CN116941336A - 底部填充剂组合物、涂布膜、固化膜、多层配线基板及多层配线基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种经时稳定性优异且金属密合性也良好的底部填充剂组合物、以及使用了底部填充剂组合物的涂布膜、固化膜、多层配线基板及多层配线基板的制造方法。本发明的底部填充剂组合物为一种含有聚合物及具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物的底部填充剂组合物，聚合物具有氰基，每1g聚合物中所含的氰基的含量为0.1～6mmol/g。

Description

底部填充剂组合物、涂布膜、固化膜、多层配线基板及多层配 线基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种底部填充剂组合物、涂布膜、固化膜、多层配线基板及多层配线基板的制造方法。
背景技术
在设置于绝缘性基材的微孔中填充金属而成的金属填充微细结构体(器件)是近年来在纳米技术中也备受关注的领域之一，例如，作为各向异性导电性接合部件的用途备受期待。
该各向异性导电性接合部件插入半导体元件等电子组件与电路基板之间，仅通过加压可获得电子组件与电路基板之间的电连接，因此作为半导体元件等电子组件等电连接部件或进行功能检查时的检查用连接器等而广泛使用。
尤其，半导体元件等电子组件的小型化明显，在如以往的引线接合那样的直接连接配线基板的方式、或倒装芯片接合(flip chip bonding)、热压(热压接)接合等中，无法充分地保证连接的稳定性，因此作为电子连接部件各向异性导电性接合部件备受关注。
作为使用了这种各向异性导电性接合部件的多层配线基板的制造方法，例如，专利文献1中记载有具有使用非导电性的热固性树脂来粘接各向异性导电性接合部件与配线基板的临时接合工艺的制造方法([权利要求1])。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-037509号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人对专利文献1中所记载的热固性树脂进行了探讨的结果，可知与金属配线或金属柱的密合性(以下，简称为“金属密合性”。)良好，但明确了有时经时稳定性较差，且有时无法确保长期的可用时间。
因此，本发明的课题在于提供一种经时稳定性优异且金属密合性也良好的底部填充剂组合物、以及使用了底部填充剂组合物的涂布膜、固化膜、多层配线基板及多层配线基板的制造方法。
用于解决技术课题的手段
本发明人为了实现上述课题而深入研究的结果，发现若使用含有包含特定量的氰基的聚合物及马来酰亚胺化合物的组合物，则经时稳定性优异，且金属密合性也变得良好，从而完成了本发明。
即，本发明人发现通过以下结构能够解决上述课题。
[1]一种底部填充剂组合物，其含有聚合物及具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物，
聚合物具有氰基，
每1g聚合物中所含的氰基的含量为0.1～6mmol/g。
[2]根据[1]所述的底部填充剂组合物，其中，
聚合物及马来酰亚胺化合物的含量的合计相对于底部填充剂组合物的总质量为10～80质量％。
[3]根据[1]或[2]所述的底部填充剂组合物，其还含有溶剂，
可溶于溶剂的成分相对于不挥发成分的总质量为95质量％以上。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
聚合物为具有环氧基以外的固化性基团的热固性树脂。
[5]根据[1]至[4]中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
聚合物具有重复单元，重复单元具有包含氰基的侧链。
[6]根据[1]至[5]中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
聚合物具有由后述的式(1)表示的重复单元。
[7]根据[1]至[6]中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
聚合物的重均分子量为100000～1200000。
[8]根据[1]至[7]中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
马来酰亚胺化合物的含量相对于底部填充剂组合物的总质量为5～70质量％。
[9]根据[1]至[8]中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
马来酰亚胺化合物为在1分子中具有2个以上马来酰亚胺基的化合物。
[10]根据[1]至[9]中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
马来酰亚胺化合物为双马来酰亚胺化合物。
[11]根据[1]至[10]中任一项所述的底部填充剂组合物，其还含有烯丙基酚化合物。
[12]根据[11]所述的底部填充剂组合物，其中，
烯丙基酚化合物的含量相对于底部填充剂组合物的总质量为3～60质量％。
[13]根据[1]至[12]中任一项所述的底部填充剂组合物，其还含有选自由丙烯酸系单体及甲基丙烯酸系单体组成的组中的至少1种单体。
[14]一种涂布膜，其是使用[1]至[13]中任一项所述的底部填充剂组合物形成的。
[15]一种固化膜，其是将[14]所述的涂布膜固化而形成的。
[16]一种多层配线基板，其依次具备具有多个电极的半导体元件、各向异性导电性接合部件及具有多个电极的电路基板，
在半导体元件与各向异性导电性接合部件之间、以及在电路基板与各向异性导电性接合部件之间，配置有[15]所述的固化膜，
各向异性导电性接合部件是具有由无机材料构成的绝缘性基材及在绝缘性基材的厚度方向上贯通且在彼此绝缘的状态下设置的由导电性部件构成的多个导电通路，多个导电通路具有从绝缘性基材的表面突出的突出部分，
电路基板所具有的多个电极的高度为10μm以下。
[17]根据[16]所述的多层配线基板，其中，
各向异性导电性接合部件的导电性部件、半导体元件所具有的多个电极及电路基板所具有的多个电极均包含铜。
[18]一种多层配线基板的制造方法，其制作依次具备具有多个电极的半导体元件、各向异性导电性接合部件及具有多个电极的电路基板的多层配线基板，
所述多层配线基板的制造方法依次具有：
临时接合工艺，使用[1]至[13]中任一项所述的底部填充剂组合物来粘接各向异性导电性接合部件与半导体元件及电路基板；
正式接合工艺，通过以低于底部填充剂组合物的固化温度的温度进行加热，来对各向异性导电性接合部件所具有的导电通路与半导体元件所具有的多个电极及电路基板所具有的多个电极进行电接合；及
固化工艺，通过以底部填充剂组合物的固化温度以上的温度进行加热，使底部填充剂组合物固化，
临时接合工艺中的温度条件为20～140℃，
正式接合工艺中的温度条件为高于临时接合工艺的温度的温度。
[19]根据[18]所述的多层配线基板的制造方法，其中，
在临时接合工艺中，使用底部填充剂组合物形成的涂布膜设置在各向异性导电性接合部件上的半导体元件侧及电路基板侧的表面。
[20]根据[18]所述的多层配线基板的制造方法，其中，
在临时接合工艺中，使用底部填充剂组合物而形成的涂布膜设置在半导体元件及电路基板上的各向异性导电性接合部件侧的表面。
[21]根据[18]至[20]中任一项所述的多层配线基板的制造方法，其中，
在正式接合工艺中，在加压之后或加压的状态下进行加热。
发明效果
如下所述，根据本发明，能够提供一种经时稳定性优异且金属密合性也良好的底部填充剂组合物、以及使用了底部填充剂组合物的涂布膜、固化膜、多层配线基板及多层配线基板的制造方法。
附图说明
图1是用于说明本发明的多层配线基板的制造方法的示意性剖视图中，临时接合了各向异性导电性接合部件与半导体元件及电路基板时的剖视图。
图2是用于说明本发明的多层配线基板的制造方法的示意性剖视图中，正式接合了各向异性导电性接合部件的导电通路与半导体元件及电路基板的电极时的剖视图。
图3是用于说明本发明的多层配线基板的制造方法的示意性剖视图中，正式接合之后将底部填充剂组合物固化时的剖视图。
图4是表示金属密合性的评价基准的分类的图。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
以下所记载的构成要件的说明是根据本发明的代表实施方式而完成的，但本发明并不限定于这些实施方式。
另外，本说明书中，使用“～”来表示的数值范围意味着包含记载于“～”的前后的数值作为下限值及上限值的范围。
并且，本说明书中，各成分可以单独使用1种相当于各成分的物质，也可以同时使用2种以上。在此，关于各成分同时使用2种以上的物质时，只要没有特别说明，则关于该成分的含量是指同时使用的物质的合计的含量。
并且，本说明书中，“(甲基)丙烯酸酯”是表示“丙烯酸酯”或“甲基丙烯酸酯”的表述，“(甲基)丙烯酸”是表示“丙烯酸”或“甲基丙烯酸”的表述，“(甲基)丙烯酰基”是表示“丙烯酰基”或“甲基丙烯酰基”的表述。
[底部填充剂组合物]
本发明的底部填充剂组合物(以下，也简称为“本发明的组合物”。)是含有聚合物及具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物的组合物。
并且，上述聚合物具有氰基，每1g上述聚合物中所含的上述氰基的含量为0.1～6mmol/g。
本发明中，如上所述，若使用含有包含特定量的氰基的聚合物及马来酰亚胺化合物的组合物，则经时稳定性优异，且金属密合性也变得良好。
该机制的详细内容尚不明确，但大概推测为如下。
即，由于在金属(尤其铜)表面产生由聚合物中包含特定量的氰基的π电子的配位引起的π吸附，因此认为金属密合性变得良好。
并且，马来酰亚胺化合物的热稳定性较高，在多层配线基板的制造工艺中，即使在涂布了本发明的组合物的状态下放置，也不会阻碍作为热聚合引发剂的功能，因此认为经时稳定性变得良好。
并且，本发明中，如后述的实施例所示，将本发明的组合物用于多层配线基板的制作时，具有接合适应性良好的意外的效果。
该机制的详细内容尚不明确，但大概推测为如下。
即，认为这是因为本发明的组合物所含有的聚合物在后述的临时接合工艺或正式接合工艺中升温时，因氰基的相互作用减弱而粘度容易降低，由此流动性变高，且在各向异性导电性接合部件的导电通路与半导体元件所具有的多个电极及电路基板所具有的多个电极之间难以残存本发明的组合物。
以下，对本发明的组合物所含有的聚合物及马来酰亚胺化合物进行详述。
〔聚合物〕
本发明的组合物所含有的聚合物为具有氰基且每1g聚合物中所含的氰基的含量成为0.1～6mmol/g的聚合物。
在此，氰基的含量能够使用13C-NMR(Nuclear Magnetic Resonance：核磁共振)等手段来进行测定。
本发明中，氰基的含量优选为1～5mmol/g。
本发明中，从经时稳定性变得更加良好且金属密合性也变得更加良好的理由出发，上述聚合物优选具有环氧基以外的固化性基团的热固性树脂。
作为具有环氧基以外的固化性基团的热固性树脂，具体而言，例如可举出聚丙烯腈(包含与丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的共聚物。以下相同。)、AS(丙烯腈-苯乙烯共聚物)树脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、氨基树脂(脲醛树脂、三聚氰胺树脂等)、呋喃树脂、不饱和聚酯系树脂、热固性氨基甲酸酯类树脂、硅酮树脂、热固性聚酰亚胺系树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、乙烯基酯树脂等。
其中，优选聚丙烯腈。
本发明中，从与金属(尤其铜)的密合性变得更加良好的理由出发，优选上述聚合物具有重复单元，该重复单元具有包含氰基的侧链。具体而言，更优选上述聚合物具有由下述式(1)表示的重复单元。
[化学式1]
上述式(1)中、R1表示氢原子或取代基，L1表示单键或2价的连接基团。
接着，对上述式(1)中的R1所表示的氢原子或取代基进行说明。
上述式(1)中，作为R1的一方式所表示的取代基，优选卤素原子、碳原子数1～20的直链状的烷基、碳原子数3～20的支链状或环状的烷基、碳原子数1～20的直链状的卤化烷基、碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数6～20的芳基、碳原子数6～20的芳氧基、氰基或氨基。
本发明中，上述式(1)中的R1优选氢原子或甲基，更优选氢原子。
接着，对上述式(1)中的L1所表示的单键或2价的连接基团进行说明。
上述式(1)中，作为L1的一方式所表示的2价的连接基团，优选为组合选自由可具有取代基的碳原子数1～18的直链状的亚烷基、碳原子数3～18的支链状或环状的亚烷基、可具有取代基的碳原子数6～12的亚芳基、醚基(-O-)、羰基(-C(＝O)-)及可具有取代基的亚氨基(-NH-)组成的组中的至少2个以上的基团而成的2价的连接基团。
本发明中，上述式(1)中的L1优选为单键。
上述聚合物可以是基于含有氰基的单体成分(例如，丙烯腈等)(以下，也简称为“含氰基单体”。)的单独聚合物，但优选使含氰基单体和(甲基)丙烯酸酯成分共聚合而成的共聚物。
作为(甲基)丙烯酸酯成分，具体而言，例如可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等。
(甲基)丙烯酸酯成分相对于含氰基单体以共聚比计优选在70～99mol％的范围内导入，更优选为80～98mol％的范围，进一步优选为90～98mol％的范围。
并且，关于上述聚合物，除了上述的含氰基单体及(甲基)丙烯酸酯成分以外，也可以是使上述的(甲基)丙烯酸酯成分和可共聚的其他单体成分共聚而成的共聚物。
作为其他单体成分，例如能够使用含羧基单体(例如(甲基)丙烯酸等)。
本发明中，上述聚合物能够通过聚合上述的单体成分而获得。
聚合方法并无特别限定，例如可举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等。
并且，作为聚合反应的种类，例如可举出自由基聚合、阳离子聚合、阴离子聚合、活性自由基聚合、活性阳离子聚合、活性阴离子聚合、配位聚合等。
本发明中，从对溶剂的溶解性及涂布作业中的液体处理的容易性的观点出发，上述聚合物的重均分子量(Mw)优选为100000～1200000，更优选为500000～1000000。
在此，本发明中的重均分子量是通过凝胶渗透色谱(GPC)法而测定的值。
·溶剂(洗脱液)：四氢呋喃(THF)
·装置名：组合使用Shimadzu Corporation制Prominence LC-20AD和Shodex公司制RI-104
·管柱：连接使用1根TOSOH TSKgel SuperHM-M(6.0mmφ×150mm)
·管柱温度：40℃
·试样浓度：1mg/mL
·流速：0.6mL/min.
·校正曲线：使用基于TOSHO制TSK标准聚苯乙烯Mw＝2,630～710,000(Mw/Mn＝1.01～1.05)下的5个样品的校正曲线
本发明中，从容易排除组合物中的空隙，在半导体的安装工序中，能够进行低压安装，且连接性也变得良好的理由出发，上述聚合物的含量相对于本发明的组合物的总质量优选为10～60质量％，更优选为10～45质量％，进一步优选为15～40质量％。
另外，上述聚合物可以单独含有1种聚合物，也可以同时含有2种以上的聚合物。另外，在同时使用2种以上聚合物的情况下，组合物中的聚合物的含量的合计优选在上述范围内。
〔马来酰亚胺化合物〕
关于本发明的组合物所含有的马来酰亚胺化合物，只要是具有马来酰亚胺基的化合物，则并无特别限定，优选具有马来酰亚胺基且分子量为1000以下的低分子化合物。
作为马来酰亚胺化合物，例如，优选1分子中具有2个以上马来酰亚胺基的化合物，更优选1分子中具有2个马来酰亚胺基的双马来酰亚胺化合物。
作为马来酰亚胺化合物，具体而言，例如，可举出4-甲基-1，3-亚苯基双马来酰亚胺、4，4-双马来酰亚胺二苯甲烷、间亚苯基双马来酰亚胺、双酚A二苯醚双马来酰亚胺、3，3’-二甲基-5，5’-二乙基-4，4’-二苯甲烷双马来酰亚胺等。
其中，优选芳香族双马来酰亚胺，尤其考虑临时接合工艺中的作业性，则优选溶剂溶解性或流动性良好的3，3’-二甲基-5，5’-二乙基-4，4’-二苯甲烷双马来酰亚胺。
本发明中，从容易排除组合物中的空隙，在半导体的安装工序中，能够进行低压安装，且连接性也变得良好的理由出发，马来酰亚胺化合物的含量相对于本发明的组合物的总质量优选为5～70质量％，更优选为20～60质量％，进一步优选为20～55质量％。
另外，上述马来酰亚胺化合物可以单独含有1种马来酰亚胺化合物，也可以同时含有2种以上的马来酰亚胺化合物。另外，在同时使用2种以上马来酰亚胺化合物的情况下，组合物中的马来酰亚胺化合物的含量的合计优选在上述范围内。
并且，本发明中，从兼顾确保固化性及作业性(低粘度化)的观点出发，上述的聚合物及马来酰亚胺化合物的含量的合计相对于底部填充剂组合物的总质量优选为10～80质量％，更优选为15～70质量％。
〔烯丙基酚化合物〕
从能够获得充分的固化性的理由出发，本发明的组合物优选含有具有烯属不饱和双键及酚性羟基的烯丙基酚化合物。
作为烯属不饱和双键，例如，可举出(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基、苯乙烯基、乙烯基(例如，乙烯酯、乙烯醚等)、烯丙基(例如，烯丙醚、烯丙酯等)等。
并且，酚性羟基是指取代芳香环的氢原子的羟基，优选取代苯环的氢原子的羟基。
作为烯丙基酚化合物，例如，可举出烯丙基双酚。
作为烯丙基双酚，具体而言，例如，可举出2，2’-二烯丙基双酚A、4，4’-(二甲基亚甲基)双[2-(2-丙烯基)苯酚]、4，4’-亚甲基双[2-(2-丙烯基)苯酚]、4，4’-(二甲基亚甲基)双[2-(2-丙烯基)-6-甲基苯酚]等，其中，优选2，2’-二烯丙基双酚A。
本发明中，从容易排除组合物中的空隙，且连接性也变得良好的理由出发，烯丙基酚化合物的含量相对于本发明的组合物的总质量优选为3～60质量％，更优选为6～55质量％，进一步优选为6～50质量％。
另外，上述烯丙基酚化合物可以单独含有1种烯丙基酚化合物，也可以同时含有2种以上的烯丙基酚化合物。另外，在同时使用2种以上烯丙基酚化合物的情况下，组合物中的烯丙基酚化合物的含量的合计优选在上述范围内。
〔单体〕
从兼顾确保固化性及作业性(低粘度化)的观点出发，本发明的组合物优选含有选自由丙烯酸系单体及甲基丙烯酸系单体组成的组中的至少1种单体。
上述单体能够使用具有1个(甲基)丙烯酰基的单官能(甲基)丙烯酸酯、及具有2个以上(甲基)丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯中的任一个。
作为上述单体，例如，可举出异氰脲酸EO改性二丙烯酸酯、异氰脲酸EO改性三丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、2-羟基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯、9，9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、乙氧基化双酚A二丙烯酸酯、芴系丙烯酸酯(例如，产品名称：OGSOL EA0200、EA0300、Osaka Gas Chemicals Co.，Ltd.制)等。
这些单体之中，若考虑耐热性等，则优选高耐热性的芴系丙烯酸酯。
本发明中，上述单体的含量相对于聚合物、马来酰亚胺化合物、烯丙基酚化合物及上述单体的总质量优选为15质量％以下。
另外，上述单体可以单独含有1种单体，也可以同时含有2种以上的单体。另外，在同时使用2种以上单体的情况下，组合物中的单体的含量的合计优选在上述范围内。
〔溶剂〕
从作业性变得良好的理由出发，本发明的组合物优选含有溶剂。
作为溶剂，例如，可举出：酮类(例如，丙酮、甲基乙基酮、2-丁酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、乙酰丙酮等)、醚类(例如，二噁烷、四氢呋喃、四氢吡喃、二氧戊环、四氢糠醇、环戊基甲醚、二丁醚等)、脂肪族烃类(例如，己烷等)、脂环式烃类(例如，环己烷等)、芳香族烃类(例如，苯、甲苯、二甲苯、四氢萘、三甲基苯等)、卤化碳类(例如，二氯甲烷、三氯甲烷(氯仿)、二氯乙烷、二氯苯、1，1，2，2-四氯乙烷、氯甲苯等)、酯类(例如，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、碳酸二乙酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸正戊酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸苄酯、丁基卡必醇乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、乙酸异戊酯等)、醇类(例如，乙醇、异丙醇、丁醇、环己醇、糠醇、2-乙基己醇、辛醇、苯甲醇、乙醇胺、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚等)、苯酚类(例如，苯酚、甲酚等)、溶纤剂类(例如，甲基溶纤剂、乙基溶纤剂及1，2-二甲氧基乙烷等)、溶纤剂乙酸酯类、亚砜类(例如，二甲基亚砜等)、酰胺类(例如，二甲基甲酰胺及二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮等)、及杂环化合物(例如，吡啶、2，6-二甲吡啶等)等有机溶剂；水。
这些溶剂可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。
从作业性变得良好的理由出发，本发明的组合物中，可溶于上述溶剂的成分相对于不挥发成分的总质量优选为95质量％以上。
在此，不挥发成分是指构成溶剂以外的组合物的成分。
〔其他成分〕
根据目的，用于底部填充剂材料的组合物除了上述成分以外，还可以含有抗氧化材料、抗迁移剂、无机填充剂、分散剂、缓冲剂、粘度调整剂等各种添加剂。
[涂布膜]
本发明的涂布膜是使用上述的本发明的组合物而形成的涂布膜。
在此，涂布膜是指涂布上述的本发明的组合物并通过干燥去除了溶剂的未固化的膜(树脂层)。
本发明的涂布膜的厚度并无特别限定，但从后述的本发明的多层配线基板的制造方法中，追随成为连接对象的半导体元件及电路基板的表面形状的观点出发，优选为50～3000nm，更优选为250～2000nm。
本发明的涂布膜的形成方法并无特别限定，但设置于后述的各向异性导电性接合部件上的半导体元件侧及电路基板侧的表面时，可举出将上述的本发明的组合物涂布于各向异性导电性接合部件的绝缘性基材的表面及导电通路的突出部分，并使其干燥，根据需要进行烧成的方法等。
本发明的组合物的涂布方法并无特别限定，例如，能够使用凹版涂布法、反向涂布法、模涂法、刮板涂布法、辊涂法、气刀涂布法、丝网涂布法、棒涂法、帘涂法等以往公知的涂布方法。
并且，涂布后的干燥方法并无特别限定，例如，可举出在大气下以0～10()℃的温度，加热数秒钟～数十分钟的处理、或在减压下以()～8()℃的温度，加热十几分钟～数小时的处理等。
并且.，关于干燥后的烧成方法，由于根据使用的材料而不同，因此并无特别限定，但可举出以160～300℃的温度加热2分钟～6小时的处理等。
[固化膜]
本发明的固化膜是将上述的本发明的涂布膜固化而形成的固化膜。
在此，固化膜的形成方法并无特别限定，但可举出以上述的本发明的组合物的固化温度以上的温度进行加热的方法等。
并且，固化膜的形成方法中的加热温度优选为200℃以上且400℃以下，更优选为200℃以上且300℃以下。
并且，从充分地进行固化的观点出发，固化膜的形成方法中的加热时间优选为1～60分钟。
[多层配线基板]
本发明的多层配线基板是依次具备具有多个电极的半导体元件、各向异性导电性接合部件及具有多个电极的电路基板的多层配线基板。
并且，本发明的多层配线基板中，在上述半导体元件与上述各向异性导电性接合部件之间、及在上述电路基板与上述各向异性导电性接合部件之间配置有上述的本发明的固化膜。
并且，上述各向异性导电性接合部件具有由无机材料构成的绝缘性基材及沿上述绝缘性基材的厚度方向贯通且在彼此绝缘的状态下设置的由导电性部件构成的多个导电通路，上述多个导电通路具有从上述绝缘性基材的表面突出的突出部分。
并且，上述电路基板所具有的上述多个电极的高度为10μm以下。
〔各向异性导电性接合部件〕
本发明的多层配线基板所具有的各向异性导电性接合部件如上所述具备：由无机材料构成的绝缘性基材；及沿绝缘性基材的厚度方向贯通且在彼此绝缘的状态下设置的由导电性部件构成的多个导电通路。
并且，各导电通路具有从绝缘性基材的表面突出的突出部分。
本发明中，各向异性导电性接合部件及其制造方法能够采用专利文献1(日本特开2018-037509号公报)中所记载的内容，其作为参考引入本说明书中。
并且，关于各向异性导电性接合部件的制造方法，也能够使用日本特开2018-037509号公报中所记载的方法以外的方法，例如，能够使用日本特开2008-270157号公报中所记载的方法、国际公开第2017/057150号中所记载的方法、国际公开第2018/155273号中所记载的方法、日本特开2019-153415号公报中所记载的方法等。这些公报中所记载的内容作为参考引入本说明书中。
〔半导体元件〕
如上所述，本发明的多层配线基板所具有的半导体元件是具有多个电极的半导体元件。
本发明中，半导体元件能够采用以往公知的半导体元件，作为其具体例，可举出逻辑LSI(Large Scale Integration：超大规模集成电路)(例如，ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程逻辑门阵列)、ASSP(Application Specific Standard Product：专用标准产品)等)、微处理器(例如，CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、GPU(GraphicsProcessing Unit：图案处理器)等)、存储器(例如，DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)、HMC(Hybrid Memory Cube：混合内存立方体)、MRAM(MagneticRAM：磁阻式随机存取存储器)和PCM(Phase-Change Memory：相变化存储器)、ReRAM(ResistiveRAM：可变电阻式存储器)、FeRAM(Ferroelectric RAM：铁电随机存取存储器)、快闪存储器(NAND(Not AND)快闪)等)、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、(例如，便携终端微闪光灯、车载用、投影仪光源、LCD背光、一般照明等)、功率器件、模拟IC(IntegratedCircuit：集成电路)、(例如，DC(Direct Current：直流电)-DC(Direct Current：直流电)转换器、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)、(例如，加速度传感器、压力传感器、振子、陀螺仪传感器等)、无线(例如，GPS(GlobalPositioning System：全球定位系统)、FM(Frequency Modulation：频率调制)、NFC(Nearfield communication：近场通信)、RFEM(RF Expansion Module：射频扩展模块)、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit：单片微波集成电路)、WLAN(Wire]essLocalAreaNetwork：无线区域网)等)、离散元件、BSI(Back Side Illumination：背面照明)、CIS(Contact Image Sensor：接触式图像传感器)、相机模块、CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor：互补式金属氧化物半导体)、Passive(无源)器件、SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)滤波器、RF(Radio Frequency：射频)滤波器、RFIPD(Radio Frequency Integrated Passive Devices：射频集成无源器件)、BB(Broadband：宽频)等。
半导体元件例如由1个完成，且是以半导体元件单体发挥电路或传感器等的特定功能。半导体元件可以具有内插器功能。并且，例如，也能够在具有内插器功能的器件上层叠具有逻辑电路的逻辑芯片及存储器芯片等多个器件。并且，在该情况下，即使每个器件的电极尺寸不同，也能够进行接合。
〔电路基板〕
本发明的多层配线基板所具有的电路基板具有基板及高度为10μm以下的多个电极，还根据需要，具有其他部件。
在此，电极的高度是指通过电解发射形扫描电子显微镜以10000倍的倍率观察电路基板的截面，并在10个点处测定了电极的高度而获得的平均值。
并且，电路基板也可以是在基板(例如，硅基板)上安装了集成电路的半导体元件。作为半导体元件，可举出上述元件。
<基板>
作为基板，并无特别限制，根据目的能够适当地进行选择，例如可举出塑料基板、玻璃基板等。
并且，作为基板的形状、大小、结构，并无特别限制，根据目的能够适当地进行选择。
<电极>
作为电极的材料，可举出金、银、铜、铝等。
并且，关于电极的形状，只要高度为10μm以下，则并无特别限定，可以是配线形状，根据目的能够适当地进行选择。
并且，电极的高度优选为0.05μm以上，更优选为0.1～5μm。
〔固化膜〕
本发明的多层配线基板所具有的固化膜是上述的本发明的固化膜。
在此，本发明的多层配线基板中的固化膜的厚度并无特别限定，但优选为50～3000nm，更优选为250～2000nm。
本发明中，从本发明的效果显现化的理由出发，优选上述的各向异性导电性接合部件的导电性部件、半导体元件所具有的多个电极及电路基板所具有的多个电极均包含铜。
[多层配线基板的制造方法]
本发明的多层配线基板的制造方法(以下，简称为“本发明的制造方法”。)是依次具备具有多个电极的半导体元件、各向异性导电性接合部件及具有多个电极的电路基板的多层配线基板的制造方法。
并且，本发明的制造方法依次具有：临时接合工艺，使用上述的本发明的组合物来粘接上述各向异性导电性接合部件与上述半导体元件及上述电路基板；正式接合工艺，通过以低于上述的本发明的组合物的固化温度的温度进行加热，来对上述各向异性导电性接合部件所具有的导电通路与上述半导体元件所具有的上述多个电极及上述电路基板所具有的上述多个电极进行电接合；及固化工艺，通过以上述的本发明的组合物的固化温度以上的温度进行加热，使上述的本发明的组合物固化。
并且，上述临时接合工艺中的温度条件是20～140℃。
并且，上述正式接合工艺中的温度条件是高于上述临时接合工艺的温度的温度。
另外，本发明的制造方法中使用的各向异性导电性接合部件、半导体元件及电路基板与上述的本发明的多层配线基板中说明的相同。
以下，对本发明的制造方法所具有的临时接合工艺、正式接合工艺及固化工艺进行详述。
〔临时接合工艺〕
本发明的制造方法所具有的临时接合工艺是使用上述的本发明的组合物在20～140℃的温度条件下粘接上述的各向异性导电性接合部件与上述的半导体元件及电路基板的工艺。
本发明中，适用上述的本发明的组合物时，使用上述的本发明的组合物而形成的涂布膜可以设置在上述的各向异性导电性接合部件上的上述的半导体元件侧及电路基板侧的表面，也可以设置在上述的半导体元件及电路基板上的上述的各向异性导电性接合部件侧的表面。
本发明中，从防止由加热引起的树脂软化起因的位置偏移的理由出发，20～140℃下的加热，优选在加压之后或加压的状态下进行。
关于临时接合工艺中的温度条件，只要是20～140℃，则并无特别限定，优选为25～100℃。
并且，临时接合工艺中加压时的加压条件并无特别限定，但优选为10MPa以下，更优选为6MPa以下。
本发明中，优选在CoW(Chip On Wafer：晶圆上芯片)工艺中进行临时接合工艺。通过检查半导体晶片和半导体芯片晶片，预先了解合格芯片和不合格芯片(KGD：Known GoodDie：已知良好芯片)，仅将半导体芯片晶片的合格芯片接合到半导体晶片内的合格部分，可以降低损耗。另外，进行临时接合时，若临时接合强度较弱，则在正式接合之前的工序(输送工序等)中会产生位置偏移，因此上述的临时接合工艺中的温度条件及加压条件变得重要。
〔正式接合工艺〕
本发明的制造方法所具有的正式接合工艺是通过以低于上述的本发明的组合物的固化温度的温度且高于临时接合工艺的温度的温度进行加热来对上述的各向异性导电性接合部件所具有的导电通路与上述的半导体元件所具有的多个电极及电路基板所具有的多个电极进行电接合的工艺。
本发明中，从防止由加热引起的树脂软化起因的位置偏移的理由出发，低于上述的本发明的组合物的固化温度的温度下的加热，优选在加压之后或加压的状态下进行。
关于正式接合工艺中的温度条件，只要是高于临时接合工艺的温度的温度，则并无特别限定，但优选为大于100℃且300℃以下，更优选为120～250℃。
并且，正式接合工艺中加压时的加压条件并无特别限定，但优选为150MPa以下，更优选为0.1～100MPa。
并且，正式接合工艺的时间并无特别限定，但优选为1秒钟～60分钟，更优选为5秒钟～40分钟。
通过在上述的条件下进行正式接合工艺，上述的临时接合工艺中所使用的本发明的组合物容易在半导体元件及电路基板的电极之间流动，且难以残存在接合部。
另外，关于正式接合工艺，可以对半导体元件的每个芯片进行，但从能够减少生产节拍时间的观点出发，优选对晶片一并进行。
〔固化工艺〕
本发明的制造方法所具有的固化工艺是通过以上述的本发明的组合物的固化温度以上的温度进行加热而使上述的本发明的组合物固化的工艺。
本发明中，关于固化工艺中的温度条件，只要是上述的本发明的组合物的固化温度以上，则并无特别限定，但优选为200℃以上且400℃以下，更优选为200℃以上且300℃以下。
并且，从防止由加热引起的树脂软化起因的位置偏移的理由出发，基于固化工艺的加热，优选在加压之后或加压的状态下进行。
并且，固化工艺的时间并无特别限定，但从充分地进行上述的本发明的组合物的固化的观点出发，优选为1～60分钟。
另外，固化工艺与正式接合工艺相同，可以对半导体元件的每个芯片进行，但从能够减少生产节拍时间的观点出发，优选对晶片一并进行。
并且，固化工艺中加压时的加压条件并无特别限定，但优选为150MPa以下，更优选为0.1～100MPa。
接着，利用图1～图3对上述的临时接合工艺、正式接合工艺及固化工艺等进行说明。
如图1所示，使用设置在各向异性导电性接合部件1的表面的底部填充剂组合物4来临时接合各向异性导电性接合部件1(符号2：绝缘性基材、符号3：导电通路)与半导体元件11及电路基板13。
接着，如图2所示，通过以低于底部填充剂组合物4的固化温度的温度进行加热，来对各向异性导电性接合部件1所具有的导电通路3与半导体元件11所具有的多个电极12及电路基板13所具有的多个电极14进行电接合(正式接合)。
接着，如图3所示，通过以底部填充剂组合物4的固化温度以上的温度进行加热，使底部填充剂组合物4固化，由此能够制作多层配线基板30。
实施例
以下，举出实施例对本发明进行更详细的说明。关于以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理顺序等，只要不脱离本发明的宗旨，则能够适当进行变更。因此，本发明的范围不应该由以下所示的实施例进行限定性解释。
[各向异性导电性接合部件的制作]
<铝基板的制作>
含有Si：0.06质量％、Fe：0.30质量％、Cu：0.005质量％、Mn：0.001质量％、Mg：0.001质量％、Zn：0.001质量％、Ti：0.03质量％，且剩余部分使用Al和不可避免的杂质的铝合金来制备熔融金属，在进行了熔融金属处理及过滤之后，通过DC(Direct Chill：直接冷却)铸造法制作了厚度500mm、宽度1200mm的铸锭。
接着，利用面削机以平均10mm的厚度将表面削去之后，在550℃下，均热保持约5小时，当温度降至400℃时，使用热轧机制成厚度2.7mm的轧制板。
另外，使用连续退火机在500℃下进行了热处理之后，通过冷轧精加工为1.0mm的厚度，从而获得了JIS(Japanese Industrial Standards：日本工业标准)1050材料的铝基板。
使该铝基板成为宽度1030mm之后，实施了以下所示的各处理。
<电解研磨处理>
对于上述铝基板，使用以下组成的电解研磨液，在电压25V、液温65℃、液体流速3.0m/min的条件下实施了电解研磨处理。
阴极设为碳电极，电源使用了GP0110-30R(TAKASAGO LTD.制)。并且，使用涡流流量监测器FLM22-10PCW(AS ONE Corporation制)测量了电解液的流速。
(电解研磨液组成)
·85质量％磷酸(Wako Pure Chemical Corporation制试剂) 660mL
·纯水 160mL
·硫酸 150mL
·乙二醇 30mL
<阳极氧化处理工序>
接着，对电解研磨处理后的铝基板，根据日本特开2007-204802号公报中记载的顺序实施了基于自有序化法的阳极氧化处理。
对电解研磨处理后的铝基板，利用0.50mol/L草酸的电解液，在电压40V、液温16℃、液体流速3.0m/min的条件下，实施了5小时的预阳极氧化处理。
然后，实施了使预阳极氧化处理后的铝基板在0.2mol/L铬酸酐、0.6mol/L磷酸的混合水溶液(液温：50℃)中浸渍12小时的脱膜处理。
然后，利用0.50mol/L草酸的电解液，在电压40V、液温16℃、液体流速3.0m/min的条件下，实施3小时45分钟的再阳极氧化处理，从而获得了膜厚30μm的阳极氧化膜。
另外，预阳极氧化处理及再阳极氧化处理中，阴极均设为不锈钢电极，电源均使用了GP0110-30R(TAKASAGO LTD.制)。并且，冷却装置中使用了NeoCool BD36(YamatoScientific co.，ltd.制)，搅拌加温装置中使用了成对搅拌器PS-100(TOKYO RIKAKIKAICO.，LTD.制)。另外，使用涡式流量监测器FLM22-10PCW(AS ONE Corporation制)测量了电解液的流速。
<阻挡层去除工序>
接着，在阳极氧化处理工序之后，使用在氢氧化钠水溶液(50g/l)中以成为2000ppm的方式溶解了氧化锌的碱性水溶液，实施在30℃下浸渍150秒钟的蚀刻处理，从而去除位于阳极氧化膜的微孔(细孔)的底部的阻挡层，并且同时使锌析出在露出的铝基板的表面上。
并且，阻挡层去除工序后的阳极氧化膜的平均厚度为30μm。
<金属填充工序>
接着，将铝基板作为阴极，将铂作为正极而实施了电解电镀处理。
具体而言，通过使用以下所示的组成的镀铜液，并实施恒流电解，从而制作了将镍填充于微孔的内部的金属填充微细结构体。在此，关于恒流电解，使用YAMAMOTO-MS Co.，LTD.制的电镀装置，并使用HOKUTO DENKO CORPORATION制的电源(HZ-3000)，在电镀液中进行循环伏安法而确认了析出电位之后，在以下所示的条件下实施了处理。
(镀铜液组成及条件)
·硫酸铜 100g/L
·硫酸 50g/L
·盐酸 15g/L
·温度 25℃
·电流密度10A/dm2
利用FE-SEM来观察金属填充于微孔后的阳极氧化膜的表面，观察1000个微孔中有无基于金属的封孔，算出封孔率(密封微孔的个数/1000个)的结果为98％。
并且，利用FIB在厚度方向上对金属填充于微孔后的阳极氧化膜进行切削加工，对其截面通过FE-SEM拍摄了表面照片(倍率50000倍)，并确认了微孔的内部的结果，可知被封孔的微孔中，其内部完全被金属填充。
<表面金属突出工序>
