JPH02216822A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、相互接続レベルを支持する分離層内に形成さ
れた狭いコンタクト間口を介してコンタクト接続を形成
する少なくとも一つの相互接続レベルを有する半導体集
積回路装置の製造方法に関するもので、この方法は主と
して不十分な段差被覆性を有する被着方法により主とし
てアルミニウムからなる第一導電層を被着する工程と、
前記コンタクト開口領域で前記第一導電層の窪み部が実
質的に充填されるのを確実にする高い段差被覆性の被着
方法により第二電気的導電層を被着する工程と、前記窪
み部の外側の前記第二導電層を少なくとも実質的に除去
する工程と、前記分離層の表面に残存する前記電気的導
電物質の局部的なエツチングにより相互接続ラインを形
成する最終工程とからなる。

［背景技術］ 上記半導体技術は同一のモノリシック回路内の素子部品
の数を、高い集積度に向かってますます増大するような
好ましい一定の開発傾向を示している。

この目的のため及び回路の動作スピードを増大させるた
めに、様々な努力が前記素子部品の大きさをできるだけ
減少させる為に行われてきた。半導体装置上にコンタク
ト接続を形成する従来の技術は、最近までコンタクト開
口及び相互接続ラインの横方向の寸法が、はとんど前記
ラインを構成する前記導電層の厚さよりもかなり大きな
ものを用いていた０反対に高い集積度を有する回路の製
造方法では、これらのコンタクト間口が形成される前記
分離層の厚さと同じオーダーの直径を有するコンタクト
間口を形成する必要がある。この点で、アスペクト比と
称する前記コンタクト開口の深さと直径との間の比に間
して、しばしばこの比が１に近いかあるいは１以上の場
合、特にアルミニウムの単層の被着技術に基づくコンタ
クト接続を形成する既知の技術は、もはやうまく用いる
ことは出来ない。

そこで上記序で述べた方法が、高集積度を有する回路の
相互接続の構造を形成の為の適切な解決方法を提供する
ために提案され、この方法では、前記コンタクト開口の
領域でのアルミニウムの第一導電層の窪み部を充填する
為及びかなり急峻であることが必要なこれらの開口の壁
で形成される段差部における電気的連続性を確実にする
為に、前記コンタクト間口はｌに近いかｌより大きなア
スペクト比を有する。

このような方法は、１９８５年５月１５日刊行の特開昭
６０−８５５１４号から既知である。

この既知の方法によれば、前記第二導電層はタンタルペ
ーストの被着により得られ、アルミニウムの前記第一導
電層の窪み部、即ち前記コンタクト間口の領域に形成さ
れる窪み部の充填を確実にする。前記タンタルペースト
は熱処理により硬化され、ついで前記キャビティーの外
側に位置して形成される前記第二導電層部分は除去され
る。

前記既知の方法は複数の特別な技術を使用し、これらの
技術の少なくとも一つは比較的複雑である。事実、タン
タルペーストを使用する工程は、半導体装置の製造方法
の技術においては一般的ではない。

この工程は前記ペーストの組成の正確な調整を必要とし
、又完全で再現性のある歩留まりを得ることはむずかし
いであろう。

更に又、前記流動性被着層を硬化して得るため特別の熱
処理を行う必要があり、従って製造方法に追加の工程を
課すことになる。

従って、より一般的な手段、即ちより容易に制御するこ
とが出来又より負担の少ない手段を用いることにより同
様の技術的結果を得られることが望ましいであろう。

［発明の要約］ 本発明は、上記の困難さにかなりの点で適合する上記既
知の方法の改善を提案する。上記相互接続構造の形成の
ための物質としてアルミニウムまたはアルミニウムの豊
富な合金をできるだけ用いる考えに基づき、次工程処理
として、従来の充分に制御可能な工程を用いることが出
来、一方アルミニウムの使用による固有の欠点を避ける
ための限られた特定の手段を用いる。

この目的のために本発明によれば、上記序の方法は、前
記第二導電層の被着が主としてアルミニウムからなる導
電物質の直流スパッタ（Ｄ、Ｃ，ｂｉａｓ−ｓｐｕｔｔ
ｅｒｉｎｇ）により行われ、前記基板は前記被着される
種（ｓｐｅｃｉｅｓ）の充分な表面移動度を得るのに充
分な高い温度に保持される。

前記基板を任意の充分高い温度に保持し、前記基板の直
流バイアスのスパッタによりアルミニウムまたは銅及び
シリコンの少なくとも一方を含有するアルミニウムを主
体とする合金の被着技術は、前記被着されるべき金属種
（＋ｅｔａｌｌｉｃ　５ｐｅｃｉｅｓ）が充分な移動度
（平均自由行程）を得て、前記被着層の平坦化が比較的
低いエネルギーの位置まで、これらの種の置換の結果と
して得られる。

これが即ちアルミニウム合金の前記第一導電層の被着の
間に残存する前記窪み部が充填されることになる。

被着されるべき種の高い移動度を得るスパッタによる被
着技術は、例えばヨーロッパ特許出願２５７　、２７７
号から既知である。

この技術により得られるアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金の前記層は、直流バイアスなしに、周囲温度に近
い温度で通常のアルゴンスパッタような他の従来の技術
により得られるのと同一の組成の層のエレクトロマイグ
レーション（Ｅｌｅｌｃｔｒｏ−ｓ＋ｉｇｒａｔｉｏｎ
）より、かなり低いエレクトロマイグレーションに対す
る抵抗力を有することも、当業者に知られている。この
ために、上記ヨーロッパ特許２５７　、２７７号に既に
提案されているように高い移動度のスパッタによる単層
の金属被着を用いる方法が、このようにして得られる前
記半導体装置の期待寿命問題の点からみて、非常に狭い
相互接続ラインには特に、もはや殆ど適用できないよう
にみえる。超高集積度回路に間し信頼性の問題が、かな
りの程度にまで生じている。

これに反して、本発明による方法は、前記相互接続ライ
ンが、エレクトロマイグレーションに対する高い抵抗力
を有する前記第一導電層の前記物質で少なくとも実質的
に形成される事実の為、エレクトロマイグレーションに
対する高い抵抗力を提供する利点を有する。前記第二導
電層の物質は、前記相互接続構造の表面の平坦性を取り
戻し、非常に局部的な領域、即ち前記コンタクト開口内
の電気的導電性の補充としてのみに主として用いられる
。前記第一導電層のみを使用するのに比較して、エレク
トロマイグレーションに対する抵抗力は、これらの局部
領域で改善される。

本発明による方法は、下にあるレベルが少なくともその
表面にアルミニウムを特徴とする特許を有すると同時に
、前記コンタクト接続がアルミニウムの存在と両立し、
特に前記第一のレベルよりも高い相互接続レベルの形成
に応用する場合に、非常に簡便な方法で実施するこがで
きる。

前記第−層の被着及び第二導電層の被着は、同一の装置
内で次々に行うことが出来、前記工程条件は一層から他
の層に変わる際に修正するのみである。

本発明の他の実施例において、前記相互接続レベルは第
一レベルであり、前記コンタクト接続が前記装置のコン
タクト区域に形成される場合、前記方法は前記第一導電
層を形成する以前に、最初に比較的薄い金属性コンタク
ト層が　良い被覆性を確実にする方法により被着される
ことを特徴とする。

有利には、前記金属性コンタクト層は、スパッタにより
被着されたチタンタングステン（Ｔｉ−Ｗン合金の層で
ある。

上記「比較的薄い層」の用語は、層の厚さが前記コンタ
ク）ｌｊｆ１口の最小の横方向の寸法の小さな部分なの
で、前記金属性コンタクト層が前記アルミニウムと前記
半導体基体との間の相互作用を避けるバリアとして作用
するが、前記コンタクト開口により形成される前記キャ
ビティーの充填を確実にはしないことを意味すると理解
されたい。前記チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）合金は
、このような使用に実際に好ましい物質の一つである。

主としてシリコン、二酸化シリコン（Ｓｉ０２）、窒化
シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）のような誘電体、超硬合金のシ
リサイド等は同時に存在する異なる物質に対し被着の優
れた特性を有し、前記相互接続配置の前記電気的導電性
に間し無視できない部分として関与し、エレクトロマイ
グーレイジョンによる劣化を実質的に減少させる。

本発明による方法を、前記第二導電層が被着された後、
実質的にこの呼び厚さ全体、即ち前記コンタクト間口の
外側の前記第一アルミニウム層の前記平坦な部分の上に
認められる層の厚さが除去される。

この場合、本発明の独特の実施例は、前記第二導電層を
形成する以前に、中部導電層が前記第一導電層上に被着
され、前記中部導電層は前記第二導電層を除去する工程
の閏、エツチングストッパー（ｅｔｃｈｉｎｇ　５ｔｏ
ｐｐｅｒ）として作用し、前記中部導電層は前記相互接
続ラインの表面に保持されることを特徴とする。

実際問題として、前記中部導電層は有利にはチタンタン
グステン（Ｔｉ−Ｗ）合金の層である。こうして、前記
第二導電層をエツチングする工程の終点は非常に容易に
決めることができ、前記第一導電層内のヒルロック（ｈ
ｉｌｌｏｃｋｓ）形成の危険を減少するのを確実にする
。

ここまでは、前記第二導電層は実際にその呼び厚さ全体
が除去されたことを示した。しかしながら、これは絶対
に必要なことではない。事実、本発明による方法の応用
例によれば、これに反して前記第二導電層は、その厚さ
の一部のみ除去され、前記第一導電層の呼び厚さに前記
第二導電層の残存部分の呼び厚さとを加えた厚さは、０
．５と１．３μ■との間の値に選択される。

［発明の実施例コ 本発明が容易に実施されるように、実施例に従い図面を
参照してより詳細に説明する。

ここで、 第１図及至第４図は、第一実施例で本発明による方法の
異なる工程での半導体装置の一部断面図を概略的に示し
、 第５図及至第６図は、上記方法に代わる同様の工程を示
し、 第７図及至第９図は、本発明による方法の他の実施例の
工程の断面図を示す。

図面は明瞭の為、実寸大ではないことに留意されたい。

第１図は本発明の第一の実施例を示す。前記半導体装置
の表面層ＩＯに、例えばリンまたはボロンでドープされ
たシリカガラスからなる分離Ｎｌｌが被着される。

前記表面層ｌＯは前記半導体表面自体または任意のメタ
ライゼーション・レベルでもよく、更にメタライゼーシ
ョンの他のレベルの形成がされる。

前記分ＪＩ１層１１に、最小横方向の寸法が前記分離層
１１の厚さのオーダーである比較的狭い、コンタクト開
口１２が形成される。

前記コンタクト開口１２をエツチングする工程は、かな
り急峻な側壁を有する開口を得るように異方性リアクテ
ィブイオンエツチングの従来技術により行われる。

前記コンタクト間口１２の底部は、前記半導体装置の前
記表面層ｌＯの表面に設けられたコンタクト区域Ｉ３に
合接する。

半導体技術にしばしば用いられる例えばアルミニウムと
銅との合金のようなアルミニウムを主体とする第一導電
層１５を、例えば従来のスパッタのような従来技術によ
り被着する。このような技術は前記コンタクト開口１２
の壁部及び底部に均一な被覆をもたらさないことは知ら
れている。従って以下に詳細に説明されるように、前記
第一導電層１５の厚さは、前記コンタクト開口１２がふ
さがれないように選択され、又前記開口の側壁が該開口
上部から底部に向かって間口が大きく広がる様な負の傾
斜は実質的に示さないが、この層が少なくとも実質的に
前記相互接続ラインの導電作用を確実にし得るように、
十分な厚さに選択される。

この厚さは一般に０．３及至０．６μｍの閏である。

次いで、前記コンタクト間口１２の領域で、前記第一導
電層１５により残存する窪み部を実質的に充填するのを
確実にするような高い段差被覆性の被着方法により、第
二電気的導電層１６が被着される。

従って、前記第二導電層１６は例えば０．８μｍのオー
ダーの比較的大きな厚さに被着される。

本発明によれば、前記第二導電層１６の被着は、被着さ
れるべき種の十分な表面移動度を提供するのに十分な高
い温度に基板が保持され、純粋なアルミニウムまたはア
ルミニウムを主体とする合金の直流スパッタにより行わ
れる。この被着の操作条件は前記被着された層の平坦性
が得られ、従って前記第一導電層１５の窪み部の充填と
なるように制御される。これらの操作条件は、用いられ
る装置に大きく依存し、従って主として実験により規定
される。この操作中の基板の温度に間して、前記被着さ
れるべき種（ｓｐｅｃｉｅｓ）の表面移動度に好ましい
、できるだけ高い温度が選択されるが、しかし前記アル
ミニウムが存在する他の物質と相互作用し、前記装置に
取り消し得ないような劣化をもたらす温度限界よりも低
くしなければならない。

実際に、使用される好ましい温度は４５０℃を越えない
。

一般に高い移動度のスパッタによる被着の詳細な経験的
実験的条件の設定は、このスパッタについての刊行物に
より示唆され、又特に既に述べた上記のヨーロッパ特許
２５７　、２７７号により示唆され、ここに参照して説
明する。

第２図は、前記コンタクト開口１２に対応する前記窪み
部の外側の前記第二導電Ｆｊ１６が除去されることから
なる以下の工程の結果安来すものである。

前記第二導電層１６の除去は、好ましくは異方性エツチ
ングまたはプラズマ中で行われる。前記エツチング処理
の時間は、前記第二導電層１６の呼び厚さ及びエツチン
グ速度から実験により設定される。

このエツチング処理後、前記第二導電層の局部１６ａを
残存し、前記コンタクト開口１２の領域での前記キャビ
ティーの充填を確実にする。

以下の工程は第３図及び第４図を参照して説明する。こ
れらの工程は、フォトレジストマスク１７を用いて前記
第一導電層１５の局部エツチングにより前記相互接続構
造を形成することからなる。この場合アルミニウム合金
層のエツチングに間して、これらの工程は半導体分野に
おいて通常用いられている技術を使用するので詳しくは
ここでは説明しない。

第４図にみられるように１８のような前記相互接続ライ
ンは、前記第一導電層１５からのみ形成され、従って耐
エレクトロマイグレーションに適切な材料からなる。エ
レクトロマイグレーションに対し、より小さな抵抗力の
材料の物質によって形成される前記第二導電層の前記局
部１６ａは、前記相互接続配置の大変微少な部分に使用
される。これらの局部は前記メタライゼーションの非常
に良い平坦性をもたらし、このような局部１６ａのなし
で生ずる電流密度に比較して前記コンタクト間口におけ
る電流密度を減少させる。

前記半導体装置は最終工程が行われ、これらの工程は一
般的技術である。所望であれば、他の複数の相互接続レ
ベルが形成されてもよく、このために本発明による方法
を有利に用いることが可能である。

前記第二導電層１６は、その呼び厚さ全体に渡り除去さ
れたと既に述べた。しかしながら、これは厳密には必ず
しも必要ではなく、これに反して第５図に示されるよう
に、この層を一部のみをエツチングすることも出来る。

この図において点線２７は、前記第二導電層の外側の元
の表面を示し、ここで上記部分的エツチング後に保持さ
れる部分は参照番号２６により示されている。

第６図は、この方法の次工程の半導体装置を示すもので
、前記相互接続構造はマスクを形成し、前記導電層１５
及び２６の両方を局部的にエツチングして形成される０
本発明による方法の代わりとなる例は、前記第二導電層
１６のエツチング時間の変化のみを必要とするので、こ
の工程に何の複雑さをもたらすものでもない。エレクト
ロマイグレーションに対し、より小さな抵抗を有する物
質を部分的に導入することにより前記相互接続ラインの
電気的抵抗がかなりの程度にまで減少し得る。しかしな
がら前記相互接続ネットワークにおいて、前記電流密度
を同時に減少する事実により、最終結果は半導体装置の
信頼性のかなりの劣化なしに前記ラインの抵抗の減少と
なる。前記第二導電層の残存する部分２６の厚さは、特
定の応用例及び主として半導体装置に用いられる電流密
度を考慮することにより実験的に選択される。

一般に、前記第一導電層１５の呼び厚さに前記第二導電
層の残存部分２６の呼び厚さを加えた厚さが、０．５及
至１．３μｍの間の値を有する様にこの厚さは選択され
る。

ここまでの上記の方法は、前記半導体装置自身のコンタ
クト区域にコンタクト接続と共に第一の相互接続レベル
構成するのに用いられる場合、以下のように有利に修正
することができる。

アルミニウム又はアルミニウム合金の前記第一導電Ｉｔ
ｓを形成する以前に、まず比較的薄い金属性コンタクト
層を高い段差被覆性を確実にする方法を用いて被着する
。特に適切な選択は、スパッタにより被着されるチタン
タングステンの合金の層を使用することである。この金
属性コンタクト層は、この方法の次工程で被着される前
記アルミニウム層と半導体基体との間のどのような相互
作用をも防止するバリアとして作用する。これは前記コ
ンタクト間口１２により形成される前記キャビティーを
充填するのを確実にするのではなく、前記相互接続構造
の導電性にある程度寄与することである。前記半導体基
体との前記コンタクト抵抗をもまた減少させることがで
き、アルミニウムによる前記半導体基体の表面のへこみ
を防止し、前記第一導電層内の前記ヒルロックの形成も
また減少する。

前記金属性コンタクト層の被着の後、第１図及至第６図
を参照して述べた方法以下の工程は、実質的には変わら
ない。このように、これら図面を参照する記載は、前記
第一導電層１５がチタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）／ア
ルミニラｌ−１１（ＡＩ−Ｃｕ）の二重層であることを
考慮して本実施例に更に適用する。

もちろん、局所エツチングにより前記相互接続構造を形
成する工程は、ここで二つの連続する工程、即ちアルミ
ニウム合金からなる前記第一導電層の部分をエツチング
する特定の工程と、チタンタングステン合金からなる層
の部分を工・シチングする他の特定の工程との二段階の
連続する工程で行われる。実際に、これらの二段階のエ
ツチング工程は、同一のりアクティブイオンエツチング
装置内で、エツチング条件と前記プラズマ中に導入する
特にガス状の種（ｇａｓｅｏｕｓ　５ｐｅｃｉｅｓ）を
特に修正するための前記工程の中断のみで、連続的に行
うことが出来る。

ここで、本発明による方法の他の実施例を、第７図及至
第９図を参照して説明する。第７図を参照し、前記半導
体装置の前記表面層１０は、比較的狭いコンタクト間口
１２が形成された分ｊｌＦ＋　１１で被覆されている。

次いで絶対的ではないが好ましくはチタンタングステン
（Ｔｌ−讐）合金からなる非常に薄い金属性コンタクト
層２４が被着され、アルミニウム合金の第一導電Ｊｉｊ
２５が被着された後の工程は既に述べたのと同一の方法
で行われる。中間導電層２８が次いで被着され、前記層
の第二導電層１６を除去する工程の閏、この中間導電層
２８はエツチングストッパーとして作用し、この中間導
電層２８は好ましくはスパッタによるチタンタングステ
ン（ＴＩ−Ｗ）被着により形成される。前記中間導電Ｎ
２８は薄い厚さで、好ましくは５０及至１５０止の間の
厚さである。前記ＦＪ２４．２５及び２８を組み合わせ
た厚さは又十分に薄いので前記コンタクト間口１２の領
域で形成される前記キャビティーを完全に充填しない。

次いで、アルミニウム銅（ＡＩ−Ｃｕ）合金の前記第二
導電層１６が上記のように前記基板の直流バイアスを用
いる高い移動度のスパッタ法により被着される。

前記第二導電層１６は前記コンタクト開口１２の領域で
形成される前記キャビティーの充填を実現するために、
及びこのＥ部表面をほぼ平坦にするのに充分な厚さであ
る。この実施例では、この方法はより多くの被着工程か
らなるが、しかしながら使用される技術の均質性は同様
の装置あるいは単一装置を必要とするのみで得られる。

次いで、前記第二導電層１６は前記コンタクト開口１２
の領域に位置する前記局部ｉ６ａを除いて完全に除去さ
れる。この工程において、前記中間導電層２８はエツチ
ングストッパーとして作用し、又この工程の終Ｙをより
正確に簡略にして、この終了は従来の手段、例えば特定
のプラズマ光線の発光強度により制御することが出来る
。

第９図は、前記層列、２５及び２４の組合せの局部的エ
ツチングにより形成された後の前記相互接続構造を示す
、もちろん、エツチング条件は除去されるべき層の種類
により、その都度適合するように変えられる。更に詳し
く説明すると、前記チタンタングステン（Ｔｉ−一）合
金より形成される層は、サルファへキサプロライド（６
弗化硫黄）のプラズマ中で除去され、一方アルミニウム
合金の前記層２５は、塩素含有化合物のガスのプラズマ
中で除去される。

第９図から明かなように、この方法の応用例によれば、
前記中間導電Ｎ２Ｂは前記相互接続ラインの形成のため
に維持され、従フてこれらのラインの導電性に寄与する
。上記実施例のように、前記第二導電層Ｉ６の維持され
た前記局部ｆ６ａは、前記コンタクト間口１２の領域に
位置する前記キャビティーの充填に対しては限度があり
、導電性に対する寄与は大変率さい。この様にして得ら
れる前記相互接続とコンタクト接続機構がエレクトロマ
イグレーションに間し高い性能を示すと説明される。

この方法による他の利点は、チタンタングステン（Ｔｉ
−リ）合金の前記層２４及び２８の存在によりもたらさ
れる。即ち引続き実施される熱処理工程中、アルミニウ
ム合金の前記第一導電層２５内の突起（ヒルロック、ｈ
ｉ　ｌ　１ｏｃｋｓ）の形成の可能性をかなり減少させ
る。

本発明による方法は、上記の実施例に限定されるもので
はない。更に詳しく述べると、前記チタンタングステン
（Ｔｉ−Ｗ）合金は前記金属性コンタクト層２４及び前
記中間導電層２８を形成するのに好ましい物質として示
されるものである。タングステンシリコンの合金、チタ
ン、チタンナイトライド、コバルトまたは超硬合金のシ
リサイドのような他の物質も又この場合には用いること
が出来る。

簡単のために、前記同一の物質が前記金属性コンタクト
層２４及び前記中間導電層２８を形成するのに用いるこ
とが出来る。しかしながら、所望であれば前記各々場合
に異なる物質を用いることもできる。

前記コンタクト構造形成の写真製版工程が行われる場合
、前記中間導電層の物質及びその厚さの適当な選択によ
り、前記金属層上の光反射を減少することもできる。

実際、この反射が、前記金属層の非水平部分の近傍にお
けるマスク精度の欠陥を引き起こすことが知られている
。

アルミニウム合金の前記第一導電層１５及び２５の厚さ
に間し、前記コンタクト間口の側壁が開口上部より間口
底部に向かって該開口が非常に大きくなる様に大きく傾
斜して形成される様な負の傾斜を防止することが特に必
要である。これは前記第−導電層１５及び２５の呼び厚
さの選択の重要な限界を設定し、従って前記相互接続ラ
インの導電性が実際的ではない方法で限定され得ると考
えられる。

この点において、最良の技術的妥協を得る為に、既に述
べたように実質的な利点を有する本発明による方法を用
いる場合、例えば、やや間口上部の大きさが間口底部よ
り大きくなる様なテーバまたは前記コンタクト閏口上部
の縁の丸みを形成することにより、及び前記第一導電層
の被着の最適条件を選択することにより、前記第一導電
層を被着する間に、コンタクト間口の側壁が間口上部よ
り間口底部に向かって該間口が非常に大きくなる様に大
きな負の傾斜が形成されるのを遅延させる傾向のあるよ
うな既知の工程条件が用いられるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図反型第４図は、第一実施例で本発明による方法の
異なる工程での半導体装置の一部断面図を概略的に示し
、 第５図反型第６図は、上記方法に代わる同様の工程を示
し、 第７図反型第９図は、本発明による方法の他の実施例に
おける工程の断面図を示す。 １０・・・表面層、 １１・・・分離層、 １２・・・コンタクト開口、 １３・・・コンタクト区域、 １５・・・第一導電層、 １６・・・第二導電層、 １６ａ・・・第二導電層の局部、 １７・・・フォトレジストマスク、 １８・・・相互接続ライン、 ２４・・・金属性コンタクト層、 ２５・・・第一導電層、 ２６・・・第二導電層の残存部分、 ２８・・・中閏導電層、 １０・・表面層、　　　１１　　分層層。 １３・・コン９クト区域、　１５　・第一・導電層１６
ｍ・・・第二導電層の局部。 １２　・　コシクタクト開口。 ＋ａ　　ｔＲ二４ＷｉＮｉ。 １７　・　フォトレジストマスケ 第２図 １０・・・表面層、１１・分離層、１２・コシ９ケクト
開口１５・・・第一導電層、　＋６ａ　　第二導電層の
局部。 １８・・・相互接続ライス２６・・第二導電層の残存部
分１０−　Ａ面層、１１　　分離層 ＋２−Ｊンタククト開口、　　　　　　　　１６　　第
二導電層１６ａ　　第二導電層の局部、２４　　金属性
コンタクト層２５Ｗ４−導電層、２８・中間導電層 第ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、相互接続レベルを支持する分離層内に形成された狭
   いコンタクト開口を介してコンタクト接続を形成する少
   なくとも一つの相互接続レベルを有する半導体集積回路
   装置を、不十分な段差被覆性の被着方法により主として
   アルミニウムからなる第一導電層を被着する工程と、前
   記コンタクト開口領域で前記第一導電層の窪み部の実質
   的な充填を確実にする高い段差被覆性の被着方法により
   第二電気的導電層を被着する工程と、前記窪み部の外側
   の前記第二導電層を少なくとも実質的に除去する工程と
   、前記分離層の表面に残存する前記電気的導電物質の局
   部的なエッチングにより相互接続ラインを形成する最終
   工程とからなる半導体集積回路装置の製造方法において
   、前記第二導電層の被着が主としてアルミニウムからな
   る導電物質の直流スパッタにより行われ、前記基板は前
   記被着される種の充分な表面移動度を得るのに充分な高
   い温度に保持されることを特徴とする半導体集積回路装
   置の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の半導体集積回路装置
   の製造方法において、前記相互接続レベルは第一レベル
   であり、前記コンタクト接続が前記装置のコンタクト区
   域に形成される場合に、前記第一導電層を形成する以前
   に、最初に比較的薄い金属性コンタクト層が高 い被覆力を確実にする方法により被着されることを特徴
   とする半導体集積回路装置の製造方法。 ３、特許請求の範囲第２項に記載の半導体集積回路装置
   の製造方法において、前記金属性コンタクト層が、スパ
   ッタにより被着されたチタンタングステン合金の層であ
   ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 ４、特許請求の範囲第１項及至第３項の何れか１項に記
   載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第二
   導電層は、その厚さの一部のみ除去され、前記第一導電
   層の呼び厚さに前記第二導電層の残存部分の呼び厚さを
   加えた厚さは、０．５と１．３μｍとの間の値に選択さ
   れることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 ５、特許請求の範囲第１項及至第３項の何れか１項に記
   載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第二
   導電層は実際にその呼び厚さ全体が除去されることを特
   徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 ６、特許請求の範囲第５項に記載の半導体集積回路装置
   の製造方法において、前記第二導電層を形成する以前に
   、前記第二導電層を除去する工程の間エッチングストッ
   パーとして働く中間導電層が前記第一導電層上に被着さ
   れ、この中間導電層が前記相互接続ラインの表面に保持
   されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法
   。 ７、特許請求の範囲第６項に記載の半導体集積回路装置
   の製造方法において、前記中間導電層はチタンタングス
   テン合金の層であることを特徴とする半導体集積回路装
   置の製造方法。 ８、特許請求の範囲第１項及至第７項の何れか１項に記
   載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第一
   導電層の呼び厚さが０．３及至０．６μｍの間の値に選
   択されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
   法。