JPH0358540B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0358540B2
JPH0358540B2 JP58210274A JP21027483A JPH0358540B2 JP H0358540 B2 JPH0358540 B2 JP H0358540B2 JP 58210274 A JP58210274 A JP 58210274A JP 21027483 A JP21027483 A JP 21027483A JP H0358540 B2 JPH0358540 B2 JP H0358540B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
basic cell
input
output
ground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58210274A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60101951A (ja
Inventor
Juji Kitamura
Ichiro Nakamu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP58210274A priority Critical patent/JPS60101951A/ja
Publication of JPS60101951A publication Critical patent/JPS60101951A/ja
Priority to US07/183,426 priority patent/US4811073A/en
Publication of JPH0358540B2 publication Critical patent/JPH0358540B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803Masterslice integrated circuits using field effect technology

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は半導体構成のゲートアレイに関する。
(ロ) 従来技術 一般にゲートアレイは製造面に於いてセミカス
タム方式のLSIであつて、一定数のトランジスタ
からなる多数の基本セルおよび入力出力セルが未
結線の状態で規則正しく並べられたマスタチツプ
の上に、ロジツクを実現するための配線パターン
とコンタクトパターンを形成して、ユーザ専用の
LSIを実現するものである。
第1図a,bに斯様なゲートアレイチツプの平
面模式図、及びそのB箇所の要部拡大図を示す。
第1図aに於いて、1は一定数のトランジスタか
らなる基本セルであり、該基本セル1…を数十個
水平方向に配置した基本セル列10が複数本並列
配置されている。2は特定数のトランジスタから
なる入出力セルであり、該入出力セル2はチツプ
の周辺部に沿つて上記基本セル列10を取り囲ん
で垂直方向及び水平方向に夫々密接に配列されて
おり、垂直列の各入出力セル2…と各基本セル列
10…とが同一ピツチで配列されている。而し
て、各基本セル1,1…への電源の供給は、同図
bに示す如く、電源電圧から外部から給電されて
いる垂直方向の各入出力セル2…に設けられた電
源端子PDDとアース端子PSSとから夫々水平方
向に電源線VDDとアース線VSSとが基本セル列
10上に延在されており、この電源線VDD及び
アース線VSSが電源電圧を必要とする基本セル
1′,1′に電源コンタクトD及びアースコンタク
トSにて結線されいる。
斯様なゲートアレイは、総ゲート数が増加する
と、チツプサイズが異なるばかりか、基本セル列
10間の接続配線数が多くなる事が予想される為
に基本セル列10間の間隔Wを広く設定しなけれ
ばならない。ところが、電源線VDD及びアース
線VSSがコンピユータの自動配線により設計さ
れることから、基本セル列と入出力セルとが第1
図の如く1対1或いは簡単な整数比で対応するよ
うに構成されるので、基本セル列10間の間隔W
を大きくすると、第2図に示す如くこの各基本セ
ル列10に対応する入出力セル2…間に不要なス
ペースXが生じ、結果的にチツプサイズを無駄に
大型化する欠点があつた。又、逆に、総ゲート数
が減少すると、基本セル列10間の接続配線数が
少なくなる事が予想されるにもかかわらず、入出
力セル2の垂直方向の巾が固定である為に、上記
基本セル列10間の間隔Wを狭く設定する事がで
きず、やはり、無駄なスペースが生じる欠点があ
つた。
(ハ) 発明の目的 本発明は上述の欠点を解消する事を目的とし、
総ゲート数に依らず、無駄なスペースの低減を図
つたゲートアレイを提供するものである。
(ニ) 発明の構成 本発明のゲートアレイは、電源電圧が給電され
ている各入出力セルと基本セル列の端部との間隔
に電源母線及びアース母線を延在せしめ、各入出
力セルからこれ等電源母線及びアース母線を介し
て基本セル列に給電するものである。
(ホ) 実施例 第3図に本発明のゲートアレイの一実施例を示
す。尚、本実施例に於いては説明の簡略化の為に
28ゲートを例示している。また図中の黒丸はコン
タクトを示している。同図に於いて、1…,2
…,10…は、第1図と同様に基本セル、入出力
セル、及び基本セル列を示しており、本実施例の
ゲートアレイが従来のそれと異なる所は、複数本
の基本セル列10の周囲を取り囲む入出力セル2
…と、この基本セル列10…との間にやはりこの
複数本の基本セル列10…取り囲む電源母線3と
アース母線4とを並設した点にある。
即ち、本実施例のゲートアレイに於いては、4
本の基本セル列10…の上下左右の各水平垂直辺
には夫々密接配列した3個の入出力セル2,2,
2からなる垂直列が設けられており、この垂直列
の各入出力セル2,2,2の電源端子PDDから
上記電源母線3に水平方向に延在した電源線
VDDを接続すると共に、そのアース端子PSSか
ら上記アース母線4に水平方向に延在したアース
線VSSを接続している。一方、水平方向の各入
出力セル2,2,2の電源端子PDD及びアース
端子PSSからも上記電源母線3、及びアース母線
4に垂直方向に延在した電源線VDD及びアース
線VSSが接続されている。そして、各基本セル
列10…上に水平方向に延在して電源電圧を必要
とする基本セル1′の電源コンタクトDにて接続
された水平電源線V′DD両端が左右両側の垂直方
向の上記電源母線3にコンタクト結合され、同じ
く該水平電源線V′DDと並行に各基本セル列10
…上に水平方向に延在して電源電圧を必要とする
基本セル1′のアークコンタクトSにて接続され
た水平アース電源線V′SSの両端が左右両側の垂
直方向の上記アース母線4にコンタクト結合され
ている。
斯る構成のゲートアレイに於いては、各入出力
セル2,2…からの電源電圧が一担電源母線3、
アース母線4間に供給された上で、各水平電源線
V′DD及び水平アース線V′SSを介して各基本セル
列10…の基本セル1′…に給電される事となる
ので、基本セル列10のピツチLを入出力セル2
の垂直方向の幅Mに対して任意の比率で設定する
ことができ、例えば第3図の実施例の如く、基本
セル列10を幅Mより狭いピツチで配置するとが
できる。従つて、ゲート数の比較的少ない小規模
のゲートアレイに於いても、配線領域となる基本
セル列10の間の領域に無駄なスペースが生じる
事はない。
(ヘ) 発明の効果 本発明のゲートアレイは、電源電圧が給電され
ている各入出力セルと基本セル列の端部との間隔
に電源母線及びアース母線を延在せしめ、各入出
力セルからこれ等電源母線及びアース母線を介し
て基本セル列に給電するものであるので、各入出
力セルから直接各基本セル列への給電を行なつて
いた従来のゲートアレイとは異なり、入出力セル
を密接配置しておきながら総ゲート数に応じて基
本セル列間の配線領域の間隔を可変設定する事が
できる。従つて、予じめ固定されたパターンの入
出力セルと基本セルとを用いて、無駄なスペース
を設ける事なく小規模から大規模までの各種のゲ
ートアレイを実現する事が可能となり、ゲートア
レイの設計の大巾な簡略化が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図a,bは従来のゲートアレイの平面模式
図、及び要部拡大図、第2図は従来の他のゲート
アレイの要部拡大図、第3図は本発明のゲートア
レイの一実施例の平面図である。 1……基本セル、2……入出力セル、3……電
源母線、4……アース母線、10……基本セル
列。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 一定数のトランジスタからなる基本セルを複
    数個水平方向に配列した基本セル列を複数本並列
    配設すると共に、各基本セルに電源電圧を供給す
    るための電源端子及びアース端子を有する入出力
    セルを上記基本セル列の配列方向に対応して複数
    個垂直方向に配置してなる半導体構成のゲートア
    レイに於いて、上記基本セル列の端部と上記入出
    力セルとの間に垂直方向に延在する電源母線及び
    アース母線を並設し、この電源母線及びアース母
    線を介して上記入出力セルの電源端子及びアース
    端子から上記入出力セルの幅とは異なるピツチで
    配列された基本セル列に電源電位を供給すること
    を特徴とするゲートアレイ。
JP58210274A 1983-11-08 1983-11-08 ゲ−トアレイ Granted JPS60101951A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58210274A JPS60101951A (ja) 1983-11-08 1983-11-08 ゲ−トアレイ
US07/183,426 US4811073A (en) 1983-11-08 1988-04-18 Gate array arrangement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58210274A JPS60101951A (ja) 1983-11-08 1983-11-08 ゲ−トアレイ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24774890A Division JPH063828B2 (ja) 1990-09-17 1990-09-17 ゲートアレイ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60101951A JPS60101951A (ja) 1985-06-06
JPH0358540B2 true JPH0358540B2 (ja) 1991-09-05

Family

ID=16586674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58210274A Granted JPS60101951A (ja) 1983-11-08 1983-11-08 ゲ−トアレイ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4811073A (ja)
JP (1) JPS60101951A (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5165086A (en) * 1985-02-20 1992-11-17 Hitachi, Ltd. Microprocessor chip using two-level metal lines technology
JPH07107917B2 (ja) * 1985-03-15 1995-11-15 株式会社日立製作所 ロジックlsi
JPS6221240A (ja) * 1985-07-19 1987-01-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0785490B2 (ja) * 1986-01-22 1995-09-13 日本電気株式会社 集積回路装置
JPH079977B2 (ja) * 1987-02-10 1995-02-01 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US4910574A (en) * 1987-04-30 1990-03-20 Ibm Corporation Porous circuit macro for semiconductor integrated circuits
JPH073840B2 (ja) * 1987-08-31 1995-01-18 株式会社東芝 半導体集積回路
JPS6467940A (en) * 1987-09-08 1989-03-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル,投写型表示装置及びビューファインダー
JP2668981B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-27 富士通株式会社 半導体集積回路
JPH0364735A (ja) * 1989-08-03 1991-03-20 Sharp Corp アクティブマトリクス表示装置
JP2917434B2 (ja) * 1989-09-08 1999-07-12 セイコーエプソン株式会社 マスタースライス集積回路装置
JP2936542B2 (ja) * 1990-01-30 1999-08-23 株式会社日立製作所 電源幹線のレイアウト方法
US5291043A (en) * 1990-02-07 1994-03-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit device having gate array
JP2545626B2 (ja) * 1990-02-07 1996-10-23 三菱電機株式会社 ゲートアレイ
US5280450A (en) * 1990-05-14 1994-01-18 Hitachi, Ltd. High-speed semicondustor memory integrated circuit arrangement having power and signal lines with reduced resistance
US5155390A (en) * 1991-07-25 1992-10-13 Motorola, Inc. Programmable block architected heterogeneous integrated circuit
JP3185271B2 (ja) * 1991-09-13 2001-07-09 日本電気株式会社 半導体集積回路
WO1993012540A1 (en) * 1991-12-10 1993-06-24 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit with variable pad pitch
JPH06326193A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
US5440153A (en) * 1994-04-01 1995-08-08 United Technologies Corporation Array architecture with enhanced routing for linear asics
US5798541A (en) * 1994-12-02 1998-08-25 Intel Corporation Standard semiconductor cell with contoured cell boundary to increase device density
US5768146A (en) * 1995-03-28 1998-06-16 Intel Corporation Method of cell contouring to increase device density
US5693567A (en) * 1995-06-07 1997-12-02 Xerox Corporation Separately etching insulating layer for contacts within array and for peripheral pads
JP4518289B2 (ja) * 1996-12-25 2010-08-04 富士通セミコンダクター株式会社 半導体集積回路及び半導体集積回路の配線レイアウト方法
JP3420694B2 (ja) * 1996-12-27 2003-06-30 株式会社東芝 スタンダードセル方式の集積回路
US6662250B1 (en) * 2000-02-25 2003-12-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optimized routing strategy for multiple synchronous bus groups
KR100859464B1 (ko) * 2000-12-29 2008-09-23 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 패널 및 그 제조방법
JP4025044B2 (ja) * 2001-09-27 2007-12-19 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP2008091722A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
US7628452B2 (en) * 2008-02-29 2009-12-08 Shanghai Industries Group, Ltd. Rocker base

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5833864A (ja) * 1981-08-25 1983-02-28 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS5835963A (ja) * 1981-08-28 1983-03-02 Fujitsu Ltd 集積回路装置
JPS5844743A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS59139646A (ja) * 1983-01-31 1984-08-10 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体集積回路装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393464A (en) * 1980-12-12 1983-07-12 Ncr Corporation Chip topography for integrated circuit communication controller
JPS5887854A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Nec Corp マスタスライス方式lsi基板
JPS5890758A (ja) * 1981-11-25 1983-05-30 Mitsubishi Electric Corp 相補形集積回路装置
US4568961A (en) * 1983-03-11 1986-02-04 Rca Corporation Variable geometry automated universal array

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5833864A (ja) * 1981-08-25 1983-02-28 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS5835963A (ja) * 1981-08-28 1983-03-02 Fujitsu Ltd 集積回路装置
JPS5844743A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS59139646A (ja) * 1983-01-31 1984-08-10 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60101951A (ja) 1985-06-06
US4811073A (en) 1989-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0358540B2 (ja)
US6091090A (en) Power and signal routing technique for gate array design
EP0130798B1 (en) Semiconductor memory device
JPS61100947A (ja) 半導体集積回路装置
JPS6361778B2 (ja)
JPH0480538B2 (ja)
JP2001044397A (ja) 半導体集積回路
JPH0758301A (ja) 半導体集積回路装置
NL194182C (nl) Randloze moederschijf-halfgeleiderinrichting.
JPH0556864B2 (ja)
JPH01211945A (ja) 半導体装置
JPH03141671A (ja) ゲートアレイ
JPS5851538A (ja) 半導体集積回路装置
JPS60123042A (ja) 半導体集積回路
JPH0316790B2 (ja)
JPS62183140A (ja) 半導体集積回路装置
JP2510001B2 (ja) 敷詰型ゲ―トアレイ装置
JP3512893B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0362551A (ja) スタンダードセル及びスタンダードセル列
JPS6257233A (ja) プログラマブルロジツクアレイ
JPH01152642A (ja) 半導体集積回路
JP2569477B2 (ja) ゲ−トアレイ
JPS6367819A (ja) プログラマブルロジツクアレイ
JPS6298744A (ja) プログラマブルロジツクアレイ
JPS61264737A (ja) ゲ−トアレイ