JP2001205103A - 光触媒体 - Google Patents

光触媒体

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JP2001205103A
JP2001205103A JP2000018551A JP2000018551A JP2001205103A JP 2001205103 A JP2001205103 A JP 2001205103A JP 2000018551 A JP2000018551 A JP 2000018551A JP 2000018551 A JP2000018551 A JP 2000018551A JP 2001205103 A JP2001205103 A JP 2001205103A
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oxide crystal
film
nitrogen atom
photocatalyst
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Kenji Morikawa
健志 森川
Takahiro Shiga
孝広 志賀
Ryoji Asahi
良司 旭
Takeshi Owaki
健史 大脇
Yasunori Taga
康訓 多賀
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Toyota Central R&D Labs Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 可視光を動作光としてより効率的な光触媒を
得る。 【解決手段】 SiO2基板10上に、スパッタリング
により、Ti−O−N膜12を形成する。例えば、Ti
2をターゲットとして、雰囲気に窒素ガスを導入す
る。また、スパッタ後熱処理によって結晶化を行う。次
に、このTi−O−N膜12の表面にPtなどの電荷分
離物質14を堆積する。このようにして得たTiO2
晶を基本として、窒素を含有するTi−O−N膜は、可
視光を動作光として良好な光触媒作用を発現する。特
に、電荷分離物質が電子または正孔を捕獲するため、電
子と正孔が再結合するのを効果的に防止して、より効率
的な光触媒反応を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、可視光動作が可能
な光触媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、光触媒作用を発現する材料と
して、TiO2(二酸化チタン),CdS(硫化カドミ
ニウム),WO3(三酸化タングステン),ZnO(酸
化亜鉛)等、数多くのものが知られている。これらの光
触媒材料は半導体であり、光を吸収して電子と正孔を生
成し、種々の化学反応や殺菌作用を呈する。ここで、現
在まで、光触媒として実用化されているものは、TiO
2のみである。これは、TiO2が、毒性、水や酸・アル
カリに対する安定性の観点から優れているからである。
【0003】ところが、このTiO2光触媒の動作光
は、TiO2のバンドギャップ(アナターゼ型結晶にお
いてEg=3.2eV)の値から、波長λ<380nm
の紫外線に限られている。太陽光下における十分な動
作、屋内や車内での使用、また微弱な光を照射した場合
の触媒活性の向上といった観点から、波長380nm以
上の可視光照射によっても触媒活性を発現する材料の開
発が強く望まれている。
【0004】例えば、特開平9−262482号公報で
は、触媒活性の高いアナターゼ型TiO2にCr(クロ
ム),V(バナジウム)等の金属元素をイオン注入して
材料改質を行うことにより、TiO2の光吸収端を長波
長側にシフトさせ、可視光でのTiO2触媒の動作を可
能にしている。なお、Cr,V等のドーピングについて
は、1970年代前半から数多くの報告があるが、これ
らの報告では可視光での動作が可能になったとはしてい
ない。特開平9−262482号公報は、Cr,V等の
ドーピングの手法をイオン注入という特別なものにする
ことで、可視光における動作を可能としたものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
