JP2003077748A

JP2003077748A - 冷却ロール、薄帯状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石

Info

Publication number: JP2003077748A
Application number: JP2001264337A
Authority: JP
Inventors: Sei Arai; 聖新井; Hiroshi Kato; 洋加藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2001-08-31
Publication date: 2003-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気特性が優れ、信頼性に優れた磁石を提供す
ることができる冷却ロール、薄帯状磁石材料、磁石粉末
およびボンド磁石を提供すること。【解決手段】急冷薄帯製造装置１は、筒体２と、加熱用
のコイル４と、冷却ロール５とを備えている。冷却ロー
ル５は、ロール基材５１と、伝熱調整層５２と、表面層
５３とで構成されている。ロール基材５１、伝熱調整層
５２、表面層５３の構成材料の熱伝導率を、それぞれ、
Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］としたとき、
Ｃ_１＞Ｃ_２＞Ｃ_３の関係を満足する。また、冷却ロール
５の周面５４には、ガス抜き手段が設けられている。不
活性ガス中、筒体２の下端に設けられたノズル３から磁
石合金の溶湯６を射出し、周面５４に衝突させ、冷却固
化することにより、急冷薄帯８は製造される。この場
合、周面５４とパドル７との間にガスが侵入するが、ガ
ス抜き手段により、このガスは、周面５４とパドル７と
の間から排出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、冷却ロール、薄帯
状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】磁石材料として、希土類元素を含む合金
で構成される希土類磁石材料は、高い磁気特性を有する
ため、モータ等に用いられた場合に、高性能を発揮す
る。

【０００３】このような磁石材料は、例えば急冷薄帯製
造装置を用いた急冷法により製造される。以下、この製
造方法を説明する。

【０００４】図２０は、従来の磁石材料を単ロール法に
より製造する装置（急冷薄帯製造装置）における溶湯の
冷却ロールへの衝突部位付近の状態を示す断面側面図で
ある。

【０００５】同図に示すように、所定の合金組成の磁石
材料（以下「合金」と言う）を溶融し、その溶湯６０を
図示しないノズルから射出し、ノズルに対して図２０中
矢印Ａ方向に回転している冷却ロール５００の周面５４
０に衝突させ、この周面５４０と接触させることにより
合金溶湯を急冷、凝固し、薄帯状（リボン状）の磁石材
料、すなわち急冷薄帯８０を連続的に形成する。なお、
図２０中、溶湯６０の凝固界面７１０を点線で示す。

【０００６】ここで、希土類元素は、酸化され易く、酸
化されると磁気特性が低下するため、前記急冷薄帯８０
の製造は、主として不活性ガス中で行われていた。

【０００７】そのため、周面５４０と溶湯６０のパドル
（湯溜り）７０との間にガスが侵入し、急冷薄帯８０の
ロール面（冷却ロール５００の周面５４０と接触する
面）８１０にディンプル（凹部）９を生じることがあっ
た。この傾向は、冷却ロール５００の周速度が大きくな
るほど顕著となり、生じるディンプルの面積も大きくな
る。

【０００８】このディンプル９（特に、巨大ディンプ
ル）が生じると、ディンプル部分においては、ガスの介
在により冷却ロール５００の周面５４０との接触不良が
生じ、冷却速度が低下して、急速な凝固が妨げられる。
そのため、ディンプル９が生じた部位では、合金の結晶
粒径が粗大化し、磁気特性が低下する。

【０００９】このような低磁気特性の部分を含む急冷薄
帯を粉砕して得られる磁石粉末は、磁気特性のバラツキ
が大きくなる。したがって、このような磁石粉末を用い
て製造されたボンド磁石は、低い磁気特性しか得られ
ず、また、耐食性も低下する。

【００１０】また、従来、急冷薄帯製造装置を構成する
冷却ロールとしては、銅または銅合金等で構成されたも
のが使用されてきた。また、耐久性向上のために、冷却
ロールの周面に、Ｃｒメッキ等の金属または合金の表面
層を設けたものも知られている。しかし、このような冷
却ロールは、いずれも、その周面が熱伝導性の高い金属
で構成されているため、得られる急冷薄帯は、冷却速度
の差から、そのロール面８１０とフリー面（ロール面８
１０と反対側の面）とにおける組織差（結晶粒径等の
差）が大きくなり、そのため、これを粉砕して磁石粉末
としたときに、各磁石粉末ごとの磁気特性にバラツキが
生じる。したがって、このような磁石粉末からボンド磁
石を製造した場合に、満足な磁気特性が得られない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、磁気
特性が優れ、信頼性に優れた磁石を提供することができ
る冷却ロール、薄帯状磁石材料、磁石粉末およびボンド
磁石を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３５）の本発明により達成される。

【００１３】（１）磁石合金の溶湯をその周面に衝突
させ、冷却固化して、薄帯状磁石材料を製造するための
冷却ロールであって、ロール基材と、該ロール基材の外
周面に設けられた伝熱調整層と、該伝熱調整層の外周の
全周に設けられた表面層とを有し、前記周面上に、前記
周面と前記溶湯のパドルとの間に侵入したガスを排出す
るガス抜き手段を有し、かつ、前記ロール基材の構成材
料の室温付近における熱伝導率をＣ_１［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ
^−１］、前記伝熱調整層の構成材料の室温付近における
熱伝導率をＣ_２［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］、前記表面層の
構成材料の室温付近における熱伝導率をＣ_３［Ｗ・ｍ
^−１・Ｋ⁻ ^１］としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２＞Ｃ_３の関係を
満足することを特徴とする冷却ロール。

【００１４】（２）前記伝熱調整層の平均厚さは、
０．０５〜２０μｍである上記（１）に記載の冷却ロー
ル。

【００１５】（３）前記伝熱調整層は、金属メッキ層
である上記（１）または（２）に記載の冷却ロール。

【００１６】（４）前記伝熱調整層は、無電解メッキ
により形成されたものである上記（１）ないし（３）の
いずれかに記載の冷却ロール。

【００１７】（５）前記伝熱調整層は、Ｎｉおよび／
またはＣｏを主とする材料で構成されたものである上記
（１）ないし（４）のいずれかに記載の冷却ロール。

【００１８】（６）前記伝熱調整層は、Ｐおよび／ま
たはＢを含む材料で構成されたものである上記（５）に
記載の冷却ロール。

【００１９】（７）前記表面層は、前記伝熱調整層の
表面に対する清浄化処理を行った後に、形成されたもの
である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の冷却
ロール。

【００２０】（８）前記表面層の構成材料の室温付近
における熱伝導率は、５０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以下である上
記（１）ないし（７）のいずれかに記載の冷却ロール。

【００２１】（９）前記表面層は、セラミックスで構
成される上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の冷
却ロール。

【００２２】（１０）前記表面層の平均厚さは、０．
５〜５０μｍである上記（１）ないし（９）のいずれか
に記載の冷却ロール。

【００２３】（１１）前記表面層は、その表面に機械
加工を行わないで形成されたものである上記（１）ない
し（１０）のいずれかに記載の冷却ロール。

【００２４】（１２）前記ロール基材の構成材料の室
温付近における熱伝導率は、１１０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上
である上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の冷
却ロール。

【００２５】（１３）前記周面の前記ガス抜き手段を
除く部分の表面粗さＲａは、０．０５〜５μｍである上
記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の冷却ロー
ル。

【００２６】（１４）前記ガス抜き手段は、少なくと
も１本の溝である上記（１）ないし（１３）のいずれか
に記載の冷却ロール。

【００２７】（１５）前記溝の平均幅は、０．５〜９
０μｍである上記（１４）に記載の冷却ロール。

【００２８】（１６）前記溝の平均深さは、０．５〜
２０μｍである上記（１４）または（１５）に記載の冷
却ロール。

【００２９】（１７）前記溝の平均幅をＬ₁、平均深
さをＬ₂としたとき、０．５≦Ｌ₁／Ｌ₂≦１５の関係を
満足する上記（１４）ないし（１６）のいずれかに記載
の冷却ロール。

【００３０】（１８）前記溝の長手方向と、冷却ロー
ルの回転方向とのなす角は、３０°以下である上記（１
４）ないし（１７）のいずれかに記載の冷却ロール。

【００３１】（１９）前記溝は、前記冷却ロールの回
転軸を中心とする螺旋状に形成されたものである上記
（１４）ないし（１８）のいずれかに記載の冷却ロー
ル。

【００３２】（２０）前記溝が並設されており、その
平均ピッチは、３〜１００μｍである上記（１４）ない
し（１９）のいずれかに記載の冷却ロール。

【００３３】（２１）前記溝は、前記周面の縁部に開
口しているものである上記（１４）ないし（２０）のい
ずれかに記載の冷却ロール。

【００３４】（２２）前記周面上における前記溝の占
める投影面積の割合が１０〜９９．５％である上記（１
４）ないし（２１）のいずれかに記載の冷却ロール。

【００３５】（２３）上記（１）ないし（２２）のい
ずれかに記載の冷却ロールを用いて製造されたことを特
徴とする薄帯状磁石材料。

【００３６】（２４）平均厚さが８〜５０μｍである
上記（２３）に記載の薄帯状磁石材料。

【００３７】（２５）薄帯状磁石材料は、製造後少な
くとも１回熱処理が施されたものである上記（２３）ま
たは（２４）に記載の薄帯状磁石材料。

【００３８】（２６）薄帯状磁石材料は、ソフト磁性
相とハード磁性相とを有する複合組織で構成されるもの
である上記（２３）ないし（２５）のいずれかに記載の
薄帯状磁石材料。

【００３９】（２７）前記ハード磁性相および前記ソ
フト磁性相の平均結晶粒径は、いずれも１〜１００ｎｍ
である上記（２６）に記載の薄帯状磁石材料。

【００４０】（２８）上記（２３）ないし（２７）の
いずれかに記載の薄帯状磁石材料を粉砕して得られたこ
とを特徴とする磁石粉末。

【００４１】（２９）磁石粉末は、その製造過程また
は製造後少なくとも１回熱処理が施されたものである上
記（２８）に記載の磁石粉末。

【００４２】（３０）平均粒径が１〜３００μｍであ
る上記（２８）または（２９）に記載の磁石粉末。

【００４３】（３１）磁石粉末は、ソフト磁性相とハ
ード磁性相とを有する複合組織で構成されるものである
上記（２８）ないし（３０）のいずれかに記載の磁石粉
末。

【００４４】（３２）前記ハード磁性相および前記ソ
フト磁性相の平均結晶粒径は、いずれも１〜１００ｎｍ
である上記（３１）に記載の磁石粉末。

【００４５】（３３）上記（２８）ないし（３２）の
いずれかに記載の磁石粉末を結合樹脂で結合してなるこ
とを特徴とするボンド磁石。

【００４６】（３４）室温での固有保磁力Ｈ_cJが３２
０〜１２００ｋＡ／ｍである上記（３３）に記載のボン
ド磁石。

【００４７】（３５）最大磁気エネルギー積（ＢＨ）
_maxが４０ｋＪ／ｍ³以上である上記（３３）または（３
４）に記載のボンド磁石。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の冷却ロール、薄帯
状磁石材料、磁石粉末およびボンド磁石の実施の形態に
ついて、詳細に説明する。

【００４９】［冷却ロールの構造］図１は、本発明の冷
却ロールの第１実施形態と、その冷却ロールを用い、単
ロール法により薄帯状磁石材料（急冷薄帯）を製造する
装置（急冷薄帯製造装置）の構成例とを示す斜視図、図
２は、図１に示す冷却ロールの正面図、図３は、図１に
示す冷却ロールの拡大断面図である。

【００５０】図１に示すように、冷却ロール５は、ロー
ル基材５１の外周面に、伝熱調整層５２と、表面層５３
とが、この順に積層された構成となっている。

【００５１】後に詳述するように、ロール基材５１は、
銅または銅系合金等の熱伝導率の高い材料で構成され、
表面層５３は、熱伝導率の低い材料で構成されている。
すなわち、ロール基材５１と表面層５３とは、それぞれ
の構成材料の熱伝導率が大きく乖離している。

【００５２】本発明では、ロール基材５１と表面層５３
との間に、ロール基材５１の構成材料の熱伝導率より低
く、かつ表面層５３の構成材料の熱伝導率より高い熱伝
導率を有する材料で構成された伝熱調整層５２を有して
いる。

【００５３】すなわち、本発明は、ロール基材５１の構
成材料の室温付近における熱伝導率（以下、単に「熱伝
導率」とも言う）をＣ_１［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］、伝熱
調整層５２の構成材料の熱伝導率をＣ_２［Ｗ・ｍ^−１・
Ｋ^−１］、表面層５３の構成材料の熱伝導率をＣ_３［Ｗ
・ｍ^−１・Ｋ^−１］としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２＞Ｃ_３の関
係を満足する点に特徴を有する。

【００５４】冷却ロールがこのような関係を満足するこ
とにより、以下のような効果が得られる。

【００５５】合金溶湯（急冷薄帯）は、冷却ロールと表
面層にて接触し、その熱がロール基材方向に抜熱・冷却
される。

【００５６】ここで、表面層が比較的熱伝導率の低い材
料で構成されることにより、冷却ロールと急冷薄帯のロ
ール面との接触部分における実効的な熱伝達率を下げる
ことができる。これにより、急冷薄帯のロール面（冷却
ロールの周面と接触する側の面）付近と、フリー面（ロ
ール面と反対側の面）付近とでの冷却速度の差異を小さ
くすることができ、結果として、ロール面付近とフリー
面付近とでの組織差（例えば、結晶組織のバラツキ等）
を小さくすることが可能となる。

【００５７】一方、ロール基材は、急冷薄帯からの熱を
効率的に抜熱するために、比較的高い熱伝導率を持つこ
とが好ましい。

【００５８】このようなことから、冷却ロールは、低熱
伝導率の材料で構成された表面層と、高熱伝導率の材料
で構成されたロール基材とを有するものであるのが望ま
しい。

【００５９】しかしながら、ロール基材の周面に、直
接、表面層を形成した場合、以下のような問題を生じ
る。

【００６０】すなわち、表面層は、低熱伝導率の材料で
構成されているため、高温の合金溶湯を急冷する場合等
において、蓄熱し易いが、ロール基材との界面付近にお
いては、高熱伝導率を有するロール基材により、急激に
冷却されることになる。このため、表面層は、ロール基
材との界面付近と、それ以外の部分とで、大きな温度差
を生じることとなり、内部熱膨張あるいは熱衝撃による
表面層の破壊を生じ易くなる。

【００６１】これに対し、ロール基材と表面層との間
に、後に詳述する伝熱調整層を設けた本発明の冷却ロー
ルでは、上述したような急激な温度勾配を解消すること
ができる。これにより、前述した表面層の効果と、ロー
ル基材の効果とを併有することができる。

【００６２】また、ロール基材の周面に、直接、表面層
を形成した従来の冷却ロールでは、以下のような問題点
も有していた。

【００６３】すなわち、所望の冷却速度を得るために比
較的厚い表面層を設けた場合、初期には適切な冷却速度
が得られていても回転数を重ねていく（操業時間を長く
していく）につれて表面層からロール基材への抜熱が表
面層の低熱伝導率のために妨げられて表面層の温度上昇
が顕著となり、冷却速度の低下が顕著となる。このため
操業を重ねるほど急冷薄帯の結晶粒径の粗大化が起こ
り、結果的に磁気特性の低下を招く。この様な事態を防
ぐために表面層のみを薄くしても冷却速度が大きくなり
過ぎて適切な結晶組織が得られなかったり、ロール基材
が高温にさらされることで基材が再結晶化するなど変質
してしまうという問題が生じる。

【００６４】これに対して、本発明の冷却ロールは、ロ
ール基材と表面層との間に伝熱調整層を有しているた
め、繰り返し急冷薄帯を製造することによる（特に、連
続操業による）表面層の温度上昇を防ぐことができると
共に、冷却速度を適正な範囲に維持できる。このため、
均一微細な結晶組織の形成がなされ、結果として磁気特
性が向上する。

【００６５】以下、冷却ロール５を構成する各部位につ
いて説明する。前述したように、ロール基材５１は、伝
熱調整層５２および表面層５３の構成材料より高い熱伝
導率を有する材料で構成されている。

【００６６】ロール基材５１の構成材料の熱伝導率は、
例えば、１１０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上であるのが好まし
く、１５０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上であるのがより好まし
く、２００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上であるのがさらに好まし
い。このような熱伝導率を有する材料としては、例え
ば、銅または銅系合金、鉄または鉄系合金等が挙げられ
る。

【００６７】また、伝熱調整層５２は、ロール基材５１
の構成材料の熱伝導率より小さく、かつ表面層５３の構
成材料の熱伝導率より大きい材料で構成されたものであ
れば、いかなるものであってもよい。

【００６８】ロール基材５１の構成材料が前述した範囲
内の熱伝導率を有し、かつ表面層５３の構成材料が後述
する範囲内の熱伝導率を有するものである場合、伝熱調
整層５２の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔ
ａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｆｅおよびそれらの合金等が挙
げられ、この中でも特に、Ｎｉおよび／またはＣｏを主
とするものが好ましい。これにより、伝熱調整層５２の
伝熱調整効果がより顕著なものとなるとともに、ロール
基材５１および表面層５３との密着性も特に優れたもの
となる。

【００６９】また、伝熱調整層５２の構成材料は、Ｐお
よび／またはＢを含むものであるのが好ましい。これに
より、伝熱調整層５２の伝熱調整効果がさらに顕著なも
のとなるとともに、ロール基材５１および表面層５３と
の密着性も向上する。

【００７０】また、伝熱調整層５２は、図示のような単
層のみならず、例えば組成の異なる複数の層の積層体で
あってもよい。この場合、隣接する層同士は、密着性の
高いものが好ましく、その例としては、隣接する層同士
に同一の元素が含まれているものが挙げられる。

【００７１】また、伝熱調整層５２が単層で構成されて
いる場合でも、その組成は、厚さ方向に均一なものに限
らず、例えば、含有成分が厚さ方向に順次変化するもの
（傾斜材料）であってもよい。

【００７２】伝熱調整層５２が、上記のような積層体、
傾斜材料である場合、その熱伝導率は、伝熱調整層５２
全体の平均値として求めることができる。

【００７３】伝熱調整層５２の平均厚さ（前記積層体の
場合はその合計厚さ）は、特に限定されないが、０．０
５〜２０μｍであるのが好ましく、１〜１０μｍである
のがより好ましい。

【００７４】伝熱調整層５２の平均厚さが下限値未満で
あると、構成材料の熱伝導率等によっては、前述した伝
熱調整効果が十分に得られない可能性がある。

【００７５】一方、伝熱調整層５２の平均厚さが上限値
を超えると、伝熱調整層を通しての表面層からロール基
材への抜熱が不十分となり、表面層の蓄熱、温度上昇に
よる冷却速度が低下する可能性がある。これにより、急
冷薄帯の結晶組織における結晶粒の粗大化を生じ、結果
として、十分な磁気特性が得られない可能性がある。

【００７６】伝熱調整層５２は、いかなる方法で形成さ
れたものであっても良いが、金属メッキにより形成され
たものであるのが好ましい。これにより、その厚さが比
較的薄く、かつ厚さのバラツキが小さい伝熱調整層５２
を、容易に形成することができる。これにより、冷却ロ
ール５は、各部位での熱伝導度のバラツキが小さいもの
となり、安定した冷却速度で、磁石合金の溶湯を冷却す
ることが可能なものとなる。したがって、このような冷
却ロール５を用いて製造される急冷薄帯８（薄帯状磁石
材料）は、各部位での組織差が小さく、安定した磁気特
性を有するものとなり、結果として、全体としての磁気
特性に優れた磁石を提供することが可能となる。

【００７７】金属メッキ法としては、例えば、電解メッ
キ、無電解メッキ、浸漬メッキ、さらにはＰＶＤ、ＣＶ
Ｄ等の気相メッキ等が挙げられるが、この中でも特に、
無電解メッキが好ましい。

【００７８】伝熱調整層５２の形成方法として無電解メ
ッキを用いることにより、形成される伝熱調整層５２
は、ロール基材５１との密着性が特に優れたものとなる
とともに、各部位での厚さのバラツキ、密度のバラツキ
が特に小さいものとなる。このため、冷却ロール５の各
部位での熱伝導度のバラツキを、さらに小さくすること
ができ、安定した冷却速度で、磁石合金の溶湯を冷却す
ることが可能となる。したがって、このような冷却ロー
ル５を用いて製造される急冷薄帯８（薄帯状磁石材料）
は、各部位での組織差が特に小さく、安定した磁気特性
を有するものとなり、結果として、特に優れた磁気特性
を有する磁石を提供することが可能となる。

【００７９】また、伝熱調整層５２の形成方法として無
電解メッキを用いることにより、伝熱調整層５２を形成
時におけるロール基材５１の温度上昇を効果的に防止、
抑制することもできる。このため、伝熱調整層５２の形
成時等におけるロール基材５１の構成材料の酸化等を効
果的に防止することができるとともに、伝熱調整層５２
の形成後においても、ロール基材５１の表面形状を劣化
させることなく、維持することができる。

【００８０】このように、伝熱調整層５２の形成方法と
して無電解メッキを用いた場合、厚さのバラツキ、密度
のバラツキが小さい伝熱調整層５２を容易に形成するこ
とができ、かつ、ロール基材５１の表面形状を劣化させ
ることなく、維持することができるため、後述するガス
抜き手段を、表面層５３の表面に機械加工を施すことな
く、容易に形成することが可能となる。

【００８１】また、伝熱調整層５２の形成前に、ロール
基材５１の外表面に対して、清浄化処理を施してもよ
い。これにより、ロール基材５１と伝熱調整層５２との
密着性が特に優れたものとなる。前記清浄化処理として
は、例えば、アルカリ洗浄、酸洗浄、有機溶剤洗浄等の
洗浄処理や、ボンバード処理等が挙げられる。

【００８２】また、表面層５３は、前述したように、ロ
ール基材５１および伝熱調整層５２の構成材料より低い
熱伝導率を有する材料で構成されている。

【００８３】表面層５３の構成材料の熱伝導率は、例え
ば、５０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以下であるのが好ましく、３〜
４５Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1であるのがより好ましく、５〜３５
Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1であるのがさらに好ましい。このような
熱伝導率を有する材料としては、例えば、Ｚｒ、Ｓｂ、
Ｔｉ、Ｍｎ等、またはこれらを含む合金等の金属薄層や
金属酸化物層、セラミックス等が挙げられる。セラミッ
クスとしては、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、
Ｔｉ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃、チタン酸バリウム、チタ
ン酸ストロンチウム等の酸化物系セラミックス、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、
ＴａＮ、ＮｂＮ、ＣｒＮ、Ｃｒ₂Ｎ等の窒化物系セラミ
ックス、グラファイト、ＳｉＣ、ＺｒＣ、Ａｌ₄Ｃ₃、Ｃ
ａＣ₂、ＷＣ、ＴｉＣ、ＨｆＣ、ＶＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ
等の炭化物系のセラミックス、あるいは、これらのうち
の２以上を任意に組合せた複合セラミックスが挙げられ
る。この中でも特に、窒化物系セラミックスを含むもの
であるのが好ましい。

