JP6334812B2 - 多層鉄窒化物硬質磁性材料 - Google Patents
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
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-
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-
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Description
本件は、全体の内容が参照により本開示に組み入れられる、2014年8月8日に出願された米国特許仮出願第62/035,230号の利益を主張する。
本開示は、硬質磁性材料を形成する硬質磁性材料及び手法に関する。
硬質磁性材料から製造された永久磁石は、例えば代替的なエネルギーシステムを含む多くの電気機械システムにおいて役割を果たす。例えば、永久磁石は乗り物、風力タービン、及び他の代替的なエネルギー機構において用いることができる電気モーター又は発電機において用いられる。現在使用されている多くの永久磁石は、高いエネルギー積をもたらすネオジム等の希土類元素を含む。これらの希土類元素は比較的供給不足であり、将来価格の上昇及び/又は供給不足に直面する可能性がある。加えて、希土類元素を含む幾つかの永久磁石は、製造が高コストである。例えば、NbFeB及びフェライト磁石の製造は、一般的に材料を押しつぶすこと、材料を圧縮すること、及び1000℃超の温度にて焼結することを含み、これらの全ては磁石の高い製造コストに寄与する。加えて、希土類の採鉱は、深刻な環境破壊をもたらす可能性がある。
16FeCl3+2NH3+21H2→2Fe8N+48HCl
を含むことができる。
16FeCl3+2NH3+2CH4+17H2→2Fe8NC+48HCL
を含むことができる。
Fe+HCl→FeCl3+H2
にしたがってチャンバ92中でFeと反応することができる。FeCl3とH2は、蒸気をNH3等の窒素含有蒸気と混合することができる第一のインレット86を介してCVDチャンバ82に流入することができる。幾つかの例において、窒素含有蒸気及び鉄含有蒸気は、鉄と窒素の約8:1の比を含む層16の第一の組の層を堆積させる以下の反応:
16FeCl3+2NH3+21H2→2Fe8N+48HCl
にしたがって反応することができる。
Fe+HCl→FeCl3+H2
にしたがってチャンバ92中でFeと反応することができる。FeCl3とH2は、蒸気をNH3等の窒素含有蒸気と混合することができる第一のインレット86を介してCVDチャンバ82に流入することができる。幾つかの例において、窒素含有蒸気及び鉄含有蒸気は、鉄と窒素+炭素との約8:1の比を含む層18の第二の組の層を堆積させる以下の反応:
16FeCl3+2NH3+2CH4+17H2→2Fe8NC+48HCl
にしたがって反応することができる。
態様2:鉄ソースを加熱して鉄含有化合物を含む蒸気を形成すること、鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を基材上方に堆積させて、鉄と窒素を含む第一の層を形成すること、鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気から炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を前記基材上方に堆積させて、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を形成すること、及び前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を、前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶とα’’‐Fe16Z2(式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む。)を含む少なくとも幾らかの結晶とを形成することを含む方法。
態様3:前記第一の層が前記基材上に形成され、前記第二の層が前記第一の層上に形成される、態様1又は2に記載の方法。
態様4:前記第二の層が前記基材上に形成され、前記第一の層が前記第二の層上に形成される、態様1又は2に記載の方法。
態様5:前記鉄ソースが固体鉄を含む、態様1〜4のいずれかに記載の方法。
態様6:前記固体鉄が、鉄粉末又は鉄薄膜の少なくとも1種を含む、態様1〜4のいずれかに記載の方法。
態様7:鉄ソースが固体鉄前駆体を含む、態様1〜4のいずれかに記載の方法。
態様8:前記固体鉄前駆体が、Fe2O3粉末又はFe2O4粉末の少なくとも1種を含む、態様7に記載の方法。
態様9:前記鉄ソースが液体鉄前駆体を含む、態様1〜4のいずれかに記載の方法。
態様10:前記液体鉄前駆体が、FeCl3又はFe(CO)5の少なくとも1種を含む、態様9に記載の方法。
態様11:前記窒素含有化合物を含む蒸気が、少なくとも尿素を加熱して尿素を含む蒸気を形成することにより形成される、態様1〜10のいずれかに記載の方法。
態様12:前記窒素含有化合物を含む蒸気が、少なくともアミド又はヒドラジンの少なくとも1種を加熱して窒素含有化合物を含む蒸気を形成することにより形成される、態様1〜10のいずれかに記載の方法。
態様13:前記窒素含有化合物を含む蒸気がNH3蒸気を含む、態様1〜10のいずれかに記載の方法。
態様14:前記窒素含有化合物を含む蒸気が、プラズマを用いて二原子窒素から形成された原子状窒素を含む、態様1〜10のいずれかに記載の方法。
態様15:前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気を与えることが、炭素の固体ソースを加熱して炭素を含む蒸気を形成することを含む、態様1〜14のいずれかに記載の方法。
態様16:前記炭素の固体ソースが、純粋な炭素又は尿素の少なくとも1種を含む、態様15に記載の方法。
態様17:前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気が、一酸化炭素、二酸化炭素、又はメタンの少なくとも1種を含む蒸気を含む、態様1〜14のいずれかに記載の方法。
態様18:前記鉄含有化合物を含む蒸気及び前記窒素含有化合物を含む蒸気を加熱して前記鉄含有化合物を含む蒸気及び前記窒素含有化合物を含む蒸気を分解して、前記第一の層中で前記基材上に堆積する原子状窒素と原子状鉄を形成することを更に含む、態様1〜17のいずれかに記載の方法。
態様19:原子状窒素及び原子状鉄が前記第一の層中で前記基材上に堆積するように、前記鉄含有化合物を含む蒸気、及び前記窒素含有化合物を含む蒸気の少なくとも1種の分解温度を超えて前記基材を加熱することを更に含む、態様1〜18のいずれかに記載の方法。
態様20:前記鉄含有化合物を含む蒸気と、前記窒素含有化合物を含む蒸気と、前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気とを加熱して、前記鉄含有化合物を含む蒸気と、前記窒素含有化合物を含む蒸気と、前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気とを分解して、前記第二の層中で前記基材上に堆積する原子状窒素と、原子状鉄と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子とを形成することを更に含む、態様1〜19のいずれかに記載の方法。
態様21:原子状窒素、原子状鉄、及び炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子が前記第二の層中で前記基材上に堆積するように、前記鉄含有化合物を含む蒸気、前記窒素含有化合物を含む蒸気、及び前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気の少なくとも1種の分解温度を超えて前記基材を加熱することを更に含む、態様1〜20のいずれかに記載の方法。
態様22:前記第一の層と前記第二の層をアニールすることが、約5時間〜80時間、約100℃〜約300℃の温度にて層を加熱することを含む、態様1〜21のいずれかに記載の方法。
態様23:前記基材が、シリコン、GaAs、SiC、InGaAs、MgO、SiO2、ガラス、又は高温ポリマーの少なくとも1種を含む、態様1〜22のいずれかに記載の方法。
態様24:窒素含有溶媒と鉄ソースとを含む第一のコーティング溶液に基材を浸漬させるに際し、前記第一のコーティング溶液が、前記第一のコーティング溶液から堆積される鉄‐窒素混合物の液相線温度を超える第一の温度にて鉄ソースにより飽和されること、前記第一のコーティング溶液を鉄‐窒素混合物の液相線温度未満の第二の温度に冷却して過飽和の第一のコーティング溶液を形成すること、前記過飽和の第一のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と窒素を含む第一の層を前記基材上方に形成すること、窒素含有溶媒と、鉄ソースと、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む化合物とを含む第二のコーティング溶液に前記基材を浸漬させるに際し、前記第二のコーティング溶液が、前記第二のコーティング溶液から堆積される混合物の液相線温度を超える第三の温度にて鉄ソースにより飽和されること、前記第二のコーティング溶液を混合物の液相線温度未満の第四の温度に冷却して過飽和の第二のコーティング溶液を形成すること、前記過飽和の第二のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を前記基材上方に形成すること、前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe16(NxZ1-x)2(式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含み、xはゼロより大きく、1より小さい数である。)を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。
態様25:窒素含有溶媒と鉄ソースとを含む第一のコーティング溶液に基材を浸漬させるに際し、前記第一のコーティング溶液が、前記第一のコーティング溶液から堆積される鉄‐窒素混合物の液相線温度を超える第一の温度にて鉄ソースにより飽和されること、前記第一のコーティング溶液を鉄‐窒素混合物の液相線温度未満の第二の温度に冷却して過飽和の第一のコーティング溶液を形成すること、前記過飽和の第一のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と窒素を含む第一の層を前記基材上方に形成すること、窒素含有溶媒と、鉄ソースと、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む化合物とを含む第二のコーティング溶液に前記基材を浸漬させるに際し、前記第二のコーティング溶液が、前記第二のコーティング溶液から堆積される混合物の液相線温度を超える第三の温度にて鉄ソースにより飽和されること、前記第二のコーティング溶液を混合物の液相線温度未満の第四の温度に冷却して過飽和の第二のコーティング溶液を形成すること、前記過飽和の第二のコーティング溶液中に前記基材をある期間に亘って維持することにより、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を前記基材上方に形成すること、前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2(式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む。)との混合物を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。
態様26:前記第一の層が前記基材上に形成され、前記第二の層が前記第一の層上に形成される、態様24又は25に記載の方法。
態様27:前記第二の層が前記基材上に形成され、前記第一の層が前記第二の層上に形成される、態様24又は25に記載の方法。
態様28:前記溶媒が、アミド又はヒドラジンの少なくとも1種を含む、態様24〜27のいずれかに記載の方法。
態様29:前記鉄ソースが、実質的に純粋な鉄、FeCl3、Fe(CO)5、又は酸化鉄の少なくとも1種を含む、態様24〜28のいずれかに記載の方法。
態様30:前記第二の温度が約600℃〜約800℃である、態様24〜29のいずれかに記載の方法。
態様31:前記第一のコーティングが、約11.5:1(鉄:窒素)〜約5.65:1(鉄:窒素)の鉄と窒素の原子比率を含む、態様24〜30のいずれかに記載の方法。
態様32:前記第一のコーティングが、約8:1(鉄:窒素)の鉄と窒素の原子比率を含む、態様24〜30のいずれかに記載の方法。
態様33:前記第二のコーティングが、約11.5:1〜約5.65:1の鉄:窒素+炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子比率を含む、態様24〜32のいずれかに記載の方法。
態様34:前記第二のコーティングが、約8:1の鉄:窒素+炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子比率を含む、態様24〜32のいずれかに記載の方法。
態様35:前記第一のコーティングをアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び前記第二のコーティングをアニールしてα’’‐Fe16(NxZ1-x)2又はα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2との混合物を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することが、約5時間〜約80時間、約100℃〜約300℃の温度にて前記第一のコーティング及び前記第二のコーティングを加熱することを含む、態様24〜34のいずれかに記載の方法。
態様36:前記基材が、シリコン、GaAs、SiC、InGaAs、MgO、SiO2、ガラス、又は高温ポリマーの少なくとも1種を含む、態様24〜35のいずれかに記載の方法。
態様37:態様1〜36のいずれかに記載の方法により形成された物品。
態様38:各層がα’’‐Fe16N2を含む、層の第一の組と、各層がα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2(式中、ZはC、B、又はOの少なくとも1種を含む。)との混合物を含む、層の第二の組とを含む物品であって、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層と交互に配置されている物品。
態様39:前記層の第二の組の各層中のα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2の比が約1:1である、態様38に記載の物品。
態様40:各層がα’’‐Fe16N2を含む、層の第一の組と、各層がα’’‐Fe16(NxZ1-x)2(式中、ZはC、B、又はOの少なくとも1種を含み、xはゼロより大きく、1より小さい数である。)を含む、層の第二の組とを含む物品であって、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層と交互に配置されている物品。
態様41:xが約0.5に等しい、態様40に記載の物品。
態様42:高温ポリマー、シリコン、GaAs、SiC、INGaAs、MgO、SiO2、又はガラスの少なくとも1種を含む基材を更に含み、前記層の第一の組と前記層の第二の組が、前記基材上に形成されている、態様38〜41のいずれかに記載の物品。
態様43:交換スプリング結合により、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層と磁気的に結合している、態様38〜42のいずれかに記載の物品。
本開示は以下も包含する。
[1]
各層がα’’‐Fe 16 N 2 を含む、層の第一の組と、
各層がα’’‐Fe 16 N 2 とα’’‐Fe 16 Z 2 (式中、ZはC、B、又はOの少なくとも1種を含む。)との混合物を含む、層の第二の組と
を含む物品であって、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層と交互に配置されている物品。
[2]
前記層の第二の組の各層中のα’’‐Fe 16 N 2 とα’’‐Fe 16 Z 2 の比が約1:1である、上記態様1に記載の物品。
[3]
前記層の第二の組の各層中のα’’‐Fe 16 N 2 とα’’‐Fe 16 Z 2 の比が約4.667:5.333である、上記態様1に記載の物品。
[4]
各層がα’’‐Fe 16 N 2 を含む、層の第一の組と、
各層がα’’‐Fe 16 (N x Z 1-x ) 2 (式中、ZはC、B、又はOの少なくとも1種を含み、xは0より大きく、1より小さい数である。)を含む、層の第二の組と
を含む物品であって、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層と交互に配置されている物品。
[5]
xが約0.5に等しい、上記態様4に記載の物品。
[6]
前記層の第二の組の各層中のα’’‐Fe 16 N 2 とα’’‐Fe 16 Z 2 の比が約0.4667である、上記態様4に記載の物品。
[7]
高温ポリマー、シリコン、GaAs、SiC、INGaAs、MgO、SiO 2 、ガラス、又は金属の少なくとも1種を含む基材を更に含み、前記層の第一の組と前記層の第二の組が、前記基材上に形成されている、上記態様1〜6のいずれかに記載の物品。
[8]
交換スプリング結合により、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層と磁気的に結合している、上記態様1〜7のいずれかに記載の物品。
[9]
強磁性ドーパント、非磁性ドーパント、又は相安定剤の少なくとも1種を更に含む、上記態様1〜8のいずれかに記載の物品。
[10]
前記層の第一の組の少なくとも1つの層の厚さが、約50nm未満である、上記態様1〜9のいずれかに記載の物品。
[11]
前記層の第一の組の少なくとも1つの層が、軟質磁性材料を含む少なくとも1つのドメインを更に含み、前記層の第一の組の少なくとも1つの層中のα’’‐Fe 16 N 2 が、軟質磁性材料を含む少なくとも1つのドメインと磁気的に結合している、上記態様1〜9のいずれかに記載の物品。
[12]
前記物品が、電気モーター、発電機、センサ、アクチュエーター、自動車の部品、又は風力タービンの部品である、上記態様1〜11のいずれかに記載の物品。
[13]
鉄ソースを加熱して鉄含有化合物を含む蒸気を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を基材上方に堆積させて、鉄と窒素を含む第一の層を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気から炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を前記基材上方に堆積させて、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を形成すること、及び
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe 16 N 2 を含む少なくとも幾らかの結晶を、前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe 16 (N x Z 1-x ) 2 (式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含み、xはゼロより大きく、1より小さい数である。)を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。
[14]
鉄ソースを加熱して鉄含有化合物を含む蒸気を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を基材上方に堆積させて、鉄と窒素を含む第一の層を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気から炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を前記基材上方に堆積させて、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を形成すること、及び
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe 16 N 2 を含む少なくとも幾らかの結晶を、前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe 16 N 2 を含む少なくとも幾らかの結晶とα’’‐Fe 16 Z 2 (式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む。)を含む少なくとも幾らかの結晶とを形成することを含む方法。
[15]
前記第一の層が前記基材上に形成され、前記第二の層が前記第一の層上に形成される、上記態様13又は14に記載の方法。
[16]
前記第二の層が前記基材上に形成され、前記第一の層が前記第二の層上に形成される、上記態様13又は14に記載の方法。
[17]
前記鉄ソースが固体鉄を含む、上記態様13〜16のいずれかに記載の方法。
[18]
前記固体鉄が、鉄粉末又は鉄薄膜の少なくとも1種を含む、上記態様13〜16のいずれかに記載の方法。
[19]
鉄ソースが固体鉄前駆体を含む、上記態様13〜16のいずれかに記載の方法。
[20]
前記固体鉄前駆体が、Fe 2 O 3 粉末又はFe 2 O 4 粉末の少なくとも1種を含む、上記態様19に記載の方法。
[21]
前記鉄ソースが液体鉄前駆体を含む、上記態様13〜16のいずれかに記載の方法。
[22]
前記液体鉄前駆体が、FeCl 3 又はFe(CO) 5 の少なくとも1種を含む、上記態様21に記載の方法。
[23]
前記窒素含有化合物を含む前記蒸気が、少なくとも尿素を加熱して尿素を含む蒸気を形成することにより形成される、上記態様13〜22のいずれかに記載の方法。
[24]
前記窒素含有化合物を含む蒸気が、少なくともアミド又はヒドラジンの少なくとも1種を加熱して窒素含有化合物を含む蒸気を形成することにより形成される、上記態様13〜22のいずれかに記載の方法。
[25]
前記窒素含有化合物を含む蒸気がNH 3 蒸気を含む、上記態様13〜22のいずれかに記載の方法。
[26]
前記窒素含有化合物を含む蒸気が、プラズマを用いて二原子窒素から形成された原子状窒素を含む、上記態様13〜22のいずれかに記載の方法。
[27]
前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気を与えることが、炭素の固体ソースを加熱して炭素を含む蒸気を形成することを含む、上記態様13〜22のいずれかに記載の方法。
[28]
前記炭素の固体ソースが、純粋な炭素又は尿素の少なくとも1種を含む、上記態様27に記載の方法。
[29]
前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気が、一酸化炭素、二酸化炭素、又はメタンの少なくとも1種を含む蒸気を含む、上記態様13〜26のいずれかに記載の方法。
[30]
前記鉄含有化合物を含む蒸気及び前記窒素含有化合物を含む蒸気を加熱して前記鉄含有化合物を含む蒸気及び前記窒素含有化合物を含む蒸気を分解して、前記第一の層中で前記基材上に堆積する原子状窒素と原子状鉄を形成することを更に含む、上記態様13〜29のいずれかに記載の方法。
[31]
原子状窒素及び原子状鉄が前記第一の層中で前記基材上に堆積するように、前記鉄含有化合物を含む蒸気、及び前記窒素含有化合物を含む蒸気の少なくとも1種の分解温度を超えて前記基材を加熱することを更に含む、上記態様13〜30のいずれかに記載の方法。
[32]
前記鉄含有化合物を含む蒸気と、前記窒素含有化合物を含む蒸気と、前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気とを加熱して、前記鉄含有化合物を含む蒸気と、前記窒素含有化合物を含む蒸気と、前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気とを分解して、前記第二の層中で前記基材上に堆積する原子状窒素と、原子状鉄と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子とを形成することを更に含む、上記態様13〜31のいずれかに記載の方法。
[33]
原子状窒素、原子状鉄、及び炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子が前記第二の層中で前記基材上に堆積するように、前記鉄含有化合物を含む蒸気、前記窒素含有化合物を含む蒸気、及び前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気の少なくとも1種の分解温度を超えて前記基材を加熱することを更に含む、上記態様13〜32のいずれかに記載の方法。
[34]
前記第一の層と前記第二の層をアニールすることが、約5時間〜80時間、約100℃〜約300℃の温度にて層を加熱することを含む、上記態様13〜33のいずれかに記載の方法。
[35]
前記基材が、シリコン、GaAs、SiC、InGaAs、MgO、SiO 2 、ガラス、高温ポリマー、又は金属の少なくとも1種を含む、上記態様13〜34のいずれかに記載の方法。
[36]
窒素含有溶媒と鉄ソースとを含む第一のコーティング溶液に基材を浸漬させるに際し、前記第一のコーティング溶液が、前記第一のコーティング溶液から堆積される鉄‐窒素混合物の液相線温度を超える第一の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第一のコーティング溶液を鉄‐窒素混合物の液相線温度未満の第二の温度に冷却して過飽和の第一のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第一のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と窒素を含む第一の層を前記基材上方に形成すること、
窒素含有溶媒と、鉄ソースと、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む化合物とを含む第二のコーティング溶液に前記基材を浸漬させるに際し、前記第二のコーティング溶液が、前記第二のコーティング溶液から堆積される混合物の液相線温度を超える第三の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第二のコーティング溶液を混合物の液相線温度未満の第四の温度に冷却して過飽和の第二のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第二のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を前記基材上方に形成すること、
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe 16 N 2 を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び
前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe 16 (N x Z 1-x ) 2 (式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含み、xはゼロより大きく、1より小さい数である。)を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。
[37]
窒素含有溶媒と鉄ソースとを含む第一のコーティング溶液に基材を浸漬させるに際し、前記第一のコーティング溶液が、前記第一のコーティング溶液から堆積される鉄‐窒素混合物の液相線温度を超える第一の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第一のコーティング溶液を鉄‐窒素混合物の液相線温度未満の第二の温度に冷却して過飽和の第一のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第一のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と窒素を含む第一の層を前記基材上方に形成すること、
窒素含有溶媒と、鉄ソースと、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む化合物とを含む第二のコーティング溶液に前記基材を浸漬させるに際し、前記第二のコーティング溶液が、前記第二のコーティング溶液から堆積される混合物の液相線温度を超える第三の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第二のコーティング溶液を混合物の液相線温度未満の第四の温度に冷却して過飽和の第二のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第二のコーティング溶液中に前記基材をある期間に亘って維持することにより、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を前記基材上方に形成すること、並びに
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe 16 N 2 を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe 16 N 2 とα’’‐Fe 16 Z 2 (式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む。)との混合物を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。
[38]
前記第一の層が前記基材上に形成され、前記第二の層が前記第一の層上に形成される、上記態様36又は37に記載の方法。
[39]
前記第二の層が前記基材上に形成され、前記第一の層が前記第二の層上に形成される、上記態様36又は37に記載の方法。
[40]
前記溶媒が、アミド又はヒドラジンの少なくとも1種を含む、上記態様36〜39のいずれかに記載の方法。
[41]
前記鉄ソースが、実質的に純粋な鉄、FeCl 3 、Fe(CO) 5 、又は酸化鉄の少なくとも1種を含む、上記態様36〜40のいずれかに記載の方法。
[42]
前記第二の温度が約600℃〜約800℃である、上記態様36〜41のいずれかに記載の方法。
[43]
前記第一のコーティングが、約11.5:1(鉄:窒素)〜約5.65:1(鉄:窒素)の鉄と窒素の原子比率を含む、上記態様36〜42のいずれかに記載の方法。
[44]
前記第一のコーティングが、約8:1(鉄:窒素)の鉄と窒素の原子比率を含む、上記態様36〜42のいずれかに記載の方法。
[45]
前記第二のコーティングが、約11.5:1〜約5.65:1の鉄:窒素+炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子比率を含む、上記態様36〜44のいずれかに記載の方法。
[46]
前記第二のコーティングが、約8:1の鉄:窒素+炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子比率を含む、上記態様36〜44のいずれかに記載の方法。
[47]
前記第一のコーティングをアニールしてα’’‐Fe 16 N 2 を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び前記第二のコーティングをアニールしてα’’‐Fe 16 (N x Z 1-x ) 2 又はα’’‐Fe 16 N 2 とα’’‐Fe 16 Z 2 との混合物を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することが、約5時間〜約80時間、約100℃〜約300℃の温度にて前記第一のコーティング及び前記第二のコーティングを加熱することを含む、上記態様36〜46のいずれかに記載の方法。
[48]
前記基材が、シリコン、GaAs、SiC、InGaAs、MgO、SiO 2 、ガラス、高温ポリマー、又は金属の少なくとも1種を含む、上記態様36〜47のいずれかに記載の方法。
[49]
上記態様13〜48のいずれかに記載の方法により形成された物品。
[50]
上記態様13〜48のいずれかに記載の方法により製造されたα’’‐Fe 16 N 2 を含む結晶を含む加工対象物。
[51]
前記加工対象物が、ペレット、ロッド、薄膜、ナノ粒子、粉末、又はナノスケール粉末である、上記態様50に記載の加工対象物。
Claims (30)
- 各層がα’’‐Fe16N2を含む、層の第一の組と、
各層がα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2(式中、ZはC、B、又はOの少なくとも1種を含む。)との混合物を含む、層の第二の組と
を含む物品であって、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層と交互に配置されている物品。 - 前記層の第二の組の各層中のα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2の比が約1:1であるか、または約4.667:5.333である、請求項1に記載の物品。
- 各層がα’’‐Fe16N2を含む、層の第一の組と、
各層がα’’‐Fe16(NxZ1-x)2(式中、ZはC、B、又はOの少なくとも1種を含み、xは0より大きく、1より小さい数である。)を含む、層の第二の組と
を含む物品であって、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層と交互に配置されている物品。 - xが約0.5に等しいか、または約0.4667に等しい、請求項3に記載の物品。
- 交換スプリング結合により、前記層の第二の組の1つ又はそれより多くの各層が、前記層の第一の組の1つ又はそれより多くの各層と磁気的に結合している、請求項1〜4のいずれか1項に記載の物品。
- 強磁性ドーパント、非磁性ドーパント、又は相安定剤の少なくとも1種を更に含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の物品。
- 前記層の第一の組の少なくとも1つの層が、軟質磁性材料を含む少なくとも1つのドメインを更に含み、前記層の第一の組の少なくとも1つの層中のα’’‐Fe16N2が、軟質磁性材料を含む少なくとも1つのドメインと磁気的に結合している、請求項1〜6のいずれか1項に記載の物品。
- 前記物品が、電気モーター、発電機、センサ、アクチュエーター、自動車の部品、又は風力タービンの部品である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の物品。
- 鉄ソースを加熱して鉄含有化合物を含む蒸気を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を基材上方に堆積させて、鉄と窒素を含む第一の層を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気から炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を前記基材上方に堆積させて、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を形成すること、及び
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を、前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe16(NxZ1-x)2(式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含み、xはゼロより大きく、1より小さい数である。)を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。 - 鉄ソースを加熱して鉄含有化合物を含む蒸気を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を基材上方に堆積させて、鉄と窒素を含む第一の層を形成すること、
鉄含有化合物を含む蒸気から鉄を、窒素含有化合物を含む蒸気から窒素を、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気から炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を前記基材上方に堆積させて、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を形成すること、及び
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を、前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶とα’’‐Fe16Z2(式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む。)を含む少なくとも幾らかの結晶とを形成することを含む方法。 - 前記第一の層が前記基材上に形成され、前記第二の層が前記第一の層上に形成されるか、または前記第二の層が前記基材上に形成され、前記第一の層が前記第二の層上に形成される、請求項9又は10に記載の方法。
- 前記鉄ソースが鉄粉末又は鉄薄膜の少なくとも1種を含む固体鉄を含む、請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 鉄ソースがFe 2 O 3 粉末又はFe 2 O 4 粉末の少なくとも1種を含む固体鉄前駆体を含む、請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記鉄ソースがFeCl 3 又はFe(CO) 5 の少なくとも1種を含む液体鉄前駆体を含む、請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記窒素含有化合物を含む前記蒸気が、
少なくとも尿素を加熱して尿素を含む蒸気を形成することにより形成されるか、または
少なくともアミド又はヒドラジンの少なくとも1種を加熱して窒素含有化合物を含む蒸気を形成することにより形成され、あるいは
NH 3 蒸気を含むか、または
プラズマを用いて二原子窒素から形成された原子状窒素を含む、請求項9〜14のいずれか1項に記載の方法。 - 前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気を与えることが、純粋な炭素又は尿素の少なくとも1種を含む炭素の固体ソースを加熱して炭素を含む蒸気を形成することを含む、請求項9〜15のいずれか1項に記載の方法。
- 前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気が、一酸化炭素、二酸化炭素、又はメタンの少なくとも1種を含む蒸気を含む、請求項9〜16のいずれか1項に記載の方法。
- 前記鉄含有化合物を含む蒸気及び前記窒素含有化合物を含む蒸気を加熱して前記鉄含有化合物を含む蒸気及び前記窒素含有化合物を含む蒸気を分解して、前記第一の層中で前記基材上に堆積する原子状窒素と原子状鉄を形成することを更に含む、請求項9〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 原子状窒素及び原子状鉄が前記第一の層中で前記基材上に堆積するように、前記鉄含有化合物を含む蒸気、及び前記窒素含有化合物を含む蒸気の少なくとも1種の分解温度を超えて前記基材を加熱することを更に含む、請求項9〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 前記鉄含有化合物を含む蒸気と、前記窒素含有化合物を含む蒸気と、前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気とを加熱して、前記鉄含有化合物を含む蒸気と、前記窒素含有化合物を含む蒸気と、前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気とを分解して、前記第二の層中で前記基材上に堆積する原子状窒素と、原子状鉄と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子とを形成することを更に含む、請求項9〜19のいずれか1項に記載の方法。
- 原子状窒素、原子状鉄、及び炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子が前記第二の層中で前記基材上に堆積するように、前記鉄含有化合物を含む蒸気、前記窒素含有化合物を含む蒸気、及び前記炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む蒸気の少なくとも1種の分解温度を超えて前記基材を加熱することを更に含む、請求項9〜20のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一の層と前記第二の層をアニールすることが、約5時間〜80時間、約100℃〜約300℃の温度にて層を加熱することを含む、請求項9〜21のいずれか1項に記載の方法。
- 窒素含有溶媒と鉄ソースとを含む第一のコーティング溶液に基材を浸漬させるに際し、前記第一のコーティング溶液が、前記第一のコーティング溶液から堆積される鉄‐窒素混合物の液相線温度を超える第一の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第一のコーティング溶液を鉄‐窒素混合物の液相線温度未満の第二の温度に冷却して過飽和の第一のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第一のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と窒素を含む第一の層を前記基材上方に形成すること、
窒素含有溶媒と、鉄ソースと、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む化合物とを含む第二のコーティング溶液に前記基材を浸漬させるに際し、前記第二のコーティング溶液が、前記第二のコーティング溶液から堆積される混合物の液相線温度を超える第三の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第二のコーティング溶液を混合物の液相線温度未満の第四の温度に冷却して過飽和の第二のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第二のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を前記基材上方に形成すること、
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び
前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe16(NxZ1-x)2(式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含み、xはゼロより大きく、1より小さい数である。)を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。 - 窒素含有溶媒と鉄ソースとを含む第一のコーティング溶液に基材を浸漬させるに際し、前記第一のコーティング溶液が、前記第一のコーティング溶液から堆積される鉄‐窒素混合物の液相線温度を超える第一の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第一のコーティング溶液を鉄‐窒素混合物の液相線温度未満の第二の温度に冷却して過飽和の第一のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第一のコーティング溶液中に前記基材を維持することにより、鉄と窒素を含む第一の層を前記基材上方に形成すること、
窒素含有溶媒と、鉄ソースと、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む化合物とを含む第二のコーティング溶液に前記基材を浸漬させるに際し、前記第二のコーティング溶液が、前記第二のコーティング溶液から堆積される混合物の液相線温度を超える第三の温度にて鉄ソースにより飽和されること、
前記第二のコーティング溶液を混合物の液相線温度未満の第四の温度に冷却して過飽和の第二のコーティング溶液を形成すること、
前記過飽和の第二のコーティング溶液中に前記基材をある期間に亘って維持することにより、鉄と、窒素と、炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種とを含む第二の層を前記基材上方に形成すること、並びに
前記第一の層をアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び前記第二の層をアニールしてα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2(式中、Zは炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種を含む。)との混合物を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することを含む方法。 - 前記第一の層が前記基材上に形成され、前記第二の層が前記第一の層上に形成されるか、または前記第二の層が前記基材上に形成され、前記第一の層が前記第二の層上に形成される、請求項23又は24に記載の方法。
- 前記溶媒が、アミド又はヒドラジンの少なくとも1種を含み、前記鉄ソースが、実質的に純粋な鉄、FeCl 3 、Fe(CO) 5 、又は酸化鉄の少なくとも1種を含む、請求項23〜25のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第二の温度が約600℃〜約800℃である、請求項23〜26のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一のコーティングが、約11.5:1(鉄:窒素)〜約5.65:1(鉄:窒素)の鉄と窒素の原子比率を含む、請求項23〜27のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第二のコーティングが、約11.5:1〜約5.65:1の鉄:窒素+炭素、ホウ素、又は酸素の少なくとも1種の原子比率を含む、請求項23〜28のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一のコーティングをアニールしてα’’‐Fe16N2を含む少なくとも幾らかの結晶を形成すること、及び前記第二のコーティングをアニールしてα’’‐Fe16(NxZ1-x)2又はα’’‐Fe16N2とα’’‐Fe16Z2との混合物を含む少なくとも幾らかの結晶を形成することが、約5時間〜約80時間、約100℃〜約300℃の温度にて前記第一のコーティング及び前記第二のコーティングを加熱することを含む、請求項23〜29のいずれか1項に記載の方法。
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KR20170108082A (ko) * | 2015-01-26 | 2017-09-26 | 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 미네소타 | 이방성 형상의 질화철 분말 |
US10629341B2 (en) * | 2016-08-22 | 2020-04-21 | Ford Global Technologies, Llc | Magnetic phase coupling in composite permanent magnet |
US11031167B2 (en) * | 2017-11-21 | 2021-06-08 | University Of New Hampshire | Giant perpendicular magnetic anisotropy in Fe/GaN thin films for data storage and memory devices |
CN108831741B (zh) * | 2018-06-15 | 2020-02-21 | 北京科技大学 | 增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法 |
CN109065318B (zh) * | 2018-07-13 | 2019-08-20 | 江南大学 | 一种基于磁晶各向异性能抵消原理制作高频软磁材料的方法 |
GB2592763B (en) * | 2018-11-15 | 2023-01-04 | Rogers Corp | High frequency magnetic films, method of manufacture, and uses thereof |
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JPS63132701A (ja) | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Kawasaki Steel Corp | 塗装用鋼板とその製法 |
US5068147A (en) | 1988-04-28 | 1991-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft magnetic thin film comprising alternate layers of iron carbide with either iron, iron nitride or iron carbon-nitride |
JP2843379B2 (ja) | 1988-10-04 | 1999-01-06 | 日立金属株式会社 | 等方性耐熱ボンド磁石およびその製造方法ならびにそれを用いる磁粉、それを用いたpm型モータ |
JP2698407B2 (ja) | 1988-12-26 | 1998-01-19 | 川崎製鉄株式会社 | 方向性けい素鋼板製造過程における冷間圧延方法 |
JP2665365B2 (ja) | 1989-02-14 | 1997-10-22 | 三菱製鋼株式会社 | 高い磁性を有する窒化鉄の製造方法 |
US5032947A (en) | 1989-07-12 | 1991-07-16 | James C. M. Li | Method of improving magnetic devices by applying AC or pulsed current |
JPH03100124A (ja) | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Nippon Steel Corp | 表面品質の優れたCr―Ni系ステンレス鋼薄板の製造方法 |
DE4025277A1 (de) | 1990-08-09 | 1992-02-13 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung eines anisotropen magnetmaterials auf basis des stoffsystems sm-fe-n |
JPH04217305A (ja) | 1990-12-19 | 1992-08-07 | Nkk Corp | 窒化鉄系高密度焼結体の製造方法 |
JP2700043B2 (ja) | 1991-04-16 | 1998-01-19 | 沖電気工業株式会社 | 磁気記録媒体 |
US5330554A (en) | 1991-08-30 | 1994-07-19 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Method for producing iron-nitride powders |
JP2790395B2 (ja) | 1992-03-25 | 1998-08-27 | 川崎製鉄株式会社 | アパーチャーグリル用鋼板の製造方法 |
JP3021957B2 (ja) | 1992-05-14 | 2000-03-15 | 川崎製鉄株式会社 | 高い飽和磁化を有するFe16N2鉄窒化物の製造方法 |
JPH05326239A (ja) | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | 高い飽和磁束密度を有するFe−N系またはFe−Si−N系軟磁性粉末の製造方法 |
JPH0620834A (ja) | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 磁性多層膜 |
JPH0696947A (ja) | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 薄帯状窒化鉄材料 |
JPH06267722A (ja) | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Nippon Steel Corp | 磁性材料及びその製造方法 |
JPH06311390A (ja) | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 映像信号処理装置 |
RU2113742C1 (ru) | 1993-07-06 | 1998-06-20 | Сумитомо Спешиал Металз Ко., Лтд. | Материалы r-fe-b постоянных магнитов и способы их получения |
US6139765A (en) | 1993-11-11 | 2000-10-31 | Seiko Epson Corporation | Magnetic powder, permanent magnet produced therefrom and process for producing them |
CN1156516A (zh) | 1994-07-18 | 1997-08-06 | 高桥研 | 磁性薄膜及其制造方法 |
US6217672B1 (en) | 1997-09-24 | 2001-04-17 | Yide Zhang | Magnetic annealing of magnetic alloys in a dynamic magnetic field |
JP3932326B2 (ja) | 1998-05-22 | 2007-06-20 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 窒化鉄磁性材料の製法 |
KR100592471B1 (ko) | 1998-10-14 | 2006-06-23 | 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 | 알-티-비계 소결형 영구자석 |
JP2000176513A (ja) | 1998-12-17 | 2000-06-27 | Nippon Steel Corp | 調質圧延用ロール、調質圧延方法および調質圧延金属板 |
US6457629B1 (en) | 1999-10-04 | 2002-10-01 | Solidica, Inc. | Object consolidation employing friction joining |
JP3861276B2 (ja) | 1999-11-04 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 冷却ロール、磁石材料の製造方法、薄帯状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石 |
JP2001176715A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 高飽和磁化Fe−N系磁性体 |
WO2001093286A1 (fr) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Migaku Takahashi | Couche mince magnetique, son procede de production, son procede d'evaluation et tete magnetique dans laquelle elle est utilisee, dispositif d'enregistrement magnetique et dispositif magnetique |
JP4000552B2 (ja) | 2000-12-27 | 2007-10-31 | スズキ株式会社 | 窒化鉄薄膜の製造方法 |
JP2002334695A (ja) | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Canon Inc | 二次電池および二次電池の製造方法 |
JP3558996B2 (ja) | 2001-03-30 | 2004-08-25 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置 |
US6778358B1 (en) | 2002-05-01 | 2004-08-17 | Western Digital (Fremont), Inc. | Magnetically soft, high saturation magnetization laminates of iron-cobalt-nitrogen and iron-nickel |
GB0220063D0 (en) | 2002-08-29 | 2002-10-09 | Isis Innovation | Magnetic particle and process for preparation |
CN1768166A (zh) | 2003-01-29 | 2006-05-03 | Tdk株式会社 | 磁性石榴石单晶膜形成用基板、光学元件及其制造方法 |
GB2414852B (en) | 2003-02-19 | 2007-05-02 | Hitachi Maxell | Magnetic recording medium |
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EP1548760A3 (en) | 2003-11-27 | 2007-12-26 | DOWA Electronics Materials Co., Ltd. | Iron nitride magnetic powder and method of producing the powder |
JP4534059B2 (ja) | 2004-03-17 | 2010-09-01 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 窒化鉄系磁性粉末およびその製造法 |
US8012269B2 (en) | 2004-12-27 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Nd-Fe-B rare earth permanent magnet material |
JP2007070669A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Osaka Univ | 窒化硼素炭素および窒化硼素の成膜方法並びに前記方法で得られた膜、基板、デバイス |
JP2007273038A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体 |
JP2008117855A (ja) | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Toyota Motor Corp | ナノコンポジット磁石の製造方法 |
US7736753B2 (en) * | 2007-01-05 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | Formation of nanostructures comprising compositionally modulated ferromagnetic layers by pulsed ECD |
US8535634B2 (en) | 2007-05-04 | 2013-09-17 | Advanced Materials Corporation | Iron nitride powders for use in magnetic, electromagnetic, and microelectronic devices |
JP2008311518A (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Hitachi Maxell Ltd | 窒化鉄系磁性粉末の製造方法、窒化鉄系磁性粉末、及び磁気記録媒体 |
JP5058889B2 (ja) | 2007-07-03 | 2012-10-24 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
JP2009088287A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 窒化鉄粉末、窒化鉄粉末の製造方法、および磁気記録媒体 |
US9242295B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-01-26 | The Univeristy Of Texas At Arlington | Bulk nanocomposite magnets and methods of making bulk nanocomposite magnets |
JP4791513B2 (ja) | 2008-08-05 | 2011-10-12 | 日立マクセル株式会社 | 窒化鉄系磁性粉末、及びそれを用いた磁気記録媒体 |
US8591987B2 (en) | 2009-05-18 | 2013-11-26 | Northrop Grumman Systems Corporation | Multiferroic nanoscale thin film materials, method of its facile syntheses and magnetoelectric coupling at room temperature |
JP2009259402A (ja) * | 2009-08-11 | 2009-11-05 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体および磁気テープカートリッジ |
JP5344171B2 (ja) | 2009-09-29 | 2013-11-20 | ミネベア株式会社 | 異方性希土類−鉄系樹脂磁石 |
JP5130270B2 (ja) | 2009-09-30 | 2013-01-30 | 株式会社日立製作所 | 磁性材料及びそれを用いたモータ |
JP5769223B2 (ja) | 2009-10-22 | 2015-08-26 | 戸田工業株式会社 | 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 |
JP6017416B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2016-11-02 | コリア インスティチュ−ト オブ マシナリ− アンド マテリアルズ | 広帯域電磁気波吸収体及びその製造方法 |
US9115425B2 (en) | 2010-10-18 | 2015-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Thin film depositing apparatus |
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WO2012131872A1 (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 日立金属株式会社 | 複合軟磁性粉末及びその製造方法、並びにそれを用いた圧粉磁心 |
US20140132376A1 (en) * | 2011-05-18 | 2014-05-15 | The Regents Of The University Of California | Nanostructured high-strength permanent magnets |
JP2012246174A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化鉄材の製造方法及び窒化鉄材 |
EP2745298B1 (en) | 2011-08-17 | 2019-12-11 | Regents of the University of Minnesota | Technique and system for forming iron nitride permanent magnet |
JP5924657B2 (ja) | 2011-09-22 | 2016-05-25 | 戸田工業株式会社 | 強磁性窒化鉄粒子粉末の製造方法、異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 |
JP6155440B2 (ja) | 2011-09-22 | 2017-07-05 | 戸田工業株式会社 | 強磁性窒化鉄粒子粉末の製造方法、異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石の製造方法 |
EP2760033A4 (en) | 2011-09-22 | 2015-04-01 | Toda Kogyo Corp | METHOD FOR MANUFACTURING IRON NITRIDE FERROMAGNETIC POWDER, ANISOTROPIC MAGNET, AGGLOMERATED MAGNET, AND COMPRESSED POWDER MAGNET |
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EP2791055A4 (en) | 2011-12-15 | 2015-06-03 | Univ Case Western Reserve | TRANSFORMATION-CONTROLLED NITRIDE MAGNETS WITHOUT RARE EARTHS AND PROCESS FOR PRODUCING SAME |
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KR20160133564A (ko) * | 2014-03-28 | 2016-11-22 | 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 미네소타 | 코팅된 나노입자들을 포함하는 질화철 자성 재료 |
US9994949B2 (en) | 2014-06-30 | 2018-06-12 | Regents Of The University Of Minnesota | Applied magnetic field synthesis and processing of iron nitride magnetic materials |
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