JPS62232101A - 窒化鉄磁性体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 耐食性及び磁気特性に優れた窒化鉄系の磁性材料の製造
性に関する。

〔従来の技術〕

磁気記録の高密度化を指向して高保磁カ、高飽和磁化の
磁性材に対する要求が高まっているう従来の磁気記録媒
体は、主として針状のｒ　　Ｐｅｔ’ｓを磁性材として
用い、有機バインダと混練して塗料を製作し、アルミ板
やポリエステルシートに塗布して作製されていた。しか
し、ｒ　−Ｆｅ、Ｑ、は耐食性に優れているものの、保
磁力は約３０００６゜飽和磁化は約７５　ｅ　ｍ　ｕ　
／　ｇと小さく、さらに、有機バインダが約ｓｏｗｔ係
６占めてしまうため磁気記録の高密度化は困難である。

この欠点を改善する方法として真空蒸着法、スパッタリ
ング法及びメッキ法があり、有機バインダなしで直接基
板上に磁性金属微粒子又は薄膜を付着させて磁気記録媒
体を作製することができる。これらの方法により磁気記
録の高密度化は可能であるが金属微粒子や薄膜は大気中
で酸化されてさび易く耐食性に問題がある。

窒化鉄系磁性材料は、従来、あまり注目されていなかっ
たが、耐食性及び磁気特性に優れていることが最近間ら
かにされつつあり、急速に関心が高まっている。鉄の窒
化物にはＦｅａＮ、正方晶のＦ　ｅ４　Ｎ　ｅ六方晶の
Ｆｅ３−４Ｎがある。Ｆｅ、ＮＩｒ１飽和磁化が２９８
　ｅｍｕ／ｇであり磁性材料の中で基本的な材料で高い
飽和磁化をもつ純度の２１８ｅｍｕ／ｇより大きい。Ｆ
ｅａＮは飽和磁化が１９０〜２００　ｅ　ｍ　ｕ　／　
ｇで純鉄より若干率さいが耐食性、硬度、保磁力に優れ
ている。又、Ｆｅ５Ｎは飽和磁化が１２０　ｅ　ｍ　ｕ
　／　ｇで大きくないが、六方晶でＣ軸方向に配向して
結晶が生長し易く垂直磁気記録材料として用いられ高密
度化が達成できる。

このように、窒化鉄は耐食性及び磁気特性に優れており
、磁気デスク、磁気テープ、磁気ヘッド用材料として将
来性のある材料である。

窒化鉄系の磁性材料を作製する公知技術として特開昭５
９−４５９１１号公報がある。これは窒素雰囲気中で純
鉄をターゲットにスパッタリングを行なう方法である。

スパッタ条件、特に、Ｎ２分圧全２〜７　Ｘ　１０−’
　Ｔｏｒｒに精度よく制御することによりＦｅａＮｔｌ
”０〜２０％含有する鉄磁性膜が合成できる。さらに、
Ｋ　、　’［Ｊｍｅｄａ　ｅｔ　ａｌ　；Ｊｐｎ　。

ＡＩ）ｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　２３　１５７６　（１９８
４）にみられるようにイオンプレーテングによる方法が
試みられている。この方法は窒素ガス雰囲気中で金属ｐ
ｅを電子ビームにより加熱して蒸気をつくり、フィラメ
ントからの電子によりイオン化し基板上に窒化鉄薄膜を
作製するものである。この磁性膜はα−ｐｅ及びＰｅａ
　Ｎ　、　Ｆｅ４　Ｎ　、　Ｆｅ５−ｔＮなどの数種の
窒化鉄から構成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕 前述のいずれの方法でも、鉄を主体とした各種の窒化鉄
を含有する混合物の磁性膜である。各窒化鉄の磁気特性
は種類によって違っており、又、各窒化鉄の生成割合は
合成条件により微妙に変化するため、均一で安定な磁気
特性の磁気記録媒体を作製することは困難である。

本発明の第一の目的は耐食性及び磁気特性に優れたＦｅ
５Ｎｔ”高選択的に作製する方法を提供することにある
。

本発明の第二の目的は、高飽和磁化特性のＦ６ａＮ’に
高含有する鉄磁性材料の作製法を提供することにある。

本発明の第三の目的は、耐食性及び磁気特性に優れたア
モルファス窒化鉄磁性材料の作製法を提供することにあ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、鉄原子を含有する化合物のガスと窒素原子
を含有する化合物のガスとを制御及び計量して供給し、
反応器内のＦｅ／Ｉｎ−制御し、このガスに電磁エネル
ギを印加してプラズマを生起させ、さらに析出させる基
板温度を最適に制御して反応を進めることにより達成さ
れる。

〔作用〕

本発明は鉄原子を含有する化合物と、窒素原子を含有す
る化合物とを計量容易なガスとして供給することにより
、窒化鉄の選択合成上量も重要なパラメータである反応
器内における鉄原子数と窒素原子数との比Ｆｅ／Ｎｆ、
目的とする窒化鉄に応じて容易に制御可能にする。又、
このガスに電磁波エネルギを印加してプラズマを発生さ
せることにより、活性な鉄原子及び窒素原子が生成でき
るので、低温で窒化鉄の生成が可能となり、基板温度を
目的とする窒化鉄に応じて変え、基板上に結晶又はアモ
ルファスの窒化鉄磁性材料が高選択的に作製できる。

従来のスパッタリングやイオンプレーテング法では本質
的に広領域で窒化鉄の選択合成上重要なパラメータとな
るＦｅ／Ｎを一定に制御することは困難で目的とする窒
化鉄薄膜を高選択的に合成することはできない。

〔実施例〕

以下、本発明の詳細な説明する。第１図に本発明を実施
する場合の装置構成の一例を示す。

ＨｔとＮ　Ｈｓ　との混合ガス１１ｒ：プラズマ反応器
４の頂部に供給する。供給量はマスフローコントローラ
２により調節し、計測を行なう。プラズマ反応器４内は
、ロータリ真空ポンプ１５により１０″′４〜１０！　
Ｔｏｒｒ　Ｋ減圧されている。高周波発振器５から１３
．５６ＭＨ２の高周波が発振され、マツチングユニット
６、コイル状電極７全通してプラズマ反応器４に供給さ
れる。このエネルギによりＨｒとＮ　Ｈｓ　との混合ガ
スはプラズマ３を形成する。高周波は反応器４の上半分
に供給されるが、プラズマは反応器全域にわたって生成
する。

鉄カルボニル１１はＡｒキャリアガス８に同伴させ、プ
ラズマ反応器４ヘリング状ノズル１２を経て供給される
。Ａｒの供給量はマスフローコントローラ９によって計
測する。文、鉄カルボニルの供ａｔａマス７０−コント
ローラ１０とマスフローコントローラ９との差として求
める。プラズマ雰囲気に供給された鉄カルボニル化合物
は、プラズマ中の励起電子や励起窒素原子により、常温
でも容易に分解され鉄原子を生成する。鉄原子は、さら
に、窒素原子と反応して窒化鉄を生成し、基板１３上に
析出する。基板温度はグロー放電プラズマにより数十度
に加熱されるが、必要に応じてヒータにより２００℃〜
３００℃まで加熱する。

本発明の窒化鉄の合成法では、鉄及び窒素原子はガス状
分子として反応器に供給される。鉄原子を含む分子は、
常温から約３００℃において０．１ＴＯｒｒ以上の蒸気
圧をもつものなら何でも使用できる。使用する際のガス
の供給の容易さから言えば、上記の温度領域でＩ　Ｔｏ
ｒｒ以上の蒸気圧をもつ鉄原子を含有する分子が望まし
い。以下に鉄を含む化合物を示すが、これらに限定され
るものではない。鉄原子を含む分子は、鉄カルボニル化
合物、鉄ハロゲン化物、鉄ニトロシルカルボニル化合物
、鉄有機化合物などを使用することができる。

鉄カルボニル化合物には、Ｆ’ｅ　（ＣＯ）５　、　Ｆ
’ｅ（Ｃｏ）、。

Ｆｅｚ　（ｃｏ）＋　などが挙げられる。鉄のハロゲン
化物には、塩化第一鉄（ＦｅＣム）、塩化第二鉄（Ｆｅ
ｃｔｓ）、臭化第一鉄（ＦｅＢｒｚ）臭化第二鉄（Ｆｅ
Ｂｒ３）、沃素第一鉄（ＦｅＩ２）、沃素第二鉄（Ｆｅ
Ｉｓ）等が挙げられる。鉄ニトロシルカルボニル化合物
はＦ　ｅ　（ＮＯ）２　（Ｃｏ　）　２等が、父、鉄有
機化合物は、フェロセン（Ｆｅ　（Ｃ６Ｈ５）？　）等
功：鉄原料として利用できる。窒素原子を含むガス状の
分子には、０．１ＴＯｒｒ以上、望ましくはｌ’ｐｏｒ
ｒ以上の蒸気圧をもつ含窒素化合物が好ましい。以下に
窒素原子を含むガス状分子の例を挙げる。本発明はこの
例に限定されるものではない。窒素原子を含有する化合
物は、窒素分子（Ｈｚ）、アンモニア（ＮＨｓ　）　、
アミン（ＲＮＨｔ　、Ｒはアルキル基。

フェニル基）、ヒドラジン（Ｎ！　Ｈ４）　、　窒ｌ・
ロゲン化物（ＮＣＡｓ　、　ＮＦｓ　、　Ｎ　Ｉｓなど
）などが挙げられる。これらの窒素含有化合物は、単独
で用いてもよいし、二種以上の混合物としてもよい。又
、これらの窒素含有化合物は他のガスで希釈して使用し
てもよい。希釈するためのガスには、窒素（Ｈり、水水
素子不活性ガスＨｅｌ　Ｎｅ、Ａｒなど）、ハロゲン（
ｐｔ、ｃｔ、　など）などがある。

本発明の窒化鉄磁性材料の合成法におけるプラズマの発
生方法は、一般に使用されている電磁波エネルギ、直流
電界が利用できる。電磁波エネルギとしてはマイクロ波
、高周波、ラジオ波がある。

マイクロ波は２．４５０Ｈ２，高周波は１３．５６ＭＨ
ｚのものが一般的である。電極としては、平行平板型や
誘導結合型が用いられる。

プラズマを発生させるための反応ガスへの電磁波及び直
流電界の印加方法として、次の三つの方法のいづれかを
適用できる。

第一の方法は、鉄原子？含有するガス状の分子と窒素原
子全含有するガス状の分子との混合ガスニエネルギを印
加する方法である。この方法では鉄原子を含むガスと窒
素原子を含むガスの両方がプラズマ化されてガス中に励
起された鉄原子及び窒素原子が生成し、反応して窒化鉄
が生成する。

第二、第三の方法は、鉄原子を含有するガス状分子、又
は、窒素原子を含有するガス状分子のいづれか一方のガ
スに電磁波、又は、直流電界を印加してプラズマを発生
させ、このプラズマのアフターグロー部に他のガスを導
入し、反応を進めて窒化鉄を生成する方法である。活性
種の濃度の点では第一の方法が最も優れ、基板に損失が
少なく、窒化鉄を析出させるには第二、第三の方法が優
れるっ プラズマ反応容器の圧力は、１０−４〜１０゜’ｌ’ｏ
　ｒｒで実施するのが好ましいうプラズマを発生させ窒
化鉄の合成反応を進行させるだけならば、もっと広い１
０−６〜１０”ｐｏｒｒで可能である。

しかし、圧力が低いと窒化鉄の生成速度が小さくなシ、
生産性の点で好ましくない。又、圧力が大き過ぎるとプ
ラズマの発生が不安定になりたり、窒化鉄合成の選択性
が低下するので好ましくない。

窒化鉄を合成する基板には、従来から用いられている磁
気デスク用のアルミニクム合金や磁気テープ用のポリエ
ステルンート等を用いることができるが、これらに限定
されるものではなく他の金属基板、プラスチックス基板
、セラミックス基板を用いることができる。

以下、具体的実施例を用いて本発明上さらに詳しく説明
する。

〔実施例１〕 第１図に概略図を示す内径２００ｍｍφ、長さ８００ｍ
ｍの石英ガラス−８ＵＳ製反応器の頂部へＮＨｓ　　３
０％　　Ｈｚ　　７０’Ａの混合ガスを導入し、この混
合ガスに周波数１３．５６ＭＨｚ、出力２００Ｗの高周
波を印加してプラズマを発生させ、このプラズマのアフ
ターグロー部にＡｒをキャリアガスとして鉄ペンタカル
ボニルＦｅ　（ＣＯｌｓを供給し、窒化鉄の合成実験を
行なった。実験は、圧力１０””　〜１０−”　Ｔａｒ
ｔ　、基板温度４００℃、Ｆｅ／Ｎｏ、１〜２０．反応
時間３０分の条件下で行なった。基板には２０ｍｍＸ２
０ｍｍの石英ガラス板を用いた。

実験終了後、基板上への析出物はＸ線回折による同定と
磁気特性の評価を行なった。

第２図に基板温度２００℃、圧力１０−２ＴｏｒｒでＦ
ｅ／Ｎ比を１．０　、４．０　、８．０と変えた時の析
出物のＸ線回折結果を示す。Ｆｅ／Ｎ＝１．０の回折像
（Ａ）はＦｅａＮの［：００２”１面にもとづく回折が
非常に強く、Ｆｅ５Ｎの［：１０１］面やα−Ｆｅの（
１１０１面にもとづく回折は非常に小さい。ＦｅａＮ　
ｓ　Ｆｅ４Ｎ−？ＦｅｔＮ　Ｋもとづく回折は検出され
ていない。以上の結果からＦｅＳ　Ｎが高い選択率で、
しかも、Ｃ軸に配向して生成しており垂直磁気記録体と
して用いられることがわかる。磁気特性の測定結果を第
３図に示す。面内及び垂直方向の保磁力は、それぞれ３
２００ｅ、６８００ｅで垂直方向の保磁力が優れている
ことがわかる。

４００℃で−、二待時間アニーリングると垂直方向の保
磁力が７５０〜９０００ｅまで向上し、垂直磁気記録材
として優れていることが示された。

第４図に示した飽和磁化の温度変化から常温における飽
和磁化はｔｚｏｅｍｕ／ｇｓキューｑ点は２９５℃でＦ
ｅｓ　Ｈのそれと一致し、生成物がＦｅ５Ｎであること
が磁気特性からも裏づけられた。

第５図に飽和磁化に及ぼすＦｅ１Ｎ比の影響を示した。

Ｆｅ／Ｎが小さくなるにつれ飽和磁化が減少しており、
０．３より急激に減少している。これは飽和磁化が小さ
いＦｅｔＮの生成割合が増加してくるためである。Ｆｅ
／Ｎが３．０近傍になると飽和磁化の急激な増大が見ら
れるが、これは飽和磁化値の大きいＦｅ＋Ｈの生成割合
が増加したためである。以上の結果よりＦｅ５Ｎｌ化膜
高選択的に合成するＫはＦ’ｅ／Ｎｅ０．３〜３．０の
範囲にするのが適当であると言える。さらに、好ましく
＃′１ＦｅｓＮ生成の選択性が高い１．０〜λＯがよい
。

第２図に示し＆Ｆ’ｅ／Ｎ＝４．ｏの場合の析出物のＸ
線回折像は、Ｆｅ４Ｎの（：１１１”１．（２２０）面
の回折が強く、Ｆｅｓ　Ｎ　、Ｆｅｅ　Ｎ　＋　αＦ　
ｅ　Ｋ　モとづく回折は小さいか、又は、検出されてい
ない。

この結果から、Ｆｅ＜Ｎが高選択的に生成していること
がわかる。第３図に示した磁気特性の測定結果より保磁
力Ｆｉ４　ｏｏｏ、＝、飽和磁化は１９０ｅ　ｍ　ｕ　
／　ｇで磁気特性に優れていることがわかる。

第４図に示した飽和磁化の温度変化より、キューリ点は
４９０℃でｐｅ、　Ｎのそれと一致しており、生成物が
ＰｅａＮであることが磁気特性からも裏づけられる。Ｆ
ｅ／Ｎを五以上にしてくると、ＦｅａＮやα−Ｆｅの混
入が多くなるので第５図に見られるようにＦｅ＋Ｈを選
択的に合成するにはＦｅ／Ｎを３〜５にするのが適当で
あることがわかる。

第２図に示したｐ　ｅ　／　Ｎ　＝　８．０の析出物の
Ｘ、ｌＪ回折像は、ＦｅａＮにもとづくものが検出され
ている。他にα−Ｆ　ｅ　＊　Ｆ　Ｃ４Ｎ　ＶＣもとづ
くものも検出されている。ｌ第５図に飽和磁化は純鉄の
２１０ｅｍｕ／ｇより大きい最大２４８　ｅ　ｍ　ｕ　
／　ｇの値が得られた。Ｆｅ／Ｎｔ大きくしていくと飽
和磁化の低下がみられる。これはＦｅ／Ｎの増大に伴い
、α−ｐｅの生成割合が増加したためである。

ＦｅａＮを高含有する磁性膜を得るには、Ｆ　ｅ　／　
Ｎを５〜１５の範囲にするのが適当と言える。

このように、Ｆｅ／Ｎ？制御することによりＦｅ５Ｎ及
びＦｅ４Ｎ窒化鉄を高選択的に、又Ｆｅ、Ｎ窒化鉄を高
含有する鉄磁性膜を選択的に合成できる。

〔実施例２〕 実施例１で得られたＦｅ５Ｎｌ化膜、Ｆｅ＋Ｈ窒化膜及
びＦｅ５Ｎ窒化！ＩＸを６０℃飽飽和度のボックス内に
入れ、−週間放置後の飽和磁化の変化を測定した。実験
の結果、Ｆｅ５Ｎ及びＦｅ、Ｎでは飽和磁化の低下は認
められなかった。又、ＦｅａＮ含有磁性膜では飽和磁化
の若干の低下が認められた。この結果より、得られた窒
化鉄は耐食性に優れていると判定される。

〔実施例３〕 実施例１と同一装置を用い、同一条件下で基板温度を常
温〜１５０℃の範囲で窒化鉄の合成実験を行なった。析
出膜のＸ線回折像は、常温では完全にフラット、１００
〜１５０℃でブロードな回折像がみられた。この結果よ
り析出膜はアモルファスであることがわかる。磁気特性
は保磁力が１００〜４０００ｅで磁気記録材として充分
用いられる。耐食性は非常に優れ、５４ＮａＣ４食塩水
中に一週間浸漬したが磁気特性の劣化は認められなかつ
念つ 〔実施例４〕 実施例１と同じ装置を用い、鉄源としてＦｅＣＬ！、　
ＦｅＣ６＊　、　Ｆｅ　（Ｎｏ）　２　（Ｃｏ）２　、
　ｐｅ（０２Ｈ５）３等の鉄ハロゲン化物、鉄ニトロシ
ル化合物、鉄有機化合物を加熱して気化又は昇華せしめ
Ａｒｔキャリアガスとして減圧状態に保持された反応６
忙導入した。一方、窒素原子を含有する化合物としてＮ
Ｈａ　３０％　　Ｈｚ　　７０’ｌの混合ガスを用いて
窒化鉄の合成実験を行なった。実験条件は、圧力１０−
”　Ｔｏｒｒ　、基板温度２ｏ゛０℃。

Ｆｅ／Ｎ比約１．０１反応時間三十分、プラズマ発生温
１３．５６ＭＨｚ高周波、出力２００Ｗである。

実験終了後、Ｘ線回折により析出物の同定を行なったと
ころ、主としてＦｅ５Ｎの生成が確認された。

以上の結果より、鉄源は鉄カルボニル化合物に限定され
たものではなく、鉄ハロゲン化物、鉄ニトロシル化合物
、鉄有機化合物でもよいことが明らかである。しかし、
窒化鉄合成の操作性、合成窒化鉄の純度等から判断する
と鉄ペンタカルボニルが最も優れている。

〔実施例５〕 実施例１と同じ装置を用い、窒素源としてＮｔ。

Ｎ２　Ｈ４、ＣＨｓ　ＮＨｔ　　をそのまま、又は、加
熱して気化させ減圧に保持された反応器に導入し九。鉄
源として鉄ペンタカルボニルを用いた。実験条件は、圧
力１０−２Ｔｏｒｒ　、基板温度２００℃、Ｆｅ／Ｎ比
約り、　ｏ　、反応時間三十分、プラズマ発生源１３．
５６ＭＨｚ高周波、出力２００Ｗである。実験終了後、
析出物のＸ線回折による同定を行なったところ、主とし
てＦ！３Ｎ窒化鉄の生成が確認された。

ｌ　以上の結果より、窒素源はＮ　Ｈｓに限定されるも
のではなく、窒素ガス、ヒドラジン、アミン等でも可能
であることが明白である。しかし、窒化鉄合成の操作性
、合成窒化鉄の純度から判断する５とＮＨｓ　　、　Ｎ
ｔ　、あるいは、これらにＨ２を添加した混合ガスが最
も優れている。

〔実施例６〕 実施例１と同じ装置ｔｆｉ−用い、鉄源として鉄ペンタ
カルボニル、窒素源としてＮＨｓ　　３０％　　Ｈｔ７
０４の混合ガスを用い、外部より玉子Ｑａｕｓｓの磁界
を印加した場合、基板に１００φＸ７０ｍｍＬ大きさで
ＧａｕＳＳの円筒磁石を用いた場合の窒化鉄析出への影
響を調べた。実験条件は圧力１Ｏ−２Ｔｏｒｒ　、基板
温度２００℃１反応時間三十分、プラズマ発生源１３．
５６ＭＨ２の高周波、出力２００Ｗである。

実験の結果、外部より磁界をかけると反応管壁への窒化
鉄の析出がよく防止できること、又、基板に磁界を印加
することにより窒化鉄の析出が磁界をかけない場合の速
度０．０５μ／分から０．０７〜０．１μ／分まで増大
させることができ、Ｆｅ５Ｎ合成の場合には、垂直方向
の保磁力を向上できることを確認した。

以上の結果より、プラズマ及び基板に磁界をかけること
が効果的であることが明白である。

〔実施例７〕 内径２０φＸ２００ｍｍの石英ガラス製反応管にＮＨｓ
　ａｏ＊　　Ｈｔ　　７０チの混合ガスをキャリアガス
として鉄ペンタカルボニルを送り、このガスにＺ４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波、出力５０Ｗを印加してプラズマを発
生させ窒化鉄の合成を試みた。

実験終了後、析出物をＸ線により同定したところＦｅ５
Ｎが主に生成していることを確認した。

以上の結果、プラズマ発生源は高周波に限られたもので
はなく、２．４５ＧＩ（Ｚのマイクロ波でもよいことは
明白である。又、プラズマ全発生させ得るラジオ波や直
流放電でもよいことが容易に推定される。

本発明は耐食性・磁気特性に優れた各種窒化鉄磁性材料
の高選択合成方法と得られた窒化鉄磁性材料に関するも
のである。本発明は鉄の窒化物に限られているが、鉄と
同族のＣｏ、ＮｉやＣｒ等の窒化物合成に容易に応用で
きると考えられる１、これら金属の窒化物も耐食性・磁
気特性に優れていると推定される。

本発明は、実験による確認を行なっていないがＣｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｒの窒化物合成にも容易に応用できる。これら金
属を含有する化合物としては鉄の場合と同様、低沸点、
高蒸気圧のＣｏ（Ｃｏ）、。

Ｎｌ　（ＣＯ）４　、　Ｃｒ　（Ｃｏ）ｓ等が用いられ
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、垂直磁気記録材となるＦｅ５Ｎ。

耐食性・磁気特性に優れたＦｅ４Ｎが高選択的に合成で
き、又高飽和磁化を有するＦｅａＮｋ高含有する鉄磁性
材の合成が可能となる。又、基板温度を常温付近に維持
することにより耐食性に優れたアモルファス窒化鉄の合
成も可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の系統図、第２図は基板温度
２００℃で得られた析出物のＸ線回折図、第３図は磁気
特性の実測データ図、第４図は飽和磁化の温度変化を示
す実測データ図、第５図は飽和磁化とＦｅ／Ｎの関係を
示す実測データ図である。 ２…マスフローコントローラ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、減圧の反応容器内に鉄原子を含有するガス状の分子
   および窒素原子を含有するガス状の分子を導入し、これ
   らのガスに電磁波などの電気エネルギを印加してプラズ
   マ反応を行なわせることを特徴とする窒化鉄磁性体の製
   造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記鉄原子を含有する前記ガス状分子中の前記鉄原子の
   数と前記窒素原子を含有するガス状分子中の窒素原子数
   との比Ｆｅ／Ｎを：０．３〜３．０とし、基板温度を１
   ５０℃以上とすることを特徴とする窒化鉄磁性体の製造
   方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、 導入ガス中の鉄原子数と窒素原子数との比 Ｆｅ／Ｎを３．０〜５．０とし、基板温度を１５０℃以
   上とすることを特徴とする窒化鉄磁性体の製造方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、 導入ガス中の鉄原子数と窒素原子数との比 Ｆｅ／Ｎを５．０〜１５．０とし、基板温度を１５０〜
   ３５０℃とすることを特徴とする窒化鉄磁性体の製造方
   法。 ５、特許請求の範囲第１項において、 導入ガス中の鉄原子数と窒素原子数との比 Ｆｅ／Ｎを０．１〜１５．０とし、基板温度を１５０℃
   以下とすることを特徴とする窒化鉄磁性体の製造方法。 ６、特許請求の範囲第１項に記載する鉄原子を含有する
   分子は、鉄カルボニル化合物、鉄ハロゲン化物、鉄ニト
   ロシル化合物、有機鉄化合物であることを特徴とする窒
   化鉄磁性体の製造方法。 ７、特許請求の範囲第１項に記載する窒素原子を含有す
   るガス状の分子は、窒素、アンモニア、アミン、ヒドラ
   ジンを含有することを特徴とする窒化鉄磁性体の製造方
   法。 ８、特許請求の範囲第１項において、 鉄原子を含有するガスと窒素原子を含有するガスとを分
   岐し、窒素原子を含有するガスに電気エネルギを印加し
   てプラズマを発生させ、前記プラズマのアフターグロー
   部に鉄原子を含有するガスを供給することを特徴とする
   窒化鉄磁性体の製造方法。 ９、特許請求の範囲第１項において、 プラズマに電界又は磁界を印加してプラズマ領域を制御
   することにより反応管壁等への窒化鉄の析出を防止する
   ことを特徴とする窒化鉄磁性体の製造方法。 １０、特許請求の範囲第２項において、 基板に磁界を印加することを特徴とする窒化鉄磁性体の
   製造方法。 １１、特許請求の範囲第１項の電磁波エネルギがマイク
   ロ波、高周波、ラジオ波であることを特徴とする窒化鉄
   磁性体の製造方法。