JP3861276B2 - 冷却ロール、磁石材料の製造方法、薄帯状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、冷却ロール、磁石材料の製造方法、薄帯状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁石粉末を結合樹脂で結合してなるボンド磁石は、形状の自由度が広いという利点を有し、モータや各種アクチュエータに用いられている。
【０００３】
このようなボンド磁石を構成する磁石材料は、例えば急冷薄帯製造装置を用いた急冷法により製造される。急冷薄帯製造装置が単一の冷却ロールを備えるものである場合は、単ロール法と呼ばれる。
【０００４】
この単ロール法では、所定の合金組成の磁石材料を加熱、溶融し、その溶湯をノズルから射出し、ノズルに対して回転している冷却ロールの周面に衝突させ、該周面と接触させることにより急冷、凝固し、薄帯状（リボン状）の磁石材料、すなわち急冷薄帯を連続的に形成する。そして、この急冷薄帯を粉砕して磁石粉末とし、この磁石粉末よりボンド磁石を製造する。
【０００５】
このとき、冷却ロールとしては、熱伝導率の高い銅または銅系合金、鉄または鉄系合金等のロール（表面コーティングなし）が使用されたり、あるいは、主に耐久性の向上を目的として、ロール基材に比べて熱伝導率の低いＣｒメッキ等の表面層が、ロールの表面に設けられたものが使用されている。
【０００６】
しかし、前者のように表面コーティングのないロールを使用した場合、得られる急冷薄帯のロール面（冷却ロールの周面と接触する側の面）では、冷却速度が非常に速く非晶質化し易くなるのに対し、フリー面（ロール面と反対側の面）では、ロール面に比べて冷却速度が遅いため結晶粒径の粗大化が起こり、結果として磁気特性が低下する。
【０００７】
一方後者では、ロール基材に比べて熱伝導率の低いＣｒメッキ層等が表面層として設けてあるので、前記のような結晶粒径のバラツキは若干緩和されるが、次のような問題があった。
【０００８】
通常Ｃｒメッキを施す場合、基部の上に電解メッキによってメッキ層を形成するが、電解メッキを行った場合、基部表面の凹凸の状態などでＣｒメッキ層の成長速度が場所によって大きく異なり、メッキ層表面にも凹凸が顕著に現れる。このため、メッキ後、面出しをするために、表面の研削加工、研磨加工などの機械加工が必須となる。しかし、冷却ロールについて、このような機械加工を行う場合、冷却ロールを回転して行うが、冷却ロールの偏心回転や機械のぶれ、振動等の影響で、周方向に沿って均一な加工を行うことができず、最終的に得られるＣｒメッキ層の厚さが不均一となる。
【０００９】
このようにメッキ層の厚さが不均一になると、得られる急冷薄帯に対する熱伝達特性は、場所によって大きく異なる。そのため、急冷薄帯の合金の結晶粒径もバラツキが大きくなり、安定した高い磁気特性が得られない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、磁気特性が優れ、信頼性の高い磁石を提供することができる冷却ロール、磁石材料の製造方法、薄帯状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（２３）の本発明により達成される。
【００１２】
（１） 磁石材料製造用の冷却ロールであって、
前記冷却ロールのロール基材の外周の全周にセラミックスで構成された表面層を有し、
前記表面層の最大の厚さをＴ_ｍａｘ、最小の厚さをＴ_ｍｉｎとしたとき、１．０１≦Ｔ_ｍａｘ／Ｔ_ｍｉｎ≦３の関係を満足することを特徴とする冷却ロール。
【００１３】
（２） 前記表面層は、組成の異なる複数の層の積層体であり、前記積層体の隣接する層同士が同一の元素を含むものである上記（１）に記載の冷却ロール。
【００１４】
（３） 前記表面層は、その表面に機械加工を行わないで製造されたものである上記（１）または（２）に記載の冷却ロール。
【００１５】
（４） 前記表面層は、化学蒸着法（ＣＶＤ）または物理蒸着法（ＰＶＤ）によって形成されたものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の冷却ロール。
【００１６】
（５） 前記表面層の平均厚さは、０．５〜５０μｍである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の冷却ロール。
【００１７】
（６） 前記表面層の表面粗さＲａは、０．０３〜８μｍであることを特徴とする上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の冷却ロール。
【００１８】
（７） 前記冷却ロールの半径が５０〜１０００ｍｍである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の冷却ロール。
【００１９】
（８） 前記磁石材料は、希土類元素と、遷移金属と、ボロンとを含む合金である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の冷却ロール。
【００２０】
（９） 上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の冷却ロールを用いて急冷法により薄帯状磁石材料を製造することを特徴とする磁石材料の製造方法。
【００２１】
（１０） 雰囲気ガス中で、磁石材料の溶湯をノズルから射出し、前記ノズルに対し回転している上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の冷却ロールの周面に衝突させ、冷却固化して、薄帯状磁石材料を製造することを特徴とする磁石材料の製造方法。
【００２２】
（１１） 前記雰囲気ガスは、不活性ガスである上記（１０）に記載の磁石材料の製造方法。
【００２３】
（１２） 前記冷却ロールの周速度が、５〜６０ｍ／秒である上記（９）ないし（１１）のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
【００２４】
（１３） 得られる薄帯状磁石材料の平均厚さが１０〜５０μｍである上記（９）ないし（１２）のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
【００２５】
（１４） 得られる薄帯状磁石材料は、ソフト磁性相とハード磁性相とが相隣接して存在する複合組織を有するものである上記（９）ないし（１３）のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
【００２６】
（１５） 上記（９）ないし（１４）のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とする薄帯状磁石材料。
【００２７】
（１６） 上記（９）ないし（１４）のいずれかに記載の方法により製造された薄帯状磁石材料を粉砕して得られたことを特徴とする磁石粉末。
【００２８】
（１７） 磁石粉末は、その製造過程で、または製造後少なくとも１回熱処理が施されたものである上記（１６）に記載の磁石粉末。
【００２９】
（１８） 平均結晶粒径が５００ｎｍ以下の単相組織または複合組織を持つ上記（１６）または（１７）に記載の磁石粉末。
【００３０】
（１９） 平均粒径が０．５〜１５０μｍである上記（１６）ないし（１８）のいずれかに記載の磁石粉末。
【００３１】
（２０） 上記（１６）ないし（１９）のいずれかに記載の磁石粉末を結合材で結合してなることを特徴とするボンド磁石。
【００３２】
（２１） 前記磁石粉末の含有量が７５〜９９．５％である上記（２０）に記載のボンド磁石。
【００３３】
（２２） 保磁力Ｈ_cJが３２０〜９００ｋＡ／ｍ以上である上記（２０）または（２１）に記載のボンド磁石。
【００３４】
（２３） 最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘが６０ｋＪ／ｍ³以上である上記（２０）ないし（２２）のいずれかに記載のボンド磁石。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の冷却ロール、磁石材料の製造方法、薄帯状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石について添付図面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本発明の磁石材料を単ロール法により製造する装置（急冷薄帯製造装置）の構成例を示す斜視図、図２は、図１に示す装置における溶湯の冷却ロールへの衝突部位付近の状態を示す断面側面図である。
【００３７】
図１に示すように、急冷薄帯製造装置１は、磁石材料を収納し得る筒体２と、該筒体２に対し図中矢印９Ａ方向に回転する冷却ロール５とを備えている。筒体２の下端には、磁石材料の溶湯を射出するノズル（オリフィス）３が形成されている。
【００３８】
筒体２の構成材料としては、例えば石英や、アルミナ、マグネシア等の耐熱性セラミックスが挙げられる。
【００３９】
ノズル３の開口形状としては、例えば、円形、楕円形、スリット状等が挙げられる。
【００４０】
また、筒体２のノズル３近傍の外周には、加熱用のコイル４が配置され、このコイル４に例えば高周波を印加することにより、筒体２内を加熱（誘導加熱）し、筒体２内の磁石材料を溶融状態にする。
【００４１】
なお、加熱手段は、このようなコイル４に限らず、例えば、カーボンヒータを用いることもできる。
【００４２】
冷却ロール５は、ロール基材５１と、その外周の全周を被覆する表面層５２とで構成されている。表面層５２は、周面５３を形成する。
【００４３】
ロール基材５１の構成材料は、特に限定されないが、表面層５２の熱をより速く放散できるように、例えば銅または銅系合金、鉄または鉄系合金のような熱伝導率の高い金属材料で構成されているのが好ましい。
【００４４】
また、表面層５２は、ロール基材５１より熱伝導率が低い材料で構成されている。これにより、急冷薄帯８のロール面８１側とフリー面８２側との冷却速度の差をより小さくすることができ、結晶粒径の均一化を図ることができる。
【００４５】
このとき、表面層５２の厚さのバラツキが大きいと、得られる急冷薄帯８に対する熱伝達特性は、場所によって大きく異なり、結晶粒径のバラツキが大きくなり、安定した磁気特性が得られなくなる。したがって、これを防止するために、本発明の冷却ロール５は、表面層５２の最大の厚さをＴ_max、最小の厚さをＴ_minとしたとき、下記式（I）を満足する表面層５２を有するものとする。これにより、急冷薄帯８の長手方向における結晶粒径のバラツキを小さくすることができ、磁気特性の向上に寄与する。
【００４６】
１．０１≦Ｔ_max／Ｔ_min≦３ ・・・（I）
また、式（I）に代わり、式（II）を満足するのが好ましく、式（III）を満足するのがより好ましい。
【００４７】
１．０１≦Ｔ_max／Ｔ_min≦２ ・・・（II）
１．０５≦Ｔ_max／Ｔ_min≦１．５ ・・・（III）
Ｔ_max／Ｔ_minの値は、小さいほどよいが、１．０１未満のものは、製作上困難である場合がある。一方、Ｔ_max／Ｔ_minの値が前記式中の上限値を超えると、表面層５２の材質等によっては、得られる急冷薄帯８に対する熱伝達特性が場所によって大きく異なることになり、結晶粒径のバラツキが生じ、安定した磁気特性が得られなくなる。
【００４８】
なお、表面層５２が後述する組成の異なる複数の層の積層体であるときは、それらの合計の厚さの最大値をＴ_max、最小値をＴ_minとする。
【００４９】
ここで、表面層５２の形成方法は、前記式を満足することができる方法であれば特に限定されないが、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤなどの化学蒸着法（ＣＶＤ）または真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理蒸着法（ＰＶＤ）が好ましい。これらの方法は、層形成を均一に行うことができるため、表面層５２の形成後、その表面に機械加工を行わなくてよい。また、その他、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ、溶射等の方法でもよいが、表面層５２の形成後、その表面に機械加工を行わないようにすることが好ましい。ただし、研削や研磨のような機械加工ではない、例えば、洗浄、エッチング、不動態化処理等の化学的に行う表面処理は、この限りではない。
【００５０】
表面層５２は、セラミックスで構成されたものである。これにより、急冷薄帯８のロール面８１とフリー面８２との冷却速度の差をより小さくできる。セラミックスとしては、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔｉ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等の酸化物系セラミックス、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系セラミックス、グラファイト、ＳｉＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、Ａｌ₄Ｃ₃、ＣａＣ₂、ＷＣ等の炭化物系のセラミックス、あるいは、これらのうちの２以上を任意に組合せた複合セラミックスが挙げられる。
【００５１】
また、表面層５２は、図示のような単層のみならず、例えば組成の異なる複数の層の積層体であってもよい。この場合、隣接する層同士は、密着性の高いものが好ましく、その例としては、隣接する層同士に同一の元素が含まれているものが挙げられる。
【００５２】
また、表面層５２が単層で構成されている場合でも、その組成は、厚さ方向に均一なものに限らず、例えば、含有成分が厚さ方向に順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【００５３】
表面層５２の平均厚さ（前記積層体の場合はその合計厚さ）Ｔは、特に限定されないが、０．５〜５０μｍであることが好ましく、１〜２０μｍであることがより好ましい。
【００５４】
表面層５２の平均厚さＴが小さすぎると、表面層５２の材質によっては、急冷薄帯８のロール面８１では冷却速度が速く非晶質化し易くなるのに対して、フリー面８２ではロール面８１に比べて冷却速度が遅いため結晶粒径の粗大化が起こり、また、逆に表面層５２の平均厚さＴが大きすぎると、急冷速度が遅く、結晶粒径の粗大化が起こり、いずれの場合にも、結果として磁気特性が低下する。
【００５５】
表面層５２の表面粗さＲａは、表面層５２を構成する材料、組成等にもより、特に限定されないが、０．０３〜８μｍであることが好ましく、０．０５〜５μｍ程度であるのがより好ましい。
【００５６】
表面粗さＲａが小さ過ぎると、溶湯６が周面５３に衝突して形成されるパドル（湯溜り）７にすべりが生じるおそれがある。このすべりが著しいと、周面５３と急冷薄帯８との接触が不十分となり、結晶粒が粗大化し、磁気特性が低下する。一方、Ｒａが大き過ぎると、周面５３と急冷薄帯８との間に生じる空隙が大きくなり、後述する接触時間が比較的短いと、全体として熱伝達性が悪くなり、磁気特性が低下する。
【００５７】
冷却ロール５の半径は、特に限定されないが、通常５０〜１０００ｍｍ程度が好ましく、７５〜５００ｍｍ程度がより好ましい。
【００５８】
冷却ロール５の半径が小さ過ぎると、冷却ロール全体の冷却能力が低くなり、特に急冷薄帯８を連続的に生産する場合、時間の経過と共に結晶粒径の粗大化が起こり、高い磁気特性を有する急冷薄帯８を安定して得ることが困難となる。また、半径が大き過ぎると、冷却ロール自体の加工性が悪く、場合によっては加工が困難となり、また装置の大型化を招くこととなる。
【００５９】
本発明における薄帯状磁石材料や磁石粉末としては、優れた磁気特性を有するものが好ましく、このようなものとしては、Ｒ（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちの少なくとも１種）を含む合金、特にＲ（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちの少なくとも１種）とＴＭ（ただし、ＴＭは、遷移金属のうちの少なくとも１種）とＢ（ボロン）とを含む合金が挙げられ、次の［１］〜［４］の組成のものが好ましい。
【００６０】
［１］ Ｓｍを主とする希土類元素と、Ｃｏを主とする遷移金属とを基本成分とするもの（以下、Ｓｍ−Ｃｏ系合金と言う）。
【００６１】
［２］ Ｒ（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちの少なくとも１種）と、Ｆｅを主とする遷移金属（ＴＭ）と、Ｂとを基本成分とするもの（以下、Ｒ−ＴＭ−Ｂ系合金と言う）。
【００６２】
［３］ Ｓｍを主とする希土類元素と、Ｆｅを主とする遷移金属と、Ｎを主とする格子間元素とを基本成分とするもの（以下、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系合金と言う）。
【００６３】
［４］ Ｒ（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうち少なくとも１種）とＦｅ等の遷移金属とを基本成分とし、ソフト磁性相とハード磁性相とが相隣接して存在する複合組織（特に、ナノコンポジット組織と呼ばれるものがある）を有するもの。
【００６４】
Ｓｍ−Ｃｏ系合金の代表的なものとしては、ＳｍＣｏ₅、Ｓｍ₂ＴＭ₁₇（ただしＴＭは、遷移金属）が挙げられる。
【００６５】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金の代表的なものとしては、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｐｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｎｄ−Ｐｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｃｅ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｃｅ−Ｐｒ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金、これらにおけるＦｅの一部をＣｏ、Ｎｉ等の他の遷移金属で置換したもの等が挙げられる。
【００６６】
Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系合金の代表的なものとしては、Ｓｍ₂Ｆｅ₁₇合金を窒化して作製したＳｍ₂Ｆｅ₁₇Ｎ₃、ＴｂＣｕ₇型相を主相とするＳｍ−Ｚｒ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ系合金が挙げられる。
【００６７】
前記希土類元素としては、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、ミッシュメタルが挙げられ、これらを１種または２種以上含むことができる。また、前記遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等が挙げられ、これらを１種または２種以上含むことができる。
【００６８】
また、保磁力、最大磁気エネルギー積等の磁気特性を向上させるため、あるいは、耐熱性、耐食性を向上させるために、磁石材料中には、必要に応じ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇｅ等を含有することもできる。
【００６９】
前記複合組織（ナノコンポジット組織）は、ソフト磁性相とハード磁性相とを有し、各相の厚さや粒径がナノメーターレベル（例えば１〜１００ｎｍ）で存在している。そして、ソフト磁性相とハード磁性相とが相隣接し、磁気的な交換相互作用を生じる。
【００７０】
ソフト磁性相の磁化は、外部磁界の作用により容易にその向きを変えるので、ハード磁性相に混在すると、系全体の磁化曲線はＢ−Ｈ図（Ｊ−Ｈ図）の第二象現で段のある「へび型曲線」となる。しかし、ソフト磁性相のサイズが数１０ｎｍ以下と十分小さい場合には、ソフト磁性体の磁化が周囲のハード磁性体の磁化との結合によって十分強く拘束され、系全体がハード磁性体として振舞うようになる。
【００７１】
このような複合組織（ナノコンポジット組織）を持つ磁石は、主に、以下に挙げる特徴１）〜５）を有している。
【００７２】
１）Ｂ−Ｈ図（Ｊ−Ｈ図）の第二象現で、磁化が可逆的にスプリングバックする（この意味で「スプリング磁石」とも言う）。
２）着磁性が良く、比較的低い磁場で着磁できる。
３）磁気特性の温度依存性がハード磁性相単独の場合に比べて小さい。
４）磁気特性の経時変化が小さい。
５）微粉砕しても磁気特性が劣化しない。
【００７３】
前述したＲ−ＴＭ−Ｂ系合金において、ハード磁性相およびソフト磁性相は、例えば次のようなものとなる。
【００７４】
ハード磁性相：Ｒ₂ＴＭ₁₄Ｂ系（ＴＭは、ＦｅまたはＦｅとＣｏ）、またはＲ₂ＴＭ₁₄ＢＱ系（Ｑは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇｅ等のうちの少なくとも１種）
ソフト磁性相：ＴＭ（特にα−Ｆｅ，α−（Ｆｅ，Ｃｏ））、またはＴＭとＱとの合金相
冷却ロール５の周速度は、合金溶湯の組成、表面層５２の構成材料（組成）、周面５３の表面性状（特に、周面５３の溶湯６に対する濡れ性）等によりその好適な範囲が異なるが、磁気特性向上のために、通常、５〜６０ｍ／秒であるのが好ましく、１０〜４５ｍ／秒であるのがより好ましい。
【００７５】
冷却ロール５の周速度が遅すぎると、急冷薄帯８の体積流量（単位時間当たりに射出される溶湯６の体積）によっては、急冷薄帯８の平均厚さｔが大きくなり、結晶粒径が増大する傾向を示し、逆に冷却ロール５の周速度が速すぎると、大部分が非晶質組織となり、いずれの場合にも、その後に熱処理を施したとしても磁気特性の十分な向上が図れなくなる。
【００７６】
このような急冷薄帯製造装置１は、チャンバー（図示せず）内に設置され、該チャンバー内に不活性ガスやその他の雰囲気ガスが充填された状態で作動する。特に、急冷薄帯８の酸化を防止するために、雰囲気ガスは、不活性ガスであるのが好ましい。不活性ガスとしては、例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガス等が挙げられる。
【００７７】
筒体２内の溶湯６の液面には、チャンバーの内圧より高い所定の圧力がかけられている。溶湯６は、この筒体２内の溶湯６の液面に作用する圧力とチャンバー内の雰囲気ガスの圧力との差圧により、ノズル３から射出する。
【００７８】
急冷薄帯製造装置１では、筒体２内に磁石材料を入れ、コイル４により加熱して溶融し、その溶湯６をノズル３から射出すると、図２に示すように、溶湯６は、冷却ロール５の周面５３に衝突し、パドル（湯溜り）７を形成した後、回転する冷却ロール５の周面５３に引きずられつつ急速に冷却されて凝固し、急冷薄帯８が連続的または断続的に形成される。このようにして形成された急冷薄帯８は、やがて、そのロール面８１が周面５３から離れ、図１中の矢印９Ｂ方向に進行する。なお、図２中、溶湯の凝固界面７１を点線で示す。
【００７９】
なお、急冷薄帯８を実際に製造するに際しては、必ずしもノズル３を冷却ロール５の回転中心５４の真上に設置しなくてもよく、例えば、冷却ロール５の位置は同じで、ノズル３を図２中左方向に若干移動した位置に設置し、急冷薄帯８の製造を行なってもよい。
【００８０】
以上のようにして得られた急冷薄帯８は、その幅ｗおよび厚さができるだけ均一であるものが好ましい。この場合、急冷薄帯８の平均厚さｔは、１０〜５０μｍ程度であるのが好ましく、１５〜４０μｍ程度であるのがより好ましい。
【００８１】
平均厚さｔが小さ過ぎると、非晶質組織が占める割合が多くなり、その後に熱処理を施したとしても磁気特性の十分な向上が図れなくなる。また、平均厚さｔが小さ過ぎると、急冷薄帯８の機械的強度が低下し、連続した長さの急冷薄帯８が得られにくく、フレーク状または粉末状となり、その結果、冷却が不均一となり、磁気特性のバラツキが生じる。また、単位時間当たりの生産性も劣る。
【００８２】
また、平均厚さｔが大き過ぎると、熱伝達が急冷薄帯８の内部の熱伝導によって支配されるようになり、フリー面８２側の結晶粒径が粗大化する傾向を示すため、磁気特性の十分な向上が図れない。
【００８３】
なお、得られた急冷薄帯８に対しては、例えば、非晶質組織（アモルファス組織）の再結晶化の促進、組織の均質化等を目的として、熱処理を施すこともできる。この熱処理の条件としては、例えば、４００〜９００℃で、０．５〜３００分程度とすることができる。
【００８４】
また、この熱処理は、酸化を防止するために、真空または減圧状態下（例えば１×１０^-1〜１×１０^-6 Ｔｏｒｒ ）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で行うのが好ましい。
【００８５】
以上のようにして得られた急冷薄帯（薄帯状磁石材料）８は、微細結晶組織、もしくは微細結晶が非晶質組織中に含まれるような組織となり、優れた磁気特性が得られる。
【００８６】
なお、以上では、急冷法として、単ロール法を例に説明したが、双ロール法を採用してもよい。このような急冷法は、金属組織（結晶粒）を微細化することができるので、ボンド磁石の磁石特性、特に保磁力等を向上させるのに有効である。
【００８７】
以上のようにして得られた急冷薄帯８を粉砕することにより、本発明の磁石粉末が得られる。
【００８８】
粉砕の方法は、特に限定されず、例えばボールミル、振動ミル、ジェットミル、ピンミル等の各種粉砕装置、破砕装置を用いて行うことができる。この場合、粉砕は、酸化を防止するために、真空または減圧状態下（例えば１×１０^-1〜１×１０^-6Ｔｏｒｒ）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で行うこともできる。
【００８９】
なお、得られた磁石粉末に対しては、例えば、粉砕により導入されたひずみの影響の除去、結晶粒径の制御を目的として、熱処理を施すこともできる。この熱処理の条件としては、例えば、３５０〜８５０℃で、０．５〜３００分程度とすることができる。
【００９０】
また、この熱処理は、酸化を防止するために、真空または減圧状態下（例えば１×１０^-1〜１×１０^-6 Ｔｏｒｒ ）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で行うのが好ましい。
【００９１】
このような磁石粉末を用いてボンド磁石を製造した場合、該磁石粉末は、結合材（結合樹脂）との結合性（濡れ性）が良く、そのため、このボンド磁石は、機械的強度が高く、熱安定性（耐熱性）、耐食性が優れたものとなる。従って、当該磁石粉末は、ボンド磁石の製造に適しており、製造されたボンド磁石は、信頼性の高いものとなる。
【００９２】
以上のような磁石粉末は、平均結晶粒径が５００ｎｍ以下であるのが好ましく、２００ｎｍ以下であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度がさらに好ましい。平均結晶粒径が大き過ぎると、優れた磁気特性、特に保磁力および角型性の向上が十分に図れないからである。
【００９３】
なお、磁石材料が前記［１］〜［３］のような単相組織のものであるか、前記［４］のような複合組織のものであるかを問わず、また、前記急冷薄帯８に対する熱処理や磁石粉末に対する熱処理の有無や熱処理条件にかかわらず、平均結晶粒径は、上記範囲のものとするのが好ましい。
【００９４】
また、磁石粉末の平均粒径は、特に限定されないが、後述するボンド磁石（希土類ボンド磁石）を製造するためのものの場合、磁石粉末の酸化防止と、粉砕による磁気特性劣化の防止とを考慮して、０．５〜１５０μｍ程度が好ましく、１〜６０μｍ程度がより好ましい。また、後述するような少量の結合樹脂で成形時の良好な成形性を得るために、磁石粉末の粒径分布は、ある程度分散されている（バラツキがある）のが好ましい。これにより、得られたボンド磁石の空孔率を低減することができ、ボンド磁石の機械的強度をより高め、磁気特性をさらに向上することができる。
【００９５】
このような磁石粉末は、同一組成のもののみならず、異なる２種以上の組成の磁石粉末を混合したものでもよい。例えば、前記［１］〜［４］の組成のもののうち、少なくとも２種を混合したものが挙げられる。この場合、混合する各磁石粉末の利点を併有することができ、より優れた磁気特性を容易に得ることができる。
【００９６】
なお、異なる２種以上の組成の磁石粉末を混合したものの場合、混合する磁石粉末の組成毎に、その平均粒径が異なっていてもよい。また、このような混合粉末の場合、異なる２種以上の組成の磁石粉末のうちの少なくとも１種が前述した本発明の方法により製造されたものであればよい。
【００９７】
また、本発明の粉末状の磁石材料は、ボンド磁石の製造に用いるものに限定されず、例えば、焼結磁石の製造に用いるものであってもよい。
【００９８】
次に、本発明のボンド磁石について説明する。
本発明のボンド磁石は、前述の磁石粉末を結合樹脂のような結合材（バインダー）で結合してなるものである。
結合樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよい。
【００９９】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１００】
これらのうちでも、成形性が特に優れており、機械的強度が高いことから、ポリアミド、耐熱性向上の点から、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイドを主とするものが好ましい。また、これらの熱可塑性樹脂は、磁石粉末との混練性にも優れている。
【０１０１】
このような熱可塑性樹脂は、その種類、共重合化等により、例えば成形性を重視したものや、耐熱性、機械的強度を重視したものというように、広範囲の選択が可能となるという利点がある。
【０１０２】
一方、熱硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノール型、ノボラック型、ナフタレン系等の各種エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１０３】
これらのうちでも、成形性が特に優れており、機械的強度が高く、耐熱性に優れるという点から、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。また、これらの熱硬化性樹脂は、磁石粉末との混練性、混練の均一性にも優れている。
【０１０４】
なお、使用される熱硬化性樹脂（未硬化）は、室温で液状のものでも、固形（粉末状）のものでもよい。
【０１０５】
なお、本発明では、弾性を有する結合材として、例えば、天然ゴム（ＮＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ、１，２−ＢＲ）、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）等のブタジエン系ゴム、クロロプレンゴム（ＣＲ）、ブタジエン−アクリロニトリルゴム（ＮＢＲ）等のジエン系特殊ゴム、ブチルゴム（ＩＩＲ）、エチレン−プロピレンゴム（ＥＰＭ、ＥＰＤＭ）、エチレン−酢酸ビニルゴム（ＥＶＡ）、アクリル系ゴム（ＡＣＭ、ＡＮＭ）、ハロゲン化ブチルゴム（Ｘ−ＩＩＲ）等のオレフィン系ゴム、ウレタンゴム（ＡＵ、ＥＵ）等のウレタン系ゴム、ヒドリンゴム（ＣＯ、ＥＣＯ、ＧＣＯ、ＥＧＣＯ）等のエーテル系ゴム、多硫化ゴム（Ｔ）等のポリスルフィド系ゴム、シリコーンゴム（Ｑ）、フッ素ゴム（ＦＫＭ、ＦＺ）、塩素化ポリエチレン（ＣＭ）等の各種ゴムや、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマーを用い、可撓性（柔軟性）を有するボンド磁石とすることもできる。
【０１０６】
また、本発明のボンド磁石は、等方性でも異方性でもよいが、製造のし易さから、等方性であるのが好ましい。
【０１０７】
このような本発明のボンド磁石は、例えば次のようにして製造される。磁石粉末と、結合樹脂と、必要に応じ添加剤（酸化防止剤、潤滑剤等）とを含むボンド磁石用組成物（コンパウンド）を製造し、このボンド磁石用組成物を用いて、圧縮成形（プレス成形）、押出成形、射出成形、カレンダー成形等の成形方法により、磁場中または無磁場中で所望の磁石形状に成形する。結合樹脂が熱硬化性樹脂の場合には、成形後、加熱等によりそれを硬化する。
【０１０８】
ここで、前記３種の成形方法のうち、押出成形および射出成形（特に、射出成形）は、形状選択の自由度が広く、生産性が高い等の利点があるが、これらの成形方法では、良好な成形性を得るために、成形機内におけるコンパウンドの十分な流動性を確保しなければならないため、圧縮成形に比べて、磁石粉末の含有量を多くすること、すなわちボンド磁石を高密度化することができない。しかしながら、本発明では、後述するように、高い磁束密度が得られ、そのため、ボンド磁石を高密度化しなくても優れた磁気特性が得られるので、押出成形、射出成形により製造されるボンド磁石にもその利点を享受することができる。
【０１０９】
ボンド磁石中の磁石粉末の含有量（含有率）は、特に限定されず、通常は、成形方法や、成形性と高磁気特性との両立を考慮して決定される。具体的には、７５〜９９．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、８５〜９８ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【０１１０】
特に、ボンド磁石が圧縮成形により製造されたものの場合には、磁石粉末の含有量は、９０〜９９．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、９３〜９８．５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【０１１１】
また、ボンド磁石が押出成形または射出成形により製造されたものの場合には、磁石粉末の含有量は、７５〜９８ｗｔ％程度であるのが好ましく、８５〜９７ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【０１１２】
ボンド磁石の密度ρは、それに含まれる磁石粉末の比重、磁石粉末の含有量、空孔率等の要因により決定される。本発明のボンド磁石において、その密度ρは特に限定されないが、結合材として前述のような結合樹脂（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）を用いたボンド磁石の場合には、５．０ｇ／ｃｍ³以上であるのが好ましく、５．５〜６．６ｇ／ｃｍ³程度であるのがより好ましい。また、可撓性（柔軟性）を有するボンド磁石の場合には、５．０ｇ／ｃｍ³未満であってもよい。
【０１１３】
本発明では、磁石粉末の磁束密度、保磁力が比較的大きいので、ボンド磁石に成形した場合に、磁石粉末の含有量が多い場合はもちろんのこと、含有量が比較的少ない場合でも、優れた磁気特性（高い保磁力および最大磁気エネルギー積）が得られる。
【０１１４】
本発明のボンド磁石は、保磁力Ｈ_cJが３２０〜９００ｋＡ／ｍ程度であるのが好ましく、４００〜７２０ｋＡ／ｍ程度であるのがより好ましい。保磁力が前記下限値未満では、モータの用途によっては逆磁場がかかったときの減磁が顕著になり、また、高温における耐熱性が劣る。また、保磁力が前記上限値を超えると、着磁性が低下する。従って、保磁力Ｈ_cJを上記範囲とすることにより、ボンド磁石（特に、円筒状磁石）に多極着磁等をするような場合に、十分な着磁磁場が得られないときでも、良好な着磁が可能となり、十分な磁束密度が得られ、高性能なボンド磁石、特にモータ用ボンド磁石を提供することができる。
【０１１５】
本発明のボンド磁石は、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘが６０ｋＪ／ｍ³以上であるのが好ましく、６５ｋＪ／ｍ³以上であるのがより好ましく、７０〜１３０ｋＪ／ｍ³であるのがさらに好ましい。最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘが６０ｋＪ／ｍ³未満であると、モータ用に用いた場合、その種類、構造によっては、十分なトルクが得られない。
【０１１６】
本発明のボンド磁石の形状、寸法等は特に限定されず、例えば、形状に関しては、例えば、円柱状、角柱状、円筒状（リング状）、円弧状、平板状、湾曲板状等のあらゆる形状のものが可能であり、その大きさも、大型のものから超小型のものまであらゆる大きさのものが可能である。
【０１１７】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
【０１１８】
（実施例１）
以下に述べるような方法で合金組成が（Ｎｄ_0.9Ｄｙ_0.1）_8.9Ｆｅ_bal.Ｃｏ_7.8Ｂ_5.6Ａｌ_0.7の急冷薄帯を得た。
【０１１９】
まず、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｂ、Ａｌの各原料を秤量し、高周波誘導溶解炉にてＡｒガス中で溶解、鋳造し、母合金インゴットを製造した後、このインゴットから約１５ｇのサンプルを切り出した。
【０１２０】
図１に示す構成の急冷薄帯製造装置１を用意し、底部にノズル（円孔オリフィス）３を設けた石英管内に前記サンプルを入れた。
【０１２１】
銅製のロール基材５１（直径２００ｍｍ、幅３０ｍｍ）の周面に対し、化学蒸着法（ＣＶＤ）により蒸着を行い、表面層５２を有する冷却ロール５を得た（Ｎｏ．１〜３、６）。このとき、化学蒸着は、熱ＣＶＤにより行った。表面層の材質に応じて所定の合成反応ガスを選択した。合成温度も材質によって変わるが、約８００〜１５００℃でＣＶＤを行った。
【０１２２】
また、前記と同一条件のロール基材５１の周面に対し、物理蒸着法（ＰＶＤ）により行い、表面層５２を有する冷却ロール５を得た（条件Ｎｏ．４、５）。このとき、物理蒸着は、イオンプレーティングにより行った。基板温度をおよそ２５０〜８００℃に保持し、表面材質によって反応ガスを選択して、加速電圧は５０〜３００Ｖとした。
【０１２３】
なお、条件Ｎｏ．５、６では、表面層５２は、組成の異なる２層を積層したものとした。
【０１２４】
また、比較例として、前記と同一条件のロール基材５１の周面に、電解メッキによりＣｒ層を形成した。その後、Ｃｒ層に研削研磨加工を施し、表面層５２とした（条件Ｎｏ．７）。なお、研削加工は円筒研削盤を用いて行い、研磨加工は、＃１５００の研磨紙で行った。
【０１２５】
このようにして得られた条件Ｎｏ．１〜７の冷却ロール５について表面層５２の平均厚さＴ、Ｔ_max、Ｔ_min、表面粗さＲａの測定を行った。
【０１２６】
表面層５２の厚さは、表面層を設ける前のロール基材と、表面層を設けた後のロールのそれぞれについて、あらかじめ位置決めしておいてから拡大投影機にて外寸法を測定した値から算出した。周面５３上で周方向に等間隔の１２０箇所の点において表面層５２の厚さを測定し、この平均値を平均厚さＴとし、この１２０箇所の測定の最高値をＴ_max、最低値をＴ_minとした。
【０１２７】
表面粗さＲａは、平均厚さＴ、Ｔ_max、Ｔ_minと同様にして周面５３上の等間隔の１２箇所の点において表面粗さを測定し、その平均値を求めた。
【０１２８】
冷却ロール５の表面層５２の材質、平均厚さＴ、Ｔ_max／Ｔ_min、表面粗さＲａについて、下記表１に示した。
【０１２９】
【表１】

急冷薄帯製造装置１が収納されているチャンバー内を脱気した後、ヘリウムガスを導入し、所望の温度および圧力の雰囲気とした。
【０１３０】
その後、石英管内のインゴットサンプルをコイル４で高周波誘導加熱して溶解し、さらに、冷却ロール５の周速度を１６ｍ／秒、溶湯の噴射圧（石英管の内圧と雰囲気圧との差圧）を４０ｋＰａ、雰囲気ガスの圧力を６０ｋＰａとし、溶湯を冷却ロール５の回転中心の真上から冷却ロール５の頂部の周面５３に向けて噴射し、急冷薄帯を連続的に製造した。
【０１３１】
得られたそれぞれの急冷薄帯について、長さ約５ｃｍの急冷薄帯を取り出し、さらにそこから長さ約７ｍｍのサンプルを５サンプル連続して作製し、それぞれのサンプルについて平均厚さｔ、平均結晶粒径および磁気特性を測定した。
【０１３２】
平均厚さｔは、マイクロスコープにより１サンプルにつき２０箇所の測定点で測定し、これを平均した値とした。平均結晶粒径は、電子顕微鏡による組織観察結果から求めた。磁気特性は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて保磁力Ｈ_cJ（ｋＡ／ｍ）および最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ（ｋＪ／ｍ³）を測定した。それらの結果を表２に示した。
【０１３３】
【表２】

これらの結果から明らかなように、条件Ｎｏ．１〜６（本発明）で得られた急冷薄帯は、高い磁気特性が安定して得られていることが確認された。
【０１３４】
これに対し、条件Ｎｏ．７（比較例）で得られた急冷薄帯は、磁気特性が低いばかりでなく、連続したリボンから抽出したサンプルであるにもかかわらず、その磁気特性のバラツキが大きい。
【０１３５】
（実施例２）
次に、実施例１の条件Ｎｏ．１〜６で得られた急冷薄帯に、Ａｒガス雰囲気中で６８０℃×３００秒の熱処理を施した後、これらの急冷薄帯を粉砕して、磁石粉末を得た。
【０１３６】
得られた磁石粉末について、その相構成を分析するため、Ｃｕ−Ｋαを用い回折角２０°〜６０°にてＸ線回折を行った。回折パターンからハード磁性相であるＲ₂（Ｆｅ・Ｃｏ）₁₄Ｂ型相と、ソフト磁性相であるα−（Ｆｅ，Ｃｏ）型相の回折ピークが確認でき、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察結果から、いずれも、複合組織（ナノコンポジット組織）を形成していることが確認された。得られた磁石粉末の平均粒径については、それぞれ下記表３に示した。
【０１３７】
次に、以上のようにして得られた各磁石粉末に、エポキシ樹脂（結合樹脂）と、少量のヒドラジン系酸化防止剤とを混合し、これらを混練してボンド磁石用組成物（コンパウンド）を作製した。このとき、磁石粉末とエポキシ樹脂との配合比率（重量比）は、各サンプルについてほぼ等しい値とした。
【０１３８】
次いで、このコンパウンドを粉砕して粒状とし、この粒状物を秤量してプレス装置の金型内に充填し、圧力７ｔｏｎ／ｃｍ²で圧縮成形（無磁場中）して、成形体を得た。
【０１３９】
離型後、１５０℃の加熱によりエポキシ樹脂を硬化させて（キュア処理）、直径１０ｍｍ×高さ７ｍｍの円柱状の等方性ボンド磁石を得た。
【０１４０】
各ボンド磁石中の磁石粉末の含有量、各ボンド磁石の密度ρについては、それぞれ表３に示した。
【０１４１】
これらのボンド磁石について、磁場強度３．２ＭＡ／ｍのパルス着磁を施した後、直流自記磁束計にて最大印加磁場２．０ＭＡ／ｍで保磁力Ｈ_cJおよび最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘを測定した。測定時の温度は、２３℃（室温）であった。それらの結果を表３に示した。
【０１４２】
次に耐熱性のテストを行った。この耐熱性は、ボンド磁石を１００℃×１時間の環境下に保持した後、室温に戻した際の不可逆減磁率（初期減磁率）を測定し、評価した。不可逆減磁率（初期減磁率）の絶対値が小さいほど、耐熱性（熱安定性）に優れる。測定の結果得られた不可逆減磁率を表３に示した。
【０１４３】
【表３】

これらの結果からわかるように、実施例２で得られた条件Ｎｏ．１〜６のボンド磁石は、いずれも、優れた磁気特性（高い保磁力Ｈ_cJおよび最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ）および良好な温度特性（低い不可逆減磁率）が得られている。
【０１４４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
【０１４５】
・ 得られる急冷薄帯のロール面側とフリー面側の組織差や長手方向における組織差を小さくすること、特に冷却速度の違いによる結晶粒径の差を小さくすることができ、その結果、優れた磁気特性を持つ磁石材料、磁石粉末が得られ、それより製造されたボンド磁石も優れた磁気特性を発揮する。
【０１４６】
・ 特に、冷却ロールに形成される表面層の構成材料、厚さ、表面粗さ、冷却ロールの半径、周速度、急冷薄帯の厚さ等、磁石粉末の粒径（粒度）、平均結晶粒径等を好適な範囲に設定することにより、さらに優れた磁気特性が得られる。
【０１４７】
・ 従来のボンド磁石に比べ、より小さい体積のボンド磁石で同等以上の磁気特性を発揮することができるので、より小型で高性能のモータ等を製造することが可能となる。
【０１４８】
・ 高磁気特性が得られることから、ボンド磁石の製造に際し、高密度化を追求しなくても十分に満足できる磁気特性を得ることができ、その結果、成形性の向上と共に、寸法精度、機械的強度、耐食性、耐熱性等の向上が図れ、信頼性の高いボンド磁石を容易に製造することが可能となる。
【０１４９】
・ また、高密度化を要求されないことから、圧縮成形法に比べて高密度の成形がしにくい押出成形法や射出成形法によるボンド磁石の製造にも適し、このような成形方法で成形されたボンド磁石でも、前述したような効果が得られる。よって、ボンド磁石の成形方法の選択の幅、さらには、それによる形状選択の自由度が広がる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁石材料を製造する装置（急冷薄帯製造装置）の構成例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す装置における溶湯の冷却ロールへの衝突部位付近の状態を示す断面側面図である。
【符号の説明】
１ 急冷薄帯製造装置
２ 筒体
３ ノズル
４ コイル
５ 冷却ロール
５１ ロール基材
５２ 表面層
５３ 周面
６ 溶湯
７ パドル
７１ 凝固界面
８ 急冷薄帯
８１ ロール面
８２ フリー面
９Ａ 矢印
９Ｂ 矢印

Claims (23)

1. 磁石材料製造用の冷却ロールであって、
   前記冷却ロールのロール基材の外周の全周にセラミックスで構成された表面層を有し、
   前記表面層の最大の厚さをＴ_ｍａｘ、最小の厚さをＴ_ｍｉｎとしたとき、１．０１≦Ｔ_ｍａｘ／Ｔ_ｍｉｎ≦３の関係を満足することを特徴とする冷却ロール。
2. 前記表面層は、組成の異なる複数の層の積層体であり、前記積層体の隣接する層同士が同一の元素を含むものである請求項１に記載の冷却ロール。
3. 前記表面層は、その表面に機械加工を行わないで製造されたものである請求項１または２に記載の冷却ロール。
4. 前記表面層は、化学蒸着法（ＣＶＤ）または物理蒸着法（ＰＶＤ）によって形成されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の冷却ロール。
5. 前記表面層の平均厚さは、０．５〜５０μｍである請求項１ないし４のいずれかに記載の冷却ロール。
6. 前記表面層の表面粗さＲａは、０．０３〜８μｍであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の冷却ロール。
7. 前記冷却ロールの半径が５０〜１０００ｍｍである請求項１ないし６のいずれかに記載の冷却ロール。
8. 前記磁石材料は、希土類元素と、遷移金属と、ボロンとを含む合金である請求項１ないし７のいずれかに記載の冷却ロール。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の冷却ロールを用いて急冷法により薄帯状磁石材料を製造することを特徴とする磁石材料の製造方法。
10. 雰囲気ガス中で、磁石材料の溶湯をノズルから射出し、前記ノズルに対し回転している請求項１ないし８のいずれかに記載の冷却ロールの周面に衝突させ、冷却固化して、薄帯状磁石材料を製造することを特徴とする磁石材料の製造方法。
11. 前記雰囲気ガスは、不活性ガスである請求項１０に記載の磁石材料の製造方法。
12. 前記冷却ロールの周速度が、５〜６０ｍ／秒である請求項９ないし１１のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
13. 得られる薄帯状磁石材料の平均厚さが１０〜５０μｍである請求項９ないし１２のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
14. 得られる薄帯状磁石材料は、ソフト磁性相とハード磁性相とが相隣接して存在する複合組織を有するものである請求項９ないし１３のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
15. 請求項９ないし１４のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とする薄帯状磁石材料。
16. 請求項９ないし１４のいずれかに記載の方法により製造された薄帯状磁石材料を粉砕して得られたことを特徴とする磁石粉末。
17. 磁石粉末は、その製造過程で、または製造後少なくとも１回熱処理が施されたものである請求項１６に記載の磁石粉末。
18. 平均結晶粒径が５００ｎｍ以下の単相組織または複合組織を持つ請求項１６または１７に記載の磁石粉末。
19. 平均粒径が０．５〜１５０μｍである請求項１６ないし１８のいずれかに記載の磁石粉末。
20. 請求項１６ないし１９のいずれかに記載の磁石粉末を結合材で結合してなることを特徴とするボンド磁石。
21. 前記磁石粉末の含有量が７５〜９９．５％である請求項２０に記載のボンド磁石。
22. 保磁力Ｈ_ｃＪが３２０〜９００ｋＡ／ｍ以上である請求項２０または２１に記載のボンド磁石。
23. 最大磁気エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘが６０ｋＪ／ｍ^３以上である請求項２０ないし２２のいずれかに記載のボンド磁石。

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