【００８４】また、従来、冷却ロールの周面を構成する
材料として用いられてきたもの（Ｃｕ、Ｃｒなど）に比
べ、このようなセラミックスは、高い硬度を有し、耐久
性（耐摩耗性）に優れている。このため、冷却ロール５
を繰り返し使用しても、周面５４の形状が維持され、後
述するガス抜き手段の効果も劣化しにくい。

【００８５】また、表面層５３は、図示のような単層の
みならず、例えば組成の異なる複数の層の積層体であっ
てもよい。この場合、隣接する層同士は、密着性の高い
ものが好ましく、その例としては、隣接する層同士に同
一の元素が含まれているものが挙げられる。

【００８６】また、表面層５３が単層で構成されている
場合でも、その組成は、厚さ方向に均一なものに限ら
ず、例えば、含有成分が厚さ方向に順次変化するもの
（傾斜材料）であってもよい。

【００８７】表面層５３の平均厚さ（前記積層体の場合
はその合計厚さ）は、特に限定されないが、０．５〜５
０μｍであるのが好ましく、１〜２０μｍであるのがよ
り好ましい。

【００８８】表面層５３の平均厚さが下限値未満である
と、次のような問題が生じる。すなわち、表面層５３の
材質によっては、冷却能が大きすぎて、厚さがかなり大
きい急冷薄帯８でもロール面８１付近では冷却速度が大
きく、非晶質になり易くなる。一方、フリー面８２付近
では、急冷薄帯８の厚さが大きいほど冷却速度が小さく
なり、その結果、結晶粒径の粗大化が起こり易くなる。
すなわち、フリー面８２付近では粗大粒、ロール面８１
付近では非晶質といった急冷薄帯となり易くなり、その
後に熱処理を施したとしても、満足な磁気特性が得られ
ない場合がある。また、フリー面８２付近での結晶粒径
を小さくするために、例えば、冷却ロール５の周速度を
大きくして、急冷薄帯８の厚さを小さくしたとしても、
ロール面８１付近での非晶質がよりランダムなものとな
り、急冷薄帯８の作成後に、熱処理を施したとしても、
十分な磁気特性が得られない場合がある。

【００８９】また、表面層５３の平均厚さが上限値を超
えると、冷却速度が遅く、結晶粒径の粗大化が起こり、
結果として磁気特性が低下する場合がある。

【００９０】表面層５３の形成方法は、特に限定されな
いが、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤなど
の化学蒸着法（ＣＶＤ）または真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティングなどの物理蒸着法（ＰＶＤ）
が好ましい。これらの方法を用いた場合、比較的容易
に、表面層の厚さを均一にすることができるため、表面
層５３の形成後、その表面に機械加工を行わなくてよ
い。なお、表面層５３は、その他、電解メッキ、浸漬メ
ッキ、無電解メッキ、溶射等の方法で形成されてもよ
い。

【００９１】また、表面層５３の形成前に、伝熱調整層
５２の外表面に対して、清浄化処理を施してもよい。こ
れにより、伝熱調整層５２と表面層５３との密着性が特
に優れたものとなる。前記清浄化処理としては、例え
ば、水洗、アルカリ洗浄、酸洗浄、有機溶剤洗浄等の洗
浄処理や、ボンバード処理等が挙げられる。

【００９２】また、冷却ロール５の周面５４には、周面
５４と溶湯６のパドル（湯溜り）７との間に侵入したガ
スを排出するガス抜き手段が設けられている。

【００９３】ガス抜き手段により、周面５４とパドル７
との間からガスが排出されると、周面５４とパドル７と
の密着性が向上する（巨大ディンプルの発生が防止され
る）。これにより、パドル７の各部位における冷却速度
の差は小さくなる。このため、得られる急冷薄帯８にお
ける結晶粒径のバラツキが小さくなり、結果として、磁
気特性のバラツキが小さい急冷薄帯８が得られる。

【００９４】このようなガス抜き手段が設けられること
による効果は、前述した表面層５３の効果と相乗的に作
用する。その結果、得られる急冷薄帯８は、磁気特性に
優れ、部位による磁気特性のバラツキが特に小さいもの
となる。したがって、この急冷薄帯８を用いることによ
り、特に優れた磁気特性の磁石を得ることができる。

【００９５】図示の構成では、ガス抜き手段として、溝
５５が形成されている。溝５５は、冷却ロールの回転方
向に対し、ほぼ平行に形成されている。ガス抜き手段が
このような溝であると、周面５４とパドル７との間から
溝５５に送り込まれたガスが溝５５の長手方向に沿って
移動するため、周面５４とパドル７との間に侵入したガ
スの排出効率は、特に高く、周面５４に対するパドル７
の密着性が向上する。

【００９６】図示の構成では、溝５５は複数本形成され
ているが、少なくとも１本形成されていればよい。

【００９７】溝５５の幅（周面５４へ開口している部分
での幅）Ｌ₁の平均値は、０．５〜９０μｍであるのが
好ましく、１〜５０μｍであるのがより好ましく、３〜
２５μｍであるのがさらに好ましい。溝５５の幅Ｌ₁の
平均値が下限値未満であると、周面５４とパドル７との
間に侵入したガスを十分に排出できない場合がある。一
方、溝５５の幅Ｌ₁の平均値が上限値を超えると、溶湯
６が溝５５に入り込み、溝５５がガス抜き手段として機
能しない場合がある。

【００９８】溝５５の深さ（最大深さ）Ｌ₂の平均値
は、０．５〜２０μｍであるのが好ましく、１〜１０μ
ｍであるのがより好ましい。溝５５の深さＬ₂の平均値
が下限値未満であると、周面５４とパドル７との間に侵
入したガスを十分に排出できない場合がある。一方、溝
５５の深さＬ₂の平均値が上限値を超えると、溝部分を
流れるガス流の流速が増大するとともに、渦を伴う乱流
となり易くなり、急冷薄帯８の表面に巨大ディンプルが
発生し易くなる。

【００９９】溝５５の幅Ｌ₁および溝５５の深さＬ₂は、
下記式（I）を満足するのが好ましい。

【０１００】０．５≦Ｌ₁／Ｌ₂≦１５・・・（I）また、式（I）に代わり、式（II）を満足するのがより
好ましく、式（III）を満足するのがさらに好ましい。

【０１０１】０．８≦Ｌ₁／Ｌ₂≦１０・・・（II）１≦Ｌ₁／Ｌ₂≦８・・・（III）Ｌ₁／Ｌ₂の値が前記下限値未満であると、ガス抜きのた
めの十分な開口幅を得るのが困難となり、周面５４とパ
ドル７との間に侵入したガスを十分に排出できない場合
がある。また、溝５５の深さＬ₂の値が相対的に大きく
なるため、溝部分を流れるガス流の流速が増大するとと
もに、渦を伴う乱流となり易くなり、急冷薄帯８の表面
に巨大ディンプルが発生し易くなる。

【０１０２】一方、Ｌ₁／Ｌ₂の値が前記上限値を超える
と、溶湯６が溝５５に入り込み、溝５５がガス抜き手段
として十分に機能しない場合がある。また、溝５５の深
さＬ ₂の値が相対的に小さくなるため、周面５４とパド
ル７との間に侵入したガスを十分に排出できない場合が
ある。

【０１０３】並設されている溝５５のピッチＬ₃の平均
値は、特に限定されないが、３〜１００μｍであるのが
好ましく、３〜５０μｍであるのがより好ましい。溝５
５の平均ピッチがこのような範囲の値であると、溝５５
がガス抜き手段として十分に機能し、かつパドル７との
接触部分−非接触部分の間隔が十分小さくなる。その結
果、パドル７において、周面５４と接触している部分と
接触していない部分との冷却速度の差は、十分小さくな
り、得られる急冷薄帯８の結晶粒径、磁気特性のバラツ
キは小さくなる。特に、表面層５３が前述したようなセ
ラミックスで構成されている場合、表面層５３上にこの
ような十分に細かいピッチの溝５５が形成されていて
も、表面層５３の摩耗や欠けによる表面形状の劣化が起
こりにくい。したがって、冷却ロール５を繰り返し使用
しても、ガス抜き手段としての効果が維持される。

【０１０４】周面５４上における溝５５の占める投影面
積（周面に投影したときの面積）の割合は、１０〜９
９．５％であるのが好ましく、３０〜９５％であるのが
より好ましい。周面５４上における溝５５の占める投影
面積の割合が下限値未満であると、急冷薄帯８のロール
面８１付近では、冷却速度が大きくなり非晶質化しやす
くなるのに対し、フリー面８２付近ではロール面８１付
近に比べて冷却速度が遅いため結晶粒径の粗大化を招
き、結果として磁気特性が低下する場合がある。一方、
周面５４上における溝５５の占める投影面積の割合が上
限値を超えると、冷却速度が小さくなり、結晶粒径の粗
大化を招き、結果として磁気特性が低下する場合があ
る。

【０１０５】周面５４の溝５５を除く部分の表面粗さＲ
ａは、特に限定されないが、０．０５〜５μｍであるの
が好ましく、０．０７〜２μｍであるのがより好まし
い。表面粗さＲａが下限値未満であると、冷却ロール５
とパドル７との密着性が低下し、巨大ディンプルの発生
を十分に抑制できない可能性がある。一方、表面粗さＲ
ａが上限値を超えると、急冷薄帯８の厚さのバラツキが
顕著となり、結晶粒径のバラツキ、磁気特性のバラツキ
が大きくなる可能性がある。

【０１０６】なお、図３（後述する図１０、図１２、図
１４、図１６、図１７も同様）は、冷却ロールの周面付
近の断面形状を説明するための図であり、ロール基材と
伝熱調整層との境界、伝熱調整層と表面層との境界は、
省略して示した。

【０１０７】次に、溝５５の形成方法について説明す
る。図４、図５は、ガス抜き手段の形成方法を説明する
ための図である。

【０１０８】溝５５の形成方法は、特に限定されない
が、例えば、切削、転写（圧転）、研削、ブラスト処理
等の各種機械加工、レーザー加工、放電加工、化学エッ
チング等が挙げられる。その中でも、溝の幅、深さ、並
設された溝のピッチ等の精度を高くすることが比較的容
易である点で、機械加工、特に、切削であるのが好まし
い。

【０１０９】溝５５は、直接、表面層５３に形成された
ものであっても、そうでなくてもよい。すなわち、図４
に示すように、ロール基材５１の外周面に、伝熱調整層
５２および表面層５３を設けた後、表面層５３に前述し
た方法により溝５５を形成してもよいが、図５に示すよ
うに、ロール基材５１の外周面上に、前述した方法によ
り溝を形成した後、伝熱調整層５２および表面層５３を
形成してもよい。この場合、表面層５３の表面に機械加
工を施すことなく、周面５４上にガス抜き手段である溝
５５が形成される。また、表面層５３の表面に機械加工
等が施されないため、その後、研磨等が施されなくても
周面５４の表面粗さＲａを比較的小さくすることができ
る。

【０１１０】［磁石材料の合金組成］本発明における薄
帯状磁石材料や磁石粉末としては、優れた磁気特性を有
するものが好ましく、このようなものとしては、Ｒ（た
だし、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちの少なくとも１
種）を含む合金、特にＲ（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土
類元素のうちの少なくとも１種）とＴＭ（ただし、ＴＭ
は、遷移金属のうちの少なくとも１種）とＢ（ボロン）
とを含む合金が挙げられ、次の［１］〜［５］の組成の
ものが好ましい。

【０１１１】［１］Ｓｍを主とする希土類元素と、Ｃ
ｏを主とする遷移金属とを基本成分とするもの（以下、
Ｓｍ−Ｃｏ系合金と言う）。

【０１１２】［２］Ｒ（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土
類元素のうちの少なくとも１種）と、Ｆｅを主とする遷
移金属（ＴＭ）と、Ｂとを基本成分とするもの（以下、
Ｒ−ＴＭ−Ｂ系合金と言う）。

