JP6068957B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Description
本実施の形態では、半導体装置の一形態について、図1、図2、及び図9を参照して説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として、酸化物半導体膜を有するトランジスタを示す。
本実施の形態では、図1に示すトランジスタ410を有する半導体装置の作製方法の一例について、図3を参照して説明する。
本実施の形態では、半導体装置の他の一形態について、図4及び図5を参照して説明する。なお、上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び同様な作製工程については、繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、半導体装置の他の一形態について、図6及び図7を参照して説明する。なお、上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分については、繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、図6に示すトランジスタ450を有する半導体装置の作製方法の一例について、図8を参照して説明する。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図10を参照して説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として、酸化物半導体膜を有するトランジスタを示す。
本実施の形態では、図10に示すトランジスタ110を有する半導体装置の作製方法の一例について、図11及び図12を参照して説明する。
本実施の形態では、半導体装置の他の一形態について、図13を参照して説明する。なお、上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分については、繰り返しの説明は省略する。また、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、図13に示すトランジスタ120を有する半導体装置の作製方法の一例について、図14を参照して説明する。なお、実施の形態7に示すトランジスタ110の作製方法と異なる点は、絶縁膜121、ソース電極層116a、ドレイン電極層116bの形成方法である。したがって、実施の形態7と同様な工程の詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、半導体装置の他の一形態について、図15を参照して説明する。なお、上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分については、繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、図16に示すトランジスタ140を有する半導体装置の作製方法の一例について、図17を参照して説明する。なお、実施の形態7と同様な工程の詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、先の実施の形態のいずれかに示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部又は全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
実施の形態1又は実施の形態2に示したトランジスタを用いて、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置を作製することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様に係るトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置の一例を、図面を用いて説明する。
本実施の形態においては、実施の形態6に示すトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置について、実施の形態14に示した構成と異なる構成について、図23及び図24を用いて説明を行う。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した半導体装置を携帯電話、スマートフォン、電子書籍などの携帯機器に応用した場合の例を図25乃至図28を用いて説明する。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機(パチンコ機、スロットマシン等)、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機器の具体例を図29に示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。
101 絶縁膜
102 酸化物半導体膜
103 酸化物半導体膜
104 絶縁膜
105 ゲート電極層
106 絶縁膜
107a 領域
107b 領域
108 チャネル形成領域
109a サイドウォール絶縁膜
109b サイドウォール絶縁膜
110 トランジスタ
111 ゲート絶縁膜
112 金属酸化物膜
112a 金属酸化物膜
112b 金属酸化物膜
113 導電膜
113a 導電膜
113b 導電膜
114 金属膜
114a 金属膜
114b 金属膜
115 層間絶縁膜
116a ソース電極層
116b ドレイン電極層
117 絶縁膜
118 絶縁膜
119a 配線層
119b 配線層
120 トランジスタ
121 絶縁膜
122 電極層
130 トランジスタ
140 トランジスタ
200 基板
206 素子分離絶縁膜
208 ゲート絶縁膜
209 ゲート電極層
210 トランジスタ
216 チャネル形成領域
220a 不純物領域
220b 不純物領域
224a 金属間化合物領域
224b 金属間化合物領域
228 絶縁膜
230 絶縁膜
301a メモリセルアレイ
301b メモリセルアレイ
310 メモリセルアレイ
320 周辺回路
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁膜
403 酸化物半導体膜
404 金属酸化物膜
404a 金属酸化物膜
404b 金属酸化物膜
405 導電膜
405a 導電膜
405b 導電膜
406 金属膜
406a 金属膜
406b 金属膜
407a ソース電極層
407b ドレイン電極層
408 絶縁膜
409 平坦化絶縁膜
410 トランジスタ
411 絶縁膜
413 酸化物半導体膜
415a 導電膜
415b 導電膜
417a ソース電極層
417b ドレイン電極層
420 トランジスタ
421 絶縁膜
422 電極層
430 トランジスタ
440 トランジスタ
450 トランジスタ
460 トランジスタ
500 基板
502 ゲート絶縁膜
504 層間絶縁膜
505 カラーフィルタ層
506 絶縁膜
507 隔壁
510 トランジスタ
511a ゲート電極層
511b ゲート電極層
512 酸化物半導体膜
513a 導電層
513b 導電層
514 メモリセル
520 容量素子
521a 導電層
521b 導電層
522 酸化物半導体膜
523 導電層
530 配線層交差部
533 導電層
540 発光素子
541 電極層
542 電界発光層
543 電極層
550 トランジスタ
551 容量素子
560 トランジスタ
561 容量素子
562 メモリセル
570 トランジスタ
571 容量素子
601 基板
602 フォトダイオード
606a 半導体膜
606b 半導体膜
606c 半導体膜
608 接着層
613 基板
631 絶縁膜
633 層間絶縁膜
634 層間絶縁膜
640 トランジスタ
641a 電極層
641b 電極層
642 電極層
643 導電層
645 導電層
656 トランジスタ
658 フォトダイオードリセット信号線
659 ゲート信号線
671 フォトセンサ出力信号線
672 フォトセンサ基準信号線
700 基板
702 絶縁膜
704 ゲート電極層
706 酸化物半導体膜
712 ゲート絶縁膜
716 電極層
718 保護絶縁膜
801 トランジスタ
803 トランジスタ
804 トランジスタ
805 トランジスタ
806 トランジスタ
807 Xデコーダー
808 Yデコーダー
811 トランジスタ
812 保持容量
813 Xデコーダー
814 Yデコーダー
901 RF回路
902 アナログベースバンド回路
903 デジタルベースバンド回路
904 バッテリー
905 電源回路
906 アプリケーションプロセッサ
907 CPU
908 DSP
909 インターフェイス
910 フラッシュメモリ
911 ディスプレイコントローラ
912 メモリ回路
913 ディスプレイ
914 表示部
915 ソースドライバ
916 ゲートドライバ
917 音声回路
918 キーボード
919 タッチセンサ
950 メモリ回路
951 メモリコントローラ
952 メモリ
953 メモリ
954 スイッチ
955 スイッチ
956 ディスプレイコントローラ
957 ディスプレイ
1001 バッテリー
1002 電源回路
1003 マイクロプロセッサ
1004 フラッシュメモリ
1005 音声回路
1006 キーボード
1007 メモリ回路
1008 タッチパネル
1009 ディスプレイ
1010 ディスプレイコントローラ
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカー
2800 筐体
2801 ボタン
2802 マイクロフォン
2803 表示部
2804 スピーカー
2805 カメラ用レンズ
2806 外部接続端子
3001 本体
3002 筐体
3003 表示部
3004 キーボード
3021 本体
3022 スタイラス
3023 表示部
3024 操作ボタン
3025 外部インターフェイス
3051 本体
3053 接眼部
3054 操作スイッチ
3056 バッテリー
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁膜
4021 絶縁膜
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁膜
4033 絶縁膜
4035 スペーサ
4040 トランジスタ
4510 隔壁
4511 電界発光層
4513 発光素子
4514 充填材
9000 テーブル
9001 筐体
9002 脚部
9003 表示部
