JP2017062252A - ウェハ検査システム - Google Patents
ウェハ検査システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017062252A JP2017062252A JP2016225870A JP2016225870A JP2017062252A JP 2017062252 A JP2017062252 A JP 2017062252A JP 2016225870 A JP2016225870 A JP 2016225870A JP 2016225870 A JP2016225870 A JP 2016225870A JP 2017062252 A JP2017062252 A JP 2017062252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wafer
- subsystem
- illumination
- sensors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 82
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 229
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 84
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 146
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 327
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000005919 time-dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】ウェハ114上で複数の照明エリアを、エリアのそれぞれの間に照明フラックスが実質的に存在しない状態で同時に形成するように構成された照明サブシステムと、ウェハ114内で複数の照明エリアをスキャンするように構成されたスキャンサブシステムと、エリアのそれぞれから散乱される光を同時かつ別々に2以上のセンサ130,132に結像するように構成された収集サブシステムと、2以上のセンサの出力を使用してウェハ114上の欠陥を検出するように構成されたコンピュータサブシステム136を備える。
【選択図】図1
Description
本願は、2011年7月12日出願の「Sample Inspection System」という名称の米国仮出願第61/506,892号に対して優先権を主張し、同出願は、本明細書中に完全に記載されているかの如く参照により援用される。
Claims (21)
- ウェハを検査するように構成されたシステムであって、
前記ウェハ上で複数の照明エリアを、前記エリアのそれぞれの間に照明フラックスが実質的に存在しない状態で同時に形成するように構成された照明サブシステムと、
前記ウェハ内で前記複数の照明エリアをスキャンするように構成されたスキャンサブシステムと、
前記エリアのそれぞれから散乱される光を同時かつ別々に2以上のセンサに結像するように構成された収集サブシステムであって、前記2以上のセンサの特性は、前記散乱光が前記2以上のセンサの間のギャップに結像されないように選択され、前記2以上のセンサは、前記散乱光に対する出力を生成する、収集サブシステムと、
前記2以上のセンサの前記出力を使用して前記ウェハ上の欠陥を検出するように構成されたコンピュータサブシステムとを備えるシステム。 - 前記複数の照明エリアのそれぞれは、前記ウェハ上に長方形形状を有する請求項1に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、複数の光源によって生成される複数の光ビームを使用して前記ウェハ上に前記複数の照明エリアを形成する請求項1に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、単一の光ビームから生成される複数の光ビームを使用して前記ウェハ上に前記複数の照明エリアを形成する請求項1に記載のシステム。
- 前記複数の照明エリアは、前記ウェハ上で互いに重なり合わない請求項1に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムの収集開口数の異なるセグメントで収集される、前記エリアのそれぞれから散乱される光を同時かつ別々に分割するように構成された光学素子をさらに備え、前記2以上のセンサは、前記異なるセグメントの1つのセグメントを検出するようにさらに構成され、システムは、前記異なるセグメントの別のセグメントを検出するように構成された別の2以上のセンサをさらに備える請求項1に記載のシステム。
- 前記2以上のセンサによって検出される前記異なるセグメントの前記1つのセグメント、および、前記他の2以上のセンサによって検出される前記異なるセグメントの前記他のセグメントに応じて、前記光学素子を変更または置換するようにさらに構成される請求項6に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムの収集開口数の異なるセグメントで収集される、前記エリアのそれぞれから散乱される光を同時かつ別々に分割するように構成された光学素子をさらに備え、前記2以上のセンサは、前記2以上のセンサの1つの部分を使用して前記異なるセグメントの1つのセグメントを検出し、前記2以上のセンサの異なる部分を使用して前記異なるセグメントの別のセグメントを検出するようにさらに構成され、前記2以上のセンサの前記1つの部分および前記他の部分は、互いに重なり合わず、かつ、前記2以上のセンサ上で隣接しない請求項1に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムは、完全には回折制限されない解像度を有する散乱光コレクタを備える請求項1に記載のシステム。
- 蛍光輝度増倍管を含むさらなる2以上のセンサをさらに備え、前記収集サブシステムは、前記エリアのそれぞれから前記さらなる2以上のセンサに散乱する前記光を同時かつ別々に結像するようにさらに構成され、前記さらなる2以上のセンサは、前記散乱光に対するさらなる出力を生成し、前記コンピュータサブシステムは、前記2以上のセンサにおいてセンサ電子雑音が合計チャネル雑音で優勢となる場合、前記出力の代わりに前記さらなる出力を使用して、前記ウェハ上の欠陥を検出するようにさらに構成される請求項1に記載のシステム。
- 光子計数のために構成されるさらなる2以上のセンサをさらに備え、前記収集サブシステムは、前記エリアのそれぞれから前記さらなる2以上のセンサに散乱する光を同時かつ別々に分割するようにさらに構成され、前記さらなる2以上のセンサは、前記散乱光に対するさらなる出力を生成し、前記コンピュータサブシステムは、前記さらなる出力を使用して前記ウェハ上の欠陥を検出するようにさらに構成される請求項1に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、周波数変換レーザを備え、前記照明サブシステムは、光のパルスを使用して前記複数の照明エリアを同時に形成するようにさらに構成され、前記ウェハ上の前記エリアに導かれる前記光のパルスは、前記光のパルスの継続時間にわたって空間的に変動せず、前記光のパルスの継続時間にわたって実質的に一定の強度を有する請求項1に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、前記レーザに結合したビーム整形光学素子をさらに備える請求項12に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、周波数変換レーザを備え、前記照明サブシステムは、光のパルスを使用して前記複数の照明エリアを同時に形成するようにさらに構成され、前記ウェハ上の前記エリアに導かれる前記光のパルスは、前記光のパルスの継続時間にわたって実質的に一定の強度を有する請求項1に記載のシステム。
- 前記収集サブシステムと前記2以上のセンサとの間に配置された微小電気機械システムベースの光スイッチングデバイスをさらに備える請求項1に記載のシステム。
- さらなる2以上のセンサをさらに備え、前記照明サブシステムは、光のパルスを使用して前記複数の照明エリアを同時に形成するようにさらに構成され、前記エリアのそれぞれから散乱される光は散乱光のパルスを含み、前記光スイッチングデバイスは、前記光のパルスの第1の集合によって生成される前記散乱光のパルスの第1の集合を前記2以上のセンサに、そして、前記光のパルスの前記第1の集合に続いて、前記光のパルスの第2の集合によって生成される前記散乱光のパルスの第2の集合を前記さらなる2以上のセンサに導くように構成されている請求項15に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、光のパルスを使用して前記複数の照明エリアを同時に形成するようにさらに構成され、前記エリアのそれぞれから散乱される光は、散乱光のパルスを含み、前記光スイッチングデバイスは、前記収集サブシステムの収集開口数の異なるセグメントで収集される、前記エリアのそれぞれからの散乱光のパルスを同時かつ別々に分割するように構成され、前記光スイッチングデバイスは、前記光のパルスの第1の集合によって生成される前記散乱光のパルスの第1の集合の前記異なるセグメントの1つのセグメントだけを前記2以上のセンサに導き、次に、前記光のパルスの前記第1の集合に続いて、前記光のパルスの第2の集合によって生成される前記散乱光のパルスの第2の集合の前記異なるセグメントの別のセグメントだけを前記2以上のセンサに導くようにさらに構成される請求項15に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、光のパルスを使用して前記複数の照明エリアを同時に形成するようにさらに構成され、前記エリアのそれぞれから散乱される光は、散乱光のパルスを含み、前記2以上のセンサは、前記光のパルスに対して時間的に同期して、所定到達時間を有する前記散乱光のパルスだけを検出する請求項1に記載のシステム。
- 前記所定到達時間を有する前記散乱光のパルスは、蛍光または光ルミネセンスを含む請求項18に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、光のパルスを使用して前記複数の照明エリアを同時に形成するようにさらに構成され、前記エリアのそれぞれから散乱される光は、散乱光のパルスを含み、前記スキャンサブシステムは、前記ウェハを回転させることによって前記ウェハ内で前記光のパルスをスキャンするようにさらに構成され、前記光のパルスが前記ウェハの中心領域を横切ってスキャンされるとき、前記照明サブシステムは、前記光のパルスが前記中心領域を外れて前記ウェハ内でスキャンされるときに比べてより頻繁でなく前記ウェハ上の前記複数の照明エリアに前記光のパルスを同時に導くようにさらに構成される請求項1に記載のシステム。
- 前記照明サブシステムは、光のパルスを使用して前記複数の照明エリアを同時に形成するようにさらに構成され、前記エリアのそれぞれから散乱される光は、散乱光のパルスを含み、前記スキャンサブシステムは、前記ウェハを回転させ並進させることによって前記ウェハ内で前記光のパルスをスキャンするようにさらに構成され、前記2以上のセンサはエリアセンサを備え、前記光のパルスが前記ウェハの中心領域を横切ってスキャンされるときに、前記スキャンサブシステムは、前記ウェハ内で前記光のパルスを1以上の非湾曲直線でスキャンし、前記光のパルスが前記中心領域を外れて前記ウェハ内でスキャンされるとき、前記スキャンサブシステムは、前記ウェハ内で前記光のパルスをスパイラル式にスキャンする請求項1に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161506892P | 2011-07-12 | 2011-07-12 | |
US61/506,892 | 2011-07-12 | ||
US13/544,954 US9279774B2 (en) | 2011-07-12 | 2012-07-09 | Wafer inspection |
US13/544,954 | 2012-07-09 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014520252A Division JP6047566B2 (ja) | 2011-07-12 | 2012-07-10 | ウェハ検査 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019131933A Division JP6876754B2 (ja) | 2011-07-12 | 2019-07-17 | ウェハ検査システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017062252A true JP2017062252A (ja) | 2017-03-30 |
JP6562420B2 JP6562420B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=47506455
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014520252A Active JP6047566B2 (ja) | 2011-07-12 | 2012-07-10 | ウェハ検査 |
JP2016225870A Active JP6562420B2 (ja) | 2011-07-12 | 2016-11-21 | ウェハ検査システム |
JP2019131933A Active JP6876754B2 (ja) | 2011-07-12 | 2019-07-17 | ウェハ検査システム |
JP2021073767A Active JP7210636B2 (ja) | 2011-07-12 | 2021-04-26 | ウェハ検査システム |
JP2023002487A Pending JP2023038254A (ja) | 2011-07-12 | 2023-01-11 | ウェハ検査システム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014520252A Active JP6047566B2 (ja) | 2011-07-12 | 2012-07-10 | ウェハ検査 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019131933A Active JP6876754B2 (ja) | 2011-07-12 | 2019-07-17 | ウェハ検査システム |
JP2021073767A Active JP7210636B2 (ja) | 2011-07-12 | 2021-04-26 | ウェハ検査システム |
JP2023002487A Pending JP2023038254A (ja) | 2011-07-12 | 2023-01-11 | ウェハ検査システム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9279774B2 (ja) |
EP (1) | EP2732272B1 (ja) |
JP (5) | JP6047566B2 (ja) |
KR (5) | KR102305382B1 (ja) |
CN (5) | CN107064168B (ja) |
TW (5) | TWI576578B (ja) |
WO (1) | WO2013009757A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020122673A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
Families Citing this family (112)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6010042B2 (ja) | 2010-12-16 | 2016-10-19 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェーハ検査 |
US9793673B2 (en) | 2011-06-13 | 2017-10-17 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier |
US8873596B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-10-28 | Kla-Tencor Corporation | Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal |
US10197501B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-02-05 | Kla-Tencor Corporation | Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors |
JP5973731B2 (ja) | 2012-01-13 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 |
US9496425B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-11-15 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor with boron layer |
US8988999B2 (en) * | 2012-05-30 | 2015-03-24 | Intel Corporation | Method, system and apparatus of wireless local area network (WLAN) communication in conjunction with cellular communication |
US9601299B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including silicon substrate with boron layer |
US9255891B2 (en) | 2012-11-20 | 2016-02-09 | Kla-Tencor Corporation | Inspection beam shaping for improved detection sensitivity |
US9151940B2 (en) | 2012-12-05 | 2015-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier |
US9426400B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-08-23 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination |
US8929406B2 (en) | 2013-01-24 | 2015-01-06 | Kla-Tencor Corporation | 193NM laser and inspection system |
US9529182B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-12-27 | KLA—Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9608399B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-03-28 | Kla-Tencor Corporation | 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser |
US9478402B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-10-25 | Kla-Tencor Corporation | Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor |
US9194811B1 (en) | 2013-04-01 | 2015-11-24 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for improving defect detection sensitivity |
US9274064B2 (en) * | 2013-05-30 | 2016-03-01 | Seagate Technology Llc | Surface feature manager |
US9658170B2 (en) * | 2013-06-26 | 2017-05-23 | Kla-Tencor Corporation | TDI imaging system with variable voltage readout clock signals |
US9354177B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for defect detection and photoluminescence measurement of a sample |
US9685906B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-06-20 | Semilab SDI LLC | Photoluminescence mapping of passivation defects for silicon photovoltaics |
CN105612611B (zh) * | 2013-08-09 | 2019-03-12 | 科磊股份有限公司 | 用于提高检测灵敏度的多点照明 |
WO2015031337A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Kla-Tencor Corporation | Removing process-variation-related inaccuracies from scatterometry measurements |
US9503660B2 (en) * | 2013-11-26 | 2016-11-22 | Raytheon Company | Coordinated simultaneous real and Fourier plane imaging system and methods |
US9347890B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corporation | Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor |
US9748294B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-08-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Anti-reflection layer for back-illuminated sensor |
CN103760173B (zh) * | 2014-01-14 | 2016-06-08 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光学元件表面缺陷筛查装置和筛查方法 |
US9410901B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article |
US9804101B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
WO2015189170A1 (en) * | 2014-06-10 | 2015-12-17 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Apparatus for determining information associated with reflection characteristics of a surface |
US9726615B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-08-08 | Kla-Tencor Corporation | System and method for simultaneous dark field and phase contrast inspection |
US9767986B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
US9419407B2 (en) | 2014-09-25 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus |
US9891177B2 (en) * | 2014-10-03 | 2018-02-13 | Kla-Tencor Corporation | TDI sensor in a darkfield system |
US9748729B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | 183NM laser and inspection system |
US9599573B2 (en) * | 2014-12-02 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and techniques with enhanced detection |
JP6291632B1 (ja) * | 2015-02-19 | 2018-03-14 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 赤外線レーザ照明装置 |
US20160295149A1 (en) * | 2015-04-03 | 2016-10-06 | Thorlabs, Inc. | Simultaneous multi-channel tdi imaging on a multi-tap imager |
CN106153627B (zh) * | 2015-04-13 | 2019-02-15 | 无锡迈福光学科技有限公司 | 高灵敏度表面微小瑕疵光学检测装置及检测方法 |
US9864173B2 (en) * | 2015-04-21 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for run-time alignment of a spot scanning wafer inspection system |
US10012593B2 (en) * | 2015-05-04 | 2018-07-03 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Micro photoluminescence imaging |
US10883941B2 (en) * | 2015-05-04 | 2021-01-05 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Micro photoluminescence imaging |
US10018565B2 (en) | 2015-05-04 | 2018-07-10 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Micro photoluminescence imaging with optical filtering |
US9860466B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
US10748730B2 (en) | 2015-05-21 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer |
US10067072B2 (en) * | 2015-07-10 | 2018-09-04 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for speckle suppression in laser dark-field systems |
