JP6157708B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本明細書に開示される発明は、発光装置及びその作製方法、並びに、携帯電話機に関す
る。

従来、発光素子を有する発光装置を作製する際には、ガラス基板などの基板上に半導体
プロセスを用いて発光素子を駆動するための半導体回路を形成し、当該半導体回路上に絶
縁膜（平坦化膜）を形成し、その上に発光素子を形成していた。つまり、基板上に下から
順番に積み上げるようにして発光素子を駆動するための半導体回路と発光素子とを形成し
ていた。

従来の作製工程によって作製した発光装置は、発光素子を駆動するための半導体回路上
に発光素子を形成しているため、発光素子よりも下層に形成される素子や配線などに起因
する段差などが存在していた（特許文献１参照）。

特開２００３−２５８２１１号公報

上述のように、発光素子よりも下層に形成される素子や配線などに起因する段差などに
よってカバレッジ不良などが発生する恐れがあることが課題の１つである。

また、発光素子を駆動するための半導体回路を形成し、さらにその上に発光素子を作製
すると、作製時間が長くなるという問題や作製コストが高くなるということも課題の１つ
である。

また、発光素子中の発光層は水分に弱いので、発光層に水分が混入しないようにしなく
てはならないことも課題の１つである。

また、例えばガラス基板のような硬い基板上に発光素子やそれを駆動する半導体回路を
作製すると、柔軟性が無く形状を変えることができないので、様々な形状の電子機器に組
み込むことができないことも課題の１つである。

また、柔軟性のあるフレキシブル基板上に、発光素子やそれを駆動する半導体回路を作
製した場合、基板の形状を自由に変えられるが、応力がかかると発光素子及びそれを駆動
する半導体回路が壊れる恐れがあることも課題の１つである。

以上の問題を鑑み、本明細書に開示される発明においては、発光素子を駆動する半導体
回路と発光素子をフレキシブル基板に配置し、貼り合わせ、発光素子とそれを駆動する半
導体回路を電気的に接続する。発光素子とそれを駆動する半導体回路は別の基板上に形成
し、それぞれ基板から分離して、さらにそれぞれフレキシブル基板に配置して貼り合わせ
てもよい。

発光素子とそれを駆動する半導体回路を別々の基板上に配置するので、発光素子よりも
下層に半導体回路が形成されない。

また、発光素子の一部に凸部を形成し、発光素子とそれを駆動する半導体回路を貼り合
わせたときに、それらの間に空隙部ができるように配置する。その空隙部に乾燥剤を配置
することができる。

また、発光素子やそれを駆動する半導体回路をフレキシブル基板上に配置することがで
きるので、それぞれを貼り合わせても形状を変えることができる。

さらに、発光素子やそれを駆動する半導体回路をフレキシブル基板上に配置しても、発
光素子とそれを駆動する半導体回路との間に、応力を緩和する空間（空隙部）ができるよ
うに配置する。

本明細書に開示される発明は、第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光
層上に配置されかつ凸部を有する第２の電極とを有する第１のフレキシブル基板と、半導
体回路と、前記半導体回路に電気的に接続される第３の電極とを有する第２のフレキシブ
ル基板とを有し、前記第２の電極の凸部と前記第３の電極は、電気的に接続されているこ
とを特徴とする発光装置に関する。

前記第１のフレキシブル基板と前記第２のフレキシブル基板とが対向配置されることに
よって生じた空隙部に乾燥剤が装入されていることを特徴とする発光装置に関する。

また本明細書に開示される発明は、第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記
発光層上に配置されかつ凸部を有する第２の電極とを有する第１のフレキシブル基板と、
半導体回路と、前記半導体回路に電気的に接続される第３の電極とを有する第２のフレキ
シブル基板とを有し、前記第２の電極の凸部と前記第３の電極は、導電性粒子を含む異方
性導電膜により電気的に接続されていることを特徴とする発光装置に関する。

前記半導体回路を覆って、繊維体と有機樹脂を有する構造体と、前記構造体を貫通する
導電性樹脂である前記第３の電極とを有することを特徴とする発光装置に関する。

第１の基板上に、第１の分離層、第１の絶縁膜、第１の電極、発光層、凸部を有する第
２の電極を形成し、前記第１の分離層を用いて、前記第１の基板と、前記第１の絶縁膜、
前記第１の電極、前記発光層、前記第２の電極を分離し、第１のフレキシブル基板上に、
第１の接着層を形成し、前記第１の接着層により、前記第１のフレキシブル基板上に、前
記第１の絶縁膜、前記第１の電極、前記発光層、前記第２の電極を貼り合わせ、第２の基
板上に、第２の分離層、第２の絶縁膜、半導体回路、前記半導体回路に電気的に接続され
る第３の電極を形成し、前記第２の分離層を用いて、前記第２の基板と、前記第２の絶縁
膜、前記半導体回路、前記第３の電極を分離し、第２のフレキシブル基板上に、第２の接
着層を形成し、前記第２の接着層により、前記第２のフレキシブル基板上に、前記第２の
絶縁膜、前記半導体回路、前記第３の電極を貼り合わせ、前記第２の電極の凸部と前記第
３の電極を、電気的に接続することを特徴とする発光装置の作製方法に関する。

前記第１のフレキシブル基板と前記第２のフレキシブル基板とが対向配置されることに
よって生じた空隙部に乾燥剤が装入されていることを特徴とする発光装置の作製方法に関
する。

また本明細書に開示される発明は、第１の基板上に、第１の分離層、第１の絶縁膜、第
１の電極、発光層、凸部を有する第２の電極を形成し、前記第１の分離層を用いて、前記
第１の基板と、前記第１の絶縁膜、前記第１の電極、前記発光層、前記第２の電極を分離
し、第１のフレキシブル基板上に、第１の接着層を形成し、前記第１の接着層により、前
記第１のフレキシブル基板上に、前記第１の絶縁膜、前記第１の電極、前記発光層、前記
第２の電極を貼り合わせ、第２の基板上に、第２の分離層、第２の絶縁膜、半導体回路、
前記半導体回路に電気的に接続される第３の電極を形成し、前記第２の分離層を用いて、
前記第２の基板と、前記第２の絶縁膜、前記半導体回路、前記第３の電極を分離し、第２
のフレキシブル基板上に、第２の接着層を形成し、前記第２の接着層により、前記第２の
フレキシブル基板上に、前記第２の絶縁膜、前記半導体回路、前記第３の電極を貼り合わ
せ、前記第１のフレキシブル基板と前記第２のフレキシブル基板との間に、導電性粒子を
含む異方性導電性膜を形成し、前記第２の電極の凸部と前記第３の電極を、前記異方性導
電膜により電気的に接続することを特徴とする発光装置の作製方法に関する。

前記半導体回路を覆って、繊維体と有機樹脂を有する構造体を形成し、前記第３の電極
として、前記構造体を貫通する導電性樹脂を形成することを特徴とする発光装置の作製方
法に関する。

また本明細書に開示される発明は、第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記
発光層上に配置されかつ凸部を有する第２の電極とを有する第１のフレキシブル基板と、
半導体回路と、前記半導体回路に電気的に接続される第３の電極とを有する第２のフレキ
シブル基板と、前記第２の電極の凸部と前記第３の電極は、電気的に接続されていること
を特徴とする発光装置と、前記発光装置を組み込み、長手方向と短手方向を有する筐体と
、前記発光装置は、前記筐体の正面及び長手方向の上部に配置されていることを特徴とす
る携帯電話機に関する。

これにより、発光素子よりも下層に半導体回路が形成されないので、段差によるカバレ
ッジ不良の発生を抑制することができる。

また、発光素子とそれを駆動する半導体回路との間の空隙部に、乾燥剤を配置すること
ができるので、発光層に水分が侵入するのを防ぐことができる。

また、発光素子やそれを駆動する半導体回路をフレキシブル基板上に配置することがで
きるので、それぞれを貼り合わせても形状を変えることができ、様々な形状の電子機器に
組み込むことができる。

さらに、フレキシブル基板上に配置された発光素子やそれを駆動する半導体回路の間に
空間（空隙部）ができるので、フレキシブル基板を曲げても応力を緩和することができる
。

発光装置の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 半導体回路素子の作製工程を示す断面図。 半導体回路素子の作製工程を示す断面図。 半導体回路素子の作製工程を示す断面図。 半導体回路素子の作製工程を示す断面図。 発光装置の断面図。 発光装置の断面図。 携帯電話機の上面図及び断面図。 シート状繊維体の上面図。 シート状繊維体の上面図。 構造体の断面図。 シート状繊維体の断面図及び構造体の断面図。 半導体回路素子の作製工程を示す断面図。 発光装置の作製工程を示す断面図。 発光装置の断面図。 発光装置の断面図。 携帯電話機の上面図。 半導体回路素子の作製工程を示す断面図。 半導体回路素子の作製工程を示す断面図及び発光装置の断面図。 携帯電話機の断面図。 ＥＬパネルの上面図。 携帯電話機の上面図及び断面図。 携帯電話機の斜視図。

以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但
し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細
書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に
変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に
限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分または同様
な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

なお本明細書において、半導体回路は、半導体を利用することで機能する回路を指し、
さらに半導体装置とは、半導体を利用することで機能する素子及び装置全般を指し、電子
回路、液晶表示装置、発光装置等を含む電気装置およびその電気装置を搭載した電子機器
をその範疇とする。

なお本明細書において、第１や第２といった序数を用いる場合があるが、便宜的に呼ん
でいるだけであり、積層の順番や作製工程の順番等はこれに限定されない。

［実施の形態１］
本実施の形態では、発光装置及びその作製方法について、図１、図２（Ａ）〜図２（Ｃ
）、図３（Ａ）〜図３（Ｂ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）、図５（Ａ）〜図５（Ｂ）、図６
（Ａ）〜図６（Ｃ）、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）、図９（Ａ）〜
図９（Ｃ）、図１０（Ａ）〜図１０（Ｂ）、図１１、図１２、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ
）、図１５、図１６、図１７（Ａ）〜図１７（Ｂ）、図１８（Ａ）〜図１８（Ｂ）、図１
９、図２０、図２１を用いて説明する。

まず発光素子及びその作製方法について、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）、図３（Ａ）〜図３
（Ｂ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）、図５（Ａ）〜図５（Ｂ）、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）を
用いて説明する。

まず、基板１３１上に、分離層１３２、下地膜１０２、及び、電極１１１を形成する（
図２（Ａ）参照）。基板１３１としては、ガラス基板、石英基板、半導体基板、セラミッ
ク基板等を用いればよい。

下地膜１０２として、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒
化珪素膜のうちのいずれか１つ、あるいは２つ以上の積層膜とすればよい。下地膜１０２
は、後に形成される発光層１１２に水分が混入するのを防ぐ機能を有する。

分離層１３２として、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、タングステン（
Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッ
ケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（
Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは
化合物材料からなる層を、単層または積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非
晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。

分離層１３２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステ
ンとモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングス
テンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸
化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物
の酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形
成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブ
デンの合金に相当する。

分離層１３２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として、タングステン、モリブデ
ン、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン
の酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングス
テンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化
窒化物を形成する。このように、分離層１３２を積層構造とする場合、金属膜と金属酸化
膜との積層構造とすることが好ましい。金属酸化膜の形成方法の一例としては、スパッタ
法により直接金属酸化膜を形成する方法、基板１３１上に形成した金属膜の表面を熱処理
または酸素雰囲気下でのプラズマ処理により当該金属膜の表面を酸化して金属酸化膜を形
成する方法などが挙げられる。

金属膜としては、前述したタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）以外に、チタン（
Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元
素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を用いることができる。

なお、分離層１３２を形成する前に、基板１３１上に酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を
含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜などの絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に分離層１
３２を形成するようにしてもよい。基板１３１と分離層１３２との間にこのような絶縁膜
を設けることにより、基板１３１が含む不純物が上層に侵入してしまうことを防止するこ
とができる。また、後にレーザを照射する工程があるが、その工程の際、基板１３１がエ
ッチングされてしまうことを防止することができる。なお、ここで、窒素を含む酸化珪素
膜と、酸素を含む窒化珪素膜とでは、前者は窒素よりも酸素を多く含み、後者は酸素より
も窒素を多く含むという意味で使い分けている。

電極１１１は、透光性を有する導電膜を用いて形成すればよい。透光性を有する導電膜
の材料は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）や酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―
ＳｎＯ_２；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））などをスパッタ法や真空蒸着
法などを用いて形成して用いることができる。酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３
―ＺｎＯ）を用いても良い。また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）も適した材料であり、さらに可視
光の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ
）などを用いることができる。このような材料を用いて電極１１１を形成した場合、電極
１１１は陽極となる。

電極１１１を陰極とする場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材料の極薄膜を用
いるか、そのような物質の薄膜と上述のような透光性を有する導電膜との積層構造を用い
ることによって作製することができる。

次いで、下地膜１０２及び電極１１１を覆って、絶縁膜１２１を形成する（図２（Ｂ）
参照）。絶縁膜１２１は、絶縁膜１２１には、無機材料や有機材料を用いることができる
。

無機材料として、例えば、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、ダイヤモンド状
炭素（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ（ＤＬＣ））のいずれか１つ、あるいは
、２つ以上の積層構造を用いることができる。また、有機材料として、ポリイミド、アク
リル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、シロキサン
のうちいずれか１つ、あるいは、２つ以上の積層構造を用いればよい。

シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に
少なくとも水素を含む、あるいは、置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素
のうち少なくとも１種を有するポリマー材料を出発原料として形成される。また、置換基
としてフルオロ基を用いてもよく、さらに置換基として、少なくとも水素を含む有機基及
びフルオロ基とを用いてもよい。

次いで絶縁膜１２１を用いて、スペーサ１０５、隔壁１０４ａ、隔壁１０４ｂを形成す
る（図２（Ｃ）参照）。このとき、スペーサ１０５は順テーパ型、すなわち断面形状が、
上底が下底より短い台形になるように形成する。また、隔壁１０４ａ及び隔壁１０４ｂは
それぞれ、逆テーパ型、すなわち断面形状が、上底が下底より長い台形になるように形成
する。

さらにスペーサ１０５の断面形状は、後に形成される発光層１１２及び電極１１３の被
覆率が向上するように、台形の四隅が曲率半径を有する形状にしてもよい。

隔壁１０４ａ及び隔壁１０４ｂはそれぞれ、後に形成される発光層１１２及び電極１１
３を、画素ごとに分離する機能を有する。

なお絶縁膜１２１を形成せずに、スペーサ１０５、隔壁１０４ａ、隔壁１０４ｂを、絶
縁物を用いて始めからそれぞれの形状に形成してもよい。例えば、インクジェット法等で
、はじめから逆テーパ型に形成してもよい。

次いで、絶縁膜１２１の説明で挙げた材料いずれかを用い、下地膜１０２、電極１１１
、スペーサ１０５、隔壁１０４ａ、隔壁１０４ｂを覆って、絶縁膜１３８を形成する（図
３（Ａ）参照）。あるいは、絶縁膜１３８は、絶縁膜１２１とは別の材料を用いて形成し
てもよい。

絶縁膜１３８を用いて、スペーサ１０５上に、スペーサ１０６を形成する（図３（Ｂ）
参照）。スペーサ１０６は順テーパ型、すなわち断面形状が、上底が下底より短い台形に
なるように形成する。

なお絶縁膜１３８を形成せずに、スペーサ１０６を、絶縁物を用いて始めからその形状
に形成してもよい。例えば、インクジェット法等で、はじめから順テーパ型に形成しても
よい。

スペーサ１０６の断面形状は、後に形成される発光層１１２及び電極１１３の被覆率が
向上するように、台形の四隅が曲率半径を有する形状にしてもよい。

スペーサ１０５及びスペーサ１０６を形成することにより、後に形成される発光層１１
２及び電極１１３が、スペーサ１０５及びスペーサ１０６に沿って持ち上がることになる
。すなわち、発光層１１２及び電極１１３に凸部が生じ、電極１１３の凸部と、後述する
ＴＦＴ２１１に電気的に接続される導電性樹脂３０６が、電気的に接続される。電極１１
３の凸部及び導電性樹脂３０６が、電極１１３、発光層１１２、ＴＦＴ２１１と離れた位
置で接続されるので、電極１１３、発光層１１２、ＴＦＴ２１１にダメージを与えるのを
防ぐことができる。

次いで、電極１１１上のうち隔壁１０４ａ及び隔壁１０４ｂで囲まれた領域に、発光層
１１２及び電極１１３を形成する（図４（Ａ）参照）。なお、隔壁１０４ａ上に発光層１
１２と同じ材料からなるＥＬ材料層１０７ａ及び電極１１３と同じ材料からなる導電材料
層１０８ａ、並びに、隔壁１０４ｂ上には発光層１１２と同じ材料からなるＥＬ材料層１
０７ｂ及び電極１１３と同じ材料からなる導電材料層１０８ｂが形成されるが、それぞれ
絶縁膜からなる隔壁１０４ａ及び隔壁１０４ｂにより、電極１１１とは電気的に絶縁され
ているため発光しない。

発光層１１２は、単層であってもよいし、発光層と電極１１１との間、あるいは、発光
層と電極１１３との間に、電子及び正孔両キャリアの注入、移動、あるいは、再結合を行
わせるための層、すなわちキャリア輸送層やキャリア注入層等を自由に組み合わせること
が可能である。また、発光層１１２は、発光層単層である場合、あるいは、発光層及びキ
ャリア輸送層やキャリア注入層等を組み合わせた積層構造である場合も、合わせて発光層
１１２と呼ぶものとする。

以下に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を構成する材料に
ついて具体的に説明する。

正孔注入層は、電極１１１または電極１１３の一方である陽極に接して設けられ、正孔
注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸
化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシ
アニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合
物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビ
フェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル
）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴ
ＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（ス
チレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成す
ることができる。

また、正孔注入層として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複
合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有
させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶこと
ができる。つまり、陽極として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料
を用いることができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−
２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等
を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表に
おける第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化
バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステ
ン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モ
リブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール
誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など
、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正
孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以
上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高
い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることの
できる有機化合物を具体的に列挙する。

例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４
，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニ
ル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ
−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３
Ｂ）等を挙げることができる。

複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−
（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバ
ゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３
−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）
、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］
−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−
ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−
カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−
９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［
４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用
いることができる。

また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ
−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，
５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９
，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１
０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラ
セン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎ
ｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）
、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセ
ン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−
テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメ
チル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１
０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニ
ル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフ
ェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、
ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。ま
た、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６
ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いる
ことがより好ましい。

なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよ
い。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−
ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−
ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもで
きる。

正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては
、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（
略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１
，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリ
ス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，
４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミ
ン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−
２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化
合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正
孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これ
ら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけ
でなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、正孔輸送層として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（
４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることも
できる。

発光層は、発光性の物質を含む層である。発光層の種類としては、発光中心物質を主成
分とするいわゆる単膜の発光層であっても、ホスト材料中に発光中心材料を分散するいわ
ゆるホスト−ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。

用いられる発光中心材料に制限は無く、公知の蛍光または燐光を発する材料を用いるこ
とができる。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾー
ル−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略
称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−
９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、等の他、発光波長が４５０
ｎｍ以上の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２
−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ
−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−ア
ミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペ
リレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェ
ニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ
，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニ
レン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：Ｄ
ＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリ
ル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４
−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニ
ル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’
’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７
，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフ
ェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略
称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−
アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡ
ＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフ
ェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（
１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル
−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’
−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−
Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリ
フェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ
’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１
’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−
（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラ
ン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［
２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イ
ル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）
、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジア
ミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキ
ス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミ
ン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７
−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジ
ン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：
ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチ
ル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル
）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）
、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピ
ラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス
［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ
−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−
イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光
性材料としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−
Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩ
ｒ６）、の他、発光波長が４７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある、ビス［２−（４’，６
’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート
（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）
ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐ
ｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，
Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波
長が５００ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ
）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルア
セトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３
（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−
オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（
ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジ
ナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（
ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ
）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベ
ンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリ
ナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）
_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル
）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、
（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，
１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）
、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）
ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−
テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピ
ウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような
材料または他の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば
良い。

ホスト材料を用いる場合は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（
ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛
（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（
ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（
ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−
ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イ
ル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２
’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイ
ミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキ
ュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾー
ル−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物
、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられ
る。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体
、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には
、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９
−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−ア
ミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルア
ミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フ
ェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニ
ル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−
３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェ
ニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称
：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル
）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−
５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’
’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン
（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ
−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル
−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０
−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ
（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ
（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略
称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称
：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：
ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略
称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々が分散
する発光中心物質のエネルギーギャップ（燐光発光の場合は三重項エネルギー）より大き
なエネルギーギャップ（三重項エネルギー）を有する物質を有し、且つ各々の層が有すべ
き輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。

電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミ
ニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリ
ウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェ
ノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格
を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキ
シフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系
、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以
外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）
、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ
）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は
、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電
子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。

また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層した
ものとしてもよい。

また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。
これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加し
た層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節す
ることが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発
生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。

また、電極１１１または電極１１３の他方である陰極に接して、電子注入層を設けても
よい。電子注入層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フ
ッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属またはそれ
らの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアル
カリ金属またはアルカリ土類金属またはそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ
中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層
として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を
含有させたものを用いることにより、陰極からの電子注入が効率良く行われるためより好
ましい。

電極１１３を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以
下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。
このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、
すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（
Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこ
れらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ
）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸
送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ
、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電
性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やイン
クジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。

また、電極１１３を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には４．０
ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好まし
い。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化イ
ンジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステ
ン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜
は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない
。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ
％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる
。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに
対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲ
ットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ
）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料
の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、上述の複合材料を陽極に接して
設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の材料を選択することができる。

次に、図４（Ｂ）に示すようにレーザビーム１３４、例えばＵＶレーザビーム、を照射
し、図５（Ａ）に示すように分離層１３２及び下地膜１０２中に開口部１３５を形成する
。また、レーザビーム１３４を照射する前に、基板１３１上に形成された積層体を覆って
、分離のための樹脂を設けてもよい。

開口部１３５を形成することにより、分離層１３２が一部除去されることがきっかけと
なり、基板１３１から、下地膜１０２、電極１１１、スペーサ１０５、スペーサ１０６、
隔壁１０４ａ、隔壁１０４ｂ、発光層１１２、及び、電極１１３を含む積層構造体１３７
を、簡単に分離することができる。この分離は、分離層１３２の内部、または分離層１３
２と下地膜１０２の間を境界として行われる。

また本実施の形態では、レーザビーム１３４としてＵＶレーザビームを用いたが、レー
ザビーム１３４の種類は、開口部１３５を形成できるものであれば特に制約はない。

レーザビーム１３４を発振するレーザ発振器は、レーザ媒質、励起源、共振器により構
成されている。レーザは、媒質により分類すると、気体レーザ、液体レーザ、固体レーザ
があり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザ、半導体レーザ、Ｘ線レーザがあ
るが、本実施の形態では、いずれのレーザを用いてもよい。なお、好ましくは、気体レー
ザまたは固体レーザを用いるとよく、さらに好ましくは固体レーザを用いるとよい。

気体レーザは、ヘリウムネオンレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、アルゴンイ
オンレーザがある。エキシマレーザは、希ガスエキシマレーザ、希ガスハライドエキシマ
レーザがある。希ガスエキシマレーザは、アルゴン、クリプトン、キセノンの３種類の励
起分子による発振がある。アルゴンイオンレーザは、希ガスイオンレーザ、金属蒸気イオ
ンレーザがある。

液体レーザは、無機液体レーザ、有機キレートレーザ、色素レーザがある。無機液体レ
ーザと有機キレートレーザは、固体レーザに利用されているネオジムなどの希土類イオン
をレーザ媒質として利用する。

固体レーザが用いるレーザ媒質は、固体の母体に、レーザ作用をする活性種がドープさ
れたものである。固体の母体とは、結晶またはガラスである。結晶とは、ＹＡＧ（イット
リウム・アルミニウム・ガーネット結晶）、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、サファイア
、ルビー、アレキサンドライドである。また、レーザ作用をする活性種とは、例えば、３
価のイオン（Ｃｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｙｂ３＋、Ｔｍ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｉ３＋
）である。

なお、媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状
に媒質を形成することが可能である。媒質として単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ
、長さ数十ｍｍの円柱状のものが用いられているが、媒質としてセラミック（多結晶）を
用いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。また、発光に直接寄与する媒質
中のＮｄやＹｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられ
ないため、濃度を増加させることによるレーザの出力向上にはある程度限界がある。しか
しながら、媒質としてセラミックを用いると、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大
きくすることができるため大幅な出力向上が得られる。さらに、媒質としてセラミックを
用いると、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。この
ような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路を
長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能に
なる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザビームは射出時の断面形状が四
角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利である。
このように射出されたレーザビームを、光学系を用いて整形することによって、短辺の長
さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能となる。ま
た、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギー分布
の均一なものとなる。この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜の全
面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが
必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫
が必要となる。

なお、本実施の形態に用いるレーザビーム１３４として、連続発振型（ＣＷ）のレーザ
ビームやパルス発振型のレーザビームを用いることができる。なお、レーザビーム１３４
の照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等は、
下地膜１０２及び分離層１３２の厚さやその材料等を考慮して適宜制御する。

次いで、基板１３１から、下地膜１０２、電極１１１、スペーサ１０５、スペーサ１０
６、隔壁１０４ａ、隔壁１０４ｂ、発光層１１２、及び、電極１１３を含む積層構造体１
３７を分離する（図５（Ｂ）参照）。

また、基板１４１上に絶縁膜１４２及び接着層１４３を形成する（図６（Ａ）参照）。
ただし、絶縁膜１４２は必要に応じて形成すればよく、必要なければ形成しなくてもよい
。

基板１４１は、フレキシブル基板であり、かつ、透光性を有する基板である。このよう
な基板として、透光性を有するプラスティック基板などを用いればよく、例えば、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステ
ル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、
ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹
脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル
樹脂、などを好適に用いることができる。

また絶縁膜１４２は、下地膜１０２の説明で挙げた材料のいずれかを用いればよい。

接着層１４３は、反応硬化型、熱硬化型、紫外線硬化型等の光硬化型接着材、嫌気型な
どの各種硬化型接着材を用いることができる。これら接着材の材質としてはエポキシ樹脂
やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。

次いで、積層構造体１３７中の下地膜１０２と、基板１４１上の接着層１４３を、対向
させ貼り合わせる（図６（Ｂ）参照）。

以上のようにして、フレキシブル基板上に発光素子１４５を作製する（図６（Ｃ）参照
）。

また以下に、発光素子を駆動する半導体回路及びその作製方法を、図７（Ａ）〜図７（
Ｄ）、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）、図９（Ａ）〜図９（Ｃ）、図１０（Ａ）〜図１０（Ｂ）
、図１１、図１２、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）、図１５、図１６、図１７（Ａ）〜図１
７（Ｂ）、図１８（Ａ）〜図１８（Ｂ）、図１９、図２０、図２１図２３（Ａ）〜図２３
（Ｂ）を用いて説明する。

まず、基板２２１上に、分離層２２２、下地膜２０４を形成する（図７（Ａ）参照）。
基板２２１、分離層２２２、下地膜２０４は、それぞれ基板１３１、分離層１３２、下地
膜１０２の説明で述べた材料のいずれかを用いればよい。

次いで、下地膜２０４上に島状半導体膜２３１、下地膜２０４及び島状半導体膜２３１
を覆ってゲート絶縁膜２０５、島状半導体膜２３１上にゲート絶縁膜２０５を挟んでゲー
ト電極２３６を形成する（図７（Ｂ）参照）。

島状半導体膜２３１を形成する材料は、珪素（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）に代表さ
れる半導体材料を有する気体を用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質
（アモルファス）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶
化させた多結晶半導体、あるいは微結晶（セミアモルファスもしくはマイクロクリスタル
ともいう）半導体、有機材料を主成分とする半導体などを用いることができる。島状半導
体膜２３１は、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により半導体膜を
成膜した後、エッチングで島状に形成すればよい。本実施の形態では、島状半導体膜２３
１として、島状珪素膜を形成する。

また、島状半導体膜２３１の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）な
どの単体のほかＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化
合物半導体も用いることができる。また酸化物半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ス
ズ（ＳｎＯ_２）、酸化マグネシウム亜鉛、酸化ガリウム、インジウム酸化物、及び上記酸
化物半導体の複数より構成される酸化物半導体などを用いることができる。例えば、酸化
亜鉛とインジウム酸化物と酸化ガリウムとから構成される酸化物半導体なども用いること
ができる。なお、酸化亜鉛を島状半導体膜２３１に用いる場合、ゲート絶縁膜２０５をＹ
_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、それらの積層などを用いるとよく、ゲート電極２３６、
後述する電極２１５ａ及び電極２１５ｂとしては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いるとよ
い。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。

ゲート電極２３６は、ＣＶＤ法やスパッタ法、液滴吐出法などを用い、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａから選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料もしくは
化合物材料で形成すればよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコ
ン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、単層構造でも複
数の層を積層した構造でもよい。

また島状半導体膜２３１中に、チャネル形成領域２３３、ソース領域またはドレイン領
域の一方である領域２３４ａ、ソース領域またはドレイン領域の他方である領域２３４ｂ
を形成する（図７（Ｃ）参照）。領域２３４ａ及び領域２３４ｂは、島状半導体膜２３１
中にゲート電極２３６をマスクとして、一導電型を有する不純物元素を添加することによ
って形成すればよい。一導電型を有する不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素であれ
ばリン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）を用いればよく、ｐ型を付与する不純物元素であればホウ素
（Ｂ）を用いればよい。

また、チャネル形成領域２３３及び領域２３４ａ、並びに、チャネル形成領域２３３及
び領域２３４ｂとの間に、それぞれ低濃度不純物領域を形成してもよい。

次いで、ゲート絶縁膜２０５及びゲート電極２３６を覆って、絶縁膜２０６及び絶縁膜
２０７を形成する。さらに絶縁膜２０７上に、領域２３４ａに電気的に接続する電極２１
５ａ、並びに、領域２３４ｂに電気的に接続する電極２１５ｂを形成する。以上述べたよ
うにして、半導体回路に含まれるＴＦＴ２１１を作製する（図７（Ｄ）参照）。なお、図
７（Ｄ）においてはＴＦＴは１つしか示されていないが、ＴＦＴの数は２つ以上でもよい
。複数のＴＦＴを電気的に接続して半導体回路を形成してもよい。

絶縁膜２０６及び絶縁膜２０７はそれぞれ、下地膜２０４の説明で挙げた材料のうちい
ずれかを用いて形成すればよい。本実施の形態では、絶縁膜２０６として酸素を含む窒化
珪素膜を形成し、絶縁膜２０７として窒素を含む酸化珪素膜を形成する。これは熱処理に
よって、酸素を含む窒化珪素膜に含まれる水素により、島状半導体膜２３１のダングリン
グボンドを終端させるために行うものである。また絶縁膜２０６及び絶縁膜２０７は、必
要に応じてどちらか一方を形成してもよい。

電極２１５ａ及び電極２１５ｂは、それぞれゲート電極２３６の説明で述べた材料のう
ちいずれかを用いて形成すればよい。

次いで、絶縁膜２０７、電極２１５ａ、電極２１５ｂを覆って絶縁膜２０８を形成し、
絶縁膜２０８上に電極２１５ａあるいは電極２１５ｂの一方と電気的に接続される電極２
１７を形成する（図８（Ａ）参照）。

絶縁膜２０８は、有機絶縁材料または無機絶縁材料を用いて形成すればよい。

無機材料として、例えば、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、ダイヤモンド状
炭素（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ（ＤＬＣ））のいずれか１つ、あるいは
、２つ以上の積層構造を用いることができる。また、有機材料として、ポリイミド、アク
リル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、シロキサン
のうちいずれか１つ、あるいは、２つ以上の積層構造を用いればよい。

電極２１７は、ゲート電極２３６の説明で挙げた材料のうちいずれかを用いて形成すれ
ばよい。

絶縁膜２０８及び電極２１７上に、シート状繊維体３０２に有機樹脂３０１が含浸され
た構造体３０５を設ける（図８（Ｂ）参照）。このような構造体３０５は、プリプレグと
も呼ばれる。プリプレグは、具体的にはシート状繊維体にマトリックス樹脂を有機溶材で
希釈した組成物を含浸させた後、乾燥して有機溶材を揮発させてマトリックス樹脂を半硬
化させたものである。

なお、本明細書の図面においては、シート状繊維体３０２は、断面が楕円形の糸束で平
織りした織布で示されている。また、ＴＦＴ２１１がシート状繊維体３０２の糸束よりも
大きいが、ＴＦＴ２１１の大きさがシート状繊維体３０２の糸束よりも小さい場合もある
。

ここで、シート状繊維体３０２及び有機樹脂３０１を有する構造体（「プリプレグ」と
もいう）３０５について、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）、図１５、図１６、図１７（Ａ）
〜図１７（Ｂ）を用いて詳細に説明する。

シート状繊維体３０２が糸束を経糸及び緯糸に使って製織した織布の上面図を図１４（
Ａ）及び図１４（Ｂ）に示し、その断面図を図１７（Ａ）に示す。さらにシート状繊維体
３０２に有機樹脂３０１が含浸された構造体３０５の断面図を図１７（Ｂ）に示す。

シート状繊維体３０２は、有機化合物または無機化合物の織布または不織布である。ま
たシート状繊維体３０２として、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いてもよ
い。

また、シート状繊維体３０２は、繊維（単糸）の束（以下、糸束という。）を経糸及び
緯糸に使って製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積さ
せた不織布で構成されてもよい。織布の場合、平織り、綾織り、繻子織り等適宜用いるこ
とができる。

糸束の断面は、円形でも楕円形でもよい。糸束として、高圧水流、液体を媒体とした高
周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした糸束を用
いてもよい。開繊加工をした糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を削減するこ
とが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、糸束として低撚糸を用
いることで、糸束が扁平化しやすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板形状となる。
このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、シート状繊維体３０２の
厚さを薄くすることが可能である。このため、構造体３０５の厚さを薄くすることが可能
であり、薄型の半導体装置を作製することができる。

図１４（Ａ）に示すように、シート状繊維体３０２は、一定間隔をあけた経糸３０２ａ
及び一定間隔をあけた緯糸３０２ｂが織られている。このような繊維体には、経糸３０２
ａ及び緯糸３０２ｂが存在しない領域（バスケットホール３０２ｃという）を有する。こ
のようなシート状繊維体３０２は、有機樹脂３０１が繊維体に含浸される割合が高まり、
シート状繊維体３０２の密着性を高めることができる。なお、構造体３０５中のバスケッ
トホール３０２ｃには、経糸３０２ａ及び緯糸３０２ｂは存在しないが、有機樹脂３０１
で充填されている。

また、図１４（Ｂ）に示すように、シート状繊維体３０２は、経糸３０２ａ及び緯糸３
０２ｂの密度が高く、バスケットホール３０２ｃの割合が低いものでもよい。代表的には
、バスケットホール３０２ｃの大きさが、局所的に押圧される面積より小さいことが好ま
しい。代表的には一辺が０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の矩形であることが好ましい。
シート状繊維体３０２のバスケットホール３０２ｃの面積がこのように小さいと、先端の
細い部材（代表的には、ペンや鉛筆等の筆記用具）により押圧されても、当該圧力をシー
ト状繊維体３０２全体で吸収することが可能である。

また、糸束内部への有機樹脂３０１の浸透率を高めるため、糸束に表面処理が施されて
も良い。例えば、糸束表面を活性化させるためのコロナ放電処理、プラズマ放電処理等が
ある。また、シランカップリング材、チタネートカップリング材を用いた表面処理がある
。

また高強度繊維とは、具体的には引張弾性率が高い繊維である。または、ヤング率が高
い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステ
ル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレ
ンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維である。ガラス繊維として
は、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維を用いることができ
る。なお、シート状繊維体３０２は、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。また
、複数種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。

シート状繊維体３０２に含浸される有機樹脂３０１は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂等の
熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテル
イミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また、上記熱可
塑性樹脂及び上記熱硬化性樹脂の複数を用いてもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱
処理によりシート状繊維体を半導体素子層に固着することが可能である。なお、有機樹脂
３０１はガラス転移温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。

有機樹脂３０１または繊維の糸束内に高熱伝導性フィラーを分散させてもよい。高熱伝
導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等がある。
また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。高熱伝導性フィラーが
有機樹脂または糸束内に含まれることにより素子層での発熱を外部に放出しやすくなるた
め、半導体装置の蓄熱を抑制することが可能であり、半導体装置の破壊を低減することが
できる。

なお図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）では、経糸及び緯糸をそれぞれ１本ずつ編んで形成
したシート状繊維体を示しているが、経糸及び緯糸の数はこれに限定されるものではない
。経糸及び緯糸の数はそれぞれ必要に応じて決めればよい。例えば、経糸及び緯糸をそれ
ぞれ１０本ずつ束ねたものを一束として編んで形成した、シート状繊維体の上面図を図１
５に、断面図を図１６に示す。なお図１５においては、シート状繊維体３０２は有機樹脂
３０１に含浸されており、構造体３０５を形成している。

次いで、構造体３０５上、かつ電極２１７上に、導電性樹脂３０６を配置する（図８（
Ｃ）参照）。本実施の形態では、導電性樹脂３０６として金属元素を含む導電ペースト、
例えば銀ペーストを用いる。金属元素は、金属粒子として導電ペーストに含まれていれば
よい。

また導電ペーストは、好ましくは、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（
Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、
チタン（Ｔｉ）のいずれかを含むペーストであればよい。

構造体３０５上に導電性樹脂３０６に配置する方法は、スクリーン印刷やインクジェッ
ト法を用いればよい。

構造体３０５上に導電性樹脂３０６を配置すると、構造体３０５中の有機樹脂３０１と
、導電性樹脂３０６の成分、例えば導電ペーストを用いる場合はペーストが反応し、有機
樹脂３０１の一部が溶解し、導電性樹脂３０６それぞれの中の金属粒子がシート状繊維体
３０２の隙間を通り抜け、導電性樹脂３０６が最初に形成された面（第１の面）の反対の
面（第２の面）にまで金属粒子が移動する。これにより構造体３０５の内部に貫通電極が
形成される（図９（Ａ）参照）。

なお構造体３０５の第２の面での導電性樹脂３０６の面積は、第１の面での面積よりも
小さくてもよく、また大きくてもよい。すなわち、導電性樹脂３０６の構造体３０５の内
部への移動は、収斂しながらの移動でも、広がりながらの移動でもよい。

構造体３０５に貫通孔（コンタクトホールともいう）を形成しない、すなわちシート状
繊維体３０２を分断しないことで、構造体３０５の強度を維持したまま、構造体３０５の
一方の面と他方の面を電気的に接続させることができる。

その後加熱工程及び圧着工程を行い、構造体３０５中の溶けなかった有機樹脂３０１を
硬化させる。

ここで、基板２２１から構造体３０５までの積層構造、並びに、導電性樹脂３０６を積
層構造体２３７と呼ぶことにする。

次に、図９（Ｂ）に示すように、後の分離工程を容易に行うために、構造体３０５側か
ら、分離層２２２から構造体３０５までの積層構造に、レーザビーム２２５を照射して、
図９（Ｃ）に示すように、分離層２２２、下地膜２０４、ゲート絶縁膜２０５、絶縁膜２
０６、絶縁膜２０７、絶縁膜２０８、構造体３０５の積層構造に、溝２２７を形成しても
よい。レーザビーム２２５は、レーザビーム１３４の説明で述べたいずれかを用いればよ
い。

次に溝２２７をきっかけとして、分離層２２２及び下地膜２０４の界面において、分離
層２２２が形成される基板２２１と、下地膜２０４、ゲート絶縁膜２０５、絶縁膜２０６
、絶縁膜２０７、絶縁膜２０８、構造体３０５、ＴＦＴ２１１を有する積層構造体２３２
とを、物理的手段により分離する（図１０（Ａ）参照）。

物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機
械的エネルギー）を加える手段を指しており、その手段は、代表的には機械的な力を加え
ること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラを回転させながら分離する
処理）である。このとき、構造体３０５表面に光または熱により剥離可能な粘着シートを
設けると、さらに分離が容易となる。

また、溝２２７に液体を滴下し、分離層２２２及び下地膜２０４の界面に液体を浸透さ
せて、分離層２２２から積層構造体２３２を剥離してもよい。この場合、溝２２７にのみ
液体を滴下してもよいし、または基板２２１上に作製された積層構造全体を液体に浸して
、溝２２７から分離層２２２及び下地膜２０４の界面に液体を浸透させても良い。

また、図９（Ｃ）において、溝２２７にＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを
導入し、分離層２２２をフッ化ガスでエッチングし除去して、基板２２１から積層構造体
２３２を分離する方法を用いることができる。

また、絶縁膜２０２及び接着層２０３を形成した基板２０１を用意し、次いで、積層構
造体２３２中の下地膜２０４と、基板２０１上の接着層２０３を、対向させ貼り合わせる
。基板２０１、絶縁膜２０２、接着層２０３は、それぞれ基板１４１、絶縁膜１４２、接
着層１４３の説明で述べた材料を用いればよい。以上のようにして半導体回路素子２３５
が作製される（図１０（Ｂ）参照）。

次いで、発光素子１４５と半導体回路素子２３５を対向させる（図１参照）。このとき
、電極１１３の凸部と導電性樹脂３０６が重なるように対向させる。

電極１１３の凸部と導電性樹脂３０６を直接接合させた場合を図１１に示す。直接接合
させる前に、発光素子１４５及び半導体回路素子２３５それぞれの表面をプラズマ処理す
ることが好ましい。また電極１１３と導電性樹脂３０６を通電させることにより、接合が
より強固になる。

また電極１１３、隔壁１０４ａ、構造体３０５に囲まれた空間２４１が生じ、空間２４
１に乾燥剤２４２を配置すると、発光層１１２に水分が侵入するのを防ぐことができる。

さらに、空間２４１が存在するので、基板１４１及び基板２０１を曲げても応力を緩和
することができる。

また、発光素子１４５と半導体回路素子２３５を、異方性導電樹脂膜３３１により貼り
合わせた例を図１２に示す。異方性導電樹脂膜３３１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電樹脂膜３３１を用いて、
発光素子１４５と半導体回路素子２３５を貼り合わせることによって、電極１１３の凸部
と導電性樹脂３０６とが、異方性導電樹脂膜３３１に含まれる導電性粒子３３２を介して
電気的に接続される。異方性導電樹脂膜３３１は、縦方向にのみ導通するので、電極１１
３の凸部と導電性樹脂３０６の間のみ導通する。

また発光素子１４５と半導体回路素子２３５を、非導電性ペースト（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）で貼り合わせてもよい。

図１０（Ｂ）と別の構成の半導体回路素子及びその作製方法、並びに、発光装置及びそ
の作製方法について、図１８（Ａ）〜図１８（Ｂ）、図１９、図２０、図２１を用いて説
明する。

まず、図８（Ｂ）までの作製工程を基にして、基板２２１上に、分離層２２２、下地膜
２０４、ゲート絶縁膜２０５、絶縁膜２０６、絶縁膜２０７、絶縁膜２０８、電極２６２
及び電極２６３を有するＴＦＴ２６１、シート状繊維体３０２及び有機樹脂３０１を有す
る構造体３０５を形成する。

このときＴＦＴ２６１は、ＴＦＴ２１１と同様に形成すればよいが、電極２１５ａに換
えて電極２６２、電極２１５ｂに換えて電極２６３を形成する。ゲート絶縁膜２０５、絶
縁膜２０６、絶縁膜２０７、絶縁膜２０８に、領域２３４ｂ及び分離層２２２に達するコ
ンタクトホールを形成し、電極２６２及び電極２６３の一方、本実施の形態では電極２６
３を、領域２３４ｂ及び分離層２２２に接するように形成する。

次いで、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に示す作製工程に基づき、ゲート絶縁膜２０５、絶
縁膜２０６、絶縁膜２０７、絶縁膜２０８、構造体３０５の積層構造に、溝２２７を形成
する（図１８（Ａ）参照）。

次いで、溝２２７をきっかけとして、分離層２２２及び下地膜２０４の界面において、
分離層２２２が形成される基板２２１と、下地膜２０４、ゲート絶縁膜２０５、絶縁膜２
０６、絶縁膜２０７、絶縁膜２０８、構造体３０５、ＴＦＴ２６１を有する半導体回路素
子２４５とを分離する（図１８（Ｂ）参照）。これにより、電極２６３が下地膜２０４の
表面に露出する。

次いで、半導体回路素子２４５中の下地膜２０４と、発光素子中の電極１１３を対向さ
せる（図１９参照）。このとき電極１１３の凸部と、下地膜２０４に露出した電極２６３
が重なるように配置する。

電極１１３の凸部と電極２６３を直接接合させた場合を図２０に示す。直接接合させる
前に、発光素子１４５及び半導体回路素子２４５それぞれの表面をプラズマ処理すること
が好ましい。また電極１１３と電極２６３を通電させることにより、接合がより強固にな
る。

また電極１１３、隔壁１０４ａ、下地膜２０４に囲まれた空間２４７が生じ、空間２４
７に乾燥剤２４２を配置すると、発光層１１２に水分が侵入するのを防ぐことができる。

また、発光素子１４５と半導体回路素子２４５を、異方性導電樹脂膜３３１により貼り
合わせた例を図２１に示す。異方性導電樹脂膜３３１を用いて、発光素子１４５と半導体
回路素子２４５を貼り合わせることによって、電極１１３の凸部と電極２１７とが、異方
性導電樹脂膜３３１に含まれる導電性粒子３３２を介して電気的に接続される。異方性導
電樹脂膜３３１は、縦方向にのみ導通するので、電極１１３の凸部と電極２６３の間のみ
導通する。

また発光素子１４５と半導体回路素子２４５を、非導電性ペースト（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）で貼り合わせてもよい。

また 図１０（Ｂ）と別の構成の半導体回路素子及びその作製方法、並びに、発光装置
及びその作製方法について、図２３（Ａ）〜図２３（Ｂ）、図２４（Ａ）〜図２４（Ｂ）
を用いて説明する。

まず、図８（Ｂ）までの作製工程を基にして、基板２２１上に、分離層２２２、下地膜
２０４、ゲート絶縁膜２０５、絶縁膜２０６、絶縁膜２０７、電極２１７、絶縁膜２０８
、電極２１５ａ及び電極２１５ｂを有するＴＦＴ２１１を形成する。

絶縁膜２０８及び電極２１７上に、樹脂層２５１及び支持材２５２を形成する（図２３
（Ａ）参照）。本実施の形態では、樹脂層２５１として水溶性樹脂を用い、また支持材２
５２として、ＵＶテープを用いる。また樹脂層２５１及び支持材２５２を形成する前に、
図９（Ｂ）に示す作製工程と同様にして、レーザビームを照射し、溝を形成してもよい。

次いで分離層２２２及び下地膜２０４の界面において、分離層２２２が形成される基板
２２１と、下地膜２０４、ゲート絶縁膜２０５、絶縁膜２０６、絶縁膜２０７、絶縁膜２
０８、ＴＦＴ２１１、電極２１７を有する半導体回路素子２５５とを分離する。次いで絶
縁膜２０２及び接着層２０３を形成した基板２０１と、半導体回路素子２５５とを、接着
層２０３によって貼り合わせる（図２３（Ｂ）参照）。

次いで、樹脂層２５１を溶解させて除去することによって、支持材２５２を分離する。
樹脂層２５１には他の可溶性樹脂や可塑性樹脂なども用い、化学的、または物理的に半導
体回路素子２５５と支持材２５２を分離すればよい（図２４（Ａ）参照）。

図１、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）、図３（Ａ）〜図３（Ｂ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）、
図５（Ａ）〜図５（Ｂ）、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示す作製工程を基にして、発光素子
１４５を作製し、発光素子１４５中の電極１１３の凸部と半導体回路素子２５５中の電極
２１７を直接接合させる（図２４（Ｂ）参照）。

電極１１３の凸部と電極２１７を直接接合させる前に、発光素子１４５及び半導体回路
素子２５５それぞれの表面をプラズマ処理することが好ましい。また電極１１３と電極２
１７を通電させることにより、接合がより強固になる。

また電極１１３、隔壁１０４ａ、構造体３０５に囲まれた空間２４１が生じ、空間２４
１に乾燥剤２４２を配置すると、発光層１１２に水分が侵入するのを防ぐことができる。

さらに、空間２４１が存在するので、基板１４１及び基板２０１を曲げても応力を緩和
することができる。

また図１２で示す構成と同様に、導電性粒子３３２を含む異方性導電樹脂膜３３１を介
して、発光素子１４５と半導体回路素子２５５を貼り合わせ、電極１１３の凸部と導電性
樹脂３０６とを電気的に接続してもよい。

また発光素子１４５と半導体回路素子２５５を、非導電性ペースト（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）で貼り合わせてもよい。

以上により、発光素子と半導体回路素子を有する発光装置を作製する。発光素子と半導
体回路素子を別々の基板上に作製し、それらを貼り合わせることにより、発光素子よりも
下層に半導体回路が形成せず、段差によるカバレッジ不良の発生を抑制することができる
。

また、発光素子やそれを駆動する半導体回路素子をフレキシブル基板上に配置すること
ができるので、それぞれを貼り合わせても形状を変えることができ、様々な形状の電子機
器に組み込むことができる。

［実施の形態２］
本実施の形態では、実施の形態１で説明した発光装置を組み込んだ携帯電話機について
、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）、図２２（Ａ）〜図２２（Ｂ）、図２５、図２６、図２７
（Ａ）〜図２７（Ｄ）、図２８（Ａ）〜図２８（Ｂ）を用いて説明する。本実施の形態に
おいて、同じものは同じ符号で示している。

図１３（Ｃ）は、携帯電話機を正面から見た図、図１３（Ｄ）は携帯電話機を横から見
た図、図１３（Ｂ）は携帯電話機を縦から見た図、図１３（Ａ）は、筐体４１１の断面図
である。筐体４１１の正面から見た形状は、長い辺と短い辺を有する矩形であり、矩形の
角は丸まっていてもよい。本実施の形態では、正面形状である矩形の長い辺と平行な方向
を長手方向と呼び、短い辺と平行な方向を短手方向と呼ぶ。

また、筐体４１１の側面から見た形状も、長い辺と短い辺を有する矩形であり、矩形の
角は丸まっていてもよい。本実施の形態では、側面形状である矩形の長い辺と平行な方向
は長手方向であり、短い辺と平行な方向を奥行方向と呼ぶ。

図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）で示される携帯電話機は、筐体４１１、筐体４０２、筐体
４１１に組み込まれた表示領域４１３、操作ボタン４０４、ＥＬパネル４２１、タッチパ
ネル４２３、支持体４１６を有している。

ＥＬパネル４２１及び後述する駆動回路４１２は、実施の形態１で説明した発光素子及
び半導体回路素子を有する発光装置を用いて形成すればよい。ＥＬパネル４２１として発
光素子及び発光素子を駆動する画素回路として半導体回路素子を用いる。画素回路を駆動
する駆動回路４１２として、さらに半導体回路素子を用いて作製してもよい。

なお、図２８（Ａ）は、筐体４１１の斜視図であり、筐体４１１の一番面積の広い領域
を正面４５５、正面４５５の対向する面を裏面４５２、正面４５５と裏面４５２の間に存
在する領域を側面４５３、正面４５５、裏面４５２及び側面４５３に囲まれた領域の内の
一方を上面４５４とする。

また図２２（Ａ）は、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）に示す携帯電話機の裏面から見た図
である。

図２２（Ａ）に示すように、駆動回路４１２は筐体４１１の裏面４５２に配置されるよ
うに作製されている。

図２２（Ｂ）は、図１３（Ｃ）に示す状態から横に９０°回転させた場合の上面図であ
る。本実施の形態の携帯電話機は、縦に置いても横に置いても画像や文字を表示させるこ
とができる。

図１３（Ａ）に示されるように、筐体４１１の内部には、支持体４１６があり、支持体
４１６上にＥＬパネル４２１が配置されている。ここで支持体４１６の上面領域を覆って
いる。

このように、携帯電話機の長手方向の上部に表示領域４１３が存在している。すなわち
、上面４５４に表示領域４１３が存在している。これにより、例えば携帯電話機を胸ポケ
ットに入れていたとしても、取り出すことなく表示領域４１３を見ることが可能である。

表示領域４１３には、メールの有無、着信の有無、日時、電話番号、人名等が表示でき
ればよい。また必要に応じて、表示領域４１３のうち上面４５４に存在する領域表示し、
その他の領域は表示しないことにより、省エネルギー化を図ることができる。

図１３（Ｄ）の断面図を図２５に示す。図２５に示すように、筐体４１１内において、
支持体４１６に沿ってＥＬパネル４２１及びタッチパネル４２３が配置されており、表示
領域４１３は筐体４１１の正面４５５及び上面４５４に存在している。

また、ＥＬパネル４２１及び駆動回路４１２の展開図を図２６に示す。図２６において
は、ＥＬパネル４２１は上面４５４並びに裏面４５２に配置されるように作製されており
、駆動回路４１２は裏面４５２に配置されている。このようにＥＬパネル４２１を正面４
５５と上面４５４で別々に作製するのではなく、正面４５５と上面４５４の両方に存在す
るようにＥＬパネル４２１を作製するので、作製コストや作製時間を抑制することができ
る。

ＥＬパネル４２１上には、タッチパネル４２３が配置されており、表示領域４１３には
タッチパネルのボタン４１４が表示される。ボタン４１４を指などで接触することにより
、表示領域４１３の表示内容を操作することができる。また、電話の発信、あるいはメー
ルの作成は、表示領域４１３のボタン４１４を指などで接触することにより行うことがで
きる。

タッチパネル４２３のボタン４１４は、必要なときに表示させればよく、ボタン４１４
が必要ないときは、図２２（Ｂ）に示すように表示領域４１３全体に画像や文字を表示さ
せることができる。

さらに、携帯電話機の長手方向の上部にも表示領域４３３が存在し、かつ、携帯電話機
の断面形状において上部の長辺も曲率半径を有する例を、図２７（Ａ）〜図２７（Ｄ）及
び図２８（Ｂ）に示す。

図２７（Ｃ）は、携帯電話機を正面から見た図、図２７（Ｄ）は携帯電話機を横から見
た図、図２７（Ｂ）は携帯電話機を縦から見た図、図２７（Ａ）は、筐体４３１の断面図
である。筐体４３１の正面から見た形状は、長い辺と短い辺を有する矩形であり、矩形の
角は丸まっていてもよい。本実施の形態では、矩形の長い辺と平行な方向を長手方向と呼
び、短い辺と平行な方向を短手方向と呼ぶ。

図２７（Ａ）〜図２７（Ｄ）で示される携帯電話機は、筐体４３１、筐体４０２、筐体
４３１に組み込まれた表示領域４３３、操作ボタン４０４、ＥＬパネル４４１、タッチパ
ネル４４３、支持体４３６を有している。

ＥＬパネル４４１及び駆動回路４１２は、実施の形態１で説明した発光素子及び半導体
回路素子を用いて形成すればよい。ＥＬパネル４４１として発光素子及び発光素子を駆動
する画素回路として半導体回路素子を用いる。画素回路を駆動する駆動回路４１２として
、さらに半導体回路素子を用いて作製してもよい。

なお、図２８（Ｂ）は、筐体４３１の斜視図であり、図２８（Ａ）と同様に、筐体４３
１の一番面積の広い領域を正面４５５、正面４５５の対向する面を裏面４５２、正面４５
５と裏面４５２の間に存在する領域を側面４５３、正面４５５、裏面４５２及び側面４５
３に囲まれた領域の内の一方を上面４５４とする。

また、図２７（Ａ）〜図２７（Ｄ）に示す携帯電話機の裏面から見た図は、図１３（Ａ
）〜図１３（Ｄ）に示すものと同じであり、図２２（Ａ）である。

図２２（Ａ）と同様に、駆動回路４１２は筐体４３１の裏面４５２に配置されるように
作製されている。図２７（Ａ）〜図２７（Ｄ）に示す携帯電話機の裏面から見た図は、図
２２（Ａ）の筐体４１１を筐体４３１と読み替えればよい。

図２７（Ａ）〜図２７（Ｄ）に示す携帯電話機では、支持体４３６の断面形状を上部の
長辺に曲率半径を有するように形成する。これにより、ＥＬパネル４４１及びタッチパネ
ル４４３それぞれの断面形状において、上部の長辺が曲率半径を有する。また筐体４３１
の上部も湾曲している。すなわち、表示領域４３３を正面４５５から見た場合、手前に向
かって丸く突き出していることになる。

支持体４３６の上部の長辺の曲率半径をＲ１とすると、曲率半径Ｒ１は２０ｃｍ〜３０
ｃｍが好ましい。

支持体４３６の上部の長辺が曲率半径Ｒ１を有するように湾曲しているので、支持体４
３６を覆うＥＬパネル４４１、ＥＬパネル４４１を覆うタッチパネル４４３、並びに、筐
体４３１も上部の長辺が湾曲している。

図２７（Ａ）〜図２７（Ｄ）に示す携帯電話機は、携帯電話機の長手方向の上部にも表
示領域４３３が存在している。すなわち、上面４５４も表示領域４３３が存在している。
これにより、例えば携帯電話機を胸ポケットに入れていたとしても、取り出すことなく表
示領域４３３を見ることが可能である。

表示領域４３３には、メールの有無、着信の有無、日時、電話番号、人名等が表示でき
ればよい。また必要に応じて、表示領域４３３のうち上面４５４に存在する領域表示し、
その他の領域は表示しないことにより、省エネルギー化を図ることができる。

また、ＥＬパネル４４１及び駆動回路４１２の展開図は、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）
同様、図２６であり、ＥＬパネル４２１をＥＬパネル４４１と読み替えればよい。図２６
においては、駆動回路４１２は上面４５４並びに裏面４５２に配置されている。

１０２ 下地膜
１０４ａ 隔壁
１０４ｂ 隔壁
１０５ スペーサ
１０６ スペーサ
１０７ａ ＥＬ材料層
１０７ｂ ＥＬ材料層
１０８ａ 導電材料層
１０８ｂ 導電材料層
１１１ 電極
１１２ 発光層
１１３ 電極
１２１ 絶縁膜
１３１ 基板
１３２ 分離層
１３４ レーザビーム
１３５ 開口部
１３７ 積層構造体
１３８ 絶縁膜
１４１ 基板
１４２ 絶縁膜
１４３ 接着層
１４５ 発光素子
２０１ 基板
２０２ 絶縁膜
２０３ 接着層
２０４ 下地膜
２０５ ゲート絶縁膜
２０６ 絶縁膜
２０７ 絶縁膜
２０８ 絶縁膜
２１１ ＴＦＴ
２１５ａ 電極
２１５ｂ 電極
２１７ 電極
２２１ 基板
２２２ 分離層
２２５ レーザビーム
２２７ 溝
２３１ 島状半導体膜
２３２ 積層構造体
２３３ チャネル形成領域
２３４ａ 領域
２３４ｂ 領域
２３５ 半導体回路素子
２３６ ゲート電極
２３７ 積層構造体
２４１ 空間
２４２ 乾燥剤
２４５ 半導体回路素子
２４７ 空間
２５１ 樹脂層
２５２ 支持材
２５５ 半導体回路素子
２６１ ＴＦＴ
２６２ 電極
２６３ 電極
３０１ 有機樹脂
３０２ シート状繊維体
３０２ａ 経糸
３０２ｂ 緯糸
３０２ｃ バスケットホール
３０５ 構造体
３０６ 導電性樹脂
３３１ 異方性導電樹脂膜
３３２ 導電性粒子
４０２ 筐体
４０４ 操作ボタン
４１１ 筐体
４１２ 駆動回路
４１３ 表示領域
４１４ ボタン
４１６ 支持体
４２１ ＥＬパネル
４２３ タッチパネル
４３１ 筐体
４３３ 表示領域
４３６ 支持体
４４１ ＥＬパネル
４４３ タッチパネル
４５２ 裏面
４５３ 側面
４５４ 上面
４５５ 正面

Claims (13)

1. 筐体と、表示パネルと、を有し、
   前記表示パネルは、表示領域及び駆動回路領域を有し、
   前記表示パネルは、第１のフレキシブル基板と第２のフレキシブル基板とに挟まれたトランジスタを有し、
   前記第１のフレキシブル基板上に、絶縁膜が設けられ、
   前記絶縁膜上に、前記トランジスタが設けられ、
   前記トランジスタは、前記表示領域に設けられ、
   前記表示領域は、平面状の領域と、前記平面状の領域より前記駆動回路領域に向かって延びた曲面状の領域と、を有し、
   前記第１のフレキシブル基板上に、タッチパネルを有することを特徴とする電子機器。
2. 筐体と、表示パネルと、を有し、
   前記表示パネルは、表示領域及び駆動回路領域を有し、
   前記表示パネルは、第１のフレキシブル基板と第２のフレキシブル基板とに挟まれたトランジスタを有し、
   前記第１のフレキシブル基板上に、絶縁膜が設けられ、
   前記絶縁膜上に、前記トランジスタが設けられ、
   前記トランジスタは、前記表示領域に設けられ、
   前記表示領域は、第１の領域及び第２の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記筐体の正面に設けられ、
   前記第２の領域は、前記第１の領域と駆動回路領域の間に設けられ、
   前記表示パネルは、少なくとも前記第１の領域と前記第２の領域との間に曲げられた領域を有し、
   前記第１のフレキシブル基板上に、タッチパネルを有することを特徴とする電子機器。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１のフレキシブル基板と、前記絶縁膜との間に接着層を有することを特徴とする電子機器。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１のフレキシブル基板及び前記第２のフレキシブル基板は、透光性を有するプラスティック基板であることを特徴とする電子機器。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１のフレキシブル基板及び前記第２のフレキシブル基板は、ポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂のいずれかを有することを特徴とする電子機器。
6. 請求項５において、
   前記ポリエステル樹脂は、ポリエチレンテレフタレート、またはポリエチレンナフタレートのいずれかであることを特徴とする電子機器。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１のフレキシブル基板は、前記第２のフレキシブル基板と同じ材料であることを特徴とする電子機器。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜のうちのいずれか１つ、あるいは２つ以上の積層膜であることを特徴とする電子機器。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記トランジスタは、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極を有し、
   前記半導体膜上にゲート絶縁膜を挟んでゲート電極が設けられていることを特徴とする電子機器。
10. 請求項９において、
    前記半導体膜は、シリコンを有することを特徴とする電子機器。
11. 請求項１０において、
    前記シリコンは、非晶質シリコン、多結晶シリコン、または微結晶シリコンのいずれかを有することを特徴とする電子機器。
12. 請求項９において、
    前記半導体膜は、酸化物半導体を有することを特徴とする電子機器。
13. 請求項１２において、
    前記酸化物半導体は、酸化亜鉛と、インジウム酸化物と、酸化ガリウムとから構成されることを特徴とする電子機器。

Images