例では、TiO2に金属元素をイオン注入するという手
法で、TiO2光触媒の可視光における動作を可能とし
ている。しかし、金属元素のイオン注入は、装置が大規
模になり高価であるという問題点がある。そこで、その
他の方法、すなわち溶液中合成したり、またはスパッタ
リングのような手法でTiO2光触媒を合成したいとい
う要求がある。ところが、このような方法で作製した場
合には、可視光での動作が可能とならない。これは、結
晶化過程においてドーパントであるCrが凝集してしま
ったり、あるいはCr23等の酸化物を形成してしまう
ためと考えられている。このように、従来例において
は、金属元素を用いTiO2を可視光における動作を可
能とするためには、金属元素のイオン注入という手段を
採用しなければならないという問題があった。
【0006】本発明は、新規な材料を用いることによ
り、コストのかかるイオン注入等の手法を用いずにTi
2光触媒の紫外光のみならず可視光における動作を実
現することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光触媒体
は、内部物質として酸化チタン(例えばTiO2)結晶
の酸素サイトの一部を窒素原子(N)またはイオウ原子
(S)で置換、酸化チタン結晶の格子間に窒素原子また
はイオウ原子をドーピング、あるいは酸化チタン結晶の
多結晶集合体の粒界に窒素原子またはイオウ原子を配し
てなるチタン化合物(Ti−O−N,あるいはTi−O
−S)を有しており、その表面に電荷分離物質が担持さ
れている。
【0008】酸化チタン結晶に窒素を含有させたチタン
化合物であるTi−O−NまたはTi−O−Sは、紫外
光のみならず可視光領域においても光触媒作用を発現す
る。従って、可視光を動作光として、TiO2と同様の
光触媒作用を得ることができる。
【0009】そして、Ti−O−NまたはTi−O−S
の表面に電荷分離物質が担持されている。この電荷分離
物質としては、Pt,Pd,Ni,RuOx(例えばR
uO2),NiOx(例えばNiO),SnOx(例えば
SnO2),Alxy(例えばAl23)、ZnOx(例
えばZnO)のうちの少なくとも1つが採用される。こ
のような電荷分離物質は、光照射によって生じた電荷の
分離を助ける働きを有し、助触媒として作用する。すな
わち、Pt,Pd,Niなどの金属元素は電子を選択的
に捕捉し、RuOx(例えばRuO2),NiOx(例え
ばNiO),SnOx(例えばSnO2),Alxy(例
えばAl23)、ZnOx(例えばZnO)などの酸化
物は正孔を選択的に捕捉する。従って、これら物質を光
触媒物質の表面に担持することにより、光触媒反応によ
り発生した電子と正孔が再結合する確率が低くなるた
め、電子と正孔の再結合による活性の低下を防ぐことが
できる。
【0010】また、Ti−O−Nにおける窒素Nの原子
数比X%が0<X<13であることが好適である。ま
た、Ti−O−Sにおけるイオウについても同様であ
る。また、助触媒である表面の金属元素あるいは酸化物
は、最表面に均一に存在すると仮定して換算した値で、
0.1〜10オングストローム(Å)程度の量が好適で
ある。実際には、これら表面の助触媒は島状構造とな
り、Ti−O−NあるいはTi−O−Sの表面全体に存
在しない場合もある。
【0011】さらに、Ti−O−NまたはTi−O−S
を内部物質とし、この内部物質の表面側に酸化チタン層
を形成し、かつこの酸化チタン層の表面に電荷分離物質
が担持されていることが好適である。
【0012】このように構成することで、内部のTi−
O−NまたはTi−O−Sにおいて紫外から可視の範囲
の光を吸収し、表面の酸化チタンとそれに担持した電荷
分離物質により触媒反応を行うことができる。酸化チタ
ンは、安価で安定であり、Pt,Pd,Ni,,RuO
x(例えばRuO2),NiOx(例えばNiO),Sn
x(例えばSnO2),Alxy(例えばAl23)、
ZnOx(例えばZnO)により、電子と正孔の再結合
を防止しつつ、効果的な触媒反応を発現できる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態(以下
実施形態という)について、図面に基づいて説明する。
【0014】「実施形態1」図1は、実施形態1の構成
を示す図であり、基板10上に、光触媒物質であるTi
−O−N膜12が形成されており、かつTi−O−N膜
12の表面にPtおよびRuO2が担持されている。な
お、基板10は、ガラス、セラミックなど用途に合わせ
て各種のものが採用可能である。
【0015】Ti−O−N膜12は、TiO2結晶の格
子間に窒素原子がドーピングされた構造を有している。
ここで、この窒素原子のドーピングは、TiO2結晶の
酸素サイトの一部を窒素原子で置換、TiO2結晶の格
子間に窒素原子をドーピング、あるいはTiO2結晶の
多結晶集合体の粒界に窒素原子を配する構造のいずれで
もよく、これらが混在していてもよい。
【0016】また、Ti−O−N膜12における各元素
の組成比は、例えばTi31672である。従って、T
i−O−N膜12は、基本的にTiO2の結晶であり、
TiO2膜中にNがドープされた構成となっている。ま
た、TiO2結晶の結晶相は、ルチルでもアナターゼで
もよいが、例えばアナターゼ+ルチルである。
【0017】図2に、TiO2結晶の(a)ルチル、
(b)アナターゼの結晶単位格子を示す。図において、
小さな○がTi、大きな○がOを示している。このOの
一部がNに置換されたり、結晶格子間あるいはTiO2
結晶粒界にNが入り込み、Ti−O−Nが構成される。
【0018】本発明者らは実験と平行して、第一原理計
算法の一つであるfull-potential linearized-augmente
d-plane-wave(FLAPW)法によってアニオンXをド
ープしたTi−O−X系半導体光触媒の電子状態ならび
に光学特性を評価した。これにより、可視光照射によっ
ても動作が可能なドーピング種XとしてN(窒素)、S
(イオウ)が有効であることがわかった。この結果か
ら、酸素(O)を他のアニオンXで置換した場合のみな
らず、その他にも、格子を歪ませる形でアニオンXが結
晶格子中に存在する場合や、結晶粒界にアニオンXが存
在する場合、あるいはこれらの組み合わせの場合におい
ても、酸化チタンを基体とする光触媒体中にTi−X結
合が存在すれば、本発明のドーピングによる効果が得ら
れることがわかった。また、アモルファス酸化チタンへ
のアニオンドーピングにおいても同様な効果が得られ
る。
【0019】また、Nが上記に示す状態でドーピングさ
れていれば、Tiと(O+N)の原子数比は、1:2で
なくてもよく、組成比は前記のようにTi31672
酸素過剰の場合や、Ti37612のような還元気味の
組成比であってもよい。これはSドーピングにおいても
同様である。
【0020】このような光触媒物質の製造は、例えばR
Fマグネトロンスパッタリングによって行う。そこで、
この製造方法の一例について、説明する。
【0021】まず、基板10およびTiO2ターゲット
をRFマグネトロンスパッタリング装置の真空チャンバ
内にセットする。そして、真空チャンバ内にN2ガスお
よび不活性ガス(例えばArガス)を所定量導入し、
(N2+Ar)プラズマ中でスパッタリングする。これ
によって基板10上にTi−O−N膜12を堆積する。
【0022】スパッタリング中の全ガス圧は0.52P
a程度、N2分圧は0%<N2分圧≦100%の範囲で設
定すればよいが、20〜60%程度が好適であり、例え
ば40%である。TiO2の投入電力は、例えば2つの
ターゲットを用いて600W×2とする。
【0023】さらに、スパッタリングによるTi−O−
N膜12の成膜後に熱処理(アニール)を行い、結晶化
する。例えば、窒素雰囲気中で550℃、2時間程度熱
処理することで、結晶化させることができる。すなわ
ち、単に成膜しただけでは、アモルファス+多結晶構造
であるが、熱処理を行うことで多結晶化、単結晶化を図
ることができる。なお、基板10を加熱しながら、Ti
−O−N膜12を形成することで、成膜後の熱処理を省
略することもできる。
【0024】そして、この熱処理の後に、電荷分離物質
としてのPtをスパッタリングによって、堆積させる。
ここで、Ptターゲットは予め真空チャンバ内にセット
しておいてもよいし、後からセットしてもよい。このP
tのスパッタリングによる堆積量は、表面に均一に堆積