US10462391B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Dark-field inspection using a low-noise sensor |
US10359371B2 (en) * | 2015-08-24 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corp. | Determining one or more characteristics of a pattern of interest on a specimen |
TWI735471B (zh) * | 2015-10-09 | 2021-08-11 | 美商勝米磊Sdi有限責任公司 | 用於識別在晶圓之單晶矽中的局部結晶缺陷之系統及方法 |
WO2017136286A1 (en) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | Kla-Tencor Corporation | Wafer defect inspection and review systems |
US9874526B2 (en) * | 2016-03-28 | 2018-01-23 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for polarized wafer inspection |
US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
US10324045B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Surface defect inspection with large particle monitoring and laser power control |
CN106248688B (zh) * | 2016-08-30 | 2019-04-16 | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 一种基于fpga的晶圆检测信号提取方法 |
CN106226324B (zh) * | 2016-08-30 | 2019-04-16 | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 一种基于fpga的晶圆检测信号提取装置及系统 |
US10739275B2 (en) | 2016-09-15 | 2020-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous multi-directional laser wafer inspection |
JP6738254B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2020-08-12 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検出装置及び欠陥観察装置 |
US10141156B2 (en) | 2016-09-27 | 2018-11-27 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of overlay and edge placement errors with an electron beam column array |
DE102016119268B3 (de) | 2016-10-10 | 2017-12-21 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Schiefebenenmikroskop |
TWI751233B (zh) * | 2016-11-28 | 2022-01-01 | 美商克萊譚克公司 | 用於從低解析度檢測影像重建高解析度點擴散函數之系統及方法 |
US10175555B2 (en) | 2017-01-03 | 2019-01-08 | KLA—Tencor Corporation | 183 nm CW laser and inspection system |
US10495287B1 (en) | 2017-01-03 | 2019-12-03 | Kla-Tencor Corporation | Nanocrystal-based light source for sample characterization |
CN108364879B (zh) * | 2017-01-26 | 2020-07-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的缺陷扫描方法及扫描装置 |
JP6797481B2 (ja) * | 2017-03-01 | 2020-12-09 | 株式会社ディスコ | 半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置 |
US10957033B2 (en) * | 2017-07-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Repeater defect detection |
WO2019034318A1 (en) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | Asml Netherlands B.V. | ALIGNMENT MEASUREMENT SYSTEM |
US10699926B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corp. | Identifying nuisances and defects of interest in defects detected on a wafer |
US10739276B2 (en) * | 2017-11-03 | 2020-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Minimizing filed size to reduce unwanted stray light |
US10943838B2 (en) | 2017-11-29 | 2021-03-09 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of overlay error using device inspection system |
US11055836B2 (en) * | 2018-02-13 | 2021-07-06 | Camtek Ltd. | Optical contrast enhancement for defect inspection |
US10732424B2 (en) * | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Kla Corporation | Inspection-beam shaping on a sample surface at an oblique angle of incidence |
WO2019159334A1 (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
JP2019158345A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | 株式会社東芝 | 検査システム、検査方法、プログラム、及び記憶媒体 |
US11067389B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-07-20 | Kla Corporation | Overlay metrology system and method |
US10724967B2 (en) | 2018-04-20 | 2020-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Inspection apparatus for semiconductor process and semiconductor process device |
US11114489B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
KR20210028276A (ko) * | 2018-07-31 | 2021-03-11 | 램 리써치 코포레이션 | 고 종횡비 구조체들의 패터닝된 어레이들 내의 틸팅 각도 결정 |
US11017520B2 (en) * | 2018-09-04 | 2021-05-25 | Kla Corporation | Multi-wavelength interferometry for defect classification |
WO2020049551A1 (en) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | Orbotech Ltd. | Multimodality multiplexed illumination for optical inspection systems |
CN110514672A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-11-29 | 永康市缘匠贸易有限公司 | 玻璃噪声自适应去除系统 |
EP3633718A1 (en) * | 2018-10-01 | 2020-04-08 | Infineon Technologies AG | Detection of adhesive residue on a wafer |
CN111007077A (zh) * | 2018-10-08 | 2020-04-14 | 纳米普泰股份有限公司 | 超薄板透明基板上表面异物检测装置 |
US10943760B2 (en) | 2018-10-12 | 2021-03-09 | Kla Corporation | Electron gun and electron microscope |
US11262591B2 (en) | 2018-11-09 | 2022-03-01 | Kla Corporation | System and method for pumping laser sustained plasma with an illumination source having modified pupil power distribution |
CN109459438B (zh) * | 2018-11-27 | 2023-06-20 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种缺陷检测设备及方法 |
US11114491B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
CN109884085B (zh) * | 2019-02-14 | 2021-11-30 | 德淮半导体有限公司 | 设备检测装置及其工作方法、半导体设备 |
US10921261B2 (en) | 2019-05-09 | 2021-02-16 | Kla Corporation | Strontium tetraborate as optical coating material |
US11011366B2 (en) | 2019-06-06 | 2021-05-18 | Kla Corporation | Broadband ultraviolet illumination sources |
CN110208272B (zh) * | 2019-06-18 | 2020-06-23 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种表面检测装置及方法 |
US11255797B2 (en) | 2019-07-09 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Strontium tetraborate as optical glass material |
US11703460B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-07-18 | Kla Corporation | Methods and systems for optical surface defect material characterization |
CN110346381B (zh) * | 2019-08-12 | 2022-03-08 | 衡阳师范学院 | 一种光学元件损伤测试方法及装置 |
US11105740B2 (en) | 2019-10-22 | 2021-08-31 | Applied Materials Israel Ltd. | Optical inspection |
TWI721720B (zh) * | 2019-12-19 | 2021-03-11 | 由田新技股份有限公司 | 光源裝置及光學檢測系統 |
EP3918421B1 (en) * | 2019-12-26 | 2024-05-15 | Nanjing ZongAn Semiconductor Equipment Ltd | Tool architecture for wafer geometry measurement in semiconductor industry |
CN112880597B (zh) | 2019-12-26 | 2022-12-27 | 南京力安半导体有限公司 | 晶圆平整度的测量方法 |
CN111272773B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-10-29 | 浙江大学 | 一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统 |
US11761969B2 (en) * | 2020-01-21 | 2023-09-19 | Kla Corporation | System and method for analyzing a sample with a dynamic recipe based on iterative experimentation and feedback |
US11848350B2 (en) | 2020-04-08 | 2023-12-19 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer |
US11263755B2 (en) * | 2020-07-17 | 2022-03-01 | Nanya Technology Corporation | Alert device and alert method thereof |
US11644412B2 (en) * | 2020-08-02 | 2023-05-09 | Aizhong Zhang | Thin film spectroellipsometric imaging |
CN114077163B (zh) * | 2020-08-14 | 2023-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 光罩传送装置及曝光系统 |
JP7399049B2 (ja) * | 2020-08-27 | 2023-12-15 | 信越化学工業株式会社 | 基板の欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
US12015046B2 (en) | 2021-02-05 | 2024-06-18 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition |
TWI762364B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-04-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 晶錠評估方法 |
US12072606B2 (en) | 2021-07-30 | 2024-08-27 | Kla Corporation | Protective coating for nonlinear optical crystal |
US11749571B2 (en) | 2021-08-31 | 2023-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for high speed inspection of semiconductor substrates |
KR102637333B1 (ko) | 2021-09-27 | 2024-02-20 | (주)넥스틴 | 웨이퍼 검사 광학계 |
CN113866179B (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-15 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体激光器芯片的缺陷检测系统及检测方法 |
CN116660285B (zh) * | 2023-07-26 | 2023-11-17 | 浙江大学 | 一种晶圆特征光谱在线检测装置 |
CN117116799B (zh) * | 2023-10-17 | 2024-02-13 | 无锡京运通科技有限公司 | 硅片目视化检测方法及系统 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002508513A (ja) * | 1997-12-15 | 2002-03-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 検査システム用複数ビームスキャナ |
JP2002544477A (ja) * | 1999-05-11 | 2002-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ライン光スポットで二次元イメージングを行う検査システム |
JP2005524827A (ja) * | 2001-09-24 | 2005-08-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 増強ダイナミックレンジによる欠陥検出 |
JP2007086100A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | パタン検査装置 |
JP2007327815A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
