JP6230982B2 - 窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料 - Google Patents

窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料 Download PDF

Info

Publication number
JP6230982B2
JP6230982B2 JP2014225882A JP2014225882A JP6230982B2 JP 6230982 B2 JP6230982 B2 JP 6230982B2 JP 2014225882 A JP2014225882 A JP 2014225882A JP 2014225882 A JP2014225882 A JP 2014225882A JP 6230982 B2 JP6230982 B2 JP 6230982B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor film
oxygen
nitrogen
zinc
containing gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014225882A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015057518A (ja
Inventor
イエ　ヤン
ヤン イエ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2015057518A publication Critical patent/JP2015057518A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6230982B2 publication Critical patent/JP6230982B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0676—Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component

Description

（発明の分野）
本発明の実施形態は概して、低温及び高温両方の温度条件下で窒素含有ガスを用いた亜
鉛スパッタリングターゲットの反応性スパッタにより形成される、高移動度の薄膜半導体
材料に関する。
（関連技術の説明）
半導体層の電子移動度は、デバイスの速度及びデバイスを流れる電流に極めて大きな影
響を与える。電子移動度が高ければ高いほど同じ電圧下でのデバイスの速度は速くなり、
ソース・ドレイン間の電流は高くなる。近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機発光ダ
イオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ及び量子ドットディスプレイを駆動するためのバック
プレーン用の電界効果型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や太陽電池パネルを組み立てるため
の半導体層には、アモルファスシリコン及びポリシリコンが採用されている。アモルファ
スシリコンは、約１ｃｍ２／Ｖｓの電子移動度を有し得る。低温ポリシリコンは、５０ｃ
ｍ２／Ｖｓを越える電子移動度を有し得るが、その電子移動度を達成するにはレーザーア
ニーリング等の複雑な工程段階を必要とする。従って、５０ｃｍ２／Ｖｓより高い電子移
動度を備えたポリシリコンを製造するコストは極めて高く、大面積基板への利用には適し
ていない。
電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）においては、ソース電極とドレイン電極との間のチ
ャネルが半導体材料により形成されている。ゲート電極への電圧供給がない限り、ソース
電極とドレイン電極との間に電圧が加えられても、ソース電極とドレイン電極との間に電
流は流れない。ゲート電極に電圧をかけるにつれ、半導体層内部の可動電子が、ゲート誘
電体層と半導体層との間の界面に極めて近い領域に蓄積される。半導体層は導電性となり
、ソース電極とドレイン電極との間の電圧が低くても、電極がソース・ドレイン電極間を
スムーズに流れる。半導体材料の高い移動度は、半導体中の可動電子がゲート電極によっ
て作り出される電界により敏感であることを示しており、半導体チャネルの導電性はより
高くなる。ゲート端子及びソース端子に印加される電圧の影響を受ける、半導体チャネル
を流れる電流は、半導体材料によって決定される。半導体材料の移動度が高ければ高いほ
ど、ＦＥＴに電流を流すのに必要な電圧が少なくなる。
ＴＦＴにおいて望ましい移動度を達成するために、アモルファスシリコンが水素パッシ
ベーションを利用することがある。アモルファスシリコンは、最高約３５０℃での化学気
相蒸着（ＣＶＤ）により堆積することができる。水素パッシベーションによりアモルファ
スシリコンは望ましい移動度を達成することができるものの、ゲート電極電圧下及びデバ
イスそれ自体により生じる比較的高い温度下では時間と共にＴＦＴのしきい電圧が変化す
る等、不安定となる可能性がある。
従って、処理温度が高いガラス基板上だけでなく、プラスチック基板及びその他のフレ
キシブル基板の上でも十分に高い移動度を有する安定した半導体材料が当該分野において
必要とされている。
本発明は概して、半導体膜及びこの半導体膜の堆積に使用する反応性スパッタ法を含む
。スパッタリングターゲットは亜鉛を含んでいてよく、アルミニウム又はその他の金属で
ドープしてもよい。亜鉛ターゲットは、窒素含有ガス及び酸素含有ガスをチャンバに導入
することにより反応的にスパッタすることができる。窒素含有ガスの量は、典型的で酸化
亜鉛に特徴的なピーク（ＸＲＤでの測定による酸化亜鉛（００２）ピーク等）を有さない
膜構造によって求めることができる。窒素含有ガスの流量は、膜がアモルファス（すなわ
ち、ＸＲＤで測定した場合にはっきりとしたピークがない）となる又は窒化亜鉛若しくは
酸窒化亜鉛の弱いピークを有するものとなるように選択される。窒素含有ガスの流量は、
酸素含有ガスの流量よりはるかに大きくなり得る。酸素含有ガスの量は、膜構造の転換点
に基づいたものであってよい。酸素含有ガスの量は、ＸＲＤによる測定で酸化亜鉛（００
２）のピークを出現させるのに必要な量より少なくなるように選択される。工程を簡略化
するために、酸素含有ガスの流量を、窒素含有ガスを使用しない堆積で得られた測定値に
基づいて膜透過率、ＤＣ電圧変化又は膜導電性から求めることもできるが、これは膜透過
率、ＤＣ電圧変化又は膜導電性が膜構造に関係してるからである。形成した膜をアモルフ
ァス構造又はあるレベルの結晶構造に調整してもよい。反応性スパッタは、室温前後から
数百度にのぼる温度で行われる。堆積後、半導体膜をアニールすることにより、膜の移動
度を更に改善してもよい。
膜の酸素含有量が２５％以上であっても、膜がＸＲＤによる測定ではっきりとした酸化
亜鉛のピークを示さないことがある。一実施形態において、膜はＺｎ３Ｎ２のピークを有
さない。別の実施形態においては、ＸＲＤによる測定でＺｎ３Ｎ２のピークが１つ以上存
在する。膜は、亜鉛、酸素、窒素及び膜にドープさせるその他の金属種（アルミニウム等
）を含み得る。膜は、ＸＰＳで測定した場合、窒化物又は亜硝酸塩の結合を有し得る。膜
は、約４００ｎｍ〜約１０００ｎｍの光吸収端及び約３．１ｅＶ〜約１．２ｅＶのバンド
ギャップを有し得る。半導体膜は膜構造に基づいて形成されることから、半導体膜を異な
る処理温度、異なる電力下で異なる製品プラットフォームさえ用いて形成してもよい。
一実施形態において、スパッタ法を開示する。本方法は、スパッタリングチャンバに亜
鉛ターゲットを配置し、酸素含有ガス及び窒素含有ガスを含むスパッタリングガスをチャ
ンバに流し、ターゲットにバイアスを印加し、亜鉛、酸素及び窒素を含む半導体層を基板
上に堆積することを含む。
別の実施形態において、スパッタ法を開示する。本方法は、窒素含有ガス及び酸素含有
ガスを、亜鉛を含む金属ターゲットを有するスパッタリングチャンバに流し、亜鉛、酸素
及び窒素を含む半導体層を基板上にスパッタ堆積することを含む。
別の実施形態において、亜鉛、酸素及び窒素を含む半導体膜を開示する。別の実施形態
において、亜鉛を含み且つ約５ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する半導体膜を開示する
。別の実施形態において、Ｘ線回折を用いた測定でＺｎ３Ｎ２の第１のピーク（２θで約
３１．５°、考えられ得る（２２２）結晶方位を有する）とＺｎ３Ｎ２の第２のピーク（
２θで約３９°、考えられ得る（４１１）結晶方位を有する）を有する半導体膜を開示す
る。図３Ｆに示されるように、その他のＺｎ３Ｎ２ピーク（２θで約３６．７°、考えら
れ得る（４００）結晶方位を有する）が観察されることもある。
本発明の上記の構成が詳細に理解されるように、上記で簡単に要約した本発明のより具
体的な説明を実施形態を参照して行う。実施形態の一部は添付図面に図示されている。し
かしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態しか図示しておらず、本発明はその他
の同等に効果的な実施形態も含み得ることから、本発明の範囲を限定すると解釈されない
ことに留意すべきである。
本発明の一実施形態による半導体膜の堆積に使用し得るスパッタリングチャンバの概略断面図である。 〜 酸素ガス流量の関数として亜鉛及び酸化亜鉛のピーク形成を示す膜についてのＸＲＤグラフである。 〜 本発明の一実施形態による、様々な窒素ガス流量での半導体膜の形成を示すＸＲＤグラフである。
円滑な理解のために、可能な限り、図に共通する同一の要素は同一の参照番号を用いて
表した。一実施形態において開示の要素は、特に記載することなく、他の実施形態で便宜
上利用可能である。
詳細な説明
本発明は、概して、半導体膜及びこの半導体膜の堆積に使用する反応性スパッタ法を含
む。スパッタリングターゲットは亜鉛を含み得る。一実施形態において、ターゲットは、
純度９９．９９０原子百分率以上、好ましくは９９．９９５原子百分率以上で亜鉛を含む
。別の実施形態において、ターゲットは、１種以上のドープ金属でドープされた亜鉛を含
む。例えば、ターゲットは、約１原子百分率〜約２０原子百分率のアルミニウムでドープ
された亜鉛を含む。亜鉛ターゲットは、窒素含有ガス、酸素含有ガス及びアルゴンをチャ
ンバに導入することにより、反応的にスパッタすることができる。窒素含有ガスの量は、
酸素含有ガスの量及びアルゴンガスの量より著しく多くてよい。酸素含有ガスの量は、窒
素含有ガスを使用しない堆積から得た測定値に基づく膜構造の転換点、膜透過率、ＤＣ電
圧変化又は膜導電性を踏まえたものであってよい。反応性スパッタは、室温前後から最高
数百度の基板温度で行うことができる。堆積後、半導体膜をアニールすることにより、膜
の移動度を更に改善してもよい。以下ではターゲットバイアスをＤＣと記載しているが、
ＡＣバイアスも同様に使用し得ると理解すべきである。
反応性スパッタ法を実例を挙げて説明する。本方法を、大面積基板を処理するためのＰ
ＶＤチャンバ（カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社の子会社であ
るＡＫＴ社から入手可能な４３００ＰＶＤチャンバ等）において実践してもよいが、本方
法により形成される半導体膜はその膜構造及び組成によって決定されることから、本発明
の反応性スパッタ法は、大面積円形基板を処理するように構成されたシステム及びその他
の製造業者によって製造されたシステム（ロール・ツー・ロールプロセスプラットフォー
ムを含む）を含む、その他のシステム構成でも有用であると理解すべきである。本発明を
以下ではＰＶＤによる堆積として説明しているが、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積
（ＡＬＤ）又はスピンオン法を含むその他の方法を利用して本発明の膜を堆積してもよい
と理解すべきである。
図１は、本発明の一実施形態によるＰＶＤチャンバ１００の概略断面図である。チャン
バ１００は、真空ポンプ１１４により排気される。チャンバ１００において、基板１０２
はターゲット１０４の反対側に配置される。基板は、チャンバ１００内のサセプタ１０６
上に配置される。サセプタ１０６は、アクチュエータ１１２により、矢印Ａで図示される
ように上昇及び下降させられる。サセプタ１０６を上昇させることにより基板１０２を処
理位置にまで持ち上げ、下降させることにより基板１０２をチャンバ１００から取り出す
ことことができる。サセプタ１０６が下降位置にある場合、昇降ピン１０８により基板１
０２をサセプタ１０６より上に持ち上げる。接地ストラップ１１０は、処理中、サセプタ
１０６を接地する。処理中、サセプタ１０６を上昇させることにより、均一な堆積を促す
。
ターゲット１０４は１つ以上のターゲット１０４を含み得る。一実施形態において、タ
ーゲット１０４は、大面積スパッタリングターゲット１０４を含む。別の実施形態におい
て、ターゲット１０４は複数のタイルを含む。更に別の実施形態において、ターゲット１
０４は複数のターゲットストリップを含む。更に別の実施形態において、ターゲット１０
４は１つ以上の円筒状の回転ターゲットを含む。ターゲット１０４は、接着層（図示せず
）によりバッキングプレート１１６に接着される。１つ以上のマグネトロン１１８を、バ
ッキングプレート１１６の背後に配置する。マグネトロン１１８はバッキングプレート１
１６全体を、直線運動又は二次元経路でもって走査する。チャンバ壁は、暗部シールド１
２０及びチャンバシールド１２２により堆積から保護される。
基板１０２全体への均一なスパッタ堆積を促すために、アノード１２４をターゲット１
０４と基板１０２との間に配置する。一実施形態において、アノード１２４は、アーク溶
射したアルミニウムで被覆されたビードブラストステンレススチールである。一実施形態
において、アノード１２４の一端は、ブラケット１３０によりチャンバ壁に取り付けられ
る。アノード１２４がターゲット１０４とは反対に帯電することにより、荷電イオンが、
典型的には接地電位にあるチャンバ壁ではなくターゲットに引き付けられる。アノード１
２４をターゲット１０４と基板１０２との間に設置することによりプラズマがより均一と
なり、堆積が促進される。剥落を軽減するために、冷却液を１つ以上のアノード１２４に
流してもよい。アノード１２４の膨張及び収縮の程度を軽減することにより、アノード１
２４からの材料の剥落が軽減される。小型の基板、それに伴って処理チャンバが小型の場
合は、接地経路としては、また均一なプラズマ分布をもたらすにはチャンバ壁で十分なた
め、処理空間全体に及ぶアノード１２４は必要ない。
反応性スパッタの場合、反応性ガスをチャンバ１００に供給するのが有益である。ター
ゲット１０４と基板１０２との間に、１本以上のガス導入管１２６もチャンバ１００を横
断してわたされる。小型の基板、それに伴って処理チャンバが小型の場合は、慣用のガス
導入手段でも均一なガス分配が可能なことから、処理空間全体に及ぶガス導入管１２６は
必要ない。ガス導入管１２６は、スパッタリングガスをパスパネル１３２から導入する。
ガス導入管１２６を、１つ以上の継手１２８でアノード１２４に連結してもよい。継手１
２８を熱伝導性材料で形成することにより、ガス導入管１２６を伝導的に冷却してもよい
。加えて、継手１２８も電導性とすることにより、ガス導入管１２６を接地させ、アノー
ドとして機能させてもよい。
反応性スパッタ法は、亜鉛スパッタリングターゲットをスパッタリングチャンバ内にお
いて基板の反対側に配置することを含む。亜鉛スパッタリングターゲットは、実質的に、
亜鉛又は亜鉛とドープ元素とを含む。使用し得る適切なドーパントには、Ａｌ、Ｓｎ、Ｇ
ａ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｇ、ＳｉｘＮｙ、
ＡｌｘＯｙ及びＳｉＣが含まれる。一実施形態において、ドーパントはアルミニウムを含
む。その一方で、基板は、プラスチック、紙、ポリマー、ガラス、ステンレススチール及
びこれらの組み合わせを含む。基板がプラスチックの場合、反応性スパッタは約１８０℃
未満の温度で行われる。
スパッタ処理中、アルゴン、窒素含有ガス及び酸素含有ガスをチャンバに供給すること
により、亜鉛ターゲットを反応的にスパッタする。スパッタ中、Ｂ２Ｈ６、ＣＯ２、ＣＨ
４及びこれらの組み合わせ等の追加の添加物もチャンバに供給することができる。一実施
形態において、窒素含有ガスはＮ２を含む。別の実施形態において、窒素含有ガスはＮ２
Ｏ、ＮＨ３又はこれらの組み合わせを含む。一実施形態において、酸素含有ガスはＯ２を
含む。別の実施形態において、酸素含有ガスはＮ２Ｏを含む。窒素含有ガスの窒素及び酸
素含有ガスの酸素がスパッタリングターゲットの亜鉛と反応することにより、亜鉛、酸素
及び窒素を含む半導体材料が基板上に形成される。一実施形態において、窒素含有ガス及
び酸素含有ガスは、Ｎ２Ｏ及びＮ２等のガスの組み合わせを含む。
半導体膜を形成するための望ましい酸素流量を求めるためには、亜鉛を完全に酸化して
酸化亜鉛を形成するには不十分な酸素量となるように酸素量を選択する。亜鉛の酸化の程
度は透過率に影響する。例えば、亜鉛を完全に酸化させると、透過率が約８０％を超えて
しまう。望ましい酸素流量を求めるための１つのやり方は、窒素ガスを使用せずにアルゴ
ンガスと酸素ガスを用いて反応性スパッタ法を行うことである。異なる酸素流量で実験を
行い、可視波長における光透過率を測定する。望ましい酸素流量は、膜が、達成し得る最
高透明度を獲得する直前のものである。表１は、様々な酸素流量でもって反応的にスパッ
タ堆積された酸化亜鉛の光透過率を示す。一実施形態において、好ましい最高透過率は８
０％である。その他の実施形態において、ガラスによる吸収又は光の緩衝が含まれるなら
、最高透過率は８０％にならない。異なるＤＣターゲット電力、異なる基板温度又はＮ２
Ｏ等の異なる酸素含有ガスさえ使用する場合、実験は有用である。
Figure 0006230982
望ましい酸素ガス流量を求めるための別の方法とは、上述したように窒素供給がゼロ又
は低量の条件下で反応性スパッタ行うことにより酸化亜鉛を形成し、次にシート抵抗を測
定することである。約１００オーム／スクエア〜１．０ｘ１０７オーム／スクエアのシー
ト抵抗を生じさせる酸素流量が望ましい酸素流量である。
望ましい酸素流量を求めるための更に別のやり方とは、ＸＲＤ膜構造測定を行うことで
ある。図２Ａ〜２Ｅは、酸素ガス流量の関数として亜鉛及び酸化亜鉛のピークの形成を示
す膜についてのＸＲＤグラフである。図２Ａ〜２Ｅに示される各膜は、アルゴン流量６０
０ｓｃｃｍ／ｍ３、１０００Ｗ及び様々な酸素流量で堆積された。
図２Ａは、スパッタ中に酸素ガスを供給しない場合に形成された膜のＸＲＤグラフを示
す。様々な強度を有する亜鉛ピークが幾つか生じた。亜鉛（００２）ピークが２θ（すな
わち、入射Ｘ線と回折計の検出装置との間の角度）で約３５．５〜３７、強度約６２５カ
ウントで示されている。亜鉛（１００）ピークは、約３８〜４０、強度約４５０カウント
で示されている。亜鉛（１０１）ピークは、約４２．５〜４４、強度約１０５０カウント
で示されている。亜鉛（１０２）ピークは、約５３〜５５、強度約３２５カウントで示さ
れている。亜鉛（１０３）ピークは、約６９．５〜７０、強度約３００で示されている。
亜鉛（１１０）ピークは、約７０〜７１、強度約２７５カウントで示されている。亜鉛（
００２）：亜鉛（１００）：亜鉛（１０１）：亜鉛（１０２）：亜鉛（１０３）：亜鉛（
１１０）のピーク高さ比は、約２．２７：１．６４：３．８２：１．１８２：１．０９１
：１である。全てのピークは、相を同定するためのＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｅｎ
ｔｅｒ ｆｏｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｄａｔａ（ＩＣＤＤ）ＰＤＦ２データベース
（２００４年改訂）を用いて標識される。
酸素ガスを流量５０ｓｃｃｍ／ｍ３で供給すると、亜鉛ピークの強度は図２Ｂに示され
るように低下する。亜鉛（００２）ピークは約５００カウントに低下する。亜鉛（１００
）ピークは約３７５カウントに低下する。亜鉛（１０１）ピークは約７５０カウントに低
下する。亜鉛（１０２）ピークは約２５０カウントに低下する。亜鉛（１１０）ピークは
約２２５カウントに低下し、亜鉛（１０３）ピークは存在しない。亜鉛（００２）：亜鉛
（１００）：亜鉛（１０１）：亜鉛（１０２）：亜鉛（１１０）のピーク高さ比は約２．
２２：１．６７：３．３３：１．１１：１である。
酸素ガスを流量１００ｓｃｃｍ／ｍ３で供給すると、図２Ｃに示されるように、約３７
５カウントに低下した亜鉛（１０１）ピークを除いて、全ての亜鉛ピークが消失する。図
２Ｄに示されるように、酸素ガスを１５０ｓｃｃｍ／ｍ３で供給すると亜鉛ピークは完全
に消失するが、酸化亜鉛（００２）ピークが約３３．５〜３５、強度約９５０カウントで
現れる。酸素流量を２００ｓｃｃｍ／ｍ３にまで上げると、図２Ｅに示されるように、酸
化亜鉛（００２）ピークの強度が約１０００カウントにまで上昇する。
ＸＲＤデータによると、供給する酸素の量は約１５０ｓｃｃｍ／ｍ３で未満であるべき
であるが、これは１５０ｓｃｃｍ／ｍ３で強い酸化亜鉛ピークが現れるからである。酸素
の流量はチャンバのサイズに比例すると理解すべきである。即ち、チャンバのサイズが上
がると酸素流量も上昇する。同様に、チャンバのサイズが下がると酸素流量も低下する。
望ましい窒素流量を求めるために、ＸＲＤ膜構造測定を行う。図３Ａ〜３Ｆは、本発明
の一実施形態による、様々な窒素ガス流量での半導体膜の形成を示すためのＸＲＤグラフ
である。図３Ａ〜３Ｆに示される各膜は、アルゴン流量６００ｓｃｃｍ／ｍ３、２０００
Ｗ、酸素流量１００ｓｃｃｍ／ｍ３及び様々な窒素流量で堆積された。
図３Ａは、窒素を使用せずに堆積した膜のＸＲＤグラフである。グラフには、約３５〜
約３７の、約５７５カウントの強度を有する酸化亜鉛（１０１）及び亜鉛（００２）のピ
ーク、約３８〜４０の、約３８０カウントの強度を有する亜鉛（１００）のピーク、約４
２．５〜４４の、約７００カウントの強度を有する亜鉛（１０１）のピークを含む幾つか
の強いピークが現れている。約３５．５〜３７の、約３９０カウントの強度を有する酸化
亜鉛（００２）、約５３〜５５の、約２７５カウントの強度を有する亜鉛（１０２）、約
６９．５〜７０の、約２２５カウントの強度を有する亜鉛（１０３）の小さいピーク及び
約７０〜７１の、約２２５カウントの強度を有する亜鉛（１１０）のピークも存在する。
酸化亜鉛（１０１）：亜鉛（００２）：亜鉛（１００）：亜鉛（１０１）：酸化亜鉛（０
０２）：亜鉛（１０２）：亜鉛（１０３）：亜鉛（１１０）のピーク高さ比は、約２．５
５：２．５５：１．２４：３．１１：１．７３：１．２２：１：１である。
反応性スパッタ中に窒素を流量３００ｓｃｃｍ／ｍ３で供給すると、図３Ｂに示される
ように、亜鉛及び酸化亜鉛のピークが、酸化亜鉛がもはや存在しなくなるほど大幅に低下
した。窒素流量を５００ｓｃｃｍ／ｍ３でにまで上げると、図３Ｃに示されるように、亜
鉛及び酸化亜鉛のピークの全てが低下して、膜はアモルファス構造となる。
窒素流量を１０００ｓｃｃｍ／ｍ３にまで上げると、図３Ｄに示されるように、２つの