【０１１３】［３］Ｓｍを主とする希土類元素と、Ｆ
ｅを主とする遷移金属と、Ｎを主とする格子間元素とを
基本成分とするもの（以下、Ｓｍ−ＴＭ−Ｎ系合金と言
う）。

【０１１４】［４］Ｒ（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土
類元素のうち少なくとも１種）とＦｅ等の遷移金属とを
基本成分とし、ソフト磁性相とハード磁性相とが相隣接
して（粒界相を介して隣接する場合も含む）存在する複
合組織（特に、ナノコンポジット組織と呼ばれるものが
ある）を有するもの。

【０１１５】［５］前記［１］〜［４］の組成のもの
のうち、少なくとも２種を混合したもの。この場合、混
合する各磁石粉末の利点を併有することができ、より優
れた磁気特性を容易に得ることができる。

【０１１６】Ｓｍ−Ｃｏ系合金の代表的なものとして
は、ＳｍＣｏ₅、Ｓｍ₂ＴＭ₁₇（ただしＴＭは、遷移金
属）が挙げられる。

【０１１７】Ｒ−ＴＭ−Ｂ系合金の代表的なものとして
は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｐｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｎ
ｄ−Ｐｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｂ系合
金、Ｃｅ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｃｅ−Ｐｒ−Ｎｄ−
Ｆｅ−Ｂ系合金、これらにおけるＦｅの一部をＣｏ、Ｎ
ｉ等の他の遷移金属で置換したもの等が挙げられる。

【０１１８】Ｓｍ−ＴＭ−Ｎ系合金の代表的なものとし
ては、Ｓｍ₂Ｆｅ₁₇合金を窒化して作製したＳｍ₂Ｆｅ₁₇
Ｎ₃、ＴｂＣｕ₇型相を主相とするＳｍ−Ｚｒ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎ系合金等が挙げられる。ただし、これらＳｍ−Ｔ
Ｍ−Ｎ系合金の場合、Ｎは、急冷薄帯を作製した後、得
られた急冷薄帯に適切な熱処理を施し、窒化することに
より格子間原子として導入されるのが一般的である。

【０１１９】前記希土類元素としては、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、ミッシュメタルが
挙げられ、これらを１種または２種以上含むことができ
る。また、前記遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等
が挙げられ、これらを１種または２種以上含むことがで
きる。

【０１２０】また、保磁力、最大磁気エネルギー積等の
磁気特性を向上させるため、あるいは、耐熱性、耐食性
を向上させるために、磁石材料中には、必要に応じ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｗ、Ｃ等を
含有することもできる。

【０１２１】前記複合組織（ナノコンポジット組織）
は、ソフト磁性相１０とハード磁性相１１とが、例え
ば、図６、図７または図８に示すようなパターン（モデ
ル）で存在しており、各相の厚さや粒径がナノメーター
レベルで存在している。そして、ソフト磁性相１０とハ
ード磁性相１１とが相隣接し（粒界相を介して隣接する
場合も含む）、磁気的な交換相互作用を生じる。

【０１２２】ソフト磁性相の磁化は、外部磁界の作用に
より容易にその向きを変えるので、ハード磁性相に混在
すると、系全体の磁化曲線はＢ−Ｈ図（Ｊ−Ｈ図）の第
二象現で段のある「へび型曲線」となる。しかし、ソフ
ト磁性相のサイズが数１０ｎｍ以下と十分小さい場合に
は、ソフト磁性体の磁化が周囲のハード磁性体の磁化と
の結合によって十分強く拘束され、系全体がハード磁性
体として振舞うようになる。

【０１２３】このような複合組織（ナノコンポジット組
織）を持つ磁石は、主に、以下に挙げる特徴１）〜５）
を有している。

【０１２４】１）Ｂ−Ｈ図（Ｊ−Ｈ図）の第二象現で、
磁化が可逆的にスプリングバックする（この意味で「ス
プリング磁石」とも言う）。２）着磁性が良く、比較的低い磁場で着磁できる。３）磁気特性の温度依存性がハード磁性相単独の場合に
比べて小さい。４）磁気特性の経時変化が小さい。５）微粉砕しても磁気特性が劣化しない。

【０１２５】このように、複合組織で構成される磁石
は、優れた磁気特性を有する。したがって、磁石粉末
は、このような複合組織を有するものであるのが特に好
ましい。

【０１２６】なお、図６〜図８に示すパターンは、一例
であって、これらに限られるものではない。

【０１２７】［薄帯状磁石材料の製造］次に、前述した
冷却ロール５を用いた薄帯状磁石材料の製造について説
明する。

【０１２８】薄帯状磁石材料は、磁石合金の溶湯を冷却
ロールの周面に衝突させ、冷却固化することにより製造
される。以下、その一例について説明する。

【０１２９】図１に示すように、急冷薄帯製造装置１
は、磁石材料を収納し得る筒体２と、該筒体２に対し図
中矢印Ａ方向に回転する冷却ロール５とを備えている。
筒体２の下端には、磁石材料（合金）の溶湯６を射出す
るノズル（オリフィス）３が形成されている。

【０１３０】筒体２のノズル３近傍の外周には、筒体２
内の磁石材料を加熱（誘導加熱）するための加熱用のコ
イル４が配置されている。

【０１３１】このような急冷薄帯製造装置１は、チャン
バー（図示せず）内に設置され、該チャンバー内に不活
性ガスやその他の雰囲気ガスが充填された状態で作動す
る。特に、急冷薄帯８の酸化を防止するために、雰囲気
ガスは、不活性ガスであるのが好ましい。不活性ガスと
しては、例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガス
等が挙げられる。

【０１３２】雰囲気ガスの圧力は、特に限定されない
が、１〜７６０Torrであるのが好ましい。

【０１３３】筒体２内の溶湯６の液面には、チャンバー
の内圧より高い所定の圧力がかけられている。溶湯６
は、この筒体２内の溶湯６の液面に作用する圧力と筒体
２内における液面の高さに比例してかかる圧力の和と、
チャンバー内の雰囲気ガスの圧力との差圧により、ノズ
ル３から射出する。

【０１３４】溶湯噴射圧（筒体２内の溶湯６の液面に作
用する圧力と筒体２内における液面の高さに比例してか
かる圧力の和と、チャンバー内の雰囲気ガスの圧力との
差圧）は、特に限定されないが、１０〜１００ｋＰａで
あるのが好ましい。

【０１３５】急冷薄帯製造装置１では、筒体２内に磁石
材料を入れ、コイル４により加熱して溶融し、その溶湯
６をノズル３から射出すると、図１に示すように、溶湯
６は、冷却ロール５の周面５４に衝突し、パドル（湯溜
り）７を形成した後、回転する冷却ロール５の周面５４
に引きずられつつ急速に冷却されて凝固し、急冷薄帯８
が連続的または断続的に形成される。このとき、パドル
７と周面５４との間に侵入したガスは、溝５５（ガス抜
き手段）を介して外部に排出される。このようにして形
成された急冷薄帯８は、やがて、そのロール面８１が周
面５４から離れ、図１中の矢印Ｂ方向に進行する。

【０１３６】このように、周面５４上にガス抜き手段が
設けられることにより、周面５４とパドル７との密着性
が向上し（巨大ディンプルの発生が防止され）、パドル
７の不均一な冷却が防止される。また、冷却ロール５
は、比較的高い熱伝導率を有する材料（熱伝導率：Ｃ_１
［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］）で構成されたロール基材５１
と、比較的低い熱伝導率を有する材料（熱伝導率：Ｃ_３
［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］）で構成された表面層５３とを
有し、かつ、ロール基材５１と表面層５３との間には、
Ｃ_１＞Ｃ_２＞Ｃ_３なる関係を満足するような熱伝導率Ｃ
_２［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］の材料で構成された伝熱調整
層５２が介在しているため、ロール面８１付近とフリー
面８２付近とでの冷却速度の差も小さくなる。その結
果、各部位における結晶粒径のバラツキが小さく、高い
磁気特性を有する急冷薄帯８が得られる。

【０１３７】また、急冷薄帯８を実際に製造するに際し
ては、必ずしもノズル３を冷却ロール５の回転軸５０の
真上に設置しなくてもよい。

【０１３８】冷却ロール５の周速度は、合金溶湯の組
成、表面層５３の構成材料（組成）、周面５４の表面性
状（特に、周面５４の溶湯６に対する濡れ性）等により
その好適な範囲が異なるが、磁気特性向上のために、通
常、５〜６０ｍ／秒であるのが好ましく、１０〜４０ｍ
／秒であるのがより好ましい。冷却ロール５の周速度が
下限値未満であると、溶湯６の冷却速度が低下し、結晶
粒径が増大する傾向を示し、磁気特性が低下する場合が
ある。一方、冷却ロール５の周速度が上限値を超える
と、逆に冷却速度が大きくなり、非晶質組織が占める割
合が大きくなり、その後に、後述する熱処理を施したと
しても、磁気特性が十分に向上しない場合がある。

【０１３９】以上のようにして得られた急冷薄帯８は、
その幅ｗおよび厚さができるだけ均一であるものが好ま
しい。この場合、急冷薄帯８の平均厚さｔは、８〜５０
μｍ程度であるのが好ましく、１０〜４０μｍ程度であ
るのがより好ましい。平均厚さｔが下限値未満である
と、非晶質組織が占める割合が大きくなり、その後に、
後述する熱処理を施したとしても磁気特性が十分に向上
しない場合がある。単位時間当たりの生産性も低下す
る。一方、平均厚さｔが上限値を超えると、フリー面８
２側の結晶粒径が粗大化する傾向を示すため、磁気特性
が低下する場合がある。

【０１４０】なお、得られた急冷薄帯８に対しては、例
えば、非晶質組織（アモルファス組織）の再結晶化の促
進、組織の均質化等を目的として、熱処理を施すことも
できる。この熱処理の条件としては、例えば、４００〜
９００℃で、０．５〜３００分程度とすることができ
る。

【０１４１】また、この熱処理は、酸化を防止するため
に、真空または減圧状態下（例えば１×１０^-1〜１×１
０^-6Torr）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウ
ムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で
行うのが好ましい。

【０１４２】以上のようにして得られた急冷薄帯（薄帯
状磁石材料）８は、微細結晶組織、もしくは微細結晶が
非晶質組織中に含まれるような組織となり、優れた磁気
特性が得られる。

【０１４３】以上のような急冷薄帯８は、平均結晶粒径
が５００ｎｍ以下であるのが好ましく、２００ｎｍ以下
であるのがより好ましく、１０〜１２０ｎｍ程度がさら
に好ましい。平均結晶粒径が５００ｎｍを超えると、磁
気特性、特に保磁力および角型性の向上が十分に図れな
い場合がある。

【０１４４】特に、磁石材料が前記［４］のような複合
組織を有するものである場合、ソフト磁性相１０、ハー
ド磁性相１１の平均結晶粒径は、いずれも１〜１００ｎ
ｍであるのが好ましく、５〜５０ｎｍであるのがより好
ましい。平均結晶粒径がこのような範囲の大きさである
と、ソフト磁性相１０とハード磁性相１１との間で、よ
り効果的に磁気的な交換相互作用を生じることとなり、
顕著な磁気特性の向上が認められる。

【０１４５】また、ロール面８１付近におけるハード磁
性相１１の平均結晶粒径をＤ１ｈ、ロール面８１付近に
おけるソフト磁性相１０の平均結晶粒径をＤ１ｓ、フリ
ー面８２付近におけるハード磁性相１１の平均結晶粒径
をＤ２ｈ、フリー面８２付近におけるソフト磁性相１０
の平均結晶粒径をＤ２ｓとしたとき、下記式（IV）、
（V）のうちの少なくとも一方を満足するのが好まし
く、双方を満足するのがより好ましい。

【０１４６】０．５≦Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈ≦１．５・・・（IV）０．５≦Ｄ１ｓ／Ｄ２ｓ≦１．５・・・（V）Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈまたはＤ１ｓ／Ｄ２ｓがこのような範囲
の値であると、ハード磁性相１１、ソフト磁性相１０の
それぞれについて、ロール面８１付近とフリー面８２付
近とでの結晶粒径の差が少なく、その結果、磁気特性が
均一となり、全体として優れた磁気特性が得られる。よ
り詳しく述べると、急冷薄帯８から磁石粉末を製造し、
さらには該磁石粉末を用いてボンド磁石を製造したと
き、高い磁気エネルギー積（ＢＨ）_maxが得られると共
に、ヒステリシスループにおける角型性が良好となり、
その結果、不可逆減磁率の絶対値が小さくなるので、磁
石の信頼性も向上する。

【０１４７】なお、以上では、急冷法として、単ロール
法を例に説明したが、双ロール法を採用してもよい。こ
のような急冷法は、金属組織（結晶粒）を微細化するこ
とができるので、ボンド磁石の磁石特性、特に保磁力等
を向上させるのに有効である。

【０１４８】［磁石粉末の製造］以上のようにして製造
された急冷薄帯８を粉砕することにより、本発明の磁石
粉末が得られる。

【０１４９】粉砕の方法は、特に限定されず、例えばボ
ールミル、振動ミル、ジェットミル、ピンミル等の各種
粉砕装置、破砕装置を用いて行うことができる。この場
合、粉砕は、酸化を防止するために、真空または減圧状
態下（例えば１×１０^-1〜１×１０^-6Torr）、あるいは
窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス
中のような、非酸化性雰囲気中で行うこともできる。

【０１５０】磁石粉末の平均粒径は、特に限定されない
が、後述するボンド磁石（希土類ボンド磁石）を製造す
るためのものの場合、磁石粉末の酸化防止と、粉砕によ
る磁気特性劣化の防止とを考慮して、１〜３００μｍで
あるのが好ましく、５〜１５０μｍであるのがより好ま
しい。

【０１５１】また、ボンド磁石の成形時のより良好な成
形性を得るために、磁石粉末の粒径分布は、ある程度分
散されている（バラツキがある）のが好ましい。これに
より、得られたボンド磁石の空孔率を低減することがで
き、その結果、ボンド磁石中の磁石粉末の含有量を同じ
としたときに、ボンド磁石の密度や機械的強度をより高
めることができ、磁気特性をさらに向上することができ
る。

【０１５２】なお、得られた磁石粉末に対しては、例え
ば、粉砕により導入されたひずみの影響の除去、結晶粒
径の制御を目的として、熱処理を施すこともできる。こ
の熱処理の条件としては、例えば、３５０〜８５０℃
で、０．５〜３００分程度とすることができる。

【０１５３】また、この熱処理は、酸化を防止するため
に、真空または減圧状態下（例えば１×１０^-1〜１×１
０^-6Torr）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウ
ムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で
行うのが好ましい。

【０１５４】このような磁石粉末を用いてボンド磁石を
製造した場合、該磁石粉末は、結合樹脂との結合性（結
合樹脂の濡れ性）が良く、そのため、このボンド磁石
は、機械的強度が高く、熱安定性（耐熱性）、耐食性が
優れたものとなる。従って、当該磁石粉末は、ボンド磁
石の製造に適しており、製造されたボンド磁石は、信頼
性の高いものとなる。

【０１５５】以上のような磁石粉末は、平均結晶粒径が
５００ｎｍ以下であるのが好ましく、２００ｎｍ以下で
あるのがより好ましく、１０〜１２０ｎｍ程度がさらに
好ましい。平均結晶粒径が５００ｎｍを超えると、磁気
特性、特に保磁力および角型性の向上が十分に図れない
場合がある。

【０１５６】特に、磁石材料が前記［４］のような複合
組織を有するものである場合、平均結晶粒径は、１〜１
００ｎｍであるのが好ましく、５〜５０ｎｍであるのが
より好ましい。平均結晶粒径がこのような範囲の大きさ
であると、ソフト磁性相１０とハード磁性相１１との間
で、より効果的に磁気的な交換相互作用を生じることと
なり、顕著な磁気特性の向上が認められる。

【０１５７】［ボンド磁石およびその製造］次に、本発
明のボンド磁石について説明する。

【０１５８】本発明のボンド磁石は、好ましくは、前述
の磁石粉末を結合樹脂で結合してなるものである。

【０１５９】結合樹脂（バインダー）としては、熱可塑
性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよい。

【０１６０】熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリアミ
ド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナ
イロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロ
ン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可
塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマ
ー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファ
イド、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸
ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィ
ン、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール等、
またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマ
ーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種
以上を混合して用いることができる。

【０１６１】これらのうちでも、成形性が特に優れてお
り、機械的強度が高いことから、ポリアミド、耐熱性向
上の点から、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイ
ドを主とするものが好ましい。また、これらの熱可塑性
樹脂は、磁石粉末との混練性にも優れている。

【０１６２】このような熱可塑性樹脂は、その種類、共
重合化等により、例えば成形性を重視したものや、耐熱
性、機械的強度を重視したものというように、広範囲の
選択が可能となるという利点がある。

【０１６３】一方、熱硬化性樹脂としては、例えば、ビ
スフェノール型、ノボラック型、ナフタレン系等の各種
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン
樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリ
イミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙
げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して
用いることができる。

【０１６４】これらのうちでも、成形性が特に優れてお
り、機械的強度が高く、耐熱性に優れるという点から、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリ
コーン樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
また、これらの熱硬化性樹脂は、磁石粉末との混練性、
混練の均一性にも優れている。

【０１６５】なお、使用される熱硬化性樹脂（未硬化）
は、室温で液状のものでも、固形（粉末状）のものでも
よい。

【０１６６】このような本発明のボンド磁石は、例えば
次のようにして製造される。磁石粉末と、結合樹脂と、
必要に応じ添加剤（酸化防止剤、潤滑剤等）とを混合、
混練（例えば、温間混練）してボンド磁石用組成物（コ
ンパウンド）を製造し、このボンド磁石用組成物を用い
て、圧縮成形（プレス成形）、押出成形、射出成形等の
成形方法により、無磁場中で所望の磁石形状に成形す
る。結合樹脂が熱硬化性樹脂の場合には、成形後、加熱
等によりそれを硬化する。

【０１６７】ここで、前記３種の成形方法のうち、押出
成形および射出成形（特に、射出成形）は、形状選択の
自由度が広く、生産性が高い等の利点があるが、これら
の成形方法では、良好な成形性を得るために、成形機内
におけるコンパウンドの十分な流動性を確保しなければ
ならないため、圧縮成形に比べて、磁石粉末の含有量を
多くすること、すなわちボンド磁石を高密度化すること
ができない。しかしながら、本発明では、後述するよう
に、高い磁束密度が得られ、そのため、ボンド磁石を高
密度化しなくても優れた磁気特性が得られるので、押出
成形、射出成形により製造されるボンド磁石にもその利
点を享受することができる。

【０１６８】ボンド磁石中の磁石粉末の含有量（含有
率）は、特に限定されず、通常は、成形方法や、成形性
と高磁気特性との両立を考慮して決定される。具体的に
は、７５〜９９．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、８
５〜９７．５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。

【０１６９】特に、ボンド磁石が圧縮成形により製造さ
れたものの場合には、磁石粉末の含有量は、９０〜９
９．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、９３〜９８．５
ｗｔ％程度であるのがより好ましい。

【０１７０】また、ボンド磁石が押出成形または射出成
形により製造されたものの場合には、磁石粉末の含有量
は、７５〜９８ｗｔ％程度であるのが好ましく、８５〜
９７ｗｔ％程度であるのがより好ましい。

【０１７１】ボンド磁石の密度ρは、それに含まれる磁
石粉末の比重、磁石粉末の含有量、空孔率等の要因によ
り決定される。本発明のボンド磁石において、その密度
ρは特に限定されないが、４．５〜６．６Ｍｇ／ｍ³程
度であるのが好ましく、５．５〜６．４Ｍｇ／ｍ³程度
であるのがより好ましい。

【０１７２】本発明では、磁石粉末の磁束密度、保磁力
が大きいので、ボンド磁石に成形した場合に、磁石粉末
の含有量が多い場合はもちろんのこと、含有量が比較的
少ない場合でも、優れた磁気特性（特に、高い最大磁気
エネルギー積（ＢＨ）_max）が得られる。

【０１７３】本発明のボンド磁石の形状、寸法等は特に
限定されず、例えば、形状に関しては、例えば、円柱
状、角柱状、円筒状（リング状）、円弧状、平板状、湾
曲板状等のあらゆる形状のものが可能であり、その大き
さも、大型のものから超小型のものまであらゆる大きさ
のものが可能である。特に、小型化、超小型化された磁
石に有利であることは、本明細書中で度々述べている通
りである。

【０１７４】本発明のボンド磁石は、保磁力（室温での
固有保磁力）Ｈ_cJが３２０〜１２００ｋＡ／ｍであるの
が好ましく、４００〜８００ｋＡ／ｍがより好ましい。
保磁力が前記下限値未満では、逆磁場がかかったときの
減磁が顕著になり、また、高温における耐熱性が劣る。
また、保磁力が前記上限値を超えると、着磁性が低下す
る。従って、保磁力Ｈ_cJを上記範囲とすることにより、
ボンド磁石（特に、円筒状磁石）に多極着磁等をするよ
うな場合に、十分な着磁磁場が得られないときでも、良
好な着磁が可能となり、十分な磁束密度が得られ、高性
能なボンド磁石を提供することができる。

【０１７５】本発明のボンド磁石は、最大磁気エネルギ
ー積（ＢＨ）_maxが４０ｋＪ／ｍ³以上であるのが好まし
く、５０ｋＪ／ｍ³以上であるのがより好ましく、７０
〜１３０ｋＪ／ｍ³であるのがさらに好ましい。最大磁
気エネルギー積（ＢＨ）_maxが４０ｋＪ／ｍ³未満である
と、モータ用に用いた場合、その種類、構造によって
は、十分なトルクが得られない。

【０１７６】以上説明したように、本実施形態の冷却ロ
ール５は、ガス抜き手段として溝５５が設けられている
ため、周面５４とパドル７との間に侵入したガスを排出
することができる。これにより、パドル７の浮き上がり
が防止され、周面５４とパドル７との密着性が向上す
る。また、冷却ロール５は、比較的高い熱伝導率を有す
る材料（熱伝導率：Ｃ_１［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］）で構
成されたロール基材５１と、比較的低い熱伝導率を有す
る材料（熱伝導率：Ｃ_３［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］）で構
成された表面層５３とを有し、かつ、ロール基材５１と
表面層５３との間には、Ｃ_１＞Ｃ_２＞Ｃ_３なる関係を満
足するような熱伝導率Ｃ_２［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］の材
料で構成された伝熱調整層５２が介在しているため、ロ
ール面８１付近とフリー面８２付近とでの冷却速度の差
も小さくなる。これらの相乗効果により、各部位におけ
る結晶粒径のバラツキが小さく、高い磁気特性を有する
急冷薄帯８が得られる。

【０１７７】したがって、前記急冷薄帯８から得られる
ボンド磁石は、優れた磁気特性を有している。また、ボ
ンド磁石の製造に際し、高密度化を追求しなくても高い
磁気特性を得ることができるため、成形性、寸法精度、
機械的強度、耐食性、耐熱性等の向上を図ることができ
る。

【０１７８】次に、本発明の冷却ロール５の第２実施形
態について、説明する。図９は、本発明の冷却ロールの
第２実施形態を示す正面図、図１０は、図９に示す冷却
ロールの拡大断面図である。以下、第２実施形態の冷却
ロールについて、前記第１実施形態との相違点を中心に
説明し、同様の事項の説明は省略する。

【０１７９】図９に示すように、溝５５は、冷却ロール
５の回転軸５０を中心とする螺旋状に形成されている。
溝５５がこのような形状であると、比較的容易に、周面
５４全体にわたり溝５５を形成することができる。例え
ば、冷却ロール５を一定速度で回転させておき、旋盤等
の切削工具を回転軸５０に対して平行に、一定速度で移
動させながら、冷却ロール５の外周部を切削することに
よりこのような溝５５を形成することができる。

【０１８０】なお、螺旋状の溝５５は、１条（１本）で
あっても、２条（２本）以上であってもよい。

【０１８１】溝５５の長手方向と、冷却ロール５の回転
方向とのなす角θ（絶対値）は、３０°以下であるのが
好ましく、２０°以下であるのがより好ましい。θが３
０°以下であると、冷却ロール５のあらゆる周速度にお
いて、周面５４とパドル７との間に侵入したガスを効率
よく排出することができる。

【０１８２】周面５４上の各部位において、θの値は、
一定であっても、一定でなくてもよい。また、溝５５を
２条以上有する場合、それぞれの溝５５について、θ
は、同一であっても、異なっていてもよい。

【０１８３】溝５５は、周面５４の縁部５６において、
開口部５７で開口している。これにより、周面５４とパ
ドル７との間から溝５５に排出されたガスがこの開口部
５７から冷却ロール５の側方へ排出されるため、排出さ
れたガスが再び周面５４とパドル７との間に侵入するの
を効果的に防止することができる。図示の構成では、溝
５５は、両縁部に開口しているが、一方の縁部にのみ開
口していてもよい。

【０１８４】次に、本発明の冷却ロール５の第３実施形
態について、説明する。図１１は、本発明の冷却ロール
の第３実施形態を示す正面図、図１２は、図１１に示す
冷却ロールの拡大断面図である。以下、第３実施形態の
冷却ロールについて、前記第１実施形態、第２実施形態
との相違点を中心に説明し、同様の事項の説明は省略す
る。

【０１８５】図１１に示すように、周面５４上には、螺
旋の回転方向が互いに逆向きである少なくとも２本の溝
５５が形成されている。これらの溝５５は、多点で交差
している。

【０１８６】このように、螺旋の回転方向が逆向きであ
る溝５５が形成されることにより、製造された急冷薄帯
８が右巻きの溝から受ける横方向の力と左巻きの溝から
受ける横方向の力とが相殺され、急冷薄帯８の図１１中
の横方向の移動が抑制され、進行方向が安定する。

【０１８７】また、図１１中、θ₁、θ₂で示すそれぞれ
の回転方向の溝５５の長手方向と冷却ロール５の回転方
向とのなす角（絶対値）は、前述したθと同様な範囲の
値であるのが好ましい。

【０１８８】次に、本発明の冷却ロール５の第４実施形
態について、説明する。図１３は、本発明の冷却ロール
の第４実施形態を示す正面図、図１４は、図１３に示す
冷却ロールの拡大断面図である。以下、第４実施形態の
冷却ロールについて、前記第１実施形態〜第３実施形態
との相違点を中心に説明し、同様の事項の説明は省略す
る。

【０１８９】図１３に示すように、複数の溝５５が、冷
却ロール５の周面の幅方向のほぼ中央から両縁部５６方
向に、ハの字状に形成されている。

【０１９０】このような溝５５が形成された冷却ロール
５を用いた場合、その回転方向との組み合わせにより、
周面５４とパドル７との間に侵入したガスをより一層高
い効率で排出することができる。

【０１９１】また、このようなパターンの溝が形成され
た場合、冷却ロール５の回転に伴って生じる、図１３
中、左右の両溝５５からの力がつりあうことにより、冷
却ロール５の幅方向のほぼ中央に急冷薄帯８がよせられ
るため、急冷薄帯８の進行方向が安定する。

【０１９２】なお、本発明では、ガス抜き手段の形状等
の諸条件は、前述した第１実施形態〜第４実施形態に限
定されるものではない。

【０１９３】例えば、溝５５は、図１５に示すように間
欠的に形成されたものであってもよい。また、溝５５の
断面形状は、特に限定されず、例えば、図１６、図１７
に示すようなものであってもよい。

【０１９４】また、ガス抜き手段は、前述したような溝
に限らず、周面とパドルとの間に侵入したガスを排出す
る機能を有するものであればいかなるものでもよい。ガ
ス抜き手段としては、この他、例えば、図１８、図１９
に示すような空孔５８等であってもよい。ガス抜き手段
が空孔である場合、これらは、それぞれが独立している
もの（独立孔）であっても、連続しているもの（連続
孔）であってもよいが、ガスの排出効率の点から、連続
孔であるのが好ましい。

【０１９５】これらの図に示す冷却ロール５でも、前述
した第１実施形態〜第４実施形態の冷却ロール５と同様
の効果が得られる。

【０１９６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。

【０１９７】（実施例１）［冷却ロールの製造］まず、以下に示すような方法で冷
却ロールＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ
の１１種の冷却ロールを製造した。

【０１９８】＜冷却ロールＡ＞まず、銅製のロール基材
（直径：２００ｍｍ、幅：３０ｍｍ、２０℃における熱
伝導率：３９５Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）を用意し、その周面に
切削加工を施し、ほぼ鏡面（表面粗さＲａ：０．０７μ
ｍ）とした。

【０１９９】その後、さらに、切削加工を施し、ロール
基材の回転方向に対し、ほぼ平行な溝を形成した。

【０２００】このロール基材の外周面に酸洗処理および
アルカリ洗浄処理（脱脂処理）を施した後、Ｎｉ（９０
％）−Ｐ（１０％）で構成された伝熱調整層（平均厚
さ：３μｍ）を形成した。

【０２０１】伝熱調整層の形成は、無電解メッキにより
形成した。この無電解メッキは、硫酸ニッケルを主成分
として含み、かつ次亜りん酸ナトリウムを還元剤として
含む酸性メッキ浴を用い、このメッキ浴中にロール基材
を浸漬することにより行った。

【０２０２】次に、この伝熱調整層の外周面にアルゴン
イオンボンバードメントによる清浄化処理を１０分間施
した後、セラミックスであるＴｉＮの表面層（２０℃に
おける熱伝導率：２９．４Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）をイオンプ
レーティングにより形成し、図１〜図３に示すような冷
却ロールＡを得た。

【０２０３】＜冷却ロールＢ＞溝の形状を図９、図１０
に示すようなものとした以外は冷却ロールＡと同様にし
て冷却ロールＢを製造した。なお、溝の形成は、以下の
ようにして行った。すなわち、３本の切削工具を等間隔
に設置した旋盤を用いて、併設された溝のピッチが周面
上の各部位において、ほぼ一定となるように３条の溝を
形成した。

【０２０４】＜冷却ロールＣ＞溝の形状を図１１、図１
２に示すようなものとした以外は冷却ロールＢと同様に
して冷却ロールＣを製造した。

【０２０５】＜冷却ロールＤ＞溝の形状を図１３、図１
４に示すようなものとした以外は冷却ロールＢと同様に
して冷却ロールＤを製造した。

【０２０６】＜冷却ロールＥ＞表面層の構成材料をＺｒ
Ｎ（２０℃における熱伝導率：１６．８Ｗ・ｍ^-1・
Ｋ ^-1）とした以外は冷却ロールＢと同様にして冷却ロー
ルＥを製造した。

【０２０７】＜冷却ロールＦ＞表面層の構成材料をＴｉ
Ｃ（２０℃における熱伝導率：２５．２Ｗ・ｍ^-1・
Ｋ ^-1）とした以外は冷却ロールＢと同様にして冷却ロー
ルＦを製造した。

【０２０８】＜冷却ロールＧ＞表面層の構成材料をＺｒ
Ｃ（２０℃における熱伝導率：２０．６Ｗ・ｍ^-1・
Ｋ ^-1）とした以外は冷却ロールＢと同様にして冷却ロー
ルＧを製造した。

【０２０９】＜冷却ロールＨ＞伝熱調整層の構成材料を
Ｃｏ（９９％）−Ｂ（１％）とした以外は冷却ロールＢ
と同様にして冷却ロールＨを製造した。

【０２１０】伝熱調整層の形成は、無電解メッキにより
形成した。この無電解メッキは、ロッセル塩を主成分と
して含み、かつ水素化ほう素ナトリウムを還元剤として
含むメッキ浴を用い、このメッキ浴中にロール基材を浸
漬することにより行った。

【０２１１】＜冷却ロールＩ＞銅製のロール基材（直
径：２００ｍｍ、幅：３０ｍｍ、２０℃における熱伝導
率：３９５Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）を用意し、その周面に切削
加工を施し、ほぼ鏡面（表面粗さＲａ：０．０７μｍ）
とした。

【０２１２】その後、さらに切削加工を施し、ロール基
材の回転方向に対し、ほぼ平行な溝を形成し、冷却ロー
ルＩを得た。

【０２１３】＜冷却ロールＪ＞まず、銅製のロール基材
（直径：２００ｍｍ、幅：３０ｍｍ、２０℃における熱
伝導率：３９５Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）を用意し、その周面に
切削加工を施し、ほぼ鏡面（表面粗さＲａ：０．０７μ
ｍ）とした。

【０２１４】その後、さらに、切削加工を施し、ロール
基材の回転方向に対し、ほぼ平行な溝を形成した。

【０２１５】次に、この伝熱調整層の外周面にアルゴン
イオンボンバードメントによる清浄化処理を１０分間施
した後、セラミックスであるＴｉＮの表面層（２０℃に
おける熱伝導率：２９．４Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）をイオンプ
レーティングにより形成し、冷却ロールＪを得た。

【０２１６】＜冷却ロールＫ＞銅製のロール基材（直
径：２００ｍｍ、幅：３０ｍｍ、２０℃における熱伝導
率：３９５Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）を用意し、その周面に切削
加工を施し、ほぼ鏡面（表面粗さＲａ：０．０７μｍ）
とした。

【０２１７】その後、ロール基材の外周面に、溝を設け
ずに、そのままＮｉ−Ｐで構成された伝熱調整層を無電
解メッキにより形成し、さらにその外周面にＶＮで構成
された表面層をイオンプレーティングにより形成し、冷
却ロールＫを製造した。

【０２１８】各冷却ロールについて、伝熱調整層の平均
厚さ、表面層の平均厚さ、溝の幅Ｌ ₁（平均値）、深さ
Ｌ₂（平均値）、並設された溝のピッチＬ₃（平均値）、
溝の長手方向と冷却ロールの回転方向とのなす角θ、冷
却ロールの周面上における溝の占める投影面積の割合、
周面の溝を除く部分の表面粗さＲａの測定値を表１に示
す。

【０２１９】

【表１】［急冷薄帯の製造および評価］このようにして得られた
各冷却ロールを用いて、急冷薄帯を製造し、磁気特性等
の各種評価を行った。

【０２２０】まず、冷却ロールＡを用いた急冷薄帯の製
造、および各種評価について説明する。

【０２２１】図１に示すような構成の急冷薄帯製造装置
１を用いて、以下に述べるような方法で合金組成が（Ｎ
ｄ_０．７５Ｐｒ_０．２０Ｄｙ_０．０５）_８．６Ｆｅ_bal.
Ｃｏ _５．５Ｂ_５．５Ｔｉ_１．０で表される急冷薄帯を製
造した。

【０２２２】まず、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｂ、Ｔｉの各原料を秤量して母合金インゴットを鋳造し
た。

【０２２３】急冷薄帯製造装置１において、底部にノズ
ル（円孔オリフィス）３を設けた石英管内に前記母合金
インゴットを入れた。急冷薄帯製造装置１が収納されて
いるチャンバー内を脱気した後、不活性ガス（ヘリウム
ガス）を導入し、所望の温度および圧力の雰囲気とし
た。

【０２２４】その後、石英管内の母合金インゴットを高
周波誘導加熱により溶解し、さらに、冷却ロールの周速
度を所望の値とし、溶湯６の噴射圧（石英管の内圧と筒
体２内における液面の高さに比例してかかる圧力の和
と、雰囲気圧との差圧）を４０ｋＰａ、雰囲気ガスの圧
力を６０ｋＰａとしたうえで、溶湯６を冷却ロール５の
回転軸５０のほぼ真上から冷却ロール５の頂部の周面５
４に向けて噴射し、急冷薄帯８を連続的に作製した。こ
のとき、冷却ロール５の周速度を種々変化させて数ロッ
トの急冷薄帯を製造した。

【０２２５】得られた各急冷薄帯について、アルゴンガ
ス雰囲気中で、６７５℃×５分間の熱処理を施した。そ
の後、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により、各急冷薄帯
の磁気特性を測定した。測定に際しては、急冷薄帯の長
軸方向を印加磁界方向とした。なお、反磁界補正は行わ
なかった。このような測定で最も高い磁気特性を有して
いた急冷薄帯について、以下の各種評価を行った。

【０２２６】まず、長さ約５ｃｍの急冷薄帯をそれぞれ
取り出し、さらにそこから長さ約７ｍｍのサンプルを５
サンプル連続して作製した。

【０２２７】次に、これらの５サンプルについて、振動
試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いた磁気特性（保磁力
Ｈ_cJ、最大磁気エネルギー積（ＢＨ）_max）の測定を改
めて行った。測定に際しては、急冷薄帯の長軸方向を印
加磁界方向とした。なお、反磁界補正は行わなかった。

【０２２８】次に、これらの５サンプルの平均厚さｔお
よび磁気特性を測定した。平均厚さｔは、レーザー顕微
鏡により１サンプルにつき２０箇所の測定点で測定し、
これを平均した値とした。

【０２２９】さらに、これらの５サンプルのロール面お
よびフリー面について、相構成を分析するため、Ｃｕ−
Ｋαを用い回折角（２θ）が２０°〜６０°にてＸ線回
折を行った。回折パターンからハード磁性相であるＲ₂
（Ｆｅ・Ｃｏ）₁₄Ｂ型相と、ソフト磁性相であるα−
（Ｆｅ，Ｃｏ）型相の回折ピークが確認でき、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察結果から、いずれのサン
プルも、複合組織（ナノコンポジット組織）を形成して
いることが確認された。また、ロール面およびフリー面
における各相の平均結晶粒径を測定した。

【０２３０】上記の熱処理を施した急冷薄帯を粉砕し、
平均粒径６０μｍの磁石粉末を得た。

【０２３１】次に、磁石粉末とエポキシ樹脂とを混合
し、ボンド磁石用組成物（コンパウンド）を作製した。
このとき、コンパウンド中の磁石粉末の含有量（含有
率）は、約９７．５ｗｔ％であった。

【０２３２】次いで、このコンパウンドを粉砕して粒状
とし、この粒状物を秤量してプレス装置の金型内に充填
し、室温において、圧力７００ＭＰａで圧縮成形（無磁
場中）して、成形体を得た。離型後、１７５℃で加熱硬
化させて、直径１０ｍｍ×高さ８ｍｍの円柱状のボンド
磁石を得た。

【０２３３】このボンド磁石について、磁場強度３．２
ＭＡ／ｍのパルス着磁を施した後、直流自記磁束計（東
英工業（株）製、ＴＲＦ−５ＢＨ）にて最大印加磁場
２．０ＭＡ／ｍで磁気特性（磁束密度Ｂｒ、保磁力Ｈ_cJ
および最大磁気エネルギー積（ＢＨ）_max）を測定し
た。測定時の温度は、２３℃（室温）であった。

【０２３４】その後、冷却ロールＡを冷却ロールＢ、
Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋに順次交換し、同
様にして急冷薄帯の製造および各種評価を行った。

【０２３５】これらの評価の結果を表２、表３、表４、
表５に示す。ただし、冷却ロールＩを用いて製造した急
冷薄帯のサンプルのロール面では、非晶質相が主相であ
り、結晶粒径の測定は行えなかった。

【０２３６】また、冷却ロールＢ〜Ｋを用いた急冷薄帯
の製造において、最も高い磁気特性を有する急冷薄帯が
得られたときの冷却ロールの周速度も表２〜表４に併せ
て示す。

【０２３７】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】表２〜表４から明らかなように、冷却ロールＡ〜Ｈ（い
ずれも本発明）を用いて製造された急冷薄帯では、ロー
ル面とフリー面とでの各相の結晶粒径の差が小さい。ま
た、各急冷薄帯について、サンプル間での磁気特性のバ
ラツキが小さく、全体として磁気特性が高い。これは、
以下のような理由によるものであると推定される。

【０２３８】冷却ロールＡ〜Ｈは、その周面上に、ガス
抜き手段を有している。そのため、周面とパドルとの間
に侵入したガスが効率よく排出され、周面とパドルとの
密着性が向上し、急冷薄帯のロール面への巨大ディンプ
ルの発生が防止または抑制され、各部位における冷却速
度のバラツキが小さくなる。さらに、冷却ロールが、ロ
ール基材と、ロール基材の構成材料より熱伝導率の小さ
い材料で構成された伝熱調整層と、伝熱調整層の構成材
料より熱伝導率の小さい材料で構成された表面層とを有
するものであることにより、ロール面付近とフリー面付
近とでの冷却速度の差も小さくなる。これらの相乗効果
により、得られる急冷薄帯における結晶粒径のバラツキ
が小さくなり、その結果、磁気特性のバラツキも小さく
なるものであると考えられる。

【０２３９】これに対し、冷却ロールＩ、Ｊ（いずれも
比較例）を用いて製造された急冷薄帯は、サンプル間で
の磁気特性のバラツキは比較的小さいが、全体的にその
値が低くなっている。また、冷却ロールＫ（比較例）を
用いて製造された急冷薄帯は、ロール面とフリー面とで
の平均結晶粒径の差は比較的小さいが、サンプル間での
磁気特性のバラツキが大きい。これは、以下のような理
由によるものであると推定される。

【０２４０】冷却ロールＩにはガス抜き手段が設けられ
ているため、この冷却ロールを用いて製造された急冷薄
帯は、冷却ロールの周面と、溶湯のパドルとの密着性に
は優れている。しかしながら、冷却ロールＩは、伝熱調
整層および表面層を有しておらず、周面が銅で構成され
ているため、溶湯の冷却速度が大きすぎて、ロール面で
は非晶質相が主相となる。これに対し、フリー面ではロ
ール面に比べ冷却速度が小さいため、非晶質相が減少
し、多くの結晶粒が形成される。このように、ロール面
とフリー面とでの組織差が大きいため、全体としての磁
気特性が低下すると考えられる。

【０２４１】また、冷却ロールＪにはガス抜き手段が設
けられているため、この冷却ロールを用いて製造された
急冷薄帯は、冷却ロールの周面と、溶湯のパドルとの密
着性には優れている。しかしながら、冷却ロールＪは、
伝熱調整層を有していないため、本発明の冷却ロールの
ような伝熱調整効果が得られない。このため、ロール面
とフリー面とでの組織差が大きくなり、全体としての磁
気特性が低下すると考えられる。

【０２４２】冷却ロールＫには、Ｎｉ−Ｐで構成された
伝熱調整層と、ＶＮ（窒化物系セラミックス）で構成さ
れた表面層とが設けられているため、ロール面付近とフ
リー面付近とでの冷却速度の差は比較的小さい。しかし
ながら、周面上にガス抜き手段が設けられていないた
め、周面と溶湯のパドルとの密着性が低下することによ
り、周面とパドルとの間にガスが侵入する。周面とパド
ルとの間に侵入したガスは、そのまま残留し、急冷薄帯
のロール面に巨大なディンプルが形成される。このた
め、周面に密着した部位に比べ、ディンプルが形成され
た部位では冷却速度は低下し、結晶粒径の粗大化が起こ
る。その結果、得られる急冷薄帯の磁気特性のバラツキ
は大きくなると考えられる。

【０２４３】また、表５から明らかなように、冷却ロー
ルＡ〜Ｈによるボンド磁石では、優れた磁気特性が得ら
れているのに対し、冷却ロールＩ〜Ｋによるボンド磁石
は、低い磁気特性しか有していない。

【０２４４】これは、冷却ロールＡ〜Ｈによるボンド磁
石が、磁気特性が高くかつ磁気特性のバラツキの小さい
急冷薄帯から得られる磁石粉末を用いて製造されたもの
であるのに対し、冷却ロールＩ〜Ｋによるボンド磁石
は、磁気特性の低い急冷薄帯から得られる磁石粉末を用
いて製造されたものであるため、ボンド磁石としての磁
気特性も低くなっていると考えられる。

【０２４５】（実施例２）溝の平均幅、平均深さ、並設
された溝の平均ピッチを種々変化させた以外は、冷却ロ
ールＢと同様にして、６種の冷却ロール（冷却ロール
Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ）を得た。

【０２４６】各冷却ロールについて、溝の幅Ｌ₁（平均
値）、深さＬ₂（平均値）、並設された溝のピッチＬ
₃（平均値）の測定値を表６に示す。

【０２４７】

【表６】まず、冷却ロールＬを使用し、実施例１と同様にして、
それぞれ数ロットの急冷薄帯を製造した。これらの急冷
薄帯について、アルゴンガス雰囲気中で、６６０℃×７
分間の熱処理を施した後、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）
により、各急冷薄帯の磁気特性を測定した。測定に際し
ては、急冷薄帯の長軸方向を印加磁界方向とした。な
お、反磁界補正は行わなかった。

【０２４８】このような測定で最も高い磁気特性を有し
ていた急冷薄帯を、アルゴンガス雰囲気中で粉砕し、平
均粒径７０μｍの磁石粉末を得た。

【０２４９】その後、冷却ロールＬを冷却ロールＭ、
Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑに順次交換し、同様にして磁石粉末を製
造した。

【０２５０】このようにして得られた６種の磁石粉末に
ついて、その相構成を分析するため、Ｃｕ−Ｋαを用い
回折角２０°〜６０°にてＸ線回折を行った。回折パタ
ーンからハード磁性相であるＲ₂（Ｆｅ・Ｃｏ）₁₄Ｂ型
相と、ソフト磁性相であるα−（Ｆｅ，Ｃｏ）型相の回
折ピークが確認でき、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
る観察結果から、いずれも、複合組織（ナノコンポジッ
ト組織）を形成していることが確認された。また、各磁
石粉末について、各相の平均結晶粒径を測定した。

【０２５１】次に、各磁石粉末とエポキシ樹脂とを混合
し、ボンド磁石用組成物（コンパウンド）を作製した。
このとき、磁石粉末とエポキシ樹脂との配合比率（重量
比）は、各サンプルについてほぼ等しい値とした。すな
わち、各サンプル中の磁石粉末の含有量（含有率）は、
約９７．５ｗｔ％であった。

【０２５２】次いで、このコンパウンドを粉砕して粒状
とし、この粒状物を秤量してプレス装置の金型内に充填
し、室温において、圧力７００ＭＰａで圧縮成形（無磁
場中）して、成形体を得た。離型後、１７５℃で加熱硬
化させて、直径１０ｍｍ×高さ８ｍｍの円柱状のボンド
磁石を得た。

【０２５３】これらのボンド磁石について、磁場強度
３．２ＭＡ／ｍのパルス着磁を施した後、直流自記磁束
計（東英工業（株）製、ＴＲＦ−５ＢＨ）にて最大印加
磁場２．０ＭＡ／ｍで磁気特性（磁束密度Ｂｒ、保磁力
Ｈ_cJおよび最大磁気エネルギー積（ＢＨ）_max）を測定
した。測定時の温度は、２３℃（室温）であった。これ
らの結果を表７に示す。

【０２５４】

【表７】表７から明らかなように、溝の幅Ｌ₁と溝の深さＬ₂との
比Ｌ₁／Ｌ₂が最適の範囲の値である冷却ロールによる急
冷薄帯を用いて製造されたボンド磁石は、特に優れた磁
気特性を有している。

【０２５５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。

【０２５６】・冷却ロールの周面にガス抜き手段が設け
られているため、周面と溶湯のパドルとの密着性が向上
し、高い磁気特性が安定して得られる。

【０２５７】・冷却ロールが、ロール基材と、ロール基
材の構成材料より熱伝導率の小さい材料で構成された伝
熱調整層と、伝熱調整層の構成材料より熱伝導率の小さ
い材料で構成された表面層とを有するものであるため、
得られる急冷薄帯のロール面側とフリー面側の組織差、
特に冷却速度の違いによる結晶粒径の差を小さくするこ
とができ、その結果、優れた磁気特性を持つ磁石材料、
磁石粉末が得られる。また、それより製造されたボンド
磁石も優れた磁気特性を発揮する。

【０２５８】・特に、伝熱調整層や表面層の形成材料、
厚さ、ガス抜き手段の形状等を好適な範囲に設定するこ
とにより、さらに優れた磁気特性が得られる。

【０２５９】・磁石粉末がソフト磁性相とハード磁性相
とを有する複合組織で構成されることにより、磁化が高
く、優れた磁気特性を発揮する。特に本発明により、固
有保磁力と角型性が改善される。

【０２６０】・高い磁束密度が得られるので、等方性で
あっても、高磁気特性を持つボンド磁石が得られる。特
に、従来の等方性ボンド磁石に比べ、より小さい体積の
ボンド磁石で同等以上の磁気性能を発揮することができ
るので、より小型で高性能のモータを得ることが可能と
なる。

【０２６１】・また、高い磁束密度が得られることか
ら、ボンド磁石の製造に際し、高密度化を追求しなくて
も十分に高い磁気特性を得ることができ、その結果、成
形性の向上と共に、寸法精度、機械的強度、耐食性、耐
熱性（熱的安定性）等のさらなる向上が図れ、信頼性の
高いボンド磁石を容易に製造することが可能となる。

【０２６２】・着磁性が良好なので、より低い着磁磁場
で着磁することができ、特に多極着磁等を容易かつ確実
に行うことができ、かつ高い磁束密度を得ることができ
る。

【０２６３】・高密度化を要求されないことから、圧縮
成形法に比べて高密度の成形がしにくい押出成形法や射
出成形法によるボンド磁石の製造にも適し、このような
成形方法で成形されたボンド磁石でも、前述したような
効果が得られる。よって、ボンド磁石の成形方法の選択
の幅、さらには、それによる形状選択の自由度が広が
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の冷却ロールの第１実施形態と、その冷
却ロールを用いて薄帯状磁石材料を製造する装置（急冷
薄帯製造装置）の構成例とを模式的に示す斜視図であ
る。

【図２】図１に示す冷却ロールの正面図である。

【図３】図１に示す冷却ロールの周面付近の断面形状を
模式的に示す図である。

【図４】ガス抜き手段の形成方法を説明するための図で
ある。

【図５】ガス抜き手段の形成方法を説明するための図で
ある。

【図６】本発明の磁石粉末における複合組織（ナノコン
ポジット組織）の一例を模式的に示す図である。

【図７】本発明の磁石粉末における複合組織（ナノコン
ポジット組織）の一例を模式的に示す図である。

【図８】本発明の磁石粉末における複合組織（ナノコン
ポジット組織）の一例を模式的に示す図である。

【図９】本発明の冷却ロールの第２実施形態を模式的に
示す正面図である。

【図１０】図９に示す冷却ロールの周面付近の断面形状
を模式的に示す図である。

【図１１】本発明の冷却ロールの第３実施形態を模式的
に示す正面図である。

【図１２】図１１に示す冷却ロールの周面付近の断面形
状を模式的に示す図である。

【図１３】本発明の冷却ロールの第４実施形態を模式的
に示す正面図である。

【図１４】図１３に示す冷却ロールの周面付近の断面形
状を模式的に示す図である。

【図１５】本発明の冷却ロールの他の実施形態を模式的
に示す正面図である。

【図１６】本発明の冷却ロールの他の実施形態の周面付
近の断面形状を模式的に示す図である。

【図１７】本発明の冷却ロールの他の実施形態の周面付
近の断面形状を模式的に示す図である。

【図１８】本発明の冷却ロールの他の実施形態を模式的
に示す正面図である。

【図１９】図１８に示す冷却ロールの周面付近の断面形
状を模式的に示す図である。

【図２０】従来の薄帯状磁石材料を単ロール法により製
造する装置（急冷薄帯製造装置）における溶湯の冷却ロ
ールへの衝突部位付近の状態を示す断面側面図である。

【符号の説明】

１急冷薄帯製造装置２筒体３ノズル４コイル５、５００冷却ロール５０回転軸５１ロール基材５２伝熱調整層５３表面層５４、５４０周面５５溝５６縁部５７開口部５８空孔６、６０溶湯７、７０パドル７１０凝固界面８、８０急冷薄帯８１、８１０ロール面８２フリー面９ディンプル１０ソフト磁性相１１ハード磁性相

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁石合金の溶湯をその周面に衝突させ、
冷却固化して、薄帯状磁石材料を製造するための冷却ロ
ールであって、ロール基材と、該ロール基材の外周面に設けられた伝熱
調整層と、該伝熱調整層の外周の全周に設けられた表面
層とを有し、前記周面上に、前記周面と前記溶湯のパドルとの間に侵
入したガスを排出するガス抜き手段を有し、かつ、前記ロール基材の構成材料の室温付近における熱伝導率
をＣ_１［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］、前記伝熱調整層の構成材料の室温付近における熱伝導率
をＣ_２［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１］、前記表面層の構成材料の室温付近における熱伝導率をＣ
_３［Ｗ・ｍ^−１・Ｋ⁻ ^１］としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２＞Ｃ
_３の関係を満足することを特徴とする冷却ロール。
【請求項２】前記伝熱調整層の平均厚さは、０．０５
〜２０μｍである請求項１に記載の冷却ロール。
【請求項３】前記伝熱調整層は、金属メッキ層である
請求項１または２に記載の冷却ロール。
【請求項４】前記伝熱調整層は、無電解メッキにより
形成されたものである請求項１ないし３のいずれかに記
載の冷却ロール。
【請求項５】前記伝熱調整層は、Ｎｉおよび／または
Ｃｏを主とする材料で構成されたものである請求項１な
いし４のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項６】前記伝熱調整層は、Ｐおよび／またはＢ
を含む材料で構成されたものである請求項５に記載の冷
却ロール。
【請求項７】前記表面層は、前記伝熱調整層の表面に
対する清浄化処理を行った後に、形成されたものである
請求項１ないし６のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項８】前記表面層の構成材料の室温付近におけ
る熱伝導率は、５０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以下である請求項１
ないし７のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項９】前記表面層は、セラミックスで構成され
る請求項１ないし８のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項１０】前記表面層の平均厚さは、０．５〜５
０μｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の冷却
ロール。
【請求項１１】前記表面層は、その表面に機械加工を
行わないで形成されたものである請求項１ないし１０の
いずれかに記載の冷却ロール。
【請求項１２】前記ロール基材の構成材料の室温付近
における熱伝導率は、１１０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上である
請求項１ないし１１のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項１３】前記周面の前記ガス抜き手段を除く部
分の表面粗さＲａは、０．０５〜５μｍである請求項１
ないし１２のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項１４】前記ガス抜き手段は、少なくとも１本
の溝である請求項１ないし１３のいずれかに記載の冷却
ロール。
【請求項１５】前記溝の平均幅は、０．５〜９０μｍ
である請求項１４に記載の冷却ロール。
【請求項１６】前記溝の平均深さは、０．５〜２０μ
ｍである請求項１４または１５に記載の冷却ロール。
【請求項１７】前記溝の平均幅をＬ₁、平均深さをＬ₂
としたとき、０．５≦Ｌ₁／Ｌ₂≦１５の関係を満足する
請求項１４ないし１６のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項１８】前記溝の長手方向と、冷却ロールの回
転方向とのなす角は、３０°以下である請求項１４ない
し１７のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項１９】前記溝は、前記冷却ロールの回転軸を
中心とする螺旋状に形成されたものである請求項１４な
いし１８のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項２０】前記溝が並設されており、その平均ピ
ッチは、３〜１００μｍである請求項１４ないし１９の
いずれかに記載の冷却ロール。
【請求項２１】前記溝は、前記周面の縁部に開口して
いるものである請求項１４ないし２０のいずれかに記載
の冷却ロール。
【請求項２２】前記周面上における前記溝の占める投
影面積の割合が１０〜９９．５％である請求項１４ない
し２１のいずれかに記載の冷却ロール。
【請求項２３】請求項１ないし２２のいずれかに記載
の冷却ロールを用いて製造されたことを特徴とする薄帯
状磁石材料。
【請求項２４】平均厚さが８〜５０μｍである請求項
２３に記載の薄帯状磁石材料。
【請求項２５】薄帯状磁石材料は、製造後少なくとも
１回熱処理が施されたものである請求項２３または２４
に記載の薄帯状磁石材料。
【請求項２６】薄帯状磁石材料は、ソフト磁性相とハ
ード磁性相とを有する複合組織で構成されるものである
請求項２３ないし２５のいずれかに記載の薄帯状磁石材
料。
【請求項２７】前記ハード磁性相および前記ソフト磁
性相の平均結晶粒径は、いずれも１〜１００ｎｍである
請求項２６に記載の薄帯状磁石材料。
【請求項２８】請求項２３ないし２７のいずれかに記
載の薄帯状磁石材料を粉砕して得られたことを特徴とす
る磁石粉末。
【請求項２９】磁石粉末は、その製造過程または製造
後少なくとも１回熱処理が施されたものである請求項２
８に記載の磁石粉末。
【請求項３０】平均粒径が１〜３００μｍである請求
項２８または２９に記載の磁石粉末。
【請求項３１】磁石粉末は、ソフト磁性相とハード磁
性相とを有する複合組織で構成されるものである請求項
２８ないし３０のいずれかに記載の磁石粉末。
【請求項３２】前記ハード磁性相および前記ソフト磁
性相の平均結晶粒径は、いずれも１〜１００ｎｍである
請求項３１に記載の磁石粉末。
【請求項３３】請求項２８ないし３２のいずれかに記
載の磁石粉末を結合樹脂で結合してなることを特徴とす
るボンド磁石。
【請求項３４】室温での固有保磁力Ｈ_cJが３２０〜１
２００ｋＡ／ｍである請求項３３に記載のボンド磁石。
【請求項３５】最大磁気エネルギー積（ＢＨ）_maxが
４０ｋＪ／ｍ³以上である請求項３３または３４に記載
のボンド磁石。