JP6082827B2 - 装置、検知回路、およびワード線電圧の上昇を補償する方法 - Google Patents
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Description
第6のトランジスタ372および第5のトランジスタ370との第2のカレントミラー回路を形成してもよい。例えば、第5のトランジスタ370は第6のトランジスタ372と直列に接続される。第5のトランジスタ370のソースは第1の電源を受けるように構成され、第6のトランジスタ372のソースは第2の電源を受けるように構成される。第5のトランジスタ370のゲートは、第1のトランジスタ350のゲートと接続され、第6のトランジスタ372のゲートは、VBL電圧を受信するように構成される。AMPOUT信号は、第5のトランジスタ370と第6のトランジスタ372の間のノードのところで与えられる。一実施形態では、第1のカレントミラー回路は、第2のカレントミラー回路とほぼ同一である。
Claims (26)
- ビット線と、
前記ビット線に接続されたメモリセルと、
前記メモリセルに接続されたセレクタデバイスと、
前記セレクタデバイスのベースに接続されたワード線と、
前記ワード線に接続されたワード線ドライバと、
前記ワード線のインピーダンスおよび前記ワード線ドライバのインピーダンスをモデリングするように構成されたモデルワード線回路と、
前記ビット線および前記モデルワード線回路に接続された検知回路であって、セル電流に基づいて前記メモリセルの状態を検知し、前記メモリセルの状態を示す検知信号を与えるように構成された検知回路において、前記モデルワード線回路によりモデリングされたワード線電圧の上昇に応じてビット線電圧を調整するようにさらに構成された検知回路とを備えることを特徴とする装置。 - 前記検知回路は、前記ビット線電圧を増幅器出力信号の電圧と比較するように構成されたコンパレータを備え、前記増幅器出力信号は前記調整されたビット線電圧に基づくことを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記コンパレータは、第1の入力にて前記増幅器出力信号を受信し、第2の入力にて前記ビット線電圧を受信して、前記第1の入力はリミッタ回路により前記第2の入力に接続されることを特徴とする、請求項2に記載の装置。
- 前記リミッタ回路はダイオード対を備えることを特徴とする、請求項3に記載の装置。
- 前記検知回路は、前記ビット線電圧と、前記モデルワード線回路により調整された検知基準電圧とに基づいて、前記増幅器出力信号を与えるように構成された増幅器をさらに備え、前記ビット線電圧は前記増幅器の第1の入力にて受信され、前記モデルワード線回路により調整された前記検知基準電圧は前記増幅器の第2の入力にて受信されることを特徴とする、請求項2に記載の装置。
- 前記増幅器は、前記ビット線電圧と、前記モデルワード線回路により調整された前記検知基準電圧とに基づいて、モデル増幅器出力信号を与えるようにさらに構成され、前記モデル増幅器出力信号は前記増幅器の前記第2の入力にフィードバックされることを特徴とする、請求項5に記載の装置。
- 前記増幅器は差動増幅器であることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
- 前記メモリセルは相変化メモリセルを含むことを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記セレクタデバイスはバイポーラ接合トランジスタを含むことを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記モデルワード線回路は、
前記ワード線の少なくとも一部の前記インピーダンスをモデリングするように構成された抵抗構成要素であって、出力電圧を与えるために前記検知回路に接続される抵抗構成要素と、
前記抵抗構成要素と直列に接続されたフォロワ回路であって、検知基準電圧を受信し、前記ワード線ドライバの前記インピーダンスをモデリングするように構成されたフォロワ回路と
を備え、
前記検知基準電圧と、前記抵抗構成要素および前記フォロワ回路を介したモデルメモリセル電流により生じる出力電圧の電圧差は、前記ワード線および前記ワード線ドライバの前記少なくとも一部にわたる電圧降下を表すことを特徴とする、請求項1に記載の装置。 - 前記セレクタデバイスは、バイポーラセレクタデバイスを含み、前記抵抗構成要素のインピーダンスと前記フォロワ回路のインピーダンスは、それぞれ前記バイポーラセレクタデバイスのゲインにさらに基づくことを特徴とする、請求項10に記載の装置。
- 前記フォロワ回路の前記インピーダンスは調整可能であることを特徴とする、請求項11に記載の装置。
- 前記フォロワ回路は、
第2のトランジスタと直列に接続された第1のトランジスタであって、前記第1のトランジスタのドレインは第1の電流調整器を介して第1の電源と接続され、前記第2のトランジスタのドレインは第2の電流調整器を介して第2の電源と接続され、前記第1のトランジスタのゲートは前記第1のトランジスタの前記ドレインと接続され、前記第2のトランジスタのゲートは前記第2のトランジスタの前記ドレインと接続される第1のトランジスタにおいて、前記検知基準電圧は前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタの間のノードにて受信される、第1のトランジスタと、
第4のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタであって、前記第3のトランジスタのドレインは前記第1の電源と接続され、前記第4のトランジスタのドレインは前記第2の電源と接続され、前記第3のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートと接続され、前記第4のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタの前記ゲートと接続される第3のトランジスタにおいて、前記フォロワ回路は前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタの間のノードにて抵抗構成要素にフォロワ回路出力を与えるように構成され、前記フォロワ回路出力は前記第1の電流調整器および前記第2の電流調整器の少なくとも1つにより制御される、第3のトランジスタと
を備えることを特徴とする、請求項11に記載の装置。 - 第1の信号および第2の信号を与えるように構成された増幅器において、前記第1の信号および前記第2の信号は、ビット線電圧と、モデルワード線回路に基づいて調整された検知基準電圧とに基づいており、前記ビット線電圧は、第1の入力にて受信され、前記調整された検知基準電圧は、第2の入力にて受信され、前記第1の信号は前記第2の入力にフィードバックされる、増幅器と、
前記第2の信号の電圧および前記ビット線電圧に基づいてメモリセルの状態を示す出力信号を与えるように構成されたコンパレータとを備えることを特徴とする検知回路。 - 前記増幅器は、
第2のトランジスタと直列に接続された第1のトランジスタにおいて、前記第1のトランジスタのソースは第1の電源を受けるように構成され、前記第2のトランジスタのソースは第2の電源を受けるように構成され、前記第1のトランジスタのゲートは前記第1のトランジスタのドレインに接続され、前記第2のトランジスタのゲートは前記検知基準電圧を受信するように構成される、第1のトランジスタと、
第4のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタにおいて、前記第3のトランジスタのソースは前記第1の電源を受けるように構成され、前記第4のトランジスタのソースは前記第2の電源を受けるように構成され、前記第3のトランジスタのゲートは前記第1のトランジスタの前記ゲートと接続され、前記第4のトランジスタのゲートは前記ビット線電圧を受信するように構成され、前記第1の信号は前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタの間のノードにて与えられ、前記第1の信号は前記第2のトランジスタの前記ゲートにフィードバックされる、第3のトランジスタと、
第6のトランジスタと直列に接続された第5のトランジスタにおいて、前記第5のトランジスタのソースは前記第1の電源を受けるように構成され、前記第6のトランジスタのソースは前記第2の電源を受けるように構成され、前記第5のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタの前記ゲートと接続され、かつ前記第6のトランジスタのゲートは前記ビット線電圧を受信するように構成され、前記第2の信号は前記第5のトランジスタと前記第6のトランジスタの間のノードにて与えられる、第5のトランジスタとを備えることを特徴とする、請求項14に記載の検知回路。 - 前記コンパレータの前記第1の入力および前記第2の入力に接続されたリミッタ回路をさらに備えることを特徴とする、請求項15に記載の検知回路。
- 前記リミッタ回路は、前記第1の入力と前記第2の入力の間に第2のダイオードに並列に接続された第1のダイオードを備え、前記第1のダイオードは、前記第1の入力から前記第2の入力への順方向を有し、前記第2のダイオードは、前記第2の入力から前記第1の入力への順方向を有することを特徴とする、請求項16に記載の検知回路。
- 前記リミッタ回路は抵抗成分をさらに有することを特徴とする、請求項16に記載の検知回路。
- メモリデバイスのビット線を、モデルワード線回路に基づいて調整された検知基準電圧に基づくプリチャージ電圧にプリチャージするステップと、
イネーブルになることでセル電流が前記ビット線を流れる、前記ビット線に接続されたセレクタデバイスをイネーブルにするステップと、
前記セル電流によって生じるビット線電圧に基づいて前記ビット線に接続されたメモリセルの状態を判定するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記セル電流に基づいて前記ビット線に接続された前記メモリセルの状態を判定するステップは、
前記調整された検知基準電圧および前記ビット線の電圧に基づいて増幅器出力信号を与えるステップと、
前記増幅器出力信号を前記ビット線電圧と比較するステップとを含むことを特徴とする、請求項19に記載の方法。 - 前記調整された検知基準電圧および前記ビット線電圧に基づいて第2の増幅器出力信号を与えるステップと、
前記第2の増幅器出力信号に基づいて前記調整された検知基準電圧を調整するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項20に記載の方法。 - 前記検知基準電圧を調整するステップは、
前記モデルワード線回路が前記検知基準電圧をノードに与えるステップと、
前記検知基準電圧に基づき生成された増幅器出力信号を前記ノードに与えるステップとを含むことを特徴とする、請求項19に記載の方法。 - 前記メモリセルは相変化メモリセルであることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
- そのインピーダンスがメモリアレイのワード線およびワード線ドライバの少なくとも一部のインピーダンスとほぼ等しいモデルワード線回路で、検知基準電圧を受信するステップと、
前記モデルワード線回路を介してモデルセル電流を与えるステップと、
前記モデルワード線回路を流れる前記モデルセル電流に基づいた電圧を加えた前記検知基準電圧に基づいて、前記検知基準電圧を調整するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 検知回路の増幅器のゲインに基づいて前記モデルワード線回路のインピーダンスを調整するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項24に記載の方法。
- 前記モデルワード線回路の前記インピーダンスを調整するステップは、フォロワ回路の電流調整器を制御するステップを含むことを特徴とする、請求項25に記載の方法。
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