JP6047566B2 - ウェハ検査 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 82
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 206
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 147
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 84
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 328
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000005919 time-dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Description
本願は、2011年7月12日出願の「Sample Inspection System」という名称の米国仮出願第61/506,892号に対して優先権を主張し、同出願は、本明細書中に完全に記載されているかの如く参照により援用される。
Claims (26)
- ウェハを検査するように構成されたシステムであって、
複数のパルス状光ビームの第1のパルス状光ビームを、前記ウェハ上のエリアに、照明サブシステムによって前記エリアに導かれる前記複数のパルス状光ビームの第2のパルス状光ビームより時間的に早く導くように構成された照明サブシステムであって、前記複数のパルス状光ビームの前記第1のパルス状光ビームおよび前記第2のパルス状光ビームは前記ウェハ上で互いに異なる形状およびサイズを有し、前記複数のパルス状光ビームの前記第1のパルス状光ビームおよび前記第2のパルス状光ビームは、互いに異なる波長、互いに異なる偏光、または、互いに異なる波長と偏光を有する、照明サブシステムと、
前記ウェハ内で前記複数のパルス状光ビームをスキャンするように構成されたスキャンサブシステムと、
前記ウェハ上の前記エリアから1以上のセンサに散乱する光を結像するように構成された収集サブシステムであって、前記1以上のセンサは、前記散乱光に対する出力を生成する、収集サブシステムと、
前記1以上のセンサの前記出力を使用して前記ウェハ上の欠陥を検出し、前記複数のパルス状光ビームの前記第1のパルス状光ビームによる照明に起因する前記エリアからの前記散乱光に対する前記出力を使用して、前記エリアに導かれるべき前記複数のパルス状光ビームの前記第2のパルス状光ビームのパワーを決定するように構成されたコンピュータサブシステムとを備え、
前記照明サブシステムは、周波数変換レーザを備え、前記ウェハ上の前記エリアに導かれる前記複数のパルス状光ビームは、前記複数のパルス状光ビームの継続時間にわたって空間的に変動せず、前記複数のパルス状光ビームの継続時間にわたって実質的に一定の強度を有するシステム。 - 前記照明サブシステムは、モードロック式レーザを備える請求項1に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、Qスイッチ式レーザを備え、前記コンピュータサブシステムは、前記決定されたパワーに基づいて前記Qスイッチ式レーザのパワーを減衰させる請求項1に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、Qスイッチ式レーザを備え、前記決定されたパワーがゼロである場合、前記コンピュータサブシステムは、前記Qスイッチ式レーザが、前記エリアを照明することになる前記複数のパルス状光ビームの前記第2のパルス状光ビームを生成することを防止する請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピュータサブシステムは、前記エリアに実際に導かれる前記複数のパルス状光ビームの前記第2のパルス状光ビームのパワーを監視し、前記エリアに導かれる前記パワーに基づいてシステムの1以上のパラメータを変更して、前記エリアに実際に導かれる前記複数のパルス状光ビームの前記第2のパルス状光ビームの前記パワーを正規化するようにさらに構成される請求項1に記載のシステム。
- 前記ウェハ上の前記エリアからセンサに散乱し前記収集サブシステムによって結像された光が、前記ウェハ上の前記エリアから散乱した光のパルスを含み、前記1以上のセンサが、前記1以上のセンサの全エリア上に結像されうる前記散乱光のパルスの数より少ない数の前記散乱光のパルスを積分するように構成され、前記1以上のセンサが、前記積分された散乱光のパルスに対する出力を生成するように構成される請求項1に記載のシステム。
- 前記スキャンサブシステムは、前記ウェハを回転させ並進させることによって前記ウェハ内で前記光のパルスを同時にスキャンするようにさらに構成され、前記1以上のセンサは、ピクセルの1以上の長方形アレイを備える請求項6に記載のシステム。
- 前記1以上のセンサによって積分される前記ある数のパルスは、前記散乱光の1つのパルスであり、前記1以上のセンサは、前記散乱光の前記1つのパルスの継続時間の間、積分し、次に、前記散乱光の前記1つのパルスに対する任意の電荷を前記1以上のセンサから転送する請求項6に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムは、前記散乱光のパルスの1つのパルス内の前記散乱光の全てを、前記1以上のセンサの1つのピクセルだけに結像するように構成された1以上のアナモルフィック光学素子を備える請求項6に記載のシステム。
- 前記1以上のセンサは、前記散乱光のパルスの継続時間の間、一方向に積分し、前記散乱光の前記パルスに対する任意の電荷を前記1以上のセンサから双方向に転送する請求項6に記載のシステム。
- 前記1以上のセンサは、蛍光輝度増倍管およびエリアセンサを備え、前記1以上のセンサは、前記散乱光のパルスの継続時間の間でかつ前記散乱光の前記パルスに対応する前記蛍光輝度増倍管の全ての蛍光エネルギーが完全に減衰するまで積分する請求項6に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムの収集開口数の異なるセグメントで収集される前記散乱光の前記パルスを分離するように構成された光学素子をさらに備え、前記1以上のセンサは、前記異なるセグメントの1つのセグメントを検出するようにさらに構成された1つのセンサと、前記異なるセグメントの別のセグメントを検出するように構成された別のセンサと、をさらに備える請求項6に記載のシステム。
- 前記1つのセンサによって検出される前記異なるセグメントの前記1つのセグメントおよび前記他のセンサによって検出される前記異なるセグメントの前記他のセグメントに応じて、前記光学素子を変更または置換するようにさらに構成される請求項12に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムの収集開口数の異なるセグメントで収集される前記散乱光の前記パルスを分離するように構成された光学素子をさらに備え、前記1以上のセンサは、前記1以上のセンサの1つの部分を使用して前記異なるセグメントの1つのセグメントを検出し、前記1以上のセンサの異なる部分を使用して前記異なるセグメントの別のセグメントを検出するようにさらに構成され、前記1以上のセンサの前記1つの部分および前記他の部分は、互いに重なり合わず、前記1以上のセンサ上で隣接しない請求項6に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムは、完全には回折制限されない解像度を有する散乱光コレクタを備える請求項6に記載のシステム。
- 蛍光輝度増倍管を含むさらなるセンサをさらに備え、前記収集サブシステムは、前記ウェハ上の前記エリアから前記さらなるセンサに散乱する前記光のパルスを結像するようにさらに構成され、前記さらなるセンサは、前記散乱光のパルスに対するさらなる出力を生成し、前記コンピュータサブシステムは、前記1以上のセンサにおいてセンサ電子雑音が合計チャネル雑音で優勢となる場合、前記出力の代わりに前記さらなる出力を使用して、前記ウェハ上の欠陥を検出するようにさらに構成される請求項6に記載のシステム。
- 光子計数のために構成されるさらなるセンサをさらに備え、前記収集サブシステムは、前記ウェハ上の前記エリアから前記さらなるセンサに散乱する前記光のパルスを結像するようにさらに構成され、前記さらなるセンサは、前記散乱光のパルスに対するさらなる出力を生成し、前記コンピュータサブシステムは、前記さらなる出力を使用して、前記ウェハ上の欠陥を検出するようにさらに構成される請求項6に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、前記レーザに結合したビーム整形光学素子をさらに備える請求項1に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムと前記1以上のセンサとの間に配置された微小電気機械システムベースの光スイッチングデバイスをさらに備える請求項6に記載のシステム。
- 少なくとも1つのさらなるセンサをさらに備え、前記光スイッチングデバイスは、前記複数の光のパルスの第1の光のパルスによって生成される前記散乱光のパルスの第1の散乱光のパルスを前記1以上のセンサに、そして、前記複数の光のパルスの前記第1の光のパルスに続いて、前記複数の光のパルスの第2の光のパルスによって生成される前記散乱光のパルスの第2の散乱光のパルスを前記少なくとも1つのさらなるセンサに導くように構成されている請求項19に記載のシステム。
- 前記光スイッチングデバイスは、前記収集サブシステムの収集開口数の異なるセグメントで収集される前記散乱光のパルスを分離するように構成され、前記光スイッチングデバイスは、前記複数の光のパルスの第1の光のパルスによって生成される前記散乱光の前記異なるセグメントの1つのセグメントだけを前記1以上のセンサに導き、次に、前記第1の光のパルスに続いて、前記複数の光のパルスの第2の光のパルスによって生成される前記散乱光の前記異なるセグメントの別の1つのセグメントだけを前記1以上のセンサに導くように構成されている請求項19に記載のシステム。
- 前記1以上のセンサは、前記複数の光のパルスに対して時間的に同期して、所定到達時間を有する前記散乱光のパルスだけを検出する請求項6に記載のシステム。
- 所定到達時間を有する前記散乱光のパルスは、蛍光または光ルミネセンスを含む請求項22に記載のシステム。
- 前記スキャンサブシステムは、前記ウェハを回転させることによって前記ウェハ内で前記複数の光のパルスをスキャンするようにさらに構成され、前記複数の光のパルスが前記ウェハの中心領域を横切ってスキャンされるとき、前記照明サブシステムは、前記複数の光のパルスが前記中心領域を外れて前記ウェハ内でスキャンされるときに比べてより頻繁でなく前記ウェハ上の前記エリアに前記複数の光のパルスを導くようにさらに構成される請求項6に記載のシステム。
- 前記スキャンサブシステムは、前記ウェハを回転させ並進させることによって前記ウェハ内で前記複数の光のパルスをスキャンするようにさらに構成され、前記1以上のセンサはエリアセンサを備え、前記複数の光のパルスが前記ウェハの中心領域を横切ってスキャンされるときに、前記スキャンサブシステムは、前記ウェハ内で前記複数の光のパルスを1以上の非湾曲直線でスキャンし、前記複数の光のパルスが前記中心領域を外れて前記ウェハ内でスキャンされるとき、前記スキャンサブシステムは、前記ウェハ内で前記複数の光のパルスをスパイラル式にスキャンする請求項6に記載のシステム。
- ウェハを検査する方法であって、
複数のパルス状光ビームの第1のパルス状光ビームを、前記ウェハ上のエリアに、前記エリアに導かれる前記複数のパルス状光ビームの第2のパルス状光ビームより時間的に早く導くステップであって、前記複数のパルス状光ビームの前記第1のパルス状光ビームおよび前記第2のパルス状光ビームは前記ウェハ上で互いに異なる形状およびサイズを有し、前記複数のパルス状光ビームの前記第1のパルス状光ビームおよび前記第2のパルス状光ビームは、互いに異なる波長、互いに異なる偏光、または、互いに異なる波長と偏光を有する、ステップと、
前記ウェハ内で前記複数のパルス状光ビームをスキャンするステップと、
前記ウェハ上の前記エリアから1以上のセンサに散乱する光を結像するステップであって、前記1以上のセンサは、前記散乱光に対する出力を生成する、ステップと、
前記1以上のセンサの前記出力を使用して前記ウェハ上の欠陥を検出し、前記複数のパルス状光ビームの前記第1のパルス状光ビームによる照明に起因する前記エリアからの前記散乱光に対する前記出力を使用して、前記エリアに導かれるべき前記複数のパルス状光ビームの前記第2のパルス状光ビームのパワーを決定するステップと、を備え、前記ウェハ上の前記エリアに導かれる前記複数のパルス状光ビームは、前記複数のパルス状光ビームの継続時間にわたって空間的に変動せず、前記複数のパルス状光ビームの継続時間にわたって実質的に一定の強度を有する方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161506892P | 2011-07-12 | 2011-07-12 | |
US61/506,892 | 2011-07-12 | ||
US13/544,954 US9279774B2 (en) | 2011-07-12 | 2012-07-09 | Wafer inspection |
US13/544,954 | 2012-07-09 | ||
PCT/US2012/046084 WO2013009757A1 (en) | 2011-07-12 | 2012-07-10 | Wafer inspection |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016225870A Division JP6562420B2 (ja) | 2011-07-12 | 2016-11-21 | ウェハ検査システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014524033A JP2014524033A (ja) | 2014-09-18 |
JP2014524033A5 JP2014524033A5 (ja) | 2015-08-20 |
JP6047566B2 true JP6047566B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=47506455
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014520252A Active JP6047566B2 (ja) | 2011-07-12 | 2012-07-10 | ウェハ検査 |
JP2016225870A Active JP6562420B2 (ja) | 2011-07-12 | 2016-11-21 | ウェハ検査システム |
JP2019131933A Active JP6876754B2 (ja) | 2011-07-12 | 2019-07-17 | ウェハ検査システム |
JP2021073767A Active JP7210636B2 (ja) | 2011-07-12 | 2021-04-26 | ウェハ検査システム |
JP2023002487A Pending JP2023038254A (ja) | 2011-07-12 | 2023-01-11 | ウェハ検査システム |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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JP2019131933A Active JP6876754B2 (ja) | 2011-07-12 | 2019-07-17 | ウェハ検査システム |
JP2021073767A Active JP7210636B2 (ja) | 2011-07-12 | 2021-04-26 | ウェハ検査システム |
JP2023002487A Pending JP2023038254A (ja) | 2011-07-12 | 2023-01-11 | ウェハ検査システム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9279774B2 (ja) |
EP (1) | EP2732272B1 (ja) |
JP (5) | JP6047566B2 (ja) |
KR (5) | KR102305382B1 (ja) |
CN (5) | CN107064168B (ja) |
TW (5) | TWI576578B (ja) |
WO (1) | WO2013009757A1 (ja) |
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2012
- 2012-07-09 US US13/544,954 patent/US9279774B2/en active Active
- 2012-07-10 CN CN201710053385.1A patent/CN107064168B/zh active Active
- 2012-07-10 KR KR1020207032078A patent/KR102305382B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 KR KR1020217029684A patent/KR102362657B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 CN CN201280040556.2A patent/CN103748454B/zh active Active
- 2012-07-10 CN CN202210968490.9A patent/CN115343310A/zh active Pending
- 2012-07-10 KR KR1020197023408A patent/KR102136959B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 EP EP12811849.4A patent/EP2732272B1/en active Active
- 2012-07-10 KR KR1020147003649A patent/KR102011530B1/ko active Application Filing
- 2012-07-10 WO PCT/US2012/046084 patent/WO2013009757A1/en active Application Filing
- 2012-07-10 CN CN202010984361.XA patent/CN112113977B/zh active Active
- 2012-07-10 CN CN201710053384.7A patent/CN107064167B/zh active Active
- 2012-07-10 KR KR1020207013836A patent/KR102178205B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 JP JP2014520252A patent/JP6047566B2/ja active Active
- 2012-07-12 TW TW101125189A patent/TWI576578B/zh active
- 2012-07-12 TW TW110114394A patent/TWI793578B/zh active
- 2012-07-12 TW TW108116305A patent/TWI727318B/zh active
- 2012-07-12 TW TW105141093A patent/TWI606236B/zh active
- 2012-07-12 TW TW106134700A patent/TWI662274B/zh active
-
2015
- 2015-08-27 US US14/838,194 patent/US9915622B2/en active Active
-
2016
- 2016-11-21 JP JP2016225870A patent/JP6562420B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-29 US US15/882,946 patent/US10488348B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-17 JP JP2019131933A patent/JP6876754B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-26 JP JP2021073767A patent/JP7210636B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-11 JP JP2023002487A patent/JP2023038254A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150629 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |