JP6058591B2 - 積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の実装基板 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 185
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 17
- 230000005534 acoustic noise Effects 0.000 claims description 41
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 53
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
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- Power Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Description
図1は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの一部を切開して概略的に示した斜視図であり、図2aは図1の積層セラミックキャパシタを幅方向に切断して示した幅−厚さ断面図である。
図3は図1の積層セラミックキャパシタが印刷回路基板に実装された様子を示した斜視図である。
本実験例は、積層セラミックキャパシタにおいて、上記セラミック本体の厚さ方向の上部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM1、上記セラミック本体の厚さ方向の下部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM2とするときのM2/M1の値によるアコースティックノイズ及び容量具現有無を試すために行われた。
10 セラミック本体
11 誘電体層
21、22 第1及び第2内部電極
31、32 第1及び第2外部電極
41、42 第1及び第2サイドマージン部
200 実装基板
210 印刷回路基板
221、222 第1及び第2電極パッド
230 半田付け
Claims (18)
- 誘電体層を含み、幅をW及び厚さをTとするとき、T/W>1.0を満たすセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向するように積層される第1及び第2内部電極と、を含み、
前記セラミック本体の厚さの1/2の地点を基準に、前記セラミック本体の厚さ方向の上部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM1、前記セラミック本体の厚さ方向の下部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM2とするとき、0.85≦M2/M1≦0.97を満たす、積層セラミック電子部品。 - 前記第1及び第2内部電極のうち最大幅の内部電極の両端部からセラミック本体の第1及び第2側面までの距離をそれぞれb1及びb2、前記第1及び第2内部電極のうち最小幅の内部電極の両端部からセラミック本体の第1及び第2側面までの距離をそれぞれa1及びa2とするとき、0.70≦(b1+b2)/(a1+a2)≦0.93を満たす、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極の幅は次第に減少する、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極の幅は前記厚さ方向の上部で一定に形成され、前記厚さ方向の下部で次第に減少する、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極の幅は段差を有して減少する、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極の幅は前記厚さ方向の上部で一定に形成され、前記厚さ方向の下部で段差を有して減少する、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極の幅は、前記セラミック本体の厚さ方向の上部及び前記厚さ方向の上部と隣接する厚さ方向の下部の一部領域で一定に形成され、前記厚さ方向の下部の残り領域で減少する、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック本体の幅をW、厚さをTとするとき、1.2≦T/W≦3.0を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック本体は、前記セラミック本体の上下部を識別することができる識別部を含む、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記識別部はNi、Mn、Cr及びVから選択された一つ以上の金属が添加された誘電体層を含む、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記識別部はレーザーマーキングの跡である、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記誘電体層の積層数は500層以上であることを特徴とする、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極は前記セラミック本体の厚さ方向に積層される、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 誘電体層を含み、幅をW及び厚さをTとするとき、T/W>1.0を満たし、幅方向に対向する第1側面及び第2側面を有するセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向するように積層される第1及び第2内部電極と、
前記セラミック本体の第1及び第2内部電極の幅方向の一端と第1側面の間に形成され、下部に第1アコースティックノイズ低減部を含む第1サイドマージン部と、
前記第1及び第2内部電極の幅方向の他端と第2側面の間に配置され、下部に第2アコースティックノイズ低減部を含む第2サイドマージン部と、を含み、
前記セラミック本体の厚さの1/2の地点を基準に、前記セラミック本体の厚さ方向の上部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM1、前記セラミック本体の厚さ方向の下部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM2とするとき、0.85≦M2/M1≦0.97を満たす、積層セラミック電子部品。 - 前記第1及び第2内部電極のうち最大幅の内部電極の両端部からセラミック本体の第1及び第2側面までの距離をそれぞれb1及びb2、前記第1及び第2内部電極のうち最小幅の内部電極の両端部からセラミック本体の第1及び第2側面までの距離をそれぞれa1及びa2とするとき、0.70≦(b1+b2)/(a1+a2)≦0.93を満たす、請求項14に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極の幅は次第に減少する、請求項14に記載の積層セラミック電子部品。
- 上部に第1及び第2電極パッドを有する印刷回路基板と、
前記印刷回路基板に実装される積層セラミック電子部品と、を含み、
前記積層セラミック電子部品は、誘電体層を含み、幅をW及び厚さをTとするとき、T/W>1.0を満たすセラミック本体及び前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向するように積層される第1及び第2内部電極を含み、前記セラミック本体の厚さの1/2の地点を基準に、前記セラミック本体の厚さ方向の上部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM1、前記セラミック本体の厚さ方向の下部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM2とするとき、0.85≦M2/M1≦0.97を満たす積層セラミック電子部品の実装基板。 - 上部に第1及び第2電極パッドを有する印刷回路基板と、
前記印刷回路基板に実装される積層セラミック電子部品と、を含み、
前記積層セラミック電子部品は、誘電体層を含み、幅をW及び厚さをTとするとき、T/W>1.0を満たし、幅方向に対向する第1側面及び第2側面を有するセラミック本体と、前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向するように積層される第1及び第2内部電極と、前記セラミック本体の第1及び第2内部電極の幅方向の一端と第1側面の間に形成され、下部に第1アコースティックノイズ低減部を含む第1サイドマージン部及び前記第1及び第2内部電極の幅方向の他端と第2側面の間に配置され、下部に第2アコースティックノイズ低減部を含む第2サイドマージン部と、を含み、
前記セラミック本体の厚さの1/2の地点を基準に、前記セラミック本体の厚さ方向の上部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM1、前記セラミック本体の厚さ方向の下部に積層された第1及び第2内部電極の平均幅をM2とするとき、0.85≦M2/M1≦0.97を満たす、積層セラミック電子部品の実装基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0111706 | 2013-09-17 | ||
KR1020130111706A KR101532141B1 (ko) | 2013-09-17 | 2013-09-17 | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 실장 기판 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015061074A JP2015061074A (ja) | 2015-03-30 |
JP6058591B2 true JP6058591B2 (ja) | 2017-01-11 |
Family
ID=51063379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014135703A Active JP6058591B2 (ja) | 2013-09-17 | 2014-07-01 | 積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の実装基板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9595386B2 (ja) |
EP (1) | EP2860742A3 (ja) |
JP (1) | JP6058591B2 (ja) |
KR (1) | KR101532141B1 (ja) |
CN (1) | CN104465085B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6665438B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2020-03-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP6522549B2 (ja) * | 2016-06-07 | 2019-05-29 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2018006627A (ja) | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
JP6939187B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-09-22 | Tdk株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
JP7122818B2 (ja) | 2017-11-30 | 2022-08-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP2020031152A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品実装基板及び積層セラミック電子部品包装体並びに積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP7178886B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2022-11-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及び実装基板 |
KR20200075287A (ko) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
JP7374594B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2023-11-07 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板、セラミック電子部品の包装体、およびセラミック電子部品の製造方法 |
JP2021027087A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及び部品実装基板 |
JP7488045B2 (ja) * | 2019-11-27 | 2024-05-21 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP7492306B2 (ja) * | 2020-05-22 | 2024-05-29 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04329615A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Nec Corp | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JPH09260184A (ja) | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JPH11297566A (ja) | 1998-04-07 | 1999-10-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2000124057A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Tdk Corp | 積層型セラミックコンデンサ |
JP2004022859A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
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JP2007103496A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tdk Corp | コンデンサおよび基板アセンブリ |
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JP5800408B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2015-10-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2009200168A (ja) | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tdk Corp | セラミック電子部品、セラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品の梱包方法 |
KR101079408B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
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JP4941585B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-30 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品、セラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品の梱包方法 |
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JP5770539B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2015-08-26 | Tdk株式会社 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
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JP5899699B2 (ja) | 2011-08-10 | 2016-04-06 | Tdk株式会社 | 積層型コンデンサ |
KR101300359B1 (ko) | 2011-11-02 | 2013-08-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
JP2013115425A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-09-17 KR KR1020130111706A patent/KR101532141B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-07-01 JP JP2014135703A patent/JP6058591B2/ja active Active
- 2014-07-01 US US14/321,305 patent/US9595386B2/en active Active
- 2014-07-04 EP EP14275146.0A patent/EP2860742A3/en not_active Withdrawn
- 2014-07-10 CN CN201410326571.4A patent/CN104465085B/zh active Active
-
2016
- 2016-12-22 US US15/388,140 patent/US9875850B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2860742A3 (en) | 2015-06-10 |
EP2860742A2 (en) | 2015-04-15 |
CN104465085A (zh) | 2015-03-25 |
CN104465085B (zh) | 2017-09-29 |
KR20150031907A (ko) | 2015-03-25 |
US20170103855A1 (en) | 2017-04-13 |
KR101532141B1 (ko) | 2015-06-26 |
US9595386B2 (en) | 2017-03-14 |
JP2015061074A (ja) | 2015-03-30 |
US9875850B2 (en) | 2018-01-23 |
US20150075854A1 (en) | 2015-03-19 |
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