JP7323343B2 - チップ部品 - Google Patents

Description

本発明は、ＬＣ回路を備えたチップ部品に関する。

特許文献１は、絶縁層、絶縁層内に形成されたコイル、および、絶縁層内に形成され、コイルとの間でＬＣ回路を形成するコンデンサを含む電子部品を開示している。

特開２０１６－２０１５１７号公報

本発明の一実施形態は、優れたＬＣ特性を実現できるチップ部品を提供する。

本発明の一実施形態は、基板と、前記基の上に形成された無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に形成された有機絶縁層と、前記無機絶縁層内に形成されたキャパシタ、および、前記キャパシタに電気的に接続されるように前記有機絶縁層内に形成されたインダクタを含むＬＣ回路と、を含む、チップ部品を提供する。このチップ部品によれば、優れたＬＣ特性を実現できる。

本発明の一実施形態は、基板と、前記基板の上に形成された無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に形成された有機絶縁層と、前記無機絶縁層内に配置された下電極、および、前記無機絶縁層の一部を挟んで前記下電極に対向するように前記無機絶縁層内に配置された上電極を含むキャパシタと、前記有機絶縁層内に配置された螺旋状のコイル導体を含み、前記キャパシタとの間でＬＣ回路を形成するインダクタと、を含む、チップ部品を提供する。このチップ部品によれば、優れたＬＣ特性を実現できる。

図１は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の電気的構造を示す回路図であって、第１形態例に係るＬＣ回路が組み込まれた形態を示す回路図である。 図２は、図１に示すチップ部品の概略構成を示す断面図である。 図３は、図１に示すチップ部品の斜視図である。 図４は、図３に示すチップ部品の分離斜視図である。 図５は、図３に示すチップ部品の断面図である。 図６は、図５に示す第１無機絶縁層の上の構造の平面図である。 図７は、図５に示す第２無機絶縁層の平面図である。 図８は、図５に示す第２無機絶縁層の上の構造の平面図である。 図９は、図５に示す第３無機絶縁層の平面図である。 図１０は、図５に示す第１有機絶縁層の平面図である。 図１１は、図５に示す第２有機絶縁層の平面図である。 図１２は、図５に示す第３有機絶縁層の平面図である。 図１３は、図５に示す第３有機絶縁層の上の構造の平面図である。 図１４Ａは、図３に示すチップ部品の製造方法の一例を説明するための断面図である。 図１４Ｂは、図１４Ａの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｃは、図１４Ｂの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｄは、図１４Ｃの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｅは、図１４Ｄの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｆは、図１４Ｅの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｇは、図１４Ｆの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｈは、図１４Ｇの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｉは、図１４Ｈの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｊは、図１４Ｉの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｋは、図１４Ｊの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｌは、図１４Ｋの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｍは、図１４Ｌの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｎは、図１４Ｍの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｏは、図１４Ｎの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｐは、図１４Ｏの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｑは、図１４Ｐの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｒは、図１４Ｑの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｓは、図１４Ｒの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｔは、図１４Ｓの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｕは、図１４Ｔの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｖは、図１４Ｕの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｗは、図１４Ｖの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｘは、図１４Ｗの後の工程を示す断面図である。 図１４Ｙは、図１４Ｘの後の工程を示す断面図である。 図１５は、第２形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図１６は、第３形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図１７は、第４形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図１８は、第５形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図１９は、第６形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図２０は、第７形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図２１は、第８形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図２２は、第９形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図２３は、第１０形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図２４は、第１１形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。 図２５は、第１２形態例に係るＬＣ回路を示す回路図である。

以下では、添付図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るチップ部品１の電気的構造を示す回路図であって、第１形態例に係るＬＣ回路６が組み込まれた形態を示す回路図である。
チップ部品１は、複数の外部端子２，３，４，５およびＬＣ回路６を含む。複数の外部端子２～５は、第１入出力端子２、第２入出力端子３、第１基準端子４および第２基準端子５を含む。

第１入出力端子２は、ＬＣ回路６に入力信号を伝達する入力端子、または、ＬＣ回路６からの出力信号を外部に伝達する出力端子として機能する。第２入出力端子３は、ＬＣ回路６に入力信号を伝達する入力端子、または、ＬＣ回路６からの出力信号を外部に伝達する出力端子として機能する。
第１入出力端子２が入力端子として機能する場合、第２入出力端子３は、出力端子として機能する。第１入出力端子２が出力端子として機能する場合、第２入出力端子３は、入力端子として機能する。第１基準端子４は、ＬＣ回路６に基準電圧（たとえばグランド電圧）を伝達する。第２基準端子５は、ＬＣ回路６に基準電圧（たとえばグランド電圧）を伝達する。

ＬＣ回路６は、１つまたは複数（この形態では２個）のインダクタＬ１，Ｌ２、および、１つまたは複数（この形態では５個）のキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５を含む。複数のインダクタＬ１～Ｌ２は、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２を含む。複数のキャパシタＣ１～Ｃ５は、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２、第３キャパシタＣ３、第４キャパシタＣ４および第５キャパシタＣ５を含む。

第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２に接続されている。第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１および第２入出力端子３に接続されている。以下では、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の接続部を、インダクタ接続部７という。
第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第１基準端子４（第２基準端子５）に接続されている。第２キャパシタＣ２は、第１インダクタＬ１に並列接続されている。第３キャパシタＣ３は、インダクタ接続部７および第１基準端子４（第２基準端子５）に接続されている。第４キャパシタＣ４は、第２インダクタＬ２に並列接続されている。第５キャパシタＣ５は、第２入出力端子３および第２基準端子５（第１基準端子４）に接続されている。

ＬＣ回路６は、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５を含むラダーフィルタ回路を含む。ＬＣ回路６は、より具体的には、エリプティックフィルタ回路を含む。エリプティックフィルタ回路は、ラダーエリプティックローパスフィルタ回路からなる。
エリプティックフィルタ回路は、第１入出力端子２から第２入出力端子３に向かってＬ型フィルタ回路およびπ型フィルタ回路を含む。Ｌ型フィルタ回路は、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２および第１インダクタＬ１を含む。π型フィルタ回路は、第３キャパシタＣ３、第４キャパシタＣ４、第５キャパシタＣ５および第２インダクタＬ２を含む。

エリプティックフィルタ回路は、第２入出力端子３から第１入出力端子２に向かってＬ型フィルタ回路およびπ型フィルタ回路を含む。Ｌ型フィルタ回路は、第４キャパシタＣ４、第５キャパシタＣ５および第２インダクタＬ２を含む。π型フィルタ回路は、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２、第３キャパシタＣ３および第１インダクタＬ１を含む。

エリプティックフィルタ回路は、第１入出力端子２から第２入出力端子３に向かって第１キャパシタＣ１、Ｔ型フィルタ回路および第５キャパシタＣ５を含む。Ｔ型フィルタ回路は、第２キャパシタＣ２、第３キャパシタＣ３、第４キャパシタＣ４、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２を含む。
図２は、図１に示すチップ部品１の概略構成を示す断面図である。

図２を参照して、チップ部品１は、チップ本体１１を含む。チップ本体１１は、基板１２、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４を含む積層構造を有している。無機絶縁層１３は、基板１２の上に積層されている。有機絶縁層１４は、無機絶縁層１３の上に積層されている。
チップ部品１は、無機絶縁層１３内に配置された下電極１５および上電極１６を含む。下電極１５および上電極１６は、層状（膜状）にそれぞれ形成されている。下電極１５は、この形態では、第１下電極２１、第２下電極２２、第３下電極２３、第４下電極２４および第５下電極２５を含む。

第１～第５下電極２１～２５は、チップ本体１１の一端から他端に向けてこの順に間隔を空けて形成されている。第１～第５下電極２１～２５は、無機絶縁層１３内において同一層に形成されている。第１下電極２１、第３下電極２３および第５下電極２５は、同電位に固定されている。
上電極１６は、無機絶縁層１３の一部を挟んで下電極１５に対向するように無機絶縁層１３内に配置されている。上電極１６は、より具体的には、下電極１５に対して有機絶縁層１４側に間隔を空けて無機絶縁層１３内に配置されている。上電極１６は、無機絶縁層１３の一部を挟んで無機絶縁層１３の積層方向に下電極１５に対向している。

上電極１６は、この形態では、第１上電極３１、第２上電極３２、第３上電極３３、第４上電極３４および第５上電極３５を含む。第１～第５上電極３１～３５は、チップ本体１１の一端から他端に向けてこの順に間隔を空けて形成されている。第１～第５上電極３１～３５は、無機絶縁層１３内において同一層に形成されている。
第１上電極３１は、無機絶縁層１３の一部を挟んで第１下電極２１に対向している。第１上電極３１は、第１下電極２１との間で第１キャパシタＣ１を形成している。第１上電極３１は、第２下電極２２と同電位に固定されている。

第２上電極３２は、無機絶縁層１３の一部を挟んで第２下電極２２に対向している。第２上電極３２は、第２下電極２２との間で第２キャパシタＣ２を形成している。第３上電極３３は、無機絶縁層１３の一部を挟んで第３下電極２３に対向している。第３上電極３３は、第３下電極２３との間で第３キャパシタＣ３を形成している。第３上電極３３は、第２上電極３２と同電位に固定されている。

第４上電極３４は、無機絶縁層１３の一部を挟んで第４下電極２４に対向している。第４上電極３４は、第４下電極２４との間で第４キャパシタＣ４を形成している。第４上電極３４は、第３上電極３３と同電位に固定されている。
第５上電極３５は、無機絶縁層１３の一部を挟んで第５下電極２５に対向している。第５上電極３５は、第５下電極２５との間で第５キャパシタＣ５を形成している。第５上電極３５は、第４下電極２４と同電位に固定されている。

チップ部品１は、有機絶縁層１４内に配置された螺旋状のコイル導体４０を含む。コイル導体４０は、有機絶縁層１４の積層方向から見た平面視において螺旋状に形成されている。
コイル導体４０は、この形態では、第１コイル導体４１および第２コイル導体４２を含む。第１～第２コイル導体４１～４２は、チップ本体１１の一端から他端に向けてこの順に間隔を空けて形成されている。第１コイル導体４１は、有機絶縁層１４内において第１インダクタＬ１を形成している。第２コイル導体４２は、有機絶縁層１４内において第２インダクタＬ２を形成している。

第１コイル導体４１は、第１内側末端４３、第１外側末端４４、ならびに、第１内側末端４３および第１外側末端４４の間に引き回された第１螺旋部４５を含む。第１内側末端４３は、平面視においてチップ本体１１の一端側に位置している。第１外側末端４４は、平面視においてチップ本体１１の他端側に位置している。第１外側末端４４は、この形態では、平面視において第１チップ主面６２の中央部に位置している。

第１螺旋部４５は、第１内側末端４３から第１外側末端４４に向けて外巻きに巻回されている。第１内側末端４３は、第１上電極３１と同電位に固定されている。第１外側末端４４は、第３上電極３３と同電位に固定されている。
第１コイル導体４１の巻回数は、この形態では、３である。第１コイル導体４１の巻回数は任意であり、達成すべきインダクタンスの値に応じて調節される。第１コイル導体４１の巻回数は、２以上２０以下であってもよい。第１コイル導体４１の巻回数は、２以上５以下、５以上１０以下、１０以上１５以下、または、１５以上２０以下であってもよい。

第２コイル導体４２は、第２内側末端４６、第２外側末端４７、ならびに、第２内側末端４６および第２外側末端４７の間に引き回された第２螺旋部４８を含む。第２内側末端４６は、平面視においてチップ本体１１の他端側に位置している。第２外側末端４７は、平面視においてチップ本体１１の一端側に位置している。第２外側末端４７は、この形態では、平面視において第１チップ主面６２の中央部に位置している。

第２螺旋部４８は、第２内側末端４６から第２外側末端４７に向けて外巻きに巻回されている。第２内側末端４６は、第５上電極３５と同電位に固定されている。第２外側末端４７は、第３上電極３３と同電位に固定されている。第２外側末端４７は、この形態では、第１外側末端４４に接続されている。第１外側末端４４および第２外側末端４７の接続部によって、インダクタ接続部７が形成されている。

第２コイル導体４２の巻回数は、この形態では、第１コイル導体４１の巻回数を超えている。第２コイル導体４２の巻回数は、この形態では、４である。第２コイル導体４２の巻回数は任意であり、達成すべきインダクタンスの値に応じて調節される。第２コイル導体４２の巻回数は、２以上２０以下であってもよい。第２コイル導体４２の巻回数は、２以上５以下、５以上１０以下、１０以上１５以下、または、１５以上２０以下であってもよい。

チップ部品１は、第１配線５１、第２配線５２、第３配線５３、第４配線５４および第５配線５５を含む。第１配線５１は、無機絶縁層１３内において第１上電極３１に電気的に接続され、有機絶縁層１４内において第１コイル導体４１の第１内側末端４３に電気的に接続されている。
第２配線５２は、無機絶縁層１３内において第３上電極３３に電気的に接続され、有機絶縁層１４内においてインダクタ接続部７に電気的に接続されている。第３配線５３は、無機絶縁層１３内において第５上電極３５に電気的に接続され、有機絶縁層１４内において第２コイル導体４２の第２内側末端４６に電気的に接続されている。

第４配線５４は、無機絶縁層１３内において第１下電極２１および第３下電極２３に電気的に接続されている。第４配線５４は、無機絶縁層１３から有機絶縁層１４内に引き出されている。第５配線５５は、無機絶縁層１３内において第３下電極２３および第５下電極２５に電気的に接続されている。第５配線５５は、無機絶縁層１３から有機絶縁層１４内に引き出されている。

第１入出力端子２、第２入出力端子３、第１基準端子４および第２基準端子５は、有機絶縁層１４から露出している。第１入出力端子２は、第１配線５１に電気的に接続されている。これにより、第１入出力端子２は、第１配線５１を介して第１コイル導体４１の第１内側末端４３および第１上電極３１に電気的に接続されている。
第２入出力端子３は、第３配線５３に電気的に接続されている。これにより、第２入出力端子３は、第３配線５３を介して第２コイル導体４２の第２内側末端４６および第５上電極３５に電気的に接続されている。

第１基準端子４は、第４配線５４に電気的に接続されている。これにより、第１基準端子４は、第４配線５４を介して第１下電極２１および第３下電極２３に電気的に接続されている。第２基準端子５は、第５配線５５に電気的に接続されている。これにより、第２基準端子５は、第５配線５５を介して第３下電極２３および第５下電極２５に電気的に接続されている。

無機絶縁層１３は、有機絶縁層１４の比誘電率を超える比誘電率を有している。また、無機絶縁層１３は、有機絶縁層１４と比較して薄膜性の点において優れている。したがって、無機絶縁層１３内に下電極１５および上電極１６を形成することによって、薄膜でありながら優れた容量値を有する第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５を実現できる。
この一方で、有機絶縁層１４内には、厚い第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２（コイル導体４０）を形成できる。一例として、無機絶縁層１３の厚さを超える厚さを有する第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２（コイル導体４０）を形成できる。これにより、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２の寄生抵抗を抑制できる。また、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５の間の寄生容量を有機絶縁層１４によって低減できる。

また、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５は、基板１２の上に積層した無機絶縁層１３および有機絶縁層１４に作りこまれる。これにより、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５の間の配線距離を短縮できるから、配線抵抗を低減できる。
よって、チップ部品１によれば、ＬＣ回路６のＱ値を向上できるから、優れたＬＣ特性を実現できる。また、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５を含む３次元積層構造によって、チップサイズの２次元的な大型化を抑制できる。よって、チップ部品１を小型化できる。

以下、図３～図１３を参照して、チップ部品１の具体的な構造について説明する。図３は、図１に示すチップ部品１の斜視図である。図４は、図３に示すチップ部品１の分離斜視図である。
図３および図４を参照して、チップ部品１は、平面寸法に基づいて１００５（１ｍｍ×０．５ｍｍ）チップ、０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等と称される小型の電子部品である。

チップ本体１１は、直方体形状に形成されている。チップ本体１１は、パッケージを兼ねている。つまり、チップ部品１は、ベース基板から切り出されたチップのサイズをパッケージのサイズとして有するチップサイズパッケージからなる。
チップ本体１１は、一方側の第１チップ主面６２、他方側の第２チップ主面６３、ならびに、第１チップ主面６２および第２チップ主面６３を接続する４つのチップ側壁６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄを有している。第１チップ主面６２および第２チップ主面６３は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。

チップ側壁６４Ａ～６４Ｄは、より具体的には、第１チップ側壁６４Ａ、第２チップ側壁６４Ｂ、第３チップ側壁６４Ｃおよび第４チップ側壁６４Ｄを含む。第１チップ側壁６４Ａおよび第２チップ側壁６４Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに対向している。第３チップ側壁６４Ｃおよび第４チップ側壁６４Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。

チップ側壁６４Ａ～６４Ｄは、第１チップ主面６２および第２チップ主面６３に対してそれぞれ垂直に形成されている。チップ側壁６４Ａ～６４Ｄは、法線方向Ｚに沿って平坦にそれぞれ延びている。前述の「１００５」、「０６０３」、「０４０２」および「０３０１５」は、チップ側壁６４Ａ～６４Ｄの長さによって定義される。チップ側壁６４Ａ～６４Ｄは、０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲で種々の値を採り得る。

基板１２は、直方体形状に形成されている。基板１２は、一方側の第１基板主面７２、他方側の第２基板主面７３、ならびに、第１基板主面７２および第２基板主面７３を接続する４つの基板側壁７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｄを有している。
第１基板主面７２および第２基板主面７３は、平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。第２基板主面７３は、第２チップ主面６３を形成している。基板側壁７４Ａ～７４Ｄは、第１基板側壁７４Ａ、第２基板側壁７４Ｂ、第３基板側壁７４Ｃおよび第４基板側壁７４Ｄを含む。基板側壁７４Ａ～７４Ｄは、チップ側壁６４Ａ～６４Ｄの一部をそれぞれ形成している。

基板１２の厚さＴ１は、５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。厚さＴ１は、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、または、４００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。厚さＴ１は、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。

無機絶縁層１３は、無機物絶縁体によって形成された絶縁層からなる。無機絶縁層１３は、第１基板主面７２の上に積層されている。無機絶縁層１３は、一方側の第１無機主面８２、他方側の第２無機主面８３、ならびに、第１無機主面８２および第２無機主面８３を接続する無機側壁８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ，８４Ｄを含む。
第２無機主面８３は、第１基板主面７２に密着している。第１無機主面８２および第２無機主面８３は、第１基板主面７２に対して平行に延びている。第１無機主面８２および第２無機主面８３は、平面視において第１基板主面７２に整合する四角形状に形成されている。

無機側壁８４Ａ～８４Ｄは、第１無機側壁８４Ａ、第２無機側壁８４Ｂ、第３無機側壁８４Ｃおよび第４無機側壁８４Ｄを含む。無機側壁８４Ａ～８４Ｄは、第１無機主面８２の周縁から基板１２に向けて延びている。無機側壁８４Ａ～８４Ｄは、基板側壁７４Ａ～７４Ｄに連なっている。これにより、無機側壁８４Ａ～８４Ｄは、チップ側壁６４Ａ～６４Ｄの一部をそれぞれ形成している。無機側壁８４Ａ～８４Ｄは、基板側壁７４Ａ～７４Ｄに対して面一に形成されていてもよい。

無機絶縁層１３の厚さＴ２は、基板１２の厚さＴ１未満である。無機絶縁層１３の厚さＴ２は、０．３μｍ以上１２μｍ以下であってもよい。厚さＴ２は、０．３μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、８μｍ以上１０μｍ以下、または、１０μｍ以上１２μｍ以下であってもよい。厚さＴ２は、０．６μｍ以上６μｍ以下であることが好ましい。

無機絶縁層１３は、酸化シリコン層および窒化シリコン層のいずれか一方または双方を含む。無機絶縁層１３は、複数の絶縁層が積層された積層構造を有している。絶縁層の積層数は、第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５を形成できる範囲で任意であり、特定の値に限定されない。無機絶縁層１３は、この形態では、第１基板主面７２側からこの順に積層された第１無機絶縁層１３Ａ、第２無機絶縁層１３Ｂおよび第３無機絶縁層１３Ｃを含む。

第１無機絶縁層１３Ａは、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる。第１無機絶縁層１３Ａは、この形態では、酸化シリコン層からなる。第２無機絶縁層１３Ｂは、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる。第２無機絶縁層１３Ｂは、この形態では、窒化シリコン層からなる。第３無機絶縁層１３Ｃは、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる。第３無機絶縁層１３Ｃは、この形態では、窒化シリコン層からなる。

第２無機絶縁層１３Ｂは、第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５の誘電体層として形成されている。したがって、第２無機絶縁層１３Ｂは、窒化シリコン層を含むことが好ましい。第２無機絶縁層１３Ｂは、窒化シリコン層からなることが特に好ましい。第２無機絶縁層１３Ｂは、第１無機絶縁層１３Ａ側からこの順に積層された酸化シリコン層、窒化シリコン層および酸化シリコン層を含むＯＮＯ層を含んでいてもよい。

第１～第３無機絶縁層１３Ａ～１３Ｃの厚さは、それぞれ０．１μｍ以上４μｍ以下であってもよい。第１～第３無機絶縁層１３Ａ～１３Ｃの厚さは、それぞれ０．２μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。第１～第３無機絶縁層１３Ａ～１３Ｃの厚さは、互いに等しくてもよいし、互いに異なっていてもよい。
有機絶縁層１４は、有機物絶縁体によって形成された絶縁層からなる。有機絶縁層１４は、無機絶縁層１３の第１無機主面８２の上に積層されている。有機絶縁層１４は、一方側の第１有機主面９２、他方側の第２有機主面９３、ならびに、第１有機主面９２および第２有機主面９３を接続する有機側壁９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９４Ｄを含む。

第１有機主面９２は、第１チップ主面６２を形成している。第２有機主面９３は、無機絶縁層１３（第３無機絶縁層１３Ｃ）に密着している。第１有機主面９２および第２有機主面９３は、第１基板主面７２に対して平行に延びている。第１有機主面９２および第２有機主面９３は、平面視において第１基板主面７２に整合する四角形状に形成されている。

有機側壁９４Ａ～９４Ｄは、第１有機側壁９４Ａ、第２有機側壁９４Ｂ、第３有機側壁９４Ｃおよび第４有機側壁９４Ｄを含む。有機側壁９４Ａ～９４Ｄは、第１有機主面９２の周縁から無機絶縁層１３に向けて延びている。有機側壁９４Ａ～９４Ｄは、無機側壁８４Ａ～８４Ｄにそれぞれ連なっている。これにより、有機側壁９４Ａ～９４Ｄは、チップ側壁６４Ａ～６４Ｄの一部をそれぞれ形成している。有機側壁９４Ａ～９４Ｄは、無機側壁８４Ａ～８４Ｄに対して面一に形成されていてもよい。

有機絶縁層１４の厚さＴ３は、無機絶縁層１３の厚さＴ２を超えている。厚さＴ３は、３０μｍ以上６００μｍ以下であってもよい。厚さＴ３は、３０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、または、４００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。厚さＴ３は、６０μｍ以上２１０μｍ以下であることが好ましい。厚さＴ３は、基板１２の厚さＴ１を超えていることが好ましい。

有機絶縁層１４は、感光性樹脂層および熱硬化性樹脂層のいずれか一方または双方を含む絶縁層からなる。有機絶縁層１４は、複数の絶縁層が積層された積層構造を有している。絶縁層の積層数は、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２を形成できる範囲で任意であり、特定の値に制限されない。有機絶縁層１４は、この形態では、無機絶縁層１３側からこの順に積層された第１有機絶縁層１４Ａ、第２有機絶縁層１４Ｂおよび第３有機絶縁層１４Ｃを含む。

第１有機絶縁層１４Ａは、感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層からなる。第１有機絶縁層１４Ａは、この形態では、感光性樹脂層の一例としてのエポキシ樹脂層からなる。第２有機絶縁層１４Ｂは、感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層からなる。第２有機絶縁層１４Ｂは、この形態では、感光性樹脂層の一例としてのエポキシ樹脂層からなる。第３有機絶縁層１４Ｃは、感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層からなる。第３有機絶縁層１４Ｃは、この形態では、感光性樹脂層の一例としてのエポキシ樹脂層からなる。つまり、有機絶縁層１４は、この形態では、エポキシ樹脂層からなる。

第１～第３有機絶縁層１４Ａ～１４Ｃの厚さは、それぞれ１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。第１～第３有機絶縁層１４Ａ～１４Ｃの厚さは、それぞれ２０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。第１～第３有機絶縁層１４Ａ～１４Ｃの厚さは、互いに等しくてもよいし、互いに異なっていてもよい。
第２有機絶縁層１４Ｂは、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２（コイル導体４０）が作りこまれる層である。したがって、第１～第３有機絶縁層１４Ａ～１４Ｃのうちの少なくとも第２有機絶縁層１４Ｂは、無機絶縁層１３の厚さＴ２を超える厚さを有していることが好ましい。この形態では、第１～第３有機絶縁層１４Ａ～１４Ｃの全ての厚さが、無機絶縁層１３の厚さＴ２を超えている。

有機絶縁層１４内部の寄生容量は、厚い第１～第３有機絶縁層１４Ａ～１４Ｃによって低減される。たとえば、第１有機絶縁層１４Ａは、第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５および第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２の間の寄生容量を低減させる。また、第３有機絶縁層１４Ｃは、外部端子２～５および第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２の間の寄生容量を低減させる。また、第１～第３有機絶縁層１４Ａ～１４Ｃの積層膜は、外部端子２～５および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５の間の寄生容量を低減させる。

図５は、図３に示すチップ部品１の断面図である。図６は、図５に示す第１無機絶縁層１３Ａの上の構造の平面図である。図７は、図５に示す第２無機絶縁層１３Ｂの平面図である。図８は、図５に示す第２無機絶縁層１３Ｂの上の構造の平面図である。図９は、図５に示す第３無機絶縁層１３Ｃの平面図である。図１０は、図５に示す第１有機絶縁層１４Ａの平面図である。図１１は、図５に示す第２有機絶縁層１４Ｂの平面図である。図１２は、図５に示す第３有機絶縁層１４Ｃの平面図である。図１３は、図５に示す第３有機絶縁層１４Ｃの上の構造の平面図である。

図５および図６を参照して、第１～第５下電極２１～２５は、第１無機絶縁層１３Ａの上に形成されている。第１～第５下電極２１～２５は、第１基板側壁７４Ａ側から第２基板側壁７４Ｂ側に向けてこの順に間隔を空けて配置されている。第１～第５下電極２１～２５は、この形態では、第２方向Ｙに一列に並んで配列されている。
第１～第５下電極２１～２５は、この形態では、平面視において四角形状にそれぞれ形成されている。第１～第５下電極２１～２５の平面寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第１～第５下電極２１～２５の平面寸法および平面形状は、達成すべき容量値に応じて種々の形態を採り得る。

第１～第５下電極２１～２５の厚さは、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。第１～第５下電極２１～２５の厚さは、０．１μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．６μｍ以下、０．６μｍ以上０．９μｍ以下、０．９μｍ以上１．２μｍ以下、または、１．２μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。第１～第５下電極２１～２５の厚さは、１μｍ未満であることが好ましい。第１～第５下電極２１～２５の厚さは、０．２μｍ以上０．８μｍ以下であることがさらに好ましい。

第１～第５下電極２１～２５は、この形態では、第１無機絶縁層１３Ａ側からこの順に積層されたＡｌ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有している。Ａｌ層は、純Ａｌ層（純度が９９％以上のＡｌからなるＡｌ層の事をいう。）、ＡｌＳｉ合金層、ＡｌＣｕ合金層およびＡｌＳｉＣｕ合金層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。ＴｉＮ層は、Ａｌ層の全域を被覆している。

Ａｌ層の厚さは、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。Ａｌ層の厚さは、０．１μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．６μｍ以下、０．６μｍ以上０．９μｍ以下、０．９μｍ以上１．２μｍ以下、または、１．２μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。Ａｌ層の厚さは、１μｍ未満であることが好ましい。Ａｌ層の厚さは、０．２μｍ以上０．８μｍ以下であることがさらに好ましい。

ＴｉＮ層の厚さは、Ａｌ層の厚さ未満である。ＴｉＮ層の厚さは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。ＴｉＮ層の厚さは、０．０１μｍ以上０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。ＴｉＮ層の厚さは、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であることが好ましい。

チップ部品１は、第１無機絶縁層１３Ａの上に形成された複数（この形態では５つ）の下接続電極１０１，１０２，１０３，１０４，１０５を含む。複数の下接続電極１０１～１０５は、層状（膜状）にそれぞれ形成されている。複数の下接続電極１０１～１０５は、第１下接続電極１０１、第２下接続電極１０２、第３下接続電極１０３、第４下接続電極１０４、第５下接続電極１０５および第６下接続電極１０６を含む。

第１下接続電極１０１は、第１下電極２１と一体的に形成されている。第１下接続電極１０１は、第１下電極２１から第３基板側壁７４Ｃに向かって引き出された引き出し部として形成されている。第１下接続電極１０１は、第１下ダミーパッド部１０７および第１下配線部１０８を含む。第１下ダミーパッド部１０７は、第１無機絶縁層１３Ａの上において第１～第５下電極２１～２５に対して第３基板側壁７４Ｃ側の領域に配置されている。

第１下ダミーパッド部１０７は、この形態では、第１無機絶縁層１３Ａの上において第３下電極２３および第３基板側壁７４Ｃの間の領域に配置されている。第１下ダミーパッド部１０７は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第１下ダミーパッド部１０７の平面寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。
第１下配線部１０８は、第１下電極２１からライン状に引き出され、第１下ダミーパッド部１０７に接続されている。第１下配線部１０８は、この形態では、平面視において第１部分１０９および第２部分１１０を含むＬ字形状に形成されている。

第１部分１０９は、平面視において第１下電極２１から第３基板側壁７４Ｃに向けて引き出されている。第１部分１０９は、平面視において第３基板側壁７４Ｃの中央部に向けて傾斜している。第２部分１１０は、平面視において第１部分１０９および第１下ダミーパッド部１０７の間を第２方向Ｙに沿って直線状に延びている。
第１下配線部１０８の引き回し態様は任意であり、特定の形態に制限されない。第１下配線部１０８のライン幅は、第１下ダミーパッド部１０７の幅未満であることが好ましい。第１下配線部１０８のライン幅は、第１下配線部１０８が延びる方向に直交する方向の幅である。

第２下接続電極１０２は、第２下電極２２と一体的に形成されている。第２下接続電極１０２は、第２下電極２２から第１下電極２１に向かって引き出された引き出し部として形成されている。第２下接続電極１０２は、この形態では、平面視において四角形状に引き出されている。第２下接続電極１０２の引き出し寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第３下接続電極１０３は、第３下電極２３と一体的に形成されている。第３下接続電極１０３は、第３下電極２３から第３基板側壁７４Ｃに向かって引き出された引き出し部として形成されている。第３下接続電極１０３は、平面視において第１方向Ｘに第１下接続電極１０１の第１下ダミーパッド部１０７に対向している。第３下接続電極１０３は、この形態では、平面視において四角形状に引き出されている。第３下接続電極１０３の引き出し寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第４下接続電極１０４は、第３下電極２３と一体的に形成されている。第４下接続電極１０４は、第３下電極２３から第４基板側壁７４Ｄに向かって引き出された引き出し部として形成されている。第４下接続電極１０４は、この形態では、平面視において四角形状に引き出されている。第４下接続電極１０４の引き出し寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第５下接続電極１０５は、第４下電極２４と一体的に形成されている。第５下接続電極１０５は、第４下電極２４から第５下電極２５に向かって引き出された引き出し部として形成されている。第５下接続電極１０５は、この形態では、平面視において四角形状に引き出されている。第５下接続電極１０５の引き出し寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第６下接続電極１０６は、第５下電極２５と一体的に形成されている。第６下接続電極１０６は、第５下電極２５から第４基板側壁７４Ｄに向かって引き出された引き出し部として形成されている。第６下接続電極１０６は、第２下ダミーパッド部１１１および第２下配線部１１２を含む。第２下ダミーパッド部１１１は、第１無機絶縁層１３Ａの上において第１～第５下電極２１～２５に対して第４基板側壁７４Ｄ側の領域に配置されている。

第２下ダミーパッド部１１１は、この形態では、第１無機絶縁層１３Ａの上において第３下電極２３および第４基板側壁７４Ｄの間の領域に配置されている。第２下ダミーパッド部１１１は、平面視において第１方向Ｘに第４下接続電極１０４に対向している。第２下ダミーパッド部１１１は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第２下ダミーパッド部１１１の平面寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第２下配線部１１２は、第５下電極２５からライン状に引き出され、第２下ダミーパッド部１１１に接続されている。第２下配線部１１２は、この形態では、平面視において第１部分１１３および第２部分１１４を含むＬ字形状に形成されている。
第１部分１１３は、平面視において第５下電極２５から第４基板側壁７４Ｄに向けて引き出されている。第１部分１１３は、平面視において第４基板側壁７４Ｄの中央部に向けて傾斜している。第２部分１１４は、平面視において第１部分１１３および第２下ダミーパッド部１１１の間を第２方向Ｙに沿って直線状に延びている。

第２下配線部１１２の引き回し態様は任意であり、特定の形態に制限されない。第２下配線部１１２のライン幅は、第２下ダミーパッド部１１１の幅未満であることが好ましい。第２下配線部１１２のライン幅は、第２下配線部１１２が延びる方向に直交する方向の幅である。
前述の通り、第１下電極２１、第３下電極２３および第５下電極２５は、同電位に固定される。したがって、第３下接続電極１０３は、第１下接続電極１０１（第１下ダミーパッド部１０７）と一体的に形成されていてもよい。また、第６下接続電極１０６（第２下ダミーパッド部１１１）は、第４下接続電極１０４と一体的に形成されていてもよい。

ただし、これらの場合、第１下電極２１、第３下電極２３および第５下電極２５を結ぶ配線距離が増加する。そのため、他の領域（たとえば第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２）を流れる電流に起因する磁界の影響を受ける結果、第１下電極２１、第３下電極２３および第５下電極２５を起点とする渦電流が生じる可能性がある。
したがって、第３下接続電極１０３は、第１下接続電極１０１から間隔を空けて形成されていることが好ましい。また、第６下接続電極１０６は、第４下接続電極１０４から間隔を空けて形成されていることが好ましい。これにより、第１下電極２１、第３下電極２３および第５下電極２５を起点とする渦電流を抑制できる。渦電流を抑制することによって、ノイズを低減できるからＬＣ特性を向上できる。

第１～第６下接続電極１０１～１０６の厚さは、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。第１～第６下接続電極１０１～１０６の厚さは、０．１μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．６μｍ以下、０．６μｍ以上０．９μｍ以下、０．９μｍ以上１．２μｍ以下、または、１．２μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。第１～第６下接続電極１０１～１０６の厚さは、１μｍ未満であることが好ましい。第１～第６下接続電極１０１～１０６の厚さは、０．２μｍ以上０．８μｍ以下であることがさらに好ましい。

第１～第６下接続電極１０１～１０６の厚さは、第１～第５下電極２１～２５の厚さと等しいことが好ましい。第１～第６下接続電極１０１～１０６は、第１～第５下電極２１～２５と同一の構造を有している。つまり、第１～第６下接続電極１０１～１０６は、Ａｌ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有している。
チップ部品１は、第１～第５下電極２１～２５から間隔を空けて第１～第５下電極２１～２５と同一の層に形成された１つまたは複数（この形態では４つ）のダミー電極１２１、１２２，１２３，１２４を含む。

複数のダミー電極１２１～１２４は、第１～第５下電極２１～２５から間隔を空けて第１無機絶縁層１３Ａの上に電気的に浮遊状態に形成されている。複数のダミー電極１２１～１２４は、より具体的には、第１ダミー電極１２１、第２ダミー電極１２２、第３ダミー電極１２３および第４ダミー電極１２４を含む。
第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、第１無機絶縁層１３Ａの上に存する電極の占有率が３０％以上７０％以下になるように任意の個数および任意の平面形状で第１無機絶縁層１３Ａの上に配置される。

電極の占有率は、第１無機絶縁層１３Ａの平面積に対する第１～第５下電極２１～２５、第１～第６下接続電極１０１～１０６および第１～第４ダミー電極１２１～１２４の総平面積の割合である。電極の占有率は、４０％以上６０％以下であることが好ましい。電極の占有率は、５０％以上であることが特に好ましい。
第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、第１～第５下電極２１～２５が配置された領域および第１～第６下接続電極１０１～１０６が配置された領域以外の任意の領域に配置される。第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、この形態では、平面視において第１～第５下電極２１～２５が配置された領域を外側から区画するように第１無機絶縁層１３Ａの四隅にそれぞれ配置されている。

第１ダミー電極１２１は、平面視において第１基板側壁７４Ａおよび第３基板側壁７４Ｃを接続する角部に配置されている。第１ダミー電極１２１は、平面視において第１基板側壁７４Ａおよび第３基板側壁７４Ｃとの間でＬ字路を区画するＬ字形状に形成されている。第１ダミー電極１２１の外側コーナは、傾斜している。
第２ダミー電極１２２は、平面視において第１基板側壁７４Ａおよび第４基板側壁７４Ｄを接続する角部に配置されている。第２ダミー電極１２２は、平面視において第１基板側壁７４Ａおよび第４基板側壁７４Ｄとの間でＬ字路を区画するＬ字形状に形成されている。第２ダミー電極１２２の外側コーナは、傾斜している。

第３ダミー電極１２３は、平面視において第２基板側壁７４Ｂおよび第３基板側壁７４Ｃを接続する角部に配置されている。第３ダミー電極１２３は、平面視において第２基板側壁７４Ｂおよび第３基板側壁７４Ｃとの間でＬ字路を区画するＬ字形状に形成されている。第３ダミー電極１２３の外側コーナは、傾斜している。
第４ダミー電極１２４は、平面視において第２基板側壁７４Ｂおよび第４基板側壁７４Ｄを接続する角部に配置されている。第４ダミー電極１２４は、平面視において第２基板側壁７４Ｂおよび第４基板側壁７４Ｄとの間でＬ字路を区画するＬ字形状に形成されている。第４ダミー電極１２４の外側コーナは、傾斜している。

第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、スリットによって複数のダミー電極部分１２５にそれぞれ分割されている。スリットは、第１～第４ダミー電極１２１～１２４の配線距離を短縮させている。複数のダミー電極部分１２５は、平面視において三角形状にそれぞれ区画されている。これにより、第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、複数のダミー電極部分１２５が集約配置されたダミー電極部分群としてそれぞれ形成されている。

複数のダミー電極部分１２５の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。複数のダミー電極部分１２５は、たとえば、平面視においてスリットによって第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに沿って延びるストライプ状に区画されていてもよい。この場合、複数のダミー電極部分１２５は、第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に区画されていることが好ましい。

スリットの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。スリットの幅は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、１．５μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上２．５μｍ以下、２．５μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。スリットの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

スリットを有さない第１～第４ダミー電極１２１～１２４が形成されてもよい。ただし、この場合、第１～第４ダミー電極１２１～１２４の配線距離が増加する。そのため、他の領域（たとえば第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２）を流れる電流に起因する磁界の影響を受ける結果、第１～第４ダミー電極１２１～１２４を起点とする渦電流が生じる可能性がある。

したがって、スリットを有する第１～第４ダミー電極１２１～１２４が形成されていることが好ましい。これにより、第１～第４ダミー電極１２１～１２４の配線距離を短縮できるから、第１～第４ダミー電極１２１～１２４を起点とする渦電流を抑制できる。渦電流を抑制することによって、ノイズを低減できるからＬＣ特性を向上できる。
第１～第４ダミー電極１２１～１２４の厚さは、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。第１～第４ダミー電極１２１～１２４の厚さは、０．１μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．６μｍ以下、０．６μｍ以上０．９μｍ以下、０．９μｍ以上１．２μｍ以下、または、１．２μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。第１～第４ダミー電極１２１～１２４の厚さは、１μｍ未満であることが好ましい。第１～第４ダミー電極１２１～１２４の厚さは、０．２μｍ以上０．８μｍ以下であることがさらに好ましい。

第１～第４ダミー電極１２１～１２４の厚さは、第１～第５下電極２１～２５の厚さと等しいことが好ましい。第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、第１～第５下電極２１～２５と同一の構造を有している。つまり、第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、Ａｌ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有している。
図５および図７を参照して、第２無機絶縁層１３Ｂは、第１無機絶縁層１３Ａの上に形成されている。第２無機絶縁層１３Ｂは、第１～第５下電極２１～２５、第１～第６下接続電極１０１～１０６および第１～第４ダミー電極１２１～１２４を一括して被覆している。

第２無機絶縁層１３Ｂは、第１下開口１３１、第２下開口１３２、第３下開口１３３、第４下開口１３４、第５下開口１３５および第６下開口１３６を含む。第１～第６下開口１３１～１３６の個数は任意である。第１～第６下開口１３１～１３６は、この形態では、１つずつ形成されている。
第１下開口１３１は、第１下接続電極１０１を露出させている。第１下開口１３１は、より具体的には、第１下ダミーパッド部１０７から間隔を空けて第１下配線部１０８を露出させている。第１下開口１３１は、さらに具体的には、第１下配線部１０８の第２部分１１０を露出させている。

第２下開口１３２は、第２下接続電極１０２の任意の領域を露出させている。第３下開口１３３は、第３下接続電極１０３を露出させている。第３下開口１３３は、より具体的には、平面視において第３下接続電極１０３の先端部から第３下接続電極１０３側に間隔を空けて第３下接続電極１０３を露出させている。
第４下開口１３４は、第４下接続電極１０４を露出させている。第４下開口１３４は、より具体的には、平面視において第４下接続電極１０４の先端部から第３下接続電極１０３側に間隔を空けて第４下接続電極１０４を露出させている。

第５下開口１３５は、第５下接続電極１０５の任意の領域を露出させている。第６下開口１３６は、第６下接続電極１０６を露出させている。第６下開口１３６は、より具体的には、第２下ダミーパッド部１１１から間隔を空けて第２下配線部１１２を露出させている。第６下開口１３６は、さらに具体的には、第２下配線部１１２の第２部分１１４を露出させている。

図５および図８を参照して、第１～第５上電極３１～３５は、第２無機絶縁層１３Ｂの上に形成されている。第１～第５上電極３１～３５は、第１基板側壁７４Ａ側から第２基板側壁７４Ｂ側に向けてこの順に配置されている。第１～第５上電極３１～３５は、この形態では、第２方向Ｙに沿って一列に並んで配列されている。
第１～第５上電極３１～３５は、この形態では、平面視において四角形状にそれぞれ形成されている。第１～第５上電極３１～３５の平面寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第１～第５上電極３１～３５の平面寸法および平面形状は、達成すべき容量値に応じて種々の形態を採り得る。

第１上電極３１は、第１無機絶縁層１３Ａを挟んで第１下電極２１に対向している。第１上電極３１は、第１下電極２１との間で第１キャパシタＣ１を形成している。第１上電極３１は、第２無機絶縁層１３Ｂの上から第２下開口１３２に入り込んでいる。第１上電極３１は、第２下開口１３２内において第２下電極２２に電気的に接続されている。これにより、第１上電極３１は、第２下電極２２と同電位に固定されている。

第２上電極３２は、第１無機絶縁層１３Ａを挟んで第２下電極２２に対向している。第２上電極３２は、第２下電極２２との間で第２キャパシタＣ２を形成している。
第３上電極３３は、第１無機絶縁層１３Ａを挟んで第３下電極２３に対向している。第３上電極３３は、第３下電極２３との間で第３キャパシタＣ３を形成している。第３上電極３３は、第２上電極３２と一体的に形成されている。これにより、第３上電極３３は、第２上電極３２と同電位に固定されている。

第４上電極３４は、第１無機絶縁層１３Ａを挟んで第４下電極２４に対向している。第４上電極３４は、第４下電極２４との間で第４キャパシタＣ４を形成している。第４上電極３４は、第３上電極３３と一体的に形成されている。これにより、第４上電極３４は、第２上電極３２および第３上電極３３と同電位に固定されている。
第５上電極３５は、第１無機絶縁層１３Ａを挟んで第５下電極２５に対向している。第５上電極３５は、第５下電極２５との間で第５キャパシタＣ５を形成している。第５上電極３５は、第２無機絶縁層１３Ｂの上から第５下開口１３５に入り込んでいる。第５上電極３５は、第５下開口１３５内において第４下電極２４に電気的に接続されている。これにより、第５上電極３５は、第４下電極２４と同電位に固定されている。

第１～第５上電極３１～３５の厚さは、０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１～第５上電極３１～３５の厚さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、または、１．５μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１～第５上電極３１～３５の厚さは、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。第１～第５上電極３１～３５の厚さは、第１～第５下電極２１～２５の厚さを超えていることがさらに好ましい。

第１～第５上電極３１～３５は、この形態では、Ａｌ層からなる単層構造をそれぞれ有している。Ａｌ層は、純Ａｌ層（純度が９９％以上のＡｌからなるＡｌ層の事をいう。）、ＡｌＳｉ合金層、ＡｌＣｕ合金層およびＡｌＳｉＣｕ合金層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
第１～第５上電極３１～３５は、第１～第５下電極２１～２５と同様の構造を有していてもよい。つまり、第１～第５上電極３１～３５は、第２無機絶縁層１３Ｂ側からこの順に積層されたＡｌ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していてもよい。この場合、第１～第５下電極２１～２５の厚さと等しい厚さを有する第１～第５上電極３１～３５が形成されてもよい。

第１～第５上電極３１～３５は、平面視において第１～第４ダミー電極１２１～１２４によって区画された領域内に配置されている。第１～第５上電極３１～３５は、平面視において第１～第４ダミー電極１２１～１２４から間隔を空けて形成されている。第１～第５上電極３１～３５は、第１無機絶縁層１３Ａを挟んで第１～第４ダミー電極１２１～１２４とは対向していない。

チップ部品１は、第２無機絶縁層１３Ｂの上に形成された複数（この形態では４つ）の上接続電極１４１，１４２，１４３，１４４を含む。複数の上接続電極１４１～１４４は、層状（膜状）にそれぞれ形成されている。複数の上接続電極１４１～１４４は、第１上接続電極１４１、第２上接続電極１４２、第３上接続電極１４３および第４上接続電極１４４を含む。

第１上接続電極１４１は、第１～第５上電極３１～３５から間隔を空けて配置されている。第１上接続電極１４１は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第１下接続電極１０１に対向している。第１上接続電極１４１は、第１上パッド部１４５および第１上配線部１４６を含む。
第１上パッド部１４５は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第１下接続電極１０１の第１下ダミーパッド部１０７に対向している。第１上パッド部１４５は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第１上パッド部１４５の平面寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第１上配線部１４６は、平面視において第１下接続電極１０１の第１下配線部１０８に沿うように第１上パッド部１４５から帯状に引き出されている。第１上配線部１４６の引き回し態様は任意であり、特定の形態に制限されない。第１上配線部１４６のライン幅は、第１上パッド部１４５の幅未満であることが好ましい。第１上配線部１４６のライン幅は、第１上配線部１４６が延びる方向に直交する方向の幅である。

第１上配線部１４６は、第２無機絶縁層１３Ｂの上から第１下開口１３１に入り込んでいる。第１上配線部１４６は、第１下開口１３１内において第１下接続電極１０１の第１下配線部１０８（第２部分１１０）に電気的に接続されている。これにより、第１上接続電極１４１は、第１下接続電極１０１を介して第１下電極２１に電気的に接続されている。

第２上接続電極１４２は、第１～第５上電極３１～３５から間隔を空けて配置されている。第２上接続電極１４２は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第３下接続電極１０３に対向している。
第２上接続電極１４２は、第２無機絶縁層１３Ｂの上から第３下開口１３３に入り込んでいる。第２上接続電極１４２は、第３下開口１３３内において第３下接続電極１０３に電気的に接続されている。これにより、第２上接続電極１４２は、第３下接続電極１０３を介して第３下電極２３に電気的に接続されている。

第３上接続電極１４３は、第１～第５上電極３１～３５から間隔を空けて配置されている。第３上接続電極１４３は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第４下接続電極１０４に対向している。
第３上接続電極１４３は、第２無機絶縁層１３Ｂの上から第４下開口１３４に入り込んでいる。第３上接続電極１４３は、第４下開口１３４内において第４下接続電極１０４に電気的に接続されている。これにより、第３上接続電極１４３は、第４下接続電極１０４を介して第３下電極２３に電気的に接続されている。

第４上接続電極１４４は、第１～第５上電極３１～３５から間隔を空けて配置されている。第４上接続電極１４４は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第６下接続電極１０６に対向している。第４上接続電極１４４は、第２上パッド部１４７および第２上配線部１４８を含む。
第２上パッド部１４７は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第６下接続電極１０６の第２下ダミーパッド部１１１に対向している。第２上パッド部１４７は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第２上パッド部１４７の平面寸法および平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第２上配線部１４８は、平面視において第６下接続電極１０６の第２下配線部１１２に沿うように第２上パッド部１４７から帯状に引き出されている。第２上配線部１４８の引き回し態様は任意であり、特定の形態に制限されない。第２上配線部１４８のライン幅は、第２上パッド部１４７の幅未満であることが好ましい。第２上配線部１４８のライン幅は、第２上配線部１４８が延びる方向に直交する方向の幅である。

第２上配線部１４８は、第２無機絶縁層１３Ｂの上から第６下開口１３６に入り込んでいる。第２上配線部１４８は、第６下開口１３６内において第６下接続電極１０６の第２下配線部１１２（第２部分１１４）に電気的に接続されている。これにより、第４上接続電極１４４は、第６下接続電極１０６を介して第５下電極２５に電気的に接続されている。

第１～第４上接続電極１４１～１４４の厚さは、０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１～第４上接続電極１４１～１４４の厚さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、または、１．５μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１～第４上接続電極１４１～１４４の厚さは、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。

第１～第４上接続電極１４１～１４４の厚さは、第１～第５下電極２１～２５の厚さを超えていることが好ましい。第１～第４上接続電極１４１～１４４の厚さは、第１～第５上電極３１～３５の厚さと等しいことが好ましい。
第１～第４上接続電極１４１～１４４は、第１～第５上電極３１～３５と同一の構造を有している。つまり、第１～第４上接続電極１４１～１４４は、この形態では、Ａｌ層からなる単層構造をそれぞれ有している。むろん、第１～第４上接続電極１４１～１４４は、第１～第５上電極３１～３５の構造に応じて、第２無機絶縁層１３Ｂ側からこの順に積層されたＡｌ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していてもよい。

図５および図９を参照して、第３無機絶縁層１３Ｃは、第２無機絶縁層１３Ｂの上に形成されている。第３無機絶縁層１３Ｃは、第１～第５上電極３１～３５および第１～第４上接続電極１４１～１４４を一括して被覆している。
第３無機絶縁層１３Ｃは、第１上開口１５１、第２上開口１５２、第３上開口１５３、第４上開口１５４、第５上開口１５５、第６上開口１５６および第７上開口１５７を含む。第１～第７上開口１５１～１５７の個数は任意である。この形態では、２つの第１上開口１５１、２つの第２上開口１５２、２つの第３上開口１５３、１つの第４上開口１５４、１つの第５上開口１５５、１つの第６上開口１５６および１つの第７上開口１５７が形成されている。

第１上開口１５１は、第１上電極３１の任意の領域を露出させている。第２上開口１５２は、第３上電極３３の任意の領域を露出させている。第３上開口１５３は、第５上電極３５の任意の領域を露出させている。
第４上開口１５４は、第１上接続電極１４１の任意の領域を露出させている。第４上開口１５４は、より具体的には、平面視において第１下開口１３１から間隔を空けて第１上接続電極１４１の第１上パッド部１４５を露出させている。

第５上開口１５５は、第２上接続電極１４２の任意の領域を露出させている。第５上開口１５５は、より具体的には、平面視において第３下開口１３３から第２上接続電極１４２の先端部側に間隔を空けて第２上接続電極１４２を露出させている。
第６上開口１５６は、第３上接続電極１４３の任意の領域を露出させている。第６上開口１５６は、より具体的には、平面視において第４下開口１３４から第３上接続電極１４３の先端部側に間隔を空けて第３上接続電極１４３を露出させている。

第７上開口１５７は、第４上接続電極１４４の任意の領域を露出させている。第７上開口１５７は、より具体的には、平面視において第６下開口１３６から間隔を空けて第４上接続電極１４４の第２上パッド部１４７を露出させている。
第１～第７上開口１５１～１５７は、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。第１～第７上開口１５１～１５７の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第１～第７上開口１５１～１５７の幅は、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

第１～第７上開口１５１～１５７の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、または、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。第１～第７上開口１５１～１５７の幅は、８μｍ以上１６μｍ以下であることが好ましい。
図５および図１０を参照して、第１有機絶縁層１４Ａは、無機絶縁層１３（第３無機絶縁層１３Ｃ）の上に形成されている。第１有機絶縁層１４Ａは、第１～第７上開口１５１～１５７に対応して形成された第１下ビアホール１６１、第２下ビアホール１６２、第３下ビアホール１６３、第４下ビアホール１６４、第５下ビアホール１６５、第６下ビアホール１６６および第７下ビアホール１６７を含む。

第１～第７下ビアホール１６１～１６７の個数は第１～第７上開口１５１～１５７の個数に応じて調整される。この形態では、２つの第１下ビアホール１６１、２つの第２下ビアホール１６２、２つの第３下ビアホール１６３、１つの第４下ビアホール１６４、１つの第５下ビアホール１６５、１つの第６下ビアホール１６６および１つの第７下ビアホール１６７が形成されている。

第１下ビアホール１６１は、第１上開口１５１に連通し、第１上電極３１を露出させている。第２下ビアホール１６２は、第２上開口１５２に連通し、第３上電極３３を露出させている。第３下ビアホール１６３は、第３上開口１５３に連通し、第５上電極３５を露出させている。
第４下ビアホール１６４は、第４上開口１５４に連通し、第１上接続電極１４１の第１上パッド部１４５を露出させている。第５下ビアホール１６５は、第５上開口１５５に連通し、第２上接続電極１４２を露出させている。第６下ビアホール１６６は、第６上開口１５６に連通し、第３上接続電極１４３を露出させている。第７下ビアホール１６７は、第７上開口１５７に連通し、第４上接続電極１４４の第２上パッド部１４７を露出させている。

第１～第７下ビアホール１６１～１６７は、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。第１～第７下ビアホール１６１～１６７の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第１～第７下ビアホール１６１～１６７の幅は、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。
第１～第７下ビアホール１６１～１６７の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、または、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。第１～第７下ビアホール１６１～１６７の幅は、８μｍ以上１６μｍ以下であることが好ましい。第１～第７下ビアホール１６１～１６７の幅は、第１～第７上開口１５１～１５７の幅を超えていることが好ましい。

図５および図１１を参照して、第２有機絶縁層１４Ｂは、第１有機絶縁層１４Ａの上に形成されている。第２有機絶縁層１４Ｂは、第１～第７下ビアホール１６１～１６７に対応して形成された第１上ビアホール１７１、第２上ビアホール１７２、第３上ビアホール１７３、第４上ビアホール１７４、第５上ビアホール１７５、第６上ビアホール１７６および第７上ビアホール１７７を含む。

第１～第７上ビアホール１７１～１７７の個数は第１～第７下ビアホール１６１～１６７の個数に応じて調整される。この形態では、２つの第１上ビアホール１７１、２つの第２上ビアホール１７２、２つの第３上ビアホール１７３、１つの第４上ビアホール１７４、１つの第５上ビアホール１７５、１つの第６上ビアホール１７６および１つの第７上ビアホール１７７が形成されている。

第１上ビアホール１７１は、第１下ビアホール１６１および第１上開口１５１に連通し、第１上電極３１を露出させている。第１上ビアホール１７１は、第１下ビアホール１６１および第１上開口１５１との間で１つの第１貫通ホール１８１を形成している。
第２上ビアホール１７２は、第２下ビアホール１６２および第２上開口１５２に連通し、第３上電極３３を露出させている。第２上ビアホール１７２は、第２下ビアホール１６２および第２上開口１５２との間で１つの第２貫通ホール１８２を形成している。

第３上ビアホール１７３は、第３下ビアホール１６３および第３上開口１５３に連通し、第５上電極３５を露出させている。第３上ビアホール１７３は、第３下ビアホール１６３および第３上開口１５３との間で１つの第３貫通ホール１８３を形成している。
第４上ビアホール１７４は、第４下ビアホール１６４および第４上開口１５４に連通し、第１上接続電極１４１の第１上パッド部１４５を露出させている。第４上ビアホール１７４は、第４下ビアホール１６４および第４上開口１５４との間で１つの第４貫通ホール１８４を形成している。

第５上ビアホール１７５は、第５下ビアホール１６５および第５上開口１５５に連通し、第２上接続電極１４２を露出させている。第５上ビアホール１７５は、第５下ビアホール１６５および第５上開口１５５との間で１つの第５貫通ホール１８５を形成している。
第６上ビアホール１７６は、第６下ビアホール１６６および第６上開口１５６に連通し、第３上接続電極１４３を露出させている。第６上ビアホール１７６は、第６下ビアホール１６６および第６上開口１５６との間で１つの第６貫通ホール１８６を形成している。

第７上ビアホール１７７は、第７下ビアホール１６７および第７上開口１５７に連通し、第４上接続電極１４４の第２上パッド部１４７を露出させている。第７上ビアホール１７７は、第７下ビアホール１６７および第７上開口１５７との間で１つの第７貫通ホール１８７を形成している。
第１～第７上ビアホール１７１～１７７は、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。第１～第７上ビアホール１７１～１７７の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第１～第７上ビアホール１７１～１７７の幅は、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。

第１～第７上ビアホール１７１～１７７の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、または、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。第１～第７上ビアホール１７１～１７７の幅は、第１～第７下ビアホール１６１～１６７の幅を超えていることが好ましい。
チップ部品１は、第１～第７貫通ホール１８１～１８７にそれぞれ埋設された第１ビア電極１９１、第２ビア電極１９２、第３ビア電極１９３、第４ビア電極１９４、第５ビア電極１９５、第６ビア電極１９６および第７ビア電極１９７を含む。

第１ビア電極１９１は、第１貫通ホール１８１に埋設されている。第１ビア電極１９１は、第１貫通ホール１８１内において第１上電極３１に電気的に接続されている。つまり、第１ビア電極１９１は、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４の境界を横切っている。また、第１ビア電極１９１は、第２有機絶縁層１４Ｂ、第１有機絶縁層１４Ａおよび第３無機絶縁層１３Ｃを貫通して、第１上電極３１に電気的に接続されている。

第２ビア電極１９２は、第２貫通ホール１８２に埋設されている。第２ビア電極１９２は、第２貫通ホール１８２内において第３上電極３３に電気的に接続されている。つまり、第２ビア電極１９２は、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４の境界を横切っている。また、第２ビア電極１９２は、第２有機絶縁層１４Ｂ、第１有機絶縁層１４Ａおよび第３無機絶縁層１３Ｃを貫通して、第３上電極３３に電気的に接続されている。

第３ビア電極１９３は、第３貫通ホール１８３に埋設されている。第３ビア電極１９３は、第３貫通ホール１８３内において第５上電極３５に電気的に接続されている。つまり、第３ビア電極１９３は、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４の境界を横切っている。また、第３ビア電極１９３は、第２有機絶縁層１４Ｂ、第１有機絶縁層１４Ａおよび第３無機絶縁層１３Ｃを貫通して、第５上電極３５に電気的に接続されている。

第４ビア電極１９４は、第４貫通ホール１８４に埋設されている。第４ビア電極１９４は、第４貫通ホール１８４内において第１上接続電極１４１の第１上パッド部１４５に電気的に接続されている。つまり、第４ビア電極１９４は、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４の境界を横切っている。また、第４ビア電極１９４は、第２有機絶縁層１４Ｂ、第１有機絶縁層１４Ａおよび第３無機絶縁層１３Ｃを貫通して、第１上パッド部１４５に電気的に接続されている。

第４ビア電極１９４は、平面視において第１下開口１３１から間隔を空けて第１上パッド部１４５に接続されている。つまり、第４ビア電極１９４は、第１下ダミーパッド部１０７、第２無機絶縁層１３Ｂおよび第１上パッド部１４５を含む平坦構造の上に形成されている。第１上パッド部１４５に対する第４ビア電極１９４の接続部は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第１下ダミーパッド部１０７に対向している。したがって、第４ビア電極１９４は、第１下開口１３１に起因する隆起の影響を受けずに、第１上パッド部１４５に適切に接続される。

第５ビア電極１９５は、第５貫通ホール１８５に埋設されている。第５ビア電極１９５は、第５貫通ホール１８５内において第２上接続電極１４２に電気的に接続されている。つまり、第５ビア電極１９５は、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４の境界を横切っている。また、第５ビア電極１９５は、第２有機絶縁層１４Ｂ、第１有機絶縁層１４Ａおよび第３無機絶縁層１３Ｃを貫通して、第３上接続電極１４３に電気的に接続されている。

第５ビア電極１９５は、平面視において第３下開口１３３から間隔を空けて第２上接続電極１４２に接続されている。つまり、第５ビア電極１９５は、第３下接続電極１０３、第２無機絶縁層１３Ｂおよび第２上接続電極１４２を含む平坦構造の上に形成されている。第２上接続電極１４２に対する第５ビア電極１９５の接続部は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第３下接続電極１０３に対向している。したがって、第５ビア電極１９５は、第３下開口１３３に起因する隆起の影響を受けずに、第２上接続電極１４２に適切に接続される。

第６ビア電極１９６は、第６貫通ホール１８６に埋設されている。第６ビア電極１９６は、第６貫通ホール１８６内において第３上接続電極１４３に電気的に接続されている。つまり、第６ビア電極１９６は、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４の境界を横切っている。また、第６ビア電極１９６は、第２有機絶縁層１４Ｂ、第１有機絶縁層１４Ａおよび第３無機絶縁層１３Ｃを貫通して、第３上接続電極１４３に電気的に接続されている。

第６ビア電極１９６は、平面視において第４下開口１３４から間隔を空けて第３上接続電極１４３に接続されている。つまり、第６ビア電極１９６は、第４下接続電極１０４、第２無機絶縁層１３Ｂおよび第３上接続電極１４３を含む平坦構造の上に形成されている。第３上接続電極１４３に対する第６ビア電極１９６の接続部は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第４下接続電極１０４に対向している。したがって、第６ビア電極１９６は、第４下開口１３４に起因する隆起の影響を受けずに、第３上接続電極１４３に適切に接続される。

第７ビア電極１９７は、第７貫通ホール１８７に埋設されている。第７ビア電極１９７は、第７貫通ホール１８７内において第４上接続電極１４４の第２上パッド部１４７に電気的に接続されている。つまり、第７ビア電極１９７は、無機絶縁層１３および有機絶縁層１４の境界を横切っている。また、第７ビア電極１９７は、第２有機絶縁層１４Ｂ、第１有機絶縁層１４Ａおよび第３無機絶縁層１３Ｃを貫通して、第２上パッド部１４７に電気的に接続されている。

第７ビア電極１９７は、平面視において第６下開口１３６から間隔を空けて第２上パッド部１４７に接続されている。つまり、第７ビア電極１９７は、第２下ダミーパッド部１１１、第２無機絶縁層１３Ｂおよび第２上パッド部１４７を含む平坦構造の上に形成されている。第２上パッド部１４７に対する第７ビア電極１９７の接続部は、第２無機絶縁層１３Ｂを挟んで第２下ダミーパッド部１１１に対向している。したがって、第７ビア電極１９７は、第６下開口１３６に起因する隆起の影響を受けずに、第２上パッド部１４７に適切に接続される。

第１～第７ビア電極１９１～１９７は、第１～第７貫通ホール１８１～１８７の内壁側からこの順に積層されたＴｉ層１９８およびＣｕ層１９９を含む積層構造を有している。Ｔｉ層１９８は、第１～第７貫通ホール１８１～１８７の内壁に沿って膜状に形成されている。Ｔｉ層１９８は、第１～第７貫通ホール１８１～１８７内においてリセス空間を区画している。

Ｃｕ層１９９は、第１～第７貫通ホール１８１～１８７内においてＴｉ層１９８によって区画されたリセス空間に埋設されている。Ｃｕ層１９９の厚さは、Ｔｉ層１９８の厚さを超えている。Ｔｉ層１９８の厚さは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。Ｔｉ層１９８の厚さは、０．１μｍ以上０．２μｍ以下であることが好ましい。
図５および図１１を参照して、第２有機絶縁層１４Ｂは、さらに、第１コイルホール２０１および第２コイルホール２０２を含む。第１コイルホール２０１は、第２有機絶縁層１４Ｂを貫通し、第１有機絶縁層１４Ａを露出させている。第１コイルホール２０１は、第１内側末端ホール２０３、第１外側末端ホール２０４、ならびに、第１内側末端ホール２０３および第１外側末端ホール２０４の間に引き回された第１螺旋ホール２０５を一体的に含む。

第１内側末端ホール２０３は、平面視において第１基板側壁７４Ａ側に位置している。第１内側末端ホール２０３は、第１上ビアホール１７１に連通している。第１外側末端ホール２０４は、平面視において第２基板側壁７４Ｂ側に位置している。第１外側末端ホール２０４は、この形態では、平面視において第１基板主面７２の中央部に位置している。第１外側末端ホール２０４は、第２上ビアホール１７２に連通している。第１螺旋ホール２０５は、第１内側末端ホール２０３から第１外側末端ホール２０４に向けて外巻きに巻回されている。

第２コイルホール２０２は、第２有機絶縁層１４Ｂを貫通し、第１有機絶縁層１４Ａを露出させている。第２コイルホール２０２は、第２内側末端ホール２０６、第２外側末端ホール２０７、ならびに、第２内側末端ホール２０６および第２外側末端ホール２０７の間に引き回された第２螺旋ホール２０８を一体的に含む。
第２内側末端ホール２０６は、平面視において第２基板側壁７４Ｂ側に位置している。第２内側末端ホール２０６は、第３上ビアホール１７３に連通している。第２外側末端ホール２０７は、平面視において第１基板側壁７４Ａ側に位置している。第２外側末端ホール２０７は、この形態では、平面視において第１基板主面７２の中央部に位置している。第２外側末端ホール２０７は、第２上ビアホール１７２に連通している。第２外側末端ホール２０７は、さらに、第１コイルホール２０１の第１外側末端ホール２０４に連通している。第２螺旋ホール２０８は、第２内側末端ホール２０６から第２外側末端ホール２０７に向けて外巻きに巻回されている。

第１コイルホール２０１は、平面視において第１下電極２１および第１上電極３１（第１キャパシタＣ１）を取り囲むように巻回されている。これにより、第１下電極２１および第１上電極３１（第１キャパシタＣ１）は、平面視において第１コイルホール２０１の内周縁によって取り囲まれた領域に形成されている。第１コイルホール２０１は、平面視において第１～第２ダミー電極１２１～１２２に重なっている。

第２コイルホール２０２は、平面視において第５下電極２５および第５上電極３５（第５キャパシタＣ５）を取り囲むように巻回されている。これにより、第５下電極２５および第５上電極３５（第５キャパシタＣ５）は、平面視において第１コイルホール２０１の内周縁によって取り囲まれた領域に形成されている。第２コイルホール２０２は、平面視において第３～第４ダミー電極１２３～１２４に重なっている。

第２コイルホール２０２は、さらに、平面視において第１コイルホール２０１との連通部が第３下電極２３および第３上電極３３（第３キャパシタＣ３）の上に位置するように巻回されている。これにより、第３下電極２３および第３上電極３３（第３キャパシタＣ３）は、平面視において第１コイルホール２０１（第１螺旋ホール２０５）および第２コイルホール２０２（第２螺旋ホール２０８）の間の領域に形成されている。

第１～第２コイルホール２０２～２０２の幅は、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。第１～第２コイルホール２０２～２０２の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、または、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。第１～第２コイルホール２０２～２０２の幅は、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。

第１コイル導体４１は、第１コイルホール２０１に埋設されている。第１コイル導体４１の第１内側末端４３は、第１コイルホール２０１の第１内側末端ホール２０３内に位置している。第１コイル導体４１の第１外側末端４４は、第１コイルホール２０１の第１外側末端ホール２０４内に位置している。第１コイル導体４１の第１螺旋部４５は、第１コイルホール２０１の第１螺旋ホール２０５内に位置している。

第１コイル導体４１の第１内側末端４３は、第１内側末端ホール２０３および第１上ビアホール１７１の連通部において、第１ビア電極１９１に電気的に接続されている。これにより、第１コイル導体４１の第１内側末端４３は、第１ビア電極１９１を介して第１上電極３１に電気的に接続されている。
第１コイル導体４１の第１外側末端４４は、第１外側末端ホール２０４および第２上ビアホール１７２の連通部において、第２ビア電極１９２に電気的に接続されている。これにより、第１コイル導体４１の第１外側末端４４は、第２ビア電極１９２を介して第３上電極３３に電気的に接続されている。

第２コイル導体４２は、第２コイルホール２０２に埋設されている。第２コイル導体４２の第２内側末端４６は、第２コイルホール２０２の第２内側末端ホール２０６内に位置している。第２コイル導体４２の第２外側末端４７は、第２コイルホール２０２の第２外側末端ホール２０７内に位置している。第２コイル導体４２の第２螺旋部４８は、第２コイルホール２０２の第２螺旋ホール２０８内に位置している。

第２コイル導体４２の第２内側末端４６は、第２内側末端ホール２０６および第３上ビアホール１７３の連通部において、第３ビア電極１９３に電気的に接続されている。これにより、第２コイル導体４２の第２内側末端４６は、第３ビア電極１９３を介して第５上電極３５に電気的に接続されている。
第２コイル導体４２の第２外側末端４７は、第２外側末端ホール２０７および第２上ビアホール１７２の連通部において、第２ビア電極１９２に電気的に接続されている。これにより、第２コイル導体４２の第２外側末端４７は、第２ビア電極１９２を介して第３上電極３３に電気的に接続されている。

また、第２コイル導体４２の第２外側末端４７は、第１外側末端ホール２０４および第２外側末端ホール２０７の連通部において、第１コイル導体４１の第１外側末端４４に電気的に接続されている。第１外側末端４４および第２外側末端４７の接続部によって、インダクタ接続部７が形成されている。
第１コイル導体４１は、平面視において第１下電極２１および第１上電極３１（第１キャパシタＣ１）を取り囲むように巻回されている。これにより、第１下電極２１および第１上電極３１（第１キャパシタＣ１）は、平面視において第１コイル導体４１の内周縁によって取り囲まれた領域に形成されている。第１コイル導体４１は、平面視において第１～第２ダミー電極１２１～１２２に重なっている。

第２コイル導体４２は、平面視において第５下電極２５および第５上電極３５（第５キャパシタＣ５）を取り囲むように巻回されている。これにより、第５下電極２５および第５上電極３５（第５キャパシタＣ５）は、平面視において第１コイル導体４１の内周縁によって取り囲まれた領域に形成されている。第２コイル導体４２は、平面視において第３～第４ダミー電極１２３～１２４に重なっている。

第１～第２コイル導体４１～４２は、さらに、平面視においてインダクタ接続部７が第３下電極２３および第３上電極３３の上に位置するように巻回されている。これにより、第３下電極２３および第３上電極３３（第３キャパシタＣ３）は、平面視において第１コイル導体４１（第１螺旋部４５）および第２コイル導体４２（第２螺旋部４８）の間の領域に形成されている。

第１～第２コイル導体４１～４２は、第２有機絶縁層１４Ｂの厚さに対応した厚さを有している。つまり、第１～第２コイル導体４１～４２の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。第１～第２コイル導体４１～４２の厚さは、２０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。第１～第２コイル導体４１～４２は、無機絶縁層１３の厚さＴ２（０．３μｍ以上１２μｍ以下）を超える厚さを有していることが特に好ましい。

第１～第２コイル導体４１～４２のライン幅は、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。第１～第２コイル導体４１～４２のライン幅は、第１～第２コイル導体４１～４２が延びる方向に直交する方向の幅である。第１～第２コイル導体４１～４２のライン幅は、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、または、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。第１～第２コイル導体４１～４２のライン幅は、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。

第１～第２コイル導体４１～４２のアスペクト比は、１以上５以下であることが好ましい。第１～第２コイル導体４１～４２のアスペクト比は、第１～第２コイル導体４１～４２のライン幅に対する第１～第２コイル導体４１～４２の厚さの比である。第１～第２コイル導体４１～４２のアスペクト比は、１以上２以下、２以上３以下、３以上４以下、または、４以上５以下であってもよい。

第１～第２コイル導体４１～４２は、第１～第２コイルホール２０１～２０２の内壁側からこの順に積層されたＴｉ層２０９およびＣｕ層２１０を含む積層構造を有している。Ｔｉ層２０９は、第１～第２コイルホール２０１～２０２の内壁に沿って膜状に形成されている。Ｔｉ層２０９は、第１～第２コイルホール２０１～２０２内においてリセス空間を区画している。Ｔｉ層２０９は、第１～第７ビア電極１９１～１９７のＴｉ層１９８と一体的に形成されている。

Ｃｕ層２１０は、第１～第２コイルホール２０１～２０２内においてＴｉ層２０９によって区画されたリセス空間に埋設されている。Ｃｕ層２１０は、第１～第７ビア電極１９１～１９７のＣｕ層１９９と一体的に形成されている。Ｃｕ層２１０の厚さは、Ｔｉ層２０９の厚さを超えている。Ｔｉ層２０９の厚さは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。Ｔｉ層２０９の厚さは、０．１μｍ以上０．２μｍ以下であることが好ましい。Ｔｉ層２０９の厚さは、第１～第７ビア電極１９１～１９７のＴｉ層１９８の厚さと等しいことが好ましい。

図５および図１２を参照して、第３有機絶縁層１４Ｃは、第２有機絶縁層１４Ｂの上に形成されている。第３有機絶縁層１４Ｃは、第１～第２コイル導体４１～４２を一括して被覆している。第３有機絶縁層１４Ｃは、第１最上ビアホール２１１、第２最上ビアホール２１２、第３最上ビアホール２１３、第４最上ビアホール２１４、第５最上ビアホール２１５および第６最上ビアホール２１６を含む。

第１～第６最上ビアホール２１１～２１６の個数は第１～第７上ビアホール１７１～１７７（第２上ビアホール１７２を除く）の個数に応じて調整される。この形態では、２つの第１最上ビアホール２１１、２つの第２最上ビアホール２１２、１つの第３最上ビアホール２１３、１つの第４最上ビアホール２１４、１つの第５最上ビアホール２１５および１つの第６最上ビアホール２１６が形成されている。

第１最上ビアホール２１１は、第１上ビアホール１７１に連通し、第１ビア電極１９１を露出させている。第２最上ビアホール２１２は、第３上ビアホール１７３に連通し、第３ビア電極１９３を露出させている。
第３最上ビアホール２１３は、第４上ビアホール１７４に連通し、第４ビア電極１９４を露出させている。第４最上ビアホール２１４は、第５上ビアホール１７５に連通し、第５ビア電極１９５を露出させている。第５最上ビアホール２１５は、第６上ビアホール１７６に連通し、第６ビア電極１９６を露出させている。第６最上ビアホール２１６は、第７上ビアホール１７７に連通し、第７ビア電極１９７を露出させている。

第１～第６最上ビアホール２１１～２１６は、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。第１～第６最上ビアホール２１１～２１６の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第１～第６最上ビアホール２１１～２１６の幅は、５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
第１～第６最上ビアホール２１１～２１６の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上４０μｍ以下、または、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。第１～第６最上ビアホール２１１～２１６の幅は、第１～第７上ビアホール１７１～１７７の幅を超えていることが好ましい。

図５および図１３を参照して、複数の外部端子２～５（第１入出力端子２、第２入出力端子３、第１基準端子４および第２基準端子５）は、第３有機絶縁層１４Ｃ（第１チップ主面６２）から露出している。複数の外部端子２～５は、より具体的には、第３有機絶縁層１４Ｃの上に形成されている。複数の外部端子２～５は、さらに具体的には、第３有機絶縁層１４Ｃ（第１チップ主面６２）から突出するように第３有機絶縁層１４Ｃの上に形成されている。

第１入出力端子２は、平面視において第１基板側壁７４Ａ側の領域に配置されている。第１入出力端子２は、この形態では、平面視において一部が第２基板側壁７４Ｂ側に向かって突出したＴ字形状に形成されている。第１入出力端子２の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第１入出力端子２は、平面視において四角形状に形成されていてもよい。

第１入出力端子２は、第３有機絶縁層１４Ｃの上から第１最上ビアホール２１１に入り込んでいる。第１入出力端子２は、第１最上ビアホール２１１内において第１ビア電極１９１に電気的に接続されている。これにより、第１入出力端子２は、第１ビア電極１９１を介して、第１コイル導体４１の第１内側末端４３、第１上電極３１および第２下電極２２に電気的に接続されている。

第２入出力端子３は、平面視において第２基板側壁７４Ｂ側の領域に配置されている。第２入出力端子３は、この形態では、平面視において一部が第１基板側壁７４Ａ側に向かって突出したＴ字形状に形成されている。第２入出力端子３の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。第２入出力端子３は、平面視において四角形状に形成されていてもよい。

第２入出力端子３は、第３有機絶縁層１４Ｃの上から第２最上ビアホール２１２に入り込んでいる。第２入出力端子３は、第２最上ビアホール２１２内において第３ビア電極１９３に電気的に接続されている。これにより、第２入出力端子３は、第３ビア電極１９３を介して、第２コイル導体４２の第２内側末端４６、第５上電極３５および第４下電極２４に電気的に接続されている。

第１基準端子４は、平面視において第３基板側壁７４Ｃ側の領域に配置されている。第１基準端子４は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第１基準端子４の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。
第１基準端子４は、第３有機絶縁層１４Ｃの上から第３最上ビアホール２１３および第４最上ビアホール２１４に入り込んでいる。第１基準端子４は、第３最上ビアホール２１３内において第４ビア電極１９４に電気的に接続され、第４最上ビアホール２１４内において第５ビア電極１９５に電気的に接続されている。

これにより、第１基準端子４は、第４ビア電極１９４を介して、第１上接続電極１４１、第１下接続電極１０１および第１下電極２１に電気的に接続されている。また、第１基準端子４は、第５ビア電極１９５を介して、第２上接続電極１４２、第３下接続電極１０３および第３下電極２３に電気的に接続されている。
第２基準端子５は、平面視において第４基板側壁７４Ｄ側の配置に形成されている。第２基準端子５は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第２基準端子５の平面形状は任意であり、特定の形態に限定されない。

第２基準端子５は、第３有機絶縁層１４Ｃの上から第５最上ビアホール２１５および第６最上ビアホール２１６に入り込んでいる。第２基準端子５は、第５最上ビアホール２１５内において第６ビア電極１９６に電気的に接続され、第６最上ビアホール２１６内において第７ビア電極１９７に電気的に接続されている。
これにより、第２基準端子５は、第６ビア電極１９６を介して、第３上接続電極１４３、第４下接続電極１０４および第３下電極２３に電気的に接続されている。また、第２基準端子５は、第７ビア電極１９７を介して、第４上接続電極１４４、第５下接続電極１０５および第５下電極２５に電気的に接続されている。

複数の外部端子２～５は、有機絶縁層１４側からこの順に積層されたＴｉ層２１７およびＣｕ層２１８をそれぞれ含む。Ｔｉ層２１７は、第３有機絶縁層１４Ｃ（第１有機主面９２）の上から第１～第６最上ビアホール２１１～２１６に入り込んでいる。Ｔｉ層２１７は、第３有機絶縁層１４Ｃ（第１有機主面９２）および第１～第６最上ビアホール２１１～２１６の内壁に沿って膜状に形成されている。Ｔｉ層２１７は、第１～第６最上ビアホール２１１～２１６内においてリセス空間を区画している。

Ｃｕ層２１８は、Ｔｉ層２１７を被覆している。Ｃｕ層２１８は、第３有機絶縁層１４Ｃ（第１有機主面９２）の上から第１～第６最上ビアホール２１１～２１６に入り込んでいる。Ｃｕ層２１８は、第１～第６最上ビアホール２１１～２１６内においてＴｉ層２１７によって区画されたリセス空間に埋設されている。Ｃｕ層２１８の厚さは、Ｔｉ層２１７の厚さを超えている。Ｔｉ層２１７の厚さは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。Ｔｉ層２１７の厚さは、０．１μｍ以上０．２μｍ以下であることが好ましい。

複数の外部端子２～５は、この形態では、Ｃｕ層２１８の外面を被覆する外面電極２１９をそれぞれ含む。外面電極２１９は、Ｃｕ層２１８とは異なる導電材料を含む。外面電極２１９は、Ｃｕ層２１８側からこの順に積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層を含む積層構造を有していてもよい。外面電極２１９は、有機絶縁層１４の第１有機主面９２に接していてもよい。外面電極２１９は、有機側壁９４Ａ～９４Ｄに接していてもよい。

前述の第１配線５１（図２参照）は、第１ビア電極１９１によって形成されている。前述の第２配線５２（図２参照）は、第２ビア電極１９２によって形成されている。前述の第３配線５３（図２参照）は、第３ビア電極１９３によって形成されている。
前述の第４配線５４（図２参照）は、第４ビア電極１９４、第５ビア電極１９５、第１下接続電極１０１、第３下接続電極１０３、第１上接続電極１４１および第２上接続電極１４２によって形成されている。

前述の第５配線５５（図２参照）は、第６ビア電極１９６、第７ビア電極１９７、第４下接続電極１０４、第５下接続電極１０５、第３上接続電極１４３および第４上接続電極１４４によって形成されている。
以上、チップ部品１は、基板１２、無機絶縁層１３、有機絶縁層１４およびＬＣ回路６を含む。無機絶縁層１３は、基板１２の上に形成されている。有機絶縁層１４は、無機絶縁層１３の上に形成されている。ＬＣ回路６は、無機絶縁層１３内に形成された第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５、および、有機絶縁層１４内に形成された第１～第２インダクタＬ２を含む。このような構造によれば、優れたＬＣ特性を実現できる。

より具体的には、無機絶縁層１３は、有機絶縁層１４の比誘電率を超える比誘電率を有している。また、無機絶縁層１３は、有機絶縁層１４と比較して薄膜性の点において優れている。したがって、無機絶縁層１３内に第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５を形成することによって、薄膜でありながら優れた容量値を実現できる。
この一方で、有機絶縁層１４内には、厚いコイル導体４０を形成できる。一例として、無機絶縁層１３の厚さＴ２（０．３μｍ以上１２μｍ以下）を超える厚さ（１０μｍ以上２００μｍ以下）を有する第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２を形成できる。これにより、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２の寄生抵抗を抑制できる。また、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５の間の寄生容量を有機絶縁層１４によって低減できる。

また、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５は、基板１２の上に積層した無機絶縁層１３および有機絶縁層１４に作りこまれる。これにより、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５の間の配線距離を短縮できるから、配線抵抗を低減できる。
よって、チップ部品１によれば、ＬＣ回路６のＱ値を向上できるから、優れたＬＣ特性を実現できる。また、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２および第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５の３次元積層構造によって、チップサイズの２次元的な大型化を抑制できる。よって、チップ部品１を小型化できる。

図１４Ａ～図１４Ｙは、図３に示すチップ部品１の製造方法の一例を説明するための断面図である。
図１４Ａを参照して、基板１２のベースになるベース基板２２１が用意される。ベース基板２２１は、四角形状または円形状の板状部材からなる。ベース基板２２１は、一方側の第１ベース主面２２２および他方側の第２ベース主面２２３を有している。第１ベース主面２２２および第２ベース主面２２３は、基板１２の第１基板主面７２および第２基板主面７３にそれぞれ対応している。

次に、チップ部品１にそれぞれ対応した複数のチップ領域２２４、および、複数のチップ領域２２４を区画するダイシング領域２２５が、ベース基板２２１に設定される。複数のチップ領域２２４は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて行列状に設定されてもよい。ダイシング領域２２５は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延びる格子状に設定されてもよい。

次に、第１無機絶縁層１３Ａのベースとなる第１ベース無機絶縁層２２６が、第１ベース主面２２２の上に形成される。第１ベース無機絶縁層２２６は、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる。第１ベース無機絶縁層２２６は、この形態では、酸化シリコン層からなる。第１ベース無機絶縁層２２６は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。

次に、図１４Ｂを参照して、第１～第５下電極２１～２５、第１～第６下接続電極１０１～１０６および第１～第４ダミー電極１２１～１２４のベースとなるベース下電極２２７が、第１ベース無機絶縁層２２６の上に形成される。ベース下電極２２７は、第１ベース無機絶縁層２２６側からこの順に積層されたＡｌ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有している。Ａｌ層およびＴｉＮ層は、スパッタ法および／または蒸着法によって形成されてもよい。

次に、図１４Ｃを参照して、所定パターンを有する第１マスク２２８が、ベース下電極２２７の上に形成される。第１マスク２２８は、ベース下電極２２７において第１～第５下電極２１～２５、第１～第６下接続電極１０１～１０６および第１～第４ダミー電極１２１～１２４となる領域を被覆し、それら以外の領域を露出させている。
次に、ベース下電極２２７の不要な部分が、第１マスク２２８を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法の一例としてのＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法であることが好ましい。これにより、ベース下電極２２７が、第１～第５下電極２１～２５、第１～第６下接続電極１０１～１０６および第１～第４ダミー電極１２１～１２４に分割される。第１マスク２２８は、その後、除去される。

ベース下電極２２７の上に存する電極の平面積は、第１～第４ダミー電極１２１～１２４によって増加される。第１～第４ダミー電極１２１～１２４は、ベース下電極２２７のエッチング工程に起因して第１～第５下電極２１～２５および第１～第６下接続電極１０１～１０６に生じるガルバニック腐食を抑制する。これにより、第１～第５下電極２１～２５および第１～第６下接続電極１０１～１０６を適切に形成できるから、所望の容量値を有する第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５を適切に形成できる。

次に、図１４Ｄを参照して、第２無機絶縁層１３Ｂのベースとなる第２ベース無機絶縁層２２９が、第１ベース無機絶縁層２２６の上に形成される。第２ベース無機絶縁層２２９は、第１～第５下電極２１～２５、第１～第６下接続電極１０１～１０６および第１～第４ダミー電極１２１～１２４を一括して被覆する。第２ベース無機絶縁層２２９は、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる。第２ベース無機絶縁層２２９は、この形態では、窒化シリコン層からなる。第２ベース無機絶縁層２２９は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図１４Ｅを参照して、所定パターンを有する第２マスク２３０が、第２ベース無機絶縁層２２９の上に形成される。第２マスク２３０は、第２ベース無機絶縁層２２９において第１～第６下開口１３１～１３６を形成すべき領域、および、ダイシング領域２２５を被覆する部分を露出させ、それら以外の領域を被覆している。
次に、第２ベース無機絶縁層２２９の不要な部分が、第２マスク２３０を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法の一例としてのＣＤＥ（Chemical Dry Etching）法であることが好ましい。これにより、第２ベース無機絶縁層２２９が、複数の第２無機絶縁層１３Ｂに分割される。

また、第１～第６下開口１３１～１３６が、各第２無機絶縁層１３Ｂに形成される。複数の第２無機絶縁層１３Ｂは、ダイシング領域２２５において第１ベース無機絶縁層２２６を露出させるダイシングストリートを区画する。第２マスク２３０は、その後、除去される。
次に、図１４Ｆを参照して、第１～第５上電極３１～３５および第１～第４上接続電極１４１～１４４のベースとなるベース上電極２３１が、第１ベース無機絶縁層２２６および第２ベース無機絶縁層２２９（複数の第２無機絶縁層１３Ｂ）の上に形成される。ベース上電極２３１は、Ａｌ層からなる単層構造を有している。Ａｌ層は、スパッタ法および／または蒸着法によって形成されてもよい。

次に、図１４Ｇを参照して、所定パターンを有する第３マスク２３２が、ベース上電極２３１の上に形成される。第３マスク２３２は、ベース上電極２３１において第１～第５上電極３１～３５および第１～第４上接続電極１４１～１４４となる領域を被覆し、それら以外の領域を露出させている。
次に、ベース上電極２３１の不要な部分が、第３マスク２３２を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法であることが好ましい。これにより、ベース上電極２３１が、第１～第５上電極３１～３５および第１～第４上接続電極１４１～１４４に分割される。第３マスク２３２は、その後、除去される。

次に、図１４Ｈを参照して、第３無機絶縁層１３Ｃのベースとなる第３ベース無機絶縁層２３３が、第１ベース無機絶縁層２２６および第２ベース無機絶縁層２２９（複数の第２無機絶縁層１３Ｂ）の上に形成される。第３ベース無機絶縁層２３３は、第１～第５上電極３１～３５および第１～第４上接続電極１４１～１４４を一括して被覆する。第３ベース無機絶縁層２３３は、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる。第３ベース無機絶縁層２３３は、この形態では、窒化シリコン層からなる。第３無機絶縁層１３Ｃは、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図１４Ｉを参照して、所定パターンを有する第４マスク２３４が、第３ベース無機絶縁層２３３の上に形成される。第４マスク２３４は、第３ベース無機絶縁層２３３において第１～第７上開口１５１～１５７を形成すべき領域、および、ダイシング領域２２５を被覆する部分を露出させ、それら以外の領域を被覆している。
次に、第３ベース無機絶縁層２３３の不要な部分が、第４マスク２３４を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法の一例としてのＣＤＥ法であることが好ましい。これにより、第３ベース無機絶縁層２３３が、複数の第３無機絶縁層１３Ｃに分割され、各チップ領域２２４の上に無機絶縁層１３が形成される。

また、第１～第７上開口１５１～１５７が、各第３無機絶縁層１３Ｃに形成される。複数の第３無機絶縁層１３Ｃは、ダイシング領域２２５において第１ベース無機絶縁層２２６を露出させるダイシングストリートを区画する。第４マスク２３４は、その後、除去される。
次に、図１４Ｊを参照して、所定パターンを有する第５マスク２３５が、第３ベース無機絶縁層２３３（複数の第３無機絶縁層１３Ｃ）の上に形成される。第５マスク２３５は、ダイシングストリートを露出させ、それ以外の領域を被覆している。

次に、第１ベース無機絶縁層２２６において第５マスク２３５（ダイシングストリート）から露出する部分が、エッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法の一例としてのＲＩＥ法であることが好ましい。これにより、第１ベース無機絶縁層２２６が、複数の第１無機絶縁層１３Ａに分割される。また、第５マスク２３５（ダイシングストリート）から第１ベース主面２２２が露出する。

次に、第１ベース主面２２２において第５マスク２３５（ダイシングストリート）から露出する部分が、エッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法であることが好ましい。これにより、平面視において格子状のチップ溝２３６が、複数のチップ領域２２４を区画するように第１ベース主面２２２に形成される。第５マスク２３５は、その後、除去される。

次に、図１４Ｋを参照して、第１有機絶縁層１４Ａのベースとなる第１ベース有機絶縁層２３７が、第３ベース無機絶縁層２３３（複数の第３無機絶縁層１３Ｃ）の上に形成される。第１ベース有機絶縁層２３７は、感光性樹脂の一例としてのエポキシ樹脂を含む。第１ベース有機絶縁層２３７は、エポキシ樹脂からなるドライフィルムレジストを第３ベース無機絶縁層２３３に貼着することによって形成される。

次に、図１４Ｌを参照して、第１ベース有機絶縁層２３７が、第１～第７下ビアホール１６１～１６７およびダイシング領域２２５に対応したパターンで露光された後、現像される。これにより、第１ベース有機絶縁層２３７が、複数の第１有機絶縁層１４Ａに分割される。
また、第１～第７下ビアホール１６１～１６７が、各第１有機絶縁層１４Ａに形成される。複数の第１有機絶縁層１４Ａは、ダイシング領域２２５においてチップ溝２３６を露出させるダイシングストリートを区画する。

次に、図１４Ｍを参照して、第２有機絶縁層１４Ｂのベースとなる第２ベース有機絶縁層２３８が、第１ベース有機絶縁層２３７（複数の第１有機絶縁層１４Ａ）の上に形成される。第２ベース有機絶縁層２３８は、感光性樹脂の一例としてのエポキシ樹脂を含む。第２ベース有機絶縁層２３８は、エポキシ樹脂からなるドライフィルムレジストを第１ベース有機絶縁層２３７に貼着することによって形成される。

次に、図１４Ｎを参照して、第２ベース有機絶縁層２３８が、第１～第７上ビアホール１７１～１７７、第１～第２コイルホール２０１～２０２およびダイシング領域２２５に対応したパターンで露光された後、現像される。これにより、第２ベース有機絶縁層２３８が、複数の第２有機絶縁層１４Ｂに分割される。
また、第１～第７上ビアホール１７１～１７７および第１～第２コイルホール２０１～２０２が、各第２有機絶縁層１４Ｂに形成される。複数の第２有機絶縁層１４Ｂは、ダイシング領域２２５においてチップ溝２３６を露出させるダイシングストリートを区画する。

次に、図１４Ｏを参照して、シード層２３９が、第２ベース有機絶縁層２３８（複数の第２有機絶縁層１４Ｂ）の上に形成される。シード層２３９は、第１ベース主面２２２側の構造物を一括して被覆する。シード層２３９は、第１～第７上ビアホール１７１～１７７の内壁、第１～第２コイルホール２０１～２０２内壁、チップ溝２３６の内壁、第１ベース有機絶縁層２３７の外面および第２ベース有機絶縁層２３８の外面に沿って膜状に形成される。

シード層２３９は、Ｔｉシード層およびＣｕシード層を含む積層構造を有している。Ｔｉシード層は、第１～第７ビア電極１９１～１９７のＴｉ層１９８および第１～第２コイル導体４１～４２のＴｉ層２０９のベースとなる。Ｃｕシード層は、第１～第７ビア電極１９１～１９７のＣｕ層１９９および第１～第２コイル導体４１～４２のＣｕ層２１０のベースとなる。Ｔｉシード層およびＣｕシード層は、スパッタ法および／または蒸着法によって形成されてもよい。

次に、図１４Ｐを参照して、所定パターンを有する第６マスク２４０が、第１ベース主面２２２の上に形成される。第６マスク２４０は、第２ベース有機絶縁層２３８において複数のチップ領域２２４を被覆する部分を露出させ、それら以外の領域を被覆している。
次に、Ｃｕ層２４１が、Ｃｕめっき法によって第６マスク２４０から露出するシード層２３９の上に形成される。Ｃｕ層２４１は、第１～第７ビア電極１９１～１９７のＣｕ層１９９および第１～第２コイル導体４１～４２のＣｕ層２１０のベースとなる。第６マスク２４０は、その後、除去される。

次に、図１４Ｑを参照して、Ｃｕ層２４１の不要な部分が、エッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。Ｃｕ層２４１は、シード層２３９が露出するまで除去される。
次に、図１４Ｒを参照して、Ｃｕ層２４１から露出するシード層２３９が、エッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。シード層２３９は、第２ベース有機絶縁層２３８が露出するまで除去される。これにより、第１～第７ビア電極１９１～１９７および第１～第２コイル導体４１～４２が形成される。

次に、図１４Ｓを参照して、第３有機絶縁層１４Ｃのベースとなる第３ベース有機絶縁層２４２が、第２ベース有機絶縁層２３８（複数の第２有機絶縁層１４Ｂ）の上に形成される。第３ベース有機絶縁層２４２は、感光性樹脂の一例としてのエポキシ樹脂を含む。第３ベース有機絶縁層２４２は、エポキシ樹脂からなるドライフィルムレジストを第２ベース有機絶縁層２３８に貼着することによって形成される。

次に、図１４Ｔを参照して、第３ベース有機絶縁層２４２が、第１～第６最上ビアホール２１１～２１６およびダイシング領域２２５に対応したパターンで露光された後、現像される。これにより、第３ベース有機絶縁層２４２が、複数の第３有機絶縁層１４Ｃに分割され、各チップ領域２２４の上に有機絶縁層１４が形成される。
また、第１～第６最上ビアホール２１１～２１６が、各第３有機絶縁層１４Ｃに形成される。複数の第３有機絶縁層１４Ｃは、ダイシング領域２２５においてチップ溝２３６を露出させるダイシングストリートを区画する。

次に、図１４Ｕを参照して、シード層２４３が、第３ベース有機絶縁層２４２（複数の第３有機絶縁層１４Ｃ）の上に形成される。シード層２４３は、第１ベース主面２２２側の構造物を一括して被覆する。シード層２４３は、第１～第６最上ビアホール２１１～２１６の内壁、チップ溝２３６の内壁、第１～第３ベース無機絶縁層２２６，２２９，２３３の外面および第１～第３ベース有機絶縁層２３７，２３８，２４２の外面に沿って膜状に形成される。

シード層２４３は、Ｔｉシード層およびＣｕシード層を含む積層構造を有している。Ｔｉシード層は、複数の外部端子２～５のＴｉ層２１７のベースとなる。Ｃｕシード層は、複数の外部端子２～５のＣｕ層２１８のベースとなる。Ｔｉシード層およびＣｕシード層は、スパッタ法および／または蒸着法によって形成されてもよい。
次に、図１４Ｖを参照して、所定パターンを有する第７マスク２４４が、第１ベース主面２２２の上に形成される。第７マスク２４４は、複数の外部端子２～５を形成すべき領域を露出させ、それら以外の領域を被覆している。

次に、Ｃｕ層２４５が、Ｃｕめっき法によって第７マスク２４４から露出するシード層２４３の上に形成される。Ｃｕ層２４５は、複数の外部端子２～５のＣｕ層２１８のベースとなる。第７マスク２４４は、その後、除去される。
次に、図１４Ｗを参照して、Ｃｕ層２４５から露出するシード層２４３が、エッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。シード層２４３は、第３ベース有機絶縁層２４２が露出するまで除去される。

次に、図１４Ｘを参照して、複数の外面電極２１９が、複数のＣｕ層２４５の上にそれぞれ形成される。各外面電極２１９は、各Ｃｕ層２４５側からこの順に積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層を含む積層構造を有している。Ｎｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層は、無電解めっき法によってそれぞれ形成されてもよい。
次に、図１４Ｙを参照して、ベース基板２２１を支持するテープ２４６が、第１ベース主面２２２側の構造物に貼着される。次に、ベース基板２２１の第２ベース主面２２３が研削される。第２ベース主面２２３は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法によって研削されてもよい。第２ベース主面２２３は、チップ溝２３６に連通するまで研削される。

これにより、ベース基板２２１が複数の基板１２に分割され、１枚のベース基板２２１から複数のチップ部品１が切り出される。第２ベース主面２２３の研削工程は、第２ベース主面２２３がチップ溝２３６に連通した後も継続されてもよい。つまり、第２ベース主面２２３の研削工程は、ベース基板２２１（基板１２）を所望の厚さになるまで薄化する工程を含んでいてもよい。以上を含む工程を経て、チップ部品１が製造される。

本発明は他の形態で実施することもできる。
前述の実施形態では、有機絶縁層１４の有機側壁９４Ａ～９４Ｄが、無機絶縁層１３の第１～第４無機側壁８４Ａ～８４Ｄに連なっている例について説明した。しかし、有機絶縁層１４の第１～第４有機側壁９４Ａ～９４Ｄは、無機絶縁層１３の無機側壁８４Ａ～８４Ｄを被覆していてもよい。

この場合、無機絶縁層１３は、基板１２の第１基板主面７２の周縁部を露出させるように第１～第４基板側壁７４Ａ～７４Ｄから内方に間隔を空けて第１基板主面７２の上に形成されていてもよい。さらにこの場合、有機絶縁層１４の一部は、第１基板主面７２に接していていてもよい。
前述の実施形態では、第１無機絶縁層１３Ａの上に複数のダミー電極１２１～１２４が形成され、第２無機絶縁層１３Ｂの上に複数のダミー電極１２１～１２４が形成されていない例について説明した。しかし、第２無機絶縁層１３Ｂの上にも複数のダミー電極１２１～１２４が同様の態様で形成されてもよい。

前述の実施形態において、シリコン基板、ＳｉＣ基板、ダイアモンド基板または化合物半導体基板からなる基板１２が採用されてもよい。基板１２がシリコン基板、ＳｉＣ基板または化合物半導体基板からなる場合、ベース基板２２１としてインゴットから切り出された円板状のウエハが使用される。この場合、所謂ウエハレベルチップサイズパッケージからなるチップ部品１が製造される。

基板１２がシリコン基板またはＳｉＣ基板からなる場合、第１無機絶縁層１３Ａ（第１ベース無機絶縁層２２６）は、ＣＶＤ法に代えて熱酸化処理法によってベース基板２２１の第１ベース主面２２２（基板１２の第１基板主面７２）の上に形成することもできる。
前述の各実施形態において、基板１２は、絶縁基板であってもよい。絶縁基板は、ガラス基板、セラミック基板または樹脂基板であってもよい。この場合、第１無機絶縁層１３Ａは、除かれてもよい。

前述の実施形態では、エリプティックフィルタ回路を含むＬＣ回路６が形成された例について説明した。しかし、ＬＣ回路６は、外部端子２～５、第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ２、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２等の有無、接続態様等を調整することによって、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２のうちの少なくとも１つ、および、第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５のうちの少なくとも１を含む種々の形態を採り得る。以下、図１５～図２５を参照して、ＬＣ回路６の他の形態例を示す。

図１５は、第２形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１５を参照して、ＬＣ回路６は、Ｌ型フィルタ回路を含む。Ｌ型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１および第１キャパシタＣ１を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２および第２入出力端子３に接続されている。第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第２基準端子５に接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。

図１６は、第３形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１６を参照して、ＬＣ回路６は、Ｌ型フィルタ回路を含む。Ｌ型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２および第２入出力端子３に接続されている。第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第２基準端子５に接続されている。第２キャパシタＣ２は、第１インダクタＬ１に並列接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。

図１７は、第４形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１７を参照して、ＬＣ回路６は、Ｔ型フィルタ回路を含む。Ｔ型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２および第３キャパシタＣ３を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２に接続されている。第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１および第２入出力端子３に接続されている。第３キャパシタＣ３は、インダクタ接続部７および第２基準端子５に接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。

図１８は、第５形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１８を参照して、ＬＣ回路６は、Ｔ型フィルタ回路を含む。Ｔ型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第２キャパシタＣ２、第３キャパシタＣ３および第４キャパシタＣ４を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２に接続されている。第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１および第２入出力端子３に接続されている。

第２キャパシタＣ２は、第１インダクタＬ１に並列接続されている。第３キャパシタＣ３は、インダクタ接続部７および第２基準端子５に接続されている。第４キャパシタＣ４は、第２インダクタＬ２に並列接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。
図１９は、第６形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１９を参照して、ＬＣ回路６は、π型フィルタ回路を含む。π型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第１キャパシタＣ１および第３キャパシタＣ３を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２および第２入出力端子３に接続されている。第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第２基準端子５に接続されている。第３キャパシタＣ３は、第２入出力端子３および第２基準端子５に接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。

図２０は、第７形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２０を参照して、ＬＣ回路６は、π型フィルタ回路を含む。π型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２および第３キャパシタＣ３を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２および第２入出力端子３に接続されている。

第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第２基準端子５に接続されている。第２キャパシタＣ２は、第１インダクタＬ１に並列接続されている。第３キャパシタＣ３は、第２入出力端子３および第２基準端子５に接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。
図２１は、第８形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２１を参照して、ＬＣ回路６は、π型フィルタ回路を含む。π型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１キャパシタＣ１および第５キャパシタＣ５を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２に接続されている。第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１および第２入出力端子３に接続されている。
第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第２基準端子５に接続されている。第５キャパシタＣ５は、第２入出力端子３および第２基準端子５に接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。

図２２は、第９形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２２を参照して、ＬＣ回路６は、π型フィルタ回路を含む。π型フィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２、第４キャパシタＣ４および第５キャパシタＣ５を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２に接続されている。第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１および第２入出力端子３に接続されている。

第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第２基準端子５に接続されている。第２キャパシタＣ２は、第１インダクタＬ１に並列接続されている。第４キャパシタＣ４は、第２インダクタＬ２に並列接続されている。第５キャパシタＣ５は、第２入出力端子３および第２基準端子５に接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。

図２３は、第１０形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２３を参照して、ＬＣ回路６は、ラダーフィルタ回路を含む。ラダーフィルタ回路は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１キャパシタＣ１、第３キャパシタＣ３および第５キャパシタＣ５を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２に接続されている。第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１および第２入出力端子３に接続されている。

第１キャパシタＣ１は、第１入出力端子２および第２基準端子５に接続されている。第３キャパシタＣ３は、インダクタ接続部７および第２基準端子５に接続されている。第５キャパシタＣ５は、第２入出力端子３および第２基準端子５に接続されている。この形態例では、第１基準端子４が設けられていないが、第１基準端子４が設けられていてもよい。

図２４は、第１１形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２４を参照して、ＬＣ回路６は、ＬＣ直列共振回路を含む。ＬＣ直列共振回路は、第１インダクタＬ１および第４キャパシタＣ４を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２に接続されている。第４キャパシタＣ４は、第１インダクタＬ１および第２入出力端子３に接続されている。この形態例では、第１基準端子４および第２基準端子５は設けられていない。

図２５は、第１２形態例に係るＬＣ回路６を示す回路図である。以下では、図１～図１３において述べた構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２５を参照して、ＬＣ回路６は、ＬＣ並列共振回路を含む。ＬＣ並列共振回路は、第１インダクタＬ１および第２キャパシタＣ２を含む。第１インダクタＬ１は、第１入出力端子２および第２入出力端子３に接続されている。第２キャパシタＣ２は、第１インダクタＬ１に並列接続されている。この形態例では、第１基準端子４および第２基準端子５は設けられていない。

図１５～図２５に示される形態例は、飽くまでＬＣ回路６の一例である。ＬＣ回路６は、図１５～図２５に示される形態例の他、第１～第２インダクタＬ１～Ｌ２のうちの少なくとも１つ、および、第１～第５キャパシタＣ１～Ｃ５のうちの少なくとも１が選択的に組み合わされた種々の形態を採り得る。
本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。

１ チップ部品
２ 第１入出力端子（外部端子）
３ 第２入出力端子（外部端子）
４ 第１基準端子（外部端子）
５ 第２基準端子（外部端子）
６ ＬＣ回路
１１ チップ本体
１２ 基板
１３ 無機絶縁層
１４ 有機絶縁層
１５ 下電極
１６ 上電極
２１ 第１下電極
２２ 第２下電極
２３ 第３下電極
２４ 第４下電極
２５ 第５下電極
３１ 第１上電極
３２ 第２上電極
３３ 第３上電極
３４ 第４上電極
３５ 第５上電極
４０ コイル導体
４１ 第１コイル導体
４２ 第２コイル導体
５１ 第１配線
５２ 第２配線
５３ 第３配線
５４ 第４配線
５５ 第５配線
１２１ 第１ダミー電極
１２２ 第２ダミー電極
１２３ 第３ダミー電極
１２４ 第４ダミー電極
Ｃ１ 第１キャパシタ
Ｃ２ 第２キャパシタ
Ｃ３ 第３キャパシタ
Ｃ４ 第４キャパシタ
Ｃ５ 第５キャパシタ
Ｌ１ 第１インダクタ
Ｌ２ 第２インダクタ
Ｔ１ 基板の厚さ
Ｔ２ 無機絶縁層の厚さ
Ｔ３ 有機絶縁層の厚さ

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板の上に形成された無機絶縁層と、
   前記無機絶縁層の上に形成された有機絶縁層と、
   前記無機絶縁層内に形成されたキャパシタ、および、前記キャパシタに電気的に接続されるように前記有機絶縁層内に形成されたインダクタを含むＬＣ回路と、を含み、
   前記無機絶縁層は、前記基板の厚さ未満の厚さを有し、
   前記有機絶縁層は、前記無機絶縁層の厚さを超える厚さを有し、
   前記キャパシタは、前記無機絶縁層内において同一層に配置された複数の下電極、および、前記無機絶縁層の一部を挟んで前記下電極に対応するように前記無機絶縁層内において同一層に配置された複数の上電極を含み、
   前記インダクタは、前記有機絶縁層内に配置され、前記有機絶縁層の積層方向から見た平面視において螺旋状をした第１コイル導体および第２コイル導体を含み、前記第１コイル導体は巻回数が相対的に小さく、前記第２コイル導体は巻回数が相対的に大きくされ、前記第１コイル導体および前記第２コイル導体は、前記有機絶縁層内で、層の広がり方向に並ぶように配置されている、チップ部品。
2. 前記ＬＣ回路は、前記キャパシタおよび前記インダクタを含むラダーフィルタ回路を含む、請求項１に記載のチップ部品。
3. 前記ＬＣ回路は、前記キャパシタおよび前記インダクタを含むエリプティックフィルタ回路を含む、請求項１または２に記載のチップ部品。
4. 前記無機絶縁層内において前記下電極が配置された層に前記下電極から間隔を空けて配置され、電気的に浮遊状態に形成されたダミー電極をさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のチップ部品。
5. 前記ＬＣ回路は、前記無機絶縁層内で前記キャパシタに電気的に接続され、前記有機絶縁層内で前記インダクタに電気的に接続された配線を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のチップ部品。
6. 前記有機絶縁層は、前記基板の厚さを超える厚さを有している、請求項１～５のいずれか一項に記載のチップ部品。
7. 前記基板、前記無機絶縁層および前記有機絶縁層を含む積層構造を有し、パッケージを兼ねるチップ本体を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のチップ部品。
8. 前記有機絶縁層から露出し、前記ＬＣ回路に電気的に接続された複数の外部端子をさらに含む、請求項１～７のいずれか一項に記載のチップ部品。
9. 前記無機絶縁層および前記有機絶縁層の境界を横切り、前記無機絶縁層内で前記キャパシタに電気的に接続され、前記有機絶縁層内で前記インダクタに電気的に接続されたビア電極をさらに含む、請求項１に記載のチップ部品。

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