新しいピークが現れる。第１のピークＺｎ３Ｎ２（２２２）は、約３１〜３３、強度約２
０５０カウントで形成された。第２のピークＺｎ３Ｎ２（４１１）は、約３５〜４２、強
度約１８５０カウントで形成された。Ｚｎ３Ｎ２（２２２）：Ｚｎ３Ｎ２（４１１）のピ
ーク高さ比は約１．１１：１である。窒素ガス流量を１２５０ｓｃｃｍ／ｍ３にまで上げ
ると、図３Ｅに示されるように、Ｚｎ３Ｎ２（２２２）ピークは約２５００カウントにま
で強まり、Ｚｎ３Ｎ２（４１１）のピークは約２６００カウントにまで強まる。Ｚｎ３Ｎ
２（２２２）：Ｚｎ３Ｎ２（４１１）のピーク高さ比は約０．９６：１である。窒素流量
を２５００ｓｃｃｍ／ｍ３にまで上げると、図３Ｆに示されるように、Ｚｎ３Ｎ２（２２
２）ピーク及びＺｎ３Ｎ２（４１１）ピークが約２３５０カウントと２０５０カウントに
それぞれ減弱するが、新しいピークＺｎ３Ｎ２（４００）が、約３６〜３７．５、強度約
１７００カウントで現れる。Ｚｎ３Ｎ２（２２２）：Ｚｎ３Ｎ２（４１１）：Ｚｎ３Ｎ２
（４００）のピーク高さ比は、約１．３８：１．２１：１である。
ＸＲＤデータによると、供給する窒素の量は約３００ｓｃｃｍ／ｍ３を越えるべきであ
るが、これは３００ｓｃｃｍ／ｍ３で酸化亜鉛ピークが大きく低下し、実質的に酸化亜鉛
が膜中に存在しないからである。窒素の流量はチャンバのサイズに比例すると理解すべき
である。即ち、チャンバのサイズが上がると窒素流量も上昇する。同様に、チャンバのサ
イズが下がると窒素流量も低下する。
従って、上で求めた酸素流量と窒素流量とを組み合わせると、本願に記載の新規の半導
体膜は、約２：１を越える窒素：酸素流量比で堆積されることになる。一実施形態におい
て、窒素：酸素の流量比は１０：１〜約５０：１である。更に別の実施形態において、窒
素：酸素の流量比は２０：１である。
半導体材料を形成するためには、上述したように、窒素含有ガスの流量が酸素含有ガス
の流量よりもはるかに多くなる。堆積される半導体材料は、アモルファスシリコンより高
い移動度を有する。表２は、本発明の一実施形態による、窒素ガス流量の関数としての移
動度を示す。
Figure 0006230982
酸素流量０ｓｃｃｍの条件下で堆積された膜は、どの窒素ガス流量であっても移動度が
５ｃｍ２／Ｖｓ未満であった。酸素流量２５ｓｃｃｍ／ｍ３の条件下で堆積された膜は、
窒素流量１５００ｓｃｃｍ／ｍ３で約８ｃｍ２／Ｖｓの移動度を有し、窒素流量２５００
ｓｃｃｍ／ｍ３で約１５ｃｍ２／Ｖｓの移動度を有していた。酸素流量２００ｓｃｃｍ／
ｍ３の条件下で堆積された膜は、窒素流量１５００ｓｃｃｍ／ｍ３で約１ｃｍ２／Ｖｓの
移動度を有し、窒素流量２５００ｓｃｃｍ／ｍ３で約１０ｃｍ２／Ｖｓの移動度を有して
いた。酸素流量２５０ｓｃｃｍ／ｍ３での条件下で堆積された膜は、窒素流量５００ｓｃ
ｃｍ／ｍ３で約５ｃｍ２／Ｖｓの移動度を有し、窒素流量１５００ｓｃｃｍ／ｍ３で約２
ｃｍ２／Ｖｓの移動度を有し、窒素流量２５００ｓｃｃｍ／ｍ３で約１２ｃｍ２／Ｖｓの
移動度を有する。
酸素流量５０ｓｃｃｍ／ｍ３〜１５０ｓｃｃｍ／ｍ３で堆積された膜では、その移動度
が、酸素流量２５ｓｃｃｍ／ｍ３以下で堆積された膜及び酸素流量２００ｓｃｃｍ／ｍ３
以上で堆積された膜より著しく上昇した。加えて、酸素流量５０ｓｃｃｍ／ｍ３〜１５０
ｓｃｃｍ／ｍ３で堆積された膜は、アモルファスシリコンよりはるかに高い移動度を有す
る。窒素流量１０００ｓｃｃｍ／ｍ３〜２５００ｓｃｃｍ／ｍ３では、殆どの場合、膜の
移動度は２２ｃｍ２／Ｖｓより高かった。約１ｃｍ２／Ｖｓの移動度を有するアモルファ
スシリコンと比較すると、亜鉛、酸素及び窒素を含有する半導体膜は移動度が大きく改善
されている。このため、約１０：１〜約５０：１の窒素：酸素ガス流量比では、アモルフ
ァスシリコンの移動度の２０倍、ポリシリコンの移動度の２倍を越える移動度を有する半
導体膜が得られる。表は特定の窒素ガス流量及び酸素ガス流量を示しているが、酸素ガス
及び窒素ガスの流量はチャンバのサイズに相対的なものであることから、異なるチャンバ
のサイズに合わせて流量を変えることが可能であると理解すべきである。
表３は、本発明の一実施形態による、窒素ガス流量の関数としてのシート抵抗、キャリ
ア濃度及び抵抗率を示す。約１０：１〜約５０：１の窒素ガス：酸素ガス流量比の場合、
亜鉛、酸素及び窒素を含む半導体層のシート抵抗は、約１００オーム／スクエア〜約１０
０００オーム／スクエアとなる。窒素流量及び酸素流量の両方が上昇すると、電子キャリ
ア濃度が低下する。この結果、抵抗率が上昇する。
Figure 0006230982
アニーリングも、亜鉛、酸素及び窒素を含有する半導体膜の移動度を著しく上昇させる
。表４は、本発明の一実施形態による、アニーリング後の窒素ガス流量の関数としての移
動度を示す。アニーリング後、移動度は９０ｃｍ２／Ｖｓを越える。アニーリングは、窒
素雰囲気中で約４００℃にて約５分間行われる。
Figure 0006230982
ドーパントの量も、亜鉛、窒素及び酸素を含有する半導体膜の移動度に影響を与える。
表５は、１．０重量％のアルミニウム又は１．５重量％のアルミニウムがドープされた亜
鉛スパッタリングターゲットを反応的にスパッタする場合の、様々な窒素流量での移動度
、シート抵抗、キャリア濃度及び抵抗率を示す。
Figure 0006230982
サセプタの温度も、半導体膜の移動度に影響を与える。表６は、３０℃、５０℃及び９
５℃で亜鉛スパッタリングターゲットをスパッタした場合の、様々な窒素流量での移動度
、シート抵抗、キャリア濃度及び抵抗率を示す。表６から見て取れるように、反応性スパ
ッタにより、アモルファスシリコン及びポリシリコンより高い移動度を有する半導体膜が
、室温に近い温度を含む、４００℃よりはるかに低い温度で効果的に形成される。従って
、アニーリングをしなくとも、半導体膜はアモルファスシリコンよりも高い移動度を有す
る。
Figure 0006230982
本明細書中において、電力を特定の値で記載しているが、スパッタリングターゲットに
印加する電力はターゲットの面積に比例すると理解すべきである。従って、一般に、約１
０Ｗ／ｃｍ２〜約１００Ｗ／ｃｍ２の電力値で望ましい結果が得られる。表７は、窒素ガ
ス流量が１５００ｓｃｃｍ／ｍ３及び２５００ｓｃｃｍ／ｍ３の場合の、印加したＤＣ電
力が移動度、キャリア濃度及び抵抗率に与える影響を示す。約１０００Ｗ〜２０００Ｗの
電力レベルでは、アモルファスシリコンよりはるかに高い移動度を有する半導体膜が形成
される。
Figure 0006230982
上述の堆積技法に従って堆積された膜は、亜鉛、窒素及び酸素を有する三元化合物半導
体材料（ＺｎＮｘＯｙ等）を含む。一実施形態においては、三元化合物半導体材料にドー
プを施す（ＺｎＮｘＯｙ：Ａｌ等）。三元半導体化合物は、高い電子移動度及び高い電子
キャリア密度を有する酸化亜鉛とは対照的に、室温で堆積された場合に高い移動度及び低
い電子キャリア密度を有する。一実施形態において、三元化合物は、３０ｃｍ２／Ｖｃｍ
より高い移動度及び１．０ｅ＋１９＃／ｃｃより低い電子キャリア密度を有する。膜を約
４００℃でアニールすると、膜の結晶方位及び組成を変えることなく、膜の移動度が１０
０ｃｍ２／Ｖｓより高く上昇し、電子キャリア密度は１．０ｅ＋１８＃／ｃｃより低くな
る。たとえ膜がアモルファス化合物であったり配向が不十分な結晶化合物であっても、三
元化合物では高い移動度と低い電子密度が得られる。
三元化合物の光学バンドギャップもまた、酸化亜鉛と比較すると改善される。酸化亜鉛
は、典型的には約３．２ｅＶのバンドギャップを有する。その一方で、亜鉛、窒素及び酸
素を有する三元化合物は、約３．１ｅＶ〜約１．２ｅＶのバンドギャップを有する。窒素
対酸素流量比、電力密度、圧力、アニーリング及び堆積温度等の堆積パラメータを変化さ
せることにより、バンドギャップを調節することができる。バンドギャップが低いことか
ら、三元化合物は、光起電装置及びその他の電子デバイスに有用である。極めて高い処理
温度（６００℃等）で、三元化合物の膜をｐ型又はｎ型の半導体材料に転化してもよい。
化合物の構造及び化学組成を根本的に変化させることなく、アニーリング又はプラズマ処
理に微調整を加えてもよい。微調整することにより、化合物の特性を、その化合物を使用
するデバイスの性能要件に合わせることができる。
三元化合物は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子における透明半導体層、光起電装置若
しくはソーラーパネルにおける化合物層又はセンサデバイスにおける化合物層として有用
である。三元化合物は非常に安定している。以下の表８は、酸化ケイ素層及びガラス基板
の上に堆積された、本発明の三元化合物を有する構造体の原子組成を示す。三元化合物は
、アルミニウムをドープした亜鉛スパッタリングターゲットを用いて、酸素、アルゴン及
び窒素の雰囲気中でスパッタ堆積された。表８は、１：１２：３０の酸素：アルゴン：窒
素流量比及び５０℃で堆積された構造体の原子組成の結果を示す。表９は、堆積から１週
間後の同じ膜を示す。表１０は、堆積から２週間後の同じ膜を示す。
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
表８、９及び１０から見て取れるように、三元化合物は、厚さ約８５０オングストロー
ムの膜として堆積された。天然のパッシベーション層が、三元化合物層の上に深さ約２５
オングストロームで形成される。その後、層は約６２原子百分率〜約７１原子百分率の亜
鉛濃度、約１８原子百分率〜約２６原子百分率の酸素濃度、約４．０原子百分率〜約６．
１原子百分率の窒化物濃度及び約２．７原子百分率〜約４．７原子百分率の亜硝酸塩濃度
を２週間にわたって維持した。
膜をアニールしても、膜の組成はアニールしていない膜と実質的に同じままである。表
１１、１２及び１３はそれぞれ、表８、９及び１０のアニールした三元化合物の組成を示
す。
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
アニールしていない膜と同様に、表１１、１２及び１３は、三元化合物層の上に天然の
パッシベーション層が深さ約２５オングストロームで形成されることを示す。三元化合物
層は、約８２５オングストローム〜約８５０オングストロームの厚さを有し、約６２原子
百分率〜約６８原子百分率の亜鉛濃度、約１８原子百分率〜約２５原子百分率の酸素濃度
、約５．０原子百分率〜約６．３原子百分率の窒化物濃度及び３．０原子百分率〜約４．
９原子百分率の亜硝酸塩濃度も２週間にわたって有する。
窒素対酸素の流量比を上げることにより、三元化合物中で生成される窒化物の量も上昇
する。表１４、１５及び１６はそれぞれ、１：１２：５０の酸素：アルゴン：窒素流量比
、５０℃での堆積時及び堆積から１週間後の三元化合物の組成を示す。
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
表１４、１５及び１６から見て取れるように、三元化合物層の上には天然のパッシベー
ション層が深さ約２５オングストロームで形成される。三元化合物層は、約７００オング
ストローム〜約７５０オングストロームの厚さを有し、また約６５原子百分率〜約７０原
子百分率の亜鉛濃度、約１７原子百分率〜約２０原子百分率の酸素濃度、約５．７原子百
分率〜約６．４原子百分率の窒化物濃度及び約３．４原子百分率〜約５．１原子百分率の
亜硝酸塩濃度を１週間後に有する。２週間後、亜鉛濃度は約５５原子百分率〜約６８原子
百分率に変化し、酸素濃度は約１７原子百分率〜約４２原子百分率に変化し、窒化物濃度
は約０．４原子百分率〜約６．４原子百分率に変化し、亜硝酸塩濃度は約０．２原子百分
率〜約４．５原子百分率に変化する。
膜をアニールしても、膜の組成はアニールしていない膜と実質的に同じままである。表
１７、１８及び１９はそれぞれ、表１４、１５及び１６のアニールした三元化合物の組成
を示す。
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
Figure 0006230982
表１７、１８及び１９から見て取れるように、三元化合物層の上には天然のパッシベー
ション層が深さ約２５オングストローム〜約５０オングストロームで形成される。２週間
後、三元化合物層は約７００オングストローム〜約７２５オングストロームの厚さを有し
、また約６５原子百分率〜約７２原子百分率の亜鉛濃度、約１６原子百分率〜約２０原子
百分率の酸素濃度、約５．６原子百分率〜約６．６原子百分率の窒化物濃度及び約３．８
原子百分率〜約５．６原子百分率の亜硝酸塩濃度も有する。
通常、三元化合物層は、構造体における最上位層ではない。むしろ、三元化合物層は、
窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素又はその他の有機パッシベーション層等の別の層に
よってパッシベートされる。上の表は、高い窒素ガス流量で形成された三元化合物層が、
パッシベーション層をその上に堆積しなくても少なくとも２週間も持つことを示す。一実
施形態において、アニールすることなく高い窒素ガス流量で形成した三元化合物層は、パ
ッシベーション層をその上に堆積しなくても３週間も持つ。別の実施形態において、高い
窒素ガス流量と４００℃のアニーリングにより形成された三元化合物層は、パッシベーシ
ョン層をその上に堆積しなくても４週間も持つ。
亜硝酸塩及び窒化物成分の両方が三元化合物内に存在していることから、窒化物及び亜
硝酸塩の両方について、ピークがＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）測定で見られる。亜硝酸塩
ピークは、約３９９〜約４０４ｅＶの結合エネルギー、強度約５５００〜約１２０００で
存在し、窒化物ピークは約３９３〜約３９６ｅＶ、強度約５５００〜約１２０００で存在
する。ＸＰＳで測定した窒化物ピークの亜硝酸塩ピークに対する比は、約３：５〜約５：
３の範囲内におさまる。窒化物（Ｎ２Ｏ）のピークは、膜の酸素及び窒素を膜のものとは
異なる化学的な状態にする、試料のスパッタに負うところのアーチファクトである。
三元化合物は約３．１ｅＶ〜約１．２ｅＶのバンドギャップを有し、これは約４００ｎ
ｍ〜約１０００ｎｍに等しい。このため、三元化合物は光の可視域をカバーするに十分な
低さのバンドギャップを有しており、太陽光線の利用に有用である。バンドギャップエネ
ルギーを、供給する酸素の量に応じて微調整してもよい。より多い量の酸素を供給するこ
とにより、バンドギャップは増大する。酸素流量へのバンドギャップの依存性は、大きな
流量状況において窒素流量とはほぼ無関係である。堆積中、三元化合物膜についてのバン
ドギャップエネルギーを傾斜型にして膜全体のバンドギャップを微調整してもよい。例え
ば、三元化合物層の表面近くのバンドギャップエネルギーを高くし、次に三元化合物層の
厚さ全体のバンドギャップエネルギーを調節するのが望ましい。アルゴン及び窒素の供給
量に対してバランスのとれた酸素量を制御することにより、堆積中、三元化合物のバンド
ギャップエネルギー分布を制御する。
窒素の流量が酸素の流量よりはるかに大きい窒素及び酸素の雰囲気中で亜鉛ターゲット
を反応性スパッタすることにより、アモルファスシリコンより大きい移動度を有する安定
した半導体膜が形成される。本願に記載の半導体膜は、反応性スパッタ以外のその他の方
法で形成してもよいと理解すべきである。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲から逸脱すること
なく本発明のその他及び更に別の実施形態を創作することができ、本発明の範囲は以下の
特許請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (43)

  1. 亜鉛、酸素、及び窒素の三元化合物を含むアモルファス半導体膜。
  2. １００オーム／スクエア〜１ｘ１０７オーム／スクエアのシート抵抗を有する請求項１記載の半導体膜。
  3. ０．００１〜３０Ωｃｍの抵抗率を有する請求項１記載の半導体膜。
  4. ３０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する請求項１記載の半導体膜。
  5. ９０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する請求項４記載の半導体膜。
  6. ８０％にのぼる透過率を有する請求項１記載の半導体膜。
  7. ３．１ｅＶ〜１．２ｅＶの傾斜バンドギャップエネルギーを有する請求項１記載の半導体膜。
  8. 化合物がＺｎＮｘＯｙである請求項１記載の半導体膜。
  9. 化合物はドーパントを含む請求項８記載の半導体膜。
  10. ドーパントはアルミニウムを含む請求項９記載の半導体膜。
  11. １００オーム／スクエア〜１ｘ１０７オーム／スクエアのシート抵抗を有する請求項１０記載の半導体膜。
  12. ０．００１〜３０Ωｃｍの抵抗率を有する請求項８記載の半導体膜。
  13. ３０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する請求項８記載の半導体膜。
  14. ９０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する請求項１３記載の半導体膜。
  15. ８０％にのぼる透過率を有する請求項８記載の半導体膜。
  16. ３．１ｅＶ〜１．２ｅＶの傾斜バンドギャップエネルギーを有する請求項８記載の半導体膜。
  17. スパッタリングチャンバに亜鉛ターゲットを配置し、
    酸素含有ガス及び窒素含有ガスを含むスパッタリングガスをチャンバに流し、
    ターゲットにバイアスを印加し、
    亜鉛、酸素及び窒素を含み、２０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する半導体層を基板上に堆積することを含み、酸素含有ガス及び窒素含有ガスを、１０：１〜１００：１の窒素含有ガス：酸素含有ガスの流量比でチャンバに流すスパッタリング方法。
  18. 流量比が２０：１である請求項１７記載の方法。
  19. 堆積された半導体層をアニールすることを更に含む請求項１７記載の方法。
  20. 亜鉛がアルミニウムでドープされる請求項１９記載の方法。
  21. 酸素含有ガスが酸素である請求項１７記載の方法。
  22. 窒素含有ガスが窒素である請求項２１記載の方法。
  23. 基板が０．０４平方メートルを越える表面積を有する請求項１７記載の方法。
  24. 堆積を２５℃〜５０℃の温度範囲内で行う請求項１７記載の方法。
  25. 亜鉛を含む金属ターゲットを有するスパッタリングチャンバに窒素含有ガス及び酸素含有ガスを流し、
    ターゲットにバイアスを印加し、
    亜鉛、酸素及び窒素を含み、２０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する半導体層を基板上に堆積することを含み、酸素含有ガス及び窒素含有ガスを、１０：１〜１００：１の窒素含有ガス：酸素含有ガスの流量比でチャンバに流すスパッタリング方法。
  26. 流量比が２０：１である請求項２５記載の方法。
  27. 堆積された半導体層をアニールすることを更に含む請求項２５記載の方法。
  28. 亜鉛がアルミニウムでドープされる請求項２７記載の方法。
  29. 酸素含有ガスが酸素である請求項２５記載の方法。
  30. 窒素含有ガスが窒素である請求項２９記載の方法。
  31. 基板が０．０４平方メートルを越える表面積を有する請求項２５記載の方法。
  32. 堆積を２５℃〜５０℃の温度範囲内で行う請求項２５記載の方法。
  33. 半導体層は酸窒化物を含む請求項３２記載の方法。
  34. 半導体層は酸窒化物を含む請求項１７記載の方法。
  35. 亜鉛、酸素、及び窒素の三元化合物を含み、１００オーム／スクエア〜１ｘ１０５オーム／スクエアのシート抵抗を有する半導体膜であって、三元化合物はＺｎＮｘＯｙとドーパントを含む半導体膜。
  36. ０．００１〜３０Ωｃｍの抵抗率を有する請求項３５記載の半導体膜。
  37. ３０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する請求項３５記載の半導体膜。
  38. ９０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する請求項３７記載の半導体膜。
  39. ８０％にのぼる透過率を有する請求項３６記載の半導体膜。
  40. ３．１ｅＶ〜１．２ｅＶの傾斜バンドギャップエネルギーを有する請求項３５記載の半導体膜。
  41. ドーパントはアルミニウムを含む請求項３５記載の半導体膜。
  42. ２０ｃｍ２／Ｖｓを越える移動度を有する請求項３５記載の半導体膜。
  43. パッシベーション部分を含む請求項３５記載の半導体膜。
JP2014225882A 2007-04-27 2014-11-06 窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料 Active JP6230982B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91458207P 2007-04-27 2007-04-27
US60/914,582 2007-04-27
US11/829,037 US7927713B2 (en) 2007-04-27 2007-07-26 Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
US11/829,037 2007-07-26