させた場合に得られる膜厚として、1Åおよび5Åとす
る。これによって、Ti−O−N膜12の表面にPtが
島状に形成される。なお、電荷分離物質は、Ptに限ら
ずPd,Ni,RuOx(例えばRuO2),NiO
x(例えばNiO),SnOx(例えばSnO2),Alx
y(例えばAl2 3)、ZnOx(例えばZnO)のい
ずれかまたその組み合わせでもよい。
【0025】実際に、上述のような製造法により、基板
10上にTi−O−N膜12を作成し、その上にPtを
担持させ、実施例の光触媒体を作成した。ここで、Pt
の量として、膜厚に換算して1Å、5Åの2種類を作成
した。
【0026】また、比較例として、TiO2膜、Ti−
O−N膜、TiO2膜にPtを換算値にして1Å、5Å
担持させたものを作成した。なお、TiO2膜にPtを
担持させたものは、次のようにして作成した。まず、T
iO2ターゲットを20%O2−Ar雰囲気中でスパッタ
した後、450℃、O2雰囲気中で90分間アニールし
て結晶化した。そして、その表面に換算膜厚1Åおよび
5ÅでPtをスパッタリングによって堆積させた。
【0027】このようにして形成したTiO2、1ÅP
t/TiO2、5ÅPt/TiO2、Ti−O−N、1Å
Pt/Ti−O−N、5ÅPt/Ti−O−Nの6つの
試料について、メチレンブルーの分解性能により光触媒
活性を測定した結果を図3に示す。具体的には、各膜の
表面にメチレンブルーを塗布しておき、光照射に伴う分
解性能を波長600nmの光の吸光度(ΔABS)の変
化として計測した。照射光源に500WのXeランプを
用い波長λ≧200nmの紫外線を含む光を照射した場
合と、光学フィルタにより照射波長域を制限することに
より波長λ≧380nmの可視光を照射した場合につい
て試験した。
【0028】この結果より、Ti−O−Nは、可視光照
射によっても光触媒反応を生じるため、TiO2に比
べ、その能力が大幅に上昇できる。そして、このTi−
O−NにPtを担持させることで、光触媒としての能力
をさらに2倍程度引き上げることができることがわか
る。なお、Ptの量は1Åでも、5Åでも大差のない結
果であった。
【0029】ここで、Ti−O−Nについて、若干説明
する。別の実験により、TiO2結晶に対する窒素のド
ーピング量の光触媒機能についての影響を調べた。この
場合、Ti−O−N膜の窒素原子数比%は、N2分圧2
0%による成膜では熱処理前6.6%、熱処理後1.4
%、窒素分圧100%の成膜では熱処理前12.7%、
熱処理後0.5%であった。また、N2分圧40%、6
0%における成膜では、熱処理後のTi−O−N膜中の
窒素原子数比%がそれぞれ1.4%、1.5%であっ
た。そして、これらのTi−O−N膜のすべてにおい
て、光触媒機能が発現した。従って、Ti−O−N膜の
窒素含有量は、その原子数比%をX%とした場合、0<
X<13とすることが好適である。なお、Ti−O−N
膜の光触媒機能としては、熱処理後のものが優れてお
り、熱処理後の窒素濃度としては、数%以下、特に2%
以下が好ましい。
【0030】また、上述のTi−O−N膜12の作成で
は、TiO2ターゲットを用い、N2を含むArガスのプ
ラズマ中でTi−O−N膜12を成膜したが、TiN
(窒化チタン)ターゲットをO2を含むガスのプラズマ
中で成膜してもよい。さらに、ターゲットにTiO2
TiNを用いることもできる。さらに、Tiインゴット
を(N2+O2)ガス中における真空蒸着やイオンプレー
ティングによって、Ti−O−N膜12を成膜すること
もできる。
【0031】また、上述の説明では、光触媒物質として
のTi−O−Nを薄膜形状としたが、微粒子Ti−O−
Nの表面に電荷分離物質を担持させたものをベースにそ
れを塗布用のバインダ材料に混合させたもの等にも適用
される。
【0032】さらに、Ti−O−Nは、上述の製造法を
ベースとし、各種微粒子作製法、ゾル・ゲル法、化学反
応法などにより作製することが可能である。
【0033】特に、本実施形態のTi−O−N膜は、N
がTiとの化学結合を有している。すなわち、図4に示
すMg−Kα線源を用いたXPS(X-ray Photoemissio
n Spectroscopy)による窒素Nの1s殻由来のスペクト
ルの測定結果から窒素原子の化学的な結合状態を判断し
たところ、本実施形態のTi−O−N中の窒素原子は、
396〜397eV付近に、Ti−N結合に由来するピ
ークを示す。
【0034】上記のように、本発明のTi−O−N光触
媒のX線回折とXPSの二つの測定結果から、アナター
ゼ+ルチル結晶構造を有するTi−O−N中にTiとN
原子の間の化学的結合が存在することが明らかである。
【0035】一般に光触媒用の酸化チタンとして市販さ
れている粉末や膜中にも、製造過程で窒素原子が混入す
る場合があるが、図中に示すようにこれらの窒素原子の
ピークは400eV付近に現れる。すなわち、従来の酸
化チタンに混入する窒素原子は有機化合物やニトロ基を
形成しているため、Ti−N結合は観察されない。この
ように、製造過程に混入したり後処理で表面修飾される
酸化チタンに存在する窒素は、化学的な性質が異なるた
めに、酸化チタンの電子構造に影響を与えることができ
ない。
【0036】そして、本実施形態においては、電荷分離
物質をTi−O−N膜12の表面にPtなどの電荷分離
物質を担持させている。
【0037】このように、光触媒物質の表面に担持させ
ることで、光触媒反応により生じた電子と正孔が再結合
するのが防止され、より効率的な光触媒反応を生起する
ことができる。
【0038】また、担持させる電荷分離物質としては、
金属元素として、Ni,Cu,Ru,Rh,Pd,A
g,Pt,Ir,Au,Re,Os,Nbを利用するこ
とができ、また酸化物として、RuOx(例えばRu
2),NiOx(例えばNiO),SnOx(例えばS
nO2),Alxy(例えばAl23)、ZnOx(例え
ばZnO)を利用することができる。
【0039】「実施形態2」図5(a)、(b)に、実
施形態2の構成を示す。図5(a)において、基板10
上にTi−O−N膜12を形成し、その上にTiO2
16を形成し、かつこのTiO2膜の表面に電荷分離物
質14が担持されている。この電荷分離物質14として
は、金属元素として、Ni,Cu,Ru,Rh,Pd,
Ag,Pt,Ir,Au,Re,Os,Nbを利用する
ことができ、また酸化物として、RuOx(例えばRu
2),NiOx(例えばNiO),SnOx(例えばS
nO2),Alxy(例えばAl23)、ZnOx(例え
ばZnO)を利用することができる。
【0040】なお、図5(a)おいては、二層の積層構
造としているが、熱処理などの過程で両者の境界は明確
ではなくなり、表面に向けてNが徐々に減少していく構
成となる。すなわち、表面に近いほどN原子量が少な
く、かつ最表面ではTiO2が露出した傾斜組成のTi
2/Ti−O−N膜が形成される。なお、Ti−O−
N膜と、TiO2膜の界面をシャープなものに維持して
もよい。
【0041】また、傾斜組成は、Ti−O−N膜および
TiO2膜の積層形成後の熱処理に限らず、雰囲気のガ
ス組成を膜の堆積状態に応じて変更してもよい。すなわ
ち、雰囲気のN2分圧を徐々に減少することで、表面側
をTiO2にすることができる。
【0042】このような構成により、基板10に近いT
i−O−N領域(Ti−O−N膜12)で可視光を吸収
し、電子と正孔が生成される。これらは膜表面のTiO
2(TiO2膜16)に供給される。そこで、表面におい
ては、TiO2膜16として光触媒作用を発現する。
【0043】そして、上述のような電荷分離物質である
金属元素は、電子を捕獲し、また酸化物は正孔を捕獲す
る。従って、光触媒反応によって生じた電子、正孔が再
結合するのが防止され、より効率的に光触媒反応が生起
される。
【0044】なお、傾斜組成のTiO2/Ti−O−N
光触媒は、図5(b)に示すように、内部にTi−O−
N部分22、外側にTiO2部分24を有する粒子状と
し、その表面に電荷分離物質14を点在させることも好
適である。
【0045】また、上述の説明では、光触媒物質として
のTi−O−NおよびTiO2を薄膜形状としたが、微
粒子TiO2/Ti−O−Nの表面に電荷分離物質を担
持させたものをベースにそれを塗布用のバインダ材料に
混合させたもの等にも適用される。
【0046】さらに、上述の製造法をベースとし、各種
微粒子作製法、ゾル・ゲル法、化学反応法などにより作
製することが可能である。
【0047】「実施形態3」本実施形態3は、図6に示
すように、上述のTi−O−N膜12に代えTi−O−
S膜18を採用したTi−O−S膜であり、NをSに置
き換えれば、基本的な構成は、実施形態1と同様であ
る。
【0048】この場合の製造法は、まず、ターゲットと
して、Ti、TiO2あるいはTiS(硫化チタン)を
用い、SO2+O2+不活性ガス(例えばAr)中でスパ
ッタリングして、Ti−O−S膜を形成する。その後、
熱処理(例えば550℃、2時間)して作製する。な
お、その他の製造方法で、電荷分離物質を担持するTi
−O−S膜を形成してもよい。また、粒子状にすること
もできる。また、SO2ガスの代わりに、CS2やH2
を用いてもよい。
【0049】そして、このTi−O−S膜18の表面に
電荷分離物質14としては、Ni,Cu,Ru,Rh,
Pd,Ag,Pt,Ir,Au,Re,Os,Nb等の
金属元素、または,RuOx(例えばRuO2),NiO
x(例えばNiO),SnOx(例えばSnO2),Alx
y(例えばAl23)、ZnOx(例えばZnO)の酸
化物を担持させる。
【0050】Ti−O−Sは、Ti−O−Nと同様に、
可視光を吸収し、電子と正孔を発生する半導体であり、
可視光を動作光として光触媒機能を発現する。電荷分離
物質によりこの光触媒機能が強化される。そこで、Ti
−O−S膜表面に電荷分離物質を担持した本実施形態の
光触媒は、実施形態1と同様に、可視光を動作光として
同様の光触媒機能を発現する。
【0051】なお、第2実施形態のTi−O−N膜12
に代えTi−O−S膜18を採用した構成も好適であ
る。この場合は、実施形態2と同様にして、Ti−O−
S膜18の上にTiO2膜の作成すればよい。この構成
においても実施例2と同様に可視光を動作光として効果
的な光触媒機能を発揮することができる。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、Ti−O−NやT
i−O−Sは、スパッタリングの際の雰囲気に窒素ガス
や亜硫酸ガスを導入することなどの方法で、容易かつ安
価に作製することができ、これによって、紫外光のみな
らず可視光をも動作光とした光触媒機能を発現すること
ができる。そして、これら光触媒物質の表面に電荷分離
物質を配することで、生成した電子と正孔の再結合を防
止してより効果的に光触媒機能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態1の構成を示す図である。
【図2】 TiO2結晶格子を示す図である。
【図3】 実施形態1の光触媒機能を示す図である。
【図4】 Ti−O−N膜のXPSスペクトルを示す図
である。
【図5】 実施形態2の構成を示す図である。
【図6】 実施形態3の構成を示す図である。
【符号の説明】
10 SiO2基板、12 Ti−O−N膜、14 電
荷分離物質、16 TiO2膜、18 Ti−O−S
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 旭 良司 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 大脇 健史 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 多賀 康訓 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1 株式会社豊田中央研究所内 Fターム(参考) 4G069 AA03 AA08 BA04A BA04B BA13B BA14B BA48A BB02A BB02B BB04A BB04B BB06A BB06B BC16A BC16B BC22A BC22B BC31A BC31B BC32B BC33B BC35A BC35B BC50A BC50B BC54A BC55B BC58A BC64A BC64B BC66A BC67A BC68A BC68B BC70A BC70B BC71A BC71B BC72A BC72B BC73A BC73B BC74A BC74B BC75A BC75B BD06A BD06B BD08A BD08B CA01 CA11 EA07 EB15Y EC22Y EC28 EC29 EE06 FA01 FB02 4K029 AA04 BA48 BA60 BB08 CA05 DC05 DC35

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸化チタン結晶の酸素サイトの一部を窒
    素原子またはイオウ原子で置換、酸化チタン結晶の格子
    間に窒素原子またはイオウ原子をドーピング、あるいは
    酸化チタン結晶の多結晶集合体の粒界に窒素原子または
    イオウ原子を配してなるチタン化合物であり、その表面
    に電荷分離物質が担持されている光触媒体。
  2. 【請求項2】 酸化チタン結晶の酸素サイトの一部を窒
    素原子またはイオウ原子で置換、酸化チタン結晶の格子
    間に窒素原子またはイオウ原子をドーピング、あるいは
    酸化チタン結晶の多結晶集合体の粒界に窒素原子または
    イオウ原子を配し、かつバナジウム、クロム、マンガ
    ン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、
    ロジウム、レニウム、オスミウム、パラジウム、白金、
    イリジウムのうち少なくとも一種で酸化チタン結晶の金
    属サイトの一部を置換、酸化チタン結晶の格子間にドー
    ピング、あるいは酸化チタン結晶の多結晶集合体の粒界
    に配してなるチタン化合物であり、かつその表面に電荷
    分離物質が担持されている光触媒体。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の光触媒体にお
    いて、 前記電荷分離物質がPt,Pd,Niの金属元素のうち
    の少なくとも1つである光触媒体。
  4. 【請求項4】 請求項1または2に記載の光触媒体にお
    いて、 前記電荷分離物質がRuOx,NiOx,SnOx,Alx
    y,ZnOxの酸化物のうちの少なくとも1つである光
    触媒体。
  5. 【請求項5】 酸化チタン結晶の酸素サイトの一部を窒
    素原子で置換、酸化チタン結晶の格子間に窒素原子をド
    ーピング、あるいは酸化チタン結晶の多結晶集合体の粒
    界に窒素原子を配してなるチタン化合物であり、その表
    面にPt,Pd,Ni,RuOx,NiOx,SnOx
    Alxy,ZnOxのうちの少なくとも1つが担持され
    ている光触媒体。
  6. 【請求項6】 酸化チタン結晶の酸素サイトの一部を窒
    素原子またはイオウ原子で置換、酸化チタン結晶の格子
    間に窒素原子またはイオウ原子をドーピング、あるいは
    酸化チタン結晶の多結晶集合体の粒界に窒素原子または
    イオウ原子を配してなるチタン化合物を内部物質とし、
    この内部物質の表面側に酸化チタン層を形成し、かつこ
    の酸化チタン層の表面に電荷分離物質が担持されている
    光触媒体。
  7. 【請求項7】 酸化チタン結晶の酸素サイトの一部を窒
    素原子またはイオウ原子で置換、酸化チタン結晶の格子
    間に窒素原子またはイオウ原子をドーピング、あるいは
    酸化チタン結晶の多結晶集合体の粒界に窒素原子または
    イオウ原子を配し、かつバナジウム、クロム、マンガ
    ン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、
    ロジウム、レニウム、オスミウム、パラジウム、白金、
    イリジウムのうち少なくとも一種で酸化チタン結晶の金
    属サイトの一部を置換、酸化チタン結晶の格子間にドー
    ピング、あるいは酸化チタン結晶の多結晶集合体の粒界
    に配してなるチタン化合物を内部物質とし、この内部物
    質の表面側に酸化チタン層を形成し、かつこの酸化チタ
    ン層の表面に電荷分離物質が担持されている光触媒体。
  8. 【請求項8】 請求項6または7に記載の光触媒体にお
    いて、 酸化チタン層と内部物質の組成比が、表面から内側に向
    けてその距離に応じて徐々に変化する光触媒体。
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