DE4135958A1 - Verfahren und vorrichtung zur detektion kleinster teilchen auf strukturierten flaechen - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur detektion kleinster teilchen auf strukturierten flaechenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur De
tektion kleinster Teilchen auf strukturierten Flächen durch punkt
weises Abtasten der Fläche mit einem fokussierten Laserstrahl
kleiner numerischer Apertur, Detektion des vom Laserfokus ausge
henden Streulichts und Analyse des Streulichts in einer elektroni
schen Auswerteschaltung.
Strukturierte Flächen im Zusammenhang mit der Erfindung sind ins
besondere Waferscheiben während des Herstellungsprozesses von in
tegrierten Schaltkreisen und Belichtungsmasken zur Erzeugung der
Strukturen auf den Waferscheiben.
Standardisierte ICs werden heute in großen Mengen hergestellt. Die
für die Herstellung notwendigen Waferbelichtungsverfahren unter
liegen einem Entwicklungsprozeß, der es ermöglicht, immer kleinere
Strukturen auf den entsprechenden Wafern herzustellen. Mit dieser
Entwicklung steigt die Bedeutung von Inspektionssystemen, mit de
ren Hilfe Verunreinigungen auf Belichtungsmasken nachgewiesen wer
den können. 75% des Ausschusses bei der IC-Produktion beruht heute
auf unentdeckten Verunreinigungen, wie sie z. B. durch anfallenden
Staub auch während der Produktion der Wafer entstehen können.
Die ersten automatischen Inspektionssysteme, die zur Kontrolle von
Kontaminationen entwickelt wurden, waren Laser-Scanning-Systeme.
Diese arbeiten mit dem Streulicht, das während der Abtastung ent
steht. Ein Lichtbündel wird dabei auf die zu untersuchende Fläche
fokussiert und die Fläche wird zweidimensional punktweise abge
tastet. Solange unstrukturierte Wafer, Masken oder Spiegel unter
sucht werden, können Partikel mit einem Durchmesser von 0,15 µm bis
0,2 µm mit einer Nachweissicherheit von 50% bis 90% erfaßt werden.
Der Nachteil dieser Streulicht-Meßverfahren ist ihr starker Abfall
der Nachweisempfindlichkeit bei strukturierten Flächen, da die an
den Strukturen entstehende Streustrahlung zu einem hohen Strah
lungshintergrund führt.
Es wurden daher verschiedene Geräte entwickelt, die mit Hilfe von
linear polarisiertem Licht das an den Strukturen entstehende
Streulicht von dem an Verunreinigungen entstehenden Streulicht un
terscheiden können. Die physikalische Grundlage hierfür ist die
Tatsache, daß linear polarisiertes Licht, welches an einer Struk
tur gestreut wird, sowohl Polarisationsrichtung als auch Polarisa
tionsgrad im wesentlichen beibehält, während sich der Polarisa
tionsgrad des an Verunreinigungen gestreuten Lichtes verändert.
Bekannte Geräte geben eine Nachweiswahrscheinlichkeit von 90% bis
95% für Teilchen mit einem Durchmesser von 0,8 µm bis 1,0 µm an. Ne
ben der verringerten Nachweisempfindlichkeit erfordern die Geräte
einen erheblichen optischen Konstruktionsaufwand.
Ein modifiziertes Laser-Streulich-Meßverfahren wird in der US-PS
50 08 558 angegeben. Die Einstrahlrichtung des Laserstrahls wird
danach um einen kleinen Winkel periodisch geändert. Aus dem Streu
lichtsignal werden Komponenten herausgefiltert, deren Frequenz
einen ganzzahligen Vielfachen der Modulationsfrequenz entspricht
und die über eine bestimmte Zeit eine konstante Phasenlage zu der
Modulationsfrequenz haben. Mit diesem Verfahren sollen kleine Par
tikel auf der Oberfläche einer Waferscheibe und solche in dem Raum
oberhalb der Waferscheibe detektiert werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben,
mit dem auch auf strukturierten Flächen eine sichere Detektion von
kleinsten Teilchen aus einem Streulichtsignal möglich ist, ohne daß
polarisierende Bauelemente eingesetzt werden müssen und mit dem
eine der Streulichtmessung an unstrukturierten Flächen vergleich
bare Nachweisempfindlichkeit erreicht wird.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art
erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1
gelöst. Eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens ergibt sich
aus den Merkmalen des Anspruchs 2. Eine Vorrichtung zur Durch
führung des Verfahrens ist in den Ansprüchen 4 und 5 angegeben.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß die Detektion des
an Verunreinigungen entstandenen Streulichts aufgrund seiner geo
metrischen Intensitätsverteilung möglich ist. Während das von
Strukturen ausgehende Streulicht durch Zylinderwellen beschrieben
werden kann, erfolgt die Ausbreitung des Streulichts von Verunrei
nigungen in Form von Kugelwellen. Es resultiert also eine unter
schiedliche räumliche Intensitätsverteilung Is (R, ϕ), die zur De
tektion genutzt wird. Die nachfolgend angegebene Gleichung (1) be
schreibt das an Kugeln gestreute Licht und dient als Modell für
die Streuung an Verunreinigungen. Gleichung (2) beschreibt das an
Zylindern gestreute Licht und dient als Modell für die Streuung an
Strukturen.
Io = Intensität des senkrecht einfallenden Lichts
Is = Intensität des Streulichts
S(R, ϕ) = Streufunktion Kugel
T(R) = Streufunktion Zylinder
R = Höhenwinkel
ϕ = Seitenwinkel
λ = Laser-Wellenlänge
r = Abstand vom Laser-Fokus
Is = Intensität des Streulichts
S(R, ϕ) = Streufunktion Kugel
T(R) = Streufunktion Zylinder
R = Höhenwinkel
ϕ = Seitenwinkel
λ = Laser-Wellenlänge
r = Abstand vom Laser-Fokus
Die beiden Gleichungen machen deutlich, daß sich die Intensitäten
bis auf konstante Faktoren im wesentlichen durch die geometrische
Streufunktion unterscheiden. Beide Streufunktionen hängen vom
Höhenwinkel 8 ab, d. h. dem Winkel unter dem die Streuintensität
gegenüber der optischen Achse des einfallenden Lichtes beobachtet
wird. Experimentelle Untersuchungen haben ergeben, daß die Inten
sitätsunterschiede des Streulichts bei Streuung an einer Kugel und
Streuung an einem Zylinder nicht signifikant vom Höhenwinkel R ab
hängen. Der Betrag der Intensitäten ist jedoch umso größer je ge
ringer der Winkel zwischen senkrechter Einstrahlrichtung und Be
obachtungsrichtung ist. Die Detektoren sollten daher möglichst
nahe dem Objektiv für die Fokussierung des Laserstrahls angeordnet
werden.
Die Streufunktion für eine Kugel ist zusätzlich vom Seitenwinkel
abhängig, d. h. dem Beobachtungs-Winkel in einer Ebene senkrecht
zur optischen Achse des einfallenden Lichtes. Experimentelle Un
tersuchungen haben ergeben, daß die Abhängigkeit der Intensi
tätsverteilung vom Seitenwinkel ϕ umso besser meßbar ist, wenn
der Durchmesser des Laserfokus kleiner als der Durchmesser der
Teilchen ist und die numerische Apertur NA des Laserstrahlbündels
möglichst klein ist. Der für das erfindungsgemäße Verfahren we
sentliche Effekt besteht jedoch darin, daß bei Streuung an einem
Teilchen in jeder Richtung ϕ Streustrahlung auftritt.
Die Streufunktion für einen Zylinder besagt, daß Streustrahlung
nur in der Ebene auftritt, die senkrecht zur Zylinderachse steht
und die die optische Achse des einfallenden Lichtes enthält. Von
mehreren um die optische Achse des einfallenden Lichtes herum an
geordneten Detektoren werden also nur die symmetrisch zur Zylin
derachse und in der Nähe der Streustrahlungsebene liegenden Detek
toren ein Signal erzeugen. Je kleiner die Strukturen auf der zu
untersuchenden Fläche sind, umso mehr hängt auch hier die tatsäch
liche Streulichtverteilung von der Größe des Laserfokus und der
numerischen Apertur NA ab. Werden mehrere Strukturen mit unter
schiedlichen Kantenrichtungen gleichzeitig vom Laserfokus erfaßt,
so ergibt sich eine unscharfe Streustrahlungsebene und es können
auch unsymmetrisch zueinander angeordnete Detektoren gleichzeitig
ein Signal erzeugen. Der für das erfindungsgemäße Verfahren we
sentliche Effekt besteht jedoch darin, daß bei Streuung an einer
Struktur ausgeprägte Signalmaxima an zueinander im wesentlichen
symmetrisch liegenden Detektoren entstehen und an den übrigen Detek
toren kein signifikantes Signal entsteht.
In der Praxis müssen sowohl bei der numerischen Apertur NA des La
serstrahlenbündels als auch dem Durchmesser des Fokus aufgrund der
optischen Korrektur des abbildenden Objektivs Grenzen in Kauf ge
nommen werden. Außerdem haben die zu detektierenden Teilchen keine
einheitliche Größe und auch die Verteilung und Geometrie der
Strukturen auf den zu untersuchenden Flächen ist sehr unterschied
lich. Es tritt daher immer ein undifferenzierter Streustrahlungs
untergrund auf. Experimentelle Untersuchungen haben ergeben, daß
dieser durch eine geeignete Referenzspannung an den Detektoren
kompensiert werden kann und sich danach die beschriebenen Ab
hängigkeiten in der geometrischen Streulichtverteilung eindeutig
nachweisen lassen. Es erzeugt jeweils eine bestimmte Auswahl der
Detektoren aufgrund des Streulichts ein Signal. Aus der Anzahl und
der Lage der ansprechenden Detektoren kann auf die geometrische
Verteilung des Streulichts und damit auf seinen Ursprung geschlos
sen werden. Eine Steigerung der Nachweisempfindlichkeit konnte er
reicht werden, wenn der zu empfangende Streulichtkegel durch eine
definierte Apertur der Detektoren begrenzt wird. Dabei ist die
Apertur der Detektoren der numerischen Apertur NA des Laserstrahls
nach der Beziehung
anzupassen, wobei α
der Öffnungswinkel der Apertur bezogen auf den Fokus des Laser
strahls ist. Als vorteilhafte Näherung für die geometrische Form
der Aperturblende hat sich ein Dreieck ergeben, dessen Basis pa
rallel zur untersuchten Fläche ausgerichtet wurde. Mit einer nu
merischen Apertur NA = 0,25 des Laserstrahlenbündels und einem Fo
kusdurchmesser von 5 µm konnten Teilchen mit einem Durchmesser ab
0,3 µm auf einer strukturierten Fläche sicher detektiert werden.
In der Zeichnung ist eine Vorrichtung zur Durchführung des erfin
dungsgemäßen Verfahrens schematisch dargestellt. Sie wird anhand
der Figuren beschrieben. Diese zeigen in
Fig. 1 einen Laser-Scanner mit Streulichtdetektoren,
Fig. 2 eine Schaltungsanordnung zur Analyse der De
tektorsignale.
Fig. 1 zeigt den Kopf eines Laser-Scanners 10 mit einem ein La
sterstrahlenbündel 11 fokussierenden Objektiv 12. Der Fokus 13 des
Laserstrahlenbündels 12 liegt auf der Oberfläche einer Waferschei
be 14. Die optische Achse 15 des Laserstrahlenbündels 11 steht
senkrecht auf der Waferscheibe 14.
Mit dem Objektiv 12 ist eine trichterförmige Halterung 16 gekop
pelt, in die mehrere Streulicht aufnehmende Detektoren 17 bis 24
eingesetzt sind. Die Detektoren sind so ausgerichtete daß ihre
Achsen auf den Fokus 13 gerichtet sind. Die Neigung gegenüber der
optischen Achse 15 des Laserstrahlenbündels ist mit R bezeichnet.
Eine Blende vor dem Detektor begrenzt den aufgenommenen Streu
lichtkegel auf einen Winkel α(R). Insbesondere wird eine dreieck
förmige Blende 25 verwendet, deren Basis parallel zur Oberfläche
der Waferscheibe 14 ausgerichtet ist.
Fig. 2 zeigt in der Aufsicht zunächst die Anordnung von acht De
tektoren 17 bis 24 gleichmäßig verteilt um den Fokus 13. Die An
ordnung geht davon aus, daß die Streulichtaufnahme durch Licht
leiter erfolgt und als fotoelektrische Detektoren Photomultiplier
vorgesehen sind. Die Ausgangssignale der Photomultiplier werden
jeweils dem einen Eingang eines Differenzverstärkers zugeführt, an
dessen anderen Eingang eine einstellbare Referenzspannung gelegt
wird. Die Ausgänge der Differenzverstärker werden in einen
Puls-Decoder eingegeben, der daraus einen Signalcode bildet, der der
Anzahl und Lage der signalgebenden Detektoren entspricht. Durch
Vergleich mit einem vorgegebenen Signalcode kann in der Schaltung
entschieden werden, ob ein Teilchen detektiert wurde und ein Aus
gangssignal erzeugt werden.
Ein Teilchen als Streuzentrum liegt dann vor, wenn mehr als fünf
Detektoren ein Signal abgeben. Ein Strukturelement als Streuzen
trum liegt vor, wenn nur zwei einander gegenüberliegende Detekto
ren ein Signal abgeben. Dazwischen kann es jedoch auch Übergangs
formen geben. Bildet ein Strukturelement z. B. eine Ecke, so können
gleichzeitig zwei Paare von einander gegenüberliegenden Detektoren
ein Signal abgeben. Alle anderen Signalkombinationen sind dann als
Teilchenstreuung zu interpretieren.
Claims (4)
1. Verfahren zur Detektion kleinster Teilchen auf strukturierten
Flächen durch punktweises Abtasten der Fläche mit einem fo
kussierten Laserstrahl kleiner numerischer Apertur NA, Detek
tion des von Laserfokus ausgehenden Streulichts und Analyse
des Streulichts in einer elektronischen Auswerteschaltung,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die Streulichtverteilung um die optische Achse des Laser strahls herum durch eine Mehrzahl von n 3 zueinander sym metrisch angeordneter Detektoren gemessen wird, deren Auf nahmerichtung gegenüber der optischen Achse des Laser strahls um einen Winkel R geneigt und deren empfangener Streulichtkegel durch eine definierte Apertur begrenzt ist, wobei
- - der Neigungswinkel R im wesentlichen durch die geometri schen Abmessungen der Laserstrahl-Optik bestimmt wird,
- - die Apertur der Detektoren der des Laserstrahls nach der Beziehung angepaßt wird, mit α = Öffnungswinkel der Apertur bezogen auf den Fokus des Laserstrahls,
- - die Anzahl n der Detektoren umso größer gewählt wird, je kleiner die numerische Apertur des Laserstrahls ist
- - die Detektorsignale mit einer Referenzspannung verglichen werden, deren Größe in Abhängigkeit von den auf der Fläche vorhandenen Strukturen und der zu detektierenden Teilchen größe einstellbar ist,
- - die die Referenzspannung überschreitenden Signale einer De coderschaltung zugeführt werden, in der die den Detektoren zugeordneten Signale logisch miteinander verknüpft werden, wobei ein Teilchen als erkannt gilt, wenn
- - im Falle n 5 alle Detektoren gleichzeitig ein Signal er zeugen,
- - im Falle n < 5 mehr als 5 Detektoren gleichzeitig ein Sig nal erzeugen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß den Detektoren näherungsweise eine
dreieckförmige Apertur zugeordnet wird, deren Basis parallel
zur abzutastenden strukturierten Fläche ausgerichtet wird.
3. Vorrichtung zur Detektion kleinster Teilchen auf strukturierten
Flächen mit einer Laser-Scan-Vorrichtung (10) zur punktweisen
Abtastung der Fläche (14) mit einem fokussierten Laserstrahl
(11) kleiner numerischer Apertur, einem Streulichtdetektor
und einer elektronischen Auswerteschaltung, dadurch
gekennzeichnet, daß
- - dem den Laserstrahl (11) fokussierenden Objektiv (12) der Laser-Scan-Vorrichtung (10) in symmetrischer Verteilung konzentrisch zur optischen Achse (15) des Laserstrahls (11) eine Mehrzahl von n 3 Streulicht-Detektoren (17-24) zuge ordnet ist, wobei
- - die Aufnahmerichtung der Detektoren unter einem Winkel R gegenüber der optischen Achse (15) des Laserstrahls (11) geneigt und auf den Fokus (13) des Laserstrahls gerichtet ist,
- - die Apertur der Detektoren der des Laserstrahls (11) an gepaßt ist und
- - die Anzahl der Detektoren umso größer ist, je kleiner die Apertur des Laserstrahls (11) ist,
- - die Auswerteschaltung eine einstellbare Referenzspannung, eine Schaltung zum Vergleich jedes Detektorsignals mit der Referenzspannung, eine Decoderschaltung zur Erzeugung eines den Detektoren zugeordneten Signalcodes und eine Logik schaltung enthält, die bei Vorliegen eines definierten Sig nalcodes ein Ausgangssignal für die Detektion eines Teil chens erzeugt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Apertur der Detektoren dreieckig
ist, wobei die Basis des Dreiecks (25) parallel zur abzu
tastenden Fläche (14) ausgerichtet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914135958 DE4135958A1 (de) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | Verfahren und vorrichtung zur detektion kleinster teilchen auf strukturierten flaechen |
PCT/DE1992/000896 WO1993009424A1 (de) | 1991-10-31 | 1992-10-28 | Verfahren und vorrichtung zur detektion kleinster teilchen auf strukturierten flächen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914135958 DE4135958A1 (de) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | Verfahren und vorrichtung zur detektion kleinster teilchen auf strukturierten flaechen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4135958A1 true DE4135958A1 (de) | 1993-05-06 |
Family
ID=6443871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914135958 Withdrawn DE4135958A1 (de) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | Verfahren und vorrichtung zur detektion kleinster teilchen auf strukturierten flaechen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4135958A1 (de) |
WO (1) | WO1993009424A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9279774B2 (en) * | 2011-07-12 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4889998A (en) * | 1987-01-29 | 1989-12-26 | Nikon Corporation | Apparatus with four light detectors for checking surface of mask with pellicle |
JPH04122042A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
-
1991
- 1991-10-31 DE DE19914135958 patent/DE4135958A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-10-28 WO PCT/DE1992/000896 patent/WO1993009424A1/de active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1993009424A1 (de) | 1993-05-13 |
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