US20090225399A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Multi-spot scanning system and method |
JP2010256148A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2985323B2 (ja) * | 1991-03-04 | 1999-11-29 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及びその装置 |
JPH0518901A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-26 | Toshiba Corp | ウエーハ表面検査装置 |
DE4135958A1 (de) * | 1991-10-31 | 1993-05-06 | Leica Lasertechnik Gmbh, 6900 Heidelberg, De | Verfahren und vorrichtung zur detektion kleinster teilchen auf strukturierten flaechen |
JP2975815B2 (ja) * | 1993-08-06 | 1999-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の評価装置及び評価方法 |
US5576831A (en) * | 1994-06-20 | 1996-11-19 | Tencor Instruments | Wafer alignment sensor |
JP3593161B2 (ja) * | 1994-11-15 | 2004-11-24 | 株式会社トプコン | 回転体上異物位置測定装置 |
JP3373327B2 (ja) | 1995-04-24 | 2003-02-04 | 松下電器産業株式会社 | 異物検査装置 |
US5729375A (en) * | 1996-03-01 | 1998-03-17 | Hughes Electronics | Optical amplification system with non-orthogonal signal and distributed multi-pump beams and photorefractive cleanup |
US5929986A (en) * | 1996-08-26 | 1999-07-27 | Kaiser Optical Systems, Inc. | Synchronous spectral line imaging methods and apparatus |
US6034776A (en) | 1997-04-16 | 2000-03-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Microroughness-blind optical scattering instrument |
US6201601B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
US6752008B1 (en) * | 2001-03-08 | 2004-06-22 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results |
JPH11311608A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 検査装置 |
US6248988B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-06-19 | Kla-Tencor Corporation | Conventional and confocal multi-spot scanning optical microscope |
US6690469B1 (en) * | 1998-09-18 | 2004-02-10 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for observing and inspecting defects |
US6208411B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Massively parallel inspection and imaging system |
JP2001338959A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の評価方法およびその装置 |
US6538730B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Defect detection system |
US6678436B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-01-13 | Agilent Technologies, Inc. | Optical switch with moving lenses |
US6639201B2 (en) * | 2001-11-07 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Spot grid array imaging system |
IL147473A0 (en) * | 2002-01-03 | 2002-08-14 | Nova Measuring Instr Ltd | Image enhancement of coherent imaging systems |
JP3677254B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2005-07-27 | 株式会社東芝 | 欠陥検査装置 |
US7130039B2 (en) | 2002-04-18 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US20040042001A1 (en) * | 2002-04-18 | 2004-03-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US7359045B2 (en) | 2002-05-06 | 2008-04-15 | Applied Materials, Israel, Ltd. | High speed laser scanning inspection system |
JP2006501469A (ja) | 2002-09-30 | 2006-01-12 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 斜めのビュー角度をもつ検査システム |
US7286697B2 (en) | 2002-10-18 | 2007-10-23 | Applied Materials, Israel, Ltd. | System for imaging an extended area |
US7525659B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
KR20040076742A (ko) * | 2003-02-26 | 2004-09-03 | 삼성전자주식회사 | 결함 분류 방법 및 결함 분류 장치 |
US7068363B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7365834B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-04-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical system for detecting anomalies and/or features of surfaces |
JP2005241290A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Toshiba Corp | 画像入力装置及び検査装置 |
US7084970B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-08-01 | Photon Dynamics, Inc. | Inspection of TFT LCD panels using on-demand automated optical inspection sub-system |
US20060012781A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Negevtech Ltd. | Programmable spatial filter for wafer inspection |
US7397552B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-08 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Optical inspection with alternating configurations |
WO2006066207A2 (en) | 2004-12-19 | 2006-06-22 | Ade Corporation | System and method for inspecting a workpiece surface using combinations of light collectors |
US7489393B2 (en) * | 2005-03-02 | 2009-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Enhanced simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US8582094B1 (en) * | 2005-04-20 | 2013-11-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for inspecting specimens including specimens that have a substantially rough uppermost layer |
US7548308B2 (en) | 2005-05-11 | 2009-06-16 | Kla-Tencor Corporation | Illumination energy management in surface inspection |
US7728965B2 (en) | 2005-06-06 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for inspecting an edge of a specimen |
JP4988223B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
US7385688B1 (en) | 2005-06-22 | 2008-06-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Multi-spot illumination and collection optics for highly tilted wafer planes |
WO2007011630A2 (en) | 2005-07-14 | 2007-01-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Systems, circuits and methods for reducing thermal damage and extending the detection range of an inspection system by avoiding detector and circuit saturation |
US7414715B2 (en) | 2005-07-14 | 2008-08-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems, circuits and methods for extending the detection range of an inspection system by avoiding detector saturation |
US7436508B2 (en) | 2005-07-14 | 2008-10-14 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems, circuits and methods for reducing thermal damage and extending the detection range of an inspection system |
US7372559B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-05-13 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for inspecting a wafer with increased sensitivity |
US7436505B2 (en) | 2006-04-04 | 2008-10-14 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for determining a configuration for a light scattering inspection system |
US7659973B2 (en) * | 2006-05-26 | 2010-02-09 | Applied Materials Southeast Asia, Pte Ltd. | Wafer inspection using short-pulsed continuous broadband illumination |
US7463349B1 (en) * | 2006-06-02 | 2008-12-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for determining a characteristic of a specimen |
JP4741986B2 (ja) | 2006-06-30 | 2011-08-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査方法および光学式検査装置 |
JP5349742B2 (ja) | 2006-07-07 | 2013-11-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査方法及び表面検査装置 |
JP4945181B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2012-06-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査方法および表面検査装置 |
US7664608B2 (en) | 2006-07-14 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and apparatus |
US20080068593A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Hiroyuki Nakano | Method and apparatus for detecting defects |
JP2008218799A (ja) | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Topcon Corp | 表面検査方法及び装置 |
JP5132982B2 (ja) * | 2007-05-02 | 2013-01-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置および方法 |
US7787114B2 (en) | 2007-06-06 | 2010-08-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for inspecting a specimen with light at varying power levels |
JP2009002669A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 外観検査装置 |
US7746459B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems configured to inspect a wafer |
JP4797005B2 (ja) | 2007-09-11 | 2011-10-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査方法及び表面検査装置 |
US7826049B2 (en) | 2008-02-11 | 2010-11-02 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Inspection tools supporting multiple operating states for multiple detector arrangements |
JP5466377B2 (ja) | 2008-05-16 | 2014-04-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
US7973921B2 (en) * | 2008-06-25 | 2011-07-05 | Applied Materials South East Asia Pte Ltd. | Dynamic illumination in optical inspection systems |
US7843558B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-11-30 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Optical inspection tools featuring light shaping diffusers |
JP5572293B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2014-08-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5350121B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2013-11-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