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010506380A Division JP5955504B2 (ja) 2007-04-27 2008-04-08 窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015057518A JP2015057518A (ja) 2015-03-26
JP6230982B2 true JP6230982B2 (ja) 2017-11-15

Family

ID=39885681

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010506380A Expired - Fee Related JP5955504B2 (ja) 2007-04-27 2008-04-08 窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料
JP2014225882A Active JP6230982B2 (ja) 2007-04-27 2014-11-06 窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010506380A Expired - Fee Related JP5955504B2 (ja) 2007-04-27 2008-04-08 窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料

Country Status (7)

Country Link
US (4) US7927713B2 (ja)
EP (1) EP2148937A4 (ja)
JP (2) JP5955504B2 (ja)
KR (4) KR101559484B1 (ja)
CN (2) CN103147039A (ja)
TW (2) TWI521078B (ja)
WO (1) WO2008134204A1 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007118204A2 (en) * 2006-04-06 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Reactive sputtering zinc oxide transparent conductive oxides onto large area substrates
US7927713B2 (en) * 2007-04-27 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
CN101803028B (zh) * 2007-08-02 2013-03-13 应用材料公司 利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管
US8980066B2 (en) * 2008-03-14 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Thin film metal oxynitride semiconductors
WO2009117438A2 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
TWI385698B (zh) * 2008-06-17 2013-02-11 Univ Nat Defense 場發射發光元件及其發射陰極與氧化鋅陽極之製備方法
US8258511B2 (en) 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
JP5489859B2 (ja) * 2009-05-21 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 導電膜及び導電膜の作製方法
JP2011014884A (ja) * 2009-06-05 2011-01-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JP5889791B2 (ja) * 2009-09-24 2016-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ソース・ドレイン金属エッチングのためのウェットプロセスを用いた金属酸化物又は金属酸窒化物ｔｆｔの製造方法
US8840763B2 (en) * 2009-09-28 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target
WO2011130092A1 (en) * 2010-04-14 2011-10-20 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for sputtering with a plasma lens
WO2012026599A1 (ja) * 2010-08-27 2012-03-01 国立大学法人九州大学 ＺｎＯ膜の製造方法、透明導電膜の製造方法、ＺｎＯ膜、及び透明導電膜
US8669552B2 (en) 2011-03-02 2014-03-11 Applied Materials, Inc. Offset electrode TFT structure
CN102828150A (zh) * 2011-06-13 2012-12-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制造方法
KR101975929B1 (ko) 2012-06-29 2019-05-09 삼성전자주식회사 질산화물 채널층을 구비한 트랜지스터 및 그 제조방법
EP2738815B1 (en) 2012-11-30 2016-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd Semiconductor materials, transistors including the same, and electronic devices including transistors
KR102072806B1 (ko) 2013-04-18 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102100927B1 (ko) 2013-08-05 2020-05-15 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
KR102147849B1 (ko) 2013-08-05 2020-08-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR102205698B1 (ko) * 2013-08-29 2021-01-21 삼성전자주식회사 반도체막의 형성방법 및 반도체막을 포함하는 트랜지스터의 제조방법
KR102194235B1 (ko) 2013-09-05 2020-12-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 구동 방법
CN103474356B (zh) * 2013-09-17 2016-08-17 深圳丹邦投资集团有限公司 一种氮氧锌薄膜的制备方法
CN103500710B (zh) * 2013-10-11 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备
CN103500764B (zh) 2013-10-21 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示器
KR20160108630A (ko) 2015-03-04 2016-09-20 연세대학교 산학협력단 전기 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치
CN104795404B (zh) * 2015-04-16 2017-12-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示装置
CN105525268A (zh) * 2016-01-28 2016-04-27 南京大学 一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法
US10991579B2 (en) * 2018-05-02 2021-04-27 Applied Materials, Inc. Methods of making and using tin oxide film with smooth surface morphologies from sputtering target including tin and dopant
CN109374724B (zh) * 2018-11-05 2020-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件的膜层分析方法

