KR20230137445A - 언더필 조성물, 도포막, 경화막, 다층 배선 기판 및 다층 배선 기판의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 경시 안정성이 우수하고, 금속 밀착성도 양호한 언더필 조성물, 및, 언더필 조성물을 이용한 도포막, 경화막, 다층 배선 기판 및 다층 배선 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 언더필 조성물은, 중합체, 및, 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물을 함유하는 언더필 조성물로서, 중합체가 사이아노기를 갖고, 중합체 1g당 포함되는 사이아노기의 함유량이 0.1~6mmol/g인, 언더필 조성물이다.
Description
본 발명은, 언더필 조성물, 도포막, 경화막, 다층 배선 기판 및 다층 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
절연성 기재에 마련된 미세 구멍에 금속이 충전되어 이루어지는 금속 충전 미세 구조체(디바이스)는, 최근 나노 테크놀로지에서도 주목받고 있는 분야 중 하나이며, 예를 들면, 이방 도전성 접합 부재로서의 용도가 기대되고 있다.
이 이방 도전성 접합 부재는, 반도체 소자 등의 전자 부품과 회로 기판의 사이에 삽입하고, 가압하는 것만으로 전자 부품과 회로 기판 사이의 전기적 접속이 얻어지기 때문에, 반도체 소자 등의 전자 부품 등의 전기적 접속 부재나 기능 검사를 행할 때의 검사용 커넥터 등으로서 널리 사용되고 있다.
특히, 반도체 소자 등의 전자 부품은, 다운 사이징화가 현저하고, 종래의 와이어 본딩과 같은 배선 기판을 직접 접속하는 것 같은 방식이나, 플립 칩 본딩, 서모 컴프레션(열압착) 본딩 등에서는, 접속의 안정성을 충분히 보증할 수 없기 때문에, 전자 접속 부재로서 이방 도전성 접합 부재가 주목받고 있다.
이와 같은 이방 도전성 접합 부재를 이용한 다층 배선 기판의 제조 방법으로서, 예를 들면, 특허문헌 1에는, 이방 도전성 접합 부재와 배선 기판을, 비도전성의 열경화성 수지를 이용하여 접착하는 가접합 프로세스를 갖는 제조 방법이 기재되어 있다([청구항 1]).
본 발명자는, 특허문헌 1에 기재된 열경화성 수지에 대하여 검토한 결과, 금속 배선이나 금속 필러와의 밀착성(이하, "금속 밀착성"으로 약기한다.)이 양호하다는 것을 알았지만, 경시 안정성이 뒤떨어지는 경우가 있어, 장기의 가사(可使) 시간을 확보할 수 없는 경우가 있는 것을 명확하게 했다.
따라서, 본 발명은, 경시 안정성이 우수하고, 금속 밀착성도 양호한 언더필 조성물, 및, 언더필 조성물을 이용한 도포막, 경화막, 다층 배선 기판 및 다층 배선 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자는, 상기 과제를 달성하기 위하여 예의 연구한 결과, 사이아노기를 특정량 포함하는 중합체와, 말레이미드 화합물을 함유하는 조성물을 이용하면, 경시 안정성이 우수하고, 금속 밀착성도 양호해지는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명자는, 이하의 구성에 의하여 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.
[1]
중합체, 및, 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물을 함유하는 언더필 조성물로서,
중합체가 사이아노기를 갖고,
중합체 1g당 포함되는 사이아노기의 함유량이 0.1~6mmol/g인, 언더필 조성물.
[2]
중합체 및 말레이미드 화합물의 함유량의 합계가, 언더필 조성물의 총 질량에 대하여 10~80질량%인, [1]에 기재된 언더필 조성물.
[3]
용제를 더 함유하고,
용제에 가용인 성분이, 불휘발 성분의 총 질량에 대하여 95질량% 이상인, [1] 또는 [2]에 기재된 언더필 조성물.
[4]
중합체가, 에폭시기 이외의 경화성기를 갖는 열경화성 수지인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[5]
중합체가 반복 단위를 갖고, 반복 단위가 사이아노기를 포함하는 측쇄를 갖는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[6]
중합체가, 후술하는 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[7]
중합체의 중량 평균 분자량이, 100000~1200000인, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[8]
말레이미드 화합물의 함유량이, 언더필 조성물의 총 질량에 대하여 5~70질량%인, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[9]
말레이미드 화합물이, 1분자 중에 말레이미드기를 2개 이상 갖는 화합물인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[10]
말레이미드 화합물이, 비스말레이미드 화합물인, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[11]
알릴페놀 화합물을 더 함유하는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[12]
알릴페놀 화합물의 함유량이, 언더필 조성물의 총 질량에 대하여 3~60질량%인, [11]에 기재된 언더필 조성물.
[13]
아크릴 모노머 및 메타크릴 모노머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 모노머를 더 함유하는, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물.
[14]
[1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물을 이용하여 형성되는, 도포막.
[15]
[14]에 기재된 도포막을 경화하여 형성되는, 경화막.
[16]
복수의 전극을 갖는 반도체 소자와, 이방 도전성 접합 부재와, 복수의 전극을 갖는 회로 기판을 이 순서로 갖는 다층 배선 기판으로서,
반도체 소자와 이방 도전성 접합 부재의 사이, 및, 회로 기판과 이방 도전성 접합 부재의 사이에, [15]에 기재된 경화막이 배치되고,
이방 도전성 접합 부재가, 무기 재료로 이루어지는 절연성 기재와, 절연성 기재의 두께 방향으로 관통하며, 서로 절연된 상태로 마련된, 도전성 부재로 이루어지는 복수의 도통로를 갖고, 복수의 도통로가, 절연성 기재의 표면으로부터 돌출된 돌출 부분을 갖고 있으며,
회로 기판이 갖는 복수의 전극의 높이가 10μm 이하인, 다층 배선 기판.
[17]
이방 도전성 접합 부재의 도전성 부재, 반도체 소자가 갖는 복수의 전극, 및, 회로 기판이 갖는 복수의 전극이 모두 구리를 포함하는, [16]에 기재된 다층 배선 기판.
[18]
복수의 전극을 갖는 반도체 소자와, 이방 도전성 접합 부재와, 복수의 전극을 갖는 회로 기판을 이 순서로 갖는 다층 배선 기판을 제작하는, 다층 배선 기판의 제조 방법으로서,
이방 도전성 접합 부재와, 반도체 소자 및 회로 기판을, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 언더필 조성물을 이용하여 접착하는 가접합 프로세스와,
언더필 조성물의 경화 온도 미만의 온도에서 가열함으로써, 이방 도전성 접합 부재가 갖는 도통로와, 반도체 소자가 갖는 복수의 전극 및 회로 기판이 갖는 복수의 전극을 전기적으로 접합하는 본접합 프로세스와,
언더필 조성물의 경화 온도 이상의 온도에서 가열함으로써, 언더필 조성물을 경화시키는 경화 프로세스를 이 순서로 갖고,
가접합 프로세스에 있어서의 온도 조건이, 20~140℃이며,
본접합 프로세스에 있어서의 온도 조건이 가접합 프로세스의 온도보다 높은 온도인, 다층 배선 기판의 제조 방법.
[19]
가접합 프로세스에 있어서, 언더필 조성물을 이용하여 형성되는 도포막이, 이방 도전성 접합 부재에 있어서의 반도체 소자 측 및 회로 기판 측의 표면에 마련되어 있는, [18]에 기재된 다층 배선 기판의 제조 방법.
[20]
가접합 프로세스에 있어서, 언더필 조성물을 이용하여 형성되는 도포막이, 반도체 소자 및 회로 기판에 있어서의 이방 도전성 접합 부재 측의 표면에 마련되어 있는, [18]에 기재된 다층 배선 기판의 제조 방법.
[21]
본접합 프로세스에 있어서, 가압한 후 또는 가압한 상태에서 가열을 행하는, [18] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재된 다층 배선 기판의 제조 방법.
