TW202305839A - 結構體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種與電子零件等的接合的可靠性優異之結構體之製造方法。一種結構體之製造方法，該結構體具有沿絕緣膜的厚度方向貫通並且在彼此電絕緣之狀態下設置之複數個導體及覆蓋絕緣膜中的至少一個面之樹脂層，導體具有從樹脂層突出之突出部，導體的突出部的突出高度為5～100nm，與相鄰之突出部的間隔為20～200nm，具有在從樹脂層突出導體的突出部之狀態下清洗導體的突出部之清洗步驟。

Description

結構體之製造方法
本發明係關於一種結構體之製造方法，尤其係關於一種清洗導體的突出部之結構體之製造方法，前述結構體具有沿厚度方向貫通絕緣膜並且在彼此電絕緣之狀態下設置之複數個導體及覆蓋絕緣膜中的至少一個面之樹脂層。
在設置於絕緣性基材之複數個貫通孔中填充金屬等導電性物質而成之結構體為近年來在奈米技術中備受關注之領域之一，例如期待作為各向異性導電性構件的用途。 各向異性導電性構件僅藉由插入到半導體元件等電子零件與電路基板之間進行加壓來便可獲得電子零件與電路基板之間的電連接，因此作為半導體元件等電子零件等的電連接構件及進行功能檢查時的檢查用連接器等而廣泛使用。 尤其，半導體元件等電子零件的小型化顯著。在如以往的引線焊接那樣的直接連接配線基板之方式、覆晶接合及熱壓接合等中，有時無法充分保證電子零件的電連接的穩定性，因此各向異性導電性構件作為電連接構件而備受關注。
例如在專利文獻1中記載有一種微細結構體，其由具有密度為1×10 6～1×10 10/mm 2且孔徑為10～500nm的微孔貫通孔之絕緣性基材構成，在微孔貫通孔內部以填充率30%以上填充金屬，並且在絕緣性基材中的至少一個面上設置有由聚合物構成之層。在專利文獻1中示出了在絕緣性基材的兩面上設置有由聚合物構成之層之微細結構體。以下，將專利文獻1中的由聚合物構成之層亦稱為樹脂層。
[專利文獻1]日本特開2010-67589號公報
上述專利文獻1的微細結構體藉由熱壓接與具有接合配線部之電子零件接合，但是在存在樹脂層之狀態下接合。 然而，專利文獻1中，在去除樹脂層之狀態下使微細結構體與電子零件接合之情況下，依據樹脂層的去除狀態，例如從微細結構體的絕緣性基材突出之複數個金屬彼此有可能短路。因此，在去除樹脂層之狀態下使微細結構體與電子零件接合之情況下，有時無法獲得充分的可靠性。
本發明的目的在於提供一種與電子零件等的接合的可靠性優異之結構體之製造方法。
為了實現上述目的，本發明的一態樣在於提供一種結構體之製造方法，前述結構體具有沿絕緣膜的厚度方向貫通並且在彼此電絕緣之狀態下設置之複數個導體及覆蓋絕緣膜中的至少一個面之樹脂層，導體具有從樹脂層突出之突出部，導體的突出部的突出高度為5～100nm，與相鄰之突出部的間隔為20～200nm，具有在從樹脂層突出導體的突出部之狀態下清洗導體的突出部之清洗步驟。
由（突出部的突出高度）/（與相鄰之突出部的間隔）表示之比率為0.005～1為較佳。 清洗步驟中所使用之清洗液為酸性溶液或鹼溶液為較佳。 酸性溶液包含硫酸或檸檬酸為較佳。 在樹脂層的與絕緣膜相反的一側具有與樹脂層不同之被覆樹脂層為較佳。 導體的突出部存在於被覆樹脂層內為較佳。 被覆樹脂層由水溶性樹脂層構成為較佳。 具有被覆樹脂層的去除步驟為較佳。 在被覆樹脂層的去除步驟之後實施清洗步驟為較佳。 同時實施清洗步驟和被覆樹脂層的去除步驟為較佳。 [發明效果]
依據本發明，能夠提供一種與電子零件等的接合的可靠性優異之結構體之製造方法。
以下，依據附圖所示之較佳實施形態，對本發明的結構體之製造方法進行詳細說明。 再者，以下所說明之圖為用於說明本發明而例示者，本發明並不限定於以下所示之圖。 再者，以下中表示數值範圍之“～”包括記載於兩側之數值。例如，ε為數值α～數值β係指ε的範圍包括數值α及數值β之範圍，若由數學符號表示，則為α≤ε≤β。 關於平行，除非另有記載，則包括在本技術領域中通常允許之誤差範圍。 關於溫度及時間，除非另有記載，則包括在本技術領域中通常允許之誤差範圍。 又，“相同”係包含該技術領域中一般容許之誤差範圍。又，“整個表面”等包含該技術領域中一般容許之誤差範圍。
以幾十～幾百nm等級配置有導體之各向異性導電性構件在接合用途中，以去除導體的表面的氧化膜為目的，在即將接合之前例如實施酸洗處理。藉由酸洗處理，產生含有構成導體之金屬元素之溶解殘渣。如上所述可知，導體以幾十～幾百nm等級的間隔配置，因此即使溶解殘渣為少量，亦能夠成為導通路徑。藉由溶解殘渣，有可能相鄰之導體彼此被電極連接而短路。因此可知，為了避免短路，去除直接參與接合之導體的突出部的氧化膜並且不殘留溶解殘渣很重要，從而完成了本發明。 因此，關於沿絕緣膜的厚度方向貫通並且在彼此電絕緣之狀態下設置之複數個導體，設為具有從樹脂層突出之突出部之結構，並且設為實施清洗突出部之清洗步驟。藉此，接合所需的突出部被清洗，從而能夠製造與電子零件等的接合的可靠性優異之結構體。 以下，對結構體之製造方法進行具體的說明。首先，對結構體進行說明。
[結構體的一例] 圖1係表示本發明的實施形態的結構體的一例之示意性剖面圖，圖2係表示本發明的實施形態的結構體的一例之示意性俯視圖。圖2係從圖1的被覆層20的表面20a側觀察之俯視圖。 圖1所示之結構體10具有：具有電絕緣性之絕緣膜12；及沿厚度方向Dt貫通絕緣膜12並且在彼此電絕緣之狀態下設置之複數個導體14。
複數個導體14在彼此電絕緣之狀態下配置於絕緣膜12上。該情況下，例如絕緣膜12具有沿厚度方向Dt貫通之複數個細孔13。在複數個細孔13上設置有導體14。導體14從絕緣膜12的表面12a突出。又，導體14從絕緣膜12的背面12b突出。再者，各向異性導電層16由絕緣膜12及複數個導體14構成。絕緣膜12例如由陽極氧化膜15構成。絕緣膜12的表面12a和絕緣膜12的背面12b在絕緣膜12的厚度方向Dt上為對向之面。
結構體10具有覆蓋絕緣膜12中的至少一個面之樹脂層21。在圖1中，樹脂層21分別設置於絕緣膜12的表面12a的整個表面及背面12b的整個表面。導體14具有從樹脂層21突出之突出部。樹脂層21比導體14的突出部14a薄，導體14的突出部14a從樹脂層21突出。又，樹脂層21比導體14的突出部14b薄，導體14的突出部14b從樹脂層21突出。 結構體10還在樹脂層21的與絕緣膜12相反的一側具有與樹脂層21不同之被覆樹脂層23。例如，在樹脂層21的表面21a上直接接觸而設置被覆樹脂層23。樹脂層21的表面21a為與絕緣膜12相反側的表面。
被覆樹脂層23分別設置於絕緣膜12的表面12a側及背面12b側。被覆樹脂層23為結構體10的最表面層。導體14的突出部14a、14b存在於被覆樹脂層23內。被覆層20及被覆層22由樹脂層21和被覆樹脂層23構成。被覆層20的表面20a及被覆層22的表面22a為被覆樹脂層23的表面。 在此，樹脂層21與被覆樹脂層23直接接觸係指，在樹脂層21與被覆樹脂層23之間不存在其他層而在樹脂層21的表面21a形成有被覆樹脂層23之狀態。 再者，結構體10中，不一定需要被覆樹脂層23，並且可以為不具有被覆樹脂層23之結構。結構體10中，在不具有被覆樹脂層23之情況下，其為從樹脂層21突出導體14的突出部14a、14b之狀態，樹脂層21為結構體10的最表面層。
結構體10係具有各向異性導電性者，沿厚度方向Dt具有導電性，但是與絕緣膜12的表面12a平行的方向上的導電性充分低。 如圖2所示，結構體10例如外形為四邊形。再者，結構體10的外形並不限定於四邊形，例如可以為圓形。結構體10的外形能夠設為依據用途、製作容易性等之形狀。 導體14從絕緣膜12的兩個表面、亦即表面12a和背面12b突出，但是亦可以從絕緣膜12中的至少一個面突出。在導體14從絕緣膜12中的至少一個面突出之情況下，在從單側的表面突出之結構中，從表面12a或背面12b突出為較佳。
以下，關於結構體的結構進行更具體的說明。 〔絕緣膜〕 絕緣膜12係將由導電體構成之複數個導體14設為彼此電絕緣之狀態者。絕緣膜具有電絕緣性。又，絕緣膜12具有形成導體14之複數個細孔13。對絕緣膜的組成等在後面進行說明。 絕緣膜12的厚度方向Dt上的長度、亦即絕緣膜12的厚度在1～1000μm的範圍內為較佳，在5～500μm的範圍內為更佳，在10～300μm的範圍內為進一步較佳。若絕緣膜12的厚度在該範圍內，則絕緣膜12的處理性變得良好。 從捲繞容易性的觀點考慮，絕緣膜12的厚度為30μm以下為較佳，5～20μm為更佳。
再者，陽極氧化膜的厚度為如下值：使用聚焦離子束（Focused Ion Beam：FIB）將陽極氧化膜沿厚度方向Dt進行切削加工，並使用場發射型掃描電子顯微鏡（FE-SEM）對其截面拍攝表面照片（倍率5萬倍），測量10點並作為平均值而算出之值。
＜細孔的平均直徑＞ 細孔的平均直徑為1μm以下為較佳，5～500nm為更佳，20～400nm為進一步較佳，40～200nm為更進一步較佳，50～100nm為最佳。若細孔13的平均直徑d為1μm以下且在上述範圍內，則能夠獲得具有上述平均直徑之導體14。 細孔13的平均直徑為如下：使用掃描型電子顯微鏡從正上方以倍率100～10000倍拍攝絕緣膜12的表面來獲得攝影圖像。在攝影圖像中，抽取至少20個周圍以環狀連接之細孔，測量其直徑作為開口直徑，計算該等開口直徑的平均值作為細孔的平均直徑。 另外，倍率以可獲得能夠抽取20個以上細孔之攝影圖像的方式能夠適當選擇上述範圍的倍率。又，關於開口直徑，測量細孔部分的端部之間的距離的最大值。亦即，細孔的開口部的形狀並不限定於大致圓形狀，因此開口部的形狀為非圓形狀的情況下，將細孔部分的端部之間的距離的最大值作為開口直徑。因此，例如2個以上的細孔成為一體化的形狀的細孔的情況下，將其視為1個細孔，將細孔部分的端部之間的距離的最大值作為開口直徑。
〔導體〕 如上所述，在絕緣膜12、例如陽極氧化膜15中，複數個導體14在彼此電絕緣之狀態下設置。 複數個導體14具有導電性。導體由導電性物質構成。導電性物質並無特別限定，可舉出金屬。作為金屬的具體例，可較佳地例示金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎂（Mg）、鎳（Ni）、鋅（Zn）及鈷（Co）等。從導電性的觀點考慮，銅、金、鋁、鎳及鈷為較佳，銅及金為更佳，銅為最佳。 金屬與氧化物導電體相比，延展性等優異且容易變形，接合時的壓縮中亦容易變形，因此導體由金屬構成為較佳。 厚度方向Dt上的導體14的高度H為10～300μm為較佳，20～30μm為更佳。
＜導體的形狀＞ 導體14的平均直徑d為1μm以下為較佳，5～500nm為更佳，20～400nm為進一步較佳，40～200nm為更進一步較佳，50～100nm為最佳。 導體14的密度為2萬個/mm 2以上為較佳，200萬個/mm 2以上為更佳，1000萬個/mm 2以上為進一步較佳，5000萬個/mm 2以上為特佳，1億個/mm 2以上為最佳。 此外，相鄰之各導體14的中心間距離p為20nm～500nm為較佳，40nm～200nm為更佳，50nm～140nm為進一步較佳。
導體的平均直徑為如下：使用掃描型電子顯微鏡從正上方以倍率100～10000倍拍攝絕緣膜的表面來獲得攝影圖像。在攝影圖像中，抽取至少20個周圍以環狀連接之導體，測量其直徑作為開口直徑，計算該等開口直徑的平均值作為導體的平均直徑。 再者，倍率以可獲得能夠抽取20個以上導體之攝影圖像的方式能夠適當選擇上述範圍的倍率。又，在開口部的形狀為非圓形狀之情況下，將導體部分的端部之間的距離的最大值作為開口直徑。因此，例如2個以上的導體成為一體化的形狀的導體的情況下，將其視為1個導體，並將導體部分的端部之間的距離的最大值作為開口直徑。導體14的平均直徑d與突出部的平均直徑相同。 相鄰之各導體14的中心間距離p為如下：在如上所述獲得之絕緣膜12的攝影圖像中進一步確定所確定之導體的中心位置Cp（參閱圖3）。在10個部位求出了相鄰之導體的中心位置之間的距離。將該平均值設為相鄰之各導體14的中心間距離p。中心位置Cp為在上述攝影圖像中相當於導體14之區域的中心位置。再者，攝影圖像中，區域的中心位置的算出中使用公知的圖像解析法。
導體14的突出部14a的突出長度hc（參閱圖1）及突出部14b的突出長度hc為10～300nm為較佳。 突出長度hc為距絕緣膜的表面或背面的導體的突出量。亦即，突出長度hc為距絕緣膜的表面或背面的突出部的長度。 突出長度hc為如下值：使用聚焦離子束（Focused Ion Beam：FIB）將絕緣膜12沿厚度方向Dt進行切削加工，並使用場發射型掃描電子顯微鏡（FE-SEM）對其截面拍攝表面照片（倍率5萬倍），測量10點並作為平均值而算出之值。
導體14的突出部14a、14b從樹脂層21突出之突出高度hs（參閱圖1）為5～100nm。只要突出高度hs為5～100nm，則足以實現與對向之電極的接觸。
只要樹脂層21的平均厚度hm（參閱圖1）小於突出長度hc，則突出部14a、14b均從樹脂層21突出。藉由樹脂層21保護導體14。 樹脂層21的平均厚度hm為距絕緣膜12的表面12a的平均距離或距絕緣膜12的背面12b的平均距離。上述樹脂層21的平均厚度hm為如下值：沿結構體10的厚度方向Dt切斷樹脂層，並使用場發射型掃描電子顯微鏡（FE-SEM）對切斷截面進行截面觀察，對與樹脂層對應之10個部位測量距絕緣膜12的表面12a的距離而獲得之10個點的測量值的平均值。又，對與樹脂層對應之10個部位測量距絕緣膜12的背面12b的距離而獲得之10個點的測量值的平均值。
關於導體14，與相鄰之突出部的間隔w（參閱圖1、圖3）為20nm～200nm，40nm～100nm為較佳。若與相鄰之突出部的間隔在上述範圍內，則在導體14的絕緣膜12的表面12a或背面12b中亦能夠維持導體14的間隔。藉此，在接合時可抑制導體14的短路，提高接合時的可靠性。 上述與相鄰之突出部的間隔w（參閱圖1、圖3）為（第1接近距離）-（突出部的平均直徑）。第1接近距離係指導體14與該導體14最近位置之導體14的距離。如圖3所示，第1接近距離亦有時為導體14的中心間距離p。 第1接近距離為如下：在為了算出上述導體的平均直徑而獲得之絕緣膜的攝影圖像中進一步確定所確定之導體的中心位置Cp（參閱圖3）。任意1個導體中，與相鄰之導體的中心位置Cp（參閱圖3）之間的距離中最近的距離為第1接近距離。
在此，圖3係表示本發明的實施形態的結構體的導體的配置狀態之示意性俯視圖。例如，將圖3所示之六邊形作為單元晶格50，在六邊形的頂點的位置及相當於六邊形的中心之位置配置導體14。例如，絕緣膜12由陽極氧化膜15構成。在形成陽極氧化膜15時，細孔13規則性地形成，成為最密的配置。此時，細孔13形成於在絕緣膜12的表面中六邊形的頂點的位置及相當於六邊形的中心之位置。絕緣膜12的表面中，導體14亦成為與細孔13相同的配置。
在結構體中，由（突出部的突出高度hs）/（與相鄰之突出部的間隔）表示之比率為0.005～1為較佳，0.1～0.5為更佳。 只要比率為0.005～1，則相對於突出部的突出高度hs，與相鄰之突出部的間隔為適當，提高接合後的可靠性。
〔樹脂層〕 如上所述，樹脂層係覆蓋絕緣膜的表面及背面中的至少一個面者，保護絕緣膜及導體。 為了發揮上述作用，樹脂層例如係在50℃～200℃的溫度範圍內顯示流動性且在200℃以上硬化者為較佳。樹脂層例如為由熱塑性樹脂等構成之熱塑性層，對樹脂層在後面進行詳細說明。 樹脂層的平均厚度hm為使突出高度hs成為5～100nm之厚度，依據突出長度hc適當確定。若突出長度hc為300nm，則樹脂層的平均厚度hm為200～295nm，較佳為250～290nm。只要樹脂層的平均厚度hm為上述200～295nm，則充分發揮保護導體14之效果。
〔被覆樹脂層〕 被覆樹脂層23與樹脂層21相同，係保護導體14者。 被覆樹脂層23被覆從樹脂層21突出之導體14的突出部14a、14b，以保護突出部。又，被覆樹脂層還保護導體的突出部不被氧化。導體14的突出部14a、14b存在於被覆樹脂層23內。被覆樹脂層埋設於導體14的突出部14a、14b。 又，被覆樹脂層23具有阻氧性為較佳。藉由具有阻氧性，能夠抑制導體14的氧化。在導體14突出之情況下，導體14的突出部容易被氧化，因此被覆樹脂層23具有阻氧性尤其有效。
在此，具有阻氧性係指透氧係數為1.5×10 17m 3（STP）m・m -2・s -1・kPa -1以下。STP（standard temperature and pressure，標準溫壓）表示標準狀態的溫度及壓力。STP以絕對溫度為273.15K（克耳文）、壓力為1.01325×10 5Pa、亦即0℃、1氣壓。 被覆樹脂層23的透氧係數為1.5×10 16m 3（STP）m・m -2・s -1・kPa -1以下為較佳，更佳為7.0×10 15m 3（STP）m・m -2・s -1・kPa -1以下。 作為透氧係數的下限值為3×10 15m 3（STP）m・m -2・s -1・kPa -1。 透氧係數為使用壓差法測量之值。在壓差法中，等待至減壓側的壓力的變化相對於減壓時間成為恆定，從壓力的變化成為恆定之後的斜率算出透氧係數。 透氧係數的測量中使用直徑為50mm的被覆樹脂層薄膜。被覆樹脂層係層壓膜者時，將層壓膜切成直徑50mm，用於測量透氧係數。厚度分別實際測量。 被覆樹脂層23除了阻斷上述氧氣以外，具有阻斷除了氧氣以外的其他元素的氣體之性能為更佳。
被覆樹脂層23係與樹脂層21不同者。與樹脂層21不同係指，溶解之液體不同，在相同的液體中的溶解速度不同。利用被覆樹脂層23與樹脂層21的溶解速度的差異，如後述那樣能夠僅去除被覆樹脂層23。 被覆樹脂層23在結構體10的接合時被去除。因此，被覆樹脂層23比樹脂層更容易去除為較佳，例如為能夠用水去除之水溶性樹脂層為較佳。水容易獲得及管理。 水溶性樹脂層例如由羧甲基纖維素（CMC）及聚乙烯醇（PVA）構成。 只要厚度比從樹脂層21突出之突出部14a、14b厚，則被覆樹脂層23的平均厚度hj（參閱圖1）並無特別限定，200nm左右為較佳。只要被覆樹脂層23的平均厚度hj為200nm左右，則能夠充分發揮保護從樹脂層21突出之導體14的突出部14a、14b之效果。
結構體10在去除被覆樹脂層23之狀態、亦即導體14的突出部從樹脂層突出之狀態下被接合。 又，被覆樹脂層與樹脂層的溶解之液體不同為較佳。藉此，去除被覆樹脂層時樹脂層不易被去除。 又，被覆樹脂層和樹脂層對於相同的去除液，樹脂層的溶解速度慢為較佳。藉此，去除被覆樹脂層時樹脂層不易被去除。 去除被覆樹脂層之時機並無特別限定，可以為在清洗導體14的突出部之前，亦可以與導體14的突出部的清洗同時進行。雖然在後面進行詳細說明，去除被覆樹脂層之時機與導體14的突出部的清洗為同時之情況下，可以如下：在清洗液中使用酸性溶液或鹼溶液來去除被覆樹脂層，並且清洗導體14的突出部，溶解並去除導體14的突出部的氧化膜。在該情況下，清洗液兼作被覆樹脂層的去除液。 再者，去除被覆樹脂層之時機與清洗同時係指，藉由實施1個步驟來實施被覆樹脂層的去除步驟及清洗步驟這2個步驟。例如，如上所述，使用清洗液來去除被覆樹脂層，並且藉由清洗液溶解去除導體14的突出部的氧化膜。
[結構體之製造方法的一例] 圖4～6係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。圖4～6中，對與圖1所示之結構體10相同的構成物標注相同的符號，並省略其詳細的說明。圖4係圖1所示之結構體10的導體14的放大圖。 如圖4所示，結構體10（參閱圖1）例如以設置有樹脂層21及被覆樹脂層23之狀態保管。藉此，可抑制導體14因氧化而形成氧化膜。
結構體10之製造方法具有在從樹脂層21突出導體14的突出部14a之狀態下清洗導體14的突出部14a之清洗步驟。在清洗步驟中，在樹脂層21殘留之狀態下清洗導體14的突出部14a，樹脂層21在清洗步驟後亦殘留。 例如，如圖5所示，在突出部14a的表面14c上形成有氧化膜17之情況下，藉由清洗突出部14a，如圖6所示那樣去除突出部14a的表面14c上的氧化膜17。 再者，在清洗步驟中，去除被覆樹脂層23，未去除樹脂層21。如上所述，藉由清洗突出部14a，去除氧化膜17，能夠獲得與電子零件等的接合的可靠性優異之結構體。再者，由於樹脂層21未被去除，因此清洗殘渣不會殘留於絕緣膜12的表面12a附近，從而可抑制因清洗殘渣而引起之導體14之間的短路。
如圖5所示，結構體10之製造方法並不限定於具有被覆樹脂層23之結構。作為結構體10，亦能夠在沒有被覆樹脂層23的狀態下實施清洗步驟。在該情況下，在從樹脂層21突出導體14的突出部14a之狀態下，清洗導體14的突出部14a來去除氧化膜17，從而能夠獲得與電子零件等的接合的可靠性優異之結構體。清洗步驟在樹脂層21殘留之狀態下實施，樹脂層21在清洗步驟後亦殘留。
清洗步驟中所使用之清洗液為酸性溶液或鹼溶液為較佳。藉此，清洗步驟中，在具有氧化膜17之情況下，氧化膜17亦被去除。 又，如後述，在同時實施清洗步驟和被覆樹脂層23的去除步驟之情況下，酸性溶液或鹼溶液能夠兼作清洗液和被覆樹脂層的去除液，從而作為清洗液為較佳。
酸性溶液為pH（氫離子指數）為7以下的溶液。酸性溶液包含硫酸或檸檬酸為較佳。酸性溶液使用硫酸溶液或檸檬酸溶液。硫酸或檸檬酸對銅的氧化物的去除性優異。因此，在由銅構成導體之情況下，酸性溶液包含硫酸或檸檬酸或者酸性溶液為硫酸溶液或檸檬酸溶液為較佳。 除此以外，作為酸性溶液，例如能夠使用磷酸溶液、鉻酸溶液、草酸溶液、胺基磺酸溶液、苯磺酸溶液、二醇酸溶液、酒石酸溶液及蘋果酸溶液等。該等酸溶液可以單獨使用，亦可以組合使用2種以上。 鹼溶液為pH大於7的溶液。作為鹼溶液，例如使用氨水。作為鹼溶液，除此以外，例如亦可以使用氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液及氫氧化鋰溶液。
在結構體之製造方法中，具有被覆樹脂層23的去除步驟為較佳。如圖6所示，藉由去除被覆樹脂層23，能夠在清洗步驟中更確實地清洗導體14的突出部14a。在該情況下，在結構體之製造方法中，在被覆樹脂層23的去除步驟之後，實施上述清洗步驟。再者，在去除步驟之後，在局部殘留被覆樹脂層23之情況下，只要被覆樹脂層23為水溶性，則藉由後述清洗後的沖洗步驟，殘留之被覆樹脂層23被去除。 被覆樹脂層23的去除步驟中例如使用與樹脂層21相比被覆樹脂層23優先溶解之去除液。亦即，可使用與被覆樹脂層23的溶解速度相比樹脂層21的溶解速度慢的去除液。 具體而言，在樹脂層21由聚丙烯腈構成並且被覆樹脂層23由羧甲基纖維素（CMC）或聚乙烯醇（PVA）構成之情況下，去除液例如使用水。 又，在結構體之製造方法中，同時實施清洗步驟和被覆樹脂層23的去除步驟為較佳。在該情況下，使用能夠去除被覆樹脂層23並且能夠去除導體14的突出部14a的表面14c的氧化膜17的清洗液。具體而言，在樹脂層21由聚丙烯腈構成並且被覆樹脂層23由聚乙烯醇構成之情況下，清洗液使用硫酸或氨水。藉此，被覆樹脂層23被去除，並清洗去除了被覆樹脂層23之後出現之導體14的突出部14a而去除氧化膜17。
在清洗步驟中，使酸溶液或鹼溶液的清洗液與導體14的突出部14a接觸，但是清洗液的接觸方法並無特別限定，例如可舉出浸漬法及噴塗法。從能夠使清洗液確實地與導體14的突出部14a接觸的方面考慮，浸漬法為較佳。 又，在去除步驟中，使去除液與被覆樹脂層23接觸，但是去除液的接觸方法並無特別限定，例如可舉出浸漬法及噴塗法。從能夠使去除液確實地與被覆樹脂層23接觸的方面考慮，浸漬法為較佳。 又，在清洗步驟之後，例如可以具有使用純水或水之沖洗步驟。藉此，即使在清洗步驟中具有清洗殘渣，亦能夠更確實地去除清洗殘渣。又，即使在清洗步驟之後被覆樹脂層23殘留，只要被覆樹脂層23為水溶性，則在沖洗步驟中被去除。再者，將使用水之沖洗步驟亦稱為水清洗處理。 沖洗步驟中所使用之水可以包含界面活性劑及在低溫下揮發之溶劑中的至少一者。界面活性劑並不限定於1種，可以為複數種。在低溫下揮發之溶劑亦並不限定於1種，可以為複數種。在低溫下揮發之溶劑例如為丙酮、甲基乙基酮、乙醇或甲醇。
[使用結構體之接合的一例] 圖7為表示使用本發明的實施形態的結構體之接合的一例之示意圖。再者，圖7所示之積層器件40係表示使用結構體來接合之接合體的一例者。上述結構體10（參閱圖1）用作顯示各向異性導電性之各向異性導電性構件45。在該情況下，如圖6所示，藉由清洗步驟，導體14的突出部14a為被清洗之狀態，結構體10（參閱圖1）在導體14的突出部14a的表面14c的氧化膜17（參閱圖5）被去除之狀態下用於接合。 積層器件係具有具備具有導電性之導電部之電子零件及各向異性導電性構件者，係使電子零件的導電部與各向異性導電性構件的導體接觸而接合者。電子零件例如為半導體元件。
圖7所示之積層器件40例如係半導體元件42、各向異性導電性構件45及半導體元件44依次沿積層方向Ds接合並且電連接者。在各向異性導電性構件45中，導體14（參閱圖1）與積層方向Ds平行地配置，沿積層方向Ds具有導電性。 再者，接合體41由積層之半導體元件42、各向異性導電性構件45及半導體元件44構成。 積層器件40為相對於1個半導體元件42接合1個半導體元件44之形態，但是並不限定於此。可以為經由各向異性導電性構件45接合3個半導體元件（未圖示）之形態。積層器件由3個半導體元件及2個各向異性導電性構件45構成。接合體41由積層之半導體元件、各向異性導電性構件、半導體元件、各向異性導電性構件及半導體元件構成。 半導體元件為具備具有導電性之導電部之導電構件。具備具有導電性之導電部之導電構件並不限定於半導體元件，可以為具有電極之基板。具有電極之基板例如為配線基板及內插器等。 再者，積層器件的形態並無特別限定，例如可舉出SoC（System on a Chip，系統單晶片）、SiP（System in Package，套裝系統）、PoP（Package on Package，封裝堆疊）、PiP（Package in Package，內構裝）、CSP（Chip Scale Package，晶片級構裝）、TSV（Through Silicon Via，矽穿孔）等。
積層器件40可以係具有作為光學感測器發揮作用之半導體元件者。例如，半導體元件及感測器晶片（未圖示）沿積層方向Ds積層。感測器晶片上可以設置有透鏡。 在該情況下，半導體元件係形成有邏輯電路者，只要能夠處理由感測器晶片獲得之訊號，則其結構並無特別限定。 感測器晶片係具有檢測光之光感測器者。光感測器只要能夠檢測光，則並無特別限定，例如可使用CCD（Charge Coupled Device，電荷耦合元件）影像感測器或CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體）影像感測器。 透鏡只要能夠將光聚光於感測器晶片上，則其結構並無特別限定，例如可使用稱為微透鏡者。 再者，只要接合具備具有導電性之導電部之導電構件及結構體，則為接合體。然而，只要結構體的接合對象為具有電極之半導體元件並且接合半導體元件及結構體，則接合者為器件。
〔結構體的接合對象物〕 如上所述，結構體的接合對象物例示有半導體元件，但是例如係具有電極或元件區域者。作為具有電極者，例如可例示以單體發揮特定的作用之半導體元件等，但是亦包括複數者聚集而發揮特定的作用者。此外，亦包括配線構件等僅傳輸電訊號者，印刷配線板等亦包括在具有電極者。 元件區域為形成有用於作為電子元件而發揮作用的各種元件結構電路等之區域。元件區域例如為形成有如快閃儲存體等的儲存體電路、如微處理器及現場可程式閘陣列（field-programmable gate array）等的邏輯電路之區域、形成有無線標籤等通訊模組以及配線之區域。除此以外，可以在元件區域中形成有MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）。作為MEMS，例如可舉出感測器、致動器及天線等。感測器中例如包括加速度、聲音及光等各種感測器。 如上所述，元件區域形成有元件結構電路等，並且為了將半導體晶片與外部電連接而設置有電極（未圖示）。元件區域具有形成有電極之電極區域。再者，元件區域的電極例如為Cu柱。電極區域為基本上包含所形成之所有電極之區域。然而，只要電極離散而設置，則設置有各電極之區域亦稱為電極區域。 作為結構體的形態，可以為如半導體晶片那樣單片化者，亦可以為如半導體晶圓的形態，亦可以為配線層的形態。 又，結構體與接合對象物接合，但是接合對象物並不特別限定於上述半導體元件等，例如晶圓狀態的半導體元件、晶片狀態的半導體元件、印刷配線板及散熱片等成為接合對象物。
〔半導體元件〕 上述半導體元件42及半導體元件44除了上述以外，例如可舉出邏輯LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）（例如，ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特定應用積體電路）、FPGA（Field Programmable Gate Array，現場可程式閘陣列）、ASSP（Application Specific Standard Product，應用特定標準產品）等）、微處理器（例如，CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）、GPU（Graphics Processing Unit，圖形處理單元）等）、儲存體（例如，DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）、HMC（Hybrid Memory Cube，混合內存立方體）、MRAM（Magnetic RAM：磁記憶體）及PCM（Phase-Change Memory：相變化記憶體）、ReRAM（Resistive RAM：可變電阻式記憶體）、FeRAM（Ferroelectric RAM：鐵電隨機存取記憶體）、快閃儲存體（NAND（Not AND）快閃）等）、LED（Light Emitting Diode，發光二極體）（例如，攜式終端的微快閃、車載用、投影儀光源、LCD背光、普通照明等）、功率/器件、模擬IC（Integrated Circuit，積體電路）（例如，DC（Direct Current，直流電）-DC（Direct Current，直流電）轉換器、絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）（例如，加速度感測器、壓力感測器、振子、陀螺儀感測器等）、無線（例如，GPS（Global Positioning System，全球定位系統）、FM（Frequency Modulation，調頻）、NFC（Nearfield communication，近場通信）、RFEM（RF Expansion Module，RF擴展模組）、MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit，單晶微波積體電路）、WLAN（Wireless Local Area Network，無線區域網路）等）、離散元件、BSI（Back Side Illumination，背面照度）、CIS（Contact Image Sensor，接觸式影像感測器）、相機模組、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體）、被動元件、SAW（Surface Acoustic Wave，表面聲波）濾波器、RF（Radio Frequency，射頻）濾波器、RFIPD（Radio Frequency Integrated Passive Devices，射頻整合被動元件）、BB（Broadband，寬頻）等。 半導體元件例如係由1個完結者，係以半導體元件單體發揮電路或感測器等特定的作用者。半導體元件可以為具有內插器功能者。又，例如，在具有內插器功能之器件上亦能夠積層具有邏輯電路之邏輯晶片及儲存體晶片等複數個器件。又，在該情況下，即使每個器件的電極尺寸不同，亦能夠進行接合。 再者，作為積層器件，並不限定於在1個半導體元件上接合複數個半導體元件之形態之1對複數個形態，亦可以為將複數個半導體元件與複數個半導體元件接合之形態之複數對複數個之形態。電子零件並不特別限定於上述半導體元件。
[結構體的形成方法的一例] 對結構體的形成方法進行說明。圖8～圖15係按步驟順序表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例之示意性剖面圖。再者，圖8～圖15中，對與圖1及圖2所示之構成相同的構成物標註相同的符號，並省略其詳細的說明。 在結構體的形成方法的一例中，圖1所示之結構體10中，以絕緣膜12由鋁的陽極氧化膜構成者為例進行說明。為了形成鋁的陽極氧化膜，使用鋁基板。因此，在結構體的形成方法的一例中，首先如圖8所示準備鋁基板30。 鋁基板30係其大小及厚度依據最終獲得之結構體10（參閱圖1）的絕緣膜12（參閱圖1）的厚度、所加工之裝置等而適當確定者。鋁基板30例如為四邊形狀板材。再者，並不限定於鋁基板，亦能夠使用能夠形成電絕緣的絕緣膜之金屬基板。
接著，對鋁基板30的單側的表面30a（參閱圖8）進行陽極氧化處理。藉此，鋁基板30的單側的表面30a（參閱圖8）被陽極氧化，並如圖9所示，形成具有沿鋁基板30的厚度方向Dt延伸之複數個細孔32之陽極氧化膜34。各細孔32的底部中存在阻擋層33。將上述進行陽極氧化之步驟稱為陽極氧化處理步驟。 具有複數個細孔32之陽極氧化膜34中，如上所述分別在細孔32的底部存在阻擋層33，但是去除圖9所示之阻擋層33。藉此，獲得沒有阻擋層33且具有複數個細孔32之陽極氧化膜34（參閱圖10）。再者，將去除上述阻擋層33之步驟稱為阻擋層去除步驟。 阻擋層去除步驟中，藉由使用包含氫超電壓比鋁高的金屬M1的離子之鹼水溶液，去除陽極氧化膜34的阻擋層33的同時，在細孔32的底部32c（參閱圖10）的表面32d（參閱圖10）形成由金屬（金屬M1）構成之金屬層35a（參閱圖10）。藉此，暴露於細孔32之鋁基板30被金屬層35a被覆。藉此，利用鍍覆向細孔32填充金屬時，鍍覆變得容易進行，可抑制金屬未充分地填充於細孔中，並可抑制金屬未填充於細孔等，從而可抑制導體14（參閱圖1）的形成不良。 再者，包含上述金屬M1的離子之鹼水溶液還可以包含含鋁離子之化合物（鋁酸鈉、氫氧化鋁、氧化鋁等）。含鋁離子之化合物的含量換算成鋁離子的量為0.1～20g/L為較佳，0.3～12g/L為更佳，0.5～6g/L為進一步較佳。
接著，從具有沿厚度方向Dt延伸之複數個細孔32之陽極氧化膜34的表面34a進行鍍覆。該情況下，能夠將金屬層35a用作電鍍的電極。鍍覆中使用金屬35b，並以形成於細孔32的底部32c（參閱圖10）的表面32d（參閱圖10）之金屬層35a為起點，進行鍍覆。藉此，如圖11所示，在陽極氧化膜34的細孔32的內部填充構成導體14之金屬35b。藉由在細孔32的內部填充金屬35b，形成具有導電性之導體14。再者，將金屬層35a及金屬35b統稱為所填充之金屬35。 將在陽極氧化膜34的複數個細孔32填充金屬35b來形成複數個導體14之步驟稱為金屬填充步驟。如上所述，導體14並不限定於由金屬構成者，亦能夠由導電性物質構成。金屬填充步驟中可使用電鍍，關於金屬填充步驟在後面進行詳細說明。再者，陽極氧化膜34的表面34a相當於絕緣膜12的一個表面。將在陽極氧化膜34的複數個細孔32中填充包括金屬及金屬以外的導電體來形成複數個導體14之步驟簡稱為填充步驟。
在金屬填充步驟之後，如圖12所示，沿厚度方向Dt去除在金屬填充步驟之後陽極氧化膜34的未設置鋁基板30之一側的表面34a的一部分，使在金屬填充步驟中填充之金屬35比陽極氧化膜34的表面34a更突出。亦即，使導體14比陽極氧化膜34的表面34a更突出。藉此，獲得突出部14a。將使導體14比陽極氧化膜34的表面34a更突出之步驟稱為表面突出步驟。再者，不一定需要實施表面突出步驟。在未實施表面突出步驟之情況下，不形成上述突出部14a。 在表面突出步驟之後，如圖13所示，去除鋁基板30。將去除鋁基板30之步驟稱為基板去除步驟。
接著，如圖14所示，在基板去除步驟之後沿厚度方向Dt去除陽極氧化膜34的原本設置有鋁基板30之一側的面、亦即背面34b的一部分，使在金屬填充步驟中所填充之金屬35、亦即導體14比陽極氧化膜34的背面34b更突出。藉此，獲得突出部14b。將使導體14比陽極氧化膜34的背面34b更突出之步驟稱為背面突出步驟。再者，不一定需要實施背面突出步驟。在未實施背面突出步驟之情況下，不形成上述突出部14b。 可以為具有上述表面突出步驟及背面突出步驟這兩者步驟之態樣，但是亦可以為具有表面突出步驟及背面突出步驟中的一個步驟之態樣。表面突出步驟及背面突出步驟與“突出步驟”符合，表面突出步驟及背面突出步驟均為突出步驟。 如圖14所示，導體14分別從陽極氧化膜34的表面34a及背面34b突出，導體14具有突出部14a及突出部14b。
接著，如圖15所示，形成覆蓋導體14所突出之陽極氧化膜34的表面34a整體及背面34b整體之樹脂層21。如上所述，樹脂層21沒有全部覆蓋而埋設導體14，樹脂層21的厚度調整為導體14所突出之厚度。在後面對樹脂層21的形成步驟進行說明。藉此，能夠獲得結構體。
接著，在圖15所示之樹脂層21的表面21a整個表面形成被覆樹脂層23。藉此，導體14埋設於被覆樹脂層23，獲得圖1所示之結構體10。 再者，在使導體14從陽極氧化膜34的表面34a及背面34b中的任一者突出之結構的情況下，實施上述表面突出步驟及背面突出步驟中的任一者。在導體14從陽極氧化膜34中的任一個面突出之狀態下覆蓋導體14突出之陽極氧化膜34的表面整體，並且以導體14突出的方式形成樹脂層21，藉此獲得結構體。此外，在樹脂層21的表面21a整個表面以埋設導體14之方式形成被覆樹脂層23，藉此獲得圖1所示之結構體10。在後面對被覆樹脂層23的形成步驟進行說明。
在上述阻擋層去除步驟中，使用包含氫超電壓比鋁高的金屬M1的離子之鹼水溶液去除阻擋層，藉此不僅去除阻擋層33，而且在暴露於細孔32的底部之鋁基板30形成比鋁難以產生氫氣的金屬M1的金屬層35a。其結果，金屬填充的面內均勻性變得良好。認為這是因為，因鍍液引起之氫氣的產生得以抑制而變得容易進行基於電鍍之金屬填充。 又，發現了在阻擋層去除步驟中，設置以選自小於陽極氧化處理步驟中的電壓的30%的範圍中之電壓（保持電壓）的95%以上且105%以下的電壓總計保持5分鐘以上之保持步驟，組合應用包含金屬M1的離子之鹼水溶液，藉此鍍覆處理時的金屬填充的均勻性變得更良好。因此，具有保持步驟為較佳。 詳細的機制雖不明確，但是認為這是因為，在阻擋層去除步驟中，藉由使用包含金屬M1的離子之鹼水溶液而在阻擋層下部形成金屬M1的層，藉此能夠抑制鋁基板與陽極氧化膜的界面受到損壞，並且提高了阻擋層的溶解的均勻性。
再者，在阻擋層去除步驟中，在細孔32的底部形成由金屬（金屬M1）構成之金屬層35a，但是並不限定於此，可以如下：僅去除阻擋層33而在細孔32的底面暴露鋁基板30。在暴露鋁基板30之狀態下，將鋁基板30用作電鍍的電極。
〔絕緣膜〕 絕緣膜例如由無機材料構成。例如能夠使用具有10 14Ω・cm左右的電阻率者。 再者，“由無機材料構成”為用於與高分子材料區別之規定，並不是限定為僅由無機材料構成之絕緣性基材之規定，而是將無機材料作為主成分（50質量%以上）之規定。
絕緣膜如上所述例如由陽極氧化膜構成。作為陽極氧化膜，從形成具有所期望的平均直徑之細孔且容易形成柱狀體之理由考慮，例如可使用鋁的陽極氧化膜。然而，並不限定於鋁的陽極氧化膜，亦能夠使用閥金屬的陽極氧化膜。因此，金屬基板可使用閥金屬。 在此，作為閥金屬，具體而言例如可舉出上述鋁、除此以外的鉭、鈮、鈦、鉿、鋯、鋅、鎢、鉍、銻等。該等中，從尺寸穩定性良好且相對廉價之方面考慮，鋁的陽極氧化膜為較佳。因此，使用鋁基板來製造結構體為較佳。 又，絕緣膜例如亦能夠由金屬氧化物、金屬氮化物、玻璃、碳化矽、氮化矽等陶瓷、類鑽碳等碳基材、聚醯亞胺、該等複合材料等構成。除此以外，作為絕緣膜，例如可以為在具有貫通孔之有機材料上由包含50質量%以上的陶瓷材料或碳材料之無機材料成膜者。 陽極氧化膜的厚度為上述絕緣膜12的厚度。
〔金屬基板〕 金屬基板係用於製造結構體者，係用於形成絕緣膜之基板。金屬基板例如如上所述可使用能夠形成陽極氧化膜之金屬基板，並且能夠使用由上述閥金屬構成者。例如，從容易形成作為絕緣膜之陽極氧化膜之理由考慮，如上所述，金屬基板使用鋁基板。
〔鋁基板〕 為了形成作為絕緣膜12之陽極氧化膜34而使用之鋁基板並無特別限定，作為其具體例，可舉出純鋁板；將鋁作為主成分而含有微量的異元素之合金板；在低純度鋁（例如回收材料）上蒸鍍高純度鋁之基板；藉由蒸鍍、濺鍍等方法使高純度鋁被覆於矽晶圓、石英、玻璃等的表面之基板；層壓鋁而成之樹脂基板等。
鋁基板中，藉由陽極氧化處理形成陽極氧化膜之單側的表面的鋁純度為99.5質量%以上為較佳，99.9質量%以上為更佳，99.99質量%以上為進一步較佳。若鋁純度在上述範圍內，則微孔排列的規則性變得充分。微孔係成為細孔者。 鋁基板只要能夠形成陽極氧化膜，則並無特別限定，例如可使用JIS（Japanese Industrial Standards，日本工業標準）1050材。
對鋁基板中的進行陽極氧化處理之單側的表面實施預熱處理、脫脂處理及鏡面處理為較佳。 在此，關於熱處理、脫脂處理及鏡面處理，能夠實施與日本特開2008-270158號公報的[0044]～[0054]段中所記載之各處理相同的處理。 陽極氧化處理之前的鏡面處理例如為電解研磨，電解研磨時例如可使用含有磷酸之電解研磨液。
〔陽極氧化處理步驟〕 陽極氧化處理能夠使用以往公知的方法，但是從提高微孔排列的規則性並且確保結構體的各向異性導電性之觀點考慮，使用自正則化法或定電壓處理為較佳。藉此，例如細孔及導體成為圖3所示之六邊形狀的配置。 在此，關於陽極氧化處理的自正則化法及定電壓處理，能夠實施與日本特開2008-270158號公報的[0056]～[0108]段及[圖8]中所記載之各處理相同的處理。
〔保持步驟〕 結構體的形成方法可以具有保持步驟。保持步驟為如下步驟：在上述陽極氧化處理步驟之後，在選自1V以上且小於上述陽極氧化處理步驟中的電壓的30%的範圍中之保持電壓的95%以上且105%以下的電壓下保持總計5分鐘以上。換言之，保持步驟為如下步驟：在上述陽極氧化處理步驟之後，在選自1V以上且小於上述陽極氧化處理步驟中的電壓的30%的範圍中之保持電壓的95%以上且105%以下的電壓下實施總計5分鐘以上的電解處理。 在此，“陽極氧化處理中的電壓”係指施加於鋁與反極之間之電壓，例如，若基於陽極氧化處理之電解時間為30分鐘，則為保持30分鐘之電壓的平均值。
從相對於陽極氧化膜的側壁厚度、亦即細孔的深度將阻擋層的厚度控制為適當的厚度的觀點考慮，保持步驟中的電壓為陽極氧化處理中的電壓的5%以上且25%以下為較佳，5%以上且20%以下為更佳。
又，從更加提高面內均勻性之理由考慮，保持步驟中的保持時間的總計為5分鐘以上且20分鐘以下為較佳，5分鐘以上且15分鐘以下為更佳，5分鐘以上且10分鐘以下為進一步較佳。 又，保持步驟中的保持時間為總計5分鐘以上即可，連續5分鐘以上為較佳。
另外，保持步驟中的電壓可以設定成從陽極氧化處理步驟中的電壓連續或階段性地降低至保持步驟中的電壓，但是從進一步提高面內均勻性之理由考慮，在結束陽極氧化處理步驟之後，在1秒鐘以內設定成上述保持電壓的95%以上且105%以下的電壓為較佳。
例如還能夠藉由在結束上述陽極氧化處理步驟時降低電解電位來與上述陽極氧化處理步驟連續地進行上述保持步驟。 上述保持步驟中，關於除了電解電位以外的條件，能夠採用與上述以往公知的陽極氧化處理相同的電解液及處理條件。 尤其，在連續地實施保持步驟及陽極氧化處理步驟之情況下，使用相同的電解液進行處理為較佳。
在具有複數個微孔之陽極氧化膜中，如上所述，在微孔的底部存在阻擋層（未圖示）。具有去除該阻擋層之阻擋層去除步驟。
〔阻擋層去除步驟〕 阻擋層去除步驟為例如使用包含氫超電壓比鋁高的金屬M1的離子之鹼水溶液來去除陽極氧化膜的阻擋層之步驟。 藉由上述阻擋層去除步驟，去除阻擋層並且在微孔的底部形成由金屬M1構成之導電體層。 在此，氫超電壓（hydrogen overvoltage）係指產生氫氣時所需的電壓，例如鋁（Al）的氫超電壓為-1.66V（日本化學會會刊，1982、（8），1305-1313頁）。再者，將比鋁的氫超電壓高的金屬M1的例子及其氫超電壓的值示於以下。 ＜金屬M1及氫（1N H 2SO 4）超電壓＞ ・鉑（Pt）：0.00V ・金（Au）：0.02V ・銀（Ag）：0.08V ・鎳（Ni）：0.21V ・銅（Cu）：0.23V ・錫（Sn）：0.53V ・鋅（Zn）：0.70V
關於細孔32，還能夠以對微孔進行擴徑並且去除阻擋層來形成。該情況下，微孔的擴徑時可使用孔寬處理。孔寬處理為如下處理：藉由將陽極氧化膜浸漬於酸水溶液或鹼水溶液，使陽極氧化膜溶解而擴大微孔的孔徑。孔寬處理時能夠使用硫酸、磷酸、硝酸、鹽酸等無機酸或該等混合物的水溶液或氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰等水溶液。 再者，在孔寬處理中，亦能夠去除微孔的底部的阻擋層，孔寬處理中使用氫氧化鈉水溶液，藉此對微孔進行擴徑並且去除阻擋層。
〔填充步驟〕 填充步驟為對具有沿厚度方向延伸之複數個細孔之絕緣膜在細孔中填充導電體來形成複數個柱狀體之步驟。絕緣膜例如為上述陽極氧化膜34。 ＜填充步驟中所使用之金屬＞ 為了在填充步驟中形成柱狀體，在上述陽極氧化膜34的細孔32的內部作為導電體填充之金屬為電阻率為10 3Ω・cm以下的材料為較佳。作為上述金屬的具體例，可較佳地例示金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎂（Mg）、鎳（Ni）、鋅（Zn）及鈷（Co）等。 再者，作為導電體，從導電性及基於鍍覆法之形成的觀點考慮，銅（Cu）、金（Au）、鋁（Al）、鎳（Ni）及鈷（Co）為較佳，銅（Cu）及金（Au）為更佳，銅（Cu）為進一步較佳。
＜鍍覆法＞ 作為對具有沿厚度方向Dt延伸之複數個細孔32之陽極氧化膜34在細孔32的內部填充金屬之鍍覆法，例如能夠使用電鍍法或無電鍍法。 在此，在用於著色等之以往公知的電鍍法中，很難以高縱橫比在孔中選擇性析出（成長）金屬。認為這是因為，析出金屬在孔內被消耗而即使進行一定時間以上的電解，鍍覆亦不會成長。 因此，在藉由電鍍法填充金屬之情況下，脈衝電解或恆電位電解時需要設置暫停時間。暫停時間需要10秒鐘以上，30～60秒鐘為較佳。 又，為了促進電解液的攪拌，期望添加超聲波。
另外，電解電壓通常為20V以下，較佳為10V以下，但是預先測量所使用之電解液中的目標金屬的析出電位並且在其電位+1V以內進行恆電位電解為較佳。再者，在進行恆電位電解時，能夠併用循環伏安法者為較佳，能夠使用Solartron公司、BAS Inc.、HOKUTO DENKO CORPORATION、Ivium Technologies B.V.等的恆電位裝置。
（鍍液） 鍍液能夠使用以往公知的鍍液。 具體而言，在析出銅之情況下，通常使用硫酸銅水溶液，硫酸銅的濃度為1～300g/L為較佳，100～200g/L為更佳。又，若電解液中添加鹽酸，則能夠促進析出。該情況下，鹽酸濃度為10～20g/L為較佳。 又，在析出金之情況下，使用四氯金的硫酸溶液用交流電解進行鍍覆為較佳。
鍍液含有界面活性劑為較佳。 作為界面活性劑，能夠使用公知者。亦能夠直接使用以往作為添加到鍍液之界面活性劑而習知的月桂基硫酸鈉。親水性部分亦能夠利用離子性（陽離子性・陰離子性・兩性）者、非離子性者中的任一種，但是從避免在鍍覆對象物表面上產生氣泡等之方面考慮，陽離子性活性劑為較佳。鍍液組成中的界面活性劑的濃度為1質量%以下為較佳。 再者，在無電鍍法中，在由縱橫比高的細孔構成之孔中完全填充金屬需要長時間，因此使用電鍍法在細孔中填充金屬為較佳。
〔基板去除步驟〕 基板去除步驟為在填充步驟之後去除上述鋁基板之步驟。去除鋁基板之方法並無特別限定，例如可較佳地舉出藉由溶解來去除之方法等。
＜鋁基板的溶解＞ 上述鋁基板的溶解中使用難以溶解陽極氧化膜且容易溶解鋁之處理液為較佳。 該等處理液對鋁之溶解速度為1μm/分鐘以上為較佳，3μm/分鐘以上為更佳，5μm/分鐘以上為進一步較佳。相同地，對陽極氧化膜之溶解速度成為0.1nm/分鐘以下為較佳，成為0.05nm/分鐘以下為更佳，成為0.01nm/分鐘以下為進一步較佳。 具體而言，含有至少1種離子化傾向比鋁低的金屬化合物並且pH成為4以下或8以上之處理液為較佳，其pH為3以下或9以上為更佳，2以下或10以上為進一步較佳。
作為溶解鋁之處理液，將酸或鹼水溶液作為基液而摻合例如錳、鋅、鉻、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、銻、鉍、銅、汞、銀、鈀、鉑、金的化合物（例如氯化鉑酸）、該等氟化物、該等氯化物等而成者為較佳。 其中，酸水溶液基液為較佳，混合氯化物為較佳。 尤其，從處理寬容度的觀點考慮，在鹽酸水溶液中混合氯化汞而成之處理液（鹽酸/氯化汞）、在鹽酸水溶液中混合氯化銅而成之處理液（鹽酸/氯化銅）為較佳。 再者，溶解鋁之處理液的組成並無特別限定，例如能夠使用溴/甲醇混合物、溴/乙醇混合物及王水等。
又，溶解鋁之處理液的酸或鹼濃度為0.01～10mol/L為較佳，0.05～5mol/L為更佳。 另外，使用溶解鋁之處理液之處理溫度為-10℃～80℃為較佳，0℃～60℃為更佳。
又，藉由使上述鍍覆步驟之後的鋁基板與上述處理液接觸來進行上述鋁基板的溶解。接觸之方法並無特別限定，例如可舉出浸漬法、噴塗法。其中，浸漬法為較佳。作為此時的接觸時間，10秒鐘～5小時為較佳，1分鐘～3小時為更佳。
再者，陽極氧化膜34中例如可以設置支撐體。支撐體為與陽極氧化膜34相同的外形狀為較佳。藉由安裝支撐體，提高操作性。
〔突出步驟〕 突出步驟為在填充步驟與被覆步驟之間使柱狀體從絕緣膜的一個表面及另一個表面中的至少1個面突出之步驟。 具體例中，去除上述陽極氧化膜34的一部分。去除陽極氧化膜34的一部分時例如可使用不會溶解構成導體14之金屬而溶解陽極氧化膜34、亦即氧化鋁（Al 2O 3）之酸水溶液或鹼水溶液。藉由使上述酸水溶液或鹼水溶液與具有填充有金屬之細孔32之陽極氧化膜34接觸，去除陽極氧化膜34的一部分。使上述酸水溶液或鹼水溶液與陽極氧化膜34接觸之方法並無特別限定，例如可舉出浸漬法及噴塗法。其中，浸漬法為較佳。
在使用酸水溶液之情況下，使用硫酸、磷酸、硝酸及鹽酸等無機酸或該等混合物的水溶液為較佳。其中，從安全性優異之方面考慮，不含有鉻酸的水溶液為較佳。酸水溶液的濃度為1～10質量%為較佳。酸水溶液的溫度為25～60℃為較佳。 又，在使用鹼水溶液之情況下，使用選自包括氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰之群組中之至少一個鹼水溶液為較佳。鹼水溶液的濃度為0.1～5質量%為較佳。鹼水溶液的溫度為20～35℃為較佳。 具體而言，例如可較佳地使用50g/L、40℃的磷酸水溶液、0.5g/L、30℃的氫氧化鈉水溶液或0.5g/L、30℃的氫氧化鉀水溶液。
酸水溶液或鹼水溶液中的浸漬時間為8～120分鐘為較佳，10～90分鐘為更佳，15～60分鐘為進一步較佳。在此，在反覆短時間的浸漬處理之情況下，浸漬時間係指各浸漬時間的總計。再者，在各浸漬處理之間亦可以實施清洗處理。
又，關於使金屬35、亦即導體14從陽極氧化膜34的表面34a或背面34b突出之程度，如上所述使導體14比陽極氧化膜34的表面34a或背面34b突出10nm～300nm為較佳。亦即，突出部14a從表面34a的突出長度hc、突出部14b從背面34b突出的導體14的突出長度hc分別為10nm～300nm為較佳。若突出部14b從背面34b突出的導體14的突出長度hc分別為30nm～500nm，則被覆層20、22與絕緣膜12的密接性變得良好，因此較佳。
在嚴格控制導體14的突出部的突出長度hc之情況下，在細孔32的內部填充金屬等導電性物質之後進行加工，以使陽極氧化膜34與金屬等導電性物質的端部在同一平面上，之後選擇性去除絕緣膜、陽極氧化膜為較佳。 又，以減少伴隨金屬的填充而產生之導體14內的變形為目的，在上述金屬的填充之後或突出步驟之後能夠實施加熱處理。 從抑制金屬的氧化之觀點考慮，在還元性環境下實施加熱處理為較佳，具體而言，在氧濃度為20Pa以下進行為較佳，在真空下進行為更佳。在此，真空係指氣體密度及氣壓中的至少一個 比大氣低的空間的狀態。 又，以矯正為目的，對陽極氧化膜34施加應力的同時進行加熱處理為較佳。
〔樹脂層的形成步驟〕 樹脂層21的形成步驟中例如使用噴墨法、轉印法、噴塗法或網版印刷法等。噴墨法係直接在絕緣膜12上形成樹脂層21，因此能夠簡化樹脂層21的形成步驟，因此為較佳。又，樹脂層21例如能夠使用以往公知的表面保護帶黏貼裝置及層壓機來形成。又，在樹脂層的形成步驟中，在絕緣膜的表面的整個表面形成樹脂層。
作為構成樹脂層21之樹脂材料，具體而言，例如能夠舉出乙烯系共聚物、聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯腈系樹脂及纖維素系樹脂等熱塑性樹脂。作為構成樹脂層21之樹脂材料，亦能夠使用聚丙烯腈。 關於樹脂層21，從輸送性的觀點及容易用作各向異性導電性構件之觀點考慮，上述樹脂層為能夠剝離的帶黏著層之膜為較佳，藉由加熱處理或紫外線曝光處理而黏著性變弱並且能夠剝離之帶黏著層之膜為更佳。
上述帶黏著層之膜並無特別限定，可舉出熱剝離型的樹脂層及紫外線（ultraviolet：UV）剝離型的樹脂層等。 在此，熱剝離型的樹脂層在常溫下具有黏著力並且能夠僅藉由加熱來容易剝離，因此多為主要使用發泡性微膠囊等者。 又，作為構成黏著層之黏著劑，具體而言，例如可舉出橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺酯系黏著劑、苯乙烯-二烯封端共聚物系黏著劑等。 又，UV剝離型的樹脂層係具有UV硬化型接著層者，係藉由硬化失去黏著力而能夠剝離者。
作為UV硬化型接著層，可舉出基礎聚合物中將碳-碳雙鍵導入到聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端之聚合物等。作為具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物，將丙烯酸系聚合物作為基本骨架為較佳。 此外，丙烯酸系聚合物能夠依據需要作為共聚合用單體成分而還包含多官能性單體等，以進行交聯。 具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物能夠單獨使用，但是亦能夠摻合UV硬化性單體或寡聚物。 為了藉由UV照射使UV硬化型接著層硬化，併用光聚合起始劑為較佳。作為光聚合起始劑，可舉出安息香醚系化合物；縮酮系化合物；芳香族磺醯基氯化物系化合物；光活性肟系化合物；二苯甲酮系化合物；噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。
作為熱剝離型的樹脂層的市售品，例如可舉出WS5130C02、WS5130C10等Intelimer〔註冊商標〕膠帶（NITTA Corporation製）；SOMATAC〔註冊商標〕TE系列（SOMAR公司製）；No.3198、No.3198LS、No.3198M、No.3198MS、No.3198H、No.3195、No.3196、No.3195M、No.3195MS、No.3195H、No.3195HS、No.3195V、No.3195VS、No.319Y-4L、No.319Y-4LS、No.319Y-4M、No.319Y-4MS、No.319Y-4H、No.319Y-4HS、No.319Y-4LSC、No.31935MS、No.31935HS、No.3193M、No.3193MS等REVALPHA〔註冊商標〕系列（Nitto Denko Corporation製）；等。
作為UV剝離型的樹脂層的市售品，例如能夠利用ELP DU-300、ELP DU-2385KS、ELP DU-2187G、ELP NBD-3190K、ELP UE-2091J等ELEP HOLDER〔註冊商標〕（Nitto Denko Corporation製）；Adwill D-210、Adwill D-203、Adwill D-202、Adwill D-175、Adwill D-675（均為LINTEC Corporation製）；SUMILITE〔註冊商標〕FLS的N8000系列（Sumitomo Bakelite Co., Ltd.製）；UC353EP-110（FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.製）；等切割帶。此外，作為UV剝離型的樹脂層的市售品，例如能夠利用ELP RF-7232DB、ELP UB-5133D（均為Nitto Denko Corporation製）；SP-575B-150、SP-541B-205、SP-537T-160、SP-537T-230（均為FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.製）；等的背面磨光帶。 上述帶黏著層之膜能夠使用公知的表面保護帶黏貼裝置及層壓機來黏貼。
作為樹脂層21的形成方法，除了上述方法以外，例如可舉出將含有後述的抗氧化材料、高分子材料、溶劑（例如，甲基乙基酮等）等之樹脂組成物塗佈於絕緣膜的表面及背面進行乾燥並且依據需要進行煅燒之方法等。 樹脂組成物的塗佈方法並無特別限定，例如能夠使用凹版塗佈法、反轉塗佈法、模塗法、編織塗佈法、輥塗法、氣刀塗佈法、網版塗佈法、棒塗法及簾塗法等以往公知的塗佈方法。 又，塗佈後的乾燥方法並無特別限定，例如可舉出在大氣下0℃～100℃的溫度下加熱幾秒～幾十分鐘之處理、在減壓下0℃～80℃的溫度下加熱十幾分鐘～幾小時之處理等。 又，乾燥後的煅燒方法依據所使用之高分子材料而不同，因此並無特別限定，但是在使用聚醯亞胺樹脂之情況下，例如可舉出在160℃～240℃的溫度下加熱2分鐘～60分鐘之處理等，在使用環氧樹脂之情況下，例如可舉出在30℃～80℃的溫度下加熱2分鐘～60分鐘之處理等。
樹脂層亦能夠使用以下所示之組成。以下，對樹脂層的組成進行說明。例如，樹脂層係含有高分子材料者，亦可以含有抗氧化材料。
＜高分子材料＞ 作為樹脂層中所包含之高分子材料，並無特別限定，但是從能夠高效率地填埋半導體晶片或半導體晶圓等接合對象與結構體的間隙並且更加提高結構體與半導體晶片或半導體晶圓的密接性之理由考慮，熱固性樹脂為較佳。 作為熱固性樹脂，具體而言，例如可舉出環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯系樹脂等。 其中，從更加提高絕緣可靠性並且耐藥品性優異之理由考慮，使用聚醯亞胺樹脂及/或環氧樹脂為較佳。
＜抗氧化材料＞ 作為樹脂層中所包含之抗氧化材料，具體而言，例如可舉出1,2,3,4-四唑、5-胺基-1,2,3,4-四唑、5-甲基-1,2,3,4-四唑、1H-四唑-5-乙酸、1H-四唑-5-丁二酸、1,2,3-三唑、4-胺基-1,2,3-三唑、4,5-二胺基-1,2,3-三唑、4-羧基-1H-1,2,3-三唑、4,5-二羧基-1H-1,2,3-三唑、1H-1,2,3-三唑-4-乙酸、4-羧基-5-羧甲基-1H-1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3,5-二胺基-1,2,4-三唑、3-羧基-1,2,4-三唑、3,5-二羧基-1,2,4-三唑、1,2,4-三唑-3-乙酸、1H-苯并三唑、1H-苯并三唑-5-羧酸、苯并呋喃、2,1,3-苯并噻唑、鄰伸苯基二胺、m-伸苯基二胺、兒茶酚、鄰胺基苯酚、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并㗁唑、三聚氰胺及該等的衍生物。 該等之中，苯并三唑及其衍生物為較佳。 作為苯并三唑衍生物，可舉出苯并三唑的苯環上具有羥基、烷氧基（例如，甲氧基、乙氧基等）、胺基、硝基、烷基（例如，甲基、乙基、丁基等）、鹵素原子（例如，氟、氯、溴、碘等）等之取代苯并三唑。又，亦能夠舉出與萘三唑、萘雙三唑相同地取代之取代萘三唑、取代萘雙三唑等。
又，作為樹脂層中所包含之抗氧化材料的另一例，可舉出通常的抗氧化劑、亦即高級脂肪酸、高級脂肪酸銅、酚化合物、烷醇胺、氫醌類、銅螯合劑、有機胺、有機銨鹽等。
樹脂層中所包含之抗氧化材料的含量並無特別限定，從耐蝕效果的觀點考慮，相對於樹脂層的總質量為0.0001質量%以上為較佳，0.001質量%以上為更佳。又，從正式接合製程中獲得適當的電阻之理由考慮，5.0質量%以下為較佳，2.5質量%以下為更佳。
＜遷移防止材料＞ 從藉由捕獲能夠在樹脂層中含有之金屬離子、鹵素離子以及源自半導體晶片及半導體晶圓之金屬離子而絕緣可靠性得以更加提高之理由考慮，樹脂層含有遷移防止材料為較佳。
作為遷移防止材料，例如能夠使用離子交換體、具體而言為陽離子交換體與陰離子交換體的混合物或僅為陽離子交換體。 在此，陽離子交換體及陰離子交換體分別例如能夠從後述之無機離子交換體及有機離子交換體中適當選擇。
（無機離子交換體） 作為無機離子交換體，例如可舉出以含氫氧化鋯為代表之金屬的含氫氧化物。 作為金屬的種類，例如除了鋯以外還已知鐵、鋁、錫、鈦、銻、鎂、鈹、銦、鉻、鉍等。 該等中，鋯系者對作為陽離子的Cu 2+、Al 3+具有交換能力。又，關於鐵系者亦對Ag +、Cu 2+具有交換能力。同樣地，錫系、鈦系、銻系者為陽離子交換體。 另一方面，鉍系者對作為陰離子的Cl -具有交換能力。 又，鋯系者在依據製造條件顯示陰離子的交換能力。鋁系、錫系者亦相同。 作為該等以外的無機離子交換體，已知以磷酸鋯為代表之多價金屬的酸性鹽、以磷鉬酸銨為代表之雜多酸鹽、不溶性亞鐵氰化物等合成物。 該等無機離子交換體的一部分已有市售，例如已知TOAGOSEI CO.,LTD.的產品名稱為“IXE”中的各種等級。 再者，除了合成品以外，亦能夠使用如天然物的沸石或蒙脫石的無機離子交換體的粉末。
（有機離子交換體） 有機離子交換體中，作為陽離子交換體，可舉出具有磺酸基之交聯聚苯乙烯，除此以外，亦可舉出具有羧酸基、膦酸基或次膦酸基者。 又，作為陰離子交換體，可舉出具有四級銨基、四級鏻基或三級鋶基之交聯聚苯乙烯。
考慮想要捕獲之陽離子、陰離子的種類、該離子的交換容量，適當選擇該等無機離子交換體及有機離子交換體即可。當然，亦可以混合使用無機離子交換體及有機離子交換體。 電子元件的製造步驟中，包括加熱之製程，因此無機離子交換體為較佳。
又，關於離子交換體與上述之高分子材料的混合比，從機械強度的觀點考慮，例如將離子交換體設為10質量%以下為較佳，將離子交換體設為5質量%以下為更佳，進而將離子交換體設為2.5質量%以下為進一步較佳。又，從抑制接合半導體晶片或半導體晶圓與結構體時的遷移之觀點考慮，將離子交換體設為0.01質量%以上為較佳。
＜無機填充劑＞ 樹脂層含有無機填充劑為較佳。 作為無機填充劑，並無特別限制，能夠從公知者適當選擇，例如可舉出高嶺土、硫酸鋇、鈦酸鋇、氧化矽粉、微粉狀氧化矽、氣相法二氧化矽、無定形二氧化矽、結晶性二氧化矽、熔融二氧化矽、球狀二氧化矽、滑石、黏土、碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、雲母、氮化鋁、氧化鋯、氧化釔、碳化矽、氮化矽等。
從防止無機填充劑進入到導體之間並且更加提高導通可靠性之理由考慮，無機填充劑的平均粒徑大於各導體的間隔為較佳。 無機填充劑的平均粒徑為30nm～10μm為較佳，80nm～1μm為更佳。 在此，關於平均粒徑，將用雷射繞射散射式粒徑測量裝置（Nikkiso Co.,Ltd.製Microtrack MT3300）來測定之一次粒徑設為平均粒徑。
＜硬化劑＞ 樹脂層可以含有硬化劑。 在含有硬化劑之情況下，從抑制與連接對象亦即半導體晶片或半導體晶圓的表面形狀的接合不良之觀點考慮，不使用在常溫下為固體的硬化劑而使用含有在常溫下為液體的硬化劑為更佳。 在此，“常溫下為固體”係指在25℃下為固體，例如係指融點溫度高於25℃之物質。
作為硬化劑，具體而言，例如可舉出二胺基二苯基甲烷、如二胺基二苯基碸的芳香族胺、脂肪族胺、4-甲基咪唑等咪唑衍生物、二氰二胺、四甲基胍、硫脲加成胺、甲基六氫鄰苯二甲酸酐等羧酸酐、羧酸醯肼、羧酸醯胺、聚酚化合物、酚醛清漆樹脂、多硫醇等，能夠從該等的硬化劑中適當選擇在25℃下為液體者而使用。再者，硬化劑可以使用單獨1種，亦可以併用2種以上。
樹脂層在不會損害其特性之範圍內可以含有經常添加到半導體封裝的樹脂絕緣膜之分散劑、緩衝劑、黏度調整劑等各種添加劑。
作為樹脂層，除了上述者以外，例如能夠使用含有包含以下所示之丙烯酸聚合物、丙烯酸單體及順丁烯二醯亞胺化合物之主組成物者。
＜丙烯酸聚合物＞ 丙烯酸聚合物為包含源自（甲基）丙烯酸酯成分之構成單元之聚合物，樹脂層的黏性不過強且半導體的構裝步驟中損害作業性之可能性少為較佳。作為（甲基）丙烯酸酯成分，例如能夠使用（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸三級丁酯、（甲基）丙烯酸丁氧基乙酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛基庚酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸月桂酯等。
丙烯酸聚合物除了上述（甲基）丙烯酸酯成分以外，還可以包含與能夠與上述（甲基）丙烯酸酯成分共聚的其他單體成分對應之構成單元。作為其他單體成分，例如能夠使用含羧基之單體（例如，（甲基）丙烯酸）、含環氧基之單體（例如，（甲基）丙烯酸環氧丙酯）、含腈基之單體（例如，丙烯腈等）。
例如，作為丙烯酸聚合物，能夠使用包含與丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、甲基丙烯酸環氧丙酯及丙烯腈對應之構成單元者。
丙烯酸聚合物能夠藉由聚合上述（甲基）丙烯酸酯成分或其他單體成分來獲得。聚合方法可舉出溶液聚合、乳化聚合、整體聚合（bulk polymerization）、懸浮聚合等。作為丙烯酸聚合物的聚合反應的種類，例如可舉出自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合、活性自由基聚合、活性陽離子聚合、活性陰離子聚合、配位聚合等。
丙烯酸聚合物的重量平均分子量（Mw）並無特別限制，例如能夠設為包含在100000以上且1200000以下的範圍內，亦能夠設為包含在500000以上且1000000以下的範圍內。
若將樹脂層中的丙烯酸聚合物、丙烯酸單體及順丁烯二醯亞胺化合物稱為主組成物，則丙烯酸聚合物在100質量份的主組成物中，在10質量份以上且60質量份以下的範圍內含有，較佳為在10質量份以上且45質量份以下的範圍內含有，進一步較佳為在15質量份以上且40質量份以下的範圍內含有。若丙烯酸聚合物的含量小於10質量份，則存在難以排除空隙之傾向。又，若丙烯酸聚合物的含量超過60質量份，則存在難以實現低壓構裝之傾向，並且存在連接性亦變差之傾向。
關於丙烯酸聚合物，可以在主組成物中單獨含有1種丙烯酸聚合物，亦可以併用2種以上的丙烯酸聚合物而含有。在併用2種以上的丙烯酸聚合物之情況下，樹脂層中的丙烯酸聚合物的含量的合計在上述範圍內為較佳。
＜丙烯酸單體＞ 作為丙烯酸單體，能夠使用單官能（甲基）丙烯酸酯、2官能以上的（甲基）丙烯酸酯。作為丙烯酸單體，例如可舉出異三聚氰酸EO改質二丙烯酸酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、異三聚氰酸EO改質三丙烯酸酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、二新戊四醇及四丙烯酸酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、2-羥基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、9,9-雙[4-（2-丙烯醯氧基乙氧基）苯基]茀（Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製）、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯（Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製）、乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯（Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製）、茀系丙烯酸酯（例如，產品名：OGSOL EA0200、EA0300、Osaka Gas Chemicals Co.,Ltd.製）等。該等丙烯酸單體之中，若考慮耐熱性等，則高耐熱性之茀系丙烯酸酯為較佳。
樹脂層中的丙烯酸單體在100質量份的主組成物中能夠設為在10質量份以上且60質量份以下的範圍內含有，較佳為在10質量份以上且55質量份以下的範圍內含有，更佳為在10質量份以上且50質量份以下的範圍內含有。若丙烯酸單體的含量小於10質量份，則存在連接性變差之傾向。又，若丙烯酸單體的含量超過60質量份，則存在難以排除空隙之傾向。
關於丙烯酸單體，可以單獨含有1種丙烯酸單體，亦可以併用2種以上的丙烯酸單體而含有。在併用2種以上的丙烯酸單體之情況下，樹脂層中的丙烯酸單體的含量的合計在上述範圍內為較佳。
＜順丁烯二醯亞胺化合物＞ 作為順丁烯二醯亞胺化合物，例如能夠使用在1分子中具有2個以上的順丁烯二醯亞胺基之化合物，雙順丁烯二醯亞胺為較佳。作為順丁烯二醯亞胺化合物，例如可舉出4-甲基-1,3-伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、4,4-雙順丁烯二醯亞胺二苯基甲烷、間伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、雙酚A二苯基醚雙順丁烯二醯亞胺、3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺等。該等中，芳香族雙順丁烯二醯亞胺為較佳，尤其，若考慮樹脂層的製造步驟中的作業性，則溶劑溶解性或流動性良好的3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺為較佳。
樹脂層中的順丁烯二醯亞胺化合物在100質量份的主組成物中在20質量份以上且70質量份以下的範圍內含有，較佳為在20質量份以上且60質量份以下的範圍內含有，更佳為在20質量份以上且55質量份以下而的範圍內含有。若順丁烯二醯亞胺化合物的含量小於20質量份，則存在難以實現低壓構裝之傾向，並且存在連接性亦變差之傾向。又，若順丁烯二醯亞胺化合物的含量超過70質量份，則存在難以進行低壓構裝及無空隙構裝之傾向。
樹脂層中所使用之組成物依據目的還可以含有除了構成上述主組成物之成分以外的其他成分。作為其他成分，例如可舉出酚化合物、填料等。
＜酚化合物＞ 酚化合物能夠用作上述順丁烯二醯亞胺化合物用硬化劑，但是即使不含有苯酚亦能夠開始熱硬化反應。作為酚化合物，例如能夠使用烯丙基化雙酚，具體而言，能夠使用2,2’-二烯丙基雙酚A（產品名：DABPA）、4,4’-（二甲基亞甲基）雙[2-（2-丙烯基）苯酚]、4,4’-亞甲基雙[2-（2-丙烯基）苯酚]、4,4’-（二甲基亞甲基）雙[2-（2-丙烯基）-6-甲基苯酚]等。該等中，2,2’-二烯丙基雙酚A為較佳。
含有酚化合物時的酚化合物的含量例如相對於丙烯酸聚合物、丙烯酸單體、順丁烯二醯亞胺化合物及酚化合物的合計100質量份能夠設為15質量份以下。關於酚化合物，可以單獨含有1種酚化合物，亦可以併用2種以上的酚化合物而含有。在併用2種以上的酚化合物之情況下，樹脂層中的酚化合物的含量的合計在上述範圍內為較佳。
＜填料＞ 作為填料，能夠使用無機填充劑、有機填充劑、導電性粒子等。尤其，從降低線膨脹率或提高可靠性之觀點考慮，使用無機填充劑（例如，二氧化矽填料）為較佳。
在使用填料之情況下，填料的含量例如相對於丙烯酸聚合物、丙烯酸單體、順丁烯二醯亞胺化合物及填料的合計100質量份能夠設為30質量份以下。關於填料，可以單獨含有1種填料，亦可以併用2種以上而含有。在併用2種以上的填料之情況下，樹脂層中的填料的含量的合計在上述範圍內為較佳。
〔被覆樹脂層的形成步驟〕 被覆樹脂層23的形成步驟中例如使用噴墨法、轉印法、噴塗法或網版印刷法等。噴墨法係直接在樹脂層21上形成被覆樹脂層23，因此能夠簡化被覆樹脂層23的形成步驟，因此為較佳。 又，亦能夠使用塗佈於樹脂層21的表面21a之塗佈方法。作為塗佈方法，例如能夠使用凹版塗佈法、反轉塗佈法、模塗法、編織塗佈法、輥塗法、氣刀塗佈法、網版塗佈法、棒塗法及簾塗法等以往公知的塗佈方法。 被覆樹脂層例如由羧甲基纖維素、氯乙烯或聚乙烯醇構成。
本發明為基本上如以上那樣構成者。以上，對本發明的結構體之製造方法進行了詳細說明，但是本發明並不限定於上述實施形態，當然在不脫離本發明的宗旨之範圍內可以進行各種改良或變更。 [實施例]
以下舉出實施例，對本發明的特徵進行進一步具體的說明。以下實施例所示之材料、試劑、物質量與其比例及操作等只要不脫離本發明的宗旨，則能夠適當變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下實施例。 在本實施例中，製作了實施例1～16的結構體及比較例1～3的結構體。對於實施例1～16的結構體及比較例1～3的結構體，作為與電子零件等的接合的可靠性的指標，評價了非導通方向的絕緣性。將非導通方向的絕緣性的評價結果示於下述表2中。首先，對非導通方向的絕緣性的評價進行說明。
（非導通方向的絕緣性） 首先，在具有對向部的長度為100μm且電極間為5μm的電極圖案之TEG晶片（Test Element Group chip）上放置結構體的導體的突出部側的突出面，並從結構體上方經由Si晶片進行了按壓。再者，以對電極施加50MPa的壓力的方式進行了按壓。 在按壓之狀態下，使探針與TEG晶片的兩端的引出電極接觸，使用TEKTRONIX, INC.源表來測量電阻值R。藉由基於電阻值R之下述評價標準評價了非導通方向的絕緣性。再者，下述評價標準中，若評價為A～D，則實用上沒有問題。 評價標準 A：1GΩ≤電阻值R B：100MΩ≤電阻值R＜1GΩ C：10MΩ≤電阻值R＜100MΩ D：1MΩ≤電阻值R＜10MΩ E：100kΩ≤電阻值R＜10MΩ F：電阻值R＜100kΩ
以下，對實施例1～16及比較例1～3進行說明。 （實施例1） 對實施例1的結構體進行說明。 [結構體] ＜鋁基板的製作＞ 使用含有Si：0.06質量%、Fe：0.30質量%、Cu：0.005質量%、Mn：0.001質量%、Mg：0.001質量%、Zn：0.001質量%、Ti：0.03質量%且殘餘部分為Al及不可避免的雜質的鋁合金來製備熔融金屬，在進行了熔融金屬處理及過濾之基礎上，藉由DC（Direct Chill，半連續）鑄造法製作了厚度500mm、寬度1200mm的鑄塊。 接著，藉由面削機以平均10mm的厚度刮掉表面之後，在550℃下均熱保持約5小時，溫度降低至400℃時，使用熱壓延機製得厚度2.7mm的壓延板。 此外，使用連續退火機在500℃下進行了熱處理之後，藉由冷軋而加工成厚度1.0mm，獲得了JIS 1050材的鋁基板。 將該鋁基板製成寬度1030mm之後，實施了以下所示之各處理。
＜電解研磨處理＞ 對上述鋁基板使用以下組成的電解研磨液，在電壓25V、液體溫度65℃、液流速3.0m/min的條件下實施了電解研磨處理。 陰極為碳電極，電源使用了GP0110-30R（TAKASAGO LTD.製）。又，電解液的流速使用漩渦式流量監測器FLM22-10PCW（AS ONE Corporation製）進行了測量。
（電解研磨液組成） ・85質量%磷酸（Wako Pure Chemical, Ltd.製試劑）  660mL ・純水  160mL ・硫酸  150mL ・乙二醇  30mL
＜陽極氧化處理步驟＞ 接著，依據日本特開2007-204802號公報中所記載之步驟，對電解研磨處理後的鋁基板實施了基於自正則化法之陽極氧化處理。 藉由0.50mol/L草酸的電解液，在電壓40V、液體溫度16℃、液流速3.0m/min的條件下對電解研磨處理後的鋁基板實施了5小時的預陽極氧化處理。 之後，實施了將預陽極氧化處理後的鋁基板在0.2mol/L無水鉻酸、0.6mol/L磷酸的混合水溶液（液溫：50℃）中浸漬12小時之脫膜處理。 之後，藉由0.3mol/L草酸的電解液，在電壓40V、液體溫度15℃、液流速3.0m/min的條件下實施3小時45分鐘的再陽極氧化處理，獲得了膜厚40μm的陽極氧化膜。 再者，預陽極氧化處理及再陽極氧化處理中，陰極均為不鏽鋼電極，電源使用了GP0110-30R（TAKASAGO LTD.製）。又，冷卻裝置使用了NeoCool BD36（Yamato Scientific co., ltd.製）、攪拌加溫裝置使用了配對攪拌器 PS-100（EYELA TOKYO RIKAKIKAI CO.,LTD.製）。此外，電解液的流速使用漩渦式流量監測器FLM22-10PCW（AS ONE Corporation製）進行了測量。
＜阻擋層去除步驟＞ 接著，在陽極氧化處理步驟之後，使用將氧化鋅溶解於氫氧化鈉水溶液（50g/l）中使其成為2000ppm之鹼水溶液，實施在30℃下浸漬150秒鐘之蝕刻處理來去除存在於陽極氧化膜的微孔（細孔）的底部之阻擋層，並且同時在暴露之鋁基板的表面析出鋅。 又，阻擋層去除步驟之後的陽極氧化膜的平均厚度為40μm。
＜金屬填充步驟＞ 接著，將鋁基板作為陰極，將鉑作為正極，實施了電鍍處理。 具體而言，使用以下所示之組成的銅鍍液，實施定電流電解，藉此製作了在微孔的內部填充有銅之各向異性導電性基材。在此，定電流電解使用YAMAMOTO-MS Co., LTD.製的鍍覆裝置，並且使用HOKUTO DENKO CORPORATION製的電源（HZ-3000），在鍍液中進行循環伏安法確認析出電位之後，在以下所示之條件下實施了處理。 （銅鍍液組成及條件） ・硫酸銅 100g/L ・硫酸 50g/L ・鹽酸 15g/L ・溫度 25℃ ・電流密度 10A/dm 2
使用場發射型掃描電子顯微鏡（FE-SEM）觀察在微孔填充金屬之後的陽極氧化膜的表面，觀察1000個微孔中的基於金屬之封孔的有無，算出封孔率（封孔微孔的個數/1000個），其結果為98%。 又，使用聚焦離子束（FIB）在厚度方向上對在微孔中填充金屬之後的陽極氧化膜進行切削加工，使用場發射型掃描電子顯微鏡（FE-SEM）對其截面拍攝表面照片（倍率50000倍），確認了微孔的內部，其結果確認到在被封孔之微孔的內部完全被金屬填充。
＜基板去除步驟＞ 接著，藉由浸漬於氯化銅/鹽酸的混合溶液中而溶解並去除鋁基板，從而製作了平均厚度40μm的各向異性導電性基材。 所製作之各向異性導電性基材中的導體的平均直徑為60nm，與相鄰之突出部的間隔為40nm，第1接近距離為100nm，導體的密度為5770萬個/mm 2。
＜突出步驟＞ 將基板去除步驟後的各向異性導電性基材浸漬於氫氧化鉀（KOH）水溶液（濃度：0.01mol/L），調整浸漬時間並選擇性溶解鋁的陽極氧化膜的表面，以使突出部的高度成為300nm，接著，進行水洗且乾燥，使作為導體之銅的圓柱、亦即導體突出。 同樣地，對於鋁的陽極氧化膜的背面，亦以導體的突出長度（符號hc、參閱圖1）成為300nm的方式使作為導體之銅的圓柱、亦即導體突出。
導體的平均直徑為如下：使用掃描型電子顯微鏡從正上方以倍率100～10000倍拍攝陽極氧化膜的表面來獲得了攝影圖像。在攝影圖像中，抽取至少20個周圍以環狀連接之導體，測量其直徑作為開口直徑，計算該等開口直徑的平均值作為導體的平均直徑。再者，導體的平均直徑為突出部的平均直徑。 導體的突出長度hc為如下值：使用聚焦離子束（Focused Ion Beam：FIB）將陽極氧化膜沿厚度方向Dt（參閱圖1）進行切削加工，並使用場發射型掃描電子顯微鏡（FE-SEM）對其截面拍攝表面照片（倍率5萬倍），測量10點並作為平均值而算出之值。 第1接近距離為如下：在為了算出上述導體的平均直徑而獲得之陽極氧化膜的攝影圖像中進一步確定所確定之導體的中心位置Cp（參閱圖3）。任意1個導體中，將與相鄰之導體的中心位置之間的距離中最近的距離設為第1接近距離。
＜樹脂層的形成步驟＞ 以使導體的突出部的突出高度成為10nm的方式，在各向異性導電性基材的陽極氧化膜的兩面形成樹脂層，從而獲得了結構體。使用聚丙烯腈來形成了樹脂層。再者，突出部的突出高度藉由改變聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時的轉速等來調整。 聚丙烯腈使用了下述組成的組成物。 組成物 ・甲基乙基酮                  50質量份 ・丙烯酸乙酯/丙烯腈共聚物 （Mw：160000、共聚合莫耳比95:5）  16質量份 ・順丁烯二醯亞胺化合物 （產品名：BMI5100、Daiwa Fine Chemicals Co.,Ltd.製） 22質量份 ・雙烯丙基苯酚 （產品名：DABPA、Daiwa Fine Chemicals Co.,Ltd.製） 12質量份
在實施例1中，使用溫度30℃的硫酸溶液，實施了10秒鐘的導體的突出部的清洗。將硫酸溶液的pH（氫離子指數）設為0.8。 清洗步驟之後，實施了水清洗處理。水清洗處理中，使實施了導體的突出部的清洗之處理表面朝向下側，對處理面從下部噴射純水之狀態下清洗了5分鐘。在實施例1中，導體的突出部位於陽極氧化膜的兩面，對這兩者的處理表面分別實施了水清洗處理。水清洗處理之後，乾燥了結構體。水清洗處理及乾燥之後實施了非導通方向的絕緣性的評價。
再者，表2中記載有樹脂層及被覆樹脂層對清洗液之溶解性。第1清洗液、第2清洗液及第3清洗液一欄中，“-”表示未使用該清洗液。“可溶”表示溶解。“易溶”表示難溶。“不溶”表示不溶解。再者，“可溶”、“易溶”及“不溶”藉由溶解速度的相對差異來區分。 樹脂層對於第1清洗液、第2清洗液及第3清洗液為“不溶”。 被覆樹脂層中，第1清洗液及第2清洗液係作為去除液發揮作用者。第3清洗液若為“可溶”，則兼作被覆樹脂層的去除液及清洗液。
（實施例2） 實施例2與實施例1相比，不同之處在於具有被覆樹脂層。又，不同之處在於去除被覆樹脂層時使用了乙醇、去除被覆樹脂層之後實施了導體的突出部的清洗。除此以外，與實施例1相同。被覆樹脂層由氯乙烯構成。
＜被覆樹脂層的形成步驟＞ 準備了使用Vinylose稀釋劑將DAI NIPPON TORYO CO.,LTD.製 Vinylose（產品名稱）以質量分率計稀釋50%之溶液。將該溶液塗佈於樹脂層的表面，形成了被覆樹脂層。 再者，調整了塗佈量等，以使被覆樹脂層的最終厚度成為0.2μm。 在實施例2中，使用乙醇去除被覆樹脂層之後，以與實施例1相同的方式實施了導體的突出部的清洗。
（實施例3） 實施例3與實施例2相比，不同之處在於由聚乙烯醇（PVA）構成被覆樹脂層、去除被覆樹脂層時使用水，除此以外，與實施例2相同。 在實施例3中，形成被覆樹脂層時使用了Denka Company Limited製 Denka POVAL（註冊商標） B-17（0.1質量%水溶液）。再者，調整了塗佈量等，以使被覆樹脂層的最終厚度成為0.2μm。 又，在實施例3中，使用溫度50℃的水，實施5分鐘的被覆樹脂層的去除，溶解去除了被覆樹脂層。
（實施例4） 實施例4與實施例2相比，不同之處在於由羧甲基纖維素（CMC）構成被覆樹脂層、去除被覆樹脂層時使用了水，除此以外，與實施例2相同。 在實施例4中，形式被覆樹脂層時使用了Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製METOLOSE（註冊商標） SM-04（0.2質量%水溶液）。在表2中，實施例4的被覆樹脂層一欄中記載為表示羧甲基纖維素之CMC。再者，調整了塗佈量等，以使被覆樹脂層的最終厚度成為0.2μm。 又，在實施例4中，使用溫度5℃的水，實施5分鐘的被覆樹脂層的去除，溶解去除了被覆樹脂層。 （實施例5） 實施例5與實施例3相比，不同之處在於同時實施了被覆樹脂層的去除和導體的突出部的清洗，除此以外，與實施例3相同。 在實施例5中，使用溫度30℃的硫酸溶液，同時實施了30秒鐘的被覆樹脂層的去除和導體的突出部的清洗。
（實施例6） 實施例6與實施例3相比，不同之處在於清洗導體的突出部時使用了檸檬酸溶液，除此以外，與實施例3相同。 在實施例6中，使用溫度30℃的檸檬酸溶液，實施了10秒鐘的導體的突出部的清洗。檸檬酸溶液的pH為2。 （實施例7） 實施例7與實施例3相比，不同之處在於突出部的突出高度及清洗導體的突出部時使用了pH為0.1的硫酸溶液，除此以外，與實施例3相同。實施例7中，突出部的突出高度為100nm。樹脂層的形成步驟中，藉由調整聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時的轉速等來調整了突出部的突出高度。 （實施例8） 實施例8與實施例3相比，不同之處在於清洗導體的突出部時使用了氨水，除此以外，與實施例3相同。在實施例8中，使用溫度30℃的氨水，實施了10秒鐘的導體的突出部的清洗。氨水的pH為11。
（實施例9） 實施例9與實施例3相比，不同之處在於同時實施了被覆樹脂層的去除和導體的突出部的清洗，除此以外，與實施例3相同。在實施例9中，使用溫度30℃的氨水，同時實施了60秒鐘的被覆樹脂層的去除和導體的突出部的清洗。 （實施例10） 實施例10與實施例3相比，導體、亦即突出部的平均直徑不同，與相鄰之突出部的間隔不同。除此以外，與實施例3相同。實施例10中，突出部的平均直徑為80μm，與相鄰之突出部的間隔為20μm。 突出部的平均直徑藉由延長形成陽極氧化膜時的再陽極氧化處理的時間來調整為80nm。
（實施例11） 實施例11與實施例3相比，突出部的突出高度不同，除此以外，與實施例3相同。實施例11中，突出部的突出高度為5nm。樹脂層的形成步驟中，藉由調整聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時的轉速等來調整了突出部的突出高度。 （實施例12） 實施例12與實施例3相比，突出部的突出高度不同，除此以外，與實施例3相同。實施例12中，突出部的突出高度為50nm。樹脂層的形成步驟中，藉由調整聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時的轉速等來調整了突出部的突出高度。 （實施例13） 實施例13與實施例3相比，突出部的突出高度不同，除此以外，與實施例3相同。實施例13中，突出部的突出高度為80nm。樹脂層的形成步驟中，藉由調整聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時的轉速等來調整了突出部的突出高度。 （實施例14） 實施例14與實施例3相比，不同之處在於使用丙二酸進行了處理陽極氧化、突出部的平均直徑、與相鄰之突出部的間隔及第1接近距離，除此以外，與實施例3相同。實施例14中，突出部的平均直徑為200nm，與相鄰之突出部的間隔為100nm，第1接近距離為300nm。 在陽極氧化處理步驟中，藉由5mol/L丙二酸的電解液在電壓120V、液體溫度5℃的條件下實施了再陽極氧化處理。
（實施例15） 實施例15與實施例14相比，突出部的突出高度不同，除此以外，與實施例14相同。實施例15中，突出部的突出高度為50nm。樹脂層的形成步驟中，藉由調整聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時的轉速等來調整了突出部的突出高度。 （實施例16） 實施例16與實施例3相比，不同之處在於僅在一個面上設置了樹脂層及被覆樹脂層，除此以外，與實施例3相同。亦即，實施例16為如下結構：突出部位於陽極氧化膜的兩面，但是樹脂層及被覆樹脂層僅位於陽極氧化膜的單面。
（比較例1） 比較例1與實施例3相比，不同之處在於導體未從樹脂層突出，除此以外，與實施例3相同。 比較例1中，突出部的突出高度為0μm。樹脂層的形成步驟中，藉由聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時調整轉速等，將突出部的突出高度設為0μm。 （比較例2） 比較例2與實施例3相比，突出部的突出高度不同，除此以外，與實施例3相同。比較例2中，突出部的突出高度為200nm。樹脂層的形成步驟中，藉由調整聚丙烯腈的塗佈條件、稀釋率、旋轉塗佈時的轉速等來調整了突出部的突出高度。 （比較例3） 比較例3與實施例3相比，不同之處在於使用硫酸溶液進行了處理陽極氧化、突出部的平均直徑、與相鄰之突出部的間隔及第1接近距離，除此以外，與實施例3相同。比較例3中，突出部的平均直徑為45nm，與相鄰之突出部的間隔為15nm，第1接近距離為60nm。 在陽極氧化處理步驟中，藉由1.5mol/L硫酸的電解液在電壓25V、液體溫度20℃的條件下實施了再陽極氧化處理。
[表1]
   各向異性導電性基材 導體的突出長度 （nm） 即將賦予到被覆樹脂層的溶解處理時之表面形狀 設置有樹脂層及被覆樹脂層之面
電解液 導體 厚度 （μm） 突出部的突出高度 （nm） 突出部的平均直徑 （nm） 相鄰之突出部的間隔 （nm） 第1接近距離（nm） 突出部的突出高度/相鄰間隔
實施例1 草酸 銅 40 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例2 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例3 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例4 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例5 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例6 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例7 300 100 60 40 100 2.50 兩面
實施例8 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例9 300 10 60 40 100 0.25 兩面
實施例10 300 10 80 20 100 0.50 兩面
實施例11 300 5 60 40 100 0.13 兩面
實施例12 300 50 60 40 100 1.25 兩面
實施例13 300 80 60 40 100 2.00 兩面
實施例14 丙二酸 300 10 200 100 300 0.10 兩面
實施例15 300 50 200 100 300 0.50 兩面
實施例16 草酸 300 10 60 40 100 0.25 單面
比較例1 草酸 300 0 60 40 100 0.00 兩面
比較例2 300 200 60 40 100 5.00 兩面
比較例3 硫酸 300 10 45 15 60 0.67 兩面
[表2]
   樹脂層 被覆樹脂層 第1清洗液 第2清洗液 第3清洗液 水清洗處理 評價
樹脂 對清洗液之溶解性 樹脂 對清洗液之溶解性 種類 種類 溫度 時間 種類 溫度 時間 pH 非導通方向的絕緣性
第1清洗液 第2清洗液 第3清洗液 第1清洗液 第2清洗液 第3清洗液 ℃ min ℃ sec
實施例1 聚丙烯腈 - - 不溶 - - - - - - - - 硫酸 30 10 0.8 水洗 B
實施例2 聚丙烯腈 不溶 - 不溶 聚氯乙烯 易溶 - 不溶 乙醇 - - - 硫酸 30 10 0.8 水洗 B
實施例3 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 B
實施例4 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 CMC - 易溶 可溶 - 水 5 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 B
實施例5 聚丙烯腈 - - 不溶 PVA - - 可溶 - - - - 硫酸 30 30 0.8 水洗 B
實施例6 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 檸檬酸 30 10 2 水洗 B
實施例7 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.1 水洗 D
實施例8 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 氨水 30 10 11 水洗 B
實施例9 聚丙烯腈 - - 不溶 PVA - - 可溶 - - - - 氨水 30 60 11 水洗 B
實施例10 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 D
實施例11 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 B
實施例12 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 D
實施例13 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 D
實施例14 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 A
實施例15 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 A
實施例16 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 B
比較例1 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 F
比較例2 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 F
比較例3 聚丙烯腈 - 不溶 不溶 PVA - 易溶 可溶 - 水 50 5 硫酸 30 10 0.8 水洗 E
如表2所示，與比較例1～3相比，實施例1～16的非導通方向的絕緣性優異。 比較例1為導體未從樹脂層突出之結構，從而非導通方向的絕緣性差。 比較例2中，導體從樹脂層突出之突出部過高，因此非導通方向的絕緣性差。 比較例3中，與相鄰之突出部的間隔窄，從而非導通方向的絕緣性差。比較例3中，與相鄰之突出部的間隔窄，認為因此而產生了短路。 由實施例1～16可知，與相鄰之突出部的間隔寬的實施例14及15中，非導通方向的絕緣性更優異。 又，如實施例16所示，即使為將樹脂層及被覆樹脂層僅設置於單面之結構，非導通方向的絕緣性亦優異。
10:結構體 12:絕緣膜 12a,14c:表面 12b:背面 13:細孔 14:導體 14a,14b:突出部 15:陽極氧化膜 16:各向異性導電層 17:氧化膜 20,22:被覆層 20a,21a,22a:表面 21:樹脂層 23:被覆樹脂層 30:鋁基板 30a:表面 32:細孔 32c:底部 32d:表面 33:阻擋層 34:陽極氧化膜 34a:表面 34b:背面 35:金屬 35a:金屬層 35b:金屬 40:積層器件 41:接合體 42,44:半導體元件 45:各向異性導電性構件 50:單元晶格 Ds:積層方向 Dt:厚度方向 H:高度 d:平均直徑 hc:突出長度 hj:平均厚度 hm:平均厚度 hs:突出高度 p:中心間距離 w:與相鄰之突出部的間隔
圖1係表示本發明的實施形態的結構體的一例之示意性剖面圖。 圖2係表示本發明的實施形態的結構體的一例之示意性俯視圖。 圖3係表示本發明的實施形態的結構體的導體的配置狀態之示意性俯視圖。 圖4係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖5係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖6係表示本發明的實施形態的結構體之製造方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖7係表示使用本發明的實施形態的結構體之接合的一例之示意圖。 圖8係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖9係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖10係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖11係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖12係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖13係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖14係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。 圖15係表示本發明的實施形態的結構體的形成方法的一例的一步驟之示意性剖面圖。
10:結構體
12:絕緣膜
12a:表面
12b:背面
13:細孔
14:導體
14a,14b:突出部
15:陽極氧化膜
16:各向異性導電層
20,22:被覆層
20a,22a:表面
21:樹脂層
23:被覆樹脂層
Dt:厚度方向
H:高度
d:平均直徑
hc:突出長度
hj:平均厚度
hm:平均厚度
hs:突出高度
p:中心間距離
w:與相鄰之突出部的間隔

Claims (10)

  1. 一種結構體之製造方法，前述結構體具有沿絕緣膜的厚度方向貫通並且在彼此電絕緣之狀態下設置之複數個導體及覆蓋前述絕緣膜中的至少一個面之樹脂層， 前述導體具有從前述樹脂層突出之突出部， 前述導體的前述突出部的突出高度為5～100nm，與相鄰之突出部的間隔為20～200nm， 具有在從前述樹脂層突出前述導體的前述突出部之狀態下清洗前述導體的前述突出部之清洗步驟。
  2. 如請求項1所述之結構體之製造方法，其中 由（突出部的突出高度）/（與相鄰之突出部的間隔）表示之比率為0.005～1。
  3. 如請求項1所述之結構體之製造方法，其中 前述清洗步驟中所使用之清洗液為酸性溶液或鹼溶液。
  4. 如請求項3所述之結構體之製造方法，其中 前述酸性溶液包含硫酸或檸檬酸。
  5. 如請求項1至請求項4之任一項所述之結構體之製造方法，其中 在前述樹脂層的與前述絕緣膜相反的一側具有與前述樹脂層不同之被覆樹脂層。
  6. 如請求項5所述之結構體之製造方法，其中 前述導體的前述突出部存在於前述被覆樹脂層內。
  7. 如請求項5所述之結構體之製造方法，其中 前述被覆樹脂層由水溶性樹脂層構成。
  8. 如請求項5所述之結構體之製造方法，其具有前述被覆樹脂層的去除步驟。
  9. 如請求項8所述之結構體之製造方法，其中 前述被覆樹脂層的前述去除步驟之後，實施前述清洗步驟。
  10. 如請求項8所述之結構體之製造方法，其中 同時實施前述清洗步驟和前述被覆樹脂層的前述去除步驟。
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