DE112015002282T5 - Defektermittlung für den Review mit einem elektronenstrahl auf Basis von Defektattributen aus einer optischen Inspektion und einem optischen Review - Google Patents

Defektermittlung für den Review mit einem elektronenstrahl auf Basis von Defektattributen aus einer optischen Inspektion und einem optischen Review Download PDF

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Abstract

Es werden verschiedene Ausführungsformen zum Erzeugen einer Defektprobe für die Elektronenstrahl-Überprüfung bereitgestellt. Ein Verfahren umfasst ein Kombinieren, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, von einem oder mehreren ersten Attributen für Defekte, die durch optische Inspektion eines Wafers bestimmt werden, auf dem die Defekte detektiert worden sind, mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch optischen Review des Wafers festgestellten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden. Das Verfahren umfasst auch ein Separieren der Defekte in Gruppen auf Basis der kombinierten Attribute für die Defekte. Die Gruppen entsprechen verschiedenen Defektklassifizierungen. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Ermitteln eines oder mehrerer Defekte anhand der Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, um eine Defektprobe für den Review mit dem Elektronenstrahl zu erzeugen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Verfahren und Systeme zum Ermitteln von Defekten (Fehlern) zur Überprüfung (Review) mittels eines Elektronenstrahls durch Separieren von auf einem Wafer ermittelten Defekten in Gruppen (im Englischen „bins“) auf Basis von kombinierten Attributen aus einer optischen Inspektion und dem optischen Review und zum Ermitteln der Defekte anhand der Gruppen, um Defektproben für die Überprüfung mit dem Elektronenstrahl zu erzeugen.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Die folgende Beschreibung und die folgenden Beispiele sind nicht als Stand der Technik aufgrund ihrer Aufnahme in diesem Abschnitt zugelassen.
  • Inspektionsverfahren werden bei verschiedenen Schritten während eines Halbleiterherstellungsprozesses verwendet, um Defekte auf Wafern zu detektieren und eine höhere Ausbeute im Herstellungsprozess und damit höhere Erträge zu erreichen. Inspektion ist schon immer ein wichtiger Bestandteil bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen gewesen. Da sich jedoch die Dimensionen von Halbleitervorrichtungen verringern, wird die Inspektion sogar noch wichtiger für die erfolgreiche Herstellung von akzeptablen Halbleitervorrichtungen, da die Vorrichtungen schon aufgrund kleinerer Defekte fehlerhaft arbeiten können.
  • Über die einfache Defekterkennung hinaus werden häufig Informationen während Inspektionsverfahren erzeugt. Beispielsweise werden die detektierten Defekte oft in verschiedene Gruppen klassifiziert. Nachdem Defekte gefunden worden sind, können diese Defekte in einem solchen Beispiel in verschiedene Gruppen klassifiziert werden, basierend auf den Defekteigenschaften, wie Größe, Größenordnung und Lage. In einem besonderen Beispiel können Defekte in behebbare und nicht behebbare Defekte getrennt werden unter Verwendung von durch optische Waferinspektion erzeugte Informationen.
  • Eine Defektklassifikation kann oft nicht nur basierend auf Bildern oder Informationen ausgeführt werden, die von einer Wafer-Inspektionsmaschine erzeugt werden. In diesen Fällen können zusätzliche Informationen unter Verwendung eines Werkzeugs für den Review von Defekten (Defekt-Review-Werkzeug) erzeugt werden und eine Defektklassifikation wird dann basierend auf den zusätzlichen Informationen bestimmt. In einigen solchen Fällen können durch eine optische Apparatur zum Auffinden von optischen Defekten (Defekt-Auffinde-Apparatur) festgestellte Defekte unter Verwendung eines hochauflösenden Rasterelektronenmikroskops (REM/SEM) als Review-Werkzeug überprüft werden. Ein Defekt-Review kann aber auch unter Verwendung eines optisch-basierten Systems durchgeführt werden. Beispielsweise kann ein laserbasierter Defekt-Review durchgeführt werden, um eine durch optische Inspektion ermittelte Defekt-Population zu verifizieren.
  • In einigen Fällen kann dann die durch einen optischen Review verifizierte Defekt-Population an einen Defekt-Review mittels Elektronenstrahl übergeben werden. Ein optischer Review ist jedoch im Allgemeinen nicht in der Lage, DOI-Typinformationen (DOI als Abkürzung für „defect of interest“) für die überprüften Defekte zu erzeugen. Beispielsweise kann ein optischer Review in der Lage sein, echte Defekte von unechten Defekten (oder "Rauschen") zu trennen, jedoch nicht notwendigerweise DOI-Informationen für die wirklichen Defekte bestimmen. Daher kann das einen Elektronenstrahl verwendende Review-Werkzeug auf Basis von optischen Defektprüfergebnissen kein a priori Wissen über die Natur der in der Defektpopulation umfassten und zu überprüfenden Defekte haben.
  • Zusätzlich kann, wie oben beschrieben, ein optischer Inspektor eine Defektklassifizierung durchführen, der Klassifizierungsergebnisse (beispielsweise Defekt-Paretos) liefert, aber diese Klassifikationsergebnisse haben in der Regel eine wesentlich begrenzte Genauigkeit und Reinheit, insbesondere für Defekte, die in der Nähe des Schwellenwertes liegen, der eine Defektklassifizierung von einer anderen Defektklassifizierung trennt. Daher kann jedes durch optische Inspektion erzeugte Defekt-Klassifizierungsergebnis einem Werkzeug für den Review von Defekten zur Verfügung gestellt werden, aber diese Defektklassifizierungsergebnisse können nicht besonders nützlich sein. Zudem kann die begrenzte Genauigkeit der Defektklassen, die durch optische Inspektionsklassifizierer erzeugt worden sind, zu einer ineffektiven Fehlerdiagnose beim Auswandern eines Prozesswerkzeugs führen.
  • Daher kann eine Ermittlung und ein Review von Defekten, die auf einem Elektronenstrahl basiert sind und unter Verwendung von durch optische Inspektion oder optischen Review erzeugten Informationen durchgeführt werden, eine Reihe von Nachteilen aufweisen. Beispielsweise kann ein auf diesen Informationen basierender durchgeführter Review unter Verwendung eines Elektronenstrahls aufgrund der begrenzten Informationen durch optische Inspektion und optische Überprüfung lediglich relativ geringe Erfassungsraten von tatsächlichen Defekten aufweisen. Zudem wäre es schwierig, wenn nicht sogar unmöglich, gezielte DOI-Ermittlungen für den auf den Elektronenstrahl basierten Defekt-Review auf der Basis der Defektinformationen durchzuführen, die durch optische Inspektion und optischen Review zur Verfügung gestellt werden. Daher benötigt ein auf einen Elektronenstrahl basierter Review eine relativ lange Zeitdauer, um Referenzdaten für die Ergebnisse der Defektklassifikation (beispielsweise Referenz-Paretos) zu liefern.
  • Daher wäre es vorteilhaft, Verfahren und Systeme zum Erzeugen einer Defektprobe für den Review mit einem Elektronenstrahl zu entwickeln, die nicht einen oder mehrere der oben beschriebenen Nachteile aufweisen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die folgende Beschreibung der verschiedenen Ausführungsbeispiele soll in keinster Weise als Beschränkung des Gegenstands der beigefügten Ansprüche ausgelegt werden.
  • Ein Ausführungsbeispiel bezieht sich auf ein computerimplementiertes Verfahren zum Erzeugen einer Defektprobe für den Review mit einem Elektronenstrahl. Das Verfahren umfasst ein Kombinieren, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, von einem oder mehreren ersten Attributen für Defekte, die durch optische Inspektion eines Wafers bestimmt werden, auf dem die Defekte detektiert worden sind, mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch optischen Review des Wafers festgestellten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden. Der Wafer ist ein unstrukturierter (nicht gemusterter) Wafer. Das Verfahren umfasst auch ein Separieren der Defekte in Gruppen („bins“) auf Basis der kombinierten Attribute für die Defekte. Die Gruppen entsprechen verschiedenen Defektklassifizierungen. Zudem umfasst das Verfahren ein Ermitteln eines oder mehrerer Defekte anhand der Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, um Defektproben für den Review mit dem Elektronenstrahl zu erzeugen. Das Kombinieren, Separieren und Ermitteln werden unter Verwendung eines Computersystems ausgeführt.
  • Jeder der Schritte des oben beschriebenen Verfahrens kann weiter durchgeführt werden, wie hierin beschrieben. Außerdem kann das oben beschriebene Verfahren jeden anderen Schritt beziehungsweise alle anderen Schritte jedes hierin beschriebenen Verfahrens umfassen. Weiterhin kann das oben beschriebene Verfahren durch jedes der hierin beschrieben Systeme ausgeführt werden.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel bezieht sich auf ein nicht-flüchtiges computerlesbares Medium, in dem Programmanweisungen gespeichert sind, um ein Computersystem zu veranlassen, ein computerimplementiertes Verfahren zum Erzeugen einer Defektprobe für die Elektronenstrahl-Überprüfung auszuführen. Das computerimplementierte Verfahren umfasst die Schritte des oben beschriebenen Verfahrens. Das computerlesbare Medium kann weiterhin ausgebildet sein, wie hierin beschrieben. Die Schritte des Verfahrens können ferner wie hierin beschrieben ausgeführt werden. Zudem kann das Verfahren jeden anderen Schritt oder alle anderen Schritte des hierin beschriebenen anderen Verfahrens bzw. der hierin beschriebenen anderen Verfahren umfassen.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel betrifft ein System, das ausgebildet ist, um eine Defektprobe für den Review mit einem Elektronenstrahl zu erzeugen. Das System umfasst ein optisches Inspektions-Subsystem, das zum Ermitteln von Defekten auf einem Wafer ausgebildet ist. Das System umfasst auch ein optisches Review-Subsystem, das zum Überprüfen von Defekten, die auf dem Wafer durch das optische Inspektions-Subsystem ermittelt worden sind, ausgebildet ist. Zusätzlich umfasst das System ein Review-Subsystem mit Elektronenstrahl, das zum Überprüfen von auf dem Wafer durch das optische Inspektions-Subsystem ermittelten Defekten ausgebildet ist. Das System umfasst auch ein Computer-Subsystem, das ausgebildet ist zum Kombinieren, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, von einem oder mehreren ersten Attributen für die Defekte, die durch das optische Inspektions-Subsystem bestimmt worden sind, mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch das optische Review-Subsystem ermittelten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden. Der Wafer ist ein unstrukturierter Wafer. Das Computer-Subsystem ist auch zum Separieren der Defekte in Gruppen auf Basis der kombinierten Attribute für die Defekte ausgebildet. Die Gruppen entsprechen verschiedenen Defektklassifizierungen. Das Computer-Subsystem ist weiter ausgebildet zum Ermitteln eines oder mehrerer Defekte, um Defektproben für den Review mittels des Review-Subsystems mit Elektronenstrahl zu erzeugen, auf Basis der Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, wodurch eine Defektprobe für den Review mit dem Review-Subsystem mit Elektronenstrahl erzeugt wird. Das System kann ferner gemäß einem oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Nachfolgend werden die Erfindung und ihre Vorteile unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlicher beschrieben.
  • 1 ist ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines computerimplementierten Verfahrens zum Erzeugen einer Defektprobe für den Review mit einem Elektronenstrahl;
  • 2 ist ein Flussdiagramm, das ein Ausführungsbeispiel veranschaulicht, bei dem Defekte in Gruppen basierend auf kombinierten Attributen für die Defekte separiert werden, was in hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens ausgeführt werden kann;
  • 3 ist ein Blockdiagramm, das ein Ausführungsbeispiels eines nicht-flüchtigen, computerlesbaren Mediums darstellt, das zum Durchführen einer oder mehrerer der hierin beschriebenen computerimplementierten Verfahren ausführbare Programmbefehle auf einem Computersystem umfasst; und
  • 4 ist ein schematisches Diagramm, das eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels eines Systems veranschaulicht, das dazu ausgebildet ist, um Defektproben für den Review mit dem Elektronenstrahl zu erzeugen.
  • In den Figuren sind für gleiche oder gleich wirkende Elemente der Erfindung identische Bezugszeichen verwendet. Ferner sind der Übersicht halber nur Bezugszeichen in den einzelnen Figuren dargestellt, die für die Beschreibung der jeweiligen Figur erforderlich sind. Die dargestellten Ausführungsbeispiele stellen lediglich Beispiele dar, wie das Verfahren, das nicht-flüchtige, computerlesbare Medium und das System ausgestaltet sein können und sind nicht als abschließende Beschränkung zu verstehen. Die Größenverhältnisse der einzelnen Elemente zueinander in den Figuren entsprechen nicht immer den realen Größenverhältnissen, da einige Formen vereinfacht und andere Formen zur besseren Veranschaulichung vergrößert im Verhältnis zu anderen Elementen dargestellt sind. Auch sind nicht alle Figuren im gleichen Maßstab gezeichnet. Sofern hierin nicht anders angegeben, können alle beschriebenen und gezeigten Elemente jegliche geeigneten kommerziell verfügbaren Elemente umfassen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Ein Ausführungsbeispiel bezieht sich auf ein computerimplementiertes Verfahren zum Erzeugen einer Defektprobe für den Review mit einem Elektronenstrahl. Die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele sind im Allgemeinen für das Erstellen von Defektproben unter Verwendung eines neuen automatischen Defektklassifizierers ausgebildet, der Defektattribute aus optischen Reviews (beispielsweise laserbasierte Reviews) und optischen Inspektionen (beispielsweise laserbasierte Inspektion) wirksam einsetzt. Wie weiter unten noch beschrieben wird, liefern die Ausführungsbeispiele ein automatisiertes Verfahren zum Erzeugen von Defekt-Paretos nach optischen Reviews mit einer wesentlich hohen Genauigkeit. Zudem liefern die Ausführungsbeispiele ein Verfahren für gezielte DOI-Ermittlungen für eine Ermittlung und einen Review von Defekten, der auf einen Elektronenstrahl basiert ist (beispielsweise Rasterelektronenmikroskopie (SEM) Defekt-Review). Daher können die Ausführungsbeispiele dazu verwendet werden, die Erfassungsraten des Reviews mittels Elektronenstrahlen und die Zeitdauern für Paretos aus Reviews mittels Elektronenstrahlen zu verbessern.
  • Das Verfahren kann das Erfassen von einem oder mehreren ersten Attributen für Defekte umfassen, die durch optische Inspektion eines Wafers bestimmt worden sind, auf dem die Defekte detektiert worden sind. Wie beispielsweise in 1 gezeigt, kann das Verfahren ein Durchführen einer optischen Inspektion 100 auf einem Wafer umfassen, und die optischen Inspektionsergebnisse können ein optisches Inspektionsattribut 102 oder mehrere optische Inspektionsattribute 102 umfassen, ansonsten auch als das erste Attribut oder die ersten Attribute bezeichnet. Das Erfassen des einen oder der mehreren ersten Attribute kann tatsächlich ein Durchführen einer optischen Inspektion auf dem Wafer (beispielsweise durch Durchführen einer Inspektion auf dem Wafer unter Verwendung eines optischen Inspektions-Subsystems oder eines Systems, die wie weiter unten beschrieben ausgebildet sein können) umfassen. Beispielsweise kann das Erfassen des einen oder der mehreren ersten Attribute ein Abtasten (Scannen) mit Licht über einem Wafer umfassen, während Licht vom Wafer erfasst wird und dann eine Ermittlung von Defekten durchgeführt wird basierend auf einer Ausgabe (beispielsweise Signale, Signaldaten, Bilder, Bilddaten) als Response auf das detektierte Licht. Diese Ausgabe kann auch dazu verwendet werden, um das eine oder die mehreren ersten Attribute für die Defekte zu bestimmen. Auf diese Weise können das eine oder die mehreren ersten Attribute, die in den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen verwendet werden, durch Ausführen einer Inspektion auf dem Wafer erfasst werden. Allerdings kann das Erfassen des einen oder der mehreren ersten Attribute nicht das Ausführen eines Inspektionsverfahrens auf dem physikalischen Wafer umfassen. Beispielsweise kann das Erfassen des einen oder der mehreren ersten Attribute das Erfassen des einen oder der mehreren ersten Attribute von einem Speichermedium umfassen, in dem das eine oder die mehreren ersten Attribute durch ein anderes Verfahren oder das optische Inspektions-Subsystem oder System gespeichert worden sind.
  • Das Verfahren kann auch das Erfassen eines oder mehrerer zweiter Attribute für Defekte umfassen, die durch optischen Review eines Wafers bestimmt worden sind, bei dem die durch Inspektion entdeckten Defekte überprüft werden. Wie beispielsweise in 1 gezeigt, kann das Verfahren ein Durchführen eines optischen Reviews 104 auf einem Wafer umfassen, und die optischen Inspektionsergebnisse können ein optisches Review-Attribut 108 oder mehrere optische Review-Attribute 108 umfassen, ansonsten auch als das zweite Attribut oder die zweiten Attribute bezeichnet. bezeichnet. Das Erfassen des einen oder der mehreren zweiten Attribute kann tatsächlich ein Durchführen eines optischen Review auf dem Wafer (beispielsweise durch Durchführen eines Review auf dem Wafer unter Verwendung eines optischen Bewertungs-Subsystems oder Systems, die wie weiter unten beschrieben ausgebildet sein können) umfassen. Beispielsweise kann das Erfassen des einen oder der mehreren zweiten Attribute ein Lenken von Licht auf einen gemeldeten Ort eines Defekts auf einem Wafer umfassen, während Licht von dem gemeldeten Ort detektiert wird und dann der Defekt auf dem Wafer basierend auf einer Ausgabe (beispielsweise Signale, Signaldaten, Bilder, Bilddaten) als Response auf das detektierte Licht verlagert wird. Diese Ausgabe kann auch dazu verwendet werden, um das eine oder die mehreren zweiten Attribute für den Defekt zu bestimmen. Auf diese Weise können das einen oder die mehreren zweiten Attribute, die in den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen verwendet werden, durch Ausführen eines Defekt-Reviews auf dem Wafer erfasst werden. Allerdings kann das Erfassen des einen oder der mehreren zweiten Attribute nicht das Ausführen eines Defekt-Review-Verfahrens auf dem physikalischen Wafer umfassen. Beispielsweise kann das Erfassen des einen oder der mehreren zweiten Attribute das Erfassen des einen oder der mehreren zweiten Attribute von einem Speichermedium umfassen, in dem das eine oder die mehreren zweiten Attribute durch ein anderes Verfahren oder das optische Review-Subsystem oder System gespeichert worden sind.
  • Im Allgemeinen wird der Begriff "Inspektion" hier verwendet, der ein auf einem Wafer durchgeführtes Verfahren betrifft, um Stellen zu inspizieren, an denen vorher keine Defektinformationen verfügbar sind. Mit anderen Worten, wird ein "Inspektions"-Verfahren, wie es hier beschrieben ist, nicht basierend auf beliebigen a priori Informationen über einzelne, auf einem Wafer vorhandene Defekte ausgeführt. Im Gegensatz dazu wird der Begriff "Review" hier verwendet, um sich auf ein auf einem Wafer ausgeführtes Verfahren zum Untersuchen von Stellen auf einem Wafer zu beziehen, auf dem vorher durch ein anderes Verfahren Defekte erkannt worden sind ("ein Inspektionsverfahren"). Daher wird, im Gegensatz zu "Inspektions"-Verfahren, ein "Review"-Verfahren basierend auf einer a-priori Information über die auf einem Wafer detektierten Defekte durchgeführt, die im Review-Verfahren untersucht werden. Daher kann ein Review-Verfahren solange nicht auf einem Wafer ausgeführt werden, bis ein Inspektionsverfahren auf dem Wafer ausgeführt worden ist. Außerdem kann der Wafer in Fällen, wie sie hierin beschrieben sind, in denen zwei Arten von Defekt-Reviews, nämlich mit optischen Strahlen und Elektronenstrahlen, auf demselben Wafer durchgeführt werden, für die optische Inspektion abgetastet werden, dann einem optischen Review und schließlich einem Review mit Elektronenstrahl unterzogen werden. Die Arten von Scans, die in jedem Verfahren ausgeführt werden, können voneinander verschieden sein. Beispielsweise kann bei einer optischen Inspektion die gesamte Waferoberfläche durch einen Rotations-Scan abgetastet werden. Im Gegensatz dazu kann ein optisches Review-Verfahren einen x-y-Scan-Typ umfassen, in dem eine erneute Detektion (Redetektion) der zuvor detektierten Defekte nur an bestimmten Stellen auf dem Wafer versucht wird.
  • Das Verfahren umfasst ein Kombinieren, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, von einem oder mehreren ersten Attributen für Defekte, die durch optische Inspektion eines Wafers bestimmt worden sind, auf dem die Defekte detektiert worden sind, mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch optischen Review des Wafers festgestellten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden. Wie in 1 gezeigt, können beispielsweise das eine oder die mehreren optischen Inspektionsattribute 102 und das eine oder die mehreren optischen Review-Attribute 106 kombiniert werden, um kombinierte Attribute 108 zu erzeugen. Auf diese Weise werden für jeden einzelnen, auf einem Wafer detektierten Defekt, dessen ein oder mehrere Attribute durch optische Inspektion bestimmt worden sind, mit seinen durch optischen Review bestimmten einen oder mehreren Attributen kombiniert. Daher können das eine oder die mehreren Attribute, die durch Inspektion und Review an demselben Ort des Wafers bestimmt worden sind, kombiniert werden. Als solches kann das Kombinieren der Attribute ein Bestimmen einer möglichen Offset-(Verschiebung) oder Translation zwischen Waferkoordinaten umfassen, die durch die Inspektion und den Review bestimmt sind, derart dass die an derselben oder im Wesentlichen gleichen Waferstelle bestimmten Attribute identifiziert und dann kombiniert werden können. Das Bestimmen eines solchen Offsets oder solch einer Translation kann gemäß jeglicher auf dem Fachgebiet bekannten und in geeigneter Weise durchgeführt werden. Die kombinierten Attribute können daher als eine Art von Attribut-„Obermenge“ ("Superset") betrachtet werden, bei der alle der kombinierten Attribute berücksichtigt und gemeinsam für hierin beschriebene zusätzliche Schritte verwendet werden können.
  • Der Wafer ist ein unstrukturierter (nicht gemusterter) Wafer. Beispielsweise sind die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele besonders geeignet für unstrukturierte Wafer, die im allgemeinen als Wafer definiert werden können, auf denen keine strukturierten (gemusterten) Merkmale (beispielsweise strukturierte Bauteilmerkmale und/oder strukturierte Kontrollmerkmale) vor der Inspektion oder Wafern ausgebildet worden sind, oder als Wafer, deren oberste Schicht keine strukturierten Merkmale umfasst. Die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele können daher zum Zwecke des Ermittelns von Defekten auf oder in unstrukturierten Wafern für den Review mit Elektronenstrahl ausgebildet sein.
  • Obwohl viele komplexe und fortschrittliche Verfahren für das Ermitteln von Defekten von strukturierten Wafern für den Review mit Elektronenstrahl erzeugt worden sind, gilt dies nicht notwendigerweise auch für nicht strukturierte Wafern. Beispielsweise können in vielen Fällen Informationen über auf strukturierten Wafern festgestellten Defekte mit Informationen über die auf den Wafern gebildeten Strukturen kombiniert werden, um auf intelligente Weise Defekte zu sammeln, die für einen Benutzer von Interesse sind. Allerdings werden nicht strukturierte Wafer offensichtlich nicht solche Strukturinformation enthalten. Daher bleibt das Ermitteln von auf unstrukturierten Wafers detektierten Defekten relativ einfach im Vergleich (beispielsweise Stichproben, Probenentnahmen anhand von Clustern von Defekten, usw.). Ein Ermitteln von so vielen DOIs wie möglich auf unstrukturierten Wafern bleibt jedoch etwas schwierig. Die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele können jedoch dazu verwendet werden, um solch eine Fähigkeit bereitzustellen.
  • In einem Ausführungsbeispiel umfasst die optische Inspektion eine laserbasierte Waferinspektion. Beispielsweise kann die Waferinspektion durch Beleuchten des Wafers mit von einem Laser erzeugten Licht durchgeführt werden. Solch eine Inspektion kann durch ein System durchgeführt werden, dessen Konfiguration weiter unten beschrieben ist.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel umfasst der optische Review einen laserbasierten Defekt-Review. Beispielsweise kann der optische Defekt-Review durch Beleuchten des Wafers mit von einem Laser erzeugten Licht durchgeführt werden. Solch ein Defekt-Review kann durch ein System durchgeführt werden, dessen Konfiguration weiter unten beschrieben ist.
  • In einigen Ausführungsbeispielen werden die optische Inspektion und der optische Review durch das gleiche optische Werkzeug ausgeführt, und die optische Inspektion und der optische Review werden nicht allesamt mit den gleichen Parametern auf demselben optischen Werkzeug durchgeführt. Beispielsweise können die optische Inspektion und der optische Review durch ein optisches Werkzeug, das sowohl für die Inspektion und den Review geeignet ist, durchgeführt werden, wobei das optische Werkzeug ausgebildet sein kann, wie weiter unten beschrieben. Wenn dasselbe Werkzeug für die Inspektion und den Review verwendet wird, sollten ein oder mehrere Parameter des für die Inspektion verwendeten Werkzeugs verschieden von einem oder mehreren Parametern des für den Review verwendeten Werkzeugs sein, da die Inspektion und der Review dazu verwendet werden, um verschiedene Informationen über Defekte zu erzeugen, und da die Inspektion und der Review für verschiedene Zwecke (nämlich für Defekterkennung versus Redetektion von bereits zuvor festgestellten Defekten) verwendet werden. Die Parameter der optischen Inspektion und des optischen Reviews können unterschiedlich sein, wie weiter unten beschreiben.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel werden die optische Inspektion und der optische Review von zwei verschiedenen, räumlich voneinander getrennten optischen Werkzeugen durchgeführt.
  • Solche unterschiedlichen, räumlich getrennten optischen Werkzeuge können weiter ausgebildet sein, wie hierin beschrieben.
  • In einem Ausführungsbeispiel ist mindestens eines des einen oder der mehreren ersten Attribute komplementär bezüglich mindestens einem des einen oder der mehreren zweiten Attribute. Beispielsweise können komplementäre Attribute aus optischer Inspektion ausgewählt werden und mit optischen Review-Attributen kombiniert werden, um eine "Attribut-Obermenge“ zu erstellen. Mit anderen Worten kann die Attribut-Obermenge dadurch erstellt werden, dass ein oder mehrere Attribute aus der optischen Inspektion ausgewählt werden, die komplementäre Defektinformationen zur Verfügung stellen, und das eine oder die mehreren ausgewählten Attribute mit einem oder mehreren Attributen aus dem optischen Defekt-Review kombiniert werden.
  • Das eine oder die mehreren ersten Attribute, die in den hier beschriebenen Ausführungsbeispielen verwendet werden, können abhängig von der Konfiguration des optischen Inspektions-Subsystems variieren, das dazu verwendet wird, um das eine oder die mehreren ersten Attribute zu erzeugen. Beispielsweise können die hier beschriebenen optischen Inspektions-Subsysteme und Werkzeuge eine relativ gute bevorzugte Sammlung aufweisen, die durch verschiedene Kanäle auf Basis von DOI-Typen mit relativ begrenzter Körnigkeit in Defektbilder-Patches erzeugt wurden. Daher können das eine oder die mehreren ersten Attribute, die in den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen verwendet werden, darauf bezogen werden, wie die Defekte durch verschiedene Kanäle des Inspektions-Subsystems oder des Systems ermittelt werden, jedoch nicht notwendigerweise auf Attribute, die aus einem durch Inspektion erzeugten Defektbild bestimmt sind. Daher kann das Erstellen solcher hierin beschriebener Attributobermengen durch wirksames Einsetzen der bevorzugten Kanäle für Sammlung/Detektion der optischen Inspektion durchgeführt werden.
  • In einem solchen Ausführungsbeispiel umfasst das mindestens eine erste Attribut ein Verhältnis von Defektgrößen, die durch verschiedene Kanäle eines für die optische Inspektion verwendeten Werkzeuges bestimmt sind. Beispielsweise umfasst ein Defektattribut, das durch Inspektion bestimmt werden kann und komplementär bezüglich Defektattributen aus einem Review sein kann, ein Größenverhältnis von mehreren Kanälen eines Inspektions-Subsystems oder Systems, die wie weiter unten beschrieben ausgebildet sein können. Mit anderen Worten können das eine oder die mehreren ersten Attribute ein Verhältnis von Defektgrößen umfassen, wie sie durch verschiedene Kanäle eines Inspektionssystems gemessen werden. In einem anderen solchen Ausführungsbeispiel umfasst das mindestens eine erste Attribut Informationen, für die zwei oder mehrere Kanäle eines für die optische Inspektion verwendeten Werkzeuges die Defekte ermittelt haben. Beispielsweise umfasst ein Defektattribut, das durch Inspektion bestimmt werden kann und komplementär bezüglich Defektattributen aus einem Review sein kann, eine bevorzugte Erfassung durch bestimmte Kanäle eines Inspektions-Subsystems oder Systems, die wie weiter unten beschrieben ausgebildet sein können. Mit anderen Worten können das eine oder die mehreren ersten Attribute auf Informationen basieren, über die Defekte durch einen bestimmten Kanal oder mehrere bestimmte Kanäle eindeutig erfasst werden.
  • In einem weiteren solchen Ausführungsbeispiel werden das mindestens eine erste Attribut und das mindestens eine zweite Attribut mit unterschiedlichen Wellenlängen in der optischen Inspektion und dem optischen Review bestimmt, und zumindest einige der Defekte umfassen eingebettete Defekte. Beispielsweise können Informationen, die von verschiedenen Wellenlängen aus optischer Inspektion (beispielsweise tiefem Ultraviolett (DUV)) und aus optischem Review (beispielsweise blaue Wellenlänge(n)) erzeugt worden sind, wirksam dazu eingesetzt werden, eingebettete Defekte zu klassifizieren. "Eingebettete" Defekte ist ein Begriff, der verwendet wird, um sich im Allgemeinen auf Defekte zu beziehen, die vollständig unterhalb der oberen Oberfläche eines Wafers angeordnet sind.
  • Wie bei dem einen oder den mehreren ersten Attributen, können das eine oder die mehreren zweiten Attribute, die in den hier beschriebenen Ausführungsbeispielen verwendet werden, variieren in Abhängigkeit von der Konfiguration des optischen Review-Subsystems und der Systeme, die verwendet werden, um das eine oder die mehreren zweiten Attribute zu erzeugen. Beispielsweise können die hierin beschriebenen optischen Review-Subsysteme und Werkzeuge dazu in der Lage sein, Defektbilder mit relativ umfangreichen Daten bzw. Informationen zu erzeugen und kann auch einen einzigen Kanal umfassen. Daher können das eine oder die mehreren in den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen verwendeten zweiten Attribute aus einzelnen Defektbildern bestimmt werden, die durch Review erzeugt worden sind.
  • In einigen Ausführungsbeispielen umfassen das eine oder die mehrere zweiten Attribute Größe, Form, Energie, Orientierung, Lage oder eine Kombination davon. Beispielsweise machen die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele Verwendung von einem oder mehreren Attributen in einem Defektattributsatz, der durch optischen Review erstellt worden ist. Daher nutzen die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele die Daten oder informationsreichen Bilder von Defekten wirksam, die durch optischen Review erzeugt werden können. Attribute, die aus solchen datenreichen Bildern erzeugt werden, umfassen können, jedoch nicht darauf beschränkt, Größe, Form, Energie und Orientierung. Solche Attribute können aus Informationen bestimmt werden, die durch optischen Review in jeder geeigneten Weise unter Verwendung jedes geeigneten Verfahrens und/oder Algorithmus erzeugt werden. Beispielsweise kann die Defektgröße bestimmt werden auf Basis der Höhe und/oder Breite eines Begrenzungsrahmens (das heißt, die Abmessungen eines imaginären Feldes, das den Defektbildabschnitt innerhalb eines durch optischen Review erzeugten Bildes umgibt), Pixelzahl des Defekts- (das heißt, die Anzahl der Pixel, über die sich ein Bild eines Defekts erstreckt) und Fläche. Die Attribute zur Form können eine Charakterisierung der Form umfassen ähnlich der von bekannten Defektformen, wie eine "Punkt"-ähnliche Form, eine "symmetrische Tropfen- bzw. Klecks“-artige Form, eine Rückstands-artige Form, eine Kratzer-artige Form usw. Das Attribut zur Energie kann basierend auf der Streuintensität der Defekte in Bildern aus dem optischen Review bestimmt werden. Das Attribut zur Orientierung (Ausrichtung) kann dazu verwendet werden, um Kratzer oder Reste von verschiedenen Orientierungen (beispielsweise von-rechts-nach-links-Orientierung versus von-links-nach-rechts-Orientierung) zu trennen. Das Attribut zur Lage (Ort) kann beispielsweise die radiale Position der Defekte umfassen.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel umfassen das eine oder die mehreren zweiten Attribute ein oder mehrere quantifizierbare Attribute, die aus durch den optischen Review erzeugten Bildern extrahiert werden. Beispielsweise können die durch optischen Review bestimmten Attribute jegliche quantifizierbare Attribute umfassen, die aus einem optischen Bild extrahiert sind, das durch ein optisches Review-Subsystem oder System erzeugt worden ist, einschließlich derjenigen Attribute, die oben beschrieben werden und/oder alle anderen Attribute, die aus optischen Review-Bildern bestimmt werden können.
  • Das Verfahren umfasst auch ein Separieren der Defekte in Gruppen („bins“) basierend auf den kombinierten Attributen für die Defekte, und die Gruppen entsprechen verschiedenen Defektklassifikationen. Beispielsweise kann die Kombination der durch optische Inspektion bestimmten einen oder mehreren Defektattribute mit den durch optischen Review bestimmten einen oder mehreren Defektattribute in einen attributbasierten automatischen Defektklassifizierer (im Englischen „automatic defect classifier“, abgekürzt mit „ADC“) eingegeben werden. Das Kombinieren der Defektattribute aus optischer Inspektion und optischem Review ermöglicht eine schnelle und relativ genaue Defektklassifizierung.
  • Wie in einem solchen Beispiel gemäß 1 gezeigt, können kombinierte Attribute 108, die aus optischen Inspektionsattribute(n) 102 und optischen Review-Attribute(n) 106 erzeugt worden sind, an einen Gruppier-Schritt 110 übergeben werden, in dem das hierin beschriebene Separieren durchgeführt werden kann. Auf diese Weise kann die Ausgabe des Separier-Schritts eine Anzahl der in jeder der Gruppen enthaltenen Defekte (das heißt eine Gruppe-für-Gruppe Defektzahl) in Abhängigkeit von den verschiedenen Gruppen umfassen. Solche Ausgaben können im Allgemeinen durch ein Pareto-Diagramm oder ein optisch basiertes ADC (oADC) Pareto-Diagramm der hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele oder durch eine andere geeignete Ausgabe aus dem Stand der Technik dargestellt werden. Wie in 1 gezeigt, kann beispielsweise die Ausgabe des Gruppier-Schritts 110 die Pareto-Tabelle 114 umfassen. Die verschiedenen Defektklassifikationen der verschiedenen Gruppen können in Abhängigkeit vom Wafer-Typ und den DOI-Typen variieren, die von Wafer zu Wafer variieren. Einige Beispiele für verschiedene Defektklassen umfassen Teilchen (Partikel, große Partikel, kleine Partikel, usw.), eingebettete Defekte, Rückstände, Kugeln, Kratzer und Polier-induzierte Defekte (PID), sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Das Ausführungsbeispiel in 2 veranschaulicht eine Möglichkeit, wie der oben beschriebene Separier-Schritt unter Verwendung der kombinierten Attribute durchgeführt werden kann. Obwohl einige spezifische Attribute und Defektklassen in 2 gezeigt sind, sind diese spezifischen Attribute und Defektklassen nicht als Beschränkung der hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele in irgendeiner Weise zu verstehen. Stattdessen sind in dieser Zeichnung diese spezifischen Attribute und Defektklassen zum weiteren Verständnis der Ausführungsbeispiele dargestellt, die, wie sie hier beschrieben sind, auf einer Vielzahl von verschiedenen Attributen und einer Vielzahl von unterschiedlichen Gruppenklassifikationen abhängig vom Wafer-Typ inspiziert und überprüft („reviewed“) werden können.
  • Wie in 2 gezeigt, kann ein Ergebnis der Inspektion der "Defekt"-Population 200 für den Separier-Schritt eingegeben werden. Das Ergebnis der Inspektion der “Defekt“-Population kann durch irgendeine der hier beschriebenen Inspektionen erzeugt werden (beispielsweise eine optische Inspektion, die einen Hot-Scan umfasst). Wie hierin beschrieben, kann das Ergebnis der Inspektion der “Defekt“-Population eine Reihe von unechten Defekten umfassen, wie beispielsweise Störungen, Rauschen und andere Arten von unechten Defekten. Daher kann ein Filtern von Rauschelementen 202 auf das Ergebnis der Inspektion der “Defekt“-Population angewendet werden, um vorzugsweise unechte Defekte von den tatsächlichen oder realen Defekten zu trennen. Das Filtern der Rauschelemente kann in jeder in der Technik bekannten geeigneten Weise durchgeführt werden. Die Ergebnisse des Rauschfilterns können daher eine Gruppe mit unechten Defekten 204 und eine Gruppe mit Defekten 206 umfassen. Die in der Gruppe mit den unechten Defekten 204 enthaltenen Defekte können in vorteilhafter Weise von allen anderen hierin beschriebenen Schritten ausgeschlossen werden.
  • Die in der Gruppe 206 mit den tatsächlichen Defekten enthaltenen Defekte können dann weiter separiert werden basierend auf den für die Defekte bestimmten kombinierten Attributen, wie hierin beschrieben. Beispielsweise kann eine Kanalinformation (Inspektion) 208 (das heißt, welcher Inspektionskanal bzw. welche Inspektionskanäle haben welche Defekte ermittelt) für die Defekte in der Gruppe mit den Defekten 206 verwendet werden, um solche Defekte in eine Gruppe mit nicht behebbaren Defekten 210 und in eine Gruppe mit behebbaren Defekten 212 zu separieren. Ein Orientierungsattribut 214 für die Defekte in der Gruppe der nicht behebbaren Defekte 210 kann verwendet werden, um die nicht behebbaren Defekte in rechts-nach-links (R2L) Kratzer-Gruppe 216 und in eine links-nach-rechts (L2R) Kratzer-Gruppe 218 zu separieren. Ein Form-Attribut 220 kann für die Defekte in der Gruppe mit den behebbaren Defekten 212 verwendet werden, um solche Defekte in eine Rückstands-Gruppe 222 und eine Partikel-Gruppe 224 zu separieren. Ein Größe-Attribut 226 kann verwendet werden, um die Defekte in der Partikel-Gruppe in Gruppe mit großen Partikeln 228 und in eine Gruppe mit kleinen Partikeln 230 zu separieren.
  • Daher erzeugt in diesem Ausführungsbeispiel der Separier-Schritt fünf Gruppen, die die R2L-Kratzer-Gruppe 216, die L2R-Kratzer-Gruppe 218, die Rückstands-Gruppe 222, die große-Partikel-Gruppe 228 und die kleine-Partikel-Gruppe 230 umfassen. Die Anzahl der Defekte, die in jeder dieser Gruppen enthalten sind, kann dann dazu verwendet werden, um ein Pareto-Diagramm der Defektzahl als Funktion in Abhängigkeit von Gruppen zu erzeugen. Informationen, die für die Defekte in jeder der Gruppen enthalten sind, können dann für den Ermittlungsschritt verwendet werden, wie weiter unten beschrieben. Auf diese Weise kann ein gezieltes Ermitteln von DOIs für den Review mit Elektronenstrahl auf der Grundlage der Ergebnisse aus dem Separier-Schritt durchgeführt werden.
  • In einem Ausführungsbeispiel umfasst die optische Inspektion ein Ausführen eines Hot-Scans auf dem Wafer und ein Separieren von durch den Scan ermittelten Defekten von durch den Hot-Scan ermittelten unechten Defekten, wobei der optische Review für zumindest einige der durch den Hot-Scan ermittelten Defekte und für keinen der durch den Hot-Scan ermittelten unechten Defekte durchgeführt wird, und wobei das Kombinieren für zumindest einige der Defekte, für die der optische Review durchgeführt wird, und für keinen der unechten Defekte durchgeführt wird. Beispielsweise kann die optische Inspektion das Ausführen eines heißen Scans mit einer Rauschrate größer 0 umfassen. In einem "Hot"-Scan kann die Empfindlichkeit der Inspektion des Wafers so eingerichtet werden, dass sie die höchstmögliche Empfindlichkeit hat. Beispielsweise können der eine oder die mehreren für die Inspektion des Wafers verwendeten Defekt-Detektionsalgorithmen und/oder -methode/n mit höchstmöglicher Empfindlichkeit eingestellt werden. Wenn ein Defektermittlungsalgorithmus beispielsweise die Ausgabe der Optik des Inspektors mit einem Schwellenwert vergleicht (möglicherweise nach einer gewissen auf der Ausgabe durchgeführten Verarbeitung), kann der Schwellenwert auf den niedrigstmöglichen Wert eingestellt werden, wodurch eine höchstmögliche Empfindlichkeit des Werkzeugs bereitgestellt wird.
  • Das Separieren der durch den Hot-Scan ermittelten Defekte von den unechten Defekten kann mittels Rauschfiltern durchgeführt werden. "Rauschen" oder "Rauschdefekte", wie diese Begriffe hier verwendet werden, beziehen sich im Allgemeinen auf "Defekte", die durch Wafer-Inspektion festgestellt werden und die nicht tatsächliche Defekte auf dem Wafer sind oder Defekte, die für einen Benutzer unerheblich sind (das heißt, sie sind keine DOIs). Auf diese Weise können "unechte Defekte", so wie dieser Begriff hier verwendet wird, irgendwelche Störungen, Rauschen oder andere detektierte Ereignisse umfassen, die keine wirklichen Defekte sind. Sobald die unechten Defekte von den Inspektionsergebnissen eliminiert worden sind, können auf diese Weise die verbleibenden echten Defekte an einen optischen Review übergeben werden (in welchem ein, einige oder alle der "echten" Defekte überprüft werden). Der hierin beschriebene Schritt des Kombinierens kann dann nur für die Defekte ausgeführt werden, die optisch überprüft worden sind, was keine der durch optische Inspektion ermittelten unechten Defekte miteinschließen würde. Auf diese Weise können das Rauschfiltern und die Klassifikationsergebnisse aus dem Defekt-Review in Kombination miteinander verwendet werden, um bei der Erstellung von Karten über echte Defekte und anderen Informationen zu helfen, die dann für das hier beschriebene Ermitteln von Defektproben mittels Review mit Elektronenstrahl verwendet werden können.
  • Die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele ermöglichen es daher Hot-Scans auf Wafer-Inspektionswerkzeugen, den Defekt-Review nicht mit einer untragbaren Anzahl von unechten Rausch-Defekten zu überhäufen. Insbesondere kann das oben beschriebene Kombinieren von Rauschfiltern mit den durch optischen Defekt-Review erzeugten Defektklassifikationsinformationen dazu genutzt werden, um sogar große Mengen von in einem Hot-Scan ermittelten Rauschdefekten effektiv zu reduzieren. Daher können Hot-Scans für Routine-Waferinspektionen ohne jegliche der ansonsten üblichen Nachteile solcher Scans verwendet werden. Als Ergebnis kann die für die Routine-Waferinspektion verwendete Empfindlichkeit die höchstmögliche Empfindlichkeit sein, sogar wenn das in großen Mengen von Rauschdefekten resultiert. Auf diese Weise ermöglichen es die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele optischen Inspektionswerkzeugen, Scans mit einer höheren Empfindlichkeit mit ihrer jeweils aktuellen Hardware auszuführen. Um Verbesserungen mit der gleichen Empfindlichkeit durch Hardware-Entwicklungen zu erreichen, könnte dies mehrere 10 Millionen Dollar kosten. Daher können die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele die gleichen Verbesserungen bezüglich der Empfindlichkeit bei deutlich geringeren Kosten bereitstellen, da keine Hardware-Änderungen und -Verbesserungen nicht notwendigerweise erforderlich sind, um die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele zu implementieren.
  • Das Verfahren umfasst ferner ein Ermitteln eines oder mehrerer Defekte anhand der Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, um Defektproben für den Review mit dem Elektronenstrahl zu erzeugen. Wie beispielsweise in 1 gezeigt, kann das Verfahren das Durchführen eines Ermittlungs-Schritts 112 umfassen basierend auf Ergebnissen des Gruppier-Schritts 110, die das Pareto-Diagramm 114 umfassen können. Ein Ermitteln des Defekts bzw. der Defekte kann durchgeführt werden, wie hier weiter beschrieben, oder auf jede andere, aus dem Technik bekannte geeignete Weise (beispielsweise zufällige Ermitteln von einer vorbestimmten Anzahl von Defekten aus jeder der Gruppen, Ermitteln einer vorbestimmten Anzahl der verschiedensten Defekte (das heißt, Defekte, die die größte Vielfalt in einem Attribut der Defekte aufweisen) in jeder der Gruppen, usw.).
  • In einem Ausführungsbeispiel entspricht mindestens eine der Gruppen einer DOI-Klassifizierung, und das Ermitteln der Defekte umfasst ein Ermitteln aus der mindestens einen Gruppe, wobei das Ermitteln verschieden ist von einem Ermitteln aus anderen Gruppen, die nicht der DOI-Klassifizierung entsprechen. Beispielsweise kann das Ermitteln stärker ein Ermitteln von gezielter DOI (beispielsweise der DOI, die am interessantesten für einen Benutzer ist) umfassen als ein Ermitteln anderer DOI. Auf diese Weise können die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele ein a priori Wissen über DOI (vor dem Review mit Elektronenstrahl erzeugt) verwenden, um einige DOIs anzuvisieren, wohingegen andere DOIs übersprungen oder vermieden werden. Insbesondere können die Regeln für das Ermitteln der Defekte auf bestimmten DOI-Typen basieren. Basierend auf den in die Gruppen separierten Defekten und ihre hierin beschriebenen entsprechenden erstellten Defektklassen können in einem solchen Beispiel Regeln verwendet werden, um bevorzugt spezifische DOIs (beispielsweise Kratzer und Vertiefungen) zu ermitteln und/oder einige andere DOIs (beispielsweise eingebettete Defekte) zu vermeiden. Somit brauchen typische, mit Elektronenstrahl nicht sichtbare Defekte (oder nicht sichtbare mit SEM, SNV), wie beispielsweise eingebettete Defekte, für den Review mit Elektronenstrahl nicht ausgewählt werden. Auf diese Weise können die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele ein gezielten Ermitteln von DOIs für den Review umfassen, der basierend auf von einem oADC Klassifizierer (automatischer optischer Defektklassifizierer) bereitgestellten Defekttypinformationen durchgeführt wird.
  • In einigen Ausführungsbeispielen umfasst das Verfahren ein Durchführen des Reviews mit Elektronenstrahl für den einen oder die mehreren ermittelten Defekte, um dadurch Defektklassifikationen für den einen oder die mehreren ermittelten Defekte zu erzeugen. Das Durchführen des Reviews mit Elektronenstrahl kann ein Erzeugen von Elektronenstrahlbildern von Defekten umfassen, die während des Reviews des Defekts erneut geprüft werden können. Ein oder mehrere Attribute der in den Bildern wieder erkannten Defekte können dann bestimmt und für die Klassifizierung der Defekte verwendet werden. Das eine oder die mehreren Attribute können alle aus dem Stand der Technik bekannten geeigneten Attribute umfassen, wie beispielsweise Größe, Form, Orientierung, Textur, usw. und können auf jede geeignete Weise unter Verwendung eines geeigneten Algorithmus und/oder Verfahrens bestimmt werden. Die auf Basis dieser Attribute durchgeführte Klassifizierung der Defekte kann im Wesentlichen in der gleichen Weise durchgeführt werden wie das hierin beschriebene Separieren der Defekte in Gruppen. Da die durch Review mit Elektronenstrahl bestimmten Defektklassifikationen typischerweise basierend auf Elektronenstrahlbildern durchgeführt werden, in denen die Defekte behoben sind, werden solche Defektklassifikationen in der Regel als "Referenz" Klassifikationen bezeichnet. Die durch ein einen Elektronenstrahl verwendendes Review-Werkzeug erzeugten Defektklassifikationsergebnisse können auf jede geeignete Weise ausgedrückt werden, beispielsweise durch ein Pareto-Diagramm. Deshalb kann ein solches Pareto-Diagramm üblicherweise als Referenz-Pareto-Tabelle bezeichnet werden.
  • Die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele haben daher eine Reihe von Vorteilen gegenüber bisher verwendeten Verfahren und Systemen zum Erzeugen von Defektproben für die Elektronenstrahl-Überprüfung. Beispielsweise stellen die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele umsetzbare DOI-Informationen nach einem optischen Review zur Verfügung, die die Zeit reduzieren können, die für die Fehlersuche nach jeglichen Auswandern des Prozess-Werkzeugs Exkursion benötigt wird. Zudem kann das Ermitteln der Defekte, das für den Review mit Elektronenstrahl durchgeführt wird, ein Ermitteln von gezielten DOI-Informationen umfassen auf der Basis der a priori DOI-Informationen, die nach dem optischen Review bereitgestellt werden. Ein solch gezieltes Ermitteln von DOIs kann dabei helfen, Erfassungsraten für Defekt-Reviews zu verbessern und den Zeitaufwand beim Erstellen von Referenz-Defektklassifikationsinformationen (beispielsweise ein Referenz-Pareto) zu reduzieren, was aus offensichtlichen Gründen vorteilhaft ist. Beispielsweise können für das Ermitteln von Defekten verwendete Regeln so eingestellt werden, dass eingebettete Defekttypen nicht für den Defekt-Review ermittelt werden, da diese Defekttypen für ein Review-Werkzeug mit Elektronenstrahl nicht sichtbar sein können. Ein Ermitteln nur von Defekten, für die der Defekt-Review in der Lage ist diese wieder zu ermitteln, wird die Defekt-Erfassungsrate beim Defekt-Review dadurch erhöhen. Im Gegensatz dazu umfassen die derzeit verwendeten Verfahren zum Ermitteln von Defekten auf nicht strukturierten Wafern im Allgemeinen, dass alle mit optischem Review verifizierten (nachgewiesenen) Defekte für den Review mit Elektronenstrahl bereitgestellt werden, und dann eine vorbestimmte Anzahl (beispielsweise 100) von Defekten aus diesen verifizierten Defekten zufällig ermittelt wird. Allerdings bieten diese derzeit verwendeten Verfahren keine Möglichkeiten zum Ermitteln von gezielten DOIs.
  • Die oben beschriebenen Schritte zum Kombinieren, Separieren und Ermitteln werden unter Verwendung eines Computersystems durchgeführt, das wie hierin weiter beschrieben ausgebildet sein kann.
  • Jedes der Ausführungsbeispiele des oben beschriebenen Verfahrens kann jeden beliebigen anderen Schritt der anderen hierin beschriebenen Verfahren umfassen. Zudem kann jedes der Ausführungsbeispiele des oben beschriebenen Verfahrens durch jedes der hier beschriebenen Systeme ausgeführt werden.
  • Alle hierin beschriebenen Verfahren können ein Speichern von Ergebnissen aus einem oder mehreren Schritten der Verfahrensausführungsbeispiele in einem computerlesbaren Speichermedium umfassen. Die Ergebnisse können beliebige der hierin beschriebenen Ergebnisse umfassen und können auf jede aus dem Stand der Technik bekannte Weise gespeichert werden. Das Speichermedium kann jedes beliebige hierin beschriebene Speichermedium oder irgendein anderes aus dem Stand der Technik bekanntes geeignetes Speichermedium umfassen. Nachdem die Ergebnisse gespeichert worden sind, kann auf die Ergebnisse im Speichermedium zugegriffen werden, und die Ergebnisse können durch jedes der hierin beschriebenen Verfahrens- oder System-Ausführungsbeispiele verwendet werden, für die Anzeige an einen Benutzer formatiert, von jedem anderen Software-Modul, Verfahren oder System usw. verwendet werden.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel betrifft ein nicht-flüchtiges computerlesbares Medium, das Programmanweisungen speichert, die auf einem Computersystem ausführbar sind, um ein computerimplementiertes Verfahren zum Erzeugen einer Defektprobe für einen Review (Überprüfung) mit Elektronenstrahl auszuführen. Ein solches Ausführungsbeispiel ist in 3 gezeigt. Wie in 3 gezeigt, umfasst ein computerlesbares Medium 300 insbesondere Programmanweisungen 302, die auf einem Computersystem 304 ausführbar sind. Das computerimplementierte Verfahren umfasst die Schritte des oben beschriebenen Verfahrens. Das computerimplementierte Verfahren, für die die Programmanweisungen ausführbar sind, kann jeden beliebigen anderen der hier beschriebenen Schritte umfassen.
  • Verfahren, die Programmanweisungen 302 implementieren, wie die hier beschriebenen, können auf einem computerlesbaren Medium 300 gespeichert werden. Das computerlesbare Medium kann ein Speichermedium sein, wie beispielsweise eine magnetische oder optische Platte oder ein Magnetband oder ein anderes aus dem Stand der Technik bekanntes geeignetes nicht-flüchtiges computerlesbares Medium.
  • Die Programmanweisungen können in irgendeiner von verschiedenen Weisen implementiert werden, einschließlich prozedurbasierten Techniken, komponentenbasierten Techniken und/oder objektorientierten Techniken, unter anderem. Beispielsweise können die Programmanweisungen unter Verwendung von ActiveX-Steuerelementen, C ++ Objekten, Javabeans, Microsoft Foundation Classes ("MFC") oder anderen Techniken oder Verfahren implementiert werden, wie gewünscht.
  • Das Computersystem kann verschiedene Formen annehmen, umfassend ein Personalcomputer-System, Bildcomputer, Mainframe-Computersystem, eine Workstation, eine Netzwerk-Anwendung, internetbasierte Anwendung oder ein anderes Gerät. Im Allgemeinen kann der Begriff "Computersystem" breit definiert jede Vorrichtung umfassen mit einem oder mehreren Prozessoren, die Instruktionen von einem Speichermedium ausführt. Das Computersystem kann auch jeden geeigneten Prozessor aus dem Stand der Technik umfassen, wie beispielsweise einen Parallel-Prozessor. Zudem kann das Computersystem eine Computerplattform mit Hochgeschwindigkeitsverarbeitung umfassen und Software, entweder als Stand-alone- oder als vernetztes Werkzeug.
  • Ein zusätzliches Ausführungsbeispiel betrifft ein System, das ausgebildet ist, um eine Defektprobe für den Review mit Elektronenstrahl zu erzeugen. Ein Ausführungsbeispiel eines solchen Systems ist in 4. Das System umfasst ein optisches Inspektions-Subsystem 400, das ausgebildet ist, um Defekte auf einem Wafer zu ermitteln. Wie in 4 gezeigt, umfasst das optische Inspektions-Subsystem ein Beleuchtungs-Subsystem, das ausgebildet ist, um Licht auf den Wafer 402 zu lenken. Das Beleuchtungs-Subsystem umfasst mindestens eine Lichtquelle. Beispielsweise, wie in 4 gezeigt, umfasst das Beleuchtungs-Subsystem eine Lichtquelle 404. In einem Ausführungsbeispiel ist das optische Inspektions-Subsystem ausgebildet, die Defekte auf dem Wafer durch laserbasierte Waferinspektion zu ermitteln. Beispielsweise kann die Lichtquelle 404 einen Laser umfassen. Der Laser kann ein beliebiger geeigneter Laser aus dem Stand der Technik sein. Der Laser kann so ausgebildet sein, um Licht in einer oder mehreren beliebigen geeigneten Wellenlängen zu erzeugen, wie beispielsweise eine oder mehrere DUV-Wellenlängen. Die Lichtquelle kann auch jede andere geeignete Lichtquelle aus dem Stand der Technik umfassen.
  • In einem Ausführungsbeispiel ist das Beleuchtungs-Subsystem ausgebildet ist, das Licht auf den Wafer unter einem oder mehreren Einfallswinkeln zu lenken, die mindestens einen schrägen Einfallswinkel umfassen. Beispielsweise, wie in 4 gezeigt, wird Licht von der Lichtquelle 404 durch eine Linse 406 auf den Wafer 402 unter einem schrägen Einfallswinkel gerichtet. Obwohl die Linse 406 in 4 als ein einziges refraktives optisches Element gezeigt ist, ist es selbstverständlich, dass in der Praxis, die Linse 406 eine Anzahl von brechenden und/oder reflektierenden optischen Elemente umfassen kann, die in Kombination das Licht von der Lichtquelle zum Wafer fokussieren. Der schräge Einfallswinkel kann jeden geeigneten schrägen Einfallswinkel umfassen, der variieren kann abhängig von, beispielsweise, Eigenschaften des Wafers und der auf dem Wafer zu ermittelnden Defekte.
  • Das Beleuchtungs-Subsystem kann dazu ausgebildet sein, das Licht auf den Wafer bei verschiedenen Einfallswinkeln zu verschiedenen Zeiten zu lenken. Beispielsweise kann das optische Inspektions-Subsystem ausgebildet sein, um einen oder mehrere Parameter eines oder mehrerer Elemente des Beleuchtungs-Subsystems zu ändern, so dass das Licht bei einem Einfallswinkel auf den Wafer gerichtet werden kann, der verschieden von dem in 4 ist. In einem solchen Beispiel kann das optische Inspektions-Subsystem ausgebildet sein, um die Lichtquelle 404 und die Linse 408 so zu bewegen, dass das Licht auf den Wafer mit einem anderen schrägen Einfallswinkel oder senkrecht (oder nahezu senkrecht) gerichtet ist.
  • Das Beleuchtungs-Subsystem kann auch oder alternativ in einigen Fällen so ausgebildet sein, dass das Licht auf den Wafer bei mehreren Einfallswinkeln gleichzeitig gerichtet werden kann. In einem solchen Beispiel kann das Beleuchtungs-Subsystem eine andere Lichtquelle (nicht gezeigt) und eine andere Linse (nicht gezeigt) umfassen, die dazu ausgebildet sind, um Licht auf den Wafer bei einem anderen Einfallswinkel zu richten als wie in 4. Wenn derartiges Licht zur gleichen Zeit wie das andere Licht auf den Wafer gerichtet wird, können eine oder mehrere Eigenschaften (beispielsweise Wellenlänge, Polarisation, usw.) des auf den Wafer bei verschiedenen Einfallswinkeln gerichteten Lichts verschieden sein, so dass Licht resultierend aus den Beleuchtungsergebnissen des Wafers bei den verschiedenen Einfallswinkeln am Detektor bzw. an den Detektoren voneinander unterschieden werden kann. Das Beleuchtungs-Subsystem kann eine beliebige andere geeignete Konfiguration aus dem Stand der Technik aufweisen zum aufeinanderfolgenden oder gleichzeitigen Lenken des Lichts auf den Wafer bei mehreren Einfallswinkeln.
  • Das in 4 gezeigte und hierin beschriebene Beleuchtungs-Subsystem kann beliebige andere geeignete optische Elemente (nicht gezeigt) umfassen. Beispiele für derartige optische Elemente umfassen, jedoch nicht darauf beschränkt, einen oder mehrere Polarisationskomponenten, spektrale Filter, Raumfilter, reflektive optische Elemente, Apodisierer, Strahlteiler, Blenden (Öffnungen) und dergleichen, die jedes solcher geeigneten optisch Elemente aus dem Stand der Technik umfassen können. Zusätzlich kann das optische Inspektionssystem so ausgebildet sein, dass es eines oder mehrere der Elemente des Beleuchtungs-Subsystems basierend auf der Art der Beleuchtung verändert, um für die Inspektion verwendet zu werden. Beispielsweise, wie oben beschrieben, kann das optische Inspektions-Subsystem ausgebildet sein, um einen oder mehrere Parameter des Beleuchtungs-Subsystem zu verändern, um den für die Inspektion verwendeten Einfallswinkel zu ändern. Das optische Inspektions-Subsystem kann ausgebildet sein, um das Beleuchtungs-Subsystem in einer ähnlichen Weise zu verändern, um einen oder mehrere andere Parameter zu ändern (beispielsweise Polarisation, Wellenlänge, usw.) der zur Inspektion verwendeten Beleuchtung.
  • Das optische Inspektions-Subsystem umfasst auch ein Scan-Subsystem (Abtast-Subsystem), das ausgebildet ist, dass Licht über dem Wafer gescannt werden kann. Beispielsweise kann das optische Inspektions-Subsystem einen Tisch 408 umfassen, auf dem der Wafer 402 während der Inspektion angeordnet ist. Das Scan-Subsystem kann jede geeignete mechanische und/oder Roboter-Baugruppe (umfassend Tisch 408) umfassen, die ausgebildet sind, um den Wafer derart zu bewegen, dass das Licht über dem Wafer gescannt werden kann. Zusätzlich oder alternativ kann das optische Inspektions-Subsystem derart ausgebildet sein, dass ein oder mehrere optische Elemente des optischen Inspektions-Subsystems eine Abtastung des Lichts über dem Wafer durchführen. Das Licht kann über dem Wafer in jeder geeigneten Weise abgetastet (gescannt) werden, wie beispielsweise entlang eines serpentinenartigen Wegs oder in einer spiralförmigen Bahn.
  • Das optische Inspektions-Subsystem umfasst ferner einen oder mehrere Detektionskanäle. Beispielsweise kann das optische Inspektions-Subsystem ausgebildet sein, um Oberflächendefekte mit mehreren Sammel-/Detektionskanälen zu ermitteln. Mindestens einer der Kanäle umfasst einen Detektor, der ausgebildet ist, um Licht von dem Wafer zu erfassen und eine Ausgabe als Antwort auf das detektierte Licht zu erzeugen. Beispielsweise umfasst das in 4 gezeigte optische Inspektions-Subsystem zwei Detektionskanäle, einen durch den Kollektor 410 und Detektor 412 gebildeten Detektionskanal und einen anderen, von dem Kollektor 414 und dem Detektor 416 gebildeten Detektionskanal. Wie in 4 gezeigt, sind die beiden Detektionskanäle zum Sammeln und Detektieren von Licht bei verschiedenen Streuwinkeln ausgebildet. Mit anderen Worten sind beide Detektionskanäle ausgebildet, um Streulicht zu erfassen, und beide Detektionskanäle sind so ausgebildet, Licht zu detektieren, das unter verschiedenen Winkeln von dem Wafer gestreut wird. Die Ausgabe, die von den Detektoren als Reaktion auf das detektierte Licht erzeugt wird, kann jede geeignete Ausgabe umfassen, wie beispielsweise Bilder, Bilddaten, Signale, Signaldaten usw.
  • Obwohl Kollektoren 410 und 414 in 4 als einzelne refraktive optische Elemente gezeigt sind, ist es selbstverständlich, dass in der Praxis Kollektoren 410 und 414 eine Anzahl von brechenden und/oder reflektierenden optischen Elemente umfassen können, die in Kombination das Licht von dem Wafer zu ihren jeweiligen Detektoren fokussieren. Zudem können die Kollektoren Q 41 und 414 unterschiedliche Konfigurationen oder die gleiche Konfiguration aufweisen. Die Detektoren 412 und 416 können alle geeigneten Detektoren aus dem Stand der Technik umfassen, wie beispielsweise Fotovervielfacher-Rohre (im Englischen mit „PMT“ abgekürzt für „photomultiplier tube“). Zusätzlich können die Detektoren 412 und 416 unterschiedliche Konfigurationen oder die gleiche Konfiguration haben. Die Detektionskanäle können auch beliebige andere geeignete Elemente (nicht dargestellt) umfassen, wie beispielsweise eine oder mehrere polarisierende Komponenten, spektrale Filter, Raumfilter, reflektive optische Elemente, Strahlteiler, Blenden (Öffnungen) und dergleichen, die jedes solcher aus dem Stand der Technik bekannten geeigneten optischen Elemente umfassen kann.
  • Wie weiter in 4 gezeigt, werden beide Detektionskanäle als in der Ebene des Papiers positioniert gezeigt, und das Beleuchtungs-Subsystem ist auch als in der Ebene des Papiers angeordnet gezeigt. Daher sind in diesem Ausführungsbeispiel beide Detektionskanäle als (beispielsweise zentriert) in der Einfallsebene positioniert gezeigt. Jedoch können einer oder mehrere der Detektionskanäle aus der Einfallsebene heraus positioniert sein. Beispielsweise wird der durch den Kollektor 414 und den Detektor 416 gebildete Detektionskanal ausgebildet sein, um Licht zu sammeln und zu erfassen, das aus der Einfallsebene heraus gestreut wird. Daher kann ein solcher Detektionskanal üblicherweise als ein "Seiten"Kanal bezeichnet werden, und ein solcher Seitenkanal kann in einer Ebene zentriert sein, die im Wesentlichen senkrecht zur Einfallsebene ist.
  • Obwohl 4 ein Ausführungsbeispiel des optischen Inspektions-Subsystems zeigt, das zwei Detektionskanäle umfasst, kann das optische Inspektions-Subsystem eine andere Anzahl von Detektionskanälen (beispielsweise nur einen Detektionskanal oder zwei oder mehrere Detektionskanäle) umfassen. In einem solchen Fall wird der von Kollektor 414 und Detektor 416 gebildete Detektionskanal einen Seitenkanal bilden können, wie oben beschrieben, und das optische Inspektions-Subsystem kann einen zusätzlichen Detektionskanal (nicht gezeigt) umfassen, der wie ein anderer Seitenkanal gebildet ist, der auf der gegenüberliegenden Seite der Einfallsebene angeordnet ist. In jedem Fall hat jeder der Kanäle seinen eigenen Kollektor, von denen jeder ausgebildet ist, um Licht bei verschiedenen Streuwinkeln zu sammeln, die verschieden von denen der anderen Kollektoren sind.
  • Wie weiter oben beschrieben, kann jeder der Detektionskanäle, der im optischen Inspektions-Subsystem enthalten ist, ausgebildet sein, um gestreutes Licht zu detektieren. Daher ist das in 4 gezeigte optische Inspektions-Subsystem für Dunkelfeld (DF) Inspektion von Wafern ausgebildet. Zusätzlich kann das optische Inspektions-Subsystem einen oder mehrere Detektionskanäle (nicht dargestellt) umfassen, die für Hellfeld-(BF)Inspektion von Wafern ausgebildet sind. Mit anderen Worten kann das optische Inspektionssubsystem einen oder mehrere Kanäle umfassen, die ausgebildet sind, um Licht zu erfassen, das spiegelnd von dem Wafer reflektiert wird. Daher können die hierin beschriebenen optischen Inspektions-Subsysteme für DF und/oder BF Wafer-Inspektion ausgebildet sein.
  • Das Computer-Subsystem 418 des optischen Inspektions-Subsystems ist so ausgebildet, dass die durch den Detektor bzw. die Detektoren während der Abtastung bereitgestellte Ausgabe dem Computer-Subsystem 418 zur Verfügung gestellt werden kann. Beispielsweise kann das Computer-Subsystem mit den Detektoren 412 und 416 gekoppelt sein (beispielsweise durch ein oder mehrere Übertragungsmedien, wie durch die gestrichelten Linien in 4 gezeigt, die beliebige geeignete aus dem Stand der Technik bekannte Übertragungsmedien umfassen können), so dass das Computer-Subsystem die von den Detektoren erzeugte Ausgabe empfangen kann. Das Computer-Subsystem kann ausgebildet sein, um einen oder mehrere beliebige Schritte unter Verwendung der von dem Detektor erzeugten Ausgabe auszuführen, wie beispielsweise Defektermittlung und Erzeugen einer Inspektions-Ergebnisdatei für den Wafer. Eine Defektermittlung kann auf jede geeignete Weise durchgeführt werden (beispielsweise durch Anwenden einer oder mehrerer Defektermittlungs-Algorithmen und/oder Verfahren mit der von den Detektoren erzeugten Ausgabe, die beliebige geeignete Algorithmen und/oder aus dem Stand der Technik bekannte Verfahren umfassen können). Das Computer-Subsystem 418 kann weiter ausgebildet sein, wie hierin beschrieben.
  • Das eine oder die mehreren ersten Attribute, die durch das optische Inspektions-Subsystem bestimmt werden können, können beliebige solche hierin beschriebenen Attribute umfassen. Beispielsweise umfasst in einem Ausführungsbeispiel das mindestens eine erste Attribut ein Verhältnis von Defektgrößen, die durch unterschiedliche Kanäle des optischen Inspektions-Subsystems bestimmt sind. Beispielsweise kann das Computer-Subsystem 418 ausgebildet sein, um eine erste Größe eines Defekts unter Verwendung der Ausgabe, die durch einen der Detektoren bestimmt ist, und eine zweite Größe des gleichen Defekts unter Verwendung der Ausgabe, die von einem anderen der Detektoren erzeugt wird, zu bestimmen. Auf diese Weise kann die Ausgabe, die durch mehr als einen Detektor erzeugt worden ist, separat verwendet werden, um mehrere Defektgrößen für den gleichen Defekt zu bestimmen. Das Computer-Subsystem kann dann ein Verhältnis von zwei oder mehreren der Defektgrößen bestimmen. Diese Informationen können in den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen nützlich sein, da Defekte Licht in verschiedenen Streuwinkeln unterschiedlich streuen können, was in einer unterschiedlichen Lichtstreuung resultiert, die durch unterschiedliche Detektoren erfasst wird und somit in unterschiedlichen Defektgrößen resultiert, die basierend auf einer von den verschiedenen Detektoren erzeugten Ausgabe bestimmt werden. Da verschiedene Arten von Defekten das Licht unterschiedlich streuen können, können die für jeden einzelnen Defekt bestimmten unterschiedlichen Defektgrößen außerdem den jeweiligen Defekttyp reflektieren. Daher können die hierin beschriebenen Defektgrößenverhältnisse für das Separieren eines Defekttyps von einem anderen Defekttyp geeignet sein.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel umfasst das mindestens eine erste Attribut Informationen, für die zwei oder mehr Kanäle des optischen Inspektions-Subsystems die Defekte detektiert haben. Beispielsweise kann ein Detektionskanal eines optischen Inspektions-Subsystems, wie das in 4, einen Defekt an einer Stelle auf einem Wafer ermitteln, während ein anderer Kanal des gleichen optischen Inspektions-Subsystems keinen Mangel an der gleichen Stelle ermitteln kann. In einem anderen Beispiel können an einer Stelle auf einem Wafer mehr als ein Detektionskanal eines optischen Inspektions-Subsystems, wie das in 4, einen Defekt ermitteln. Solche Abweichungen oder Ähnlichkeiten in den Ermittlungsergebnissen, die unter Verwendung von unterschiedlichen Ausgaben der Kanäle an der gleichen Stelle auf einem Wafer erzeugt worden sind, können aufgrund der Tatsache auftreten, dass verschiedene Defekttypen Licht nicht in jedem der Kanäle gleichmäßig streuen können. Beispielsweise streuen einige Defekttypen Licht bevorzugt nur unter bestimmten Streuwinkeln, was daher nur durch bestimmte Kanäle eines Inspektionssystems detektiert werden kann. Basierend auf der Kenntnis darüber, wie ein Defekttyp Licht unter den Streuwinkeln entsprechend den Kanälen eines Inspektionssystems streut, können daher Informationen darüber, welche der Kanäle einen Defekt an der gleichen Waferstelle ermittelt haben, verwendet werden, um verschiedene Arten von Defekten in verschiedene Gruppen zu separieren. Somit können Informationen darüber, welche Kanäle eines Inspektionssystems einen Defekt ermitteln, als ein Attribut in den hier beschriebenen Ausführungsbeispielen nützlich sein.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist das optische Inspektions-Subsystem dazu ausgebildet, die Defekte auf dem Wafer zu detektieren, indem ein Hot-Scan auf dem Wafer durchführt wird und die durch den Hot-Scan ermittelten Defekte von den durch den Hot-Scan ermittelten unechten Defekten separiert werden. Das optische Inspektions-Subsystem kann ausgebildet sein, einen Hot-Scan auf dem Wafer durchführen, wie hierin beschrieben (beispielsweise unter Verwendung einer Schwelle für die Defektermittlung, die im Wesentlichen dicht bei oder bei einem Grundrauschen der durch einen Detektor des Inspektionssystems erzeugten Ausgabe ist) werden. Die durch den Hot Scan erzeugten Ermittlungsergebnisse können weiter in Defekte (reale oder tatsächliche Defekte) und nicht-Defekte (Störungen, Rauschen usw.) separiert werden, wie hierin beschrieben.
  • Das System umfasst auch ein optisches Review-Subsystem, das ausgebildet ist, Defekte zu überprüfen, die auf dem Wafer durch das optische Inspektions-Subsystem ermittelt worden sind. Wie in 4 gezeigt, umfasst beispielsweise das optische Review-Subsystem eine Lichtquelle 420, eine Linse 422, einen Kollektor 424 und einen Detektor 426. In diesem Ausführungsbeispiel wird durch die Lichtquelle 420 erzeugtes Licht durch die Linse 422 auf den Wafer 428 gerichtet. Das vom Wafer aufgrund von Beleuchtung kommende Licht kann vom Kollektor 424 gesammelt und zum Detektor 426 gelenkt werden. Auf diese Weise können die Lichtquelle 420 und die Linse 422 einen Beleuchtungskanal des optischen Review-Subsystems bilden, und der Kollektor und der Detektor können einen Detektionskanal des optischen Review-Subsystems bilden. Obwohl das optische Review-Subsystem in 4 als mit einem Beleuchtungskanal und einem Detektionskanal gezeigt ist, kann das optische Review-Subsystem mehr als einen Beleuchtungskanal und/oder mehr als einen Detektionskanal umfassen.
  • In einem Ausführungsbeispiel ist das optische Review-Subsystem ausgebildet, die durch laserbasierten Defekt-Review ermittelten Defekte auf dem Wafer zu überprüfen. Beispielsweise kann die in 4 gezeigte Lichtquelle 420 als Laser ausgebildet sein. Der Laser kann einen beliebigen geeigneten Laser aus dem Stand der Technik umfassen, wie beispielsweise einem Einzelmodus-, fasergekoppelten Diodenlaser. Der Laser kann ausgebildet sein, dass er Licht mit beliebiger geeigneter Wellenlänge oder Wellenlängen erzeugt, wie beispielsweise eine oder mehrere Wellenlängen im blauen Bereich des sichtbaren Wellenlängenbereichs. Wie in 4 gezeigt, können die Lichtquelle und die Linse ausgebildet sein, das Licht auf den Wafer in einem schrägen Einfallswinkel zu lenken. Die Lichtquelle und die Linse können jedoch so ausgebildet sein, das Licht auf den Wafer unter einem beliebigen anderen geeigneten Einfallswinkel gleichzeitig oder nacheinander zu lenken, wie in Bezug auf das optische Inspektions-Subsystem oben beschrieben. Die Linse 422 kann so ausgebildet sein, wie in Bezug auf die Linse des optischen Inspektions-Subsystems oben beschrieben. Der Beleuchtungskanal des optischen Review-Subsystems kann ein oder mehrere beliebige andere, nicht gezeigte Elemente umfassen, wie die in Bezug auf das optische Inspektions-Subsystem oben beschriebenen.
  • Der Kollektor 424 kann ausgebildet sein, wie mit Bezug auf die Kollektoren des Inspektions-Subsystems oben beschrieben. Wie in 4 gezeigt, kann der Kollektor 424 ausgebildet sein, von dem Wafer gestreutes Licht zu detektieren. Auf diese Weise kann das vom Detektor 426 detektierte Licht Streulicht umfassen, und alle durch den Detektor erzeugten Bilder können Streulichtbilder sein. Zusätzlich gilt, dass obwohl der Kollektor 424 in 4 gezeigt ist, wie er Licht sammelt, das unter einem senkrechten Winkel oder nahezu senkrechten Winkel vom Wafer gestreut wird, kann der Kollektor so ausgebildet sein, dass er Licht sammelt, das vom Wafer in einem oder mehreren beliebigen anderen Winkeln gestreut oder reflektiert wird.
  • Der Detektor 428 kann als Bilddetektor ausgebildet sein. Beispielsweise kann der Detektor eine ladungsgekoppelte Vorrichtung (CCD) oder eine Kamera mit Zeitverzögerungsintegration (TDI) sein. Die von dem Detektor in Reaktion auf das detektierte Licht erzeugte Ausgabe kann jede geeignete Ausgabe umfassen, wie beispielsweise Bilder, Bilddaten, Signale, Signaldaten, usw. Vorzugsweise ist das optische Review-Subsystem ausgebildet, um Bilder von Defekten zu erzeugen, die mit einer größeren Auflösung überprüft werden als alle Bilder, die von einem Inspektions-Subsystem, das die Defekte ermittelt hat, erzeugt werden können. Auf diese Weise kann das optische Review-Subsystem ausgebildet sein, um die hierin beschriebenen daten- und/oder informationsreichen Bilder zu erzeugen, so dass ein oder mehrere der hierin beschriebenen zweiten Attribute aus den Bildern bestimmt werden können. Das optische Review-Subsystem kann ausgebildet sein, um Bilder mit variablen Integrationszeiten zu erfassen. Der Detektionskanal kann auch beliebige andere geeignete Elemente (nicht dargestellt) umfassen, wie beispielsweise eine oder mehrere Polarisationskomponenten, Spektralfilter, Raumfilter, reflektive optische Elemente, Strahlteiler, Blenden (Öffnungen) und dergleichen, die beliebige solche geeigneten optischen Elemente aus dem Stand der Technik umfassen können.
  • Das optische Review-Subsystem umfasst auch ein Scan-Subsystem (Abtast-Subsystem), das derart ausgebildet, das Licht über dem Wafer gescannt werden kann. Beispielsweise kann das optische Review-Subsystem einen Tisch 430 umfassen, auf dem ein Wafer 428 während des Defekt-Reviews angeordnet ist. Das Scan-Subsystem kann eine beliebige geeignete mechanische und/oder Roboter-Baugruppe (das schließt den Tisch 430 ein) umfassen, die ausgebildet sein kann, den Wafer derart zu bewegen, dass das Licht über dem Wafer gescannt werden kann. Zusätzlich oder alternativ kann das optische Review-Subsystem so ausgebildet sein, dass ein oder mehrere Elemente des optischen Review-Subsystems eine Abtastung des Lichts über dem Wafer durchführen. Das Licht kann über dem Wafer in jeder geeigneten Weise, wie beispielsweise in einem serpentinenartigen Weg oder in einer spiralförmigen Bahn, gescannt werden.
  • Im Gegensatz zum Scan-Subsystem des Inspektions-Subsystems, das ausgebildet sein kann, um das Licht über dem gesamten Wafer (oder zumindest einen wesentlichen Bereich auf dem Wafer) in einer im Wesentlichen geringen Zeitdauer zu scannen, kann das Scan-Subsystem des optischen Review-Subsystems ausgebildet sein zum Scannen des Lichts über nur diskrete Stellen auf dem Wafer, bei denen der optische Review für eine Teilmenge aller der auf dem Wafer ermittelten Defekte durchgeführt wird. Obwohl die Scan-Subsysteme der Inspektions- und optischen Review-Subsysteme hierin als gegebenenfalls die gleichen oder im Wesentlichen ähnlichen Konfigurationen aufweisend beschrieben werden, können daher die durch diese Subsysteme durchgeführten Arten des Scannens (Abtastung) in der Tat sehr unterschiedlich sein.
  • Das Computer-Subsystem 432 ist mit dem optischen Review-Subsystem so gekoppelt, dass eine durch den Detektor erzeugte Ausgabe dem Computer-Subsystem 432 bereitgestellt werden kann. Beispielsweise kann das Computer-Subsystem mit dem Detektor 426 gekoppelt sein (beispielsweise durch ein oder mehrere Übertragungsmedien, wie durch die gestrichelte Linie in 4 gezeigt, die beliebige geeignete Übertragungsmedien aus dem Stand der Technik umfassen können), so dass das Computer-Subsystem die durch den Detektor erzeugte Ausgabe empfangen kann. Das Computer-Subsystem kann ausgebildet sein, einen oder mehrere beliebige Schritte unter Verwendung der vom Detektor erzeugten Ausgabe auszuführen, wie beispielsweise eine erneute Defektdetektion (Redetektion) und ein Erzeugen einer Defekt-Review-Ergebnisdatei für den Wafer. Eine erneute Defektdetektion (Redetektion) kann auf jede geeignete Weise durchgeführt werden (beispielsweise durch Anwenden von einem oder mehreren Defektermittlungsalgorithmen und/oder -verfahren auf die von dem Detektor erzeugt Ausgabe).
  • Das Computer-Subsystem 432 kann ausgebildet sein, ein oder mehrere zweite Attribute für die Defekte zu bestimmen, die überprüft werden, wie hierin weiter beschrieben. Das eine oder die mehreren durch das optische Review-Subsystem bestimmten zweiten Attribute können beliebige solcher hierin beschriebenen Attribute umfassen. In einem Ausführungsbeispiel werden das mindestens eine erste Attribut und das zumindest ein zweites Attribut mit unterschiedlichen Wellenlängen durch das optische Inspektions-Subsystem und das optische Review-Subsystem bestimmt, und mindestens einige der Defekte umfassen eingebettete Defekte. Beispielsweise kann das optische Inspektions-Subsystem ausgebildet sein, die Defekte mit einer oder mehreren DUV-Wellenlängen zu ermitteln, und das optische Review-Subsystem kann ausgebildet sein, den Defekt-Review unter Verwendung von einer oder mehreren sichtbaren Wellenlängen (beispielsweise einer oder mehreren blauen Wellenlängen) auszuführen. Abhängig von der Materialzusammensetzung des Wafers können daher die eine oder mehreren von der Wafer-Inspektion verwendeten Wellenlängen in den Wafer eindringen, während die die eine oder mehreren für den Defekt-Review verwendeten Wellenlängen dies nicht brauchen (oder umgekehrt). Alternativ können die verschiedenen für die Inspektion und den Defekt-Review verwendeten Wellenlängen in verschiedene Tiefen in den Wafer eindringen. Daher kann eine für die Defekte mit unterschiedlichen Wellenlängen erzeugte Ausgabe Informationen über die Defekte, wie beispielsweise ihre Tiefe, innerhalb oder unterhalb einer oberen Oberfläche des Wafers liefern. Somit können mittels Vergleichen der Informationen für die bei unterschiedlichen Wellenlängen ermittelten Defekte, die zumindest teilweise unterhalb der oberen Oberfläche des Wafers angeordnet sind, von Defekten unterschieden werden, die vollständig oberhalb der oberen Oberfläche des Wafers angeordnet sind.
  • In einigen Ausführungsbeispielen umfassen das eine oder die mehreren zweiten Attribute ein oder mehrere quantifizierbare Attribute, die aus durch das optische Review-Subsystem erzeugten Bildern extrahiert werden. Wie oben erwähnt, kann beispielsweise der Detektor des optischen Review-Subsystems ausgebildet sein, um Bilder der zu überprüfende Defekte zu erzeugen. Diese Bilder können verwendet werden, um irgendein beliebiges Defektattribut oder mehrere quantifizierbare Defektattribute zu bestimmen, wie hierin weiter beschrieben.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel umfassen die durch das optische Review-Subsystem überprüften Defekte mindestens einige der Defekte, die durch Ausführen des Hot- Scans ermittelt wurden, und keinen der unechten Defekte, die durch Ausführen des Hot-Scans ermittelt wurden. Wie oben erwähnt, kann das Inspektions-Subsystem beispielsweise ausgebildet sein, "Defekte" durch Ausführen eines Hot-Scans auf einem Wafer zu ermitteln. Wie hierin beschrieben, können die ermittelten "Defekte" in Defekte (reale oder tatsächliche Defekte) und unechte Defekte (nicht-Defekte) (Störungen, Rauschen usw.) separiert werden. Das optische Review-Subsystem kann dann so ausgebildet sein, um einen Defekt-Review nur auf den Defekten (real oder tatsächlich) oder einer Defektprobe (real oder tatsächlichen) auszuführen. Die durch das Defekt-Review-Subsystem überprüfte Defektprobe kann in jeder geeigneten Weise erzeugt werden (beispielsweise durch Stichproben, vielfältige Probennahme, usw.).
  • Das System in 4 umfasst auch ein Review-Subsystem mittels Elektronenstrahl, das ausgebildet ist, um durch das optische Inspektions-Subsystem ermittelte Defekte auf dem Wafer zu überprüfen. Das in 4 gezeigte Review-Subsystem mittels Elektronenstrahl umfasst eine Elektronensäule, die mit einem Computer-Subsystem gekoppelt ist. Die Elektronensäule umfasst eine Elektronenstrahlquelle 434, die ausgebildet ist, um Elektronen zu erzeugen, die durch ein oder mehrere Elemente 436 auf den Wafer 430 fokussiert werden. Die Elektronenstrahlquelle kann beispielsweise eine Kathodenquelle oder Emitterspitze umfassen, und das eine oder die mehreren Elemente 436 können beispielsweise eine Linse der Elektronenkanone, eine Anode, eine Blende zur Begrenzung des Strahls, ein Schieberventil, eine Blende zur Auswahl des Strahlstroms, eine Objektivlinse und ein Scan-Subsystem umfassen, von denen alle solche geeigneten Elemente aus dem Stand der Technik bekannt sind. Vom Wafer zurückgegebene Elektronen (beispielsweise Sekundärelektronen) können durch ein oder mehrere Elemente 438 zum Detektor 440 fokussiert werden. Das eine oder die mehreren Elemente 438 können beispielsweise ein Scan-Subsystem umfassen, das das gleiche Scan-Subsystem sein kann, wie es in dem einen oder in den mehreren Elementen 436 enthalten ist.
  • Die Elektronensäule kann beliebige andere geeignete Elemente aus dem Stand der Technik umfassen. Zudem kann die Elektronensäule weiter ausgebildet sein, wie in den erteilten US-Patenten 8.664.594 vom 04.04.2014 für Jiang et al., 8.692.204 vom 08.04.2014 für Kojima et al., 8.893.093 vom 15.04.2014 für Gubbens et al. und 8,716.662 vom 06.05.2014 für MacDonald et al., die allesamt in ihrer Gesamtheit aufgenommen sind, als ob sie hierin vollständig offenbart sind. Obwohl die in 4 gezeigte Elektronensäule derart dargestellt ist, dass sie so ausgebildet ist, dass die Elektronen unter einem schrägen Einfallswinkel auf den Wafer gerichtet und von dem Wafer in einem anderen schrägen Winkel gestreut sind, ist sehr wohl zu verstehen, dass der Elektronenstrahl auch zum und vom Wafer unter allen geeigneten Winkeln gerichtet und gestreut kann.
  • Das Computer-Subsystem 432 kann mit dem Detektor 440 gekoppelt sein, wie oben beschrieben. Der Detektor kann Elektronen detektieren, die von der Oberfläche des Wafers zurückgegeben werden, wodurch Elektronenstrahlbilder des Wafers gebildet werden. Die Elektronenstrahlbilder können beliebige solcher hierin beschriebenen Bilder umfassen. In einem Ausführungsbeispiel umfassen die durch das Review-Subsystem mittels Elektronenstrahl überprüften Defekte die ermittelten einen oder mehreren Defekte, und das Review-Subsystem mittels Elektronenstrahl ist ausgebildet, um Defekt-Klassifizierungen für die ermittelten einen oder mehreren Defekte zu erzeugen. Beispielsweise können die durch den Detektor 440 erzeugten Bilder dem Computer-Subsystem 432 zur Verfügung gestellt werden, das eine Klassifizierung der Defekte basierend auf ihren Elektronenstrahlbildern bestimmt, was nach jeder der hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele durchgeführt werden kann. Das Computer-Subsystem 432 kann ausgebildet sein, um einen oder mehrere der zusätzlichen hierin beschriebenen Schritte auszuführen, und es kann ausgebildet sein, wie hierin beschrieben.
  • Wie ebenfalls in 4 gezeigt, ist das Computer-Subsystem 418 im optischen Inspektions-Subsystem enthalten, und das Computer-Subsystem 432 ist mit dem Defekt-Review-Subsystem mittels Elektronenstrahl und dem optischen Review-Subsystem gekoppelt. Daher können das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl und das optische Review-Subsystem ausgebildet sein, um sich ein Computer-Subsystem zu teilen, was der Fall sein kann, wenn das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl und das optische Review-Subsystem in einem einzigen Werkzeug enthalten sind (beispielsweise Defekt-Review-Werkzeug 442). Beispielsweise werden in einem Ausführungsbeispiel das optische Review-Subsystem und das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl in einem Defekt-Review-Werkzeug kombiniert. Wie in 4 gezeigt, sind in einem solchen Ausführungsbeispiel das optische Review-Subsystem und das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl derart ausgebildet, dass beide Subsysteme eine Ausgabe für einen Wafer erzeugen können, während der Wafer auf dem gleichen Tisch angeordnet ist. Mit anderen Worten können die beiden Subsysteme ausgebildet sein, um einen Tisch zu teilen, und die beiden Subsysteme können ein Verfahren auf einem Wafer gleichzeitig oder nacheinander durchführen. Wie in 4 gezeigt, können die beiden Subsysteme zudem ausgebildet sein, um ein Verfahren an der gleichen Stelle auf dem Wafer gleichzeitig oder nacheinander durchzuführen. Mit anderen Worten ist in dem in 4 dargestellten Ausführungsbeispiel das optische Review-Subsystem so ausgebildet, dass es Licht auf die gleiche Stelle lenkt, auf die das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl Elektronen leitet. In anderen Ausführungsbeispielen können die beiden Subsysteme jedoch so ausgebildet sein, dass sie Licht und Elektronen an verschiedene Stellen auf dem Wafer lenken, die bis zu einem gewissen Grad voneinander beabstandet sind. Auf diese Weise kann das optische Review-Subsystem ein Verfahren an einer Stelle auf einem Wafer durchführen, während das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl ein Verfahren an einer anderen Stelle auf demselben Wafer durchführen kann. In jedem Fall können die beiden Subsysteme derart ausgebildet sein, dass sie innerhalb des gleichen Werkzeuggehäuses angeordnet sind, wie allgemein in 4 durch den diese beiden Subsysteme umgebenden Kasten dargestellt.
  • In einem Ausführungsbeispiel ist das optische Inspektions-Subsystem als ein Inspektionswerkzeug ausgebildet, das physisch von dem optischen Review-Subsystem und dem Review-Subsystem mit Elektronenstrahl getrennt ist. Wie in 4 dargestellt, ist beispielsweise das optische Inspektions-Subsystem 400 als ein Inspektionswerkzeug ausgebildet, während das optische Review-Subsystem und das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl in einem anderen Werkzeug zusammen kombiniert sind. Wie in 4 dargestellt, können die beiden Werkzeuge zudem physikalisch getrennt sein und über eigene Tische und Computer-Subsysteme verfügen sowie über weitere separate Komponenten (nicht in 4 gezeigt) wie Gehäuse, Stromquellen, usw. Obwohl das optische Review-Subsystem und das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl in 4 als in einem Werkzeug kombiniert dargestellt werden, können diese beiden Review-Subsysteme zudem alternativ als zwei separate Werkzeuge in der gleichen Weise ausgebildet sein.
  • Da das oder die mehreren durch optische Inspektion bestimmten Attribute mit dem einen oder den mehreren durch optischen Review festgestellten Attribute kombiniert werden, wie hierin beschrieben, kann, wenn das Inspektionswerkzeug räumlich vom optischen Review-Subsystem getrennt ist, eine Datenverbindung zwischen dem optischen Inspektionswerkzeug und dem optischen Review-Subsystem erstellt werden, so dass die Defektattribute gemeinsam genutzt werden können. Beispielsweise umfasst das im Ausführungsbeispiel in 4 dargestellte System auch ein Computer-Subsystem 444, das sowohl mit dem Computer-Subsystem 418 des Inspektions-Subsystems als auch mit dem im Defekt-Review-Werkzeug 442 enthaltenen Computer-Subsystem 432 gekoppelt ist. Das Computer-Subsystem 444 kann ausgebildet sein, um durch das Computer-Subsystem 418 bestimmte Defektattribute an das Computer-Subsystem 432 zu liefern, so dass das eine oder die mehreren Inspektions-Defektattribute mit dem einen oder den mehreren durch Review bestimmten Defektattributen kombiniert werden können. Die Computer-Subsysteme 418 und 432 können jedoch direkt miteinander gekoppelt werden, beispielsweise über ein Übertragungsmedium oder eine Datenverbindung, oder indirekt über ein gemeinsam genutztes Speichermedium (nicht gezeigt in 4) gekoppelt werden, beispielsweise eine Datenbank der Fab. Auf diese Weise können verschiedene Computer-Subsysteme in einer Vielzahl von unterschiedlichen Weisen gekoppelt sein, so dass das eine oder die mehreren Defektattribute aus der Inspektion und das eine oder die mehreren Defektattribute aus dem optischen Review durch mindestens eines der Computer-Subsysteme kombiniert werden können.
  • Das System umfasst auch ein Computer-Subsystem, das zum Durchführen eines oder mehrerer Schritte eines oder mehrerer der hierin beschriebenen Verfahren ausgebildet ist. Dieses Computer-Subsystem kann das in 4 dargestellte Computer-Subsystem 418, 432 oder 444 sein. Dieses Computer-Subsystem kann auch ein Computer-Subsystem sein, das entweder in einem optischen Defekt-Review-Werkzeug oder in einem Review-Werkzeug mit Elektronenstrahl enthalten ist, wenn die beiden Review-Subsysteme als separate Werkzeuge ausgebildet sind, wie oben beschrieben. Auf diese Weise werden in einigen Ausführungsbeispielen das optische Review-Subsystem und das Computer-Subsystem in einem Defekt-Review-Werkzeug kombiniert. Mit anderen Worten kann das Computer-Subsystem, das einen oder mehrere Schritte des oder der hierin beschriebenen Verfahren durchführt, Teil eines optischen Defekt-Review-Werkzeugs sein, das auch Fähigkeiten für den Review mit Elektronenstrahl aufweisen kann (wie in 4 dargestellt). Auf diese Weise kann das Verfahren durch ein Defekt-Review-Werkzeug "am-Werkzeug" („on-tool“) durchgeführt werden, das zumindest Fähigkeiten für den optischen Review aufweist. In einem anderen Ausführungsbeispiel sind das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl und das Computer-Subsystem zu einem Defekt-Review-Werkzeug kombiniert. Mit anderen Worten kann das Computer-Subsystem, das einen oder mehrere Schritte des oder der hierin beschriebenen Verfahren durchführt, Teil eines Review-Werkzeugs mit Elektronenstrahl sein, das auch Fähigkeiten für den optischen Review aufweisen kann (wie in 4 dargestellt). Auf diese Weise kann das Verfahren durch ein Defekt-Review-Werkzeug "am-Werkzeug" („on-tool“) durchgeführt werden, das zumindest Fähigkeiten für den Review mit Elektronenstrahl aufweist. In noch einem anderen Ausführungsbeispiel ist das Computer-Subsystem nicht Teil irgendeines Werkzeugs, das das oder die hierin beschriebenen Subsysteme umfasst. Beispielsweise können der oder die Schritte des oder der hierin beschriebenen Verfahren durch das Computer-Subsystem 444 durchgeführt werden, das als ein Computer-Subsystem vom "stand alone" Typ ausgebildet sein kann, das nicht Teil eines Inspektions- und/oder Defekt-Review-Werkzeugs ist. Jedes der in 4 gezeigten Computer-Subsysteme kann ferner ausgebildet sein, wie hierin beschrieben.
  • In jedem Fall ist eines der im System enthaltenen Computer-Subsysteme zum Kombinieren ausgebildet, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, von einem oder mehreren ersten Attributen für die durch das optische Inspektions-Subsystem bestimmten Defekte mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch das optische Review-Subsystem bestimmten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden, was nach einem der hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen durchgeführt werden kann. Das eine oder die mehreren ersten Attribute und das eine oder die mehreren zweiten Attribute können jedes der hierin beschriebenen ersten und zweiten Attribute umfassen. Wenn der Review einen Hot-Scan umfasst, wird in einem Ausführungsbeispiel der Kombinationsschritt für zumindest einige der durch das optische Review-Subsystem überprüften Defekte und keines der durch Ausführen des Hot-Scans ermittelten unechten Defekte (nicht-Defekte) durchgeführt. Das Computer-Subsystem ist auch zum Separieren der Defekte in Gruppen auf Basis der kombinierten Attribute für die Defekte ausgebildet, was nach einem der hier beschriebenen Ausführungsbeispielen durchgeführt werden kann. Die Gruppen entsprechen verschiedenen Defektklassifikationen, wie hierin weiter beschrieben. Zudem ist das Computer-Subsystem für das Ermitteln eines oder mehrerer der Defekte für den durch das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl ausgeführten Review ausgebildet, basierend auf den Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, wodurch eine Defektprobe für den durch das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl durchgeführten Review erzeugt wird, was nach einem der hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen durchgeführt werden kann.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel werden das optische Inspektions-Subsystem und das optische Review-Subsystem in einem Werkzeug kombiniert. Mit anderen Worten können die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele durch Kombinieren von optischer Inspektion und optischem Review in einem System implementiert werden. Beispielsweise können die in 4 gezeigten Elemente des optischen Review-Subsystems in das optische Inspektions-Subsystem 400 bewegt werden, so dass die beiden optischen Subsysteme in einem Werkzeug kombiniert sind. Das optische Review-Subsystem kann in das optische Inspektions-Subsystem mit all den bezüglich des Defekt-Review-Werkzeugs 442 oben beschriebenen Möglichkeiten kombiniert werden. Beispielsweise können die optischen Inspektions- und Review-Subsysteme in dem gleichen Werkzeug so kombiniert werden, dass sie gleichzeitig ein Verfahren an der gleichen Stelle auf dem Wafer ausführen können, so dass sie nur nacheinander ein Verfahren an der gleichen Stelle auf dem Wafer durchführen können, so dass sie den gleichen Tisch, das gleiche Computer-Subsystem und andere gleiche Elemente, wie beispielsweise ein Gehäuse, eine Stromversorgung usw., teilen.
  • In einem solchen Ausführungsbeispiel ist das optische Inspektions-Subsystem ausgebildet, um die Defekte auf dem Wafer unter Verwendung eines ersten Satzes von Parametern zu ermitteln, das optische Review-Subsystem ist ausgebildet, die Defekte auf dem Wafer unter Verwendung eines zweiten Satzes von Parametern zu überprüfen, und mindestens ein Parameter in den ersten und zweiten Sätzen ist unterschiedlich. Wenn beispielsweise die beiden optischen Subsysteme in dem gleichen Werkzeug enthalten sind, können sie eines oder mehrere (oder sogar alle) der gleichen Elemente gemeinsam nutzen. Da jedoch das optische Inspektions-Subsystem und das optische Review-Subsystem dazu ausgebildet sind, grundlegend unterschiedliche Informationen für den Wafer zu erzeugen (das heißt Defektermittlungs-Informationen versus Defektüberprüfungs-Informationen), können die optischen Inspektions- und Review-Subsysteme nicht alle die gleichen Parameter zur Durchführung eines Verfahrens auf dem Wafer verwenden.
  • In einigen Fällen kann ein optisches Inspektions-/Review-Subsystem ausgebildet sein, um einen oder mehrere Beleuchtungsparameter zu ändern, wie beispielsweise eine oder mehrere Wellenlängen, einen oder mehrere Einfallswinkel und eine oder mehrere Polarisationen und/oder einen oder mehrere Detektionsparameter wie einen oder mehrere Sammelwinkel, Polarisationen, Integrationszeiten usw. basierend darauf, ob eine Inspektion oder ein Review durch das System durchgeführt wird. All diese Parameter können in einer beliebigen geeigneten Weise verändert werden (beispielsweise durch Ersetzen eines optischen Elements, wie beispielsweise einer Lichtquelle, mit einem anderen optischen Element, wie beispielsweise einer anderen Lichtquelle, oder durch Ändern eines Parameters eines optischen Elements, das sowohl für die Inspektion als auch für den Review verwendet wird, wie beispielsweise eine Position eines Kollektors, der sowohl für die Inspektion als auch für den Review verwendet wird). Wenn die beiden optischen Subsysteme in einem einzigen Werkzeug enthalten sind, jedoch keines der gleichen optischen Elemente gemeinsam nutzen, können zudem die optischen Subsysteme als zwei vollständige und getrennte optische Subsysteme ausgebildet sein, die den gleichen Tisch gemeinsam nutzen können oder auch nicht, im Wesentlichen in der gleichen Weise, wie die beiden Review-Subsysteme in 4 als in einem Werkzeug kombiniert dargestellt sind und dennoch keine optischen Komponenten oder Elektronenstrahl-Komponenten gemeinsam nutzen. Die hierin beschriebenen System-Ausführungsbeispiele können ferner nach jeglichen anderen hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen ausgebildet sein und können ausgebildet sein, um einen oder mehrere Schritte von einem oder mehreren hierin beschriebenen Verfahren auszuführen.
  • Man beachte, dass 4 vorgesehen ist, um hier im Allgemeinen eine Konfiguration eines Inspektionssystems und eines Defekt-Review-Systems zu veranschaulichen, die in den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen des Systems enthalten sein kann. Offensichtlich können die hierin beschrieben Konfigurationen für ein Inspektionssystem und ein Defekt-Review-System geändert werden, um die Leistung der Inspektions- und Defekt-Review-Systeme zu optimieren, wie es normalerweise beim Entwerfen von kommerziellen Inspektions- und Defekt-Review-Systemen durchgeführt wird. Zudem können die hierin beschriebenen Systeme unter Verwendung von vorhandenen Inspektionssystemen und/oder vorhandenen Defekt-Review-Systemen implementiert werden (beispielsweise durch Hinzufügen von hierin beschriebenen Funktionalitäten zu einem bestehenden Inspektions- oder Defekt-Review-System), wie die Surf-Scan SPx Serie von Werkzeugen und eDR Serie von Werkzeugen, die im Handel von KLA-Tencor, Milpitas, Kalifornien, kommerziell erhältlich sind. Bei einigen solcher Systeme können die hierin beschriebenen Verfahren als optionale Funktionalität des Systems zur Verfügung gestellt werden (beispielsweise zusätzlich zu den anderen Funktionen des Systems). Alternativ kann das hierin beschriebene System "von Grund auf" gestaltet sein, um ein völlig neues System zu schaffen.
  • Weitere Modifikationen und alternative Ausführungsbeispielen verschiedener Aspekte der Erfindung werden den Fachleuten auf diesem Gebiet angesichts dieser Beschreibung offensichtlich. Beispielsweise sind Verfahren und Systeme zum Erzeugen einer Defektprobe für die Elektronenstrahl-Überprüfung vorgesehen. Dementsprechend ist diese Beschreibung lediglich als illustrativ zu verstehen und dient für den Zweck, dem Fachmann die allgemeine Art und Weise der Durchführung der Erfindung zu lehren. Es ist zu verstehen, dass die hierin dargestellten und beschriebenen Formen der Erfindung als die gegenwärtig bevorzugten Ausführungsbeispielen zu verstehen sind. Elemente und Materialien können gegen solche ersetzt werden, die hierin veranschaulicht und beschrieben sind, Teile und Verfahren können umgekehrt, und bestimmte Merkmale der Erfindung können unabhängig voneinander verwendet werden, alles, wie der Nutzen aus dieser Beschreibung zur Erfindung dem Fachmann offensichtlich sein wird. Änderungen können an bzw. in den hierin beschriebenen Elementen vorgenommen werden, ohne den in den folgenden Ansprüchen beschriebenen Schutzbereich der Erfindung zu verlassen.

Claims (34)

  1. Ein computerimplementiertes Verfahren zum Erzeugen einer Defektprobe für den Review mit einem Elektronenstrahl, umfassend: Kombinieren, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, eines oder mehrere erste Attribute für Defekte, die durch optische Inspektion eines Wafers bestimmt werden, auf dem die Defekte detektiert worden sind, mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch optischen Review des Wafers festgestellten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden, wobei der Wafer ein unstrukturierter Wafer ist; Separieren der Defekte in Gruppen auf Basis der kombinierten Attribute für die Defekte, wobei die Gruppen verschiedenen Defektklassifizierungen entsprechen; und Ermitteln eines oder mehrerer Defekte anhand der Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, um eine Defektprobe für den Review mit dem Elektronenstrahl zu erzeugen, wobei das Kombinieren, das Separieren und das Ermitteln unter Verwendung eines Computersystems ausgeführt werden.
  2. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die optische Inspektion eine laserbasierte Waferinspektion umfasst.
  3. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei der optische Review einen laserbasierten Defekt-Review umfasst.
  4. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die optische Inspektion und der optische Review durch das gleiche optische Werkzeug ausgeführt werden, und wobei die optische Inspektion und der optische Review nicht allesamt mit den gleichen Parametern auf demselben optischen Werkzeug durchgeführt werden.
  5. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die optische Inspektion und der optische Review von zwei verschiedenen, räumlich voneinander getrennten optischen Werkzeugen durchgeführt werden.
  6. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei mindestens eines des einen oder der mehreren ersten Attribute komplementär bezüglich mindestens einem des einen oder der mehreren zweiten Attribute.
  7. Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei das mindestens eine erste Attribut ein Verhältnis von Defektgrößen umfasst, die durch verschiedene Kanäle eines für die optische Inspektion verwendeten Werkzeuges bestimmt sind.
  8. Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei das mindestens eine erste Attribut Informationen umfasst, für die zwei oder mehrere Kanäle eines für die optische Inspektion verwendeten Werkzeuges die Defekte ermittelt haben.
  9. Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei das mindestens eine erste Attribut und das mindestens eine zweite Attribut mit unterschiedlichen Wellenlängen in der optischen Inspektion und dem optischen Review bestimmt werden, und zumindest einige der Defekte umfassen eingebettete Defekte.
  10. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei das eine oder die mehreren zweiten Attribute Größe, Form, Energie, Orientierung, Lage oder eine Kombination davon umfassen.
  11. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei das eine oder die mehreren zweiten Attribute ein oder mehrere quantifizierbare Attribute umfassen, die aus durch den optischen Review erzeugten Bildern extrahiert werden.
  12. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die optische Inspektion ein Ausführen eines Hot-Scans auf dem Wafer und ein Separieren von durch den Hot-Scan ermittelten Defekten von durch den Hot-Scan ermittelten unechten Defekten umfasst, wobei der optische Review für zumindest einige der durch den Hot-Scan ermittelten Defekte und für keinen der durch den Hot-Scan ermittelten unechten Defekte durchgeführt wird, und wobei das Kombinieren für zumindest einige der Defekte, für die der optische Review durchgeführt wird, und für keinen der unechten Defekte durchgeführt wird.
  13. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei mindestens eine der Gruppen einem Defekt mit einer Klassifizierung von Interesse entspricht, wobei das Ermitteln der Defekte ein Ermitteln aus der mindestens einen Gruppe umfasst und dieses Ermitteln verschieden ist von einem Ermitteln aus anderen Gruppen, die nicht der Klassifizierung von Interesse entsprechen.
  14. Das Verfahren nach Anspruch 1, zudem umfassend ein Durchführen des Reviews mit einem Elektronenstrahl für den einen oder die mehreren ermittelten Defekte, um dadurch Defektklassifikationen für den einen oder die mehreren ermittelten Defekte zu erzeugen.
  15. Ein nicht-flüchtiges computerlesbares Medium, in dem Programmanweisungen gespeichert sind, um ein Computersystem zu veranlassen, ein computerimplementiertes Verfahren zum Erzeugen einer Defektprobe für den Review mit Elektronenstrahl auszuführen, wobei das computerimplementierte Verfahren umfasst: Kombinieren, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, von einem oder mehreren ersten Attributen für Defekte, die durch optische Inspektion eines Wafers bestimmt worden sind, auf dem die Defekte detektiert worden sind, mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch optischen Review des Wafers festgestellten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden, wobei der Wafer ein unstrukturierter Wafer ist; Separieren der Defekte in Gruppen auf Basis der kombinierten Attribute für die Defekte, wobei die Gruppen verschiedenen Defektklassifizierungen entsprechen; und Ermitteln eines oder mehrerer Defekte anhand der Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, um Defektproben für den Review mit dem Elektronenstrahl zu erzeugen.
  16. Ein System zum Erzeugen einer Defektprobe für den Review mit Elektronenstrahl, umfassend: ein optisches Inspektions-Subsystem, das zum Ermitteln von Defekten auf einem Wafer ausgebildet ist; ein optisches Review-Subsystem, das zum Überprüfen von Defekten, die auf dem Wafer durch das optische Inspektions-Subsystem ermittelt worden sind, ausgebildet ist; ein Review-Subsystem mit Elektronenstrahl, das zum Überprüfen von auf dem Wafer durch das optische Inspektions-Subsystem ermittelten Defekten ausgebildet ist; und ein Computer-Subsystem, das ausgebildet ist zum: Kombinieren, auf einer Defekt-für-Defekt-Basis, von einem oder mehreren ersten Attributen für die Defekte, die durch das optische Inspektions-Subsystem bestimmt worden sind, mit einem oder mehreren zweiten Attributen für die durch das optische Review-Subsystem ermittelten Defekte, wodurch kombinierte Attribute für die Defekte erzeugt werden, wobei der Wafer ein unstrukturierter Wafer ist; Separieren der Defekte in Gruppen auf Basis der kombinierten Attribute für die Defekte, wobei die Gruppen verschiedenen Defektklassifizierungen entsprechen; und Ermitteln eines oder mehrerer Defekte, um Defektproben für den Review mittels des Review-Subsystems mit Elektronenstrahl zu erzeugen, auf Basis der Gruppen, in die die Defekte separiert worden sind, wodurch eine Defektprobe für den Review mit dem Review-Subsystem mit Elektronenstrahl erzeugt wird.
  17. Das System nach Anspruch 16, wobei das optische Inspektions-Subsystem des Weiteren als ein Inspektionswerkzeug ausgebildet ist, das räumlich vom optischen Review-Subsystem und Review-Subsystem mit Elektronenstrahl getrennt ist.
  18. Das System nach Anspruch 16, wobei das optische Inspektions-Subsystem und das optische Review-Subsystem in einem Werkzeug kombiniert sind.
  19. Das System nach Anspruch 18, wobei das optische Inspektions-Subsystem des Weiteren ausgebildet ist, um die Defekte auf dem Wafer unter Verwendung eines ersten Satzes von Parametern zu ermitteln, wobei das optische Review-Subsystem zudem ausgebildet ist, um die auf dem Wafer ermittelten Defekte unter Verwendung eines zweiten Satzes von Parametern zu überprüfen, und wobei mindestens ein Parameter in den ersten und zweiten Sätzen unterschiedlich ist.
  20. Das System nach Anspruch 16, wobei das optische Review-Subsystem und das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl in einem Defekt-Review-Werkzeug kombiniert sind.
  21. Das System nach Anspruch 16, wobei das optische Review-Subsystem und das Computer-Subsystem in einem Defekt-Review-Werkzeug kombiniert sind.
  22. Das System nach Anspruch 16, wobei das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl und das Computer-Subsystem in einem Defekt-Review-Werkzeug kombiniert sind.
  23. Das System nach Anspruch 16, wobei das Computer-Subsystem nicht Teil irgendeines Werkzeugs ist, das das optische Inspektions-Subsystem, das optische Review-Subsystem oder das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl umfasst.
  24. Das System nach Anspruch 16, wobei das optische Inspektions-Subsystem zudem dazu ausgebildet ist, um die Defekte auf dem Wafer durch eine laserbasierte Waferinspektion zu ermitteln.
  25. Das System nach Anspruch 16, wobei das optische Review-Subsystem zudem dazu ausgebildet ist, um die auf dem Wafer durch laserbasierte Waferinspektion ermittelten Defekte zu überprüfen.
  26. Das System nach Anspruch 16, wobei mindestens eines des einen oder der mehreren ersten Attribute komplementär bezüglich mindestens einem des einen oder der mehreren zweiten Attribute ist.
  27. Das System nach Anspruch 26, wobei das mindestens eine erste Attribut ein Verhältnis von Defektgrößen umfasst, die durch unterschiedliche Kanäle des optischen Inspektions-Subsystems bestimmt sind.
  28. Das System nach Anspruch 26, wobei das mindestens eine erste Attribut Informationen umfasst, für die zwei oder mehrere Kanäle des optischen Inspektions-Subsystems die Defekte ermittelt haben.
  29. Das System nach Anspruch 26, wobei das mindestens eine erste Attribut und das mindestens eine zweite Attribut mit unterschiedlichen Wellenlängen durch das optische Inspektions-Subsystem und dem optischen Review-Subsystem bestimmt werden, und wobei zumindest einige der Defekte eingebettete Defekte umfassen.
  30. Das System nach Anspruch 16, wobei das eine oder die mehreren zweiten Attribute Größe, Form, Energie, Orientierung, Lage oder eine Kombination davon umfassen.
  31. Das System nach Anspruch 16, wobei das eine oder die mehreren zweiten Attribute ein oder mehrere quantifizierbare Attribute umfassen, die aus durch das optische Review-Subsystem erzeugten Bildern extrahiert werden.
  32. Das System nach Anspruch 16, wobei das optische Inspektions-Subsystem zudem dazu ausgebildet ist, um die Defekte auf dem Wafer durch Ausführen eines Hot-Scans auf dem Wafer zu ermitteln, und um die durch den Hot-Scan ermittelten Defekte von den durch den Hot-Scan ermittelten unechten Defekten zu separieren, wobei die durch das optische Review-Subsystem überprüften Defekte zumindest einige der durch Ausführen des Hot-Scans ermittelten Defekte umfassen und keine der durch Ausführen des Hot-Scans ermittelten unechten Defekte umfassen, und wobei das Kombinieren für zumindest einige der Defekte, für die der optische Review durchgeführt wird, und für keinen der durch Ausführen des Hot-Scans ermittelten unechten Defekte durchgeführt wird.
  33. Das System nach Anspruch 16, wobei mindestens eine der Gruppen einem Defekt einer Klassifizierung von Interesse entspricht, und wobei das Ermitteln der Defekte ein Ermitteln aus der mindestens einen Gruppe umfasst und dieses Ermitteln verschieden ist von einem Ermitteln aus anderen Gruppen, die nicht der Klassifizierung von Interesse entsprechen.
  34. Das System nach Anspruch 16, wobei die durch das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl überprüften Defekte den einen oder die mehreren ermittelten Defekte umfassen, wobei das das Review-Subsystem mit Elektronenstrahl ferner zum Erzeugen von Defektklassifikationen für den einen oder die mehreren ermittelten Defekte ausgebildet ist.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10177048B2 (en) * 2015-03-04 2019-01-08 Applied Materials Israel Ltd. System for inspecting and reviewing a sample
US10707107B2 (en) * 2015-12-16 2020-07-07 Kla-Tencor Corporation Adaptive alignment methods and systems
US9916965B2 (en) * 2015-12-31 2018-03-13 Kla-Tencor Corp. Hybrid inspectors
US10402688B2 (en) * 2016-12-07 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Data augmentation for convolutional neural network-based defect inspection
CN110709887B (zh) * 2017-01-18 2023-10-24 Asml荷兰有限公司 级联缺陷检查
US10503078B2 (en) * 2017-09-01 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Criticality analysis augmented process window qualification sampling
US10408764B2 (en) 2017-09-13 2019-09-10 Applied Materials Israel Ltd. System, method and computer program product for object examination
US10970834B2 (en) * 2018-01-05 2021-04-06 Kla-Tencor Corporation Defect discovery using electron beam inspection and deep learning with real-time intelligence to reduce nuisance
US10620134B2 (en) * 2018-05-11 2020-04-14 Kla-Tencor Corp. Creating defect samples for array regions
US10732130B2 (en) 2018-06-19 2020-08-04 Kla-Tencor Corporation Embedded particle depth binning based on multiple scattering signals
US10605745B2 (en) * 2018-06-28 2020-03-31 Applied Materials Israel Ltd. Guided inspection of a semiconductor wafer based on systematic defects
US10801968B2 (en) 2018-10-26 2020-10-13 Kla-Tencor Corporation Algorithm selector based on image frames
KR102324622B1 (ko) * 2018-12-12 2021-11-12 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 프로세스 모니터링
US11294164B2 (en) 2019-07-26 2022-04-05 Applied Materials Israel Ltd. Integrated system and method
US11055840B2 (en) * 2019-08-07 2021-07-06 Kla Corporation Semiconductor hot-spot and process-window discovery combining optical and electron-beam inspection
CN112577971A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 深圳中科飞测科技股份有限公司 一种检测方法、系统及设备
US11105740B2 (en) 2019-10-22 2021-08-31 Applied Materials Israel Ltd. Optical inspection
US11087449B2 (en) * 2019-10-24 2021-08-10 KLA Corp. Deep learning networks for nuisance filtering
CN112420539A (zh) * 2020-11-13 2021-02-26 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片处理方法和硅片

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6256093B1 (en) * 1998-06-25 2001-07-03 Applied Materials, Inc. On-the-fly automatic defect classification for substrates using signal attributes
US6407373B1 (en) * 1999-06-15 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for reviewing defects on an object
JP3802716B2 (ja) * 1999-09-17 2006-07-26 株式会社日立製作所 試料の検査方法及びその装置
JP3671822B2 (ja) * 2000-07-26 2005-07-13 株式会社日立製作所 欠陥検査方法および欠陥検査システム
US7602962B2 (en) * 2003-02-25 2009-10-13 Hitachi High-Technologies Corporation Method of classifying defects using multiple inspection machines
US7747062B2 (en) * 2005-11-09 2010-06-29 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process
US7570800B2 (en) * 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
JP2008041940A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式レビュー装置並びにｓｅｍ式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
US8698093B1 (en) 2007-01-19 2014-04-15 Kla-Tencor Corporation Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field
JP2009272497A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Hitachi High-Technologies Corp レシピパラメータ管理装置およびレシピパラメータ管理方法
US9710903B2 (en) * 2008-06-11 2017-07-18 Kla-Tencor Corp. System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features
JP5075111B2 (ja) * 2008-12-29 2012-11-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像分類基準更新方法、プログラムおよび画像分類装置
US9601393B2 (en) * 2009-02-06 2017-03-21 Kla-Tencor Corp. Selecting one or more parameters for inspection of a wafer
JP5570530B2 (ja) * 2009-02-13 2014-08-13 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ウェハー上の欠陥検出
JP2011061047A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥レビュー支援装置，欠陥レビュー装置および検査支援装置
US8664594B1 (en) 2011-04-18 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections
US8692204B2 (en) 2011-04-26 2014-04-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for electron beam detection
US8716662B1 (en) 2012-07-16 2014-05-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations

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