JP4707330B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4707330B2 JP4707330B2 JP2004101586A JP2004101586A JP4707330B2 JP 4707330 B2 JP4707330 B2 JP 4707330B2 JP 2004101586 A JP2004101586 A JP 2004101586A JP 2004101586 A JP2004101586 A JP 2004101586A JP 4707330 B2 JP4707330 B2 JP 4707330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- insulating film
- interlayer insulating
- film
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 106
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 102
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 102
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 97
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 88
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 44
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 11
- -1 SiOC Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016344 CuSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/923—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with means to optimize electrical conductor current carrying capacity, e.g. particular conductor aspect ratio
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/924—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with passive device, e.g. capacitor, or battery, as integral part of housing or housing element, e.g. cap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
また、本発明によれば、半導体基板と、半導体基板の上部に設けられた下部配線と、該下部配線を埋めこむ第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜上に設けられた下部電極、その上部に設けられる上部電極、および、これらの電極に挟まれた誘電膜を有するMIMキャパシタと、MIMキャパシタを埋めこむ第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜の上部に設けられた上部配線と、前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜との間に設けられ、平坦化された第3層間絶縁膜とを含み、下部電極が上部配線と電気的に接続される、ことを特徴とする半導体装置が提供される。
本実施形態に係る半導体装置は、多層銅配線を含むロジック回路素子中に、MIMキャパシタ、抵抗素子といった受動素子を設けた構造を具備する。
本実施形態に係る半導体装置は、MIMキャパシタを有する層と同層にインダクタが設けられている。
202 第1銅配線層
204 絶縁膜
206 層間絶縁膜
208 Al含有多層膜
210 誘電体膜
212 上部導電膜
214 下部銅配線
216 上部電極
217 コンタクト
218 第2抵抗素子
219 コンタクト
220 下部電極
222 下部電極
224 第1抵抗素子
226a ダミー金属膜
226b ダミー金属膜
228 層間絶縁膜
230 絶縁膜
232 銅配線用溝
236 ビアホール
238 上部銅配線
239 第2銅配線層
240 ビアプラグ
241 ビアプラグ
242 第1導体
243 ビアプラグ
244 第2導体
245 ビアプラグ
246 第3導体
248 第4導体
250 受動素子層
260 キャパシタ
270 インダクタ
Claims (18)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上部に設けられた下部配線と、
該下部配線を埋めこむ第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上に設けられた下部電極、その上部に設けられる上部電極、および、これらの電極に挟まれた誘電膜を有するMIMキャパシタと、
前記MIMキャパシタを埋めこむ第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜の上部に設けられた上部配線と、
前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜との間に設けられた第3層間絶縁膜と、
を含み、
前記下部電極が前記上部配線と電気的に接続され、
前記第3層間絶縁膜は、SiO2、SiOC、SiOFからなるグループから選択された材料からなるか、またはSiO2、SiOC、SiOFからなるグループから選択された材料の組合せからなる、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記上部電極と前記下部電極とが、異なる導電材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記下部配線が銅配線であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3いずれかに記載の半導体装置において、
前記上部配線が銅配線であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4いずれかに記載の半導体装置において、
前記第2層間絶縁膜中に設けられ、前記下部電極と前記上部配線とを電気的に接続する第1接続プラグと、
前記第2層間絶縁膜中に設けられ、前記上部電極と前記上部配線とを電気的に接続する第2接続プラグと、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記下部電極は、前記上部電極の外周縁よりも外方へ張り出した部分を有し、
前記第1接続プラグは、前記部分と接続することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至6いずれかに記載の半導体装置において、
前記上部電極が、前記上部配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至7いずれかに記載の半導体装置において、
前記下部電極はアルミニウム含有膜を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至8いずれかに記載の半導体装置において、
前記下部電極の厚みが、300〜500nmであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至9いずれかに記載の半導体装置において、
前記下部電極と同一レベルに設けられ、前記下部電極と同一材料および同一膜厚からなる第1抵抗体を備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至10いずれかに記載の半導体装置において、
前記上部電極と同一レベルに設けられ、前記上部電極と同一材料および同一膜厚からなる第2抵抗体を備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至9いずれかに記載の半導体装置において、さらに、
前記下部電極と同一レベルに設けられ、前記下部電極と同一材料および同一膜厚からなる第1抵抗体と、
前記上部電極と同一レベルに設けられ、前記上部電極と同一材料および同一膜厚からなる第2抵抗体と、を備え、
前記第1抵抗体と前記第2抵抗体とが、異なる材料からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至12いずれかに記載の半導体装置において、
前記MIMキャパシタと同層に、前記MIMキャパシタと同じ層構造の構造体を有し、
該構造体を構成する一方の電極は配線に接続せず、他方の電極を前記上部配線と接続して抵抗体として用いたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至13いずれかに記載の半導体装置において、
前記下部電極と同一レベルに設けられ、前記下部電極と同一材料および同一膜厚からなる複数の第1導電体と、
前記上部配線と前記第1導電体とを接続する複数のビアと、
により構成されるインダクタを備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の上部に下部配線を形成する工程と、
前記下部配線を埋めこむ第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第3層間絶縁膜上に、下部電極、誘電膜および上部電極が積層してなるMIMキャパシタを形成する工程と、
前記MIMキャパシタを埋めこむ第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜中に、前記下部電極に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを導電膜で埋め込み、接続プラグを形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜の上部に、前記接続プラグと接続する上部配線を形成する工程と、
を含み、
前記第3層間絶縁膜は、SiO2、SiOC、SiOFからなるグループから選択された材料からなるか、またはSiO2、SiOC、SiOFからなるグループから選択された材料の組合せからなる、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項15に記載の半導体装置の製造方法において、
前記MIMキャパシタを形成する工程は、
前記第1層間絶縁膜上に、第1導電体膜を形成する工程と、
前記第1導電体膜を選択的に除去し、前記MIMキャパシタの下部電極を形成するとともに、該下部電極と同一レベルに設けられた第1抵抗体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項15または16に記載の半導体装置の製造方法において、
前記MIMキャパシタを形成する工程は、
前記第1層間絶縁膜の上部に、第2導電体膜を形成する工程と、
前記第2導電体膜を選択的に除去し、前記MIMキャパシタの上部電極を形成するとともに、該上部電極と同一レベルに設けられた第2抵抗体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項15乃至17いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記MIMキャパシタを形成する工程は、
前記第1層間絶縁膜上に、第1導電体膜を形成する工程と、
前記第1導電体膜上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、第2導電体膜を形成する工程と、
前記第2導電体膜を選択的に除去し、前記MIMキャパシタの上部電極を形成する工程
と、
前記誘電体膜を選択的に除去する工程と、
前記第1導電体膜を選択的に除去し、前記MIMキャパシタの下部電極を形成するとともに、該下部電極と同一レベルに設けられた複数の第1導電体を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜中に、複数の第1導電体に到達する複数のホールを設ける工程と、
前記ホールを導電材料で埋め込み、プラグを形成する工程と、
前記第1導電体、前記プラグおよび前記上部配線からなるインダクタを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004101586A JP4707330B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
US11/090,112 US7202567B2 (en) | 2004-03-30 | 2005-03-28 | Semiconductor device and manufacturing method for the same |
US11/681,850 US7494867B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-03-05 | Semiconductor device having MIM capacitive elements and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004101586A JP4707330B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005286255A JP2005286255A (ja) | 2005-10-13 |
JP4707330B2 true JP4707330B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=35053382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004101586A Expired - Lifetime JP4707330B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7202567B2 (ja) |
JP (1) | JP4707330B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4308691B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2009-08-05 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体基板および半導体基板の製造方法 |
JP2005347511A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US8158510B2 (en) | 2009-11-19 | 2012-04-17 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming IPD on molded substrate |
US8791006B2 (en) * | 2005-10-29 | 2014-07-29 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming an inductor on polymer matrix composite substrate |
US8409970B2 (en) | 2005-10-29 | 2013-04-02 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of making integrated passive devices |
US8669637B2 (en) * | 2005-10-29 | 2014-03-11 | Stats Chippac Ltd. | Integrated passive device system |
US8188590B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-05-29 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with post-passivation interconnection and integration |
JP5027441B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-09-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8124490B2 (en) * | 2006-12-21 | 2012-02-28 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming passive devices |
US7608538B2 (en) * | 2007-01-05 | 2009-10-27 | International Business Machines Corporation | Formation of vertical devices by electroplating |
US7813811B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-10-12 | Neuropace, Inc. | Refillable reservoir lead systems |
US7863706B2 (en) * | 2007-06-28 | 2011-01-04 | Stats Chippac Ltd. | Circuit system with circuit element |
JP2009141237A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5287175B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-09-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2943783B1 (fr) * | 2009-03-31 | 2011-06-10 | Commissariat Energie Atomique | Pixel de bolometre dote d'un condensateur d'integration mim |
US8766417B2 (en) | 2009-05-04 | 2014-07-01 | Mediatek Inc. | Integrated circuit chip with reduced IR drop |
US8476745B2 (en) * | 2009-05-04 | 2013-07-02 | Mediatek Inc. | Integrated circuit chip with reduced IR drop |
TWI395292B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-05-01 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝結構及其製造方法 |
US8878338B2 (en) * | 2012-05-31 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Capacitor for interposers and methods of manufacture thereof |
JP6077240B2 (ja) | 2012-08-21 | 2017-02-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 抵抗構造体、集積回路および抵抗構造体の製造方法 |
US9601427B2 (en) * | 2013-03-25 | 2017-03-21 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor device including plural types of resistors and manufacturing method of the semiconductor device |
US9966426B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-05-08 | Qualcomm Incorporated | Augmented capacitor structure for high quality (Q)-factor radio frequency (RF) applications |
JP2018186285A (ja) * | 2018-07-03 | 2018-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10879172B2 (en) * | 2018-08-14 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure |
JP7323343B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2023-08-08 | ローム株式会社 | チップ部品 |
US11437331B2 (en) * | 2019-10-17 | 2022-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chip structure and method for forming the same |
CN111509122B (zh) * | 2020-04-20 | 2023-09-22 | 上海航天电子通讯设备研究所 | 一种内埋置无源阻容元件的lcp封装基板及制作方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125864A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-15 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH11214620A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Toshiba Corp | 半導体コンデンサおよびこれを備えた半導体装置並びにその製造方法 |
JPH11354723A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Kobe Steel Ltd | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法 |
JP2001267320A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002164506A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004080049A (ja) * | 2003-10-06 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004096061A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5926359A (en) * | 1996-04-01 | 1999-07-20 | International Business Machines Corporation | Metal-insulator-metal capacitor |
JP3967544B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | Mimキャパシタ |
JP4947849B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2012-06-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6410386B1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-06-25 | Silicon Integrated Systems Corp. | Method for forming a metal capacitor in a damascene process |
JP4226804B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2009-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003100757A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003264235A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003318269A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6746914B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-06-08 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Metal sandwich structure for MIM capacitor onto dual damascene |
US6720608B2 (en) * | 2002-05-22 | 2004-04-13 | United Microelectronics Corp. | Metal-insulator-metal capacitor structure |
KR100505658B1 (ko) * | 2002-12-11 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | MIM(Metal-Insulator-Metal)커패시터를 갖는 반도체 소자 |
KR100585115B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 금속-절연체-금속 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 그제조방법 |
US6919244B1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-07-19 | Motorola, Inc. | Method of making a semiconductor device, and semiconductor device made thereby |
-
2004
- 2004-03-30 JP JP2004101586A patent/JP4707330B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-28 US US11/090,112 patent/US7202567B2/en active Active
-
2007
- 2007-03-05 US US11/681,850 patent/US7494867B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125864A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-15 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH11214620A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Toshiba Corp | 半導体コンデンサおよびこれを備えた半導体装置並びにその製造方法 |
JPH11354723A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Kobe Steel Ltd | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法 |
JP2001267320A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002164506A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004096061A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004080049A (ja) * | 2003-10-06 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005286255A (ja) | 2005-10-13 |
US20070148825A1 (en) | 2007-06-28 |
US7494867B2 (en) | 2009-02-24 |
US20050218520A1 (en) | 2005-10-06 |
US7202567B2 (en) | 2007-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4707330B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7538005B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
JP6046282B2 (ja) | 金属絶縁体金属キャパシタ構造 | |
US6777777B1 (en) | High density composite MIM capacitor with flexible routing in semiconductor dies | |
JP3895126B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW200826278A (en) | Capacitor structure for integrated circuit | |
US7796372B2 (en) | Manufacture of 3 dimensional MIM capacitors in the last metal level of an integrated circuit | |
JP5432662B2 (ja) | 電源配線構造の設計方法、半導体装置の製造方法、および、半導体装置 | |
US6979854B2 (en) | Thin-film capacitor device, mounting module for the same, and method for fabricating the same | |
JP5090688B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010140972A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010141097A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100634000B1 (ko) | 엠아이엠 캐패시터 형성 방법 | |
JP2010135515A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004119461A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100548522B1 (ko) | 커패시터 구조물을 갖는 반도체 장치 | |
JP2010040775A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100685877B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
CN115335993A (zh) | Rc网络部件中的接触部结构 | |
JP2006210952A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005129816A (ja) | Mim容量素子を備えた半導体装置とその製造方法 | |
JP2006351748A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003249560A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004103804A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4707330 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |