JPH0518901A - ウエーハ表面検査装置 - Google Patents

ウエーハ表面検査装置

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JPH0518901A
JPH0518901A JP3173899A JP17389991A JPH0518901A JP H0518901 A JPH0518901 A JP H0518901A JP 3173899 A JP3173899 A JP 3173899A JP 17389991 A JP17389991 A JP 17389991A JP H0518901 A JPH0518901 A JP H0518901A
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JP
Japan
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foreign matter
wafer
laser
foreign
matter
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JP3173899A
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Yoshihiko Saito
藤 芳 彦 斉
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 異物の大きさやその位置を検出するばかりで
なく、その異物がエピタキシャル工程で発生したものか
どうかも判定可能とする。 【構成】 ウェーハ表面に第1のレーザ光を照射する第
1のレーザー照射手段1と、第1のレーザ光をウェーハ
表面に照射したことによるウェーハ表面からの散乱光に
基づいてウェーハ表面上の異物の大きさ及び位置を検出
する異物検出手段3,4と、検出された異物に対して第
1のレーザ光とは異なる第2のレーザ光をパレスとして
照射する第2のレーザ照射手段5と、第2のレーザ光を
照射したことにより誘起される、異物からの散乱光に基
づいて異物を同定する異物同定手段6,7とを備えてい
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの表
面を検査するウェーハ表面検査装置に関するもので、特
にエピタキシャルウェーハ上の異物を検出するのに用い
られる。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェーハの表面欠陥を検査する装
置は使用する光源の種類により、高輝度平行光線を用い
るものと、レーザ光を用いるものに大別される。前者は
暗視野検査と呼ばれ、光源と検出器とから構成される。
この検査装置においは、光源からの光をウェーハ表面に
照射し、ウェーハ表面の欠陥によって散乱された光が、
検出器であるカメラのレンズに直接に入射しなければ欠
陥が検出されないこと、欠陥の大きさ(サイズ)に関す
る情報が得られぬこと、及び小さな欠陥が大きな欠陥や
パーティクル(粒子)の近傍に存在する場合に欠陥の計
数が不正確になることなどの問題点があった。
【0003】そこで、上記問題点を解決するために、レ
ーザ光を用いた検査装置が使用される。一般にウェーハ
表面の欠陥のサイズや間隔と、光線の波長との相対的関
係によって散乱光の性質が決定されるため、上記レーザ
光を用いた検査装置においては、表面欠陥を複数のカテ
ゴリに予め分類しておき、表面欠陥からの光散乱情報を
電気的に処理して、どのカテゴリに属するかを判定す
る。又、上記検査装置はレーザ光を走査するため、欠陥
が比較的表面の広い範囲に及んでいる場合は直流検出器
の出力に直流(D.C)成分として現れ、微小パーティ
クルの場合はパルス信号として現れる。これらの電気信
号を、校正標準試料の場合の電気信号とを比較し、統計
処理することによって、パーティクルのサイズを測定す
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記レーザ光
を走査する検査装置においては、レーザ走査による試料
からのパルス信号は10-6sec より長いため、検出され
たパーティクル(異物)の構成物質による系の固有の時
間応答特性の情報を含んでいない。このため、検出され
たパーティクルがSi粒子なのか、SiO2 粒子なの、
それとも蛍光性を有している有機物なのか等の区別は、
他の分析方法と組合せなければ不可能であった。又、近
年MOSデバイスへのエピタキシャルウェーハの適用が
検討されているが、エピタキシャルウェーハ上の異物が
エピタキシャル工程中に発生したものか、それともその
後のハンドリング、すなわち出入れや搬入等の工程で発
生したものかの判定は従来の検査装置では不可能であっ
た。
【0005】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、パーティクルの大きさや位置を検出すること
ができるばかりでなく、パーティクルがエピタキシャル
工程で発生したかどうかの判定もできるウェーハ表面検
査装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によるウェーハ表
面検査装置は、ウェーハ表面に第1のレーザ光を照射す
る第1のレーザー照射手段と、前記第1のレーザ光をウ
ェーハ表面に照射したことによるウェーハ表面からの散
乱光に基づいてウェーハ表面上の異物の大きさ及び位置
を検出する異物検出手段と、検出された異物に対して第
1のレーザ光とは異なる第2のレーザ光をパルスとして
照射する第2のレーザ照射手段と、第2のレーザ光を照
射したことにより誘起される、異物からの散乱光に基づ
いて異物を同定する異物同定手段とを備えていることを
特徴とする。
【0007】
【作用】このように構成された本発明のウェーハ表面検
査装置によれば、第1のレーザ光をウェーハ表面に照射
したことによるウェーハ表面からの散乱光に基づいて異
物検出手段によって、ウェーハ表面上の異物の大きさ及
び位置が検出される。この検出された異物に対して第2
のレーザ照射手段によって第2のレーザ光をパルスとし
て照射し、この第2のレーザ光を照射したことにより誘
起される、異物の散乱光に基づいて異物同定手段によっ
て異物が同定される。これにより、異物(パーティク
ル)の大きさやその位置を検出できるばかりでなく、異
物がエピタキシャル工程が発注したものかどうかの判定
も行うことができる。
【0008】
【実施例】本発明によるウェーハ表面検査装置の一実施
例の構成を図1に示す。この実施例のウェーハ表面検査
装置はウェーハ20の表面の検査に用いられ、レーザ照
射手段1と、ウェーハ走査手段2と、検出器3と、異物
径/異物位置決定手段(以下、決定手段ともいう)4
と、パルスレーザ照射手段5と、検出器6と、異物同定
手段7と、制御手段9とを備えている。
【0009】レーザ照射手段1は制御手段9によって制
御され、ウェーハ20の表面にレーザ光を照射する。ウ
ェーハ走査手段2は制御手段9によって制御され、ウェ
ーハ20を前後又は左右に動かして、ウェーハ20を走
査する。検出器3はレーザ照射手段1のレーザ光による
ウェーハ20の表面からの散乱光を検出する。決定手段
4は検出器4及び制御手段9の出力に基づいてウェーハ
20の表面上のパーティクル(異物)を検出し、この異
物の大きさ(サイズ)及び異物の位置を決定する。
【0010】パルスレーザ照射手段5は制御手段9によ
って制御され、検出された異物に対してパルスレーザを
照射する。検出器6は、パルスレーザが照射されたこと
により誘起される、異物からの散乱光を検出する。この
散乱光は異物の種類によってその時間応性が異なる。異
物にパルスレーザg1 を照射したときの異物からの散乱
光g2 の時間応答性の例を図2に示す。なお、パルスレ
ーザとしては波長が400nm以下で、パルス幅が10
0psec以下で、繰返し周波数が106 Hz以上のもの
を用いるのが好ましい。
【0011】異物同定手段7は検出器6の出力に基づい
て異物が、例えばエピタキシャル工程中に発生するS
i,SiO2 か、又はエピタキシャル工程後に発生した
有機物なのかを同定する。一般に、異物がエピタキシャ
ル工程後に発生した有機物の場合は、蛍光を有し、図2
に示すグラフg2 の形が有機物によって異なっている。
【0012】次に本実施例の作用を説明する。
【0013】ウェーハ走査手段2によってウェーハ20
を動かしながら、レーザ照射手段1からのレーザ光をウ
ェーハ20の表面に照射すると、ウェーハ20の表面に
レーザ光が走査される。そして、ウェーハ20の表面か
らの散乱光が検出器3によって検出される。この検出器
3の出力と制御手段9の出力に基づいて決定手段4によ
って、ウェーハ20の表面の異物を検出するとともに、
この検出された異物の大きさと異物の位置が決定され
る。そして、この検出された異物に対してパルスレーザ
照射手段5からパルスレーザが照射される。するとこの
パルスレーザが照射されたことによって異物から散乱光
が誘起され、この散乱光が検出器6によって検出され
る。この検出器6の検出出力に基づいて異物同定手段7
によって異物が同定される。
【0014】同一のエピタキシャルウェーハを本実施例
の装置、及び従来の装置を用いて検査した結果を図3及
び図4に各々示す。図3は本実施例の装置を適用して蛍
光を有するものと有さないものとに分離した結果を示
す。この図4のグラフから蛍光を有するものが4割でエ
ピタキシャル工程以外で付着した表面異物が多いことが
わかる。図3は従来の装置を用いてウェーハ表面上の異
物をサイズ別に分類した結果を示す。図4から、1um
以上の表面異物が従来の装置によって観測されることが
わかる。
【0015】以上述べたように本実施例によれば、異物
(パーティクル)の大きさや位置を検出できるばかりで
なく、異物がエピタキシャル工程で発生したかどうかの
判定も行うことができる。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、パーティクルの大きさ
やその位置を検出できるばかりでなく、パーティクルが
エピタキシャル工程で発生したかどうかの判定も行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるウェーハ表面検査装置の一実施例
の構成を示すブロック図。
【図2】パルスレーザを照射したときに誘起される、有
機物からの散乱光の時間応答特性を示すグラフ。
【図3】実施例の装置を用いてエピタキシャルウェーハ
の表面を検査したときの検査結果を示すグラフ。
【図4】従来の装置を用いてエピタキシャルウェーハの
表面を検査したときの検査結果を示すグラフ。
【符号の説明】
1 レーザ照射手段 2 ウェーハ走査手段 3 検出器 4 異物径/異物位置決定手段 5 パルスレーザ照射手段 6 検出器 7 異物同定手段 9 制御手段

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】ウェーハ表面に第1のレーザ光を照射する
    第1のレーザー照射手段と、前記第1のレーザ光をウェ
    ーハ表面に照射したことによるウェーハ表面からの散乱
    光に基づいてウェーハ表面上の異物の大きさ及び位置を
    検出する異物検出手段と、検出された異物に対して前記
    第1のレーザ光とは異なる第2のレーザ光をパルスとし
    て照射する第2のレーザ照射手段と、前記第2のレーザ
    光を照射したことにより誘起される、前記異物からの散
    乱光に基づいて前記異物を同定する異物同定手段とを備
    えていることを特徴とするウェーハ表面検査装置。
JP3173899A 1991-07-15 1991-07-15 ウエーハ表面検査装置 Pending JPH0518901A (ja)

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JP3173899A JPH0518901A (ja) 1991-07-15 1991-07-15 ウエーハ表面検査装置

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JPH0518901A true JPH0518901A (ja) 1993-01-26

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ID=15969153

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JP3173899A Pending JPH0518901A (ja) 1991-07-15 1991-07-15 ウエーハ表面検査装置

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002014054A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Hitachi Ltd 検査装置および検査方法
JP2004219262A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Negevtech Ltd ウェーハ欠陥の高速オンライン電気光学的検出のための方法及びシステム
JP2010156703A (ja) * 2010-02-10 2010-07-15 Negevtech Ltd ウェーハ欠陥の高速オンライン電気光学的検出のための方法及びシステム
US9156314B2 (en) 2010-12-28 2015-10-13 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Pneumatic tire and method of manufacturing pneumatic tire
JP2019191195A (ja) * 2011-07-12 2019-10-31 ケーエルエー コーポレイション ウェハ検査システム

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