JP2003280552A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素の開口率を下げることなく、電界発光素
子の電流を供給可能にするとともに、歩留りよく高い品
質の発光素子を確保する。 【解決手段】 電流駆動用トランジスタ（８）が形成さ
れた基板（１）と、電流駆動型発光素子が形成された基
板（２０）とを対向させ、前記トランジスタを駆動して
両基板間に延びる接続部材（１６）を通して前記発光素
子の各画素へ個別に電流を供給し、画像表示するように
したものである。
子の電流を供給可能にするとともに、歩留りよく高い品
質の発光素子を確保する。 【解決手段】 電流駆動用トランジスタ（８）が形成さ
れた基板（１）と、電流駆動型発光素子が形成された基
板（２０）とを対向させ、前記トランジスタを駆動して
両基板間に延びる接続部材（１６）を通して前記発光素
子の各画素へ個別に電流を供給し、画像表示するように
したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子等
の電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置に関する
ものである。
の電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は有機電界発光素子を用いた画像表
示装置の例を示す図で、図２（ａ）は断面図、図２
（ｂ）は上面図である。ガラス基板１に層間絶縁層２、
３が積層され、その上に各発光エリアを規定する透明導
電膜からなる陽極４、全面に有機発光層５、陰極６が形
成されている。また、ガラス基板１には、電源供給線７
を通して電流供給される電流駆動用薄膜トランジスタ
８、トランジスタ８をＯＮ／ＯＦＦ制御するためのトラ
ンジスタ９、発光させる表示セルを選択する縦電極１
０、横電極１１が形成されている。縦電極１０、横電極
１１は層間絶縁層２で絶縁され、各トランジスタは層間
絶縁層３で保護されると共に、トランジスタ上の面が平
滑化され、電流駆動用薄膜トランジスタ８と陽極４とは
層間絶縁層３のスルーホールを通して接続されている。
また、陰極６全体を覆うように対向封止板１２が画像装
置の密封用として設けられている。
示装置の例を示す図で、図２（ａ）は断面図、図２
（ｂ）は上面図である。ガラス基板１に層間絶縁層２、
３が積層され、その上に各発光エリアを規定する透明導
電膜からなる陽極４、全面に有機発光層５、陰極６が形
成されている。また、ガラス基板１には、電源供給線７
を通して電流供給される電流駆動用薄膜トランジスタ
８、トランジスタ８をＯＮ／ＯＦＦ制御するためのトラ
ンジスタ９、発光させる表示セルを選択する縦電極１
０、横電極１１が形成されている。縦電極１０、横電極
１１は層間絶縁層２で絶縁され、各トランジスタは層間
絶縁層３で保護されると共に、トランジスタ上の面が平
滑化され、電流駆動用薄膜トランジスタ８と陽極４とは
層間絶縁層３のスルーホールを通して接続されている。
また、陰極６全体を覆うように対向封止板１２が画像装
置の密封用として設けられている。
【０００３】このような構造の画像表示装置において
は、縦電極１０、横電極１１で選択された表示セルのト
ランジスタ９がＯＮすると、電流駆動用薄膜トランジス
タ８が導通し、電源供給線７から陽極４、有機発光層
５、陰極６を通して電流が流れ、選択されたセルが発光
してガラス基板１側から光出力が得られる。この発光状
態はトランジスタ９に対してＯＦＦ用の信号が加えられ
るまで継続する。こうしてマトリックス状に配置された
各発光セルをトランジスタで選択駆動することにより画
像表示が行われる。
は、縦電極１０、横電極１１で選択された表示セルのト
ランジスタ９がＯＮすると、電流駆動用薄膜トランジス
タ８が導通し、電源供給線７から陽極４、有機発光層
５、陰極６を通して電流が流れ、選択されたセルが発光
してガラス基板１側から光出力が得られる。この発光状
態はトランジスタ９に対してＯＦＦ用の信号が加えられ
るまで継続する。こうしてマトリックス状に配置された
各発光セルをトランジスタで選択駆動することにより画
像表示が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機電界発
光素子等の電流駆動型発光素子は電流を流すことにより
発光するため、発光状態を保持するためには電流を流し
続ける必要がある。このため、電流駆動型発光素子をア
クティブマトリックス駆動するためには、電流を流し続
けるための素子と、この素子を制御するための素子の少
なくとも合計２つのアクティブ素子が必要となる。ま
た、電流を流し続けるためには専用の電流供給線が必要
である。
光素子等の電流駆動型発光素子は電流を流すことにより
発光するため、発光状態を保持するためには電流を流し
続ける必要がある。このため、電流駆動型発光素子をア
クティブマトリックス駆動するためには、電流を流し続
けるための素子と、この素子を制御するための素子の少
なくとも合計２つのアクティブ素子が必要となる。ま
た、電流を流し続けるためには専用の電流供給線が必要
である。
【０００５】図２に示したように、発光素子は電流駆動
用トランジスタ８に接続され、共通の電源供給線７と共
通の接地線（陰極）間に接続されることになる。そして
１つの発光素子にはトランジスタが少なくとも２つ必要
で、配線は発光素子を選択するためのデータ線と走査線
（桁電極と横電極）、電源供給線、接地線の４電極が必
要となるため、複雑な構造となる。特に、電源供給線は
表示画素数が増えると、電流供給能力を高める必要があ
るため、低抵抗とする必要があり、低抵抗化するため線
幅を大きくすると画素の開口率が低下してしまうという
問題がある。また、トランジスタ回路部と発光素子との
歩留りが異なるため、全体として歩留りよく高い品質の
ものを確保するのが困難である。
用トランジスタ８に接続され、共通の電源供給線７と共
通の接地線（陰極）間に接続されることになる。そして
１つの発光素子にはトランジスタが少なくとも２つ必要
で、配線は発光素子を選択するためのデータ線と走査線
（桁電極と横電極）、電源供給線、接地線の４電極が必
要となるため、複雑な構造となる。特に、電源供給線は
表示画素数が増えると、電流供給能力を高める必要があ
るため、低抵抗とする必要があり、低抵抗化するため線
幅を大きくすると画素の開口率が低下してしまうという
問題がある。また、トランジスタ回路部と発光素子との
歩留りが異なるため、全体として歩留りよく高い品質の
ものを確保するのが困難である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
しようとするもので、画素の開口率を下げることなく、
電界発光素子の電流を供給可能にするとともに、歩留り
よく高い品質の発光素子を確保することを目的としてい
る。そのために請求項１の発明は、電流駆動用トランジ
スタが形成された基板と、電流駆動型発光素子が形成さ
れた基板とを対向させ、前記トランジスタを駆動して両
基板間に延びる接続部材を通して前記発光素子の各画素
へ個別に電流を供給し、画像表示することを特徴とす
る。また、請求項２の発明は、発光素子が形成された基
板上には、順次陽極、発光層、陰極が形成されるととも
に、発光層と陰極には各陽極毎に切り欠きが形成され、
電流駆動用トランジスタが形成された基板から延びる接
続部材が前記切り欠きに接続していることを特徴とす
る。
しようとするもので、画素の開口率を下げることなく、
電界発光素子の電流を供給可能にするとともに、歩留り
よく高い品質の発光素子を確保することを目的としてい
る。そのために請求項１の発明は、電流駆動用トランジ
スタが形成された基板と、電流駆動型発光素子が形成さ
れた基板とを対向させ、前記トランジスタを駆動して両
基板間に延びる接続部材を通して前記発光素子の各画素
へ個別に電流を供給し、画像表示することを特徴とす
る。また、請求項２の発明は、発光素子が形成された基
板上には、順次陽極、発光層、陰極が形成されるととも
に、発光層と陰極には各陽極毎に切り欠きが形成され、
電流駆動用トランジスタが形成された基板から延びる接
続部材が前記切り欠きに接続していることを特徴とす
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図１は本発明の画像表示装置の
例を説明する断面図である。本実施形態は電流駆動用ト
ランジスタが形成された基板と、有機発光層が形成され
た基板とを分離し、両基板を対向させて表示セル毎に両
基板間に延びる電極柱を通して電流を供給するように
し、開口率を下げることなく電流供給し、かつ歩留りの
異なる両基板を別々に作成できるようにしたものであ
る。
を参照しつつ説明する。図１は本発明の画像表示装置の
例を説明する断面図である。本実施形態は電流駆動用ト
ランジスタが形成された基板と、有機発光層が形成され
た基板とを分離し、両基板を対向させて表示セル毎に両
基板間に延びる電極柱を通して電流を供給するように
し、開口率を下げることなく電流供給し、かつ歩留りの
異なる両基板を別々に作成できるようにしたものであ
る。
【０００８】ガラス基板１には、電流駆動用薄膜トラン
ジスタ８、トランジスタ８をＯＮ／ＯＦＦ制御するため
のトランジスタ、発光させる表示セルを選択するための
縦電極や横電極が形成されるとともに、トランジスタ８
に接続された電源供給パッド１５から層間絶縁層３を通
して電源供給電極柱１６が表面に突出して対向する基板
まで延びている。縦電極や横電極は層間絶縁層２で絶縁
され、各トランジスタは層間絶縁層３で保護されると共
に、トランジスタ上の面が平滑化されている。なお、本
実施形態では層間絶縁層３上には電極が形成されないた
め、これを省略することも可能である。
ジスタ８、トランジスタ８をＯＮ／ＯＦＦ制御するため
のトランジスタ、発光させる表示セルを選択するための
縦電極や横電極が形成されるとともに、トランジスタ８
に接続された電源供給パッド１５から層間絶縁層３を通
して電源供給電極柱１６が表面に突出して対向する基板
まで延びている。縦電極や横電極は層間絶縁層２で絶縁
され、各トランジスタは層間絶縁層３で保護されると共
に、トランジスタ上の面が平滑化されている。なお、本
実施形態では層間絶縁層３上には電極が形成されないた
め、これを省略することも可能である。
【０００９】一方、ガラス基板１と対向するガラス基板
２０には、透明導電膜からなる陽極２１が各発光エリア
を規定する区画ごとに形成される。陽極上には基板全面
に渡って有機発光層２２、陰極２３が積層され、各陽極
ごとに有機発光層２２と陰極２３の一部に切り欠きを形
成し、この部分を通して電源供給電極柱１６が陽極２１
に接続している。電源供給電極柱１６は金属または導電
性樹脂からなり、両基板間のスペーサとしての機能も有
する。
２０には、透明導電膜からなる陽極２１が各発光エリア
を規定する区画ごとに形成される。陽極上には基板全面
に渡って有機発光層２２、陰極２３が積層され、各陽極
ごとに有機発光層２２と陰極２３の一部に切り欠きを形
成し、この部分を通して電源供給電極柱１６が陽極２１
に接続している。電源供給電極柱１６は金属または導電
性樹脂からなり、両基板間のスペーサとしての機能も有
する。
【００１０】かかる構成においては、ガラス基板１側に
形成された縦電極１０、横電極１１で選択されたトラン
ジスタ９がＯＮすると、該当する電流駆動用薄膜トラン
ジスタ８が導通し、このトランジスタに接続された電源
供給電極柱１６を通して対応する透明導電膜からなる陽
極２１、有機発光層２２、陰極２３を通して電流が流
れ、選択されたセルが発光し、透明導電膜を通してガラ
ス基板２０側から光出力が得られる。
形成された縦電極１０、横電極１１で選択されたトラン
ジスタ９がＯＮすると、該当する電流駆動用薄膜トラン
ジスタ８が導通し、このトランジスタに接続された電源
供給電極柱１６を通して対応する透明導電膜からなる陽
極２１、有機発光層２２、陰極２３を通して電流が流
れ、選択されたセルが発光し、透明導電膜を通してガラ
ス基板２０側から光出力が得られる。
【００１１】このように、本実施形態においては、ガラ
ス基板１側を発光素子を選択駆動する回路基板とし、こ
れと対向するガラス基板２０側に発光素子を形成し、発
光素子への電流供給はガラス基板１側から垂直に延びる
電源供給電極柱１６により行うようにしているため、発
光素子側基板には駆動トランジスタやそれに伴う配線が
不要になり、電源供給線等によって発光エリアが制限さ
れることがなく、高い開口率を確保できる。また、トラ
ンジスタ回路基板と発光素子基板とを個別に品質管理す
ることができる。
ス基板１側を発光素子を選択駆動する回路基板とし、こ
れと対向するガラス基板２０側に発光素子を形成し、発
光素子への電流供給はガラス基板１側から垂直に延びる
電源供給電極柱１６により行うようにしているため、発
光素子側基板には駆動トランジスタやそれに伴う配線が
不要になり、電源供給線等によって発光エリアが制限さ
れることがなく、高い開口率を確保できる。また、トラ
ンジスタ回路基板と発光素子基板とを個別に品質管理す
ることができる。
【００１２】
【発明の効果】有機電界発光素子等の電流駆動型の発光
素子をアクティブマトリックス駆動する場合に、従来で
は発光素子と同一面に各画素に電源供給する配線が必要
であり、これが画素の開口率を下げる要因となっていた
が、本発明においては電流供給用トランジスタ回路基板
と発光素子基板とを分離して対向させ、対向するトラン
ジスタ回路基板から各画素へ電流供給するようにしたの
で、発光素子側基板上のトランジスタとそれに伴う配線
が不要になり、高い開口率を実現することができる。さ
らに、発光素子を形成する基板と駆動素子を形成する基
板とを完全に分離できるので、個別の品質管理が可能と
なり、極めて高い品質が確保可能となる。
素子をアクティブマトリックス駆動する場合に、従来で
は発光素子と同一面に各画素に電源供給する配線が必要
であり、これが画素の開口率を下げる要因となっていた
が、本発明においては電流供給用トランジスタ回路基板
と発光素子基板とを分離して対向させ、対向するトラン
ジスタ回路基板から各画素へ電流供給するようにしたの
で、発光素子側基板上のトランジスタとそれに伴う配線
が不要になり、高い開口率を実現することができる。さ
らに、発光素子を形成する基板と駆動素子を形成する基
板とを完全に分離できるので、個別の品質管理が可能と
なり、極めて高い品質が確保可能となる。
【図１】 本発明の画像表示装置の例を説明する図であ
る。
る。
【図２】 有機電界発光素子を用いた画像表示装置の従
来例を示す図である。
来例を示す図である。
１…ガラス基板、２、３…層間絶縁層、８…電流駆動用
薄膜トランジスタ、１５…電源供給パッド、１６…電源
供給電極柱、２０…ガラス基板、２１…陽極（透明導電
膜）、２２…有機発光層、２３…陰極。
薄膜トランジスタ、１５…電源供給パッド、１６…電源
供給電極柱、２０…ガラス基板、２１…陽極（透明導電
膜）、２２…有機発光層、２３…陰極。
Claims (2)
- 【請求項１】 電流駆動用トランジスタが形成された基
板と、電流駆動型発光素子が形成された基板とを対向さ
せ、前記トランジスタを駆動して両基板間に延びる接続
部材を通して前記発光素子の各画素へ個別に電流を供給
し、画像表示することを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】 発光素子が形成された基板上には、順次
陽極、発光層、陰極が形成されるとともに、発光層と陰
極には各陽極毎に切り欠きが形成され、電流駆動用トラ
ンジスタが形成された基板から延びる接続部材が前記切
り欠きに接続していることを特徴とする請求項１記載の
画像表示装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002080541A JP2003280552A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 画像表示装置 |
| PCT/JP2003/003351 WO2003081564A1 (fr) | 2002-03-22 | 2003-03-19 | Afficheur d'image |
| DE10392143T DE10392143T5 (de) | 2002-03-22 | 2003-03-19 | Bildanzeigevorrichtung |
| US10/476,340 US7106282B2 (en) | 2002-03-22 | 2003-03-19 | Image display |
| AU2003221436A AU2003221436A1 (en) | 2002-03-22 | 2003-03-19 | Image display |
| CNA038007789A CN1543635A (zh) | 2002-03-22 | 2003-03-19 | 图像显示装置 |
| TW92106195A TW573439B (en) | 2002-03-22 | 2003-03-20 | Image display device |
| US11/353,902 US20060132009A1 (en) | 2002-03-22 | 2006-02-14 | Image displaying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002080541A JP2003280552A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003280552A true JP2003280552A (ja) | 2003-10-02 |
Family
ID=29229532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002080541A Pending JP2003280552A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003280552A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005301124A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| KR100665941B1 (ko) | 2004-09-17 | 2007-01-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| US7202597B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-04-10 | Seiko Epson Corporation | Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate |
| JP2011028283A (ja) * | 2010-09-14 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| US8138502B2 (en) | 2005-08-05 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US8610155B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
-
2002
- 2002-03-22 JP JP2002080541A patent/JP2003280552A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202597B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-04-10 | Seiko Epson Corporation | Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate |
| JP2005301124A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP4691898B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| KR100665941B1 (ko) | 2004-09-17 | 2007-01-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| US8497512B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US8138502B2 (en) | 2005-08-05 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US10600853B2 (en) | 2008-11-18 | 2020-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US8610155B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US10269883B2 (en) | 2008-11-18 | 2019-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US10896941B2 (en) | 2008-11-18 | 2021-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US11289558B2 (en) | 2008-11-18 | 2022-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US11818925B2 (en) | 2008-11-18 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| JP2011028283A (ja) * | 2010-09-14 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A977 | Report on retrieval |
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