JP2002508513A - 検査システム用複数ビームスキャナ - Google Patents
検査システム用複数ビームスキャナInfo
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Abstract
Description
査に関する。
、書き込み及び読み取り目的で使用することができる。例えば、レーザ走査は、
走査ビームが印刷媒体上でスポットを動かす印刷システムにおいて、更に、走査
ビームが材料を切断する切断システムにおいて、書き込み用に使用される。読み
取り用では、レーザ走査は検査システム及び複写機で使用され、これらは、検視
されるべき表面または複写されるページの連続的スポットを照らす為に走査ビー
ムを使用する。
面10を図式的に示す。そのシステムは、レーザ12、走査前光学システム16
、走査ユニット14、走査後光学システム20を含む。走査ユニット14は、音
響光学偏向器、ポリゴン偏向器、ホロゴン偏向器、または振動ミラーでも可能で
ある。
ムに所望の光学特性を与え、走査ユニット14は、ビーム22を偏向し、矢印2
4で表示されたように、走査運動を与える。走査後光学システム20は、走査さ
れたビームを媒体10に焦点を合わせ、もって、印刷用スポットを提供し、走査
矢印24の角度走査を矢印26の直線走査に変換する。
されたように、「高速走査方向」として知られる一方向で、媒体10の一部を走査
する。媒体10は、通常、矢印28で表示されるように、上記高速走査方向に対
し直交する第二の方向に動かされる。これは、一般的に、低速走査方向として知
られている。高速及び低速走査方向は共に二次元走査を提供する。代替え的に、
走査ユニット14は、ビームを第二の方向に沿って偏向する手段を含む場合、二
次元走査を提供することができる。
スポット速度とスポットサイズの関数であり、両方は走査ユニットの許容量の関
数である。従って、走査速度は、走査ユニットの基本的パラメータ及び品質によ
り制限される。与えられた画素又はスポットサイズに対し、走査速度が処理能力
(例えば、所定時間内の印刷枚数、検査ウエハ枚数)を決定することが理解され
よう。
処理能力を高めることができる。32本のビームを有する、そのようなシステム
は、ALTA−3500であり、これは、商業上、米国カリフォルニア州のEtec
Systems Inc.から入手可能である。
示す。複数のビームは、図示されているように高速走査方向に沿って、或いは低
速走査方向に沿って、整列させることが可能である。複数ビームスプリッタを備
えた単一レーザビームまたは複数レーザのようなビーム発生ユニット32は、複
数のビーム30を発生させる。複数のビーム30は、図1で示されたものに類似
したシステムを通過するが、その部品は複数ビーム用に設計されたものである。
そのため、走査ユニット及び走査前光学システム、走査後光学システムは、図1
の走査システムの参照符号と同一符号を扱っており、追加的にアポストロフィー
(’)で印を付けている。
平行走査線を一度に発生させている。これにより、使用されたビーム数:N(2
〜数百のNが知られている)だけ走査システムの処理能力が高められる。
の照明用走査光を利用する。そのようなシステムが、ここで参照する図3に図式
的に示されている。従来の走査システムと同様、レーザ12、走査ユニット14
、走査前光学システム16、走査後光学システム20も含む。しかし、検査シス
テムは、同様に複数光検出器40を含み、これは、異なる検視透視画から、半導
体ウエハのような、表面42の地形の形状を検出する。表面42の運動は、矢印
44により表示されている。
の関数として、多くの方向で光を散乱させる。図3の検査システムは、その検出
器が走査後光学システム20の収束角度の外側にある斜角βで表面42から散乱
された光を集めることから、「暗視野」検査システムである。
、それらにぶつかる光の、時間にわたって変化する強度を測定する、光電子増倍
管のような非結像型検出器である。当業者に知られているように、表面42上の
異なる画素からの光を区別するため、光電子増倍管からの信号は、表面42上の
スポットの速度やスポットサイズに対応した速度で、サンプリングされなければ
ならない。これは、「時間的解像度」と呼ばれている。
14の品質及び基本的パラメータの関数になっている。もちろん、他の走査シス
テムのように、検査システムの走査速度を高めることが望ましい。しかし、検査
システムは、複数のビームを備えた操作に簡単には役立たない。非結像検出器は
光が分散された位置を認識しないことが一つの理由である。そのため、他のビー
ムを加えると、他のスポットからの信号に起因した検出器上のクロストークが生
じる。画像検出器は、斜めの入射角βの為、集光機器は十分に小さな画素を解像
することができないことから、非斜角で配置された検出器では可能であろうが、
簡単に暗視野画像処理システムに組み込むことはできない。
テムがあり、これは、複数ビームレーザ走査ユニットと、少なくとも一つの複数
ビーム暗視野画像ユニットを含む。レーザ走査ユニットは、走査される表面に複
数のスポットを照らす複数のビームを発生させる。各画像ユニットは、一つの検
視透視画から光を集め、複数のスポットから散乱された光を別個に検出する。
て、少なくともスポット毎に互いに間隔が開けられたもの、更に、各スポットか
ら散乱された光を、複数の光検出器の中で割り当てられた一つの光検出器に向け
る集光機器を含む。
って配置されている。例えば、集光機器は、薄いレンズ等価物の長軸が表面に対
し第一の非平行角度になるように取り付けられ、複数の光検出器は、集光機器の
結像面に沿って取り付けられ、結像面は上記長軸に対し第二の非平行角度になっ
ている。
される散乱光の角度範囲を限定する空間フィルタを含んでもよい。制限ユニット
は、アパーチャストップが可能である。集光機器は、また、波長フィルタ及び/
又は偏光フィルタが可能である。
離されるが、これは、各々の関連したスポットから散乱された光が、その関連し
た光検出器だけに受光されることを確実にするものである。一実施例において、
分離間隔は、全般的に、走査列の長さのK倍より重複量だけ小さくなっている。
Kは2が可能である。本発明は、他の分離用間隔を組み込む。
は、ほぼ同時に走査された複数の走査線間を空間的に分離し、複数の走査線内の
画素を時間的に分離するものである。
複数ビーム画像処理システム52と複数ビームレーザ走査システム50を示す。
図5は、半導体ウエハの表面54のような、走査される表面上の走査パターンを
示す。
ッタ、一以上の走査ユニット58、走査前光学システム60、走査後光学システ
ム64を備えた単一レーザまたは複数レーザのような、ビーム発生ユニット56
を備える。
元的に走査する。前者の場合、表面54は第二の方向に移動する。
ームで動作可能であり、示された二つのビームは分かりやすくするという目的で
示されていることが理解されよう。
光検出器76を備える。図4は、2つの光検出器76A、76Bを備えた一つの
画像処理システム74を示し、それらは、ビーム70A、70Bの各々が衝突す
る時、集光機器を通じて、表面54から散乱される光を受光する。
学部品であってもよい。以下の論議は、光学部品74がたとえ単一の、薄いレン
ズ(以下、「集光レンズ74」という。)であるかのように、集光機器74の光学
的品質を説明している。これは、「薄いレンズ等価物」として知られている。
0に対し直交するように配置されている。中心線80は、走査されるビーム70
の中心点81から角度βに沿って伸びており、中心点81は、集光機器の視野中
心として定義される。集光機器74は、レンズ74の中心を貫通して伸びるよう
に配置されている。
レンズ74の長軸と平行ではないので、(点線82で表示された)集光レンズ7
4の結像面も同様に軸78に対し平行ではない。これは、シャインフルグ条件と
して知られており、光学部品のハンドブック、第1巻、McGraw-Hill, Inc、19
95年、1.66, 1.67章に説明されており、この開示内容は参照形式で本願明細書
に導入される。シャインフルグ条件によると、結像面の入射角αは以下のように
定義される。
像される場所付近で実質的に配置されている。ビーム70により走査される走査
線の中間点が一般的に中心点81から距離Dにある場合、光検出器76の中心は
、一般的に、中心線80が結像面82と交差する点84から距離MDに配置され
ている。
ら散乱される残余光が、他のスポットの集光チャンネルに入らないことを確実に
するのに十分な位に広くなければならない。典型的に、この条件は、スポット間
隔の少なくとも複数倍だけ離れたスポットを必要とする。
走査を示す。各走査90は、矢印92,94の符号が付けられた二つの直交運動
により形成されている。矢印92は、走査ユニット58に起因するような走査ビ
ーム70の第一走査運動を示す。矢印94は、低速走査方向における走査を示す
。
例において、その分離は、二つの走査線の長さ2Lになっている。そのため、走
査終了の際、二つの走査領域90が見られるが、それらの間の領域96は走査さ
れない。
、これらも本発明に組み込まれている。必要であれば、ウエハを移動させる機械
ステージの精度のようなシステム考察のため、走査線が重複してもよい。好まし
くは、同時に走査される二つの走査線間の分離は、少なくとも二つの走査線の長
さであるべきである。
スポットサイズ及び表面54上の走査ビーム70の速度に対応した速度でサンプ
リングされる。
離し、従来技術のように各ライン内の画素を時間的に分離することが分かるであ
ろう。
込み、どの光線がどのスポットから来るかを識別するもので、単に、シャインフ
ルグ条件を実施するだけではないことが理解されよう。
明の集光レンズの代替え実施例を示す図6を参照する。この実施例は、離散角度
に光を分散する周期パターンを有するウエハ検査に有用である。この既知の分散
光がフィルタで除去される場合、いかなる残余分散光もウエハ内の誤差というこ
とになる。そのため、この実施例では、ウエハ上の不要なマーキングを検視する
為に、既知散乱光をフィルタで取り除く。
間フィルタ100を有する。空間フィルタ100は、光検出器76に到達する光
を所定範囲角度内の散乱光に限定し、光検出器76は、一走査の間、散乱光の同
一角度範囲を検視する。空間フィルタ100は、入射光を空間的に遮断する為に
、他のいかなる所望形状のマスクとして、又は、アパーチャストップとして、実
施されてもよい。
、最も左の走査ビーム70Aがあるときに生じる。βminという符号が付けられ た、散乱光の最小角度は、走査線106の、108という符号が付けられた終点
に、最も右の走査ビームがあるときに生じる。
集光レンズ74を一焦点距離超え、結像及び対物面は、集光レンズ74のいずれ
か側方から二焦点距離である。アパーチャストップ100の中心は、中心角度β center で出てくる中心線80に整列している。アパーチャストップ100は、ア
パーチャ110を有し、これは、βmaxとβminとの間で散乱された光だけが光検
出器を通過するように許容する。
達する光にフィルタをかけてもよい。
が当業者に理解されよう。むしろ、本発明の範囲は、請求の範囲により規定され
るものである。
体例を示す。
体例を示す。
テム、20…走査後光学システム、22…ビーム、30…複数ビーム、32…ビ
ーム発生ユニット、34…複数処理ビーム、40…複数光検出器、42…表面、
50…複数ビームレーザ走査システム、52…複数ビームレーザ走査システム、
複数ビーム画像処理システム、画像処理システム、54…表面、56…ビーム発
生ユニット、58…走査ユニット、60…走査前光学システム、64…走査後光
学システム、70…走査ビーム、74…集光機器、光学部品、集光レンズ、76
…複数光検出器、76A、76B…光検出器、82…結像面、100…空間フィ
ルタ。
Claims (14)
- 【請求項1】 少なくとも暗視野画像(dark field imaging)を用いる検査
システムであって: 走査される表面に複数のスポットを照らす複数のビームを発生させる複数ビー
ム型レーザ走査ユニットと; 少なくとも一つの検視透視画(viewing perspective)から光を集め、前記複 数のスポットから散乱された光を別個に検出する、少なくとも一つの複数ビーム
型暗視野画像ユニットと; を備える、検査システム。 - 【請求項2】 各検視透視画に対し、前記画像ユニットは: 少なくともスポット毎に一つ、互いに間隔を開けて配置された、複数の光検出
器と; 各スポットからの散乱光を、前記光検出器の中で割り当てられた一つの光検出
器に向ける集光機器と; を備える、請求項1記載の検査システム。 - 【請求項3】 前記集光機器と前記光検出器は、シャインフルグ画像原理(
the principle of Scheimpflug imaging)によって配列される、請求項2記載の
検査システム。 - 【請求項4】 前記集光機器は、前記複数の光検出器によって受光される散
乱光の角度範囲を限定する空間フィルタを更に備える、請求項2記載の検査シス
テム。 - 【請求項5】 前記集光機器は、波長フィルタ及び偏光フィルタの一つを、
更に備える、請求項2記載の検査システム。 - 【請求項6】 前記複数のビームは、各々の関連したスポットから散乱され