9004 表示ボタン
9005 電源コード
9033 具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9038 操作スイッチ
9100 テレビジョン装置
9101 筐体
9103 表示部
9105 スタンド
9107 表示部
9109 操作キー
9110 リモコン操作機
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a 領域
9632b 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 ボタン
Claims (5)
- 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接して設けられた、ソース電極層と、
前記酸化物半導体膜と接して設けられた、ドレイン電極層と、
前記酸化物半導体膜と重なる、ゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極層との間に設けられた、ゲート絶縁膜と、を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、それぞれ、前記酸化物半導体膜に含まれるいずれの金属元素よりも耐酸化性を有する金属を有する第1の領域と、前記金属の酸化物を有する第2の領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第1の領域において、前記ソース電極層及びドレイン電極層とそれぞれ接することを特徴とする半導体装置。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接して設けられた、ソース電極層と、
前記酸化物半導体膜と接して設けられた、ドレイン電極層と、
前記酸化物半導体膜と重なる、ゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極層との間に設けられた、ゲート絶縁膜と、を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、それぞれ、前記酸化物半導体膜から酸素を引き抜くことのない金属を有する第1の領域と、前記金属の酸化物を有する第2の領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第1の領域において、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とそれぞれ接することを特徴とする半導体装置。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接して設けられた、ソース電極層と、
前記酸化物半導体膜と接して設けられた、ドレイン電極層と、
前記酸化物半導体膜と重なる、ゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極層との間に設けられた、ゲート絶縁膜と、を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、前記酸化物半導体膜に含まれるいずれの金属元素のギブズ自由エネルギーよりもギブズ自由エネルギーが高い金属を有する第1の領域と、前記金属の酸化物を有する第2の領域とを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第1の領域において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、それぞれ接することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、それぞれ、前記第1の領域に、銅、銀、ルテニウム、又はイリジウムを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、それぞれ、前記酸化物半導体膜と接しない部分に、金、白金、銅、銀、ルテニウム、イリジウム、チタン、タングステン、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン、又は窒化タンタルを有することを特徴とする半導体装置。
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US9904086B2 (en) * | 2014-05-05 | 2018-02-27 | Lensvector Inc. | Tunable liquid crystal optical device |
JP6912200B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2021-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置および携帯電話 |
WO2016097936A1 (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、表示モジュールおよび電子機器 |
KR102305495B1 (ko) | 2015-01-07 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법 |
DE112016002769T5 (de) * | 2015-06-19 | 2018-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronisches Gerät |
WO2017064587A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel |
US10916430B2 (en) | 2016-07-25 | 2021-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20180071538A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치 |
CN106952827A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-07-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板 |
CN107146816B (zh) * | 2017-04-10 | 2020-05-15 | 华南理工大学 | 一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管 |
US10340391B2 (en) * | 2017-06-29 | 2019-07-02 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
CN111095567A (zh) | 2017-08-31 | 2020-05-01 | 美光科技公司 | 半导体装置、混合晶体管和相关方法 |
EP3676877A4 (en) * | 2017-08-31 | 2021-09-01 | Micron Technology, Inc. | SEMICONDUCTOR COMPONENTS, TRANSISTORS AND ASSOCIATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
JP7229669B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2023-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
KR102545141B1 (ko) | 2017-12-01 | 2023-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
KR102173434B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2020-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP7199174B2 (ja) * | 2018-07-26 | 2023-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
KR20200138522A (ko) | 2019-05-30 | 2020-12-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
KR102231372B1 (ko) * | 2019-08-21 | 2021-03-25 | 충북대학교 산학협력단 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
US11521543B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-12-06 | Meta Platforms Technologies, Llc | Macro-pixel display backplane |
KR102395180B1 (ko) * | 2020-01-08 | 2022-05-06 | 충북대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 광 센서 및 이의 제조방법 |
WO2024004128A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (146)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3298974B2 (ja) | 1993-03-23 | 2002-07-08 | 電子科学株式会社 | 昇温脱離ガス分析装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3969959B2 (ja) | 2001-02-28 | 2007-09-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 透明酸化物積層膜及び透明酸化物p−n接合ダイオードの作製方法 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
US6912163B2 (en) | 2003-01-14 | 2005-06-28 | Fasl, Llc | Memory device having high work function gate and method of erasing same |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
AU2005302963B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-07-02 | Cannon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CA2708337A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
KR100911698B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-08-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI390735B (zh) | 2005-01-28 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101168729B1 (ko) | 2005-08-16 | 2012-07-26 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP4793679B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2011-10-12 | 富士電機株式会社 | 薄膜トランジスタ |
KR101358954B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2008091555A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
TWI396464B (zh) | 2007-01-22 | 2013-05-11 | Innolux Corp | 有機電致發光顯示裝置及其製作方法 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP5121254B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
KR101453829B1 (ko) * | 2007-03-23 | 2014-10-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
JP2008270313A (ja) | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶素子 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP5305730B2 (ja) | 2008-05-12 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の製造方法ならびにその製造装置 |
JP2009280834A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Ulvac Japan Ltd | ターゲット、配線膜形成方法、薄膜トランジスタの製造方法 |
EP2312620A4 (en) | 2008-08-04 | 2013-12-25 | Panasonic Corp | FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
TWI424506B (zh) | 2008-08-08 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
KR20100027828A (ko) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5552753B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-07-16 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010109145A (ja) | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体薄膜、半導体薄膜の形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタと薄膜トランジスタの製造方法 |
TWI476915B (zh) | 2008-12-25 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101552975B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2015-09-15 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP5760298B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2015-08-05 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器 |
JP2011014796A (ja) | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置 |
TWI596741B (zh) * | 2009-08-07 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
KR20120068772A (ko) | 2009-09-16 | 2012-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102007134B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2019-08-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
KR101082174B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2011-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
WO2011065243A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102241766B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2021-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20120103676A (ko) * | 2009-12-04 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101511076B1 (ko) | 2009-12-08 | 2015-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
BR112012013851A2 (pt) | 2009-12-09 | 2019-09-24 | Sharp Kk | dispositivo semicondutor e método para produzir o mesmo |
KR101035357B1 (ko) | 2009-12-15 | 2011-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자 |
WO2011074409A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8759917B2 (en) * | 2010-01-04 | 2014-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin-film transistor having etch stop multi-layer and method of manufacturing the same |
JP2011159908A (ja) | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
JP5559567B2 (ja) | 2010-02-24 | 2014-07-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP5520084B2 (ja) | 2010-03-03 | 2014-06-11 | 富士フイルム株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
KR20130008037A (ko) * | 2010-03-05 | 2013-01-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
KR101280649B1 (ko) * | 2010-03-11 | 2013-07-01 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5479188B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子装置 |
WO2011129227A1 (ja) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | シャープ株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置 |
KR20130055607A (ko) * | 2010-04-23 | 2013-05-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011142467A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5527225B2 (ja) | 2011-01-14 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR101506303B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102072244B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
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