TW202239592A

TW202239592A - 結構體、各向異性導電性構件之製造方法及保護層形成用組成物

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Publication number: TW202239592A
Application number: TW111101574A
Authority: TW
Inventors: 堀田吉則
Original assignee: 日商富士軟片股份有限公司
Priority date: 2021-01-27
Filing date: 2022-01-14
Publication date: 2022-10-16
Also published as: CN116830391A; WO2022163260A1; JPWO2022163260A1

Abstract

本發明提供一種抑制藉由切割等切削加工等產生之切削屑的影響之結構體、各向異性導電性構件之製造方法及保護層形成用組成物。結構體具有絕緣膜；沿厚度方向貫通絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置之複數個導體；樹脂層，覆蓋絕緣膜的厚度方向上之至少一側表面；及由有機物構成之保護層。樹脂層設置於絕緣膜與保護層之間，保護層為最表面層。

Description

結構體、各向異性導電性構件之製造方法及保護層形成用組成物

本發明係有關一種設置沿厚度方向貫通絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置之複數個導體、覆蓋絕緣膜的厚度方向上之至少一側表面之樹脂層及由有機物構成之保護層作為最表面層之結構體、各向異性導電性構件之製造方法及保護層形成用組成物。

在設置於絕緣性基材上之複數個貫通孔中填充金屬等導電性物質而成之結構體為近年來在奈米技術中亦受到注目之領域之一，例如作為各向異性導電性構件的用途備受期待。各向異性導電性構件僅藉由插入到半導體元件等電子組件與電路基板之間並進行加壓而獲得電子組件與電路基板之間的電連接，因此作為半導體元件等電子組件等的電連接構件及進行功能檢查時的檢查用連接器等被廣泛使用。尤其，半導體元件等電子組件的小型化明顯。在如先前引線接合（wire bonding）那樣的直接連接配線基板之方式、倒裝焊接（flip chip bonding）及熱壓結合（thermo compression bonding）等中，有時無法充分保證電子組件的電連接的穩定性，因此作為電子連接構件，各向異性導電性構件受到注目。

作為各向異性導電性構件，例如，在專利文獻1中，記載有一種各向異性導電性接合構件，其具備絕緣性基材、由導電性構件形成之複數個導通路及設置於絕緣性基材表面的整個表面上之樹脂層。樹脂層含有熱硬化性樹脂。導通路以彼此絕緣之狀態沿厚度方向貫通絕緣性基材而設置。導通路具有從絕緣性基材的表面突出之突出部分，突出部分的端部埋設於樹脂層中。

[專利文獻1]日本日本特開2018-37509號公報

如上述專利文獻1的各向異性導電性接合構件，在將樹脂層設置於絕緣性基材的整個表面之結構的情況下，當將各向異性導電性接合構件藉由切割等切削加工進行單片化時，從各向異性導電性接合構件產生切削屑。在單片化之各向異性導電性構件中，在切削屑附著於樹脂層的情況下，當將單片化之各向異性導電性構件插入於例如半導體元件與電子元件與電路基板之間來進行接合時，切削屑成為物理障礙。因此，在單片化之各向異性導電性構件中，需要從樹脂層除掉切削屑。然而，得知難以除掉附著於樹脂層之切削屑。從該情況出發，在透過切割等切削加工對各向異性導電性構件進行單片化時，期望抑制切削屑的影響。

本發明的目的為提供一種抑制藉由切割等切削加工等產生之切削屑的影響之結構體、各向異性導電性構件之製造方法及保護層形成用組成物。

為了實現上述目的，本發明的一態樣為提供如下結構體者：前述結構體具有絕緣膜、沿厚度方向貫通絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置之複數個導體、覆蓋絕緣膜的厚度方向上之至少一側表面之樹脂層及由有機物構成之保護層，樹脂層設置於絕緣膜與保護層之間，保護層為最表面層。

保護層具有阻氧性為較佳。保護層與樹脂層直接接觸為較佳。保護層相對於所接觸之其他層具有2～10N/25mm的接著性為較佳。保護層被供於藉由去除液進行之溶解去除，去除液包含在溫度25℃下的保護層的溶解速度為1μm/s以上之溶劑為較佳。去除液包含乙酸乙酯為較佳。導體從絕緣膜的厚度方向上之至少一側表面突出為較佳。導體從絕緣膜的厚度方向上之兩面分別突出為較佳。絕緣膜由由陽極氧化膜構成為較佳。

本發明的其他態樣為提供如下各向異性導電性構件之製造方法者：在該製造方法中使用結構體，前述結構體具有絕緣膜、沿厚度方向貫通絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置之複數個導體、覆蓋絕緣膜的厚度方向上之至少一側表面之樹脂層及由有機物構成之保護層，樹脂層設置於絕緣膜與保護層之間，保護層為最表面層，該製造方法具有去除保護層之去除步驟。絕緣膜由由陽極氧化膜構成為較佳。本發明的其他態樣為提供如下保護層形成用組成物者：該保護層形成用組成物構成本發明的結構體的保護層且包含樹脂。 [發明效果]

依據本發明的結構體，在進行單片化時可抑制切削屑的影響。又，依據本發明的各向異性導電性構件之製造方法，可獲得在進行單片化時可抑制切削屑的影響之各向異性導電性構件。又，依據本發明的保護層形成用組成物，可獲得在進行單片化時可抑制切削屑的影響之保護層。

以下，依據附圖所示之較佳實施形態，對本發明的結構體、各向異性導電性構件之製造方法及保護層形成用組成物進行詳細說明。再者，以下所說明之圖為用於說明本發明之例示性者，本發明並不限定於以下所示之圖。再者，在以下中，表示數值範圍之“～”包含在兩側所記載之數值。例如，ε _a為數值α _b～數值β _c是指ε _a的範圍為包含數值α _b和數值β _c之範圍，若用數學記號表示，則α _b≤ε _a≤β _c。關於溫度及時間，除非另有記載，則包含在相應之技術領域中通常允許之誤差範圍。

[結構體的一例] 圖1係表示本發明的實施形態的細結構體的一例之示意性剖面圖，圖2係表示本發明的實施形態的細結構體的一例之示意性俯視圖。圖2係從圖1的絕緣膜的表面側觀察之俯視圖，表示不存在樹脂層20及保護層22之狀態。圖1所示之結構體10具有：絕緣膜12，具有電絕緣性；及複數個導體14，沿厚度方向Dt貫通絕緣膜12且以彼此電絕緣之狀態設置。

複數個導體14以彼此電絕緣之狀態配置於絕緣膜12上。此時，例如，絕緣膜12具有沿厚度方向Dt貫通之複數個細孔13。在複數個細孔13中設置有導體14。導體14從絕緣膜12的厚度方向Dt上之表面12a突出。又，導體14從絕緣膜12的厚度方向Dt上之背面12b突出。再者，由絕緣膜12及複數個導體14構成各向異性導電層16。

結構體10具有覆蓋絕緣膜12的厚度方向Dt上之至少一側表面之樹脂層20。圖1中，在絕緣膜12的表面12a的整個表面及背面12b的整個表面上分別設置有樹脂層20。絕緣膜12例如由陽極氧化膜15構成。樹脂層20覆蓋突出之導體14。樹脂層20覆蓋導體14的突出部14a，突出部14a埋設於樹脂層20。又，樹脂層20覆蓋導體14的突出部14b，突出部14b埋設於樹脂層20。結構體10具有由有機物構成之保護層22。樹脂層20設置於絕緣膜12與保護層22之間。圖1中，例如在樹脂層20的表面20a上以直接接觸的方式設置有保護層22。樹脂層20的表面20a係指與絕緣膜12相反的一側的表面。保護層22分別設置於絕緣膜12的表面12a側及背面12b側。保護層22為結構體10的最表面層。

保護層22為保護樹脂層20者，藉由保護層22可防止切削屑等附著於樹脂層20的表面20a。又，保護層22具有阻氧性為較佳。藉由具有阻氧性，可抑制導體14的氧化。在導體14突出的情況下，由於導體14的突出部14a、14b容易氧化，因此保護層22具有阻氧性是特別有效的。保護層22除了上述阻擋氧氣的性能以外，具有阻擋氧以外的其他元素的氣體之性能為更佳。其中，保護層22與樹脂層20直接接觸係指，在保護層22與樹脂層20之間不存在其他層，在樹脂層20的表面20a形成有保護層22之狀態。

再者，並不限定於保護層22與樹脂層20直接接觸之結構，亦可以在保護層22與樹脂層20之間設置其他層。例如，可以在保護層22與樹脂層20之間設置使保護層22的去除變容易之中間層（未圖示）。中間層例如包含氟樹脂。氟樹脂例如為氟乙烯乙烯基醚交替共聚物。更具體而言，氟樹脂為、Lumiflon（註冊商標）LF200（產品名稱，AGC股份有限公司製造）。又，例如，藉由設置上述由氟樹脂構成之中間層，在去除保護層22之後，可抑制切削屑附著於樹脂層20的表面20a。再者，將樹脂層20、中間層（未圖示）及保護層22統稱為包覆層。亦將不存在中間層之樹脂層20及保護層22的結構稱為包覆層。

結構體10具有各向異性導電性，在厚度方向Dt上具有導電性，但是在與絕緣膜12的表面12a平行的方向上之導電性充分低。如圖2所示，例如結構體10的外形為矩形。再者，結構體10的外形並不限定於矩形，例如可以為圓形。結構體10的外形能夠設為與用途、製作容易度等對應之形狀。導體14從絕緣膜12的厚度方向Dt上之兩側表面突出，但亦可以從絕緣膜12的厚度方向Dt上之至少一側表面突出。在導體14從絕緣膜12的厚度方向Dt上之至少一側表面突出的情況下，在從單側的表面突出之結構中，從表面12a或背面12b突出為較佳。

藉由將結構體10設成如上所述那樣在樹脂層20上具有保護層22之結構，由於存在保護層22，因此當將結構體10透過切割等切削加工進行單片化時，從結構體10產生之切削屑即使附著於保護層22，亦不會附著於樹脂層20。因此，在進行單片化後，去除保護層22，藉此可獲得未附著切削屑等之樹脂層20。對在進行結構體10的單片化時所附著之切削屑，進行基於保護層22之去除的除掉等，從而可以抑制切削屑的影響。藉此，在不存在物理障礙之狀態下，可將單片化之結構體10插入於例如半導體元件與電子元件與電路基板之間來進行接合。

其中，圖3～5係將本發明的實施形態的結構體的切割的一例以步驟順序示出之示意性剖面圖。再者，在圖3～圖5中，對與圖1所示之結構體10相同的結構物標註相同符號，並省略其詳細說明。關於圖3及圖4所示之結構體10，在2個樹脂層20中，在絕緣膜12的表面12a側的樹脂層20的表面上設置有保護層22。例如，如圖3所示，使用熱剝離層36在結構體10的絕緣膜12的背面12b側的樹脂層20上安裝有支撐體37。藉由安裝支撐體37，能夠容易實施結構體10的單片化等。在支撐體37的與熱剝離層36相反的一側設置有切割帶38。

熱剝離層36只要能夠接著上述結構體10及支撐體37，則其結構並無特別限制，例如能夠使用Q-chuck（註冊商標）（MARUISHI SANGYO CO.,LTD.製造）、或由Nitto Denko Corporation製造的兩面型REVALPHA （註冊商標）。在上述基板去除步驟中能夠容易操作積層結構體之觀點考慮，支撐體37為與上述積層結構體相同的外形為較佳。支撐體37例如使用矽基板。支撐體37並不限定於矽基板，例如能夠使用SiC、SiN、GaN及礬土（Al ₂O ₃）等陶瓷基板、玻璃基板、纖維強化塑膠基板及金屬基板。纖維強化塑膠基板中包括作為印刷配線基板的FR-4（Flame Retardant Type（阻燃型）4）基板等。切割帶38為固定支撐體37者。切割帶38並無特別限制，能夠適當利用公知者。

相對於圖3所示之結構的結構體10，如圖4所示，從絕緣膜12的表面12a側的樹脂層20上的保護層22的表面22a側進行切割。此時，雖然產生切削屑39，但切削屑39會附著於保護層22的表面22a。再者，保護層22的表面22a係指與絕緣膜12相反的一側的表面，為結構體10的最表面。在切割結構體10而單片化後，如圖5所示，去除保護層22。藉由去除保護層22，出現在表面20a未附著切削屑39之樹脂層20。藉此，在結構體10中，能夠抑制切削屑39的影響。再者，保護層22的去除能夠適當利用對應於保護層22的組成或物性等者。作為保護層22的去除，例如可使用利用黏著帶之物理剝離或利用包含溶劑之去除液之溶解。例如，在保護層22由PVA（聚乙烯醇）構成的情況下，在保護層22的溶解中，例如將溫水用作去除液的溶劑。溫水係指溫度為35℃以上的水。

藉由去除上述結構體10的保護層22之保護層去除步驟，可獲得各向異性導電性構件11。其中，各向異性導電性構件11係指，結構體10中不存在保護層22之狀態的結構。

以下，對結構體的結構進行更具體的說明。〔絕緣膜〕絕緣膜12為將由導電體結構之複數個導體14以彼此電絕緣之狀態設置者，絕緣膜具有電絕緣性。又，絕緣膜12具有形成導體14之複數個細孔13。絕緣膜例如由無機材料形成。關於絕緣膜，例如能夠使用具有10 ¹⁴Ω･cm左右的電阻率者。再者，“由無機材料形成”為用於與高分子材料區別之規定，其係將無機材料作為主成分（50質量%以上）之規定，而不是限定於僅由無機材料結構之絕緣性基材之規定。如上所述，例如絕緣膜由由陽極氧化膜構成。又，絕緣膜例如亦能夠由金屬氧化物、金屬氮化物、玻璃、碳化矽、氮化矽等陶瓷、類金剛石碳等碳基材、聚醯亞胺、該等的複合材料等構成。作為絕緣膜，除此以外，例如可以為在具有貫通孔之有機材料上由包含50質量%以上的陶瓷材料或碳材料之無機材料成膜者。

絕緣膜12的厚度方向Dt上之長度亦即絕緣膜12的厚度在1～1000μm的範圍內為較佳，在5～500μm的範圍內為更佳，在10～300μm的範圍內為進一步較佳。若絕緣膜12的厚度在該範圍內，則絕緣膜12的處理性變得良好。從捲取容易度的觀點考慮，絕緣膜12的厚度ht為30μm以下為較佳，5～20μm為更佳。再者，陽極氧化膜的厚度為如下值：使用聚焦離子束（Focused Ion Beam：FIB）對陽極氧化膜在厚度方向Dt上進行切削加工，使用場發射掃描式電子顯微鏡（FE-SEM）對其截面拍攝表面照片（倍率5萬倍），並作為測定10個點而獲得之平均值計算出之值。絕緣膜12中之各導體14的間隔為5nm～800nm為較佳，10nm～200nm為更佳，20nm～60nm為進一步較佳。若絕緣膜12中之各導體14的間隔在上述範圍內，則絕緣膜12作為導體14的電絕緣性的間隔壁而充分發揮功能。其中，各導體的間隔是指相鄰之導體之間的寬度，並且是指藉由場發射掃描式電子顯微鏡以20萬倍的倍率觀察結構體10的截面，在10個點上測定相鄰之導體之間的寬度而獲得之平均值。

＜細孔的平均直徑＞細孔的平均直徑為1μm以下為較佳，5～500nm為更佳，20～400nm為進一步較佳，40～200nm為更進一步較佳，50～100nm為最佳。細孔13的平均直徑d為1μm以下，若在上述範圍內，則能夠獲得具有上述平均直徑之導體14。關於細孔13的平均直徑，使用掃描式電子顯微鏡從正上方以倍率100～10000倍拍攝絕緣膜12的表面而獲得攝影圖像。在攝影圖像中，抽取至少20個周圍連接成環狀之細孔，測定其直徑並設為開口直徑，計算出該等開口直徑的平均值作為細孔的平均直徑。再者，關於倍率，能夠適當選擇上述範圍內的倍率，以獲得能夠抽取20個以上的細孔之攝影圖像。又，開口直徑測定細孔部分的端部之間的距離的最大值。亦即，細孔的開口部的形狀並不限定於大致圓形，因此在開口部的形狀為非圓形的情況下，將細孔部分的端部之間的距離的最大值設為開口直徑。因此，例如，即使在如使2個以上的細孔一體化的形狀的細孔的情況下，亦將其視為1個細孔，並將細孔部分的端部之間的距離的最大值設為開口直徑。

〔導體〕如上所述，複數個導體14在絕緣膜12例如陽極氧化膜15上以彼此電絕緣之狀態設置。複數個導體14具有導電性。導體由導電性物質構成。導電性物質並無特別限定，可以舉出金屬。作為金屬的具體例，可以較佳地例示出金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎂（Mg）及鎳（Ni）等。從導電性的觀點考慮，銅、金、鋁及鎳為較佳，銅及金為更佳，銅為最佳。除了金屬以外，還可以舉出氧化物導電物質。作為氧化物導電物質，例如可以例示出摻雜有銦之錫氧化物（ITO）等。然而，與氧化物導電體相比，金屬的延展性等優異而容易變形，即使在接合時的壓縮中亦容易變形，因此由金屬構成為較佳。又，例如，亦能夠由Cu或Ag等含有奈米粒子之導電性樹脂構成導體。厚度方向Dt上之導體14的高度H為10～300μm為較佳，20～30μm為更佳。

＜導體的形狀＞導體14的平均直徑d為1μm以下為較佳，5～500nm為更佳，20～400nm為進一步較佳，40～200nm為更進一步較佳，50～100nm為最佳。導體14的密度為2萬個/mm ²以上為較佳，200萬個/mm ²以上為更佳，1000萬個/mm ²以上為進一步較佳，5000萬個/mm ²以上為特佳，1億個/mm ²以上為最佳。進而，相鄰之各導體14的中心間距離p為20nm～500nm為較佳，40nm～200nm為更佳，50nm～140nm為進一步較佳。關於導體的平均直徑，使用掃描式電子顯微鏡從正上方以倍率100～10000倍拍攝陽極氧化膜的表面而獲得攝影圖像。在攝影圖像中，抽取至少20個周圍連接成環狀之導體，測定其直徑並設為開口直徑，計算出該等開口直徑的平均值作為導體的平均直徑。再者，關於倍率，能夠適當選擇上述範圍內的倍率，以獲得能夠抽取20個以上的導體之攝影圖像。又，開口直徑測定導體部分的端部之間的距離的最大值。亦即，導體的開口部的形狀並不限定於大致圓形，因此在開口部的形狀為非圓形的情況下，將導體部分的端部之間的距離的最大值設為開口直徑。因此，例如，即使在如使2個以上的導體一體化的形狀的導體的情況下，亦將其視為1個導體，並將導體部分的端部之間的距離的最大值設為開口直徑。

＜突出部＞突出部為導體的一部分，並且為柱狀。從能夠增加與接合對象的接觸面積之觀點考慮，突出部為圓柱狀為較佳。突出部14a的平均突出長度ha及突出部14b的平均長度hb為30nm～500nm為較佳，作為上限值，100nm以下為更佳。突出部14a的平均突出長度ha及突出部14b的平均長度hb為如下值：如上所述，使用場發射掃描式電子顯微鏡獲取突出部的截面圖像，依據截面圖像，分別測定10個點的突出部的高度而測定出之平均值。

〔樹脂層〕如上所述，樹脂層為覆蓋絕緣膜的表面及背面中之至少一側表面者，其保護絕緣膜及導體。若樹脂層為例如導體具有突出部者，則埋設突出部。亦即，樹脂層包覆從絕緣膜突出之導體的端部並保護突出部。為了發揮上述功能，樹脂層例如為在50℃～200℃的溫度範圍內顯示出流動性且在200℃以上的溫度下硬化者為較佳。樹脂層為例如由熱塑性樹脂等構成之熱塑性層，後面將對樹脂層進行詳細說明。

導體14的平均突出長度ha、hb小於樹脂層20的平均厚度hm為較佳。若導體14的突出部14a的平均突出長度ha及突出部14b的平均長度hb均小於樹脂層20的平均厚度hm，則突出部14a、14b均埋設於樹脂層20中，導體14被樹脂層20保護。樹脂層20的平均厚度hm為距絕緣膜12的表面12a的平均距離或距絕緣膜12的背面12b的平均距離。上述樹脂層20的平均厚度hm為如下值：將樹脂層沿結構體10的厚度方向Dt進行切割，使用場發射掃描式電子顯微鏡（FE-SEM）進行切割截面的截面觀察，在對應於樹脂層之10處測定距絕緣膜12的表面12a的距離而獲得之10個點的測定值的平均值。又，在對應於樹脂層之10處測定距絕緣膜12的背面12b的距離而獲得之10個點的測定值的平均值。樹脂層的平均厚度hm為200～1000nm為較佳，更佳為400～600nm。若樹脂層的平均厚度為上述200～1000nm，則能夠充分發揮保護導體14的突出部之效果。

〔保護層〕如上所述，保護層22為保護樹脂層20者，藉由保護層22可防止切削屑39等附著於樹脂層20的表面20a。如上所述，保護層22為由有機物構成者。又，保護層22為結構體10的最表面層。

如上所述，保護層22具有阻氧性為較佳。藉由具有阻氧性，可抑制導體14的氧化。在導體14從絕緣膜12突出的情況下，導體14的突出部14a、14b暴露而容易被氧化，因此保護層22具有阻氧性是特別有效的。保護層22具有阻氧性係指，氧透過係數為1.5×10 ¹⁷m ³（STP）m･m ^-2･s ^-1･kPa ^-1以下。STP（standard temperature and pressure：標準溫度及壓力）表示標準狀態的溫度及壓力。STP為絕對溫度273.15K（克氏）及壓力1.01325×10 ⁵Pa，亦即0℃及1大氣壓。保護層22之氧透過係數為1.5×10 ¹⁶m ³（STP）m･m ^-2･s ^-1･kPa ^-1以下為較佳，7.0×10 ¹⁵m ³（STP）m･m ^-2･s ^-1･kPa ^-1以下為更佳。作為氧透過係數的下限值，為3×10 ¹⁵m ³（STP）m･m ^-2･s ^-1･kPa ^-1。氧透過係數為使用壓差法進行測定而得之值。在壓差法中，等待至減壓側的壓力之變化相對於減壓時間成為恆定為止，依據壓力之變化成為恆定之後的斜率，算出氧透過係數。氧透過係數的測定使用直徑為50mm的保護層膜。關於保護層為層合膜者，將層合膜切成直徑50mm，並將其使用於氧透過係數的測定中。厚度分別實測。

保護層22為由有機物構成者，有機物例如為樹脂。具體而言，保護層22例如由PVA（聚乙烯醇）或PVDC（聚偏二氯乙烯）構成。關於PVA，可以為與伸乙基的共聚物EVOH（伸乙基乙烯醇共聚物）。亦能夠使用聚丙烯腈。PVDC可以使用與丙烯腈或氯乙烯的共聚物。作為產品，可舉出Asahi Kasei Corporation.的紗綸樹脂（產品名稱，PDVC系）或MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.的Maxive（產品名稱，環氧樹脂系）等。又，還能夠由環氧樹脂形成保護層22。作為層合膜，例如使用PVDC鍍膜。作為PVDC鍍膜，例如使用V barrier（註冊商標，Mitsui Chemicals Tohcello.Inc.製造）或Bonyl-K（KOHJIN Film & Chemicals Co., Ltd.製造）。

又，保護層22相對於所接觸之其他層具有2～10N/25mm的接著性為較佳。上述表示接著性之2～10N/25mm係藉由遵照JIS（Japanese Industrial Standards：日本工業標準）K 6854-2“接著劑-剝離接著強度試驗方法-第2部：180度剝離”之方法所得到的值。保護層22相對於所接觸之其他層具有2～10N/25mm的接著性，藉此維持保護層22的機能且保護層22變得容易去除。作為具有2～10N/25mm的接著性之保護層，例如為PVA、PVDC。其中，所接觸之其他層係指，與保護層22接觸之正下方的層，在圖1中，樹脂層20為所接觸之其他層。在保護層22與樹脂層20之間形成有其他層，例如後述的中間層之情況下，若中間層與保護層22接觸，則中間層成為所接觸之其他層。關於接著性，例如在保護層22由紗綸樹脂構成的情況下，能夠藉由添加少量異氰酸酯系接著劑而控制黏著性。

又，保護層22被供於藉由去除液進行之溶解去除。去除液包含在溫度25℃下的保護層22的溶解速度為1μm/s以上之溶劑為較佳。保護層22的溶解速度能夠藉由公知的方法進行測定。例如能夠藉由使用Litho Tech Japan Corporation.的RDA-760等裝置，實測保護層22的溶解速度。藉由保護層22的溶解速度為1μm/s以上的去除液，保護層22變得容易去除。去除液可以包含複數種溶劑，溶劑可以為有機溶劑。再者，去除液包含乙酸乙酯為較佳。去除液所包含之溶劑例如為甲基乙基酮（MEK）或溫水。又，去除液可以為四氫呋喃（THF）與甲苯（TOL）的混合溶液。

保護層的平均厚度hi為200～1000nm為較佳，更佳為400～600nm。若保護層的平均厚度為上述200～1000nm，則能夠抑制切削屑39附著於樹脂層20。保護層22的平均厚度hj為距離樹脂層20的表面20a的平均距離。上述保護層22的平均厚度hj為如下值：將保護層沿結構體10的厚度方向Dt進行切割，使用場發射掃描式電子顯微鏡（FE-SEM）進行切割截面的截面觀察，在對應於保護層之10處測定距樹脂層20的表面20a的距離而獲得之10個點的測定值的平均值。再者，在以塗佈的方式設置保護層的情況下，有時難以確認保護層的邊界。此時，在樹脂層的表面單獨設置金屬蒸鍍層後，塗佈保護層並確認了保護層的厚度。保護層22為在如下情況下被去除者：將結構體10透過切割等切削加工進行單片化時，從結構體10產生之切削屑附著於保護層22之情況。保護層22的去除例如能夠藉由溶解或剝離去除。藉此，能夠抑制切削屑的影響，在不存在物理障礙之狀態下，能夠將單片化之結構體10例如插入於半導體元件與電子元件與電路基板之間來進行接合。再者，若保護層22由水溶性有機物構成，則例如在切割後使用溫水來去除保護層22，藉此一同去除切削屑及保護層22。

＜保護層形成用組成物＞保護層形成用組成物為形成由有機物構成之保護層者，包含樹脂。作為樹脂，例如為環氧樹脂。又，保護層形成用組成物例如可以為PVA（聚乙烯醇）或PVDC（聚偏二氯乙烯）。又，保護層形成用組成物為作為上述構成保護層22之具體例而舉出者。

再者，關於結構體10的各部位的大小，除非另有說明，則為將結構體10沿厚度方向Dt進行切割，使用場發射掃描式電子顯微鏡（FE-SEM）進行切割截面的截面觀察，並測定10個點之對應於各尺寸之部位而獲得之平均值。

[結構體之製造方法的一例] 對結構體之製造方法進行說明。圖6～圖12係將本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例以步驟順序示出之示意性剖面圖。再者，在圖6～圖12中，對與圖1及圖2所示之結構相同的結構物標註相同符號，並省略其詳細說明。在結構體之製造方法的一例中，在圖1所示之結構體10中，以絕緣膜12由鋁的由陽極氧化膜構成者為例進行說明。為了形成鋁的陽極氧化膜，使用鋁基板。因此，在結構體之製造方法的一例中，首先，如圖6所示，準備鋁基板30。鋁基板30依據最終獲得之結構體10（參閱圖1）的絕緣膜12的厚度、加工裝置等適當決定大小及厚度。鋁基板30例如為矩形板材。再者，並不限定於鋁基板，能夠使用能夠形成電絕緣的絕緣膜12之金屬基板。

接著，對鋁基板30的單側的表面30a（參閱圖6）進行陽極氧化處理。藉此，鋁基板30的單側的表面30a（參閱圖6）被陽極氧化，從而如圖7所示形成具有沿鋁基板30的厚度方向Dt延伸之複數個細孔13之絕緣膜12亦即陽極氧化膜15。在各細孔13的底部存在阻擋層31。將上述陽極氧化之步驟稱為陽極氧化處理步驟。在具有複數個細孔13之絕緣膜12中，如上所述，在細孔13的底部分別存在阻擋層31，但是去除圖7所示之阻擋層31。藉此，獲得具有沒有阻擋層31的複數個細孔13之絕緣膜12（參閱圖8）。再者，將去除上述阻擋層31之步驟稱為阻擋層去除步驟。在阻擋層去除步驟中，藉由使用包含氫過電壓（hydrogen overvoltage）高於鋁的金屬M1的離子之鹼水溶液，在去除絕緣膜12的阻擋層31的同時，在細孔13的底部32c（參閱圖8）的表面32d（參閱圖8）上形成由金屬（金屬M1）形成之金屬層35a（參閱圖8）。藉此，在細孔13中暴露之鋁基板30由金屬層35a包覆。藉此，在藉由電鍍向細孔13填充金屬時，容易進行電鍍，抑制金屬沒有充分填充到細孔中，抑制金屬向細孔的未填充等，從而抑制導體14的形成不良。再者，包含上述金屬M1的離子之鹼水溶液還可以包含含鋁離子化合物（鋁酸鈉、氫氧化鋁、氧化鋁等）。含鋁離子化合物的含量換算成鋁離子的量為0.1～20g/L為較佳，0.3～12g/L為更佳，0.5～6g/L為進一步較佳。

接著，從具有沿厚度方向Dt延伸之複數個細孔13之絕緣膜12的表面12a進行電鍍。此時，能夠使用金屬層35a作為電解電鍍的電極。在電鍍時使用金屬35b，以形成於細孔13的底部32c（參閱圖8）的表面32d（參閱圖8）上之金屬層35a為起點進行電鍍。藉此，如圖9所示，在絕緣膜12的細孔13的內部填充有構成導體14之金屬35b。藉由在細孔13的內部填充金屬35b而形成具有導電性之導體14。再者，稱為將金屬層35a和金屬35b一起填充之金屬35。將在絕緣膜12的細孔13中填充金屬35b之步驟稱為金屬填充步驟。如上所述，導體14並不限定於由金屬構成，能夠使用導電性物質。在金屬填充步驟中，可以使用電解電鍍，對金屬填充步驟將在後面進行詳細說明。再者，絕緣膜12的表面12a相當於絕緣膜12的一側表面。如圖10所示，在金屬填充步驟之後，將絕緣膜12的沒有設置鋁基板30的一側的表面12a沿厚度方向Dt去除一部分，以使在金屬填充步驟中所填充之金屬35比絕緣膜12的表面12a更突出。亦即，使導體14比絕緣膜12的表面12a更突出。藉此，可以獲得突出部14a。將使導體14比絕緣膜12的表面12a更突出之步驟稱為表面金屬突出步驟。在表面金屬突出步驟之後，如圖11所示，去除鋁基板30。將去除鋁基板30之步驟稱為基板去除步驟。

接著，如圖12所示，在基板去除步驟之後，將絕緣膜12的設置有鋁基板30之一側的表面亦即背面12b沿厚度方向Dt去除一部分，以使在金屬填充步驟中所填充之金屬35亦即導體14比絕緣膜12的背面12b更突出。藉此，可以獲得突出部14b。上述表面金屬突出步驟及背面金屬突出步驟可以為具有這兩個步驟之態樣，但是亦可以為具有表面金屬突出步驟及背面金屬突出步驟中的一個步驟之態樣。表面金屬突出步驟及背面金屬突出步驟對應於“突出步驟”，表面金屬突出步驟及背面金屬突出步驟均為突出步驟。如圖12所示，導體14分別從絕緣膜12的表面12a及背面12b突出，並且具有突出部14a和突出部14b。

接著，形成覆蓋導體14突出之絕緣膜12的表面12a整體及背面12b整體之樹脂層20（參閱圖1）。樹脂層20的形成步驟將在後面進行說明。在樹脂層20的表面20a（參閱圖1）形成保護層22（參閱圖1）。保護層22的形成步驟將在後面進行說明。藉此，能夠獲得圖1所示之結構體10。再者，在導體14不從絕緣膜12的背面12b突出之結構的情況下，以圖11所示之狀態形成覆蓋絕緣膜12的表面12a整體及背面12b整體之樹脂層20（參閱圖1），並在樹脂層20的表面20a（參閱圖1）形成保護層22（參閱圖1），從而獲得結構體10。

在上述阻擋層去除步驟中，藉由使用包含氫過電壓高於鋁的金屬M1的離子之鹼水溶液來去除阻擋層，不僅去除阻擋層31，而且在細孔13的底部暴露之鋁基板30上形成比鋁更難產生氫氣的金屬M1的金屬層35a。其結果，金屬填充的面內均勻性變得良好。認為這是因為，抑制由電鍍液引起之氫氣的產生，從而容易進行藉由電解電鍍進行之金屬填充。又，在阻擋層去除步驟中，設置保持步驟，該保持步驟以從小於陽極氧化處理步驟中之電壓的30%的範圍中選擇之電壓（保持電壓）的95%以上且105%以下的電壓保持合計5分鐘以上，並且發現藉由組合適用包含金屬M1的離子之鹼水溶液，大幅度改善電鍍處理時的金屬填充的均勻性。因此，具有保持步驟為較佳。詳細的機制雖尚不明確，但是認為這是因為，在阻擋層去除步驟中，藉由使用包含金屬M1的離子之鹼水溶液而在阻擋層下方形成金屬M1的層，藉此能夠抑制鋁基板與陽極氧化膜的界面受到損傷，從而提高阻擋層的溶解的均勻性。

再者，在阻擋層去除步驟中，在細孔13的底部形成了由金屬（金屬M1）形成之金屬層35a，但是並不限定於此，僅去除阻擋層31而使鋁基板30在細孔13的底部暴露。在使鋁基板30暴露之狀態下，可以將鋁基板30用作電解電鍍的電極。

〔陽極氧化膜〕如上所述，從形成具有所期望的平均直徑之細孔且容易形成導體等理由考慮，陽極氧化膜例如可以使用鋁的陽極氧化膜。然而，並不限定於鋁的陽極氧化膜，能夠使用閥金屬的陽極氧化膜。因此，金屬基板可以使用閥金屬。其中，作為閥金屬，具體而言，例如可以舉出上述鋁，除此以外，可以舉出鉭、鈮、鈦、鉿、鋯、鋅、鎢、鉍、銻等。在該等之中，從尺寸穩定性良好且比較廉價之觀點考慮，鋁的陽極氧化膜為較佳。因此，使用鋁基板來製造結構體為較佳。陽極氧化膜的厚度與上述絕緣膜12的厚度ht（參閱圖2）相同。

〔金屬基板〕金屬基板為用於結構體的製造中者，並且為用於形成陽極氧化膜的基板。例如，如上所述，金屬基板可以使用能夠形成陽極氧化膜之金屬基板，並且能夠使用由上述閥金屬構成者。例如，如上所述，從容易形成陽極氧化膜作為絕緣膜等理由考慮，金屬基板可以使用鋁基板。

〔鋁基板〕用於形成絕緣膜12之鋁基板並無特別限定，作為其具體例，可以舉出純鋁板；以鋁為主成分且包含微量的雜元素之合金板；在低純度的鋁（例如再利用材料）上蒸鍍了高純度鋁之基板；藉由蒸鍍、濺射等方法在矽晶圓、石英、玻璃等的表面上包覆了高純度鋁之基板；將鋁層合而獲得之樹脂基板；等。

在鋁基板中，藉由陽極氧化處理而形成陽極氧化膜之單側的表面的鋁純度為99.5質量%以上為較佳，99.9質量%以上為更佳，99.99質量%以上為進一步較佳。若鋁純度在上述範圍內，則微孔排列的規則性變得充分。關於鋁基板，只要能夠形成陽極氧化膜，則並無特別限定，例如可以使用JIS（Japanese Industrial Standards：日本工業標準）1050材。

對在鋁基板中進行陽極氧化處理之單側的表面預先實施熱處理、脫脂處理及鏡面精加工處理為較佳。其中，關於熱處理、脫脂處理及鏡面精加工處理，能夠實施與日本日本特開2008-270158號公報的[0044]～[0054]段中所記載之各處理相同的處理。陽極氧化處理之前的鏡面精加工處理例如為電解研磨，電解研磨例如可以使用含有磷酸之電解研磨液。

〔陽極氧化處理步驟〕陽極氧化處理能夠使用先前公知的方法，但是從提高微孔排列的規則性且擔保結構體的各向異性導電性之觀點考慮，使用自有序化法或恆壓處理為較佳。其中，關於陽極氧化處理的自有序化法及恆壓處理，能夠實施與日本日本特開2008-270158號公報的[0056]～[0108]段及[圖3]中所記載之各處理相同的處理。

〔保持步驟〕結構體之製造方法可以具有保持步驟。保持步驟為如下步驟：在上述陽極氧化處理步驟之後，以從1V以上且小於上述陽極氧化處理步驟中之電壓的30%的範圍中選擇之保持電壓的95%以上且105%以下的電壓保持合計5分鐘以上之步驟。換言之，保持步驟為如下步驟：在上述陽極氧化處理步驟之後，以從1V以上且小於上述陽極氧化處理步驟中之電壓的30%的範圍中選擇之保持電壓的95%以上且105%以下的電壓實施合計5分鐘以上的電解處理之步驟。其中，“陽極氧化處理中之電壓”為在鋁與對電極之間施加之電壓，例如若基於陽極氧化處理之電解時間為30分鐘，則是指保持在30分鐘之間之電壓的平均值。

從相對於陽極氧化膜的側壁厚度亦即細孔的深度將阻擋層的厚度控制為適當的厚度之觀點考慮，保持步驟中之電壓為陽極氧化處理中之電壓的5%以上且25%以下為較佳，5%以上且20%以下為更佳。

又，從更加提高面內均勻性之理由考慮，保持步驟中之保持時間的合計為5分鐘以上且20分鐘以下為較佳，5分鐘以上且15分鐘以下為更佳，5分鐘以上且10分鐘以下為進一步較佳。又，保持步驟中之保持時間只要為合計5分鐘以上即可，但是連續5分鐘以上為較佳。

進而，保持步驟中之電壓可以設定為從陽極氧化處理步驟中之電壓連續地或階段性地降低至保持步驟中之電壓，但是從進一步提高面內均勻性之理由考慮，在陽極氧化處理步驟結束之後的1秒以內設定為上述保持電壓的95%以上且105%以下的電壓為較佳。

例如，藉由在上述陽極氧化處理步驟結束時降低電解電位，上述保持步驟亦能夠與上述陽極氧化處理步驟連續進行。對於除了電解電位以外的條件，上述保持步驟能夠採用與上述先前公知的陽極氧化處理相同的電解液及處理條件。尤其，在連續實施保持步驟和陽極氧化處理步驟的情況下，使用相同的電解液進行處理為較佳。

在具有複數個微孔之陽極氧化膜中，如上所述，在微孔的底部存在阻擋層（未圖示）。具有去除該阻擋層之阻擋層去除步驟。

〔阻擋層去除步驟〕阻擋層去除步驟例如為使用包含氫過電壓高於鋁的金屬M1的離子之鹼水溶液來去除陽極氧化膜的阻擋層之步驟。藉由上述阻擋層去除步驟去除阻擋層，並且在微孔的底部形成由金屬M1形成之導電體層。其中，氫過電壓是指產生氫時所需的電壓，例如鋁（Al）的氫過電壓為-1.66V（日本化學會誌，1982、（8），p1305-1313）。再者，將高於鋁的氫過電壓的金屬M1的例及其氫過電壓的值示於以下。＜金屬M1及氫（1N H ₂SO ₄）過電壓＞･鉑（Pt）：0.00V ･金（Au）：0.02V ･銀（Ag）：0.08V ･鎳（Ni）：0.21V ･銅（Cu）：0.23V ･錫（Sn）：0.53V ･鋅（Zn）：0.70V

細孔13亦能夠使微孔擴徑並去除阻擋層而形成。此時，可以使用擴孔（pore wide）處理進行微孔的擴徑。擴孔處理為藉由使陽極氧化膜浸漬於酸水溶液或鹼水溶液中以使陽極氧化膜溶解而擴大微孔的孔徑之處理，在擴孔處理中，能夠使用硫酸、磷酸、硝酸、鹽酸等無機酸或該等的混合物的水溶液或氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰等水溶液。再者，在擴孔處理中，亦能夠去除微孔的底部的阻擋層，藉由在擴孔處理中使用氫氧化鈉水溶液，使微孔擴徑並去除阻擋層。

〔金屬填充步驟〕＜在金屬填充步驟中所使用之金屬＞在金屬填充步驟中，為了形成導體而在上述細孔13的內部作為導電體填充之金屬及構成金屬層之金屬係電阻率為10 ³Ω･cm以下的材料為較佳。作為上述金屬的具體例，可以較佳地例示出金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎂（Mg）、鎳（Ni）及鋅（Zn）。再者，作為導電體，從導電性及基於電鍍法之形成的觀點考慮，銅（Cu）、金（Au）、鋁（Al）、鎳（Ni）為較佳，銅（Cu）、金（Au）為更佳，銅（Cu）為進一步較佳。

＜電鍍法＞作為在細孔的內部填充金屬之電鍍法，例如能夠使用電解電鍍法或無電解電鍍法。其中，在著色等中所使用之先前公知的電解電鍍法中，難以在孔中以高縱橫比選擇性地析出（生長）金屬。認為這是因為，析出金屬在孔內被消耗，即使進行一定時間以上的電解，電鍍亦不會生長。因此，在藉由電解電鍍法填充金屬的情況下，在脈衝電解或恆電位電解時需要設置停止時間。停止時間需要為10秒以上，30～60秒為較佳。又，為了促進電解液的攪拌，施加超音波亦較佳。

進而，電解電壓通常為20V以下，較佳為10V以下，但是預先測定所使用之電解液中之目標金屬的析出電位，在該電位+1V以內進行恆電位電解為較佳。再者，在進行恆電位電解時，能夠併用循環伏安法者為較佳，能夠使用Solartron公司、BAS Co.,Ltd.、HOKUTO DENKO CORPORATION、IVIUM公司等的恆電位裝置。

（電鍍液）電鍍液能夠使用先前公知的電鍍液。具體而言，在使銅析出的情況下，通常使用硫酸銅水溶液，但是硫酸銅的濃度為1～300g/L為較佳，100～200g/L為更佳。又，若在電解液中添加鹽酸，則能夠促進析出。此時，鹽酸濃度為10～20g/L為較佳。又，在使金析出的情況下，使用四氯化金的硫酸溶液，藉由交流電解進行電鍍為較佳。

電鍍液包含界面活性劑為較佳。作為界面活性劑，能夠使用公知者。亦能夠直接使用先前作為添加到電鍍液中之界面活性劑已知之月桂基硫酸鈉。親水性部分能夠利用離子性（陽離子性/陰離子性/雙性）者、非離子性（非離子性）者中的任一種，但是在避免在電鍍對象物表面產生氣泡等觀點而言，陽離子線活性劑為較佳。電鍍液組成中之界面活性劑的濃度為1質量%以下為較佳。再者，在無電解電鍍法中，在由縱橫比高的細孔形成之孔中完全填充金屬時需要長時間，因此使用電解電鍍法在細孔中填充金屬為較佳。

〔基板去除步驟〕基板去除步驟為在金屬填充步驟之後去除上述鋁基板之步驟。去除鋁基板之方法並無特別限定，例如可以較佳地舉出藉由溶解去除之方法等。

＜鋁基板的溶解＞上述鋁基板的溶解使用難以溶解陽極氧化膜且容易溶解鋁的處理液為較佳。該種處理液對鋁之溶解速度為1μm/分鐘以上為較佳，3μm/分鐘以上為更佳，5μm/分鐘以上為進一步較佳。相同地，對陽極氧化膜之溶解速度成為0.1nm/分鐘以下為較佳，成為0.05nm/分鐘以下為更佳，成為0.01nm/分鐘以下為進一步較佳。具體而言，包含至少1種離子化傾向低於鋁的金屬化合物且pH（氫離子指數）成為4以下或8以上之處理液為較佳，該pH為3以下或9以上為更佳，2以下或10以上為進一步較佳。

作為溶解鋁之處理液，以酸水溶液或鹼水溶液為基質且例如調配錳、鋅、鉻、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、銻、鉍、銅、汞、銀、鈀、鉑、金的化合物（例如，氯化鉑酸）、該等的氟化物、該等的氯化物等者為較佳。其中，酸水溶液基質為較佳，並且摻混氯化物為較佳。尤其，從處理寬容度的觀點考慮，在鹽酸水溶液中摻混有氯化汞之處理液（鹽酸/氯化汞）、在鹽酸水溶液中摻混有氯化銅之處理液（鹽酸/氯化銅）為較佳。再者，溶解鋁之處理液的組成並無特別限定，例如能夠使用溴/甲醇混合物、溴/乙醇混合物及王水等。

又，溶解鋁之處理液的酸或鹼濃度為0.01～10mol/L為較佳，0.05～5mol/L為更佳。進而，使用了溶解鋁之處理液之處理溫度為-10℃～80℃為較佳，0℃～60℃為更佳。

又，關於上述鋁基板的溶解，藉由使上述電鍍步驟後的鋁基板與上述處理液接觸來進行。接觸方法並無特別限定，例如可以舉出浸漬法、噴塗法。其中，浸漬法為較佳。作為此時的接觸時間，10秒～5小時為較佳，1分鐘～3小時為更佳。

再者，在絕緣膜12上例如可以設置支撐體。支撐體為與絕緣膜12相同的外形為較佳。藉由安裝支撐體來提高處理性。

〔突出步驟〕為了去除上述絕緣膜12的一部分，例如可以使用溶解絕緣膜12亦即氧化鋁（Al ₂O ₃）而不溶解構成導體14之金屬之酸水溶液或鹼水溶液。藉由使上述酸水溶液或鹼水溶液與具有填充有金屬之細孔13之絕緣膜12接觸，去除絕緣膜12的一部分。使上述酸水溶液或鹼水溶液與絕緣膜12接觸之方法並無特別限定，例如可以舉出浸漬法及噴塗法。其中，浸漬法為較佳。

在使用酸水溶液的情況下，使用硫酸、磷酸、硝酸及鹽酸等無機酸或該等的混合物的水溶液為較佳。其中，在安全性優異之觀點而言，不含有鉻酸之水溶液為較佳。酸水溶液的濃度為1～10質量%為較佳。酸水溶液的溫度為25～60℃為較佳。又，在使用鹼水溶液的情況下，使用選自包括氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰之群組中的至少一個鹼的水溶液為較佳。鹼水溶液的濃度為0.1～5質量%為較佳。鹼水溶液的溫度為20～35℃為較佳。具體而言，例如可以較佳地使用50g/L、40℃的磷酸水溶液、0.5g/L、30℃的氫氧化鈉水溶液或0.5g/L、30℃的氫氧化鉀水溶液。

在酸水溶液或鹼水溶液中之浸漬時間為8～120分鐘為較佳，10～90分鐘為更佳，15～60分鐘為進一步較佳。在此，在反覆進行短時間的浸漬處理的情況下，浸漬時間是指各浸漬時間的合計。再者，在各浸漬處理之間可以實施清洗處理。

又，關於使金屬35亦即導體14比絕緣膜12的表面12a或背面12b更突出之程度，如上所述使導體14比絕緣膜12的表面12a或背面12b更突出30nm～500nm為較佳，作為上限值為100nm以下為更佳。亦即，從突出部14a的表面12a的突出量、從突出部14b的背面12b的導體14的突出量分別為30nm～500nm為較佳，作為上限值為100nm以下為更佳。

在嚴格控制導體14的突出部的高度之情況下，在細孔13的內部填充金屬等導電性物質之後，將絕緣膜12與金屬等導電性物質的端部加工成同一平面狀之後，選擇性地去除絕緣膜及陽極氧化膜為較佳。又，在上述金屬的填充後或突出步驟之後，為了減少隨著金屬的填充而產生之導體14內的應變，能夠實施加熱處理。從抑制金屬的氧化之觀點考慮，加熱處理在還元性環境中實施為較佳，具體而言，在氧濃度為20Pa以下的環境中進行為較佳，在真空下進行為更佳。其中，真空是指氣體密度及氣壓中的至少一個低於大氣的空間的狀態。又，為了矯正，一邊對絕緣膜12施加應力一邊進行加熱處理為較佳。

〔樹脂層的形成步驟〕在樹脂層20的形成步驟中，例如可以使用噴墨法、轉印法、噴塗法或網板印刷法等。噴墨法將樹脂層20直接形成於絕緣膜12上，因此能夠簡化樹脂層20的形成步驟，因此為較佳。又，樹脂層20例如能夠使用以往公知的表面保護帶貼付裝置及層壓機來形成。又，在樹脂層的形成步驟中，在絕緣膜的整個表面形成樹脂層。

作為構成樹脂層20之樹脂材料，具體而言，例如可舉出伸乙基系共聚物、聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯腈系樹脂及纖維素系樹脂等熱塑性樹脂。關於上述樹脂層20，從輸送性的觀點及使容易用作各向異性導電性構件之觀點考慮，帶可剝離之黏著層之膜為較佳，附帶藉由加熱處理或紫外線曝光處理黏著性變弱而成為可剝離之黏著層之膜為更佳。

上述帶黏著層之膜並無特別限定，可舉出熱剝離型的樹脂層及紫外線（ultraviolet：UV）剝離型的樹脂層等。其中，熱剝離型的樹脂層為在常溫下具有黏著力且可僅藉由加熱容易剝離者，主要使用發泡性的微膠囊等者居多。又，作為構成黏著層之黏著劑劑，具體而言，例如可舉出橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺酯系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑等。又，UV剝離型的樹脂層為具有UV硬化型的接著層者，是因硬化失去黏著力而成為可剝離者。

作為UV硬化型的接著層，可舉出在基礎聚合物中將碳-碳雙鍵導入聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端之聚合物等。作為具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物，將丙烯酸系聚合物作為基本骨架為較佳。進而，關於丙烯酸系聚合物，為了使其交聯，還能夠依據需要包含多官能性單體等作為共聚用單體成分。雖然具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物能夠單獨使用，但亦能夠調配UV硬化性的單體或寡聚物。關於UV硬化型的接著層，為了藉由UV照射進行硬化併用光聚合起始劑為較佳。作為光聚合起始劑，可舉出苯偶姻醚系化合物；縮酮系化合物；芳香族磺醯氯系化合物；光敏肟系化合物；二苯甲酮系化合物；噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基膦氧化物；醯基膦酸酯等。

作為熱剝離型的樹脂層的市售品，例如可舉出WS5130C02、WS5130C10等Intelimer〔註冊商標〕帶（NITTA Corporation製造）；SOMATAC〔註冊商標〕TE系列（SOMAR Corporation製造）；No.3198、No.3198LS、No.3198M、No.3198MS、No.3198H、No.3195、No.3196、No.3195M、No.3195MS、No.3195H、No.3195HS、No.3195V、No.3195VS、No.319Y-4L、No.319Y-4LS、No.319Y-4M、No.319Y-4MS、No.319Y-4H、No.319Y-4HS、No.319Y-4LSC、No.31935MS、No.31935HS、No.3193M、No.3193MS等REVALPHA〔註冊商標〕系列（Nitto Denko Corporation製造）；等。

作為UV剝離型的樹脂層的市售品，例如能夠利用ELP DU-300、ELP DU-2385KS、ELP DU-2187G、ELP NBD-3190K、ELP UE-2091J等Elep holder〔註冊商標〕（Nitto Denko Corporation製造）；Adwill D-210、Adwill D-203、Adwill D-202、Adwill D-175、Adwill D-675（均由LINTEC Corporation.製造）；Sumilite〔註冊商標〕FLS的N8000系列（Sumitomo Bakelite Co., Ltd.製造）；UC353EP-110（FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.製造）；等切割帶。另外，作為UV剝離型的樹脂層的市售品，例如能夠利用ELP RF-7232DB、ELP UB-5133D（均由Nitto Denko Corporation製造）；SP-575B-150、SP-541B-205、SP-537T-160、SP-537T-230（均由FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.製造）；等背面研磨帶。上述帶黏著層之膜能夠使用公知的表面保護帶貼付裝置及層壓機來貼付。

作為樹脂層20的形成方法，除了上述方法以外，例如可舉出將後述的含有抗氧化材料、高分子材料、溶劑（例如甲基乙基酮等）等之樹脂組成物塗佈於絕緣膜的表面及背面並進行乾燥，依據需要進行鍛燒之方法等。樹脂組成物的塗佈方法並無特別限定，例如使用能夠凹版塗佈法、反轉塗佈法、模塗法、刮刀塗佈法、輥塗法、氣刀塗佈法、網版塗佈法、棒塗法及簾幕塗佈法等以往公知的塗佈方法。又，塗佈後的乾燥方法並無特別限定，例如可舉出在大氣下以0℃～100℃的溫度加熱數秒～數十分鐘之處理及在減壓下以0℃～80℃的溫度加熱十幾分鐘～數小時之處理等。又，關於乾燥後的鍛燒方法，其依據所使用之高分子材料而不同，因此並無特別限制，但在使用聚醯亞胺樹脂的情況下，例如可舉出以160℃～240℃的溫度加熱2分鐘～60分鐘之處理等，在使用環氧樹脂的情況下，例如可舉出以30℃～80℃的溫度加熱2分鐘～60分鐘之處理等。

樹脂層亦能夠使用以下所示之組成。以下，對樹脂層的組成進行說明。例如，樹脂層含有高分子材料，亦可以包含抗氧化材料。

＜高分子材料＞作為樹脂層中所包含之高分子材料，並無特別限定，從能夠效率良好地填補半導體晶片或半導體晶圓等接合對象與結構體的間隙且更加提高結構體與半導體晶片或半導體晶圓的密接性之理由考慮，熱硬化性樹脂為較佳。作為熱硬化性樹脂，具體而言，例如可以舉出環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯系樹脂等。其中，從更加提高絕緣可靠性且耐藥品性優異之理由考慮，使用聚醯亞胺樹脂和/或環氧樹脂為較佳。

＜抗氧化材料＞作為樹脂層中所包含之抗氧化材料，具體而言，例如可以舉出1,2,3,4-四唑、5-胺基-1,2,3,4-四唑、5-甲基-1,2,3,4-四唑、1H-四唑-5-乙酸、1H-四唑-5-琥珀酸、1,2,3-三唑、4-胺基-1,2,3-三唑、4,5-二胺基-1,2,3-三唑、4-羧基-1H-1,2,3-三唑、4,5-二羧基-1H-1,2,3-三唑、1H-1,2,3-三唑-4-乙酸、4-羧基-5-羧基甲基-1H-1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3,5-二胺基-1,2,4-三唑、3-羧基-1,2,4-三唑、3,5-二羧基-1,2,4-三唑、1,2,4-三唑-3-乙酸、1H-苯并三唑、1H-苯并三唑-5-羧酸、苯并呋呫、2,1,3-苯并噻唑、鄰苯二胺、間苯二胺、兒茶酚、鄰胺基苯酚、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噁唑、三聚氰胺及該等的衍生物。在該等之中，苯并三唑及其衍生物為較佳。作為苯并三唑衍生物，可以舉出在苯并三唑的苯環上具有羥基、烷氧基（例如，甲氧基、乙氧基等）、胺基、硝基、烷基（例如,甲基、乙基、丁基等）、鹵素原子（例如，氟、氯、溴、碘等）等之取代苯并三唑。又，亦可以舉出與萘三唑、萘雙三唑相同地經取代之取代萘三唑、取代萘雙三唑等。

又，作為樹脂層中所包含之抗氧化材料的另一例，可以舉出作為通常的抗氧化劑之高級脂肪酸、高級脂肪酸銅、酚化合物、烷醇胺、對苯二酚類、銅螯合劑、有機胺、有機銨鹽等。

樹脂層中所包含之抗氧化材料的含量並無特別限定，但是從防蝕效果的觀點考慮，相對於樹脂層的總質量為0.0001質量%以上為較佳，0.001質量%以上為更佳。又，從在正式接合製程中獲得適當的電阻之理由考慮，5.0質量%以下為較佳，2.5質量%以下為更佳。

＜防遷移材料＞從藉由捕捉樹脂層中能夠含有之金屬離子、鹵素離子及來自於半導體晶片及半導體晶圓之金屬離子來更加提高絕緣可靠性之理由考慮，樹脂層含有防遷移材料為較佳。

作為防遷移材料，例如能夠使用離子交換體，具體而言，能夠使用陽離子交換體與陰離子交換體的混合物或者僅使用陽離子交換體。其中，陽離子交換體及陰離子交換體例如能夠分別從後述無機離子交換體及有機離子交換體中適當選擇。

（無機離子交換體）作為無機離子交換體，例如可以舉出以含氫氧化鋯為代表之金屬的含氫氧化物。作為金屬的種類，例如除了鋯以外，已知有鐵、鋁、錫、鈦、銻、鎂、鈹、銦、鉻、鉍等。在該等之中，鋯系者對陽離子的Cu ²⁺、Al ³⁺具有交換能力。又，關於鐵系者，亦對Ag ⁺、Cu ²⁺具有交換能力。相同地，錫系、鈦系、銻系者為陽離子交換體。另一方面，鉍系者對陰離子的Cl ^-具有交換能力。又，鋯系者依據製造條件顯示出陰離子的交換能力。關於鋁系、錫系者亦相同。作為除了該等以外的無機離子交換體，已知有以磷酸鋯為代表之多價金屬的酸性鹽、以磷鉬酸銨為代表之異種多重酸鹽、不溶性亞鐵氰化物等合成物。該等的無機離子交換體的一部分已有市售，例如已知有TOAGOSEI CO.,LTD.的產品名稱“IXE”中之各種等級。再者，除了合成品以外，亦能夠使用如天然物的沸石或蒙脫石的無機離子交換體的粉末。

（有機離子交換體）在有機離子交換體中，作為陽離子交換體，可以舉出具有磺酸基之交聯聚苯乙烯，除此以外，亦可以舉出具有羧酸基、膦酸基或次膦酸基者。又，作為陰離子交換體，可以舉出具有四級銨基、四級鏻基或三級鋶基之交聯聚苯乙烯。

該等的無機離子交換體及有機離子交換體只要考慮欲捕捉之陽離子、陰離子的種類、對該離子之交換容量而適當選擇即可。當然，亦能夠混合使用無機離子交換體和有機離子交換體，這是毋庸置疑的。在電子元件的製造步驟中包括加熱製程，因此無機離子交換體為較佳。

又，關於離子交換體與上述高分子材料的混合比，例如，從機械強度的觀點考慮，將離子交換體設為10質量%以下為較佳，將離子交換體設為5質量%以下為更佳，將離子交換體設為2.5質量%以下為進一步較佳。又，從抑制將半導體晶片或半導體晶圓與結構體進行接合時的遷移之觀點考慮，將離子交換體設為0.01質量%以上為較佳。

＜無機填充劑＞樹脂層含有無機填充劑為較佳。作為無機填充劑，並無特別限制，能夠從公知者中適當選擇，例如可以舉出高嶺土、硫酸鋇、鈦酸鋇、氧化矽粉、微粉狀氧化矽、氣相法二氧化矽、非晶二氧化矽、結晶二氧化矽、熔融二氧化矽、球狀二氧化矽、滑石、黏土、碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、雲母、氮化鋁、氧化鋯、氧化釔、碳化矽、氮化矽等。

從能夠防止無機填充劑進入導通路之間而更加提高導通可靠性之理由考慮，無機填充劑的平均粒徑大於各導通路的間隔為較佳。無機填充劑的平均粒徑為30nm～10μm為較佳，80nm～1μm為更佳。其中，關於平均粒徑，將藉由雷射衍射散射式粒徑測定裝置（Nikkiso Co.,Ltd.製造之Microtrac MT3300）進行測定之一次粒徑設為平均粒徑。

＜硬化劑＞樹脂層可以含有硬化劑。在含有硬化劑的情況下，從抑制與連接對象的半導體晶片或半導體晶圓的表面形狀的接合不良之觀點考慮，不使用在常溫下為固體的硬化劑而含有在常溫下為液體的硬化劑為更佳。其中，“在常溫下為固體”是指在25℃下為固體，例如是指融點為高於25℃的溫度之物質。

作為硬化劑，具體而言，例如可以舉出二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸那樣的芳香族胺、脂肪族胺、4-甲基咪唑等咪唑衍生物、雙氰胺、四甲基胍、硫脲加成胺、甲基六氫鄰苯二甲酸酐等羧酸酐、羧酸醯肼、羧酸醯胺、多酚化合物、酚醛清漆樹脂、多硫醇等，能夠從該等的硬化劑中適當選擇使用在25℃下為液體者。再者，硬化劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。

在樹脂層中，可以在不損害其特性之範圍內含有廣泛地通常添加到半導體封裝體的樹脂絕緣膜中之分散劑、緩衝劑、黏度調整劑等各種添加劑。

作為樹脂層，除了上述者以外，例如還能夠使用含有主要組成物者，該主要組成物包含以下所示之丙烯酸聚合物、丙烯酸單體及順丁烯二醯亞胺化合物。

＜丙烯酸聚合物＞丙烯酸聚合物為包含來自於（甲基）丙烯酸酯成分之構成單元之聚合物，樹脂層的黏性不會過強且在半導體的安裝步驟中損害作業性之憂慮少者為較佳。作為（甲基）丙烯酸酯成分，例如能夠使用（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、丁氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛基庚酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸十一酯、（甲基）丙烯酸月桂酯等。

丙烯酸聚合物除了上述（甲基）丙烯酸酯成分以外，還可以包含對應於能夠與上述（甲基）丙烯酸酯成分共聚的其他單體成分之構成單元。作為其他單體成分，例如能夠使用含羧基單體（例如，（甲基）丙烯酸）、含環氧基單體（例如，（甲基）丙烯酸縮水甘油酯）、含腈基單體（例如，丙烯腈等）。

例如，作為丙烯酸聚合物，能夠使用包含對應於丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、甲基丙烯酸縮水甘油酯及丙烯腈之構成單元者。

關於丙烯酸聚合物，能夠藉由將上述（甲基）丙烯酸酯成分或其他單體成分進行聚合而獲得。關於聚合方法，可以舉出溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。作為丙烯酸聚合物的聚合反應的種類，例如可以舉出自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合、活性自由基聚合、活性陽離子聚合、活性陰離子聚合、配位聚合等。

丙烯酸聚合物的重量平均分子量（Mw）並無特別限制，但是例如能夠設成包含在100000以上且1200000以下的範圍內，亦能夠設成包含在500000以上且1000000以下的範圍內。

若將樹脂層中的丙烯酸聚合物、丙烯酸單體及順丁烯二醯亞胺化合物稱為主要組成物，則丙烯酸聚合物在100質量份的主要組成物中包含在10質量份以上且60質量份以下的範圍內，較佳為包含在10質量份以上且45質量份以下的範圍內，進一步較佳為包含在15質量份以上且40質量份以下的範圍內。若丙烯酸聚合物的含量小於10質量份，則存在難以排除空隙之傾向。又，若丙烯酸聚合物的含量超過60質量份，則存在難以實現低壓安裝之傾向，從而存在連接性亦變差之傾向。

關於丙烯酸聚合物，可以在主要組成物中單獨含有1種類的丙烯酸聚合物，亦可以同時含有2種類以上的丙烯酸聚合物。在併用2種類以上的丙烯酸聚合物的情況下，樹脂層中的丙烯酸聚合物的含量的合計在上述範圍內為較佳。

＜丙烯酸單體＞作為丙烯酸單體，能夠使用單官能的（甲基）丙烯酸酯、2官能以上的（甲基）丙烯酸酯。作為丙烯酸單體，例如可以舉出異三聚氰酸EO改質二丙烯酸酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、異三聚氰酸EO改質三丙烯酸酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、二新戊四醇及四丙烯酸酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、9,9-雙[4-（2-丙烯醯氧基乙氧基）苯基]茀（SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO, LTD.製）、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯（SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO, LTD.製）、乙氧化雙酚A二丙烯酸酯（SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO, LTD.製）、茀系丙烯酸酯（例如，產品名稱：Ogsol EA0200、EA0300、Osaka Gas Chemicals Co., Ltd.製）等。在該等的丙烯酸單體中，若考慮耐熱性等，則高耐熱性之茀系丙烯酸酯亦較佳。

樹脂層中的丙烯酸單體能夠設成如下：在100質量份的主要組成物中包含在10質量份以上且60質量份以下的範圍內，較佳為包含在10質量份以上且55質量份以下的範圍內，更佳為包含在10質量份以上且50質量份以下的範圍內。若丙烯酸單體的含量小於10質量份，則存在連接性變差之傾向。又，若丙烯酸單體的含量超過60質量份，則存在難以排除空隙之傾向。

關於丙烯酸單體，可以單獨含有1種類的丙烯酸單體，亦可以同時含有2種類以上的丙烯酸單體。在併用2種類以上的丙烯酸單體的情況下，樹脂層中的丙烯酸單體的含量的合計在上述範圍內為較佳。

＜順丁烯二醯亞胺化合物＞作為順丁烯二醯亞胺化合物，例如能夠使用在1分子中具有2個以上的順丁烯二醯亞胺基之化合物，雙順丁烯二醯亞胺為較佳。作為順丁烯二醯亞胺化合物，例如可以舉出4-甲基-1,3-伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、4,4-雙順丁烯二醯亞胺二苯基甲烷、間-伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、雙酚A二苯基醚雙順丁烯二醯亞胺、3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺等。在該等之中，芳香族雙順丁烯二醯亞胺亦較佳，尤其，若考慮樹脂層的製造步驟中之作業性，則溶劑溶解性或流動性良好的3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺為較佳。

樹脂層中的順丁烯二醯亞胺化合物在100質量份的主要組成物中包含在20質量份以上且70質量份以下的範圍內，較佳為包含在20質量份以上且60質量份以下的範圍內，更佳為包含在20質量份以上且55質量份以下的範圍內。若順丁烯二醯亞胺化合物的含量小於20質量份，則存在難以實現低壓安裝之傾向，從而存在連接性亦變差之傾向。又，若順丁烯二醯亞胺化合物的含量超過70質量份，則存在難以低壓安裝及無空隙安裝之傾向。

樹脂層中所使用之組成物依據目的還可以含有除了構成上述主要組成物之成分以外的其他成分。作為其他成分，例如可以舉出酚化合物、填料等。

＜酚化合物＞酚化合物能夠用作上述順丁烯二醯亞胺化合物用的硬化劑，但是即使不含有酚，亦能夠開始熱硬化反應。作為酚化合物，例如能夠使用烯丙基化雙酚，具體而言，能夠使用2,2’-二烯丙基雙酚A（產品名稱：DABPA）、4,4’-（二甲基亞甲基）雙[2-（2-丙烯基）酚]、4,4’-亞甲基雙[2-（2-丙烯基）酚]、4,4’-（二甲基亞甲基）雙[2-（2-丙烯基）-6-甲基酚]等。在該等之中，2,2’-二烯丙基雙酚A亦較佳。

含有酚化合物時的酚化合物的含量例如相對於丙烯酸聚合物、丙烯酸單體、順丁烯二醯亞胺化合物及酚化合物的合計100質量份能夠設為15質量份以下。關於酚化合物，可以單獨含有1種類的酚化合物，亦可以同時含有2種類以上的酚化合物。在併用2種類以上的酚化合物的情況下，樹脂層中的酚化合物的含量的合計在上述範圍內為較佳。

＜填料＞作為填料，能夠使用無機填充劑、有機填充劑、導電性粒子等。尤其，從降低線膨脹係數或提高可靠性的觀點考慮，使用無機填充劑（例如，二氧化矽填料）為較佳。

在使用填料的情況下，填料的含量例如相對於丙烯酸聚合物、丙烯酸單體、順丁烯二醯亞胺化合物及填料的合計100質量份能夠設為30質量份以下。關於填料，可以單獨含有1種類的填料，亦可以同時含有2種類以上的填料。在併用2種類以上的填料的情況下，樹脂層中的填料的含量的合計在上述範圍內為較佳。

[保護層的形成方法] 在保護層22的形成步驟中，例如可以使用噴墨法、轉印法、噴塗法或網板印刷法等。噴墨法將保護層22直接形成於樹脂層20上，因此能夠簡化保護層22的形成步驟，因此為較佳。又，保護層22例如能夠使用以往公知的表面保護帶貼付裝置及層壓機來形成。又，可舉出將上述保護層形成用組成物塗佈於樹脂膜的表面並進行乾燥，依據需要進行鍛燒之方法等。保護層形成用組成物的塗佈方法並無特別限定，例如使用能夠凹版塗佈法、反轉塗佈法、模塗法、刮刀塗佈法、輥塗法、氣刀塗佈法、網版塗佈法、棒塗法及簾幕塗佈法等以往公知的塗佈方法。

[接合體的一例] 圖13係表示本發明的實施形態的接合體的一例之示意圖。再者，圖13所示之積層器件40係表示接合體的一例者。上述結構體10（參閱圖1）可以用作顯示出各向異性導電性之各向異性導電性構件45。積層器件具有導電構件和各向異性導電性構件，該導電構件具備具有導電性之導電部，並且積層器件使導電部與各向異性導電性構件的突出部接觸而接合。圖13所示之積層器件40例如為半導體元件42、各向異性導電性構件45及半導體元件44沿積層方向Ds依序接合並電連接者。在各向異性導電性構件45中，導體14（參閱圖1）與積層方向Ds平行地配置，並且在積層方向Ds上具有導電性。再者，由所積層之半導體元件42、各向異性導電性構件45及半導體元件44構成接合體41。積層器件40為將1個半導體元件44接合到1個半導體元件42之形態，但是並不限定於此。可以為經由各向異性導電性構件45接合3個半導體元件（未圖示）之形態。由3個半導體元件和2個各向異性導電性構件45構成積層器件。由所積層之半導體元件42、各向異性導電性構件45、半導體元件44、各向異性導電性構件45及半導體元件46構成接合體41。半導體元件為具備具有導電性之導電部之導電構件。具備具有導電性之導電部之導電構件並不限定於半導體元件，可以為具有電極之基板。具有電極之基板例如為配線基板及中介層等。再者，積層器件的形態並無特別限定，例如可以舉出SoC（System on a chip：晶片系統）、SiP（System in Package：系統級封裝）、PoP（Package on Package：堆疊式封裝）、PiP（Package in Package：封裝內封裝）、CSP（Chip Scale Package：晶片尺寸封裝）、TSV（Through Silicon Via：矽穿孔）等。

積層器件40可以具有作為光學感測器而發揮功能之半導體元件。例如，半導體元件和感測器晶片（未圖示）沿積層方向Ds積層。在感測器晶片上可以設置有透鏡。此時，半導體元件為形成有邏輯電路者，只要能夠處理由感測器晶片獲得之訊號，則其結構並無特別限定。感測器晶片具有檢測光之光感測器。關於光感測器，只要能夠檢測光，則並無特別限定，例如可以使用CCD（Charge Coupled Device：電荷耦合元件）圖像感測器或CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補式金屬氧化物半導體）圖像感測器。關於透鏡，只要能夠將光聚焦到感測器晶片上，則其結構並無特別限定，例如可以使用稱為微透鏡者。再者，若將具備具有導電性之導電部之導電構件與結構體進行接合，則為接合體。然而，結構體的接合對象為具有電極之半導體元件，若將半導體元件與結構體進行接合，則接合者成為器件。

〔結構體的接合對象物〕如上所述，結構體的接合對象物例示出半導體元件，但是例如為具有電極或元件區域者。作為具有電極者，例如可以例示出單獨發揮特定功能之半導體元件等，但是亦包含複數個元件聚集而發揮特定功能者。進而，亦包含僅傳遞配線構件等的電訊號者，並且印刷電路板（printed wiring board）等亦包含於具有電極者中。元件區域為形成有用於作為電子元件而發揮功能的各種元件構成電路等之區域。元件區域例如為形成有如快閃記憶體等的記憶體電路、如微處理器及FPGA（field-programmable gate array：場可編程閘陣列）等的邏輯電路之區域、形成有無線標籤等通訊模組以及配線之區域。除此以外，在元件區域上還可以形成有MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統）。作為MEMS，例如可以舉出感測器、致動器及天線等。感測器例如包括加速度、聲音及光等各種感測器。如上所述，在元件區域上形成有元件構成電路等，並且設置電極（未圖示）以將半導體晶片與外部電連接。元件區域具有形成有電極之電極區域。再者，元件區域的電極例如為Cu柱。電極區域基本上是指包含所形成之所有電極之區域。然而，若分開設置電極，則設置有各電極之區域亦稱為電極區域。作為結構體的形態，可以為如半導體晶片那樣形成為單片者，亦可以為如半導體晶圓的形態，亦可以為配線層的形態。又，結構體與接合對象物接合，但是接合對象物並不特別限定於上述半導體元件等，例如晶圓狀態的半導體元件、晶片狀態的半導體元件、印刷電路板及散熱器等成為接合對象物。

〔半導體元件〕關於上述半導體元件42及半導體元件44，除了上述者以外，例如可以舉出邏輯LSI（Large Scale Integration：大型積體電路）（例如，ASIC（Application Specific Integrated Circuit：特殊應用積體電路）、FPGA（Field Programmable Gate Array：場域可程式閘陣列）、ASSP（Application Specific Standard Product：應用特定標準產品）等）、微處理器（例如，CPU（Central Processing Unit：中央處理單元）、GPU（Graphics Processing Unit：圖案處理單元）等）、記憶體（例如，DRAM（Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體）、HMC（Hybrid Memory Cube：混合記憶體立方體）、MRAM（MagneticRAM：磁記憶體）和PCM（Phase-Change Memory：相變化記憶體）、ReRAM（Resistive RAM：可變電阻式記憶體）、FeRAM（Ferroelectric RAM：鐵電隨機存取記憶體）、快閃記憶體（NAND（Not AND）快閃）等）、LED（Light Emitting Diode：發光二極體）、（例如，攜式終端的微快閃、車載用、投影儀光源、LCD背光、普通照明等）、功率/器件、模擬IC（Integrated Circuit：積體電路）、（例如，DC（Direct Current：直流電）-DC（Direct Current：直流電）轉換器、絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統）、（例如，加速度感測器、壓力感測器、振子、陀螺儀感測器等）、無線（例如，GPS（Global Positioning System：全球定位系統）、FM（Frequency Modulation：調頻）、NFC（Nearfieldcommunication：近場通訊）、RFEM（RF Expansion Module：射頻擴展模組）、MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit：單晶微波積體電路）、WLAN（WirelessLocalAreaNetwork：無線區域網路）等）、離散元件、BSI（Back Side Illumination：背面照度）、CIS（Contact Image Sensor：接觸式影像感測器）、相機模組、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、被動元件、SAW（Surface Acoustic Wave：表面聲波）濾波器、RF（Radio Frequency：射頻）濾波器、RFIPD（Radio Frequency Integrated Passive Devices：射頻整合式被動元件）、BB（Broadband：寬頻）等。半導體元件例如為由1個完成者，並且為由半導體元件單獨發揮電路或感測器等的特定功能者。半導體元件可以具有中介層功能。又，例如，亦能夠在具有中介層功能之器件上積層具有邏輯電路之邏輯晶片及記憶體晶片等複數個器件。又，此時，即使每個器件的電極尺寸不同亦能夠進行接合。再者，作為積層器件，並不限定於將複數個半導體元件接合到1個半導體元件上之形態亦即一對複數個形態，亦可以為將複數個半導體元件與複數個半導體元件進行接合之形態亦即複數個對複數個形態。

本發明基本上如上述構成。以上，對本發明的結構體、各向異性導電性構件之製造方法及保護層形成用組成物進行了詳細說明，但是本發明並不限定於上述實施形態，可以在不脫離本發明的主旨的範圍內進行各種改良或變更，這是不言而喻的。 [實施例]

以下，舉出實施例對本發明的特徵進行更具體的說明。以下實施例中所示之材料、試劑、物質量及其比例以及操作等在不脫離本發明的趣旨的範圍內能夠進行適當變更。因此，本發明的範圍不限定於以下實施例。在本實施例中，製作了實施例1～7的結構體及比較例1、2的結構體。對實施例1～7的結構體及比較例1、2的結構體，評價了氧化程度及切削屑的附著。將氧化程度及切削屑的附著的評價結果示於以下表1中。以下，對氧化程度及切削屑的附著的評價進行說明。

（氧化程度）在製作結構體後，在大氣中放置了1個月。放置後，藉由FIB（聚焦離子束）切割結構體的截面而獲得了超薄切片。對結構體的超薄切片，藉由TEM（透射電子顯微鏡）測定了突出之導通路部分的氧化膜的厚度。藉由基於氧化膜的厚度之以下評價基準評價了氧化程度。評價基準 A：氧化膜的厚度≤5nm B：5nm＜氧化膜的厚度≤10nm C：10nm＜氧化膜的厚度≤20nm D：20nm＜氧化膜的厚度

（切削屑的附著）將結構體藉由切割進行單片化之後，調查了進行單片化後清洗之前的切削屑的附著程度。關於上述切割，首先將形成保護層之結構體固定於Si晶圓上後，用切割帶將Si晶圓固定於切割裝置。將結構體的尺寸設為50mm×50mm。切割裝置使用了由DISCO Inc.製造之切割機DAD322（產品名稱）。接著，利用切割裝置將結構體以2mm間隔加工20條線，然後使其旋轉90°並以4mm間隔加工了11條線。將結構體以能夠確保100片2×4mm的單片的方式實施了加工。再者，對存在保護層者，在對其進行切割後，藉由SEM（掃描電子顯微鏡）及肉眼調查了去除保護層之後的樹脂層中切削屑的附著程度。對不存在保護層者，在對其進行切割後，藉由SEM及肉眼調查了樹脂層中切削屑的附著程度。關於基於SEM之樹脂層中切削屑的附著程度，以相同倍率觀察10個視場，計數切削屑的個數，求出了10個視場的切削屑的合計。將倍率設為20,000。關於基於肉眼之樹脂層中切削屑的附著程度，確認了切削線周圍的變化。按照以下評價基準，評價了切削屑的附著程度。評價基準 A：在基於SEM之10個視場的觀察的結果，切削屑合計為0個，且藉由肉眼沒有觀察到切削線周圍的變化 B：在基於SEM之10個視場的觀察的結果，切削屑合計大於0個且小於10個，且藉由肉眼沒有觀察到切削線周圍的變化 C：在基於SEM之10個視場的觀察的結果，切削屑合計為10個以上，且藉由肉眼沒有觀察到切削線周圍的變化 D：藉由肉眼觀察到切削線周圍的變化，處於白色狀態

以下，對實施例1～7及比較例1、2進行說明。（實施例1）對實施例1的結構體進行說明。 [結構體] ＜鋁基板的製作＞使用含有Si：0.06質量%、Fe：0.30質量%、Cu：0.005質量%、Mn：0.001質量%、Mg：0.001質量%、Zn：0.001質量%、Ti：0.03質量%，殘餘部分為Al及不可避免的雜質的鋁合金來製備熔融金屬，在進行熔融金屬處理及過濾之基礎上，藉由DC（Direct Chill：直接冷鑄）鑄造法製作出厚度500mm、寬度1200mm的鑄錠。接著，利用平面銑削機將表面銑削成平均10mm的厚度後，在550℃下均熱保持約5小時，在溫度下降至400℃時，使用熱軋機來製成厚度2.7mm的軋製板。進而，在使用連續退火裝置以500℃進行熱處理後，藉由冷軋精加工成厚度1.0mm，從而獲得了JIS 1050材料的鋁基板。在將該鋁基板的寬度設為1030mm後，實施了以下所示之各處理。

＜電解研磨處理＞對上述鋁基板，使用以下組成的電解研磨液，在電壓25V、液體溫度65℃、液體流速3.0m/min的條件下實施了電解研磨處理。將碳電極作為陰極，電源使用了GP0110-30R（TAKASAGO LTD.製造）。又，電解液的流速使用旋渦式流量監測器FLM22-10PCW（AS ONE Corporation.製造）進行了計測。

（電解研磨液組成）･85質量%磷酸（由FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造之試劑） 660mL ･純水 160mL ･硫酸 150mL ･乙二醇 30mL

＜陽極氧化處理步驟＞接著，對電解研磨處理後的鋁基板，按照日本特開2007-204802號公報中記載之順序實施了基於自有序化法之陽極氧化處理。對電解研磨處理後的鋁基板，以0.50mol/L草酸電解液，在電壓40V、液體溫度16℃、液體流速3.0m/min的條件下，實施了5小時的預陽極氧化處理。其後，對預陽極氧化處理後的鋁基板，實施了在0.2mol/L鉻酸酐、0.6mol/L磷酸的混合水溶液（液溫：50℃）中浸漬12小時之脫膜處理。其後，以0.50mol/L草酸電解液，在電壓40V、液體溫度16℃、液體流速3.0m/min的條件下，實施3小時45分鐘的再陽極氧化處理，獲得了膜厚30μm的陽極氧化膜。再者，關於預陽極氧化處理及再陽極氧化處理，均將不鏽鋼電極作為陰極，電源使用了GP0110-30R（TAKASAGO LTD.製造）。又，冷卻卻裝置使用了NeoCool BD36（Yamato Scientific co., ltd.製造），攪拌加溫裝置使用了成對攪拌器 PS-100（TOKYO RIKAKIKAI CO, LTD製造）。進而，電解液的流速使用旋渦式流量監測器FLM22-10PCW（AS ONE Corporation.製造）進行了計測。

＜阻擋層去除步驟＞接著，在陽極氧化處理步驟後，使用在氫氧化鈉水溶液（50g/l）以成為2000ppm的方式溶解氧化鋅之鹼水溶液，實施在30℃下浸漬150秒鐘之蝕刻處理，去除在陽極氧化膜的微細孔（細孔）底部存在之阻擋層，且同時在暴露的鋁基板表面析出鋅。又，阻擋層去除步驟後的陽極氧化膜的平均厚度為30μm。

＜金屬填充步驟＞接著，將鋁基板作為陰極，並將鉑作為正極而實施了電解電鍍處理。具體而言，使用以下所示之組成的鍍銅液，實施恆流電解，藉此製作出在微細孔內部填充鎳之金屬填充微細結構體。其中，關於恆流電解，使用由YAMAMOTO-MS Co., LTD.製造的電鍍裝置，使用由HOKUTO DENKO CORPORATION製造的電源（HZ-3000），在電鍍液中進行循環伏安而確認析出電位之後，在以下所示之條件下實施了處理。（鍍銅液組成及條件）･硫酸銅 100g/L ･硫酸 50g/L ･鹽酸 15g/L ･溫度 25℃ ･電流密度 10A/dm ²

將在微細孔中填充金屬後的陽極氧化膜的表面，使用場發射掃描式電子顯微鏡（FE-SEM）進行觀察，觀察1000個微細孔中之基於金屬之封孔的有無而算出封孔率（封孔微細孔的個數/1000個），其結果為98%。又，對在微細孔中填充金屬後的陽極氧化膜，使用聚焦離子束（FIB）向厚度方向切削加工，將其截面使用場發射掃描式電子顯微鏡（FE-SEM）來拍攝表面照片（倍率50000倍），確認微細孔的內部，其結果發現在封孔之微細孔中，其內部完全被金屬填充。

＜基板去除步驟＞接著，藉由浸漬於氯化銅/鹽酸的混合溶液中來溶解並去除鋁基板，製作出平均厚度30μm的金屬填充微細結構體。製作出的金屬填充微細結構體中的導通路的直徑為60nm，導通路間的間距為100nm，導通路的密度為5770萬個/mm ²。

＜突出步驟＞將基板去除步驟後的金屬填充微細結構體浸漬於氫氧化鈉水溶液（濃度：5質量%，液體溫度：20℃），並以突出部的高度成為300nm的方式調整浸漬時間來選擇性地溶解鋁的陽極氧化膜的表面，接著進行水洗及乾燥，使作為導通路之銅的圓柱突出。同樣地，對鋁的陽極氧化膜的背面，亦以突出部的高度成為300nm的方式，使作為導通路之銅的圓柱突出。

＜樹脂層形成步驟＞在陽極氧化膜的兩面，使用樹脂來形成厚度為0.5μm的樹脂層。樹脂層使用包含熱硬化性樹脂BST001A（NAMICS CORPORATION.製造）20g及二乙二醇二乙醚180g之溶液來形成。

＜保護層形成步驟＞在樹脂層的表面，使用PVA（Gohsenol（產品名稱），Mitsubishi Chemical Corporation.）來形成了厚度為1μm的保護層。將保護層的氧透過係數示於以下表1中。再者，在以下表1的氧透過係數的單位m ³（STP）m･m ^-2･s ^-1･kPa ^-1中，如上所述，STP表示標準狀態的溫度及壓力。再者，如以下表1中所示，包覆層為樹脂層、中間層及保護層的組合。不存在中間層之樹脂層及保護層的結構亦為包覆層。在實施例1中，將溫度40℃的溫水用作去除液的溶劑而溶解去除了保護層。溶解去除時間為5分鐘。

（實施例2）關於實施例2，在與實施例1進行比較時，不同點在於使用PVDC（聚偏二氯乙烯）來形成厚度為2μm的保護層這一點，除此以外，與實施例1相同。PVDC使用了紗綸樹脂 F216（產品名稱，Asahi Kasei Corporation. ）。在實施例2中，將四氫呋喃（THF）及甲苯（TOL）的混合溶液用作去除液的溶劑來溶解去除了保護層。將四氫呋喃（THF）及甲苯（TOL）的混合比設為2：1，並將混合液的溫度設為25℃。又，溶解去除時間為1分鐘。（實施例3）關於實施例3，在與實施例1進行比較時，不同點在於在樹脂層與保護層之間設置中間層這一點，除此以外，與實施例1相同。在實施例3中，使用氟樹脂來形成了中間層。關於中間層，將氟乙烯乙烯基醚交替共聚物（Lumiflon（註冊商標）LF200（產品名稱，AGC股份有限公司製造））以二甲苯進而稀釋成10倍，並藉由旋塗法在樹脂層上形成了膜。又，在實施例3中，與實施例1同樣地溶解去除了保護層。

（實施例4）關於實施例4，在與實施例1進行比較時，不同點在於在樹脂層與保護層之間設置中間層這一點及使用PVDC來形成保護層這一點，除此以外，與實施例1相同。在實施例4中，使用PVA來形成了中間層。以與實施例1的保護層同樣地形成了中間層。保護層使用紗綸樹脂 F310（產品名稱，Asahi Kasei Corporation. ）來形成。在實施例4中，將溫度25℃的甲基乙基酮（MEK）用作去除液的溶劑來溶解去除了保護層。溶解去除時間為1分鐘。（實施例5）關於實施例5，在與實施例1進行比較時，不同點在於在樹脂層與保護層之間設置中間層這一點及由環氧樹脂構成保護層這一點，除此以外，與實施例1相同。在實施例5中，使用氟樹脂來形成了中間層。以與實施例3的保護層同樣地形成了中間層。保護層使用Maxive（產品名稱，MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製造）來形成為3μm的厚度。在實施例5中，藉由作為物理剝離之分層去除了保護層。

（實施例6）關於實施例6，在與實施例1進行比較時，不同點在於在樹脂層與保護層之間設置中間層這一點及由層合膜構成保護層這一點，除此以外，與實施例1相同。在實施例6中，使用PVDC鍍膜（V barrier（註冊商標，Mitsui Chemicals Tohcello.Inc.製造））來形成了厚度1.4μm的保護層。PVDC鍍膜的基礎層成為中間層。在實施例6中，藉由作為物理剝離之分層去除了保護層。此時，在基礎層與樹脂層之間被剝離。（實施例7）關於實施例7，在與實施例1進行比較時，不同點在於在樹脂層與保護層之間設置中間層這一點及由層合膜構成保護層這一點，除此以外，與實施例1相同。在實施例7中，使用PVDC鍍膜（Bonyl-K PC（KOHJIN Film & Chemicals Co., Ltd.））來形成了厚度1.2μm的保護層。PVDC鍍膜的尼龍膜（基礎層）成為中間層。在實施例7中，藉由作為物理剝離之分層去除了保護層。此時，在基礎層與樹脂層之間被剝離。

對實施例1～7，調查了對乙酸乙酯之溶解性及保護層與其正下方的層的接著性。將其結果示於以下表1中。再者，在實施例6、7中，由層合膜構成保護層，無法調查保護層與其正下方的層的接著性。因此，在以下表1的“保護層與正下方層的接著性”欄中標記為“無法測定”。關於對乙酸乙酯之溶解性，作為包含乙酸乙酯之溶液，準備了乙酸乙酯與己烷的混合溶液。關於混合溶液，將乙酸乙酯與己烷的比率以質量比計設為50:50。將保護層在Si晶圓上以膜厚成為10μm以上的方式進行塗佈，並在溫度25℃的混合溶劑中浸漬5秒鐘之後，用乙醇充分沖洗表面的溶劑後，用流水進行清洗並進行了乾燥。使用非接觸膜厚計來測定處理前後的厚度的變化而算出了溶解速度。該算出之溶解速度表示對乙酸乙酯之溶解性。關於保護層與其正下方的層的接著性，在保護層上貼付25mm寬度的膠帶，按照JIS K 6854-2的方法進行180°剝離，而評價了接著性。

（比較例1）關於比較例1，在與實施例1進行比較時，不同點在於未設置樹脂層及保護層這一點，除此以外，與實施例1相同。（比較例2）關於比較例2，在與實施例1進行比較時，不同點在於未設置保護層這一點，除此以外，與實施例1相同。

[表1]

	包覆層	氧透過係數（m ³（STP）m･m ^-2･s ^- ¹･kPa ^-1）	氧化程度	切削屑的附著程度
樹脂層	中間層	保護層（最表面層）
保護層材質	對乙酸乙酯之溶解性（溶解速度（μm/s））	保護層膜厚（μm）	保護層與正下方層的接著性（N/25mm）	去除前	保護層之去除方法	去除後
實施例1	樹脂層	-	PVA	0.1	1	5	6.7×10 ¹⁵	A	D	溶解去除	B
實施例2	樹脂層	-	PVDC	1.2	2	12	9.3×10 ¹⁵	B	C	溶解去除	B
實施例3	樹脂層	氟樹脂	PVA	0.1	1	3	6.7×10 ¹⁵	A	D	溶解去除	A
實施例4	樹脂層	PVA	PVDC	1.4	2	9	1.1×10 ¹⁶	B	C	溶解去除	B
實施例5	樹脂層	氟樹脂	環氧樹脂	0.8	3	12	4.9×10 ¹⁶	B	B	分層	A
實施例6	樹脂層	層合膜	PVDC 塗層	1.4	0.5	無法測定	5.3×10 ¹⁵	A	C	分層	A
實施例7	樹脂層	層合膜	PVDC 塗層	1.2	0.8	無法測定	4.0×10 ¹⁵	A	C	分層	A
比較例1	-	-	-	-	-	-	-	D	C	-	-
比較例2	樹脂層	-	-	-	-	-	-	C	D	-	-

如表1所示，關於實施例1～7，在與比較例1、2進行比較時，去除保護層後的切削屑的附著程度的評價良好。亦即，去除保護層後的樹脂層中切削屑的附著少。又，在實施例1～7中，氧化程度亦少且良好。氧透過係數愈小氧化愈難以進行。比較例1為不存在樹脂層、中間層及保護層的結構，進行清洗後，附著了較多的切削屑。比較例2為不存在中間層及保護層而只有樹脂層的結構，進行清洗後，附著了相當多的切削屑。從實施例1及實施例2可知，在與PVDC進行比較時，當由PVA構成保護層時，去除保護層後的切削屑的附著程度的評價更良好。從實施例1及實施例3可知，當設置由氟樹脂構成之中間層時，去除保護層後的切削屑的附著程度的評價更良好。

10:結構體 11:各向異性導電性構件 12:絕緣膜 12a:表面 12b:背面 13:細孔 14:導體 14a,14b:突出部 15:陽極氧化膜 16:各向異性導電層 20:樹脂層 20a,22a:表面 22:保護層 30:鋁基板 30a:表面 31:阻擋層 32c:底部 32d:面 35:金屬 35a:金屬層 35b:金屬 36:熱剝離層 37:支撐體 38:切割帶 40:積層器件 41:接合體 42,44:半導體元件 45:各向異性導電性構件 Ds:積層方向 Dt:厚度方向 d:平均直徑 H:高度 hm,hj:平均厚度 ht:厚度 p:中心間距離

圖1係表示本發明的實施形態的結構體的一例之示意性剖面圖。圖2係表示本發明的實施形態的結構體的一例之示意性俯視圖。圖3係表示本發明的實施形態的結構體的切割的一例之示意性剖面圖。圖4係表示本發明的實施形態的結構體的切割的一例之示意性剖面圖。圖5係表示本發明的實施形態的結構體的一例之示意性剖面圖。圖6係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖7係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖8係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖9係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖10係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖11係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖12係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖13係表示本發明的實施形態的接合體的一例之示意圖。

10:結構體

11:各向異性導電性構件

12:絕緣膜

12a:表面

12b:背面

13:細孔

14:導體

14a,14b:突出部

15:陽極氧化膜

16:各向異性導電層

20:樹脂層

20a,22a:表面

22:保護層

Dt:厚度方向

d:平均直徑

ha:平均突出長度

hb:平均長度

hm,hj:平均厚度

ht:厚度

p:中心間距離

Claims

一種結構體，其係具有：絕緣膜；複數個導體，沿厚度方向貫通前述絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置；樹脂層，覆蓋前述絕緣膜的厚度方向上之至少一側表面；及由有機物構成之保護層，前述樹脂層設置於前述絕緣膜與前述保護層之間，前述保護層為最表面層。
如請求項1所述之結構體，其中前述保護層具有阻氧性。
如請求項1所述之結構體，其中前述保護層與前述樹脂層直接接觸。
如請求項2所述之結構體，其中前述保護層與前述樹脂層直接接觸。
如請求項1至請求項4之任一項所述之結構體，其中前述保護層相對於所接觸之其他層具有2～10N/25mm的接著性。
如請求項1至請求項4之任一項所述之結構體，其中前述保護層被供於藉由去除液進行之溶解去除，前述去除液包含在溫度25℃下的前述保護層的溶解速度為1μm/s以上之溶劑。
如請求項6所述之結構體，其中前述去除液包含乙酸乙酯。
如請求項1至請求項4之任一項所述之結構體，其中前述導體從前述絕緣膜的前述厚度方向上之至少一側表面突出。
如請求項1至請求項4之任一項所述之結構體，其中前述導體從前述絕緣膜的前述厚度方向上之兩面分別突出。
如請求項1至請求項4之任一項所述之結構體，其中前述絕緣膜由陽極氧化膜構成。
一種各向異性導電性構件之製造方法，其為使用結構體之各向異性導電性構件之製造方法，所述結構體具有絕緣膜；複數個導體，沿厚度方向貫通前述絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置；樹脂層，覆蓋前述絕緣膜的厚度方向上之至少一側表面；及由有機物構成之保護層，前述樹脂層設置於前述絕緣膜與前述保護層之間，前述保護層為最表面層，前述各向異性導電性構件之製造方法具有：去除前述保護層之去除步驟。
如請求項11所述之各向異性導電性構件之製造方法，其中前述絕緣膜係由陽極氧化膜構成。
一種保護層形成用組成物，其構成請求項1至請求項10之任一項所述之結構體的前述保護層，前述保護層形成用組成物包含樹脂。