た光が、関連した光検出器だけに受光されることを確実にする分離用間隔によっ
て分離されている、請求項2記載の検査システム。 - 【請求項7】 前記分離用間隔は、一般的に、走査列の長さのK倍(Kは少
なくとも2)より重複量だけ小さい、請求項6記載の検査システム。 - 【請求項8】 前記集光機器の薄いレンズ等価物が長軸を有し、前記集光機
器は、前記薄いレンズ等価物の上記長軸が前記表面に対し第一の非平行角度で取
り付けられ、前記光検出器は、前記集光機器の画像面に沿って取り付けられ、前
記画像面は、前記長軸に対し第二の非平行角度になっている、請求項3記載の検
査システム。 - 【請求項9】 検視される表面の複数のスポットからの光を別々に検出する
複数ビーム暗視野画像ユニットであって: スポット毎に少なくとも一つが、互いに間隔を開けて配置される、複数の光検
出器と; 各スポットから散乱された光を、前記光検出器の中の割り当てられた一つの光
検出器に向ける、集光機器と; を備える、複数ビーム暗視野画像ユニット。 - 【請求項10】 前記集光機器と前記複数の光検出器は、シャインフルグ画
像原理によって配列される、請求項9記載の検査システム。 - 【請求項11】 前記集光機器は、前記複数の光検出器により受光される散
乱光の角度範囲を限定する空間フィルタを更に備える、請求項9記載の検査シス
テム。 - 【請求項12】 前記集光機器は、波長フィルタ及び偏光フィルタの一つを
、更に備える、請求項2記載の検査システム。 - 【請求項13】 前記集光機器の薄いレンズ等価物が長軸を有し、前記集光
機器は、前記薄いレンズ等価物の上記長軸が前記表面に対し第一の非平行角度で
取り付けられ、前記光検出器は、前記集光機器の画像面に沿って取り付けられ、
前記画像面は、前記長軸に対し第二の非平行角度になっている、請求項10記載
の検査システム。 - 【請求項14】 暗視野画像を用いる検査システムであって: 複数の光ビームを発生させる光源と; 複数の各走査線にわたり前記光ビームを同時に走査するスキャナと; 分散光を集光し、空間的に複数走査線間を分離し、前記複数走査線内の画素を
時間的に分離する、センサシステムと; を備える、検査システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/990,462 US6236454B1 (en) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | Multiple beam scanner for an inspection system |
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Publications (1)
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Country Status (5)
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008058111A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置、及び欠陥検査方法 |
JP2010048813A (ja) * | 2002-03-22 | 2010-03-04 | Applied Materials Israel Ltd | 移動レンズマルチビームスキャナを備えたウェハ欠陥検出システム |
JP2014534611A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-12-18 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高速画像取得システム及び高速画像検査システム用の、インターポーザをベースにした画像センサ |
JP2017062252A (ja) * | 2011-07-12 | 2017-03-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェハ検査システム |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6236454B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Multiple beam scanner for an inspection system |
IL131837A (en) * | 1999-09-09 | 2002-12-01 | Orbotech Schuh Gmbh & Co Ltd | Automated optical inspection system with improved field of view |
US6369888B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for article inspection including speckle reduction |
US6759669B2 (en) * | 2001-01-10 | 2004-07-06 | Hutchinson Technology Incorporated | Multi-point distance measurement device |
KR20030035198A (ko) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | 최덕환 | 전시 및 포장 겸용 박스 |
JP2003166946A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
KR100970022B1 (ko) * | 2002-03-22 | 2010-07-16 | 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 | 이동 렌즈 다중-빔 스캐너를 갖춘 암시야 검출 장치 및그의 제조 방법 |
US7130039B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US20040042001A1 (en) * | 2002-04-18 | 2004-03-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US20060100730A1 (en) * | 2002-07-12 | 2006-05-11 | Parkes Alan S | Method for detection and relocation of wafer defects |
AU2002952797A0 (en) * | 2002-11-20 | 2002-12-05 | Bio-Molecular Holdings Pty Limited | Centrifugal device and method using same |
US7342218B2 (en) * | 2002-12-19 | 2008-03-11 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Methods and systems for optical inspection of surfaces based on laser screening |
US7525659B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
US6892013B2 (en) * | 2003-01-15 | 2005-05-10 | Negevtech Ltd. | Fiber optical illumination system |
US7486861B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-02-03 | Negevtech Ltd. | Fiber optical illumination system |
JP2004271519A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
WO2006006148A2 (en) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Negevtech Ltd. | Multi mode inspection method and apparatus |
US20060012781A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Negevtech Ltd. | Programmable spatial filter for wafer inspection |
US7841529B2 (en) * | 2004-10-19 | 2010-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | Multiple optical head inspection system and a method for imaging an article |
US7813541B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-10-12 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Method and apparatus for detecting defects in wafers |
US7804993B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-09-28 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images |
US8031931B2 (en) * | 2006-04-24 | 2011-10-04 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Printed fourier filtering in optical inspection tools |
FR2903809B1 (fr) * | 2006-07-13 | 2008-10-17 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement thermique de stabilisation d'interface e collage. |
US7719674B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-05-18 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Image splitting in optical inspection systems |
US7714998B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-05-11 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Image splitting in optical inspection systems |
EP1975603A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-01 | Visys NV | Method and system for use in inspecting and/or removing unsuitable objects from a stream of products and a sorting apparatus implementing the same |
US8194301B2 (en) * | 2008-03-04 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corporation | Multi-spot scanning system and method |
DE102011104550B4 (de) * | 2011-06-17 | 2014-04-30 | Precitec Kg | Optische Messvorrichtung zur Überwachung einer Fügenaht, Fügekopf und Laserschweißkopf mit der selben |
ES2845600T3 (es) | 2013-01-09 | 2021-07-27 | Univ California | Aparato y métodos para la obtención de imágenes de fluorescencia utilizando excitación multiplexada por radiofrecuencia |
US9395340B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-07-19 | Kla-Tencor Corporation | Interleaved acousto-optical device scanning for suppression of optical crosstalk |
US9546962B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-01-17 | Kla-Tencor Corporation | Multi-spot scanning collection optics |
WO2015143041A1 (en) | 2014-03-18 | 2015-09-24 | The Regents Of The University Of California | Parallel flow cytometer using radiofrequency mulitplexing |
US9599572B2 (en) | 2014-04-07 | 2017-03-21 | Orbotech Ltd. | Optical inspection system and method |
US9864173B2 (en) * | 2015-04-21 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for run-time alignment of a spot scanning wafer inspection system |
US9891175B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-02-13 | Kla-Tencor Corporation | System and method for oblique incidence scanning with 2D array of spots |
KR102441581B1 (ko) * | 2015-06-03 | 2022-09-07 | 삼성전자주식회사 | 표면 검사 방법 및 이를 이용한 포토 마스크의 검사 방법 |
KR101711849B1 (ko) * | 2015-07-21 | 2017-03-06 | 주식회사 에프에스티 | 내면 영상 획득을 위한 광학 장치 |
CN108474728B (zh) | 2015-10-13 | 2022-04-26 | 贝克顿·迪金森公司 | 多模态荧光成像流式细胞术系统 |
EP3430376A1 (en) | 2016-03-17 | 2019-01-23 | BD Biosciences | Cell sorting using a high throughput fluorescence flow cytometer |
EP3455608A1 (en) | 2016-05-12 | 2019-03-20 | BD Biosciences | Fluorescence imaging flow cytometry with enhanced image resolution |
ES2951466T3 (es) | 2016-09-13 | 2023-10-23 | Becton Dickinson Co | Citómetro de flujo con ecualización óptica |
KR20210000601A (ko) | 2019-06-25 | 2021-01-05 | 주식회사 노바 | 패턴 변조를 통한 표면 검사 방법 |
CN114303050A (zh) | 2019-07-10 | 2022-04-08 | 贝克顿·迪金森公司 | 用于调整细胞分选分类的可重构集成电路 |
US11513058B2 (en) | 2020-05-19 | 2022-11-29 | Becton, Dickinson And Company | Methods for modulating an intensity profile of a laser beam and systems for same |
WO2021262285A1 (en) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | Becton, Dickinson And Company | Dual excitation beams for irradiating a sample in a flow stream and methods for using same |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3782827A (en) * | 1971-08-04 | 1974-01-01 | Itek Corp | Optical device for characterizing the surface or other properties of a sample |
JPS5248031B2 (ja) * | 1974-05-13 | 1977-12-07 | ||
DE3232885A1 (de) | 1982-09-04 | 1984-03-08 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur automatischen pruefung von oberflaechen |
US4579455A (en) | 1983-05-09 | 1986-04-01 | Kla Instruments Corporation | Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection |
US4811410A (en) * | 1986-12-08 | 1989-03-07 | American Telephone And Telegraph Company | Linescan inspection system for circuit boards |
US5274434A (en) * | 1990-04-02 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line |
DE69129260T2 (de) * | 1990-11-03 | 1998-11-19 | Horiba Ltd | Gerät zur Messung der Teilchengrössenverteilung |
US5463459A (en) * | 1991-04-02 | 1995-10-31 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for analyzing the state of generation of foreign particles in semiconductor fabrication process |
JPH0580497A (ja) | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Canon Inc | 面状態検査装置 |
US5422724A (en) * | 1992-05-20 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Multiple-scan method for wafer particle analysis |
US5386221A (en) * | 1992-11-02 | 1995-01-31 | Etec Systems, Inc. | Laser pattern generation apparatus |
DE4304815A1 (de) * | 1993-02-17 | 1994-08-18 | Leitz Mestechnik Gmbh | Optischer Sensor |
JP3253177B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2002-02-04 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
JPH07229844A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-08-29 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
US5631733A (en) * | 1995-01-20 | 1997-05-20 | Photon Dynamics, Inc. | Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces |
US5661561A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-26 | Accu-Sort Systems, Inc. | Dimensioning system |
WO1997046865A1 (en) * | 1996-06-04 | 1997-12-11 | Tencor Instruments | Optical scanning system for surface inspection |
US6236454B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Multiple beam scanner for an inspection system |
-
1997
- 1997-12-15 US US08/990,462 patent/US6236454B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-11-02 JP JP2000539339A patent/JP2002508513A/ja active Pending
- 1998-11-02 WO PCT/US1998/023348 patent/WO1999031490A1/en active IP Right Grant
- 1998-11-02 KR KR1020007006555A patent/KR100658246B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-02 EP EP98956495A patent/EP1040341A1/en not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-04-18 US US09/551,544 patent/US6671042B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010048813A (ja) * | 2002-03-22 | 2010-03-04 | Applied Materials Israel Ltd | 移動レンズマルチビームスキャナを備えたウェハ欠陥検出システム |
JP2010060563A (ja) * | 2002-03-22 | 2010-03-18 | Applied Materials Israel Ltd | 移動レンズマルチビームスキャナを備えたウェハ欠陥検出システム |
JP2008058111A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置、及び欠陥検査方法 |
JP2017062252A (ja) * | 2011-07-12 | 2017-03-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェハ検査システム |
US9915622B2 (en) | 2011-07-12 | 2018-03-13 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
US10488348B2 (en) | 2011-07-12 | 2019-11-26 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
JP2014534611A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-12-18 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高速画像取得システム及び高速画像検査システム用の、インターポーザをベースにした画像センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1999031490A1 (en) | 1999-06-24 |
US6671042B1 (en) | 2003-12-30 |
KR100658246B1 (ko) | 2006-12-14 |
KR20010033173A (ko) | 2001-04-25 |
EP1040341A1 (en) | 2000-10-04 |
US6236454B1 (en) | 2001-05-22 |
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