이하에 설명하는 바와 같이, 본 발명에 의하면, 경시 안정성이 우수하고, 금속 밀착성도 양호한 언더필 조성물, 및, 언더필 조성물을 이용한 도포막, 경화막, 다층 배선 기판 및 다층 배선 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적인 단면도 중, 이방 도전성 접합 부재와 반도체 소자 및 회로 기판을 가접합했을 때의 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적인 단면도 중, 이방 도전성 접합 부재의 도통로와, 반도체 소자 및 회로 기판의 전극을 본접합했을 때의 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적인 단면도 중, 본접합 후에 언더필 조성물을 경화했을 때의 단면도이다.
도 4는, 금속 밀착성의 평가 기준의 분류를 나타내는 도면이다.
도 2는, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적인 단면도 중, 이방 도전성 접합 부재의 도통로와, 반도체 소자 및 회로 기판의 전극을 본접합했을 때의 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적인 단면도 중, 본접합 후에 언더필 조성물을 경화했을 때의 단면도이다.
도 4는, 금속 밀착성의 평가 기준의 분류를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시양태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시양태에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에 있어서, "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
또, 본 명세서에 있어서, 각 성분은, 각 성분에 해당하는 물질을 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 여기에서, 각 성분에 대하여 2종 이상의 물질을 병용하는 경우, 그 성분에 대한 함유량이란, 특별한 설명이 없는 한, 병용한 물질의 합계의 함유량을 가리킨다.
또, 본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, "아크릴레이트" 또는 "메타크릴레이트"를 나타내는 표기이며, "(메트)아크릴"은, "아크릴" 또는 "메타크릴"을 나타내는 표기이고, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 또는 "메타크릴로일"을 나타내는 표기이다.
[언더필 조성물]
본 발명의 언더필 조성물(이하, "본 발명의 조성물"이라고도 약기한다.)은, 중합체, 및, 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물을 함유하는 조성물이다.
또, 상기 중합체는 사이아노기를 갖고, 상기 중합체 1g당 포함되는 상기 사이아노기의 함유량은 0.1~6mmol/g이다.
본 발명에 있어서는, 상술한 바와 같이, 사이아노기를 특정량 포함하는 중합체와, 말레이미드 화합물을 함유하는 조성물을 이용하면, 경시 안정성이 우수하고, 금속 밀착성도 양호해진다.
이 메커니즘은, 상세하게는 명확하지 않지만, 대략 이하와 같다고 추측된다.
즉, 중합체에 특정량 포함되는 사이아노기의 π전자의 배위에 의한 π흡착이 금속(특히 구리) 표면에서 일어나기 때문에, 금속 밀착성이 양호해졌다고 생각된다.
또, 말레이미드 화합물의 열적 안정성이 높고, 다층 배선 기판의 제조 프로세스에 있어서, 본 발명의 조성물이 도포된 상태로 방치되어 있어도, 열중합 개시제로서의 기능이 저해되지 않기 때문에, 경시 안정성이 양호해졌다고 생각된다.
또, 본 발명에 있어서는, 후술하는 실시예에도 나타내는 바와 같이, 본 발명의 조성물을 다층 배선 기판의 제작에 이용했을 때에, 접합 적성이 양호해지는 의외의 효과를 갖는다.
이 메커니즘은, 상세하게는 명확하지 않지만, 대략 이하와 같다고 추측된다.
즉, 본 발명의 조성물이 함유하는 중합체가, 후술하는 가접합 프로세스 또는 본접합 프로세스에 있어서의 승온 시에 있어서, 사이아노기의 상호 작용이 약해짐으로써 점도가 내려가기 쉬워짐으로써, 유동성이 높아져, 이방 도전성 접합 부재의 도통로와, 반도체 소자가 갖는 복수의 전극 및 회로 기판이 갖는 복수의 전극의 사이에, 본 발명의 조성물이 잔존하기 어려워졌기 때문이라고 생각된다.
이하에, 본 발명의 조성물이 함유하는 중합체 및 말레이미드 화합물에 대하여 상세하게 설명한다.
〔중합체〕
본 발명의 조성물이 함유하는 중합체는 사이아노기를 갖고, 중합체 1g당 포함되는 사이아노기의 함유량이 0.1~6mmol/g이 되는 중합체이다.
여기에서, 사이아노기의 함유량은, 13C-NMR(Nuclear Magnetic Resonance) 등의 수단을 이용하여 측정할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 사이아노기의 함유량은, 1~5mmol/g인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 경시 안정성이 보다 양호해지고, 금속 밀착성도 보다 양호해지는 이유에서, 상기 중합체가, 에폭시기 이외의 경화성기를 갖는 열경화성 수지인 것이 바람직하다.
에폭시기 이외의 경화성기를 갖는 열경화성 수지로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 폴리아크릴로나이트릴(아크릴산 에스터 또는 메타크릴산 에스터와의 공중합체를 포함한다. 이하, 동일.), AS(아크릴로나이트릴스타이렌 공중합체) 수지, ABS(아크릴로나이트릴뷰타다이엔스타이렌 공중합체) 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 아미노 수지(요소 수지, 멜라민 수지 등), 퓨란 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 열경화성 유레테인계 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드계 수지, 다이알릴프탈레이트 수지, 바이닐에스터 수지 등을 들 수 있다.
이들 중, 폴리아크릴로나이트릴인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 금속(특히 구리)과의 밀착성이 보다 양호해지는 이유에서, 상기 중합체가 반복 단위를 가지며, 이 반복 단위가 사이아노기를 포함하는 측쇄를 갖고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 중합체가 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다.
[화학식 1]
상기 식 (1) 중, R1은, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, L1은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
다음으로, 상기 식 (1) 중의 R1이 나타내는, 수소 원자 또는 치환기에 대하여 설명한다.
상기 식 (1) 중, R1의 일 양태가 나타내는 치환기로서는, 할로젠 원자, 탄소수 1~20의 직쇄상의 알킬기, 탄소수 3~20의 분기상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 1~20의 직쇄상의 할로젠화 알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 아릴옥시기, 사이아노기, 또는, 아미노기인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 식 (1) 중의 R1은, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하고, 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 상기 식 (1) 중의 L1이 나타내는, 단결합 또는 2가의 연결기에 대하여 설명한다.
상기 식 (1) 중, L1의 일 양태가 나타내는 2가의 연결기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~18의 직쇄상의 알킬렌기, 탄소수 3~18의 분기상 또는 환상의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6~12의 아릴렌기, 에터기(-O-), 카보닐기(-C(=O)-), 및, 치환기를 갖고 있어도 되는 이미노기(-NH-)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 2 이상의 기를 조합한 2가의 연결기인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 식 (1) 중의 L1은, 단결합인 것이 바람직하다.
상기 중합체는, 사이아노기를 함유하는 모노머 성분(예를 들면, 아크릴로나이트릴 등)(이하, "사이아노기 함유 모노머"라고도 약기한다.)에 의한 단독 중합체여도 되지만, 사이아노기 함유 모노머와 (메트)아크릴레이트 성분을 공중합시킨 공중합체인 것이 바람직하다.
(메트)아크릴레이트 성분으로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 뷰틸(메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸(메트)아크릴레이트, tert-뷰틸(메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸(메트)아크릴레이트, 아이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸헵틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
(메트)아크릴레이트 성분은, 사이아노기 함유 모노머에 대하여, 공중합비로 70~99mol%의 범위로 도입되는 것이 바람직하고, 80~98mol%의 범위가 보다 바람직하며, 90~98mol%의 범위가 더 바람직하다.
또, 상기 중합체는, 상술한 사이아노기 함유 모노머 및 (메트)아크릴레이트 성분 이외에, 상술한 (메트)아크릴레이트 성분과 공중합 가능한 다른 모노머 성분을 공중합시킨 공중합체여도 된다.
다른 모노머 성분으로서는, 예를 들면, 카복실기 함유 모노머(예를 들면, (메트)아크릴산 등)를 이용할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 중합체는, 상술한 모노머 성분을 중합함으로써 얻을 수 있다.
중합 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용액 중합, 유화 중합, 괴상(塊狀) 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.
또, 중합 반응의 종류로서는, 예를 들면, 라디칼 중합, 양이온 중합, 음이온 중합, 리빙 라디칼 중합, 리빙 양이온 중합, 리빙 음이온 중합, 배위 중합 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 용매에 대한 용해성, 및, 도포 작업에 있어서의 액 취급의 용이성의 관점에서, 상기 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)이, 100000~1200000인 것이 바람직하고, 500000~1000000인 것이 보다 바람직하다.
여기에서, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 젤 침투 크로마토그래프(GPC)법에 의하여 측정된 값이다.
·용매(용리액): 테트라하이드로퓨란(THF)
·장치명: 시마즈 세이사쿠쇼제 Prominence LC-20AD와 Shodex사제 RI-104를 조합하여 사용
·칼럼: TOSOH TSKgel SuperHM-M(6.0mmφ×150mm)을 1개 접속하여 사용
·칼럼 온도: 40℃
·시료 농도: 1mg/mL
·유속: 0.6mL/min.
·교정 곡선: TOSOH제 TSK 표준 폴리스타이렌 Mw=2,630~710,000(Mw/Mn=1.01~1.05)에서의 5개 샘플에 의한 교정 곡선을 사용
본 발명에 있어서는, 상기 중합체의 함유량은, 조성물에 있어서의 보이드의 배제가 용이해지고, 반도체의 실장 공정에 있어서, 저압 실장이 가능해지며, 접속성도 양호해지는 이유에서, 본 발명의 조성물의 총 질량에 대하여 10~60질량%인 것이 바람직하고, 10~45질량%인 것이 보다 바람직하며, 15~40질량%인 것이 더 바람직하다.
또한, 상기 중합체는, 1종류의 중합체를 단독으로 함유시켜도 되고, 2종류 이상의 중합체를 병용하여 함유시켜도 된다. 또한, 중합체를 2종류 이상 병용하는 경우, 조성물 중의 중합체의 함유량의 합계가 상술한 범위 내인 것이 바람직하다.
〔말레이미드 화합물〕
본 발명의 조성물이 함유하는 말레이미드 화합물은, 말레이미드기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 말레이미드기를 가지며, 분자량이 1000 이하인 저분자 화합물인 것이 바람직하다.
말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, 1분자 중에 말레이미드기를 2개 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 1분자 중에 말레이미드기를 2개 갖는 비스말레이미드 화합물인 것이 보다 바람직하다.
말레이미드 화합물로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, 4,4-비스말레이미드다이페닐메테인, m-페닐렌비스말레이미드, 비스페놀 A 다이페닐에터비스말레이미드, 3,3'-다이메틸-5,5'-다이에틸-4,4'-다이페닐메테인비스말레이미드 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 방향족 비스말레이미드가 바람직하고, 특히, 가접합 프로세스에 있어서의 작업성을 고려하면, 용제 용해성이나 플로성이 양호한 3,3'-다이메틸-5,5'-다이에틸-4,4'-다이페닐메테인비스말레이미드가 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 말레이미드 화합물의 함유량은, 조성물에 있어서의 보이드의 배제가 용이해지고, 반도체의 실장 공정에 있어서, 저압 실장이 가능해지며, 접속성도 양호해지는 이유에서, 본 발명의 조성물의 총 질량에 대하여 5~70질량%인 것이 바람직하고, 20~60질량%인 것이 보다 바람직하며, 20~55질량%인 것이 더 바람직하다.
또한, 상기 말레이미드 화합물은, 1종류의 말레이미드 화합물을 단독으로 함유시켜도 되고, 2종류 이상의 말레이미드 화합물을 병용하여 함유시켜도 된다. 또한, 말레이미드 화합물을 2종류 이상 병용하는 경우, 조성물 중의 말레이미드 화합물의 함유량의 합계가 상술한 범위 내인 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서는, 경화성의 확보와 작업성(저점도화)의 양립의 관점에서, 상술한 중합체 및 말레이미드 화합물의 함유량의 합계는, 언더필 조성물의 총 질량에 대하여 10~80질량%인 것이 바람직하고, 15~70질량%인 것이 보다 바람직하다.
〔알릴페놀 화합물〕
본 발명의 조성물은, 충분한 경화성을 얻을 수 있는 이유에서, 에틸렌성 불포화 이중 결합과 페놀성 수산기를 갖는 알릴페놀 화합물을 함유하고 있는 것이 바람직하다.
에틸렌성 불포화 이중 결합으로서는, 예를 들면, (메트)아크릴로일기, (메트)아크릴아마이드기, 스타이릴기, 바이닐기(예를 들면, 바이닐에스터, 바이닐에터 등), 알릴기(예를 들면, 알릴에터, 알릴에스터 등) 등을 들 수 있다.
또, 페놀성 수산기란, 방향환의 수소 원자를 치환하는 수산기를 의미하고, 벤젠환의 수소 원자를 치환하는 수산기가 바람직하다.
알릴페놀 화합물로서는, 예를 들면, 알릴화 비스페놀을 들 수 있다.
알릴화 비스페놀로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,2'-다이알릴비스페놀 A, 4,4'-(다이메틸메틸렌)비스[2-(2-프로펜일)페놀], 4,4'-메틸렌비스[2-(2-프로펜일)페놀], 4,4'-(다이메틸메틸렌)비스[2-(2-프로펜일)-6-메틸페놀] 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 2,2'-다이알릴비스페놀 A가 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 알릴페놀 화합물의 함유량은, 조성물에 있어서의 보이드의 배제가 용이해지고, 접속성도 양호해지는 이유에서, 본 발명의 조성물의 총 질량에 대하여 3~60질량%인 것이 바람직하고, 6~55질량%인 것이 보다 바람직하며, 6~50질량%인 것이 더 바람직하다.
또한, 상기 알릴페놀 화합물은, 1종류의 알릴페놀 화합물을 단독으로 함유시켜도 되고, 2종류 이상의 알릴페놀 화합물을 병용하여 함유시켜도 된다. 또한, 알릴페놀 화합물을 2종류 이상 병용하는 경우, 조성물 중의 알릴페놀 화합물의 함유량의 합계가 상술한 범위 내인 것이 바람직하다.
〔모노머〕
본 발명의 조성물은, 경화성의 확보와 작업성(저점도화)의 양립의 관점에서, 아크릴 모노머 및 메타크릴 모노머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 모노머를 함유하고 있는 것이 바람직하다.
상기 모노머는, (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 단관능 (메트)아크릴레이트, 및, (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 중 어느 것이나 이용할 수 있다.
상기 모노머로서는, 예를 들면, 아이소사이아누르산 EO 변성 다이아크릴레이트, 아이소사이아누르산 EO 변성 트라이아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 트라이사이클로데케인다이메탄올다이아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀 A 다이아크릴레이트, 플루오렌계 아크릴레이트(예를 들면, 제품명: 오그솔 EA0200, EA0300, 오사카 가스 케미컬 주식회사제) 등을 들 수 있다.
이들 모노머 중에서도, 내열성 등을 고려하면, 고내열성인 플루오렌계 아크릴레이트가 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 모노머의 함유량은, 중합체, 말레이미드 화합물, 알릴페놀 화합물 및 상기 모노머의 총 질량에 대하여, 15질량% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 모노머는, 1종류의 모노머를 단독으로 함유시켜도 되고, 2종류 이상의 모노머를 병용하여 함유시켜도 된다. 또한, 모노머를 2종류 이상 병용하는 경우, 조성물 중의 모노머의 함유량의 합계가 상술한 범위 내인 것이 바람직하다.
〔용제〕
본 발명의 조성물은, 작업성이 양호해지는 이유에서, 용제를 함유하고 있는 것이 바람직하다.
용제로서는, 예를 들면, 케톤류(예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-뷰탄온, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, 아세틸아세톤 등), 에터류(예를 들면, 다이옥세인, 테트라하이드로퓨란, 테트라하이드로피란, 다이옥솔레인, 테트라하이드로퍼퓨릴알코올, 사이클로펜틸메틸에터, 다이뷰틸에터 등), 지방족 탄화 수소류(예를 들면, 헥세인 등), 지환식 탄화 수소류(예를 들면, 사이클로헥세인 등), 방향족 탄화 수소류(예를 들면, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 테트랄린, 트라이메틸벤젠 등), 할로젠화 탄소류(예를 들면, 다이클로로메테인, 트라이클로로메테인(클로로폼), 다이클로로에테인, 다이클로로벤젠, 1,1,2,2-테트라클로로에테인, 클로로톨루엔 등), 에스터류(예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 탄산 다이에틸, 아세토아세트산 에틸, 아세트산 n-펜틸, 벤조산 에틸, 벤조산 벤질, 뷰틸카비톨아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 아세트산 아이소아밀 등), 알코올류(예를 들면, 에탄올, 아이소프로판올, 뷰탄올, 사이클로헥산올, 퍼퓨릴알코올, 2-에틸헥산올, 옥탄올, 벤질알코올, 에탄올아민, 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 다이에틸렌글라이콜, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터 등), 페놀류(예를 들면, 페놀, 크레졸 등), 셀로솔브류(예를 들면, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 및, 1,2-다이메톡시에테인 등), 셀로솔브아세테이트류, 설폭사이드류(예를 들면, 다이메틸설폭사이드 등), 아마이드류(예를 들면, 다이메틸폼아마이드, 및, 다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리딘온 등), 및, 헤테로환 화합물(예를 들면, 피리딘, 2,6-루티딘 등) 등의 유기 용매; 물; 을 들 수 있다.
이들 용제는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
본 발명의 조성물은, 작업성이 양호해지는 이유에서, 상기 용제에 가용인 성분이, 불휘발 성분의 총 질량에 대하여 95질량% 이상인 것이 바람직하다.
여기에서, 불휘발 성분이란, 용제 이외의 조성물을 구성하는 성분을 의미한다.
〔다른 성분〕
언더필재에 이용하는 조성물은, 목적에 따라, 상술한 성분 이외에, 산화 방지 재료, 마이그레이션 방지제, 무기 충전제, 분산제, 완충제, 점도 조정제 등의 다양한 첨가제를 함유시켜도 된다.
[도포막]
본 발명의 도포막은, 상술한 본 발명의 조성물을 이용하여 형성되는 도포막이다.
여기에서, 도포막이란, 상술한 본 발명의 조성물을 도포하고, 건조에 의하여 용제를 제거한 미경화의 막(수지층)을 의미한다.
본 발명의 도포막의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법에 있어서, 접속 대상이 되는 반도체 소자 및 회로 기판의 표면 형상에 추종하는 관점에서, 50~3000nm인 것이 바람직하고, 250~2000nm인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 도포막의 형성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 이방 도전성 접합 부재에 있어서의 반도체 소자 측 및 회로 기판 측의 표면에 마련하는 경우는, 상술한 본 발명의 조성물을 이방 도전성 접합 부재의 절연성 기재의 표면 및 도통로의 돌출 부분에 도포하고, 건조시켜, 필요에 따라 소성하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 조성물의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 그라비어 코트법, 리버스 코트법, 다이 코트법, 블레이드 코트법, 롤 코트법, 에어 나이프 코트법, 스크린 코트법, 바 코트법, 커튼 코트법 등, 종래 공지의 코팅 방법을 사용할 수 있다.
또, 도포 후의 건조 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 대기하에 있어서 0℃~100℃의 온도에서, 수 초~수십 분간, 가열하는 처리나, 감압하에 있어서 0℃~80℃의 온도에서, 수십 분~수 시간, 가열하는 처리 등을 들 수 있다.
또, 건조 후의 소성 방법은, 사용하는 재료에 의하여 상이하기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 160~300℃의 온도에서 2분간~6시간 가열하는 처리 등을 들 수 있다.
[경화막]
본 발명의 경화막은, 상술한 본 발명의 도포막을 경화하여 형성되는 경화막이다.
여기에서, 경화막의 형성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 상술한 본 발명의 조성물의 경화 온도 이상의 온도에서 가열하는 방법 등을 들 수 있다.
또, 경화막의 형성 방법에 있어서의 가열 온도는, 200℃ 이상 400℃ 이하인 것이 바람직하고, 200℃ 이상 300℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 경화막의 형성 방법에 있어서의 가열 시간은, 경화를 충분히 진행시키는 관점에서, 1~60분인 것이 바람직하다.
[다층 배선 기판]
본 발명의 다층 배선 기판은, 복수의 전극을 갖는 반도체 소자와, 이방 도전성 접합 부재와, 복수의 전극을 갖는 회로 기판을 이 순서로 갖는 다층 배선 기판이다.
또, 본 발명의 다층 배선 기판은, 상기 반도체 소자와 상기 이방 도전성 접합 부재의 사이, 및, 상기 회로 기판과 상기 이방 도전성 접합 부재의 사이에, 상술한 본 발명의 경화막이 배치되어 있다.
또, 상기 이방 도전성 접합 부재가, 무기 재료로 이루어지는 절연성 기재와, 상기 절연성 기재의 두께 방향으로 관통하고, 서로 절연된 상태로 마련된, 도전성 부재로 이루어지는 복수의 도통로를 가지며, 상기 복수의 도통로가, 상기 절연성 기재의 표면으로부터 돌출된 돌출 부분을 갖고 있다.
또, 상기 회로 기판이 갖는 상기 복수의 전극의 높이가 10μm 이하이다.
〔이방 도전성 접합 부재〕
본 발명의 다층 배선 기판이 갖는 이방 도전성 접합 부재는, 상술한 바와 같이, 무기 재료로 이루어지는 절연성 기재와, 절연성 기재의 두께 방향으로 관통하고, 서로 절연된 상태로 마련된, 도전성 부재로 이루어지는 복수의 도통로를 구비하고 있다.
또, 각 도통로는, 절연성 기재의 표면으로부터 돌출된 돌출 부분을 갖고 있다.
본 발명에 있어서는, 이방 도전성 접합 부재 및 그 제조 방법은, 특허문헌 1(일본 공개특허공보 2018-037509호)에 기재된 것을 채용할 수 있으며, 그 내용은 본 명세서에 참조로서 원용된다.
또, 이방 도전성 접합 부재의 제조 방법에 대해서는, 일본 공개특허공보 2018-037509호에 기재된 것 이외의 방법도 이용할 수 있으며, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2008-270157호에 기재된 방법, 국제 공개공보 제2017/057150호에 기재된 방법, 국제 공개공보 제2018/155273호에 기재된 방법, 일본 공개특허공보 2019-153415호에 기재된 방법 등을 이용할 수 있다. 이들 공보에 기재된 내용은, 본 명세서에 참조로서 원용된다.
〔반도체 소자〕
본 발명의 다층 배선 기판이 갖는 반도체 소자는, 상술한 바와 같이, 복수의 전극을 갖는 반도체 소자이다.
본 발명에 있어서는, 반도체 소자는, 종래 공지의 반도체 소자를 채용할 수 있고, 그 구체예로서는, 로직 LSI(Large Scale Integration)(예를 들면, ASIC(Application Specific Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array), ASSP(Application Specific Standard Product) 등), 마이크로 프로세서(예를 들면, CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphics Processing Unit) 등), 메모리(예를 들면, DRAM(Dynamic Random Access Memory), HMC(Hybrid Memory Cube), MRAM(MagneticRAM: 자기 메모리)과 PCM(Phase-Change Memory: 상변화 메모리), ReRAM(Resistive RAM: 저항 변화형 메모리), FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 메모리), 플래시 메모리(NAND(Not AND) 플래시) 등), LED(Light Emitting Diode), (예를 들면, 휴대 단말의 마이크로 플래시, 차량용, 프로젝터 광원, LCD 백라이트, 일반 조명 등), 파워·디바이스, 아날로그 IC(Integrated Circuit), (예를 들면, DC(Direct Current)-DC(Direct Current) 컨버터, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 등), MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), (예를 들면, 가속도 센서, 압력 센서, 진동자, 자이로 센서 등), 와이어리스(예를 들면, GPS(Global Positioning System), FM(Frequency Modulation), NFC(Nearfieldcommunication), RFEM(RF Expansion Module), MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit), WLAN(WirelessLocalAreaNetwork) 등), 디스크리트 소자, BSI(Back Side Illumination), CIS(Contact Image Sensor), 카메라 모듈, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor), Passive 디바이스, SAW(Surface Acoustic Wave) 필터, RF(Radio Frequency) 필터, RFIPD(Radio Frequency Integrated Passive Devices), BB(Broadband) 등을 들 수 있다.
반도체 소자는, 예를 들면, 하나로 완결된 것이며, 반도체 소자 단체로, 회로 또는 센서 등의 특정 기능을 발휘하는 것이다. 반도체 소자는, 인터포저 기능을 갖는 것이어도 된다. 또, 예를 들면, 인터포저 기능을 갖는 디바이스 상에, 논리 회로를 갖는 논리 칩, 및 메모리 칩 등의 복수의 디바이스를 적층하는 것도 가능하다. 또, 이 경우, 각각의 디바이스별로 전극 사이즈가 상이해도 접합할 수 있다.
〔회로 기판〕
본 발명의 다층 배선 기판이 갖는 회로 기판은, 기판과, 높이가 10μm 이하인 복수의 전극을 갖고, 필요에 따라, 그 외의 부재를 더 갖는다.
여기에서, 전극의 높이는, 회로 기판의 단면을 전해 방출형 주사형 전자 현미경에 의하여 10000배의 배율로 관찰하고, 전극의 높이를 10점으로 측정한 평균값을 말한다.
또, 회로 기판은, 기판(예를 들면, 실리콘 기판) 상에 집적 회로가 실장된 반도체 소자여도 된다. 반도체 소자로서는, 상술한 것을 들 수 있다.
<기판>
기판으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 플라스틱 기판, 유리 기판 등을 들 수 있다.
또, 기판의 형상, 크기, 구조로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
<전극>
전극의 재료로서는, 금, 은, 구리, 알루미늄 등을 들 수 있다.
또, 전극의 형상은, 높이가 10μm 이하이면 특별히 한정되지 않고, 배선 형상이어도 되며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
또, 전극의 높이는, 0.05μm 이상인 것이 바람직하고, 0.1~5μm인 것이 보다 바람직하다.
〔경화막〕
본 발명의 다층 배선 기판이 갖는 경화막은, 상술한 본 발명의 경화막이다.
여기에서, 본 발명의 다층 배선 기판에 있어서의 경화막의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 50~3000nm인 것이 바람직하고, 250~2000nm인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 본 발명의 효과가 현저해지는 이유에서, 상술한 이방 도전성 접합 부재의 도전성 부재, 반도체 소자가 갖는 복수의 전극, 및, 회로 기판이 갖는 복수의 전극이 모두 구리를 포함하는 것이 바람직하다.
[다층 배선 기판의 제조 방법]
본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법(이하, "본 발명의 제조 방법"으로 약기한다.)은, 복수의 전극을 갖는 반도체 소자와, 이방 도전성 접합 부재와, 복수의 전극을 갖는 회로 기판을 이 순서로 갖는 다층 배선 기판의 제조 방법이다.
또, 본 발명의 제조 방법은, 상기 이방 도전성 접합 부재와, 상기 반도체 소자 및 상기 회로 기판을, 상술한 본 발명의 조성물을 이용하여 접착하는 가접합 프로세스와; 상술한 본 발명의 조성물의 경화 온도 미만의 온도에서 가열함으로써, 상기 이방 도전성 접합 부재가 갖는 도통로와, 상기 반도체 소자가 갖는 상기 복수의 전극 및 상기 회로 기판이 갖는 상기 복수의 전극을 전기적으로 접합하는 본접합 프로세스와; 상술한 본 발명의 조성물의 경화 온도 이상의 온도에서 가열함으로써, 상술한 본 발명의 조성물을 경화시키는 경화 프로세스를 이 순서로 갖는다.
또, 상기 가접합 프로세스에 있어서의 온도 조건은, 20~140℃이다.
또, 상기 본접합 프로세스에 있어서의 온도 조건은, 상기 가접합 프로세스의 온도보다 높은 온도이다.
또한, 본 발명의 제조 방법으로 이용하는 이방 도전성 접합 부재, 반도체 소자 및 회로 기판은, 상술한 본 발명의 다층 배선 기판에 있어서 설명한 것과 동일하다.
이하에, 본 발명의 제조 방법이 갖는 가접합 프로세스, 본접합 프로세스 및 경화 프로세스에 대하여 상세하게 설명한다.
〔가접합 프로세스〕
본 발명의 제조 방법이 갖는 가접합 프로세스는, 상술한 이방 도전성 접합 부재와, 상술한 반도체 소자 및 회로 기판을, 상술한 본 발명의 조성물을 이용하여, 20~140℃의 온도 조건에서 접착하는 프로세스이다.
본 발명에 있어서는, 상술한 본 발명의 조성물을 적용할 때에, 상술한 본 발명의 조성물을 이용하여 형성되는 도포막이, 상술한 이방 도전성 접합 부재에 있어서의 상술한 반도체 소자 측 및 회로 기판 측의 표면에 마련되어 있어도 되고, 상술한 반도체 소자 및 회로 기판에 있어서의 상술한 이방 도전성 접합 부재 측의 표면에 마련되어 있어도 된다.
본 발명에 있어서는, 가열에 의한 수지 연화에 기인한 위치 어긋남을 방지하는 이유에서, 20~140℃에서의 가열은, 가압한 후 또는 가압한 상태에서 행하는 것이 바람직하다.
가접합 프로세스에 있어서의 온도 조건은, 20~140℃이면 특별히 한정되지 않고, 25~100℃인 것이 바람직하다.
또, 가접합 프로세스에 있어서 가압하는 경우의 가압 조건은 특별히 한정되지 않지만, 10MPa 이하인 것이 바람직하고, 6MPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 가접합 프로세스를 CoW(Chip On Wafer) 프로세스로 행하는 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼와 반도체 칩 웨이퍼를 검사하여 양품(良品) 칩과 불량 칩을 미리 알 수 있도록(KGD: Known Good Die) 하여, 반도체 칩 웨이퍼의 양품 칩만을, 반도체 웨이퍼 내의 양품 부분에 접합함으로써, 손실을 저감시킬 수 있다. 또한, 가접합할 때에, 가접합 강도가 약하면, 본접합할 때까지의 공정(반송 공정 등)에서 위치 어긋남이 발생해 버리기 때문에, 상술한 가접합 프로세스에 있어서의 온도 조건 및 가압 조건은 중요해진다.
〔본접합 프로세스〕
본 발명의 제조 방법이 갖는 본접합 프로세스는, 상술한 본 발명의 조성물의 경화 온도 미만의 온도 또한 가접합 프로세스의 온도보다 높은 온도에서 가열함으로써, 상술한 이방 도전성 접합 부재가 갖는 도통로와, 상술한 반도체 소자가 갖는 복수의 전극 및 회로 기판이 갖는 복수의 전극을 전기적으로 접합하는 프로세스이다.
본 발명에 있어서는, 가열에 의한 수지 연화에 기인한 위치 어긋남을 방지하는 이유에서, 상술한 본 발명의 조성물의 경화 온도 미만의 온도에서의 가열은, 가압한 후 또는 가압한 상태에서 행하는 것이 바람직하다.
본접합 프로세스에 있어서의 온도 조건은, 가접합 프로세스의 온도보다 높은 온도이면 특별히 한정되지 않지만, 100℃ 초과 300℃ 이하인 것이 바람직하고, 120~250℃인 것이 보다 바람직하다.
또, 본접합 프로세스에 있어서 가압하는 경우의 가압 조건은 특별히 한정되지 않지만, 150MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.1~100MPa인 것이 보다 바람직하다.
또, 본접합 프로세스의 시간은 특별히 한정되지 않지만, 1초~60분인 것이 바람직하고, 5초~40분인 것이 보다 바람직하다.
상술한 조건에서 본접합 프로세스를 행함으로써, 상술한 가접합 프로세스로 이용한 본 발명의 조성물이, 반도체 소자 및 회로 기판의 전극 간에 유동하기 쉬워져, 접합부에 잔존하기 어려워진다.
또한, 본접합 프로세스는, 반도체 소자의 칩마다 행해도 되지만, 택타임(Takt time)을 저감시킬 수 있는 관점에서, 웨이퍼 일괄로 행하는 것이 바람직하다.
〔경화 프로세스〕
본 발명의 제조 방법이 갖는 경화 프로세스는, 상술한 본 발명의 조성물의 경화 온도 이상의 온도에서 가열함으로써, 상술한 본 발명의 조성물을 경화시키는 프로세스이다.
본 발명에 있어서는, 경화 프로세스에 있어서의 온도 조건은, 상술한 본 발명의 조성물의 경화 온도 이상이면 특별히 한정되지 않지만, 200℃ 이상 400℃ 이하인 것이 바람직하고, 200℃ 이상 300℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 가열에 의한 수지 연화에 기인한 위치 어긋남을 방지하는 이유에서, 경화 프로세스에 의한 가열은, 가압한 후 또는 가압한 상태에서 행하는 것이 바람직하다.
또, 경화 프로세스의 시간은 특별히 한정되지 않지만, 상술한 본 발명의 조성물의 경화를 충분히 진행시키는 관점에서, 1~60분인 것이 바람직하다.
또한, 경화 프로세스는, 본접합 프로세스와 동일하게, 반도체 소자의 칩마다 행해도 되지만, 택타임을 저감시킬 수 있는 관점에서, 웨이퍼 일괄로 행하는 것이 바람직하다.
또, 경화 프로세스에 있어서 가압하는 경우의 가압 조건은 특별히 한정되지 않지만, 150MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.1~100MPa인 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 상술한 가접합 프로세스, 본접합 프로세스 및 경화 프로세스 등에 대하여, 도 1~도 3을 이용하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 이방 도전성 접합 부재(1)(부호 2: 절연성 기재, 부호 3: 도통로)와, 반도체 소자(11) 및 회로 기판(13)을, 이방 도전성 접합 부재(1)의 표면에 마련된 언더필 조성물(4)을 이용하여 가접합한다.
이어서, 도 2에 나타내는 바와 같이, 언더필 조성물(4)의 경화 온도 미만의 온도에서 가열함으로써, 이방 도전성 접합 부재(1)가 갖는 도통로(3)와, 반도체 소자(11)가 갖는 복수의 전극(12) 및 회로 기판(13)이 갖는 복수의 전극(14)을 전기적으로 접합(본접합)한다.
이어서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 언더필 조성물(4)의 경화 온도 이상의 온도에서 가열함으로써, 언더필 조성물(4)을 경화시킴으로써, 다층 배선 기판(30)을 제작할 수 있다.
실시예
이하에, 실시예를 들어 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 실시예에 의하여 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
[이방 도전성 접합 부재의 제작]
<알루미늄 기판의 제작>
Si: 0.06질량%, Fe: 0.30질량%, Cu: 0.005질량%, Mn: 0.001질량%, Mg: 0.001질량%, Zn: 0.001질량%, Ti: 0.03질량%를 함유하고, 잔부는 Al과 불가피 불순물의 알루미늄 합금을 이용하여 용탕을 조제하며, 용탕 처리 및 여과를 행한 후에, 두께 500mm, 폭 1200mm의 주괴(鑄塊)를 DC(Direct Chill) 주조법으로 제작했다.
이어서, 표면을 평균 10mm의 두께로 면삭기에 의하여 연삭한 후, 550℃에서, 약 5시간 균열(均熱) 유지하고, 온도가 400℃로 내려간 시점에서, 열간 압연기를 이용하여 두께 2.7mm의 압연판으로 했다.
또한, 연속 소둔(燒鈍)기를 이용하여 열처리를 500℃에서 행한 후, 냉간 압연으로, 두께 1.0mm로 마무리하여, JIS(Japanese Industrial Standards) 1050재의 알루미늄 기판을 얻었다.
이 알루미늄 기판을 폭 1030mm로 한 후, 이하에 나타내는 각 처리를 실시했다.
<전해 연마 처리>
상술한 알루미늄 기판에 대하여, 이하 조성의 전해 연마액을 이용하여, 전압 25V, 액온도 65℃, 액유속 3.0m/min의 조건에서 전해 연마 처리를 실시했다.
음극은 카본 전극으로 하고, 전원은, GP0110-30R(주식회사 다카사고 세이사쿠쇼제)을 이용했다. 또, 전해액의 유속은 와류식 플로 모니터 FLM22-10PCW(애즈원 주식회사제)를 이용하여 계측했다.
(전해 연마액 조성)
·85질량% 인산(와코 준야쿠사제 시약) 660mL
·순수 160mL
·황산 150mL
·에틸렌글라이콜 30mL
<양극 산화 처리 공정>
이어서, 전해 연마 처리 후의 알루미늄 기판에, 일본 공개특허공보 2007-204802호에 기재된 수순에 따라 자기 규칙화법에 의한 양극 산화 처리를 실시했다.
전해 연마 처리 후의 알루미늄 기판에, 0.50mol/L 옥살산의 전해액으로, 전압 40V, 액온도 16℃, 액유속 3.0m/min의 조건에서, 5시간의 프리 양극 산화 처리를 실시했다.
그 후, 프리 양극 산화 처리 후의 알루미늄 기판을, 0.2mol/L 무수 크로뮴산, 0.6mol/L 인산의 혼합 수용액(액온: 50℃)에 12시간 침지시키는 탈막 처리를 실시했다.
그 후, 0.50mol/L 옥살산의 전해액으로, 전압 40V, 액온도 16℃, 액유속 3.0m/min의 조건에서, 3시간 45분의 재(再)양극 산화 처리를 실시하여, 막두께 30μm의 양극 산화막을 얻었다.
또한, 프리 양극 산화 처리 및 재양극 산화 처리는, 모두 음극은 스테인리스 전극으로 하고, 전원은 GP0110-30R(주식회사 다카사고 세이사쿠쇼제)을 이용했다. 또, 냉각 장치에는 NeoCool BD36(야마토 가가쿠 주식회사제), 교반 가온 장치에는 페어스터러 PS-100(EYELA 도쿄 리카 기카이 주식회사제)을 이용했다. 또한, 전해액의 유속은 와류식 플로 모니터 FLM22-10PCW(애즈원 주식회사제)를 이용하여 계측했다.
<배리어층 제거 공정>
이어서, 양극 산화 처리 공정 후에, 수산화 나트륨 수용액(50g/l)에 산화 아연을 2000ppm이 되도록 용해한 알칼리 수용액을 이용하여, 30℃에서 150초간 침지시키는 에칭 처리를 실시하여, 양극 산화막의 마이크로포어(미세 구멍)의 바닥부에 있는 배리어층을 제거하고, 또한, 노출된 알루미늄 기판의 표면으로 동시에 아연을 석출시켰다.
또, 배리어층 제거 공정 후의 양극 산화막의 평균 두께는 30μm였다.
<금속 충전 공정>
이어서, 알루미늄 기판을 음극으로 하고, 백금을 정극으로 하여 전해 도금 처리를 실시했다.
구체적으로는, 이하에 나타내는 조성의 구리 도금액을 사용하여, 정전류 전해를 실시함으로써, 마이크로포어의 내부에 니켈이 충전된 금속 충전 미세 구조체를 제작했다. 여기에서, 정전류 전해는, 주식회사 야마모토 멧키 시켄키사제의 도금 장치를 이용하고, 호쿠토 덴코 주식회사제의 전원(HZ-3000)을 이용하여, 도금액 중에서 사이클릭 볼타메트리를 행하여 석출 전위를 확인한 후에, 이하에 나타내는 조건에서 처리를 실시했다.
(구리 도금액 조성 및 조건)
·황산 구리 100g/L
·황산 50g/L
·염산 15g/L
·온도 25℃
·전류 밀도 10A/dm2
마이크로포어에 금속을 충전한 후의 양극 산화막의 표면을 FE-SEM으로 관찰하고, 1000개의 마이크로포어에 있어서의 금속에 의한 봉공(封孔)의 유무를 관찰하여 봉공률(봉공 마이크로포어의 개수/1000개)을 산출한 결과, 98%였다.
또, 마이크로포어에 금속을 충전한 후의 양극 산화막을 두께 방향에 대하여 FIB로 절삭 가공하고, 그 단면을 FE-SEM에 의하여 표면 사진(배율 50000배)을 촬영하여, 마이크로포어의 내부를 확인한 결과, 봉공된 마이크로포어에 있어서는, 그 내부가 금속에서 완전하게 충전되어 있는 것을 알 수 있었다.
<표면 금속 돌출 공정>
금속 충전 공정 후의 구조체를, 수산화 나트륨 수용액(농도: 5질량%, 액온도: 20℃)에 침지시키고, 돌출 부분의 높이가 400nm가 되도록 침지 시간을 조정하여 알루미늄의 양극 산화막의 표면을 선택적으로 용해하여, 충전 금속인 구리를 돌출시킨 구조체를 제작했다.
<수지층 형성 공정>
알루미늄 기판이 마련되어 있지 않은 측의 표면에, 열박리형의 점착층 부착 수지 기재(리발파 3195MS, 닛토 덴코 주식회사제)를 첩부했다.
<기판 제거 공정>
이어서, 염화 구리/염산의 혼합 용액에 침지시킴으로써 알루미늄 기판을 용해하여 제거하고, 평균 두께 30μm의 금속 충전 미세 구조체를 제작했다.
제작된 금속 충전 미세 구조체에 있어서의 도통로의 직경은 60nm이고, 도통로 간의 피치는 100nm이며, 도통로의 밀도는 5770만개/mm2였다.
<이면 금속 돌출 공정>
기판 제거 공정 후의 구조체를, 수산화 나트륨 수용액(농도: 5질량%, 액온도: 20℃)에 침지시키고, 돌출 부분의 높이가 400nm가 되도록 침지 시간을 조정하여 알루미늄의 양극 산화막의 표면을 선택적으로 용해하여, 충전 금속인 구리를 돌출시킨 이방 도전성 접합 부재를 제작했다.
[실시예 1]
〔언더필 조성물〕
하기 조성의 언더필 조성물 1을 조제했다. 또한, 합성한 에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체의 사이아노기의 함유량을 하기 표 1에 나타낸다.
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언더필 조성물 1
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·메틸에틸케톤 50질량부
·에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체
(Mw: 160000, 공중합 몰비 95:5) 16질량부
<말레이미드 화합물>
(제품명: BMI5100, 다이와 가세이 고교 주식회사제) 22질량부
·비스알릴페놀
(제품명: DABPA, 다이와 가세이 고교 주식회사제) 12질량부
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상기에서 제작한 이방 도전성 접합 부재의 표면에 마련된 박리형의 점착층 부착 수지 기재(리발파 3195MS, 닛토 덴코 주식회사제)를 박리한 후, 표면(노출면) 및 이면에, 조제한 언더필 조성물 1을 두께가 400nm가 되도록 스핀 코터로 도포했다.
주식회사 월츠제의 TEG 칩(데이지 체인 패턴) 및 인터포저를 준비하고, 이들을 칩 본더의 상하에 설치하여, 미리 얼라인먼트를 조정했다.
얼라인먼트 조정 후, 하측에 설치한 인터포저의 Cu 포스트 측에, 제작한 이방 도전성 재료를 중첩하고, 상온 접합 장치(WP-100, PMT사제)를 이용하여, 온도 100℃, 1분간, 6MPa의 조건에서 가열 압착을 하여, 가접합했다.
이어서, 가접합한 샘플에 대하여, 상온 접합 장치(WP-100, 본드텍사제)를 이용하여 온도 180℃, 5분간, 50MPa의 조건에서 가열 압착을 하여, 본접합했다.
이어서, 온도 220℃, 25분간, 50MPa의 조건에서 가열 압착을 하고, 언더필 조성물을 경화하여, 다층 배선 기판을 제작했다.
[실시예 2]
에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체의 공중합 몰비를 85:15로 변경한 조성물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
[실시예 3]
에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체의 공중합 몰비를 75:25로 변경한 조성물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
[실시예 4]
에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체의 공중합 몰비를 99:1로 변경한 조성물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
[실시예 5]
언더필 조성물 1을 하기 언더필 조성물 2로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
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언더필 조성물 2
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·메틸에틸케톤 50질량부
·에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체
(Mw: 160000, 공중합 몰비 95:5) 16질량부
<말레이미드 화합물>
(제품명: BMI5100, 다이와 가세이 고교 주식회사제) 22질량부
·비스알릴페놀
(제품명: DABPA, 다이와 가세이 고교 주식회사제) 8질량부
·플루오렌계 아크릴레이트(제품명: 오그솔 EA0200,
EA0300, 오사카 가스 케미컬 주식회사제) 4질량부
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[실시예 6]
언더필 조성물 1을 하기 언더필 조성물 3으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
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언더필 조성물 3
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·메틸에틸케톤 50질량부
·에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체
(Mw: 160000, 공중합 몰비 95:5) 16질량부
<말레이미드 화합물>
(제품명: BMI5100, 다이와 가세이 고교 주식회사제) 20질량부
·비스알릴페놀
(제품명: DABPA, 다이와 가세이 고교 주식회사제) 8질량부
·실리카 입자
(제품명: 에어로질 R202, 닛폰 에어로질(주)) 6질량부
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[실시예 7]
언더필 조성물의 중합체를 에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체(Mw: 1400000, 공중합비 95:5)로 변경한 조성물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
[실시예 8]
언더필 조성물 1을 하기 언더필 조성물 4로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
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언더필 조성물 4
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·메틸에틸케톤 50질량부
·에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체
(Mw: 160000, 공중합 몰비 95:5) 14질량부
·에폭시 수지(제품명: BST001A,
경화 온도: 150℃, 나믹스사제) 2질량부
·말레이미드 화합물(제품명: BMI5100,
다이와 가세이 고교 주식회사제) 22질량부
·비스알릴페놀
(제품명: DABPA, 다이와 가세이 고교 주식회사제) 12질량부
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[비교예 1]
에틸아크릴레이트·아크릴로나이트릴 공중합체의 아크릴로나이트릴의 공중합비를 0으로 변경한 조성물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
[비교예 2]
언더필 조성물의 중합체를 에폭시 수지(제품명: BST001A, 경화 온도: 150℃, 나믹스사제)로 변경한 조성물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
[비교예 3]
언더필 조성물을 이용하지 않는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 다층 배선 기판을 제작했다.
[평가]
〔점도〕
실시예 1~8 및 비교예 1~3으로 조제한 언더필 조성물에 대하여, 동적 점탄성 측정(장치: 티·에이·인스트루먼츠제 레오미터 DHR-2)을 행했다.
구체적으로는, 25mmφ의 패럴렐 플레이트 및 ETC(환경 테스트 챔버)용 하부 플레이트(Gap: 0.5mm)를 이용하여, 온도(설정값) 약 30~100℃, 승온 속도 5℃/min, 주파수 1Hz, 왜곡 0.5%의 조건에서 용융 점도를 측정하여, 100℃에서의 점도를 계측했다. 이 측정 및 계측을 4회 행하여, 평균값을 산출했다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
〔경시 안정성〕
25℃, 상대 습도 50%의 환경하에서 72시간 방치 후, 25℃에 있어서의 점도를 상술한 방법으로 계측했다.
점도의 변화율이 5% 미만이면 A로 평가하고, 변화율이 5% 이상 20% 미만이면 B로 평가하며, 변화율이 20% 이상이면 C로 평가했다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
〔접합 적성〕
칩 배선 간의 저항값을 측정함으로써 전기적 접속이 이루어지고 있는지 평가했다. 저항값의 측정 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
〔금속 밀착성〕
실시예 1~8 및 비교예 1~3으로 조제한 언더필 조성물을 구리판 상에 1μm의 두께가 되도록 도포한 후, 220℃, 30분의 조건에서 가열한 샘플을 제작했다.
제작한 샘플에 대하여, JIS K5600-5-6에 기재된 크로스 컷법에 의하여 밀착력을 하기 도 4에 나타내는 분류에 준하여 5단계로 평가했다. 그때, 노치의 간격은 1mm로 했다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
〔신뢰성〕
제작한 다층 배선 기판에 대하여, (-50℃/+200℃)의 조건의 온도 사이클 시험에 제공하여, 이하의 기준으로 평가했다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
A: 저항값을 10사이클마다 측정하고, 저항값의 변화율(50사이클에서의 저항값)이 10% 미만이다
B: 저항값을 10사이클마다 측정하고, 저항값의 변화율(50사이클에서의 저항값)이 10% 이상 50% 미만이다
C: 저항값을 10사이클마다 측정하고, 저항값의 변화율(50사이클에서의 저항값)이 50% 이상이다
[표 1]
상기 표 1에 나타내는 결과로부터, 사이아노기를 함유하지 않는 중합체를 이용한 경우에는, 금속 밀착성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있었다(비교예 1 및 2). 특히, 에폭시 수지를 이용한 비교예 2에 대해서는, 경시 안정성도 뒤떨어지는 것을 알 수 있었다.
또, 언더필 조성물을 이용하지 않는 경우는, 다층 배선 기판의 신뢰성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있었다(비교예 3).
이에 대하여, 사이아노기를 소정량 함유하는 중합체를 이용한 경우에는, 경시 안정성이 우수하고, 금속 밀착성도 양호한 언더필 조성물이 되는 것을 알 수 있었다(실시예 1~8).
특히, 실시예 1과 실시예 5의 대비로부터, 언더필 조성물에 아크릴 모노머를 배합한 경우, 점도가 낮아져, 작업성이 양호해지는 것을 알 수 있었다.
또, 실시예 1과 실시예 6의 대비로부터, 언더필 조성물에 포함되는 용제에 가용인 성분이, 불휘발 성분의 총 질량에 대하여 95질량% 이상인 실시예 1 쪽이, 금속 밀착성이 보다 높아져, 접합성이 향상되는 것을 알 수 있었다.
또, 실시예 1과 실시예 7의 대비로부터, 중합체의 중량 평균 분자량이 100000~1200000인 실시예 1 쪽이, 점도가 낮아져, 작업성이 양호해지는 것을 알 수 있었다.
또, 실시예 1과 실시예 8의 대비로부터, 중합체가 에폭시기 이외의 경화성기를 갖는 열경화성 수지인 실시예 1 쪽이, 경시 안정성 및 금속 밀착성이 보다 양호해지는 것을 알 수 있었다.
1 이방 도전성 접합 부재
2 절연성 기재
3 도통로
4 언더필 조성물
4a 경화 후의 언더필 조성물
6 절연성 기재의 두께
11 반도체 소자
12 전극
13 회로 기판
14 전극
30 다층 배선 기판
2 절연성 기재
3 도통로
4 언더필 조성물
4a 경화 후의 언더필 조성물
6 절연성 기재의 두께
11 반도체 소자
12 전극
13 회로 기판
14 전극
30 다층 배선 기판
Claims (21)
- 중합체, 및, 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물을 함유하는 언더필 조성물로서,
상기 중합체가 사이아노기를 갖고,
상기 중합체 1g당 포함되는 상기 사이아노기의 함유량이 0.1~6mmol/g인, 언더필 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 중합체 및 상기 말레이미드 화합물의 함유량의 합계가, 상기 언더필 조성물의 총 질량에 대하여 10~80질량%인, 언더필 조성물. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
용제를 더 함유하고,
상기 용제에 가용인 성분이, 불휘발 성분의 총 질량에 대하여 95질량% 이상인, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체가, 에폭시기 이외의 경화성기를 갖는 열경화성 수지인, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체가 반복 단위를 갖고, 상기 반복 단위가 사이아노기를 포함하는 측쇄를 갖는, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체가, 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는, 언더필 조성물.
[화학식 2]
여기에서, 상기 식 (1) 중, R1은, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, L1은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. - 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체의 중량 평균 분자량이, 100000~1200000인, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 말레이미드 화합물의 함유량이, 상기 언더필 조성물의 총 질량에 대하여 5~70질량%인, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 말레이미드 화합물이, 1분자 중에 말레이미드기를 2개 이상 갖는 화합물인, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 말레이미드 화합물이, 비스말레이미드 화합물인, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
알릴페놀 화합물을 더 함유하는, 언더필 조성물. - 청구항 11에 있어서,
상기 알릴페놀 화합물의 함유량이, 상기 언더필 조성물의 총 질량에 대하여 3~60질량%인, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
아크릴 모노머 및 메타크릴 모노머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 모노머를 더 함유하는, 언더필 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 언더필 조성물을 이용하여 형성되는, 도포막.
- 청구항 14에 기재된 도포막을 경화하여 형성되는, 경화막.
- 복수의 전극을 갖는 반도체 소자와, 이방 도전성 접합 부재와, 복수의 전극을 갖는 회로 기판을 이 순서로 갖는 다층 배선 기판으로서,
상기 반도체 소자와 상기 이방 도전성 접합 부재의 사이, 및, 상기 회로 기판과 상기 이방 도전성 접합 부재의 사이에, 청구항 15에 기재된 경화막이 배치되고,
상기 이방 도전성 접합 부재가, 무기 재료로 이루어지는 절연성 기재와, 상기 절연성 기재의 두께 방향으로 관통하며, 서로 절연된 상태로 마련된, 도전성 부재로 이루어지는 복수의 도통로를 갖고, 상기 복수의 도통로가, 상기 절연성 기재의 표면으로부터 돌출된 돌출 부분을 갖고 있으며,
상기 회로 기판이 갖는 상기 복수의 전극의 높이가 10μm 이하인, 다층 배선 기판. - 청구항 16에 있어서,
상기 이방 도전성 접합 부재의 도전성 부재, 상기 반도체 소자가 갖는 상기 복수의 전극, 및, 상기 회로 기판이 갖는 상기 복수의 전극이 모두 구리를 포함하는, 다층 배선 기판. - 복수의 전극을 갖는 반도체 소자와, 이방 도전성 접합 부재와, 복수의 전극을 갖는 회로 기판을 이 순서로 갖는 다층 배선 기판을 제작하는, 다층 배선 기판의 제조 방법으로서,
상기 이방 도전성 접합 부재와, 상기 반도체 소자 및 상기 회로 기판을, 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 언더필 조성물을 이용하여 접착하는 가접합 프로세스와,
상기 언더필 조성물의 경화 온도 미만의 온도에서 가열함으로써, 상기 이방 도전성 접합 부재가 갖는 도통로와, 상기 반도체 소자가 갖는 상기 복수의 전극 및 상기 회로 기판이 갖는 상기 복수의 전극을 전기적으로 접합하는 본접합 프로세스와,
상기 언더필 조성물의 경화 온도 이상의 온도에서 가열함으로써, 상기 언더필 조성물을 경화시키는 경화 프로세스를 이 순서로 갖고,
상기 가접합 프로세스에 있어서의 온도 조건이, 20~140℃이며,
상기 본접합 프로세스에 있어서의 온도 조건이 상기 가접합 프로세스의 온도보다 높은 온도인, 다층 배선 기판의 제조 방법. - 청구항 18에 있어서,
상기 가접합 프로세스에 있어서, 상기 언더필 조성물을 이용하여 형성되는 도포막이, 상기 이방 도전성 접합 부재에 있어서의 상기 반도체 소자 측 및 상기 회로 기판 측의 표면에 마련되어 있는, 다층 배선 기판의 제조 방법. - 청구항 18에 있어서,
상기 가접합 프로세스에 있어서, 상기 언더필 조성물을 이용하여 형성되는 도포막이, 상기 반도체 소자 및 상기 회로 기판에 있어서의 상기 이방 도전성 접합 부재 측의 표면에 마련되어 있는, 다층 배선 기판의 제조 방법. - 청구항 18 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 있어서,
상기 본접합 프로세스에 있어서, 가압한 후 또는 가압한 상태에서 상기 가열을 행하는, 다층 배선 기판의 제조 방법.
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