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331737A (en) * 1978-04-01 1982-05-25 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Oxynitride film and its manufacturing method
ZA849070B (en) 1983-12-07 1985-07-31 Energy Conversion Devices Inc Semiconducting multilayered structures and systems and methods for synthesizing the structures and devices incorporating the structures
US4769291A (en) * 1987-02-02 1988-09-06 The Boc Group, Inc. Transparent coatings by reactive sputtering
US4816082A (en) * 1987-08-19 1989-03-28 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film solar cell including a spatially modulated intrinsic layer
FR2638527B1 (fr) * 1988-11-02 1991-02-01 Centre Nat Rech Scient Nitrure et oxynitrures de gallium utiles comme detecteurs selectifs de gaz reducteurs dans l'atmosphere, procede pour leur preparation, et dispositif de detection les contenant
CA2034118A1 (en) * 1990-02-09 1991-08-10 Nang Tri Tran Solid state radiation detector
JPH0677216A (ja) 1990-09-28 1994-03-18 Applied Materials Inc 蒸着薄膜の障壁特性を高めるプラズマアニーリング法
JP2999280B2 (ja) * 1991-02-22 2000-01-17 キヤノン株式会社 光起電力素子
JP2994812B2 (ja) * 1991-09-26 1999-12-27 キヤノン株式会社 太陽電池
US5328813A (en) * 1992-06-30 1994-07-12 The Dow Chemical Company Method for the preparation of optical recording media containing overcoat
US5346601A (en) * 1993-05-11 1994-09-13 Andrew Barada Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution
TW273067B (ja) * 1993-10-04 1996-03-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP3571785B2 (ja) * 1993-12-28 2004-09-29 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
US5620523A (en) * 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
US5668663A (en) * 1994-05-05 1997-09-16 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
US5700699A (en) * 1995-03-16 1997-12-23 Lg Electronics Inc. Method for fabricating a polycrystal silicon thin film transistor
JP3306258B2 (ja) * 1995-03-27 2002-07-24 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3169337B2 (ja) * 1995-05-30 2001-05-21 キヤノン株式会社 光起電力素子及びその製造方法
US5716480A (en) * 1995-07-13 1998-02-10 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device and method of manufacturing the same
US6153013A (en) * 1996-02-16 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Deposited-film-forming apparatus
JPH09228028A (ja) * 1996-02-26 1997-09-02 Nippon Paint Co Ltd 複合薄膜及び薄膜の形成方法
KR100251070B1 (ko) * 1996-08-28 2000-04-15 미다라이 후지오 광기전력 소자
US6159763A (en) * 1996-09-12 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming semiconductor thin film, and method and device for forming photovoltaic element
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
KR19990009046A (ko) 1997-07-07 1999-02-05 윤종용 평판형 광고장치의 발광 툴
US6238527B1 (en) * 1997-10-08 2001-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Thin film forming apparatus and method of forming thin film of compound by using the same
JP4208281B2 (ja) * 1998-02-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
WO1999063600A1 (en) * 1998-06-01 1999-12-09 Kaneka Corporation Silicon-base thin-film photoelectric device
US6488824B1 (en) * 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US7235810B1 (en) * 1998-12-03 2007-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US20020084455A1 (en) 1999-03-30 2002-07-04 Jeffery T. Cheung Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature
JP2001117074A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6228236B1 (en) 1999-10-22 2001-05-08 Applied Materials, Inc. Sputter magnetron having two rotation diameters
US6953947B2 (en) * 1999-12-31 2005-10-11 Lg Chem, Ltd. Organic thin film transistor
JP2001205103A (ja) * 2000-01-27 2001-07-31 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光触媒体
US6620719B1 (en) * 2000-03-31 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming ohmic contacts using a self doping layer for thin-film transistors
KR100679917B1 (ko) * 2000-09-09 2007-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US6787010B2 (en) * 2000-11-30 2004-09-07 North Carolina State University Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby
WO2002073313A1 (en) * 2001-03-13 2002-09-19 University Of Utah Structured organic materials and devices using low-energy particle beams
JP4560245B2 (ja) * 2001-06-29 2010-10-13 キヤノン株式会社 光起電力素子
US20030049464A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-13 Afg Industries, Inc. Double silver low-emissivity and solar control coatings
JP2003104792A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Sharp Corp 半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法および半導体素子
US20030207093A1 (en) * 2001-12-03 2003-11-06 Toshio Tsuji Transparent conductive layer forming method, transparent conductive layer formed by the method, and material comprising the layer
US6825134B2 (en) * 2002-03-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow
WO2003085746A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-16 Kaneka Corporation Method for fabricating tandem thin film photoelectric converter
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) * 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
EP1579025B1 (en) * 2002-12-31 2010-09-29 Cardinal CG Company Coater having substrate cleaning device and coating deposition method employing such coater
JP2004290794A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Toto Ltd 光触媒材料
JP2004363560A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP5068946B2 (ja) * 2003-05-13 2012-11-07 旭硝子株式会社 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
JP4344270B2 (ja) * 2003-05-30 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
CN1208811C (zh) * 2003-06-11 2005-06-29 浙江大学 一种制备p型氧化锌薄膜的方法
US20050017244A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 Randy Hoffman Semiconductor device
US7816863B2 (en) * 2003-09-12 2010-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
JP4823478B2 (ja) * 2003-09-19 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7520790B2 (en) * 2003-09-19 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
TWI224868B (en) 2003-10-07 2004-12-01 Ind Tech Res Inst Method of forming poly-silicon thin film transistor
US7026713B2 (en) * 2003-12-17 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor device having a delafossite material
JP2005210008A (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Bridgestone Corp 太陽電池
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
KR20070116888A (ko) * 2004-03-12 2007-12-11 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터
US7122398B1 (en) * 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
US20050233092A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films
US7125758B2 (en) * 2004-04-20 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Controlling the properties and uniformity of a silicon nitride film by controlling the film forming precursors
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
CN102097458B (zh) * 2004-06-04 2013-10-30 伊利诺伊大学评议会 用于制造并组装可印刷半导体元件的方法和设备
US7158208B2 (en) * 2004-06-30 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060011139A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Applied Materials, Inc. Heated substrate support for chemical vapor deposition
KR100721555B1 (ko) * 2004-08-13 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
US7622338B2 (en) * 2004-08-31 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
CN1293606C (zh) 2004-09-30 2007-01-03 浙江大学 两步法生长N－Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法
US7382421B2 (en) * 2004-10-12 2008-06-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor with a passivation layer
BRPI0517568B8 (pt) * 2004-11-10 2022-03-03 Canon Kk Transistor de efeito de campo
JP2006144053A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Bridgestone Corp ＮドープＺｎＯ膜の成膜方法。
US7309895B2 (en) * 2005-01-25 2007-12-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US20060258604A1 (en) * 2005-05-10 2006-11-16 Warren Strober Compositions and methods for the treatment of inflammatory bowel disease utilizing NF-kappaB decoy polynucleotides
US7691666B2 (en) * 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7628896B2 (en) * 2005-07-05 2009-12-08 Guardian Industries Corp. Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust Fermi level, and method of making same
US20070030569A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Guardian Industries Corp. Broad band antireflection coating and method of making same
JP4968660B2 (ja) * 2005-08-24 2012-07-04 スタンレー電気株式会社 ＺｎＯ系化合物半導体結晶の製造方法、及び、ＺｎＯ系化合物半導体基板
US20070068571A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Terra Solar Global Shunt Passivation Method for Amorphous Silicon Thin Film Photovoltaic Modules
EP1998375A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
CA2626073A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-10 Cardinal Cg Company Reactive sputter deposition processes and equipment
MX2009000774A (es) * 2006-07-21 2009-02-17 Pioneer Hi Bred Int Gen novedoso de bacillus thuringiensis con actividad lepidoptera.
WO2008133345A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
US7927713B2 (en) 2007-04-27 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
JP5215589B2 (ja) * 2007-05-11 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置
US20080308411A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-18 Energy Photovoltaics, Inc. Method and process for deposition of textured zinc oxide thin films
US8372250B2 (en) * 2007-07-23 2013-02-12 National Science And Technology Development Agency Gas-timing method for depositing oxynitride films by reactive R.F. magnetron sputtering
US8980066B2 (en) * 2008-03-14 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Thin film metal oxynitride semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100017429A (ko) 2010-02-16
US7927713B2 (en) 2011-04-19
JP5955504B2 (ja) 2016-07-20
CN101688286A (zh) 2010-03-31
US20110175084A1 (en) 2011-07-21
TW200842199A (en) 2008-11-01
US10629581B2 (en) 2020-04-21
TWI438294B (zh) 2014-05-21
KR101114052B1 (ko) 2012-02-22
US20080264777A1 (en) 2008-10-30
EP2148937A4 (en) 2013-10-09
CN101688286B (zh) 2013-02-27
TW201428123A (zh) 2014-07-16
US8398826B2 (en) 2013-03-19
JP2015057518A (ja) 2015-03-26
US8614007B2 (en) 2013-12-24
KR20130101168A (ko) 2013-09-12
EP2148937A1 (en) 2010-02-03
US20130146871A1 (en) 2013-06-13
CN103147039A (zh) 2013-06-12
KR20150119480A (ko) 2015-10-23
TWI521078B (zh) 2016-02-11
KR20110120980A (ko) 2011-11-04
KR101559484B1 (ko) 2015-10-13
US20140124712A1 (en) 2014-05-08
JP2010525176A (ja) 2010-07-22
KR101376970B1 (ko) 2014-03-25
WO2008134204A1 (en) 2008-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6230982B2 (ja) 窒素ガスを用いた亜鉛ターゲットの反応性スパッタにより形成される薄膜半導体材料
TWI435943B (zh) 薄膜金屬氮氧化半導體
TWI434420B (zh) 使用薄膜半導體材料的薄膜式電晶體
Barquinha et al. Toward high-performance amorphous GIZO TFTs
JP5744726B2 (ja) 多重アクティブチャネル層を用いた薄膜トランジスタ
Kim et al. The properties of plasma-enhanced atomic layer deposition (ALD) ZnO thin films and comparison with thermal ALD
Gomez et al. Gallium-doped ZnO thin films deposited by chemical spray
Takenaka et al. Effects of Working Pressure on the Physical Properties of a-InGaZnO x Films Formed Using Inductively Coupled Plasma-Enhanced Reactive Sputtering Deposition

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161115

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6230982

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250