使金属填充工序后的结构体浸渍在氢氧化钠水溶液(浓度：5质量％、液温：20℃)中，调整浸渍时间以使突出部分的高度成为400nm，并选择性地溶解铝的阳极氧化膜的表面，从而制作了使作为填充金属的铜突出的结构体。
<树脂层形成工序>
在未设置有铝基板的一侧的表面上贴附了热剥离型的带粘合层的树脂基材(RivaAlpha 3195MS、NITTO DENKO CORPORATION制)。
<基板去除工序>
接着，通过浸渍于氯化铜/盐酸的混合溶液而溶解并去除铝基板，从而制作了平均厚度30μm的金属填充微细结构体。
所制作的金属填充微细结构体中的导电通路的直径为60nm，导电通路之间的间距为100nm，导电通路的密度为5770万个/mm2。
<背面金属突出工序>
使基板去除工序后的结构体浸渍在氢氧化钠水溶液(浓度：5质量％、液温：20℃)中，调整浸渍时间以使突出部分的高度成为400nm，并选择性地溶解铝的阳极氧化膜的表面，从而制作了使作为填充金属的铜突出的各向异性导电性接合部件。
[实施例1]
〔底部填充剂组合物〕
制备了下述组成的底部填充剂组合物1。另外，在下述表1中示出合成的丙烯酸乙酯·丙烯腈共聚物的氰基的含量。
在剥离了设置在上述中所制作的各向异性导电性接合部件的表面的剥离型的带粘合层的树脂基材(Riva Alpha 3195MS、NITTO DENKO CORPORATION制)之后，利用旋转涂布机在表面(露出面)及背面以厚度成为400nm的方式涂布了所制备的底部填充剂组合物1。
准备WALTS CO.，LTD.制的TEG芯片(菊花链图案)及内插器，并将这些设置在芯片接合器的上下，并预先调整了对准。
对准调整之后，使制作的各向异性导电性材料重叠在设置在下侧的内插器的Cu柱侧，并使用常温接合装置(WP-100、PMT CORPORATION制)，在温度100℃、1分钟、6MPa的条件下进行加热压接，从而进行了临时接合。
接着，对于临时接合的样品，使用常温接合装置(WP-100、Bondtech Co.，Ltd制)在温度180℃、5分钟、50MPa的条件下进行加热压接，从而进行了正式接合。
接着，在温度220℃、25分钟、50MPa的条件下进行加热压接，并将底部填充剂组合物固化，从而制作了多层配线基板。
[实施例2]
除了使用将丙烯酸乙酯·丙烯腈共聚物的共聚合摩尔比改变为85∶15的组合物以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[实施例3]
除了使用将丙烯酸乙酯·丙烯腈共聚物的共聚合摩尔比改变为75∶25的组合物以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[实施例4]
除了使用将丙烯酸乙酯·丙烯腈共聚物的共聚合摩尔比改变为99∶1的组合物以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[实施例5]
除了将底部填充剂组合物1变更为下述底部填充剂组合物2以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[实施例6]
除了将底部填充剂组合物1变更为下述底部填充剂组合物3以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[实施例7]
除了使用将底部填充剂组合物的聚合物改变为丙烯酸乙酯·丙烯腈共聚物(Mw：1400000，共聚比95∶5)的组合物以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[实施例8]
除了将底部填充剂组合物1变更为下述底部填充剂组合物4以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[比较例1]
除了使用将丙烯酸乙酯·丙烯腈共聚物的丙烯腈的共聚比改变为0的组合物以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[比较例2]
除了使用将底部填充剂组合物的聚合物改变为环氧树脂(产品名称：BST001A、固化温度：150℃、NAMICS Corporation制)的组合物以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[比较例3]
除了不使用底部填充剂组合物以外，与实施例1相同地制作了多层配线基板。
[评价]
〔粘度〕
对实施例1～8及比较例1～3中制备的底部填充剂组合物进行了动态粘弹性测定(装置：TA Instruments制流变仪DHR-2)。
具体而言，使用25mmφ的平行板及ETC(环境试验室)用下部板(Gap(间隙)：0.5mm)，在温度(设定值)约30～100℃、升温速度5℃/min、频率1Hz、应变0.5％的条件下测定熔融粘度，从而测量了100℃下的粘度。进行4次该测定及测量，并算出平均值。在下述表1中示出结果。
〔经时稳定性〕
在25℃、相对湿度50％的环境下放置72小时之后，用上述的方法测量了25℃下的粘度。
若粘度的变化率小于5％，则评价为A，若变化率为5％以上且小于20％，则评价为B，若变化率为20％以上，则评价为C。在下述表1中示出结果。
〔接合适宜性〕
通过测定芯片配线之间的电阻值来评价是否完成了电连接。在下述表1中示出电阻值的测定结果。
〔金属密合性〕
在铜板上以成为1μm的厚度的方式涂布了实施例1～8及比较例1～3中制备的底部填充剂组合物之后，制作了在220℃、30分钟的条件下加热而成的样品。
关于所制作的样品，通过JIS K5600-5-6中记载的横切法，按照下述图4所示的分类，分5个阶段对密合力进行了评价。此时，切口间隔设为1mm。在下述表1中示出结果。
〔可靠性〕
对于所制作的多层配线基板，进行(-50℃/+200℃)的条件的温度循环试验，按以下基准进行了评价。在下述表1中示出结果。
A：每10个循环测定电阻值，电阻值的变化率(50个循环下的电阻值)小于10％
B：每10个循环测定电阻值，电阻值的变化率(50个循环下的电阻值)为10％以上且小于50％
C：每10个循环测定电阻值，电阻值的变化率(50个循环下的电阻值)为50％以上
[表1]
从上述表1所示的结果可知，在使用了不含有氰基的聚合物的情况下，金属密合性较差(比较例1及比较例2)。尤其，对于使用了环氧树脂的比较例2，可知经时稳定性也差。
并且，可知在不使用底部填充剂组合物的情况下，多层配线基板的可靠性较差(比较例3)。
相对于此，可知在使用了含有规定量的氰基的聚合物的情况下，成为经时稳定性优异且金属密合性也良好的底部填充剂组合物(实施例1～8)。
尤其，从实施例1与实施例5的对比可知，在底部填充剂组合物中配合了丙烯酸系单体的情况下，粘度变低，且作业性变得良好。
并且，从实施例1与实施例6的对比可知，底部填充剂组合物中所含的可溶于溶剂的成分相对于不挥发成分的总质量为95质量％以上的实施例1的金属密合性更高，且接合性得到提高。
并且，从实施例1与实施例7的对比可知，聚合物的重均分子量为100000～1200000的实施例1的粘度变低，且作业性变得良好。
并且，从实施例1与实施例8的对比可知，聚合物为具有环氧基以外的固化性基团的热固性树脂的实施例1的经时稳定性及金属密合性更良好。
符号说明
1-各向异性导电性接合部件，2-绝缘性基材，3-导电通路，4-底部填充剂组合物，4a-固化后的底部填充剂组合物，6-绝缘性基材的厚度，11-半导体元件，12-电极，13-电路基板，14-电极，30-多层配线基板。

Claims (21)

1.一种底部填充剂组合物，其含有聚合物及具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物，
所述聚合物具有氰基，
每1g所述聚合物中所含的所述氰基的含量为0.1mmol/g～6mmol/g。
2.根据权利要求1所述的底部填充剂组合物，其中，
所述聚合物及所述马来酰亚胺化合物的含量的合计相对于所述底部填充剂组合物的总质量为10质量％～80质量％。
3.根据权利要求1或2所述的底部填充剂组合物，其还含有溶剂，
可溶于所述溶剂的成分相对于不挥发成分的总质量为95质量％以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
所述聚合物为具有环氧基以外的固化性基团的热固性树脂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
所述聚合物具有重复单元，所述重复单元具有包含氰基的侧链。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
所述聚合物具有由下述式(1)表示的重复单元，
在此，所述式(1)中，R1表示氢原子或取代基，L1表示单键或2价的连接基团。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
所述聚合物的重均分子量为100000～1200000。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
所述马来酰亚胺化合物的含量相对于所述底部填充剂组合物的总质量为5质量％～70质量％。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
所述马来酰亚胺化合物为在1分子中具有2个以上马来酰亚胺基的化合物。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的底部填充剂组合物，其中，
所述马来酰亚胺化合物为双马来酰亚胺化合物。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的底部填充剂组合物，其还含有烯丙基酚化合物。
12.根据权利要求11所述的底部填充剂组合物，其中，
所述烯丙基酚化合物的含量相对于所述底部填充剂组合物的总质量为3质量％～60质量％。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的底部填充剂组合物，其还含有选自由丙烯酸系单体及甲基丙烯酸系单体组成的组中的至少1种单体。
14.一种涂布膜，其是使用权利要求1至13中任一项所述的底部填充剂组合物形成的。
15.一种固化膜，其是将权利要求14所述的涂布膜固化而形成的。
16.一种多层配线基板，其依次具备具有多个电极的半导体元件、各向异性导电性接合部件及具有多个电极的电路基板，
在所述半导体元件与所述各向异性导电性接合部件之间、以及在所述电路基板与所述各向异性导电性接合部件之间，配置有权利要求15所述的固化膜，
所述各向异性导电性接合部件具有由无机材料构成的绝缘性基材及在所述绝缘性基材的厚度方向上贯通且在彼此绝缘的状态下设置的由导电性部件构成的多个导电通路，所述多个导电通路具有从所述绝缘性基材的表面突出的突出部分，
所述电路基板所具有的所述多个电极的高度为10μm以下。
17.根据权利要求16所述的多层配线基板，其中，
所述各向异性导电性接合部件的导电性部件、所述半导体元件所具有的所述多个电极及所述电路基板所具有的所述多个电极均包含铜。
18.一种多层配线基板的制造方法，其制作依次具备具有多个电极的半导体元件、各向异性导电性接合部件及具有多个电极的电路基板的多层配线基板，
所述多层配线基板的制造方法依次具有：
临时接合工艺，使用权利要求1至13中任一项所述的底部填充剂组合物来粘接所述各向异性导电性接合部件与所述半导体元件及所述电路基板；
正式接合工艺，通过以低于所述底部填充剂组合物的固化温度的温度进行加热，来对所述各向异性导电性接合部件所具有的导电通路与所述半导体元件所具有的所述多个电极及所述电路基板所具有的所述多个电极进行电接合；及
固化工艺，通过以所述底部填充剂组合物的固化温度以上的温度进行加热，使所述底部填充剂组合物固化，
所述临时接合工艺中的温度条件为20℃～140℃，
所述正式接合工艺中的温度条件为高于所述临时接合工艺的温度的温度。
19.根据权利要求18所述的多层配线基板的制造方法，其中，
在所述临时接合工艺中，使用所述底部填充剂组合物而形成的涂布膜设置在所述各向异性导电性接合部件上的所述半导体元件侧及所述电路基板侧的表面。
20.根据权利要求18所述的多层配线基板的制造方法，其中，
在所述临时接合工艺中，使用所述底部填充剂组合物而形成的涂布膜设置在所述半导体元件及所述电路基板上的所述各向异性导电性接合部件侧的表面。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的多层配线基板的制造方法，其中，
在所述正式接合工艺中，在加压之后或加压的状态下进行所述加热。
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