JP6046282B2 - 金属絶縁体金属キャパシタ構造 - Google Patents
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Description
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
低電圧キャパシタと、ここにおいて、前記低電圧キャパシタが、
第1の金属層から形成された第1の電極と、
第2の金属層から形成された第2の電極と、
第3の金属層から形成された第3の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の第1の誘電体層と、
前記第2の電極と前記第3の電極との間の第2の誘電体層と
を備える、
高電圧キャパシタと、ここにおいて、前記高電圧キャパシタが、
前記第1の金属層から形成された第4の電極と、
前記第3の金属層から形成された第5の電極と、
前記第4の電極と前記第5の電極との間の第3の誘電体層と、
ここにおいて、前記第3の誘電体層が前記第1の誘電体層または前記第2の誘電体層のいずれかよりも厚い、
を備える、
を備える、キャパシタ構造。
[C2]
前記キャパシタ構造が第1の相互接続金属と第2の相互接続金属との間の絶縁体内に配設され、前記絶縁体が、前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層および前記第3の誘電体層の各々よりも低い誘電率kを有する、C1に記載のキャパシタ構造。
[C3]
前記第1の電極と前記第3の電極とが第1の電源レールに結合され、前記第2の電極が第2の電源レールに結合された、C1に記載のキャパシタ構造。
[C4]
前記第4の電極が第3の電源レールに結合され、前記第5の電極が第4の電源レールに結合された、C3に記載のキャパシタ構造。
[C5]
前記第3の電源レールおよび前記第4の電源レールのうちの1つが、前記第1の電源レールおよび前記第2の電源レールのうちのいずれかよりも高い電源電圧を有する、C4に記載のキャパシタ構造。
[C6]
前記低電圧キャパシタが第1のトランジスタに結合され、前記高電圧キャパシタが第2のトランジスタに結合され、前記第2のトランジスタが、前記第1のトランジスタよりも厚いゲート酸化物を有する、C1に記載のキャパシタ構造。
[C7]
前記第3の誘電体層が、少なくとも前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との厚さの和に等しい厚さを有する、C1に記載のキャパシタ構造。
[C8]
第1の金属層から形成された第1の電極と、
第2の金属層から形成された第2の電極と、
第3の金属層から形成された第3の電極と、ここにおいて、第2の電極と第3の電極とが前記第1の電極と前記第2の電極とよりも遠く離れて離間される、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の第1の誘電体層と、
前記第2の金属層と前記第3の金属層との間の第2の誘電体層と、ここにおいて、前記第2の誘電体層が、前記第1の誘電体層よりも大きい厚さを有する、
を備える、キャパシタ構造。
[C9]
前記第1の電極が第1の電源レールに結合され、前記第2の電極が第2の電源レールに結合され、前記第3の電極が第3の電源レールに結合され、前記第3の電源レールが、前記第1の電源レールよりも高い電源電圧を有する、C8に記載のキャパシタ構造。
[C10]
前記キャパシタ構造が第1の相互接続金属と第2の相互接続金属との間の絶縁体内に配設され、前記絶縁体が、前記第1の誘電体層および前記第2の誘電体層の各々よりも低い誘電率kを有する、C8に記載のキャパシタ構造。
[C11]
前記第1の電極が第1のトランジスタに結合され、前記第3の電極が第2のトランジスタに結合され、前記第2のトランジスタが、前記第1のトランジスタよりも厚いゲート酸化物を有する、C8に記載のキャパシタ構造。
[C12]
キャパシタ構造を作製するための方法であって、
第1の絶縁層上に第1の金属層を堆積させることと、
前記第1の金属層から第1の電極と第2の電極とを形成することと、
前記第1の電極と前記第2の電極との上に第1の誘電体層を堆積させることと、
前記第1の誘電体層上に第2の金属層を堆積させることと、
前記第2の金属層から第3の電極を形成することと、ここにおいて、前記第3の電極が前記第1の電極に重なる、
前記第2の電極に重なる前記第2の金属層の部分を除去することと、
前記第3の電極と前記第1の誘電体層との上に第2の誘電体層を堆積させることと、
前記第2の誘電体層上に第3の金属層を堆積させることと、
前記第3の金属層から第4の電極と第5の電極とを形成することと、ここにおいて、前記第4の電極が前記第1の電極と前記第3の電極とに重なり、前記第5の電極が前記第2の電極に重なる、
を備える、方法。
[C13]
前記第4の電極と前記第5の電極との上に第2の絶縁層を堆積させることをさらに備え、ここにおいて、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層の各々が、前記第1の誘電体層および前記第2の誘電体層の各々よりも低い誘電率kを有する、C12に記載の方法。
[C14]
前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とが第1の相互接続金属と第2の相互接続金属との間に配設された、C13に記載の方法。
[C15]
前記第2の絶縁層上に第1の電源レールと第2の電源レールとを形成することと、
第1のビアと、第2のビアと、第3のビアとを形成することと、ここにおいて、前記第1のビアが前記第3の電極を前記第1の電源レールに結合し、前記第2のビアおよび前記第3のビアが、前記1の電極および前記第4の電極を、それぞれ前記第2の電源レールに結合する、
をさらに備える、C13に記載の方法。
[C16]
前記第2の絶縁層上に第3の電源レールと第4の電源レールとを形成することと、
第4のビアと第5のビアとを形成することと、ここにおいて、前記第4のビアが前記第2の電極を前記第3の電源レールに結合し、前記第5のビアが前記第5の電極を前記第4の電源レールに結合する、
をさらに備える、C15に記載の方法。
[C17]
キャパシタ構造を作製するための方法であって、
第1の絶縁層上に第1の金属層を堆積させることと、
前記第1の金属層から第1の電極を形成することと、
前記第1の電極上に第1の誘電体層を堆積させることと、
前記第1の誘電体層上に第2の金属層を堆積させることと、
前記第2の金属層から第2の電極を形成することと、
前記第2の電極上に第2の誘電体層を堆積させることと、ここにおいて、前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層とが異なる厚さを有する、
前記第2の誘電体層上に第3の金属層を堆積させることと、
前記第3の金属層から第3の電極を形成することと
を備える、方法。
[C18]
前記第3の電極上に第2の絶縁層を堆積させることをさらに備え、ここにおいて、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層の各々が、前記第1の誘電体層および前記第2の誘電体層の各々よりも低い誘電率kを有する、C17に記載の方法。
[C19]
前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とが第1の相互接続金属と第2の相互接続金属との間に配設された、C18に記載の方法。
[C20]
前記第2の絶縁層上に第1の電源レールと、第2の電源レールと、第3の電源レールとを形成することと、
第1のビアと、第2のビアと、第3のビアとを形成することと、ここにおいて、前記第1のビアが前記第1の電極を前記第1の電源レールに結合し、前記第2のビアが前記第2の電極を前記第2の電源レールに結合し、前記第3のビアが前記第3のビアを前記第3の電源レールに結合する、
をさらに備える、C18に記載の方法。
[C21]
第1の電源レール上の雑音を減衰させるための手段と、
第2の電源レール上の雑音を減衰させるための手段と、ここにおいて、両方の手段がチップ上に集積され、前記第2の電源レールが、前記第1の電源レールよりも高い電源電圧に結合された、
を備える、装置。
[C22]
前記第1の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段と、前記第2の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段とが共通電極を共有する、C21に記載の装置。
[C23]
前記第1の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段が、
第1の電極と、
前記第1の電極と前記共通電極との間の第1の誘電体層と
を備える、C22に記載の装置。
[C24]
前記第2の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段が、
第2の電極と、
前記第2の電極と前記共通電極との間の第2の誘電体層と、ここにおいて、前記第2の誘電体層が前記第1の誘電体層よりも厚い、
を備える、C23に記載の装置。
[C25]
前記第1の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段が、
第1の電極、第2の電極および第3の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の第1の誘電体層と、
前記第2の電極と前記第3の電極との間の第2の誘電体層と
を備える、C21に記載の装置。
[C26]
前記第2の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段が、
第4の電極および第5の電極と、
前記第4の電極と前記第5の電極との間の第3の誘電体層と、ここにおいて、前記第3の誘電体層が前記第1の誘電体層または前記第2の誘電体層のいずれかよりも厚い、
を備える、C25に記載の装置。
Claims (9)
- 低電圧キャパシタと、ここにおいて、前記低電圧キャパシタが、
第1の金属層から形成された第1の電極と、
前記第1の金属層の上方に堆積される第2の金属層から形成された第2の電極と、
前記第2の金属層の上方に堆積される第3の金属層から形成された第3の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の第1の誘電体層と、
前記第2の電極と前記第3の電極との間の第2の誘電体層と、
を備える、
高電圧キャパシタと、ここにおいて、前記高電圧キャパシタが、
前記第1の金属層から形成された第4の電極と、
前記第3の金属層から形成された第5の電極と、
前記第4の電極と前記第5の電極との間の第3の誘電体層と、
ここにおいて、前記第3の誘電体層が前記第1の誘電体層または前記第2の誘電体層のいずれかよりも厚く、前記第1の電極と前記第3の電極とが第1の電源レールに結合され、前記第2の電極が第2の電源レールに結合される、
のみからなる、
を備える、キャパシタ構造。 - 前記キャパシタ構造が第1の相互接続金属と第2の相互接続金属との間の絶縁体内に配設され、前記絶縁体が、前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層および前記第3の誘電体層の各々1つよりも低い誘電率kを有する、請求項1に記載のキャパシタ構造。
- 前記第4の電極が第3の電源レールに結合され、前記第5の電極が第4の電源レールに結合された、請求項1に記載のキャパシタ構造。
- 前記第3の電源レールおよび前記第4の電源レールのうちの1つが、前記第1の電源レールおよび前記第2の電源レールのうちのいずれかよりも高い電源電圧を有する、請求項3に記載のキャパシタ構造。
- 前記低電圧キャパシタが第1のトランジスタに結合され、前記高電圧キャパシタが第2のトランジスタに結合され、前記第2のトランジスタが、前記第1のトランジスタよりも厚いゲート酸化物を有する、請求項1に記載のキャパシタ構造。
- 低電圧キャパシタと、ここにおいて、前記低電圧キャパシタが、
第1の金属層から形成された第1の電極と、
前記第1の金属層の上方に堆積される第2の金属層から形成された第2の電極と、
前記第2の金属層の上方に堆積される第3の金属層から形成された第3の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の第1の誘電体層と、
前記第2の電極と前記第3の電極との間の第2の誘電体層と、
を備え、ここにおいて、前記第1の電極と前記第3の電極とが第1の電源レールに結合され、前記第2の電極が第2の電源レールに結合される、
高電圧キャパシタと、ここにおいて、前記高電圧キャパシタが、
前記第1の金属層から形成された第4の電極と、
前記第3の金属層から形成された第5の電極と、
前記第4の電極と前記第5の電極との間の第3の誘電体層と、
ここにおいて、前記第3の誘電体層が、前記第1の誘電体層または前記第2の誘電体層のいずれかよりも厚く、前記第3の誘電体層が、少なくとも前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との厚さの和に等しい厚さを有する、
のみからなる、
を備える、キャパシタ構造。 - 前記キャパシタ構造が第1の相互接続金属と第2の相互接続金属との間の絶縁体内に配設され、前記絶縁体が、前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層および前記第3の誘電体層の各々1つよりも低い誘電率kを有する、請求項6に記載のキャパシタ構造。
- 前記低電圧キャパシタが第1のトランジスタに結合され、前記高電圧キャパシタが第2のトランジスタに結合され、前記第2のトランジスタが、前記第1のトランジスタよりも厚いゲート酸化物を有する、請求項6に記載のキャパシタ構造。
- 第1の電源レール上の雑音を減衰させるための手段と、
第2の電源レール上の雑音を減衰させるための手段と、ここにおいて、両方の手段がチップ上に集積され、前記第2の電源レールが、前記第1の電源レールよりも高い電源電圧に結合される、
ここにおいて、前記第1の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段が、
第1の電極、第2の電極および第3の電極と、ここにおいて、前記第2の電極は、前記第1の電極の上方に堆積され、前記第3の電極は、前記第2の電極の上方に堆積される、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の第1の誘電体層と、
前記第2の電極と前記第3の電極との間の第2の誘電体層と、
ここにおいて、前記第2の電極が前記第1の電極と前記第3の電極との間にあり、
ここにおいて、前記第1の電極と前記第3の電極とが前記第1の電源レールに結合され、前記第2の電極が第3の電源レールに結合されるか、または前記第1の電極と前記第3の電極とが前記第3の電源レールに結合され、前記第2の電極が前記第1の電源レールに結合される、
を備え、
ここにおいて、前記第2の電源レール上の雑音を減衰させるための前記手段が、
第4の電極および第5の電極と、ここにおいて、前記第4の電極は、前記第1の電極と同一の金属層から形成され、前記第5の電極は、前記第3の電極と同一の金属層から形成される、
前記第4の電極と前記第5の電極との間の第3の誘電体層と、ここにおいて、前記第3の誘電体層が前記第1の誘電体層または前記第2の誘電体層のいずれかよりも厚い、
のみからなる、
を備える、装置。
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