US7623229B1 (en) * | 2008-10-07 | 2009-11-24 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for inspecting wafers |
US8169613B1 (en) | 2008-11-21 | 2012-05-01 | Kla-Tencor Corp. | Segmented polarizer for optimizing performance of a surface inspection system |
JP2010161216A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
US8223327B2 (en) | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
US8605275B2 (en) | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
JP2010197352A (ja) | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5331586B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2013-10-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置および検査方法 |
FR2947383B1 (fr) * | 2009-06-24 | 2011-12-02 | St Microelectronics Crolles 2 | Capteur d'images a transfert de charges multidirectionnel a deux phases. |
JP2011009554A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5171744B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2013-03-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP6010042B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2016-10-19 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェーハ検査 |
-
2012
- 2012-07-09 US US13/544,954 patent/US9279774B2/en active Active
- 2012-07-10 CN CN201710053385.1A patent/CN107064168B/zh active Active
- 2012-07-10 KR KR1020207032078A patent/KR102305382B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 KR KR1020217029684A patent/KR102362657B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 CN CN201280040556.2A patent/CN103748454B/zh active Active
- 2012-07-10 CN CN202210968490.9A patent/CN115343310A/zh active Pending
- 2012-07-10 KR KR1020197023408A patent/KR102136959B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 EP EP12811849.4A patent/EP2732272B1/en active Active
- 2012-07-10 KR KR1020147003649A patent/KR102011530B1/ko active Application Filing
- 2012-07-10 WO PCT/US2012/046084 patent/WO2013009757A1/en active Application Filing
- 2012-07-10 CN CN202010984361.XA patent/CN112113977B/zh active Active
- 2012-07-10 CN CN201710053384.7A patent/CN107064167B/zh active Active
- 2012-07-10 KR KR1020207013836A patent/KR102178205B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 JP JP2014520252A patent/JP6047566B2/ja active Active
- 2012-07-12 TW TW101125189A patent/TWI576578B/zh active
- 2012-07-12 TW TW110114394A patent/TWI793578B/zh active
- 2012-07-12 TW TW108116305A patent/TWI727318B/zh active
- 2012-07-12 TW TW105141093A patent/TWI606236B/zh active
- 2012-07-12 TW TW106134700A patent/TWI662274B/zh active
-
2015
- 2015-08-27 US US14/838,194 patent/US9915622B2/en active Active
-
2016
- 2016-11-21 JP JP2016225870A patent/JP6562420B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-29 US US15/882,946 patent/US10488348B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-17 JP JP2019131933A patent/JP6876754B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-26 JP JP2021073767A patent/JP7210636B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-11 JP JP2023002487A patent/JP2023038254A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002508513A (ja) * | 1997-12-15 | 2002-03-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 検査システム用複数ビームスキャナ |
JP2002544477A (ja) * | 1999-05-11 | 2002-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ライン光スポットで二次元イメージングを行う検査システム |
JP2005524827A (ja) * | 2001-09-24 | 2005-08-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 増強ダイナミックレンジによる欠陥検出 |
JP2007086100A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | パタン検査装置 |
JP2007327815A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
US20090225399A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Multi-spot scanning system and method |
JP2010256148A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020122673A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
JP7294818B2 (ja) | 2019-01-29 | 2023-06-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6562420B2 (ja) | ウェハ検査システム | |
US9086389B2 (en) | Sample inspection system detector | |
US9568437B2 (en) | Inspection device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190717 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6562420 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |