643788A Pending JPH0277597A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | リフローめっき材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0277597A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105431987A (zh) * | 2013-07-22 | 2016-03-23 | 富士胶片株式会社 | 各向异性导电性部件的制造方法及各向异性导电性接合封装体的制造方法 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22643788A patent/JPH0277597A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105431987A (zh) * | 2013-07-22 | 2016-03-23 | 富士胶片株式会社 | 各向异性导电性部件的制造方法及各向异性导电性接合封装体的制造方法 |
EP3026764A4 (en) * | 2013-07-22 | 2016-11-16 | Fujifilm Corp | METHOD FOR PRODUCING AN ANISOTROPIC CONDUCTIVE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ANISOTROPIC CONDUCTIVE BONDING ENCAPSULATION |
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