WO2024038742A1 - トランス - Google Patents

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WO2024038742A1
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coil
outer coil
transformer
wiring
conductor wiring
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PCT/JP2023/027327
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将信 辻
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ローム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F19/00—Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
    • H01F19/04—Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body

Definitions

  • the present disclosure relates to a transformer.
  • a transformer used to transmit signals and power includes a pair of coils arranged vertically to face each other (see, for example, Patent Document 1).
  • a transformer that is one aspect of the present disclosure includes a flat insulator, and an outer coil conductor wiring and an inner coil conductor wiring arranged in the insulator, and the outer coil conductor wiring has a first end and a first end. a first outer coil and a second outer coil each having two ends, a second end of the first outer coil and a second end of the second outer coil connected to each other; The second outer coil generates magnetic fluxes in opposite directions when a current flows from a first end of one outer coil to a first end of the other outer coil among the first outer coil and the second outer coil.
  • the inner coil conductor wiring includes a first inner coil and a second inner coil each having a first end and a second end, and in a plan view, the first inner coil is wound around the first outer coil.
  • the second inner coil is arranged inside the second outer coil so as not to overlap with the first outer coil, and the second inner coil is arranged inside the second outer coil so as not to overlap with the second outer coil.
  • FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a signal transmission device including a transformer according to the first embodiment.
  • 2 is a schematic plan view schematically showing the signal transmission device of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a transformer in the signal transmission device of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line F4-F4 in FIG.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along the line F5-F5 in FIG.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram of the operation in the transformer of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a transformer of a comparative example.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a signal transmission device including a transformer according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a transformer in the signal transmission device of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a cross
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view showing outer coil conductor wiring in a modified example of the transformer shown in FIG.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 13 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a modified signal transmission device.
  • FIG. 14 is a schematic plan view of the signal transmission device of FIG. 13.
  • FIG. 15 is a schematic plan view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 18 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a power transmission device including a transformer according to the second embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic plan view schematically showing the power transmission device of FIG. 18.
  • FIG. 20 is a sectional view taken along the line F20-F20 in FIG. 19.
  • FIG. 21 is a sectional view taken along the line F21-F21 in FIG. 19.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the transformer.
  • FIG. 20 is a sectional view taken along the line F20-F20 in FIG. 19.
  • FIG. 21 is a sectional view taken along the line F21-F21 in FIG. 19.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view of
  • FIG. 26 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a power transmission device according to a modification.
  • FIG. 27 is a schematic plan view schematically showing the power transmission device of FIG. 26.
  • FIG. 28 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a power transmission device according to a modification.
  • FIG. 29 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a power transmission device according to a modification.
  • the expression “at least one” as used herein means “one or more” of the desired options.
  • the expression “at least one” as used herein means “only one option” or “both of the two options” if the number of options is two.
  • the expression “at least one” as used herein means “only one option” or “any combination of two or more options” if there are three or more options. means.
  • FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a signal transmission device including a transformer according to the first embodiment.
  • 2 is a schematic plan view schematically showing the signal transmission device of FIG. 1.
  • FIG. The first embodiment is configured as a signal transmission device 10 including a transformer 15.
  • the signal transmission device 10 is a device that transmits a pulse signal while electrically insulating a primary terminal 11 and a secondary terminal 12.
  • Signal transmission device 10 is, for example, a digital isolator.
  • the signal transmission device 10 includes a primary circuit 13 electrically connected to a primary terminal 11, a secondary circuit 14 electrically connected to a secondary terminal 12, and a primary circuit 13.
  • a transformer 15 that electrically isolates the secondary circuit 14 is included.
  • the primary side circuit 13 is a circuit configured to operate when the first voltage V1 is applied.
  • the primary circuit 13 is electrically connected to, for example, an external control device (not shown).
  • the primary circuit 13 includes a transmitting circuit 13T.
  • the secondary side circuit 14 is a circuit configured to operate when a second voltage V2 different from the first voltage V1 is applied.
  • the second voltage V2 is higher than the first voltage V1, for example.
  • the first voltage V1 and the second voltage V2 are DC voltages.
  • the secondary circuit 14 is electrically connected to, for example, a drive circuit that is controlled by a control device.
  • An example of a drive circuit is a switching circuit.
  • the secondary circuit 14 includes a receiving circuit 14R. A ground for the primary circuit 13 and a ground for the secondary circuit 14 are provided independently.
  • the transformer 15 is connected between the transmitting circuit 13T and the receiving circuit 14R.
  • the transformer 15 includes a primary coil 16 and a secondary coil 17.
  • the secondary coil 17 includes a first coil 17A and a second coil 17B.
  • the first coil 17A and the second coil 17B are electrically connected to each other. Thereby, the first coil 17A and the second coil 17B of the secondary coil 17 are connected in series to the receiving circuit 14R.
  • a control signal from, for example, a control device is input to the transmission circuit 13T of the primary side circuit 13 through the primary side terminal 11.
  • the control signal is received by the receiving circuit 14R of the secondary circuit 14 from the transmitting circuit 13T of the primary circuit 13 via the transformer 15.
  • the signal transmitted to the secondary circuit 14 is output from the secondary circuit 14 to the drive circuit through the secondary terminal 12.
  • the primary side circuit 13 and the secondary side circuit 14 are electrically insulated by the transformer 15. More specifically, while the transformer 15 restricts the transmission of DC voltage between the primary circuit 13 and the secondary circuit 14, it allows the transmission of pulse signals.
  • the state where the primary side circuit 13 and the secondary side circuit 14 are insulated refers to the state where the transmission of DC voltage is cut off between the primary side circuit 13 and the secondary side circuit 14. This means that transmission of pulse signals from the primary circuit 13 to the secondary circuit 14 is permitted. In this way, the secondary circuit 14 is configured to receive the signal from the primary circuit 13.
  • the dielectric strength voltage of the signal transmission device 10 is, for example, 2500 Vrms or more and 7500 Vrms or less.
  • the dielectric strength voltage of the signal transmission device 10 of the first embodiment is approximately 5700 Vrms.
  • the specific numerical value of the dielectric strength voltage of the signal transmission device 10 is not limited to this and is arbitrary.
  • the signal transmission device 10 is a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are packaged into one package.
  • the package format of the signal transmission device 10 is, for example, an SO (Small Outline) system, and in the first embodiment is an SOP (Small Outline Package). Note that the package format of the signal transmission device 10 can be changed arbitrarily.
  • the signal transmission device 10 includes a first chip 31, a second chip 32, and a transformer 40 as semiconductor chips.
  • the first chip 31 includes the primary side circuit 13 shown in FIG.
  • the second chip 32 includes the secondary side circuit 14 shown in FIG.
  • the transformer 40 includes the transformer 15 (the primary coil 16 and the secondary coil 17) shown in FIG.
  • the signal transmission device 10 includes a primary die pad 21 and a secondary die pad 22. Both the primary die pad 21 and the secondary die pad 22 are formed into a flat plate shape. Both the primary die pad 21 and the secondary die pad 22 are made of a conductive material.
  • each die pad 21, 22 is formed of a material containing Cu (copper). Note that each die pad 21, 22 may be formed of other metal materials such as Al (aluminum). Moreover, the material constituting each die pad 21, 22 is not limited to a conductive material.
  • each die pad 21, 22 may be made of ceramic such as alumina. That is, each die pad 21, 22 may be formed of a material having electrical insulation properties.
  • plan view means viewing from the z direction.
  • the first chip 31 and transformer 40 are mounted on the primary die pad 21.
  • the first chip 31 and the transformer 40 are bonded to the primary die pad 21 using bonding materials SD1 and SD2.
  • the bonding materials SD1 and SD2 are, for example, conductive bonding materials such as solder and Ag (silver) paste.
  • an insulating bonding material such as an epoxy resin may be used as the bonding materials SD1 and SD2.
  • the material of the bonding material SD1 of the first chip 31 and the material of the bonding material SD2 of the transformer 40 may be different from each other.
  • the second chip 32 is mounted on the secondary die pad 22.
  • the second chip 32 is bonded to the secondary die pad 22 by a bonding material SD3.
  • the bonding material SD3 is, for example, a conductive bonding material such as solder or Ag paste.
  • an insulating bonding material such as epoxy resin may be used as the bonding material SD3.
  • the signal transmission device 10 includes a plurality of primary leads 23 and a plurality of secondary leads 24.
  • FIG. 2 shows four primary leads 23A to 23D and four secondary leads 24A to 24D.
  • the primary leads 23A and 23D are connected to the primary die pad 21.
  • the primary leads 23B and 23C are connected to the first chip 31 by primary wires W11A and W11B.
  • the primary leads 23B and 23C are used for supplying operating voltage to the first chip 31, inputting signals, and the like.
  • the primary lead 23B or the primary lead 23C is used as the primary terminal 11 shown in FIG.
  • the first chip 31 is connected to the primary die pad 21 by a wire W12.
  • the number, shape, connection state, etc. of the primary leads 23 can be changed as appropriate.
  • Wires W11A, W11B, and W12 are bonding wires formed by a wire bonding device.
  • the wires W11A, W11B, and W12 are made of a conductor such as Au (gold), Al,
  • the secondary leads 24A and 24D are connected to the secondary die pad 22.
  • the secondary leads 24B and 24C are connected to the second chip 32 by secondary wires W17A and W17B.
  • the secondary leads 24B and 24C are used for supplying operating voltage to the second chip 32, outputting signals, and the like.
  • the secondary lead 24B or the secondary lead 24C is used as the secondary terminal 12 shown in FIG.
  • the second chip 32 is connected to the secondary die pad 22 by a wire W16.
  • the number, shape, connection state, etc. of the secondary leads 24 can be changed as appropriate.
  • Wires W16, W17A, and W17B are bonding wires formed by a wire bonding device.
  • the wires W16, W17A, and W17B are made of a conductor such as Au, Al, or Cu.
  • the first chip 31 is connected to the transformer 40 by wires W13A and W13B.
  • the transformer 40 is connected to the second chip 32 by wires W15A and W15B.
  • a wire W14 serving as a connecting member is connected to the transformer 40.
  • Wires W13A, W13B, W14, W15A, and W15B are bonding wires formed by a wire bonding device.
  • the wires W13A, W13B, W14, W15A, and W15B are made of a conductor such as Au, Al, or Cu.
  • the signal transmission device 10 further includes a sealing resin 27.
  • the sealing resin 27 seals a portion of each die pad 21, 22, each chip 31, 32, a transformer 40, and each lead 23, 24.
  • the sealing resin 27 is made of an electrically insulating material. A black epoxy resin is used as an example of such a material.
  • the sealing resin 27 is formed into a rectangular plate shape with the thickness direction in the z direction.
  • the transformer 40 is mounted on the primary die pad 21. That is, both the transformer 40 and the first chip 31 are mounted on the primary die pad 21.
  • the transformer 40 and the first chip 31 are arranged at a distance from each other in the x direction on the primary die pad 21. Therefore, it can be said that the first chip 31, the transformer 40, and the second chip 32 are arranged apart from each other in the x direction.
  • the first chip 31, the transformer 40, and the second chip 32 are arranged in this order. In other words, the transformer 40 is arranged between the first chip 31 and the second chip 32 in the x direction.
  • the distance between the primary die pad 21 and the secondary die pad 22 in the x direction is larger than the distance between the first chip 31 and the transformer 40 in the x direction. Therefore, the distance between the first chip 31 and the transformer 40 is smaller than the distance between the transformer 40 and the second chip 32 in the x direction. In other words, the transformer 40 is arranged closer to the first chip 31 than the second chip 32.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the transformer 40. 4 is a sectional view taken along the line F4-F4 in FIG. 3, and FIG. 5 is a sectional view taken along the line F5-F5 in FIG. In FIG. 3, the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 are shown in solid lines for easy understanding.
  • the transformer 40 is a transformer chip that includes an outer coil conductor wiring 60 and an inner coil conductor wiring 70.
  • the primary coil 16 shown in FIG. 1 includes an outer coil conductor wiring 60.
  • the secondary coil 17 shown in FIG. 1 includes an inner coil conductor wiring 70.
  • the secondary coil 17 includes a first coil 17A and a second coil 17B.
  • the inner coil conductor wiring 70 includes a first inner coil 71 that functions as the first coil 17A and a second inner coil 72 that functions as the second coil 17B.
  • the transformer 40 includes a chip main surface 41 and a chip back surface 42 facing opposite to the chip main surface 41. Furthermore, the transformer 40 includes four chip side surfaces 43, 44, 45, and 46 perpendicular to both the chip main surface 41 and the chip back surface 42.
  • the chip side surfaces 43 and 44 constitute both end surfaces of the transformer 40 in the x direction.
  • the chip side surfaces 45 and 46 constitute both end surfaces of the transformer 40 in the y direction.
  • the transformer 40 includes a substrate 51 and an insulator 52 disposed on the substrate 51.
  • the substrate 51 has a substrate main surface 51S and a substrate back surface 51R facing oppositely to each other in the z direction.
  • the substrate back surface 51R constitutes the chip back surface 42 of the transformer 40.
  • the substrate 51 is made of, for example, a semiconductor substrate.
  • the substrate 51 is a substrate formed from a material containing Si (silicon).
  • the substrate 51 may be made of a wide bandgap semiconductor or a compound semiconductor as a semiconductor substrate.
  • the substrate 51 may be an insulating substrate made of a material containing glass.
  • a wide band gap semiconductor is a semiconductor substrate having a band gap of 2.0 eV or more.
  • the wide bandgap semiconductor may be SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride), Ga 2 O 3 (gallium oxide), or the like.
  • the compound semiconductor may be a III-V compound semiconductor.
  • the compound semiconductor may include at least one of AlN (aluminum nitride), InN (indium nitride), GaN, and GaAs (gallium arsenide).
  • the insulator 52 is formed on the main substrate surface 51S of the substrate 51.
  • the insulator 52 is in contact with the substrate main surface 51S of the substrate 51.
  • Insulator 52 includes a plurality of insulating layers 53.
  • the insulator 52 includes a lowermost insulating layer 53D, an uppermost insulating layer 53U, and insulating layers 531 to 536 between the lowermost insulating layer 53D and the uppermost insulating layer 53U.
  • the insulating layers 53D, 531 to 536, and 53U are laminated in the z direction from the main substrate surface 51S of the substrate 51. Therefore, it can be said that the z direction is the thickness direction of the insulator 52. Further, the z direction can also be said to be the lamination direction of the plurality of insulating layers 53D, 531 to 536, and 53U included in the insulator 52.
  • the lowermost insulating layer 53D is in contact with the main substrate surface 51S of the substrate 51.
  • the upper surface of the uppermost insulating layer 53U constitutes a chip main surface 41 of the transformer 40.
  • the uppermost insulating layer 53U of the plurality of insulating layers 53D, 531 to 536, 53U will be referred to as the second insulating layer 53U, and the insulating layers 53D, 531 to 536 other than the second insulating layer 53U will be referred to as the second insulating layer 53U. They may be shown as first insulating layers 53D, 531-536.
  • the first insulating layers 53D, 531 to 536 are made of, for example, a material containing Si (silicon). As the material containing Si, SiO 2 (silicon oxide), SiN (silicon nitride), SiC, SiCN (nitrogen-doped silicon carbide), etc. can be used. Note that at least one of the first insulating layers 53D, 531 to 536 may be made of a different material. Furthermore, at least one of the first insulating layers 53D, 531 to 536 may be formed by laminating a plurality of films. The first insulating layers 53D, 531 to 536 may be composed of a thin film formed of a material containing SiN, SiC, SiCN, etc., and an interlayer insulating film formed of a material containing SiO 2 .
  • the second insulating layer 53U is made of, for example, a material containing resin having electrical insulation properties.
  • the second insulating layer 53U is formed of, for example, a passivation film including a nitride film and a resin film having electrical insulation properties.
  • the nitride film includes, for example, materials such as Si 3 N 4 , SiN, and SiCN.
  • the resin film includes, for example, polyimide (PI). Note that the second insulating layer 53U may be formed of a material containing Si, similar to the first insulating layers 53D and 531 to 536.
  • transformer 40 includes outer coil conductor wiring 60 and inner coil conductor wiring 70. As shown in FIGS. As shown in FIG. 4, the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 are embedded in the insulator 52.
  • the outer coil conductor wiring 60 includes a first outer coil 61 and a second outer coil 62.
  • the first outer coil 61 includes a first end 61A and a second end 61B opposite to the first end 61A.
  • the second outer coil 62 includes a first end 62A and a second end 62B opposite to the first end 62A.
  • the second end 61B of the first outer coil 61 and the second end 62B of the second outer coil 62 are electrically connected to each other.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 are each formed in a circular spiral shape in plan view.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 are connected to each other when a current flows from a first end of one of the first outer coil 61 and second outer coil 62 to a first end of the other outer coil. They are wound so that magnetic fluxes are generated in opposite directions.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 have a symmetrical shape, and are formed in a point symmetrical shape.
  • the first end 61A is arranged inside the spiral, and the second end 61B is arranged outside the spiral. That is, the first outer coil 61 is wound in a spiral shape with the first end 61A as the inner end and the second end 61B as the outer end.
  • the first end 62A is located inside the spiral, and the second end 62B is located outside the spiral.
  • the second outer coil 62 is wound in a spiral shape, with the first end 62A being the inner end and the second end 62B being the outer end.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 are electrically connected to each other at second ends 61B and 62B, which are the respective outer peripheral edge portions.
  • the outer coil conductor wiring 60 is provided on the uppermost first insulating layer 536.
  • the outer coil conductor wiring 60 is formed of a material containing one or more appropriately selected from Ti (titanium), TiN (titanium nitride), Au, Ag, Cu, Al, and W (tungsten). There is.
  • the outer coil conductor wiring 60 of the first embodiment is formed of a material containing Al.
  • the inner coil conductor wiring 70 includes a first inner coil 71 and a second inner coil 72.
  • the first inner coil 71 includes a first end 71A and a second end 71B opposite to the first end 71A.
  • the second inner coil 72 includes a first end 72A and a second end 72B opposite to the first end 71A.
  • the first inner coil 71 is arranged inside the first outer coil 61.
  • the first inner coil 71 is arranged so as not to overlap the first outer coil 61 in plan view.
  • the second inner coil 72 is arranged inside the second outer coil 62.
  • the second inner coil 72 is arranged so as not to overlap the second outer coil 62 in plan view.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 are each formed in a circular spiral shape in plan view.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 have a symmetrical shape, and are formed in a point symmetrical shape.
  • the first inner coil 71 In the spiral-shaped first inner coil 71, the first end 71A is arranged inside the spiral, and the second end 71B is arranged outside the spiral. That is, the first inner coil 71 is wound in a spiral shape with the first end 71A as the inner end and the second end 71B as the outer end. Similarly, in the spiral second inner coil 72, the first end 72A is located inside the spiral, and the second end 72B is located outside the spiral. In other words, the second inner coil 72 is wound in a spiral shape with the first end 72A as the inner end and the second end 72B as the outer end. Note that the first inner coil 71 and the second inner coil 72 may have first ends 71A, 72A as outer circumferential ends and second ends 71B, 72B as inner circumferential ends.
  • the first inner coil 71 and second inner coil 72 of the inner coil conductor wiring 70 are provided on the first insulating layer 536 as the uppermost layer.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 are formed of a material containing one or more appropriately selected from Ti, TiN, Au, Ag, Cu, Al, and W.
  • the inner coil conductor wiring 70 of the first embodiment is formed of a material containing Al.
  • the transformer 40 includes a first wiring section 80 and a second wiring section 90.
  • the first wiring section 80 and the second wiring section 90 are electrically connected to the outer coil conductor wiring 60.
  • the first wiring section 80 is electrically connected to the first end 61A of the first outer coil 61 of the outer coil conductor wiring 60.
  • the second wiring section 90 is electrically connected to the first end 62A of the second outer coil 62 of the outer coil conductor wiring 60.
  • the first wiring section 80 includes a connection wiring 81, vias 82 and 83, and a terminal section 84.
  • the first wiring section 80 is formed of a material containing one or more appropriately selected from Ti, TiN, Au, Ag, Cu, Al, and W.
  • the terminal portion 84 is arranged near the chip side surface 43.
  • the terminal portion 84 is arranged at the same position in the y direction as the first end 61A of the first outer coil 61 in plan view. Note that the arrangement position of the terminal portion 84 may be changed arbitrarily.
  • connection wiring 81 is arranged below the first outer coil 61.
  • the connection wiring 81 is provided in the first insulating layer 534 two layers below the first insulating layer 536 on which the first outer coil 61 is provided.
  • the connection wiring 81 is formed to extend toward the chip side surface 43 from the first end 81A connected to the first outer coil 61.
  • the connection wiring 81 extends from the first end 61A of the first outer coil 61 to the terminal portion 84 in plan view.
  • the first end 81A of the connection wiring 81 is electrically connected to the first end 61A of the first outer coil 61 via the via 82.
  • the second end 81B of the connection wiring 81 is electrically connected to the terminal portion 84 via the via 83.
  • the second wiring section 90 includes a connection wiring 91, vias 92 and 93, and a terminal section 94.
  • the second wiring section 90 is formed of a material containing one or more appropriately selected from Ti, TiN, Au, Ag, Cu, Al, and W.
  • the connection wiring 91, vias 92, 93, and terminal portion 94 of the second wiring portion 90 are arranged in the same manner as the connection wiring 81, vias 82, 83, and terminal portion 84 of the first wiring portion 80.
  • connection wiring 91 The first end 91A of the connection wiring 91 is electrically connected to the first end 62A of the second outer coil 62 through the via 92, and the second end 91B of the connection wiring 91 is electrically connected to the terminal portion 94 through the via 93. It is connected.
  • the second insulating layer 53U includes openings 53U1 and 53U2 that expose portions of the first wiring section 80 and the second wiring section 90, respectively.
  • the openings 53U1 and 53U2 are formed to expose the terminal parts 84 and 94 of the first wiring part 80 and the second wiring part 90.
  • Wires W13A and W13B are connected to the terminal portions 84 and 94 exposed through the openings 53U1 and 53U2.
  • the terminal portions 84 and 94 exposed through the openings 53U1 and 53U2 can be said to be connection pads that connect the wires W13A and W13B.
  • wires W13A and W13B are connected to the first chip 31. Therefore, the terminal portions 84 and 94 exposed through the openings 53U1 and 53U2 can also be called connection pads that connect the transformer 40 to the first chip 31.
  • the second insulating layer 53U includes a plurality of openings 53U3, 53U4, 53U5, and 53U6 that expose a portion of the inner coil conductor wiring 70.
  • the opening 53U3 is formed to expose the first end 71A of the first inner coil 71.
  • the opening 53U4 is formed to expose the second end 71B of the first inner coil 71.
  • the opening 53U5 is formed to expose the first end 72A of the second inner coil 72.
  • the opening 53U6 is formed to expose the second end 72B of the second inner coil 72.
  • the wire W15A is connected to the second end 71B of the first inner coil 71 exposed through the opening 53U4.
  • the first end W14A of the wire W14 is connected to the first end 71A of the first inner coil 71 exposed through the opening 53U3, and the second end W14B of the wire W14 is connected to the second inner coil 72 exposed through the opening 53U5. is connected to the first end 72A of.
  • a wire W15B is connected to the second end 72B of the second inner coil 72 exposed through the opening 53U6.
  • first ends 71A, 72A exposed through the openings 53U3, 53U5 and the second ends 71B, 72B exposed through the openings 53U4, 53U6 are connection pads that connect the wires W14, W15A, W15B.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 are electrically insulated from each other and configured to be magnetically coupled.
  • the transformer 40 of the first embodiment is configured such that the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 can be magnetically coupled along a plane parallel to the substrate main surface 51S of the substrate 51.
  • the first inner coil 71 of the inner coil conductor wiring 70 is arranged inside the first outer coil 61 of the outer coil conductor wiring 60. Therefore, a current flows in the first inner coil 71 in a direction that corresponds to the direction of the magnetic flux generated by the current flowing in the first outer coil 61.
  • the second inner coil 72 of the inner coil conductor wiring 70 is arranged inside the second outer coil 62 of the outer coil conductor wiring 60. Therefore, a current flows in the second inner coil 72 in a direction that corresponds to the direction of the magnetic flux generated by the current flowing in the second outer coil 62.
  • the wire W14 connects the first inner coil 71 and the second inner coil 72. Therefore, the wire W14 is connected so that the current flowing through the first inner coil 71 and the current flowing through the second inner coil 72 are taken out by the wires W15A and W15B.
  • the direction of the current is the same as the direction of the current generated in the second inner coil 72. connected like this.
  • a wire W15A is connected to the second end 71B of the first inner coil 71 exposed through the opening 53U4. Further, a wire W15B is connected to the second end 72B of the second inner coil 72 exposed through the opening 53U6. These wires W15A and W15B are connected to the second chip 32, as shown in FIG. Therefore, the second ends 71B and 72B exposed through the openings 53U4 and 53U6 can also be called connection pads that connect the transformer 40 to the second chip 32.
  • the outer coil conductor wiring 60 includes a first outer coil 61 and a second outer coil 62.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 are formed on the same first insulating layer 536 of the first insulating layers 53D, 531 to 536 stacked on the substrate 51. Therefore, the distance D61 from the substrate 51 to the first outer coil 61 is equal to the distance D62 from the substrate 51 to the second outer coil 62.
  • the inner coil conductor wiring 70 includes a first inner coil 71 and a second inner coil 72.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 are formed on the same first insulating layer 536 among the first insulating layers 53D, 531 to 536 stacked on the substrate 51. Therefore, the distance D71 from the substrate 51 to the first inner coil 71 is equal to the distance D72 from the substrate 51 to the second inner coil 72.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 are arranged at the same position as the first outer coil 61 and the second outer coil 62 in the z direction. Therefore, the distances D71 and D72 from the substrate 51 to the first inner coil 71 and the second inner coil 72 are equal to the distances D61 and D62 from the substrate 51 to the first outer coil 61 and the second outer coil 62.
  • Connection wires 81 and 91 of the first wiring portion 80 and the second wiring portion 90 connected to the outer coil conductor wiring 60 are arranged in the first insulating layer 534 under the outer coil conductor wiring 60. Therefore, the distance D80 from the board 51 to the connection wiring 81 is the distance D61, D62 from the board 51 to the first outer coil 61 and the second outer coil 62, and the distance D62 is from the board 51 to the first inner coil 71 and the second inner coil 72. is smaller than the distances D71 and D72. Further, the distance D90 from the substrate 51 to the connection wiring 91 is smaller than the distances D61, D62, D71, and D72.
  • the distance D80 is the shortest distance between the first outer coil 61 and the first inner coil 71 to the substrate 51 in the z direction.
  • the distance D90 is the shortest distance between the second outer coil 62 and the second inner coil 72 to the substrate 51 in the z direction.
  • the distances D11 and D12 between the first outer coil 61 and the first inner coil 71 are equal to each other.
  • the distances D11 and D12 are the first shortest distances between the first outer coil 61 and the first inner coil 71.
  • the distances D21 and D22 between the second outer coil 62 and the second inner coil 72 are equal to each other.
  • the distances D21 and D22 are the second shortest distances between the second outer coil 62 and the second inner coil 72.
  • the distances D11 and D12 between the first outer coil 61 and the first inner coil 71 and the distances D21 and D22 between the second outer coil 62 and the second inner coil 72 are equal to each other.
  • each distance D11, D12, D21, D22, D80, and D90 from the substrate 51 affects the dielectric strength voltage of the transformer 40.
  • the outer coil conductor wiring 60 (primary coil 16) is electrically connected to the first chip 31 including the primary circuit 13. ing. Both the first chip 31 and the transformer 40 are mounted on the primary die pad 21. Therefore, the common voltage of the substrate 51 of the transformer 40 and the primary circuit 13 of the first chip 31 is the same.
  • the outer coil conductor wiring 60 (first outer coil 61 and second outer coil 62) of the transformer 40 is connected to the first chip 31. Therefore, the common voltage of the outer coil conductor wiring 60 (the first outer coil 61 and the second outer coil 62) is the same as the common voltage of the primary circuit 13 of the first chip 31.
  • the dielectric strength of the transformer 40 is determined by the shortest distance between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 (the first shortest distance, the second shortest distance), and the distance between the outer coil conductor wiring 60 and the substrate 51. Determined by the shortest thickness between.
  • the shortest distance can be adjusted by the shapes of the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70, that is, the layout design of the transformer 40. That is, the dielectric strength of the transformer 40 can be adjusted by designing the layout of the transformer 40. Therefore, the dielectric strength voltage of the transformer 40 can be easily changed.
  • transformer 40X as a comparative example with respect to the transformer 40 of the first embodiment will be described.
  • the same reference numerals are given to the same components as those of the transformer 40 of the first embodiment.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional structure of a transformer 40X of a comparative example.
  • a primary coil 16X and a secondary coil 17X are arranged in an overlapping manner in the thickness direction of an insulator 52 on a substrate 51. That is, the transformer 40X of the comparative example includes a primary coil 16X and a secondary coil 17X that are arranged to be magnetically coupled in the thickness direction of the insulator 52.
  • the transformer 40X of the comparative example is mounted on the primary die pad 21 shown in FIG. In this case, the primary coil 16X is arranged closer to the substrate 51 than the secondary coil 17X.
  • a parasitic capacitor C1X is generated between the primary coil 16X and the substrate 51. This parasitic capacitor C1X has a capacitance value that corresponds to the distance D1X between the substrate 51 and the primary coil 16X and the opposing area between the substrate 51 and the primary coil 16X.
  • a parasitic capacitor C2X is generated between the primary coil 16X and the secondary coil 17X. This parasitic capacitor C2X has a capacitance value that corresponds to the distance D2X between the primary coil 16X and the secondary coil 17X and the opposing area between the primary coil 16X and the secondary coil 17X.
  • the wiring resistance value can be reduced by widening the wiring width of the primary coil 16X and the secondary coil 17X.
  • the wiring width is increased, the opposing area between the substrate 51 and the primary coil 16X increases, and the capacitance value of the parasitic capacitor C1X increases.
  • the opposing area between the primary coil 16X and the secondary coil 17X increases, and the capacitance value of the parasitic capacitor C2X increases.
  • Increasing the wiring thickness of the primary coil 16X and the secondary coil 17X affects the thickness of the insulating layer 53 that embeds the primary coil 16X and the secondary coil 17X, that is, the manufacturing process, and also affects the substrate. 51 and the primary coil 16X, and the distance between the primary coil 16X and the secondary coil 17X, that is, the dielectric strength voltage of the transformer 40 is affected. In order to obtain a dielectric strength voltage higher than a certain value, it is necessary to thicken the insulator 52, that is, increase the number of insulating layers constituting the insulator 52, which affects the manufacturing process of the transformer 40.
  • the transformer 40 of the first embodiment includes an outer coil conductor wiring 60, and the outer coil conductor wiring 60 includes both a first outer coil 61 and a second outer coil 62. .
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 have second ends 61B and 62B electrically connected to each other.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 generate magnetic fluxes in opposite directions when current flows from the first end 61A of the first outer coil 61 to the first end 62A of the second outer coil 62. It is rolled up like this. For example, as shown in FIG. 6, an upward magnetic flux is generated in the first outer coil 61, and a downward magnetic flux is generated in the second outer coil 62.
  • the magnetic flux M1 generated by the outer coil conductor wiring 60 forms a smaller loop than the transformer 40X of the comparative example. Therefore, the magnetic flux crossing the inner coil conductor wiring 70 is larger than that of the comparative example transformer 40X. Therefore, the efficiency of magnetic coupling between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 can be improved. As a result, the transfer characteristics between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 of the transformer 40 can be improved.
  • the magnetic flux M1 generated by the outer coil conductor wiring 60 forms a smaller loop than the transformer 40X of the comparative example.
  • the magnetic flux generated in this manner passes through the substrate 51 along the main substrate surface 51S of the substrate 51. Therefore, eddy currents are less likely to occur in the substrate 51 compared to the transformer 40X of the comparative example. Therefore, in the transformer 40 of the first embodiment, loss with respect to the magnetic flux M1 can be reduced. In addition, the influence on the efficiency of magnetic coupling in the transformer 40 can be reduced. As a result, the transfer characteristics between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 of the transformer 40 can be improved.
  • the wiring resistance values of the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 affect the amount of current flowing through the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70, respectively, and the degree of magnetic coupling.
  • the wiring resistance value of the outer coil conductor wiring 60 is obtained by widening the wiring width of the outer coil conductor wiring 60 and decreasing the aspect ratio of the wiring thickness to the wiring width.
  • the wiring resistance value of the inner coil conductor wiring 70 can be obtained by increasing the wiring width of the inner coil conductor wiring 70 and decreasing the aspect ratio of the wiring thickness to the wiring width.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 face each other in the x direction and the y direction. Therefore, even if the wiring width is increased, the opposing area between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 does not change. That is, the capacitance values of the parasitic capacitors C11, C12, C21, and C22 between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 do not change. That is, compared to the transformer 40X of the comparative example, the wiring resistance value can be reduced without increasing the capacitance values of the parasitic capacitors C11, C12, C21, and C22 between the coils.
  • the capacitance value of the parasitic capacitor C60 between the substrate 51 and the outer coil conductor wiring 60 depends on the distance from the substrate 51 to the outer coil conductor wiring 60, assuming that the wiring width is constant. As the distance increases, the capacitance value decreases.
  • the insulator 52 has the same thickness as the transformer 40X of the comparative example, in the transformer 40 of the first embodiment, the distances D61 and D62 from the substrate 51 to the outer coil conductor wiring 60, and the distances D61 and D62 from the substrate 51 to the inner coil conductor wiring 70.
  • the distances D71 and D72 are larger than those of the comparative example transformer 40X. Therefore, the capacitance values of parasitic capacitors C60 and C70 can be reduced. If the capacitance values of the parasitic capacitors C60 and C70 are the same as those of the transformer 40X of the comparative example, the insulator 52 can be made thinner, that is, the transformer 40 can be made thinner.
  • the transformer 40 of the first embodiment provides the following effects.
  • (1-1) The transformer 40 of the first embodiment includes an outer coil conductor wiring 60, and the outer coil conductor wiring 60 includes both a first outer coil 61 and a second outer coil 62.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 have second ends 61B and 62B electrically connected to each other.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 generate magnetic fluxes in opposite directions when current flows from the first end 61A of the first outer coil 61 to the first end 62A of the second outer coil 62. It is rolled up like this.
  • the magnetic flux M1 generated by the outer coil conductor wiring 60 forms a smaller loop than the transformer 40X of the comparative example.
  • the magnetic flux crossing the inner coil conductor wiring 70 is larger than that of the comparative example transformer 40X. Therefore, the efficiency of magnetic coupling between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 can be improved. As a result, the transfer characteristics between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 of the transformer 40 can be improved.
  • the magnetic flux M1 generated by the outer coil conductor wiring 60 forms a smaller loop than the transformer 40X of the comparative example.
  • the magnetic flux generated in this manner passes through the substrate 51 along the main substrate surface 51S of the substrate 51. Therefore, eddy currents are less likely to occur in the substrate 51 compared to the transformer 40X of the comparative example. Therefore, in the transformer 40 of the first embodiment, loss with respect to the magnetic flux M1 can be reduced. In addition, the influence on the efficiency of magnetic coupling in the transformer 40 can be reduced. As a result, the transfer characteristics between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 of the transformer 40 can be improved.
  • the wiring resistance values of the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 affect the amount of current flowing through the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70, respectively, and the degree of magnetic coupling.
  • the wiring resistance value of the outer coil conductor wiring 60 is obtained by widening the wiring width of the outer coil conductor wiring 60 and decreasing the aspect ratio of the wiring thickness to the wiring width.
  • the wiring resistance value of the inner coil conductor wiring 70 can be obtained by increasing the wiring width of the inner coil conductor wiring 70 and decreasing the aspect ratio of the wiring thickness to the wiring width.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 face each other in the x direction and the y direction. Therefore, even if the wiring width is increased, the opposing area between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 does not change. That is, the capacitance values of the parasitic capacitors C11, C12, C21, and C22 between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 do not change. That is, compared to the transformer 40X of the comparative example, the wiring resistance value can be reduced without increasing the capacitance values of the parasitic capacitors C11, C12, C21, and C22 between the coils.
  • the capacitance value of the parasitic capacitor C60 between the substrate 51 and the outer coil conductor wiring 60 depends on the distance from the substrate 51 to the outer coil conductor wiring 60, assuming that the wiring width is constant. As the distance increases, the capacitance value decreases.
  • the insulator 52 has the same thickness as the transformer 40X of the comparative example, in the transformer 40 of the first embodiment, the distances D61 and D62 from the substrate 51 to the outer coil conductor wiring 60, and the distances D61 and D62 from the substrate 51 to the inner coil conductor wiring 70.
  • the distances D71 and D72 are larger than those of the comparative example transformer 40X. Therefore, the capacitance values of parasitic capacitors C60 and C70 can be reduced. If the capacitance values of the parasitic capacitors C60 and C70 are the same as those of the transformer 40X of the comparative example, the insulator 52 can be made thinner, that is, the transformer 40 can be made thinner.
  • each distance D11, D12, D21, D22, D80, and D90 from the substrate 51 affects the dielectric strength voltage of the transformer 40.
  • the outer coil conductor wiring 60 (primary coil 16) is electrically connected to the first chip 31 including the primary circuit 13. ing. Both the first chip 31 and the transformer 40 are mounted on the primary die pad 21. Therefore, the common voltage of the substrate 51 of the transformer 40 and the primary circuit 13 of the first chip 31 is the same.
  • the outer coil conductor wiring 60 (first outer coil 61 and second outer coil 62) of the transformer 40 is connected to the first chip 31. Therefore, the common voltage of the outer coil conductor wiring 60 (the first outer coil 61 and the second outer coil 62) is the same as the common voltage of the primary circuit 13 of the first chip 31.
  • the dielectric strength of the transformer 40 is determined by the shortest distance between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 (the first shortest distance, the second shortest distance), and the distance between the outer coil conductor wiring 60 and the substrate 51. Determined by the shortest thickness between.
  • the shortest distance can be adjusted by the shapes of the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70, that is, the layout design of the transformer 40. That is, the dielectric strength of the transformer 40 can be adjusted by designing the layout of the transformer 40. Therefore, the dielectric strength voltage of the transformer 40 can be easily changed.
  • the signal of the primary circuit 13 is efficiently transmitted to the secondary circuit 14 (reception circuit 14R). be able to.
  • the first embodiment described above can be modified as follows, for example.
  • the first embodiment and each of the following modified examples can be combined with each other as long as no technical contradiction occurs.
  • the same parts as in the first embodiment are given the same reference numerals as in the first embodiment, and the explanation thereof will be omitted.
  • the outer coil conductor wiring 60 includes a first outer coil 61 and a second outer coil 62 formed on two first insulating layers 536 and 538.
  • the first outer coils 61 of the first insulating layers 536 and 538 are connected in parallel by vias 65 .
  • the second outer coils 62 of the first insulating layers 536, 538 are connected in parallel by vias 66.
  • the number of first insulating layers forming the first outer coil 61 and the second outer coil 62 can be three or more.
  • the inner coil conductor wiring 70 includes a first inner coil 71 and a second inner coil 72 formed on two first insulating layers 536 and 538.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 of the first insulating layers 536 and 538 are connected in parallel by a via 75.
  • the number of first insulating layers forming the first inner coil 71 and the second inner coil 72 can be three or more.
  • the outer coil conductor wiring 60 includes a first outer coil 61, a second outer coil 62, and a third outer coil 63 connected to the first outer coil 61. and a fourth outer coil 64 connected to the second outer coil 62.
  • the third outer coil 63 is arranged so as to overlap the first outer coil 61 when viewed from the z direction.
  • the third outer coil 63 includes coil portions 631 and 632 formed in two first insulating layers 536 and 538, respectively.
  • the coil portions 631 and 632 are connected in series between the first end 61A of the first outer coil 61 and the first wiring portion 80.
  • the fourth outer coil 64 is arranged so as to overlap the second outer coil 62 when viewed from the z direction.
  • the fourth outer coil 64 includes coil portions 641 and 642 formed in the two first insulating layers 536 and 538, respectively.
  • the coil portions 641 and 642 are connected in series between the first end 62A of the second outer coil 62 and the second wiring portion 90.
  • the third outer coil 63 and the first outer coil 61 are connected in series between the first wiring section 80 and the second outer coil 62. Further, a second outer coil 62 and a fourth outer coil 64 are connected in series between the first outer coil 61 and the second wiring section 90. Therefore, the number of turns of the outer coil conductor wiring 60 disposed outside each of the first inner coil 71 and the second inner coil 72 can be increased. Thereby, the amount of magnetic flux generated by the outer coil conductor wiring 60 can be increased.
  • the third outer coils 63 (631, 632) formed on the two first insulating layers 536, 538 may be connected in parallel.
  • the fourth outer coils 64 (641, 642) formed on the two first insulating layers 536, 538 may be connected in parallel.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 may be formed in a plurality of first insulating layers and connected in parallel, as shown in FIG. 8 .
  • the inner coil conductor wiring 70 (first inner coil 71 and second inner coil 72) is arranged in the first insulating layer 538.
  • the first insulating layer 53 on which the inner coil conductor wiring 70 is arranged can be arbitrarily changed.
  • the modified transformer 40C shown in FIG. 11 is different from the transformer 40B shown in FIG. It is arranged so as not to overlap with the coil portion 631 arranged on the first insulating layer 536 when viewed from the z direction.
  • the first outer coil 61 and the third outer coil 63 in this manner, the opposing area in the z direction is reduced, and the capacitance of the parasitic capacitor can be reduced.
  • the fourth outer coil 64 by arranging the coil portion 642 so as not to overlap the second outer coil 62 and the coil portion 641 in plan view, the opposing area in the z direction is reduced, and the parasitic capacitor is reduced. Capacity can be reduced.
  • the first insulating layer 535 is different from the first insulating layer 537.
  • the inner coil conductor wiring 70 By arranging the inner coil conductor wiring 70 in this manner, the opposing area between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 is reduced, and the capacitance of the parasitic capacitor can be reduced.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 of the inner coil conductor wiring 70 only need to be arranged in the first insulating layer 53 different from the first insulating layer 537 in which the outer coil conductor wiring 60 is arranged. For example, it may be placed on the first insulating layer 536.
  • FIG. 13 is a circuit diagram schematically showing the configuration of the signal transmission device 10A as a modified example.
  • FIG. 14 is a schematic plan view of the signal transmission device 10A of FIG. 13.
  • the signal transmission device 10A of this modification differs from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the receiving circuit 14RA of the secondary circuit 14A.
  • the connection between the transformer 40 and the second chip 32A is different.
  • a wire W18A is connected to the first end 71A (see FIG. 4) of the first inner coil 71 exposed through the opening 53U3.
  • a wire W18B is connected to the first end 72A (see FIG. 4) of the second inner coil 72 exposed through the opening 53U5.
  • These wires W18A and W18B are connected to the second chip 32A. Therefore, the first ends 71A and 72A exposed through the openings 53U3 and 53U5 can also be called connection pads that connect the transformer 40 to the second chip 32A.
  • the transformer 40 includes second chips 32 having different configurations, such as the second chip 32 including the receiving circuit 14R shown in FIG. 2 and the second chip 32A including the receiving circuit 14RA shown in FIG.
  • the signal of the first chip 31 can be transmitted to 32A.
  • one type of transformer 40 can be used for two types of signal transmission devices 10 and 10A with different configurations.
  • outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 in plan view can be arbitrarily changed.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 may be formed in a rectangular shape.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 may be formed in a rectangular shape with corners rounded into arc shapes.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 may be formed in an elliptical shape.
  • FIG. 17 shows an elliptical shape that is longer in the x direction than in the y direction, it may also be an elliptical shape that is longer in the y direction than in the x direction.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 of the outer coil conductor wiring 60 may be provided on different insulating layers.
  • second outer coil 62 may be disposed on first insulating layer 536.
  • the second end 61B of the first outer coil 61 and the second end 62B of the second outer coil 62 are formed to overlap each other in plan view.
  • the second end 61B of the first outer coil 61 and the second end 62B of the second outer coil 62 are directly electrically connected.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 may be provided in different insulating layers.
  • the wires W13A and W13B may be configured to be directly connected to the outer coil conductor wiring 60 (the first outer coil 61 and the second outer coil 62).
  • the distance between the first end 61A of the first outer coil 61 of the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 (first inner coil 71) is greater than or equal to the distance required for the withstand voltage of the transformer 40.
  • the wire W13A can be connected to the first end 61A of the first outer coil 61.
  • the second outer coil 62 and the wire W13B are the wire W13B.
  • FIG. 18 is a circuit diagram schematically showing the configuration of a power transmission device including a transformer according to the second embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic plan view schematically showing the power transmission device of FIG. 18.
  • the second embodiment is configured as a power transmission device 100 including a transformer 101.
  • the transformer 101 of the second embodiment is configured as a printed wiring board (PCB).
  • power transmission device 100 is a device that transmits power from AC power source 111 to load 112 while electrically insulating between AC power source 111 and load 112.
  • Power transmission device 100 includes a transformer 101, diodes 102, 103, 104, 105, and a smoothing capacitor 106.
  • AC power supply 111 is connected to primary terminal 101A of transformer 101.
  • the diodes 102 to 104 are connected to the secondary terminal 101B of the transformer 101, and are connected to rectify the AC power transmitted by the transformer 101.
  • the transformer 101 of the second embodiment includes a primary coil 121 and a secondary coil 122.
  • the secondary coil 122 includes a first coil 122A and a second coil 122B, similar to the transformer 40 of the first embodiment.
  • the secondary coil 17 of the first embodiment is shown as two coils as shown in FIG. 2 .
  • the secondary coil 122 of the second embodiment is shown as one coil, as shown in FIG.
  • FIG. 19 is a schematic plan view schematically showing the power transmission device 100.
  • FIG. 20 is a sectional view taken along the line F20-F20 in FIG. 19.
  • FIG. 21 is a sectional view taken along the line F21-F21 in FIG. 19.
  • the transformer 130 includes an insulator 140, an outer coil conductor wiring 60, and an inner coil conductor wiring 70.
  • the insulator 140 is formed into a flat plate shape.
  • the insulator 140 includes a substrate main surface 141 and a substrate back surface 142 facing opposite to the substrate main surface 141.
  • the insulator 140 includes four substrate side surfaces 143, 144, 145, and 146 that are perpendicular to both the substrate main surface 141 and the substrate back surface 142.
  • the direction in which the main surface 141 of the substrate faces is defined as the z direction, and the two directions perpendicular to the z direction and mutually orthogonal are defined as the x direction and the y direction.
  • the substrate side surfaces 143 and 144 constitute both end surfaces in the x direction.
  • the substrate side surfaces 145 and 146 constitute both end surfaces in the y direction.
  • the insulator 140 is made of an electrically insulating material.
  • this material for example, a synthetic resin based on epoxy resin or the like can be used. Further, the material may contain a filler such as glass.
  • the insulator 140 of the second embodiment is made of glass epoxy resin.
  • the insulator 140 of the second embodiment is a resin substrate having insulation properties.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 are embedded in the insulator 140.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 are arranged at the center of the insulator 140 in the z direction.
  • the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 are formed of a material containing Cu. That is, the transformer 130 of the second embodiment is configured as a printed wiring board (PCB).
  • the outer coil conductor wiring 60 includes a first outer coil 61 and a second outer coil 62.
  • the first outer coil 61 includes a first end 61A and a second end 61B opposite to the first end 61A.
  • the second outer coil 62 includes a first end 62A and a second end 62B opposite to the first end 62A.
  • the second end 61B of the first outer coil 61 is electrically connected to the second end 62B of the second outer coil 62.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 are each formed in a rectangular spiral shape in plan view.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 are connected to each other when a current flows from a first end of one of the first outer coil 61 and second outer coil 62 to a first end of the other outer coil. They are wound so that magnetic fluxes are generated in opposite directions.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 have a symmetrical shape, and are formed in a point symmetrical shape.
  • the first end 61A is arranged inside the spiral, and the second end 61B is arranged outside the spiral. That is, the first outer coil 61 is wound in a spiral shape with the first end 61A as the inner end and the second end 61B as the outer end.
  • the first end 62A is located inside the spiral, and the second end 62B is located outside the spiral.
  • the second outer coil 62 is wound in a spiral shape, with the first end 62A being the inner end and the second end 62B being the outer end.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 are electrically connected to each other at second ends 61B and 62B, which are the respective outer peripheral edge portions.
  • the inner coil conductor wiring 70 includes a first inner coil 71 and a second inner coil 72.
  • the first inner coil 71 includes a first end 71A and a second end 71B opposite to the first end 71A.
  • the second inner coil 72 includes a first end 72A and a second end 72B opposite to the first end 72A.
  • the first inner coil 71 is arranged inside the first outer coil 61 in plan view.
  • the first inner coil 71 is arranged so as not to overlap the first outer coil 61 in plan view.
  • the second inner coil 72 is arranged inside the second outer coil 62 in plan view.
  • the second inner coil 72 is arranged so as not to overlap the second outer coil 62 in plan view.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 are each formed in a rectangular spiral shape in plan view.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 are arranged so that when a current flows from the first end of one of the first inner coil 71 and the second inner coil 72 to the first end of the other inner coil, They are wound so that magnetic fluxes are generated in opposite directions.
  • the first inner coil 71 and the second inner coil 72 have a symmetrical shape, and are formed in a point symmetrical shape.
  • the first end 71A is arranged inside the spiral, and the second end 71B is arranged outside the spiral. That is, the first inner coil 71 is wound in a spiral shape with the first end 71A as the inner end and the second end 71B as the outer end.
  • the first end 72A is located inside the spiral, and the second end 72B is located outside the spiral.
  • the second inner coil 72 is wound in a spiral shape with the first end 72A as the inner end and the second end 72B as the outer end.
  • the transformer 130 includes a first primary wiring 180 and a second primary wiring 190.
  • the primary side first wiring 180 and the primary side second wiring 190 are electrically connected to the outer coil conductor wiring 60.
  • the primary side first wiring 180 is electrically connected to the first end 61A of the first outer coil 61 of the outer coil conductor wiring 60.
  • the primary side second wiring 190 is electrically connected to the first end 62A of the second outer coil 62 of the outer coil conductor wiring 60.
  • the primary side first wiring 180 includes a connection wiring 181, a terminal portion 182, and through wirings 183 and 184.
  • the primary side first wiring 180 is formed of a material containing Cu.
  • the connection wiring 181 is provided on the back surface 142 of the substrate.
  • the connection wiring 181 is in contact with the back surface 142 of the substrate.
  • the connection wiring 181 extends from the first end 61A of the first outer coil 61 in the x direction.
  • the connection wiring 181 includes a first end 181A and a second end 181B opposite to the first end 181A.
  • the first end 181A of the connection wiring 181 overlaps the first end 61A of the first outer coil 61 in plan view. As shown in FIG.
  • the through wiring 183 electrically connects the first end 61A of the first outer coil 61 and the first end 181A of the connection wiring 181.
  • the through wiring 184 penetrates the insulator 140 from the main surface 141 of the substrate to the back surface 142 of the substrate.
  • the through wiring 184 is connected to the second end 181B of the connection wiring 181.
  • the through wirings 183 and 184 are formed as vias or through holes.
  • the terminal portion 182 is provided on the main surface 141 of the substrate and is electrically connected to the through wiring 184.
  • the terminal portion 182 extends from the through wiring 184 toward the substrate side surface 143.
  • the primary side second wiring 190 includes a connection wiring 191, a terminal portion 192, and through wirings 193 and 194.
  • the primary-side second wiring 190 is formed of a material containing Cu.
  • the connection wiring 191 is provided on the back surface 142 of the substrate.
  • the connection wiring 191 is in contact with the back surface 142 of the substrate.
  • the connection wiring 191 extends from the first end 62A of the second outer coil 62 in the x direction.
  • the connection wiring 191 includes a first end 191A and a second end 191B opposite to the first end 191A.
  • the first end 191A of the connection wiring 191 overlaps the first end 62A of the second outer coil 62 in plan view.
  • the through wiring 193 electrically connects the first end 62A of the second outer coil 62 and the first end 191A of the connection wiring 191.
  • the through wiring 194 penetrates the insulator 140 from the main surface 141 of the substrate to the back surface 142 of the substrate.
  • the through wiring 194 is connected to the second end 191B of the connection wiring 191.
  • the through wirings 193 and 194 are formed as vias or through holes.
  • the terminal portion 192 is provided on the main surface 141 of the substrate and is electrically connected to the through wiring 194 .
  • the terminal portion 192 extends from the through wiring 194 toward the substrate side surface 143.
  • the terminal portions 182 and 192 are connected to the AC power source 111. That is, the terminal portions 182 and 192 are provided as connection terminals (external connection pads) for connecting the AC power source 111 to the transformer 130. Note that the AC power source 111 can also be connected to the connection wirings 181 and 191 on the back surface 142 of the substrate. In this case, a portion of each of the connection wires 181 and 191 is provided as a connection terminal (external connection pad).
  • the transformer 130 includes a connecting member 200.
  • the connection member 200 is a conductive wiring and includes a wiring part 201 and through wirings 202 and 203.
  • the connecting member 200 is made of a material containing Cu.
  • the wiring section 201 is provided on the main surface 141 of the substrate.
  • the wiring portion 201 is in contact with the main surface 141 of the substrate.
  • the wiring section 201 includes a first end 201A and a second end 201B opposite to the first end 201A.
  • the first end 201A of the wiring portion 201 overlaps the first end 71A of the first inner coil 71 in plan view.
  • the second end 201B of the wiring portion 201 overlaps the first end 72A of the second inner coil 72 in plan view.
  • the through wiring 202 electrically connects the first end 71A of the first inner coil 71 and the first end 201A of the wiring section 201.
  • the through wiring 203 electrically connects the first end 72A of the second inner coil 72 and the second end 201B of the wiring portion 201.
  • the transformer 130 includes a first secondary wiring 210 and a second secondary wiring 220.
  • the first secondary wiring 210 and the second secondary wiring 220 are electrically connected to the inner coil conductor wiring 70.
  • the secondary first wiring 210 is electrically connected to the second end 71B of the first inner coil 71 of the inner coil conductor wiring 70.
  • the secondary side second wiring 220 is electrically connected to the second end 72B of the second inner coil 72 of the inner coil conductor wiring 70.
  • the secondary side first wiring 210 includes a connection wiring 211 and a through wiring 212.
  • the secondary side first wiring 210 is formed of a material containing Cu.
  • the connection wiring 211 is provided on the main surface 141 of the substrate.
  • the connection wiring 211 is in contact with the main surface 141 of the substrate.
  • the connection wiring 211 includes a first portion 211C extending in the x direction from the second end 71B of the first inner coil 71, and a second portion 211D extending in the y direction from the tip of the first portion 211C.
  • the connection wiring 211 includes a first end 211A and a second end 211B opposite to the first end 211A.
  • connection wiring 211 overlaps the second end 71B of the first inner coil 71 in plan view.
  • the through wiring 212 electrically connects the second end 71B of the first inner coil 71 and the first end 211A of the connection wiring 211.
  • the secondary side second wiring 220 includes a connection wiring 221 and a through wiring 222.
  • the secondary side second wiring 220 is formed of a material containing Cu.
  • the connection wiring 221 is provided on the main surface 141 of the substrate.
  • the connection wiring 221 is in contact with the main surface 141 of the substrate.
  • the connection wiring 221 includes a first portion 221C extending in the x direction from the second end 72B of the second inner coil 72, and a second portion 221D extending in the y direction from the tip of the first portion 221C.
  • the connection wiring 221 includes a first end 221A and a second end 221B opposite to the first end 221A.
  • the first end 221A of the connection wiring 221 overlaps the second end 72B of the second inner coil 72 in plan view.
  • the through wiring 222 electrically connects the second end 72B of the second inner coil 72 and the second end 221B of the connection wiring 221.
  • diodes 102 to 105 are connected between the second end 211B of the connection wiring 211 and the second end 221B of the connection wiring 221.
  • the four diodes 102 to 105 constitute a full-wave rectifier circuit on the secondary side of the transformer 130. That is, the second ends 211B and 221B of the connection wirings 211 and 221 are provided as connection terminals (external connection pads) that connect the diodes 102 to 105 to the transformer 130.
  • the power transmission device 100 including the transformer 130 of the second embodiment is, for example, attached to a metal base plate or housed in a metal casing. Similar to the comparative example transformer 40X shown in FIG. 7, in a transformer in which the primary coil and secondary coil are arranged in the thickness direction of the insulator, the base plate Since eddy currents occur in the transformer and the housing, losses occur in the magnetic flux of the transformer. On the other hand, in the transformer 130 of the second embodiment, magnetic flux similar to that of the transformer 40 of the first embodiment is generated, so that eddy currents are less likely to occur in the base plate or the casing. Therefore, in the transformer 130 of the second embodiment, loss with respect to magnetic flux can be reduced. In addition, the influence on the efficiency of magnetic coupling in the transformer 130 can be reduced. As a result, the transfer characteristics between the outer coil conductor wiring 60 and the inner coil conductor wiring 70 of the transformer 130 can be improved.
  • the transformer 130 of the second embodiment provides the following effects.
  • (2-1) The transformer 130 of the second embodiment provides effects similar to the effects (1-1) to (1-6) of the transformer 40 of the first embodiment.
  • the outer coil conductor wiring 60 includes two first outer coils 61 and a second outer coil 62 arranged in the thickness direction (z direction) of the insulator 140. .
  • the two first outer coils 61 are connected in parallel to each other by vias 65.
  • the two second outer coils 62 are connected in parallel to each other by vias 66.
  • three or more first outer coils 61 and three or more second outer coils 62 may be arranged in the thickness direction (z direction) of the insulator 140. With this configuration, the wiring resistance value of the outer coil conductor wiring 60 can be reduced.
  • the inner coil conductor wiring 70 includes three first inner coils 71 and three second inner coils 72 arranged in the thickness direction (z direction) of the insulator 140.
  • the three first inner coils 71 and the second inner coils 72 are connected in parallel by vias 75. Note that two or more of the first inner coils 71 and the second inner coils 72 may be arranged in the thickness direction (z direction) of the insulator 140. With this configuration, the wiring resistance value of the inner coil conductor wiring 70 can be reduced.
  • the outer coil conductor wiring 60 connects the first outer coil 61, the second outer coil 62, the third outer coil 63 connected to the first outer coil 61, and and a fourth outer coil 64 connected to the second outer coil 62 .
  • the third outer coil 63 is arranged so as to overlap the first outer coil 61 when viewed from the z direction.
  • the third outer coil 63 includes two coil portions 631 and 632 arranged in the z direction.
  • the coil portions 631 and 632 are connected in series between the first end 61A of the first outer coil 61 and the primary-side first wiring 180.
  • the fourth outer coil 64 is arranged so as to overlap the second outer coil 62 when viewed from the z direction.
  • the fourth outer coil 64 includes two coil portions 641 and 642 arranged in the z direction.
  • the coil portions 641 and 642 are connected in series between the first end 62A of the second outer coil 62 and the primary-side second wiring 190.
  • the third outer coil 63 and the first outer coil 61 are connected in series between the primary side first wiring 180 and the second outer coil 62. Further, a second outer coil 62 and a fourth outer coil 64 are connected in series between the first outer coil 61 and the primary-side second wiring 190. Therefore, the number of turns of the outer coil conductor wiring 60 disposed outside each of the first inner coil 71 and the second inner coil 72 can be increased. Thereby, the amount of magnetic flux generated by the outer coil conductor wiring 60 can be increased.
  • the two coil portions 631 and 632 arranged in the z direction may be connected in parallel.
  • two coil portions 641, 642 arranged in the z direction may be connected in parallel.
  • the first outer coil 61 and the second outer coil 62 may be formed in a plurality of first insulating layers and connected in parallel, as shown in FIG. 8 .
  • the modified transformer 130C shown in FIG. 24 differs from the transformer 130B shown in FIG.
  • the coil portion 632 is arranged so as not to overlap when viewed from the z direction with respect to the coil portion 632 arranged closer to the coil portion 142.
  • the coil portion 641 located at the center of the insulator 140 in the z direction is arranged so as not to overlap the second outer coil 62 and the coil portion 642 located closer to the back surface 142 of the substrate when viewed from the z direction. It is located in By arranging the first outer coil 61 and the third outer coil 63 and the second outer coil 62 and the fourth outer coil 64 in this way, the opposing area in the z direction is reduced, and the capacitance of the parasitic capacitor is reduced. be able to.
  • the outer coil conductor wiring 60 is arranged closer to the substrate main surface 141 with respect to the inner coil conductor wiring 70 in the z direction. Further, the inner coil conductor wiring 70 is arranged closer to the substrate back surface 142 with respect to the outer coil conductor wiring 60 in the z direction.
  • FIG. 26 is a circuit diagram schematically showing the configuration of the power transmission device 100A as a modified example.
  • FIG. 27 is a schematic plan view of the power transmission device 100A of FIG. 26.
  • the neutral point of the secondary coil 122 (the connection point between the first coil 122A and the second coil 122B) has a load 112 ground.
  • the power transmission device 100A of this modification includes a first connection member 231 that connects the first inner coil 71 and the second inner coil 72 to each other, and a first end connected to the first connection member 231.
  • 232A is connected thereto, and includes a second connecting member 232 extending in the x direction.
  • the load 112 and the smoothing capacitor 106 are connected to the second end 232B of the second connection member 232.
  • the first connection member 231 and the second connection member 232 serve as a neutral point that connects the connection point between the first inner coil 71 and the second inner coil 72 to the load 112.
  • connection wiring 211 of the secondary side first wiring 210 and the connection wiring 221 of the secondary side second wiring 220 include only a portion extending in the x direction.
  • the anode of the diode 105 is connected to the second end 211B of the connection wiring 211 of the secondary side first wiring 210, and the anode of the diode 103 is connected to the second end 221B of the connection wiring 221 of the secondary side second wiring 220. Connected.
  • the transformer 130E includes a load connection wiring 240 arranged on the main surface 141 of the substrate.
  • the load connection wiring 240 is connected to the cathodes of the diodes 103 and 105, and is also connected to the load 112 and the smoothing capacitor 106.
  • FIG. 28 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a power transmission device 300 according to a modification.
  • This power transmission device 300 includes a control circuit 301, an oscillator 302, a transformer 15 (40), diodes 303, 304, 305, 306, and a smoothing capacitor 307.
  • the control circuit 301, the oscillator 302, the transformer 15 (40), the diodes 303 to 306, and the smoothing capacitor 307 are sealed with the sealing resin 27 similarly to the signal transmission device 10 of the first embodiment.
  • a DC power supply 311 is connected to the control circuit 301.
  • Oscillator 302 is controlled by control circuit 301 and outputs an AC signal.
  • This AC signal is transmitted by transformer 40.
  • a DC voltage is supplied to the load 312 by diodes 303 to 306 and a smoothing capacitor 307. That is, this power transmission device 300 works as a DC voltage conversion circuit (DC-DC converter) that converts the voltage of the DC power supply 311 into the operating voltage of the load 312.
  • DC-DC converter DC voltage conversion circuit
  • FIG. 29 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a power transmission device 320 according to a modification.
  • This power transmission device 320 includes a control circuit 301, an oscillator 302, a transformer 40, diodes 304 and 306, and a smoothing capacitor 307.
  • a neutral point between the first coil 17A and the second coil 17B that constitute the secondary coil 17 of the transformer 40 is electrically connected to the secondary terminal 322B.
  • a load 312 is connected to the secondary terminals 322A and 322B.
  • This power transmission device 320 works as a direct current voltage conversion circuit (DC-DC converter) that converts the voltage of the direct current power supply 311 into the operating voltage of the load 312.
  • DC-DC converter direct current voltage conversion circuit
  • the term “on” includes both “on” and “above” unless the context clearly indicates otherwise.
  • the phrase “the first layer is formed on the second layer” refers to the fact that in some embodiments the first layer may be directly disposed on the second layer in contact with the second layer, but in other embodiments. It is contemplated that the first layer may be placed above the second layer without contacting the second layer. That is, the term “on” does not exclude structures in which other layers are formed between the first layer and the second layer.
  • the z direction used in this disclosure does not necessarily have to be the vertical direction, nor does it need to completely coincide with the vertical direction. Accordingly, various structures according to the present disclosure (e.g., the structure shown in FIG. 4) are different from each other in that "upper” and “lower” in the Z-axis direction described herein are “upper” and “lower” in the vertical direction. Not limited to one thing.
  • the x direction may be a vertical direction, or the y direction may be a vertical direction.
  • the outer coil conductor wiring (60) includes a first outer coil (61) and a second outer coil (62) each having a first end (61A, 62A) and a second end (61B, 62B), A second end (61B) of the first outer coil (61) and a second end (62B) of the second outer coil (62) are connected to each other.
  • the outer coil (62) generates magnetic fluxes in opposite directions when a current flows from a first end of one of the first outer coil and the second outer coil to a first end of the other outer coil.
  • the inner coil conductor wiring (70) includes a first inner coil (71) and a second inner coil (72) each having a first end (71A, 72A) and a second end (71B, 72B),
  • first inner coil (71) is arranged inside the first outer coil (61) so as not to overlap with the first outer coil (61)
  • the second inner coil (72) is arranged inside the first outer coil (61) so as not to overlap with the first outer coil (61).
  • a plurality of the first outer coils (61) and a plurality of the second outer coils (62) are provided in the thickness direction (z) of the insulator (52), and the plurality of first outer coils (61) are mutually The transformer according to appendix 1 or 2, wherein the plurality of second outer coils (62) are connected to each other.
  • the outer coil conductor wiring (60) is connected to a third outer coil (63) connected to a first end of the first outer coil (61) and a first end of the second outer coil (62). a fourth outer coil (64);
  • the transformer according to any one of Supplementary Notes 1 to 3, comprising:
  • the third outer coil (63) is arranged so as to overlap the first outer coil (61) when viewed from the thickness direction (z) of the insulator (52),
  • the fourth outer coil (64) is arranged to overlap the second outer coil (62) when viewed from the thickness direction (z) of the insulator (52).
  • a plurality of the third outer coils (63) and the fourth outer coils (64) are each provided in the thickness direction (z) of the insulator (52), and the plurality of third outer coils (63) The transformer according to appendix 4 or 5, wherein the plurality of fourth outer coils (64) are connected to each other.
  • the first inner coil (71) and the second inner coil (72) are formed in a spiral shape when viewed from the thickness direction (z) of the insulator (52).
  • a plurality of the first inner coils (71) and the second inner coils (72) are each provided in the thickness direction (z) of the insulator (52), and the plurality of first inner coils (71) The transformer according to any one of appendices 1 to 7, wherein the plurality of second inner coils (72) are connected to each other.
  • the inner coil conductor wiring includes a third inner coil connected to a second end of the first inner coil (71) and a fourth inner coil connected to a second end of the second inner coil (72). , the transformer according to any one of Supplementary Notes 1 to 8.
  • the third inner coil is arranged so as to overlap the first inner coil (71) when viewed from the thickness direction (z) of the insulator (52),
  • the fourth inner coil is arranged to overlap the second inner coil (72) when viewed from the thickness direction (z) of the insulator (52).
  • a plurality of the third inner coils and a plurality of the fourth inner coils are provided in the thickness direction (z) of the insulator (52), the plurality of third inner coils are connected to each other, and the plurality of the fourth inner coils are connected to each other.
  • the insulator (52) has an upper surface and a lower surface facing opposite to the upper surface in the thickness direction (z) of the insulator (52),
  • the transformer according to any one of Supplementary Notes 1 to 11, wherein both the outer coil conductor wiring and the inner coil conductor wiring are arranged closer to the upper surface of the insulator (52).
  • the first outer coil (61) and the second outer coil (62) are connected to at least one of the first inner coil (71) and the second inner coil (72) and the insulator (52).
  • the transformer according to any one of Supplementary Notes 1 to 12, which is located at the same position in the thickness direction (z) and arranged on the same plane perpendicular to the thickness direction (z).
  • the first outer coil (61) and the second outer coil (62) are connected to the insulator (52) with respect to at least one of the first inner coil (71) and the second inner coil (72). ) are arranged at different positions in the thickness direction (z) of the transformer according to any one of Supplementary Notes 1 to 12.
  • Appendix 18 The transformer according to any one of appendices 1 to 17, including a connecting member that connects the second end of the first inner coil (71) and the second end of the second inner coil (72).

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Abstract

トランスは、絶縁体内に配置された外側コイル導体配線および内側コイル導体配線と、を含む。外側コイル導体配線は、第１外側コイルおよび第２外側コイルを含む。第１外側コイルの第２端および第２外側コイルの第２端は互いに接続されており、第１外側コイルおよび第２外側コイルは、第１外側コイルおよび第２外側コイルのうち一方の外側コイルの第１端から他方の外側コイルの第１端に電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれている。内側コイル導体配線は、第１内側コイルおよび第２内側コイルを含む。平面視において、第１内側コイルは第１外側コイルの内側に配置され、第２内側コイルは第２外側コイルの内側に配置されている。

Description

トランス
　本開示は、トランスに関するものである。
　従来、信号や電力を伝達するために使用されるトランスは、上下方向に対向して配置された一対のコイルを含む（たとえば、特許文献１参照）。
特開２０１８－７８１６９号公報
　ところで、上記のようなトランスにおいて、コイル間の伝送特性の向上が求められている。
　本開示の一態様であるトランスは、平板状の絶縁体と、前記絶縁体内に配置された外側コイル導体配線および内側コイル導体配線と、を含み、前記外側コイル導体配線は、第１端と第２端をそれぞれ有する第１外側コイルおよび第２外側コイルを含み、前記第１外側コイルの第２端および前記第２外側コイルの第２端は互いに接続されており、前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルは、前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルのうち一方の外側コイルの第１端から他方の外側コイルの第１端に電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれており、前記内側コイル導体配線は、第１端と第２端をそれぞれ有する第１内側コイルおよび第２内側コイルを含み、平面視において、前記第１内側コイルは前記第１外側コイルの内側に前記第１外側コイルと重ならないように配置され、前記第２内側コイルは前記第２外側コイルの内側に前記第２外側コイルと重ならないように配置されている。
　本開示の一態様によれば、コイル間の伝送特性の向上を図ることができるトランスを提供することができる。
図１は、第１実施形態のトランスを含む信号伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。 図２は、図１の信号伝達装置を模式的に示す概略平面図である。 図３は、図２の信号伝達装置におけるトランスの概略平面図である。 図４は、図３のＦ４－Ｆ４線断面図である。 図５は、図３のＦ５－Ｆ５線断面図である。 図６は、第１実施形態のトランスにおける動作説明図である。 図７は、比較例のトランスの概略断面図である。 図８は、変更例のトランスの概略断面図である。 図９は、変更例のトランスの概略断面図である。 図１０は、図９の変更例のトランスにおける外側コイル導体配線を示す概略斜視図である。 図１１は、変更例のトランスの概略断面図である。 図１２は、変更例のトランスの概略断面図である。 図１３は、変更例の信号伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。 図１４は、図１３の信号伝達装置の概略平面図である。 図１５は、変更例のトランスの概略平面図である。 図１６は、変更例のトランスの概略平面図である。 図１７は、変更例のトランスの概略平面図である。 図１８は、第２実施形態のトランスを含む電力伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。 図１９は、図１８の電力伝達装置を模式的に示す概略平面図である。 図２０は、図１９のＦ２０－Ｆ２０線断面図である。 図２１は、図１９のＦ２１－Ｆ２１線断面図である。 図２２は、変更例のトランスの概略断面図である。 図２３は、変更例のトランスの概略断面図である。 図２４は、変更例のトランスの概略断面図である。 図２５は、変更例のトランスの概略断面図である。 図２６は、変更例の電力伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。 図２７は、図２６の電力伝達装置を模式的に示す概略平面図である。 図２８は、変更例の電力伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。 図２９は、変更例の電力伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。
　以下、添付図面を参照して本開示の伝達装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺、比率で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
　以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
　本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、所望の選択肢の「１つ以上」を意味する。一例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が２つであれば「１つの選択肢のみ」または「２つの選択肢の双方」を意味する。他の例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が３つ以上であれば「１つの選択肢のみ」または「２つ以上の任意の選択肢の組み合わせ」を意味する。
　（第１実施形態）
　第１実施形態について、添付図面を参照して説明する。
　図１は、第１実施形態のトランスを含む信号伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。図２は、図１の信号伝達装置を模式的に示す概略平面図である。第１実施形態は、トランス１５を含む信号伝達装置１０として構成されている。
　（信号伝達装置の回路構成）
　図１に示されるように、信号伝達装置１０は、１次側端子１１と２次側端子１２との間を電気的に絶縁しつつ、パルス信号を伝達する装置である。信号伝達装置１０は、たとえばデジタルアイソレータである。信号伝達装置１０は、１次側端子１１に電気的に接続された１次側回路１３と、２次側端子１２に電気的に接続された２次側回路１４と、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁するトランス１５と、を含む。
　１次側回路１３は、第１電圧Ｖ１が印加されることによって動作するように構成された回路である。１次側回路１３は、たとえば外部の制御装置（図示略）に電気的に接続されている。１次側回路１３は、送信回路１３Ｔを含む。２次側回路１４は、第１電圧Ｖ１とは異なる第２電圧Ｖ２が印加されることによって動作するように構成された回路である。第２電圧Ｖ２は、たとえば第１電圧Ｖ１よりも高い。第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２は直流電圧である。２次側回路１４は、たとえば制御装置の制御対象となる駆動回路に電気的に接続されている。駆動回路の一例は、スイッチング回路である。２次側回路１４は、受信回路１４Ｒを含む。１次側回路１３のグランドと２次側回路１４のグランドとのそれぞれが独立して設けられている。
　トランス１５は、送信回路１３Ｔと受信回路１４Ｒとの間に接続されている。トランス１５は、１次側コイル１６と、２次側コイル１７とを含む。第１実施形態において、２次側コイル１７は、第１コイル１７Ａと第２コイル１７Ｂとを含む。第１コイル１７Ａと第２コイル１７Ｂは、互いに電気的に接続されている。これにより、２次側コイル１７の第１コイル１７Ａおよび第２コイル１７Ｂは、受信回路１４Ｒに対して直列に接続されている。
　１次側回路１３の送信回路１３Ｔには、たとえば制御装置からの制御信号が１次側端子１１を通して入力される。制御信号は、１次側回路１３の送信回路１３Ｔからトランス１５を経て、２次側回路１４の受信回路１４Ｒにより受信される。２次側回路１４に伝達された信号は、２次側回路１４から２次側端子１２を通して駆動回路に出力される。
　上述のとおり、信号伝達装置１０は、トランス１５によって１次側回路１３と２次側回路１４とが電気的に絶縁されている。より詳細には、トランス１５によって１次側回路１３と２次側回路１４との間で直流電圧が伝達されることが規制されている一方、パルス信号の伝達は可能となっている。
　すなわち、１次側回路１３と２次側回路１４とが絶縁されている状態とは、１次側回路１３と２次側回路１４との間において、直流電圧の伝達が遮断されている状態を意味し、１次側回路１３から２次側回路１４へのパルス信号の伝達については許容している。このように、２次側回路１４は、１次側回路１３からの信号を受信するように構成されている。
　信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、たとえば２５００Ｖｒｍｓ以上７５００Ｖｒｍｓ以下である。第１実施形態の信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、５７００Ｖｒｍｓ程度である。ただし、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の具体的な数値はこれに限られず任意である。
　（信号伝達装置の構成）
　図２に示されるように、信号伝達装置１０は、複数の半導体チップが１パッケージ化された半導体装置である。図示していないが、信号伝達装置１０のパッケージ形式はたとえばＳＯ（Small Outline）系であり、第１実施形態ではＳＯＰ（Small Outline Package）である。なお、信号伝達装置１０のパッケージ形式は任意に変更可能である。
　信号伝達装置１０は、半導体チップとして第１チップ３１、第２チップ３２、およびトランス４０を含む。第１チップ３１は、図１に示す１次側回路１３を含む。第２チップ３２は、図１に示す２次側回路１４を含む。トランス４０は、図１に示すトランス１５（１次側コイル１６および２次側コイル１７）を含む。
　信号伝達装置１０は、１次側ダイパッド２１および２次側ダイパッド２２を含む。１次側ダイパッド２１および２次側ダイパッド２２の双方は、平板状に形成されている。１次側ダイパッド２１および２次側ダイパッド２２の双方は、導電性を有する材料によって形成されている。第１実施形態では、各ダイパッド２１，２２は、Ｃｕ（銅）を含む材料によって形成されている。なお、各ダイパッド２１，２２は、Ａｌ（アルミニウム）等の他の金属材料によって形成されていてもよい。また、各ダイパッド２１，２２を構成する材料は導電性を有する材料に限られない。たとえば、各ダイパッド２１，２２はアルミナ等のセラミックスによって形成されていてもよい。つまり、各ダイパッド２１，２２は、電気絶縁性を有する材料によって形成されていてもよい。
　ｚ方向から視て、１次側ダイパッド２１および２次側ダイパッド２２は、互いに離隔した状態で並んで配列されている。ｚ方向から視て、１次側ダイパッド２１および２次側ダイパッド２２の配列方向をｘ方向とする。ｚ方向から視て、ｘ方向と直交する方向をｙ方向とする。なお、以降の説明において、平面視とは、ｚ方向から視ることを意味する。
　第１チップ３１およびトランス４０は、１次側ダイパッド２１に搭載されている。第１チップ３１およびトランス４０は、接合材ＳＤ１，ＳＤ２によって１次側ダイパッド２１に接合されている。接合材ＳＤ１，ＳＤ２は、たとえば、はんだ、Ａｇ（銀）ペースト等の導電性接合材である。なお、接合材ＳＤ１，ＳＤ２として、エポキシ樹脂等の絶縁性接合材が用いられてもよい。第１チップ３１の接合材ＳＤ１の材料と、トランス４０の接合材ＳＤ２の材料とが互いに異なっていてもよい。第２チップ３２は、２次側ダイパッド２２に搭載されている。第２チップ３２は、接合材ＳＤ３によって２次側ダイパッド２２に接合されている。接合材ＳＤ３は、たとえば、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材である。なお、接合材ＳＤ３として、エポキシ樹脂等の絶縁性接合材が用いられてもよい。
　信号伝達装置１０は、複数の１次側リード２３および複数の２次側リード２４を含む。図２では、４個の１次側リード２３Ａ～２３Ｄおよび２次側リード２４Ａ～２４Ｄを示している。１次側リード２３Ａ，２３Ｄは、１次側ダイパッド２１に接続されている。１次側リード２３Ｂ，２３Ｃは、１次側ワイヤＷ１１Ａ，Ｗ１１Ｂにより第１チップ３１に接続されている。１次側リード２３Ｂ，２３Ｃは、第１チップ３１に対して動作電圧の供給、信号入力、等のために用いられる。１次側リード２３Ｂまたは１次側リード２３Ｃは、図１に示す１次側端子１１として利用される。また、第１チップ３１は、ワイヤＷ１２により１次側ダイパッド２１に接続されている。１次側リード２３の数、形状、接続状態、等は、適宜変更することができる。ワイヤＷ１１Ａ，Ｗ１１Ｂ，Ｗ１２は、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷ１１Ａ，Ｗ１１Ｂ，Ｗ１２は、たとえばＡｕ（金），Ａｌ，Ｃｕ等の導体によって形成されている。
　２次側リード２４Ａ，２４Ｄは、２次側ダイパッド２２に接続されている。２次側リード２４Ｂ，２４Ｃは、２次側ワイヤＷ１７Ａ，Ｗ１７Ｂにより第２チップ３２に接続されている。２次側リード２４Ｂ，２４Ｃは、第２チップ３２に対して動作電圧の供給、信号出力、等のために用いられる。２次側リード２４Ｂまたは２次側リード２４Ｃは、図１に示す２次側端子１２として利用される。また、第２チップ３２は、ワイヤＷ１６により２次側ダイパッド２２に接続されている。２次側リード２４の数、形状、接続状態、等は、適宜変更することができる。ワイヤＷ１６，Ｗ１７Ａ，Ｗ１７Ｂは、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷ１６，Ｗ１７Ａ，Ｗ１７Ｂは、たとえばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ等の導体によって形成されている。
　第１チップ３１は、ワイヤＷ１３Ａ，Ｗ１３Ｂによりトランス４０に接続されている。トランス４０は、ワイヤＷ１５Ａ，Ｗ１５Ｂにより第２チップ３２に接続されている。トランス４０には、接続部材としてのワイヤＷ１４が接続されている。ワイヤＷ１３Ａ，Ｗ１３Ｂ，Ｗ１４，Ｗ１５Ａ，Ｗ１５Ｂは、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷ１３Ａ，Ｗ１３Ｂ，Ｗ１４，Ｗ１５Ａ，Ｗ１５Ｂは、たとえばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ等の導体によって形成されている。
　信号伝達装置１０はさらに、封止樹脂２７を含む。封止樹脂２７は、各ダイパッド２１，２２、各チップ３１，３２、トランス４０、各リード２３，２４の一部分を封止する。封止樹脂２７は、電気絶縁性を有する材料によって形成されている。このような材料の一例として、黒色のエポキシ樹脂が用いられている。封止樹脂２７は、ｚ方向を厚さ方向とする矩形板状に形成されている。
　上述したように、第１実施形態では、トランス４０は、１次側ダイパッド２１に実装されている。つまり、１次側ダイパッド２１には、トランス４０および第１チップ３１の双方が実装されている。トランス４０および第１チップ３１は、１次側ダイパッド２１においてｘ方向に互いに離隔して配列されている。このため、第１チップ３１、トランス４０、第２チップ３２は、ｘ方向において互いに離隔して配列されているといえる。第１実施形態では、第１チップ３１、トランス４０、第２チップ３２は、この順番で配置されている。換言すると、トランス４０は、ｘ方向において第１チップ３１と第２チップ３２との間に配置されている。
　信号伝達装置１０の絶縁耐圧を予め設定された絶縁耐圧とするため、１次側ダイパッド２１と２次側ダイパッド２２とを互いに離隔させる必要がある。第１実施形態では、平面視において、１次側ダイパッド２１と２次側ダイパッド２２とのｘ方向の間の距離は、第１チップ３１とトランス４０とのｘ方向の間の距離よりも大きい。このため、ｘ方向において、第１チップ３１とトランス４０との間の距離は、トランス４０と第２チップ３２との間の距離よりも小さい。換言すると、トランス４０は、第２チップ３２よりも第１チップ３１の近くに配置されている。
　（トランスの概略構成）
　図３から図５を参照して、第１実施形態のトランス４０の内部構造の一例について説明する。
　図３は、トランス４０の概略平面図である。図４は、図３のＦ４－Ｆ４線断面図であり、図５は、図３のＦ５－Ｆ５線断面図である。図３では、外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０を解りやすくするため、実線で示されている。
　図３に示されるように、トランス４０は、外側コイル導体配線６０と、内側コイル導体配線７０とを含むトランスチップである。図１に示す１次側コイル１６は、外側コイル導体配線６０を含む。図１に示す２次側コイル１７は、内側コイル導体配線７０を含む。図１に示されるように、２次側コイル１７は、第１コイル１７Ａと第２コイル１７Ｂとを含む。内側コイル導体配線７０は、第１コイル１７Ａとして機能する第１内側コイル７１と、第２コイル１７Ｂとして機能する第２内側コイル７２と、を含む。
　図３～図５に示されるように、トランス４０は、チップ主面４１と、チップ主面４１とは反対側を向くチップ裏面４２とを含む。さらに、トランス４０は、チップ主面４１およびチップ裏面４２の双方と直交する４つのチップ側面４３，４４，４５，４６を含む。チップ側面４３，４４は、トランス４０のｘ方向の両端面を構成する。チップ側面４５，４６は、トランス４０のｙ方向の両端面を構成する。
　図４、図５に示されるように、トランス４０は、基板５１と、基板５１上に配置された絶縁体５２とを含む。
　基板５１は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板主面５１Ｓおよび基板裏面５１Ｒを有している。基板裏面５１Ｒは、トランス４０のチップ裏面４２を構成している。基板５１は、たとえば半導体基板により構成されている。基板５１は、第１実施形態ではＳｉ（シリコン）を含む材料から形成された基板である。なお、基板５１は、半導体基板として、ワイドバンドギャップ半導体や化合物半導体が用いられてもよい。また、基板５１は、半導体基板に代えて、ガラスを含む材料で形成された絶縁基板が用いられてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ（炭化シリコン）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、Ｇａ２Ｏ３（酸化ガリウム）、等であってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）、ＧａＮ、およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
　絶縁体５２は、基板５１の基板主面５１Ｓ上に形成されている。絶縁体５２は、基板５１の基板主面５１Ｓと接している。
　絶縁体５２は、複数の絶縁層５３を含む。第１実施形態において、絶縁体５２は、最下層の絶縁層５３Ｄ、最上層の絶縁層５３Ｕ、最下層の絶縁層５３Ｄと最上層の絶縁層５３Ｕとの間の絶縁層５３１～５３６を含む。絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６，５３Ｕは、基板５１の基板主面５１Ｓから、ｚ方向に積層されている。したがって、ｚ方向は、絶縁体５２の厚さ方向であるともいえる。また、ｚ方向は、絶縁体５２に含まれる複数の絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６，５３Ｕの積層方向であるともいえる。
　最下層の絶縁層５３Ｄは、基板５１の基板主面５１Ｓと接する。最上層の絶縁層５３Ｕの上面は、トランス４０のチップ主面４１を構成している。なお、以下の説明において、複数の絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６，５３Ｕのうちの最上層の絶縁層５３Ｕを第２絶縁層５３Ｕとし、第２絶縁層５３Ｕを除く絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６を第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６として示す場合がある。
　第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６は、たとえば、Ｓｉ（シリコン）を含む材料により形成されている。Ｓｉを含む材料としては、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ（窒素添加炭化シリコン）等を用いることができる。なお、第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６の少なくとも１つは、材料が異なっていてもよい。また、第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６の少なくとも１つは、複数の膜を積層して形成されていてもよい。第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６は、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ等を含む材料により形成された薄膜と、ＳｉＯ２を含む材料により形成された層間絶縁膜とにより構成され得る。
　第２絶縁層５３Ｕは、たとえば、電気絶縁性を有する樹脂を含む材料により形成されている。第２絶縁層５３Ｕは、たとえば、窒化膜と、電気絶縁性を有する樹脂膜と、を含むパッシベーション膜で形成されている。窒化膜は、たとえば、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、等の材料を含む。樹脂膜は、たとえば、ポリイミド（ＰＩ）を含む。なお、第２絶縁層５３Ｕは、第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６と同様に、Ｓｉを含む材料により形成されていてもよい。
　（外側コイル導体配線および内側コイル導体配線）
　図３～図５に示されるように、トランス４０は、外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０を含む。図４に示されるように、外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０は、絶縁体５２に埋め込まれている。
　（外側コイル導体配線）
　図３に示されるように、外側コイル導体配線６０は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２を含む。第１外側コイル６１は、第１端６１Ａと、第１端６１Ａとは反対側の第２端６１Ｂとを含む。第２外側コイル６２は、第１端６２Ａと、第１端６２Ａとは反対側の第２端６２Ｂとを含む。第１外側コイル６１の第２端６１Ｂと第２外側コイル６２の第２端６２Ｂは、互いに電気的に接続されている。
　第１外側コイル６１および第２外側コイル６２はそれぞれ、平面視において、円形の渦巻状に形成されている。第１外側コイル６１および第２外側コイル６２は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２のうち一方の外側コイルの第１端から他方の外側コイルの第１端に電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれている。第１実施形態のトランス４０において、第１外側コイル６１と第２外側コイル６２は、対称形状であり、点対称形状に形成されている。
　渦巻状の第１外側コイル６１において、第１端６１Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端６１Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第１外側コイル６１は、第１端６１Ａを内周側端部とし、第２端６１Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。同様に、渦巻状の第２外側コイル６２において、第１端６２Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端６２Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第２外側コイル６２は、第１端６２Ａを内周側端部とし、第２端６２Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。そして、第１外側コイル６１と第２外側コイル６２は、それぞれの外周縁端部とする第２端６１Ｂ，６２Ｂが互いに電気的に接続されている。
　図４、図５に示されるように、外側コイル導体配線６０は、最上層の第１絶縁層５３６に設けられている。外側コイル導体配線６０は、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷ（タングステン）のうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料により形成されている。第１実施形態の外側コイル導体配線６０は、Ａｌを含む材料によって形成されている。
　（内側コイル導体配線）
　内側コイル導体配線７０は、第１内側コイル７１および第２内側コイル７２を含む。第１内側コイル７１は、第１端７１Ａと、第１端７１Ａとは反対側の第２端７１Ｂとを含む。第２内側コイル７２は、第１端７２Ａと、第１端７１Ａとは反対側の第２端７２Ｂとを含む。第１内側コイル７１は、第１外側コイル６１の内側に配置されている。第１内側コイル７１は、平面視において、第１外側コイル６１と重ならないように配置されている。第２内側コイル７２は、第２外側コイル６２の内側に配置されている。第２内側コイル７２は、平面視において、第２外側コイル６２と重ならないように配置されている。
　第１内側コイル７１および第２内側コイル７２はそれぞれ、平面視において、円形の渦巻状に形成されている。第１実施形態のトランス４０において、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２は、対称形状であり、点対称形状に形成されている。
　渦巻状の第１内側コイル７１において、第１端７１Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端７１Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第１内側コイル７１は、第１端７１Ａを内周側端部とし、第２端７１Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。同様に、渦巻状の第２内側コイル７２において、第１端７２Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端７２Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第２内側コイル７２は、第１端７２Ａを内周側端部とし、第２端７２Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。なお、第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、第１端７１Ａ，７２Ａを外周側端部とし、第２端７１Ｂ，７２Ｂを内周側端部としてもよい。
　図４に示されるように、内側コイル導体配線７０の第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、最上層の第１絶縁層５３６に設けられている。第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料により形成されている。第１実施形態の内側コイル導体配線７０は、Ａｌを含む材料によって形成されている。
　（配線部）
　図３、図５に示されるように、トランス４０は、第１配線部８０および第２配線部９０を含む。第１配線部８０および第２配線部９０は、外側コイル導体配線６０に電気的に接続されている。第１配線部８０は、外側コイル導体配線６０の第１外側コイル６１の第１端６１Ａに電気的に接続されている。第２配線部９０は、外側コイル導体配線６０の第２外側コイル６２の第１端６２Ａに電気的に接続されている。
　図３、図５に示されるように、第１配線部８０は、接続配線８１、ビア８２，８３、端子部８４を含む。第１配線部８０は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料により形成されている。
　端子部８４は、チップ側面４３の近くに配置されている。第１実施形態のトランス４０において、端子部８４は、平面視において、第１外側コイル６１の第１端６１Ａとｙ方向の同じ位置に配置されている。なお、端子部８４の配置位置は、任意に変更され得る。
　図５に示されるように、接続配線８１は、第１外側コイル６１より下に配置されている。第１実施形態において、接続配線８１は、第１外側コイル６１が設けられた第１絶縁層５３６より２つ下の第１絶縁層５３４に設けられている。接続配線８１は、第１外側コイル６１に接続された第１端８１Ａから、チップ側面４３に向けて延びるように形成されている。接続配線８１は、平面視において、第１外側コイル６１の第１端６１Ａから端子部８４まで延びている。接続配線８１の第１端８１Ａは、ビア８２により、第１外側コイル６１の第１端６１Ａに電気的に接続されている。接続配線８１の第２端８１Ｂは、ビア８３により端子部８４に電気的に接続されている。
　図３に示されるように、第２配線部９０は、接続配線９１、ビア９２，９３、端子部９４を含む。第２配線部９０は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料により形成されている。第２配線部９０の接続配線９１、ビア９２，９３、および端子部９４は、第１配線部８０の接続配線８１、ビア８２，８３、および端子部８４と同様に配置されている。接続配線９１の第１端９１Ａは、ビア９２により第２外側コイル６２の第１端６２Ａに電気的に接続され、接続配線９１の第２端９１Ｂは、ビア９３により端子部９４に電気的に接続されている。
　（外側コイル導体配線および配線部に対するワイヤの接続）
　図３、図５に示されるように、第２絶縁層５３Ｕは、第１配線部８０および第２配線部９０それぞれの一部を露出する開口５３Ｕ１，５３Ｕ２を含む。開口５３Ｕ１，５３Ｕ２は、第１配線部８０および第２配線部９０の端子部８４，９４を露出するように形成されている。開口５３Ｕ１，５３Ｕ２により露出される端子部８４，９４には、ワイヤＷ１３Ａ、Ｗ１３Ｂが接続される。つまり、開口５３Ｕ１，５３Ｕ２により露出される端子部８４，９４は、ワイヤＷ１３Ａ，Ｗ１３Ｂを接続する接続パッドであるといえる。図２に示されるように、ワイヤＷ１３Ａ，Ｗ１３Ｂは、第１チップ３１に接続される。したがって、開口５３Ｕ１，５３Ｕ２により露出される端子部８４，９４は、トランス４０を第１チップ３１に接続する接続パッドということもできる。
　（内側コイル導体配線に対するワイヤの接続）
　図４に示されるように、第２絶縁層５３Ｕは、内側コイル導体配線７０の一部を露出する複数の開口５３Ｕ３，５３Ｕ４，５３Ｕ５，５３Ｕ６を含む。開口５３Ｕ３は、第１内側コイル７１の第１端７１Ａを露出するように形成されている。開口５３Ｕ４は、第１内側コイル７１の第２端７１Ｂを露出するように形成されている。開口５３Ｕ５は、第２内側コイル７２の第１端７２Ａを露出するように形成されている。開口５３Ｕ６は、第２内側コイル７２の第２端７２Ｂを露出するように形成されている。
　第１実施形態のトランス４０において、開口５３Ｕ４により露出される第１内側コイル７１の第２端７１Ｂには、ワイヤＷ１５Ａが接続される。開口５３Ｕ３により露出される第１内側コイル７１の第１端７１Ａには、ワイヤＷ１４の第１端Ｗ１４Ａが接続され、ワイヤＷ１４の第２端Ｗ１４Ｂは、開口５３Ｕ５により露出される第２内側コイル７２の第１端７２Ａに接続される。開口５３Ｕ６により露出される第２内側コイル７２の第２端７２Ｂには、ワイヤＷ１５Ｂが接続される。つまり、開口５３Ｕ３，５３Ｕ５により露出される第１端７１Ａ，７２Ａ、および開口５３Ｕ４，５３Ｕ６により露出される第２端７１Ｂ，７２Ｂは、ワイヤＷ１４，Ｗ１５Ａ，Ｗ１５Ｂを接続する接続パッドであるといえる。
　外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０とは、互いに電気的に絶縁されており、かつ磁気結合可能に構成されている。第１実施形態のトランス４０は、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０とが、基板５１の基板主面５１Ｓと平行な平面に沿って磁気結合可能に構成されている。
　内側コイル導体配線７０の第１内側コイル７１は、外側コイル導体配線６０の第１外側コイル６１の内側に配置されている。したがって、第１内側コイル７１には、第１外側コイル６１に流れる電流により生じる磁束の向きに応じた向きの電流が流れる。同様に内側コイル導体配線７０の第２内側コイル７２は、外側コイル導体配線６０の第２外側コイル６２の内側に配置されている。したがって、第２内側コイル７２には、第２外側コイル６２に流れる電流により生じる磁束の向きに応じた向きの電流が流れる。
　ワイヤＷ１４は、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２とを接続する。したがって、ワイヤＷ１４は、第１内側コイル７１に流れる電流と第２内側コイル７２に流れる電流とを、ワイヤＷ１５Ａ，Ｗ１５Ｂによって取り出すように接続される。一例では、ワイヤＷ１４は、第１内側コイル７１に生じる電流が、ワイヤＷ１４を通して第２内側コイル７２に流れる場合、その電流の向きと、第２内側コイル７２に生じる電流の向きとが同じとなるように接続される。
　開口５３Ｕ４により露出される第１内側コイル７１の第２端７１Ｂには、ワイヤＷ１５Ａが接続される。また、開口５３Ｕ６により露出される第２内側コイル７２の第２端７２Ｂには、ワイヤＷ１５Ｂが接続される。これらのワイヤＷ１５Ａ，Ｗ１５Ｂは、図２に示すように、第２チップ３２に接続される。したがって、開口５３Ｕ４，５３Ｕ６により露出される第２端７１Ｂ，７２Ｂは、トランス４０を第２チップ３２に接続する接続パッドということもできる。
　図４に示されるように、外側コイル導体配線６０は、第１外側コイル６１と第２外側コイル６２とを含む。第１外側コイル６１と第２外側コイル６２は、基板５１の上に積層された第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６のうちの同じ第１絶縁層５３６に形成されている。したがって、基板５１から第１外側コイル６１までの距離Ｄ６１は、基板５１から第２外側コイル６２までの距離Ｄ６２と等しい。
　内側コイル導体配線７０は、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２とを含む。第１内側コイル７１と第２内側コイル７２は、基板５１の上に積層された第１絶縁層５３Ｄ，５３１～５３６のうちの同じ第１絶縁層５３６に形成されている。したがって、基板５１から第１内側コイル７１までの距離Ｄ７１は、基板５１から第２内側コイル７２までの距離Ｄ７２と等しい。
　そして、第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２とｚ方向において同じ位置に配置されている。したがって、基板５１から第１内側コイル７１および第２内側コイル７２までの距離Ｄ７１，Ｄ７２は、基板５１から第１外側コイル６１および第２外側コイル６２までの距離Ｄ６１，Ｄ６２と等しい。
　外側コイル導体配線６０に接続された第１配線部８０および第２配線部９０の接続配線８１，９１は、外側コイル導体配線６０の下の第１絶縁層５３４に配置されている。したがって、基板５１から接続配線８１までの距離Ｄ８０は、基板５１から第１外側コイル６１および第２外側コイル６２までの距離Ｄ６１，Ｄ６２、基板５１から第１内側コイル７１および第２内側コイル７２までの距離Ｄ７１，Ｄ７２よりも小さい。また、基板５１から接続配線９１までの距離Ｄ９０は、距離Ｄ６１，Ｄ６２，Ｄ７１，Ｄ７２よりも小さい。距離Ｄ８０は、ｚ方向における第１外側コイル６１および第１内側コイル７１のうち基板５１までの最短距離である。距離Ｄ９０は、ｚ方向における第２外側コイル６２および第２内側コイル７２のうち基板５１までの最短距離である。
　第１外側コイル６１と第１内側コイル７１との間の距離Ｄ１１，Ｄ１２は、互いに等しい。距離Ｄ１１，Ｄ１２は、第１外側コイル６１と第１内側コイル７１との間の第１最短距離である。第２外側コイル６２と第２内側コイル７２との間の距離Ｄ２１，Ｄ２２は、互いに等しい。距離Ｄ２１，Ｄ２２は、第２外側コイル６２と第２内側コイル７２との間の第２最短距離である。そして、第１外側コイル６１と第１内側コイル７１との間の距離Ｄ１１，Ｄ１２と、第２外側コイル６２と第２内側コイル７２との間の距離Ｄ２１，Ｄ２２は、互いに等しい。
　（作用）
　第１実施形態の信号伝達装置１０におけるトランス４０の作用を説明する。
　基板５１からの各距離Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ８０，Ｄ９０は、トランス４０の絶縁耐圧に影響する。なお、第１実施形態において、図１、図２に示されるように、外側コイル導体配線６０（１次側コイル１６）は、１次側回路１３を含む第１チップ３１に電気的に接続されている。第１チップ３１およびトランス４０の双方は、１次側ダイパッド２１に搭載されている。したがって、トランス４０の基板５１は、第１チップ３１の１次側回路１３のコモン電圧が同じである。
　そして、トランス４０の外側コイル導体配線６０（第１外側コイル６１および第２外側コイル６２）は、第１チップ３１に接続されている。したがって、外側コイル導体配線６０（第１外側コイル６１および第２外側コイル６２）のコモン電圧は、第１チップ３１の１次側回路１３のコモン電圧と同じである。この場合、トランス４０の絶縁耐圧は、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の最短距離（第１最短距離、第２最短距離）と、外側コイル導体配線６０と基板５１との間の最短厚さとにより決定される。最短距離は、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との形状、つまり、トランス４０のレイアウト設計により調整できる。つまり、トランス４０の絶縁耐圧は、トランス４０のレイアウト設計により調整できる。このため、容易にトランス４０の絶縁耐圧を変更することができる。
　ここで、第１実施形態のトランス４０に対する比較例のトランス４０Ｘについて説明する。なお、比較例のトランス４０Ｘについて、第１実施形態のトランス４０と同様の構成部材については同じ符号を付す。
　図７は、比較例のトランス４０Ｘの断面構造を示す。このトランス４０Ｘは、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘとが基板５１上の絶縁体５２の厚さ方向に重ねて配置されている。つまり、比較例のトランス４０Ｘは、絶縁体５２の厚さ方向において磁気結合可能に配置された１次側コイル１６Ｘおよび２次側コイル１７Ｘを含む。
　比較例のトランス４０Ｘは、図２に示す１次側ダイパッド２１に搭載される。この場合、１次側コイル１６Ｘは、２次側コイル１７Ｘに対して基板５１の近くに配置される。この比較例のトランス４０Ｘでは、１次側コイル１６Ｘと基板５１との間に寄生キャパシタＣ１Ｘが生じる。この寄生キャパシタＣ１Ｘは、基板５１と１次側コイル１６Ｘとの間の距離Ｄ１Ｘと、基板５１と１次側コイル１６Ｘとの対向面積に応じた容量値となる。また、比較例のトランス４０Ｘは、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘとの間に寄生キャパシタＣ２Ｘが生じる。この寄生キャパシタＣ２Ｘは、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘとの間の距離Ｄ２Ｘと、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘとの対向面積に応じた容量値となる。
　そして、１次側コイル１６Ｘに電流が流れることにより、磁束Ｍ１Ｘが発生する。この磁束Ｍ１Ｘは、１次側コイル１６Ｘの周辺に広がりやすい。このため、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘの間において磁気結合させると、磁束Ｍ１Ｘは、基板５１を厚さ方向に貫通するように生じる。その結果、基板５１に渦電流Ｉ１Ｘが生じる。このような渦電流Ｉ１Ｘは、磁束Ｍ１Ｘに対する損失となる。このような損失は、磁気結合の効率に影響する。
　１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘとの間の磁気結合を向上する（磁束量を多くする）ために、１次側コイル１６Ｘおよび２次側コイル１７Ｘの配線抵抗値を低減することが考えられる。たとえば、１次側コイル１６Ｘおよび２次側コイル１７Ｘの配線幅を広くすることにより、配線抵抗値を低減することができる。しかしながら、配線幅を広くすると、基板５１と１次側コイル１６Ｘとの間の対向面積が大きくなり、寄生キャパシタＣ１Ｘの容量値が増加する。同様に、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘとの間の対向面積が大きくなり、寄生キャパシタＣ２Ｘの容量値が増加する。１次側コイル１６Ｘおよび２次側コイル１７Ｘの配線厚さを大きくすることは、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘを埋め込む絶縁層５３の厚さ、つまり製造プロセスに影響するとともに、基板５１と１次側コイル１６Ｘ、１次側コイル１６Ｘと２次側コイル１７Ｘとの間の距離、つまりトランス４０の絶縁耐圧に影響する。一定値以上の絶縁耐圧を得るためには、絶縁体５２を厚くする、つまり絶縁体５２を構成する絶縁層の層数を増やす必要があり、トランス４０の製造プロセスに影響する。
　図３、図６に示されるように、第１実施形態のトランス４０は、外側コイル導体配線６０を含み、外側コイル導体配線６０は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２の双方を含む。第１外側コイル６１と第２外側コイル６２は、それぞれの第２端６１Ｂ，６２Ｂが互いに電気的に接続されている。第１外側コイル６１および第２外側コイル６２は、第１外側コイル６１の第１端６１Ａから第２外側コイル６２の第１端６２Ａに向けて電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれている。たとえば、図６に示されるように、第１外側コイル６１では、上向きの磁束が生じ、第２外側コイル６２では、下向きの磁束が生じる。これにより、外側コイル導体配線６０によって生じる磁束Ｍ１は、比較例のトランス４０Ｘと比べて、小さいループとなる。このため、内側コイル導体配線７０を交差する磁束は、比較例のトランス４０Ｘと比べて多くなる。したがって、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の磁気結合の効率を向上することができる。この結果、トランス４０の外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間における伝達特性を向上することができる。
　図６に示されるように、外側コイル導体配線６０によって生じる磁束Ｍ１は、比較例のトランス４０Ｘと比べて、小さいループとなる。このように生じる磁束は、基板５１の基板主面５１Ｓに沿って基板５１を通過する。したがって、比較例のトランス４０Ｘと比べ基板５１において渦電流が生じ難い。このため、第１実施形態のトランス４０では、磁束Ｍ１に対する損失を低減することができる。そして、トランス４０における磁気結合の効率に対する影響を低減することができる。この結果、トランス４０の外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間における伝達特性を向上することができる。
　外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０の配線抵抗値は、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０とにそれぞれ流れる電流量、磁気結合度に影響する。外側コイル導体配線６０の配線抵抗値は、外側コイル導体配線６０の配線幅を広くして、配線幅に対する配線厚さのアスペクト比を小さくすることにより得られる。同様に、内側コイル導体配線７０の配線抵抗値は、内側コイル導体配線７０の配線幅を広くして配線幅に対する配線厚さのアスペクト比を小さくすることにより得られる。
　外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０は、ｘ方向およびｙ方向において対向する。したがって、配線幅を大きくしても、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との対向面積は変化しない。つまり、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の寄生キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の容量値は変化しない。つまり、比較例のトランス４０Ｘと比べ、コイル間の寄生キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の容量値を増加させることなく、配線抵抗値を低減することができる。これにより、この結果、トランス４０の外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０において電流が流れやすくなるため、トランス４０において発生する磁束の量を増加させることができる。そして、トランス４０において、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間における磁気結合の効率の向上、ひいては伝達特性を向上することができる。
　基板５１と外側コイル導体配線６０との間の寄生キャパシタＣ６０の容量値は、配線幅を一定とすれば、基板５１から外側コイル導体配線６０までの距離に依存する。距離を大きくすると、容量値は低減する。比較例のトランス４０Ｘと同じ厚さの絶縁体５２とした場合、第１実施形態のトランス４０では、基板５１から外側コイル導体配線６０までの距離Ｄ６１，Ｄ６２、基板５１から内側コイル導体配線７０までの距離Ｄ７１，Ｄ７２は、比較例のトランス４０Ｘよりも大きくなる。したがって、寄生キャパシタＣ６０，Ｃ７０の容量値を低減することができる。寄生キャパシタＣ６０，Ｃ７０の容量値を比較例のトランス４０Ｘと同じとすると、絶縁体５２を薄くすることができる、つまりトランス４０を薄くすることができる。
　（効果）
　以上記述したように、第１実施形態のトランス４０によれば、以下の効果を奏する。
　（１－１）第１実施形態のトランス４０は、外側コイル導体配線６０を含み、外側コイル導体配線６０は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２の双方を含む。第１外側コイル６１と第２外側コイル６２は、それぞれの第２端６１Ｂ，６２Ｂが互いに電気的に接続されている。第１外側コイル６１および第２外側コイル６２は、第１外側コイル６１の第１端６１Ａから第２外側コイル６２の第１端６２Ａに向けて電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれている。これにより、外側コイル導体配線６０によって生じる磁束Ｍ１は、比較例のトランス４０Ｘと比べて、小さいループとなる。このため、内側コイル導体配線７０を交差する磁束は、比較例のトランス４０Ｘと比べて多くなる。したがって、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の磁気結合の効率を向上することができる。この結果、トランス４０の外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間における伝達特性を向上することができる。
　（１－２）外側コイル導体配線６０によって生じる磁束Ｍ１は、比較例のトランス４０Ｘと比べて、小さいループとなる。このように生じる磁束は、基板５１の基板主面５１Ｓに沿って基板５１を通過する。したがって、比較例のトランス４０Ｘと比べ基板５１において渦電流が生じ難い。このため、第１実施形態のトランス４０では、磁束Ｍ１に対する損失を低減することができる。そして、トランス４０における磁気結合の効率に対する影響を低減することができる。この結果、トランス４０の外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間における伝達特性を向上することができる。
　（１－３）外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０の配線抵抗値は、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０とにそれぞれ流れる電流量、磁気結合度に影響する。外側コイル導体配線６０の配線抵抗値は、外側コイル導体配線６０の配線幅を広くして、配線幅に対する配線厚さのアスペクト比を小さくすることにより得られる。同様に、内側コイル導体配線７０の配線抵抗値は、内側コイル導体配線７０の配線幅を広くして配線幅に対する配線厚さのアスペクト比を小さくすることにより得られる。
　外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０は、ｘ方向およびｙ方向において対向する。したがって、配線幅を大きくしても、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との対向面積は変化しない。つまり、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の寄生キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の容量値は変化しない。つまり、比較例のトランス４０Ｘと比べ、コイル間の寄生キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の容量値を増加させることなく、配線抵抗値を低減することができる。これにより、この結果、トランス４０の外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０において電流が流れやすくなるため、トランス４０において発生する磁束の量を増加させることができる。そして、トランス４０において、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間における磁気結合の効率の向上、ひいては伝達特性を向上することができる。
　（１－４）基板５１と外側コイル導体配線６０との間の寄生キャパシタＣ６０の容量値は、配線幅を一定とすれば、基板５１から外側コイル導体配線６０までの距離に依存する。距離を大きくすると、容量値は低減する。比較例のトランス４０Ｘと同じ厚さの絶縁体５２とした場合、第１実施形態のトランス４０では、基板５１から外側コイル導体配線６０までの距離Ｄ６１，Ｄ６２、基板５１から内側コイル導体配線７０までの距離Ｄ７１，Ｄ７２は、比較例のトランス４０Ｘよりも大きくなる。したがって、寄生キャパシタＣ６０，Ｃ７０の容量値を低減することができる。寄生キャパシタＣ６０，Ｃ７０の容量値を比較例のトランス４０Ｘと同じとすると、絶縁体５２を薄くすることができる、つまりトランス４０を薄くすることができる。
　（１－５）基板５１からの各距離Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ８０，Ｄ９０は、トランス４０の絶縁耐圧に影響する。なお、第１実施形態において、図１、図２に示されるように、外側コイル導体配線６０（１次側コイル１６）は、１次側回路１３を含む第１チップ３１に電気的に接続されている。第１チップ３１およびトランス４０の双方は、１次側ダイパッド２１に搭載されている。したがって、トランス４０の基板５１は、第１チップ３１の１次側回路１３のコモン電圧が同じである。
　そして、トランス４０の外側コイル導体配線６０（第１外側コイル６１および第２外側コイル６２）は、第１チップ３１に接続されている。したがって、外側コイル導体配線６０（第１外側コイル６１および第２外側コイル６２）のコモン電圧は、第１チップ３１の１次側回路１３のコモン電圧と同じである。この場合、トランス４０の絶縁耐圧は、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の最短距離（第１最短距離、第２最短距離）と、外側コイル導体配線６０と基板５１との間の最短厚さとにより決定される。最短距離は、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との形状、つまり、トランス４０のレイアウト設計により調整できる。つまり、トランス４０の絶縁耐圧は、トランス４０のレイアウト設計により調整できる。このため、容易にトランス４０の絶縁耐圧を変更することができる。
　（１－６）第１実施形態のトランス４０を含む信号伝達装置１０では、１次側回路１３（送信回路１３Ｔ）の信号を２次側回路１４（受信回路１４Ｒ）に対して効率良く伝達することができる。
　（第１実施形態の変更例）
　上記第１実施形態は例えば以下のように変更できる。上記第１実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記第１実施形態と共通する部分については、上記第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
　・図８に示される変更例のトランス４０Ａにおいて、外側コイル導体配線６０は、２つの第１絶縁層５３６，５３８に形成された第１外側コイル６１および第２外側コイル６２を含む。第１絶縁層５３６，５３８の第１外側コイル６１は、ビア６５によって並列に接続されている。第１絶縁層５３６，５３８の第２外側コイル６２は、ビア６６によって並列に接続されている。なお、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２を形成する第１絶縁層の数は、３つ以上とすることができる。第１絶縁層５３６，５３８に形成した第１外側コイル６１および第２外側コイル６２を並列に接続することで、外側コイル導体配線６０の配線抵抗値を低減することができる。
　内側コイル導体配線７０は、２つの第１絶縁層５３６，５３８に形成された第１内側コイル７１および第２内側コイル７２を含む。第１絶縁層５３６，５３８の第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、ビア７５によって並列に接続されている。なお、第１内側コイル７１および第２内側コイル７２を形成する第１絶縁層の数は、３つ以上とすることができる。第１絶縁層５３６，５３８に形成した第１内側コイル７１および第２内側コイル７２を並列に接続することで、内側コイル導体配線７０の配線抵抗値を低減することができる。
　・図９、図１０に示される変更例のトランス４０Ｂにおいて、外側コイル導体配線６０は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２と、第１外側コイル６１に接続された第３外側コイル６３と、第２外側コイル６２に接続された第４外側コイル６４とを含む。
　第３外側コイル６３は、ｚ方向から視て第１外側コイル６１と重なるように配置されている。第３外側コイル６３は、２つの第１絶縁層５３６，５３８にそれぞれ形成されたコイル部分６３１，６３２を含む。コイル部分６３１，６３２は、第１外側コイル６１の第１端６１Ａと、第１配線部８０との間に直列に接続されている。
　第４外側コイル６４は、ｚ方向から視て第２外側コイル６２と重なるように配置されている。第４外側コイル６４は、２つの第１絶縁層５３６，５３８にそれぞれ形成されたコイル部分６４１，６４２を含む。コイル部分６４１，６４２は、第２外側コイル６２の第１端６２Ａと、第２配線部９０との間に直列に接続されている。
　この変更例のトランス４０Ｂは、第１配線部８０と第２外側コイル６２との間に、第３外側コイル６３と第１外側コイル６１とが直列に接続されている。また、第１外側コイル６１と第２配線部９０との間に、第２外側コイル６２と第４外側コイル６４とが直列に接続されている。したがって、第１内側コイル７１および第２内側コイル７２のそれぞれの外側に配置される外側コイル導体配線６０の巻数を多くすることができる。これにより、外側コイル導体配線６０によって生じる磁束量を多くすることができる。
　なお、２つの第１絶縁層５３６，５３８に形成された第３外側コイル６３（６３１，６３２）は、並列に接続されてもよい。同様に、２つの第１絶縁層５３６，５３８に形成された第４外側コイル６４（６４１，６４２）は、並列に接続されてもよい。また、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２は、図８に示されるように、複数の第１絶縁層に形成され、並列に接続されてもよい。このように第３外側コイル６３および第４外側コイル６４を並列に接続することにより、外側コイル導体配線６０の巻数を多くするとともに配線抵抗値の増加を抑制することができる。
　図９に示される変更例のトランス４０Ｂでは、第１絶縁層５３８に内側コイル導体配線７０（第１内側コイル７１および第２内側コイル７２）が配置されている。内側コイル導体配線７０が配置される第１絶縁層５３は任意に変更することができる。
　・図１１に示される変更例のトランス４０Ｃは、図９に示されるトランス４０Ｂに対して、第１絶縁層５３８に配置されたコイル部分６３２が、第１外側コイル６１、第２外側コイル６２、第１絶縁層５３６に配置されたコイル部分６３１と、ｚ方向から視て重ならないように配置されている。このように第１外側コイル６１と第３外側コイル６３とを配置することにより、ｚ方向における対向面積が少なくなり、寄生キャパシタの容量を低減することができる。同様に、第４外側コイル６４において、コイル部分６４２を第２外側コイル６２とコイル部分６４１に対して平面視において重ならないように配置することにより、ｚ方向における対向面積が少なくなり、寄生キャパシタの容量を低減することができる。
　・図１２に示される変更例のトランス４０Ｄにおいて、内側コイル導体配線７０の第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、外側コイル導体配線６０の第１外側コイル６１および第２外側コイル６２が配置された第１絶縁層５３７と異なる第１絶縁層５３５に配置されている。このように内側コイル導体配線７０が配置されることにより、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の対向面積が少なくなり、寄生キャパシタの容量を低減することができる。なお、内側コイル導体配線７０の第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、外側コイル導体配線６０が配置された第１絶縁層５３７と異なる第１絶縁層５３に配置されていればよく、たとえば第１絶縁層５３６に配置されていてもよい。
　・図１３は、変更例の信号伝達装置１０Ａの構成を模式的に示す回路図である。図１４は、図１３の信号伝達装置１０Ａの概略平面図である。
　この変更例の信号伝達装置１０Ａは、第１実施形態の信号伝達装置１０と比べ、２次側回路１４Ａの受信回路１４ＲＡの構成が異なる。その受信回路１４ＲＡに対応して、図１４に示されるように、トランス４０と第２チップ３２Ａとの間の接続が異なる。
　この変更例において、開口５３Ｕ３により露出される第１内側コイル７１の第１端７１Ａ（図４参照）には、ワイヤＷ１８Ａが接続される。また、開口５３Ｕ５により露出される第２内側コイル７２の第１端７２Ａ（図４参照）には、ワイヤＷ１８Ｂが接続される。これらのワイヤＷ１８Ａ，Ｗ１８Ｂは、第２チップ３２Ａに接続される。したがって、開口５３Ｕ３，５３Ｕ５により露出される第１端７１Ａ，７２Ａは、トランス４０を第２チップ３２Ａに接続する接続パッドということもできる。
　このように、トランス４０は、図２に示される受信回路１４Ｒを含む第２チップ３２と、図１３に示される受信回路１４ＲＡを含む第２チップ３２Ａのように、構成が異なる第２チップ３２，３２Ａに対して第１チップ３１の信号を伝達することができる。つまり、構成が異なる２種類の信号伝達装置１０，１０Ａに対して、１種類のトランス４０を用いることができる。
　・平面視における外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０の形状は、任意に変更することができる。
　たとえば、図１５に示されるトランス４０Ｅのように、外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０は、四角形状に形成されてもよい。
　また、図１６に示されるトランス４０Ｆのように、外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０は、角部が円弧状に丸められた四角形状に形成されてもよい。
　また、図１７に示されるトランス４０Ｇのように、外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０は、楕円形状に形成されてもよい。なお、図１７では、ｙ方向に対してｘ方向に長い楕円形状が示されているが、ｘ方向に対してｙ方向に長い楕円形状とすることもできる。
　・外側コイル導体配線６０の第１外側コイル６１と第２外側コイル６２とが異なる絶縁層に設けられてもよい。たとえば、図４において、第２外側コイル６２は、第１絶縁層５３６に配置され得る。この場合、第１外側コイル６１の第２端６１Ｂと第２外側コイル６２の第２端６２Ｂとは、平面視において互いに重なり合うように形成される。そして、第１外側コイル６１の第２端６１Ｂと第２外側コイル６２の第２端６２Ｂとは、直接的に電気的に接続される。
　・内側コイル導体配線７０において、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２とが互いに異なる絶縁層に設けられてもよい。
　・図３に示すトランス４０において、ワイヤＷ１３Ａ，Ｗ１３Ｂが、外側コイル導体配線６０（第１外側コイル６１および第２外側コイル６２）に直接接続される構成とすることもできる。たとえば、外側コイル導体配線６０の第１外側コイル６１の第１端６１Ａと内側コイル導体配線７０（第１内側コイル７１）との間の距離が、トランス４０の絶縁耐圧に必要な距離以上とする。これにより、ワイヤＷ１３Ａを第１外側コイル６１の第１端６１Ａに接続することができる。第２外側コイル６２とワイヤＷ１３Ｂについても同様である。
　（第２実施形態）
　次に、第２実施形態について、添付図面を参照して説明する。
　図１８は、第２実施形態のトランスを含む電力伝達装置の構成を模式的に示す回路図である。図１９は、図１８の電力伝達装置を模式的に示す概略平面図である。第２実施形態について、第１実施形態と同様の構成部材については同じ符号を付す。第２実施形態は、トランス１０１を含む電力伝達装置１００として構成されている。第２実施形態のトランス１０１は、プリント配線板（ＰＣＢ）として構成されたものである。
　（電力伝達装置の構成）
　図１８に示されるように、電力伝達装置１００は、交流電源１１１と負荷１１２との間を電気的に絶縁しつつ、交流電源１１１から負荷１１２に対して電力を伝達する装置である。電力伝達装置１００は、トランス１０１、ダイオード１０２，１０３，１０４，１０５、平滑用キャパシタ１０６を含む。交流電源１１１は、トランス１０１の１次側端子１０１Ａに接続される。ダイオード１０２～１０４は、トランス１０１の２次側端子１０１Ｂに接続され、トランス１０１により伝達された交流電力を整流するように接続されている。
　第２実施形態のトランス１０１は、１次側コイル１２１と２次側コイル１２２とを含む。２次側コイル１２２は、第１実施形態のトランス４０と同様に、第１コイル１２２Ａと第２コイル１２２Ｂとを含む。なお、第１実施形態の２次側コイル１７は、図２に示されるように２つのコイルとして示されている。一方、第２実施形態の２次側コイル１２２は、図１８に示されるように、１つのコイルとして示されている。
　（トランスの概略構成）
　図１９から図２１を参照して，第２実施形態のトランス１３０の構造の一例について説明する。
　図１９は、電力伝達装置１００を模式的に示す概略平面図である。図２０は、図１９のＦ２０－Ｆ２０線断面図である。図２１は、図１９のＦ２１－Ｆ２１線断面図である。
　図１９から図２１に示されるように、トランス１３０は、絶縁体１４０、外側コイル導体配線６０、内側コイル導体配線７０を含む。
　（絶縁体）
　絶縁体１４０は、平板状に形成されている。絶縁体１４０は、基板主面１４１と、基板主面１４１とは反対側を向く基板裏面１４２とを含む。さらに、絶縁体１４０は、基板主面１４１および基板裏面１４２の双方と直交する４つの基板側面１４３，１４４，１４５，１４６を含む。基板主面１４１が向く方向をｚ方向とし、ｚ方向と直交するとともに互いに直交する２つの方向をｘ方向およびｙ方向とする。基板側面１４３，１４４は、ｘ方向の両端面を構成する。基板側面１４５，１４６は、ｙ方向の両端面を構成する。
　絶縁体１４０は、電気絶縁性を有する材料により形成されている。この材料としては、たとえば、エポキシ樹脂等を主剤とした合成樹脂を用いることができる。また、材料には、ガラス等のフィラーが含まれていても良い。第２実施形態の絶縁体１４０は、ガラスエポキシ樹脂により形成されている。第２実施形態の絶縁体１４０は、絶縁性を有する樹脂基板である。
　外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０は、絶縁体１４０に埋め込まれている。第２実施形態において、外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０は、ｚ方向において絶縁体１４０の中央に配置されている。外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０は、Ｃｕを含む材料により形成されている。つまり、第２実施形態のトランス１３０は、プリント配線板（ＰＣＢ）として構成されている。
　（外側コイル導体配線）
　外側コイル導体配線６０は、第１外側コイル６１と第２外側コイル６２とを含む。第１外側コイル６１は、第１端６１Ａと、第１端６１Ａとは反対側の第２端６１Ｂとを含む。第２外側コイル６２は、第１端６２Ａと、第１端６２Ａとは反対側の第２端６２Ｂとを含む。第１外側コイル６１の第２端６１Ｂは、第２外側コイル６２の第２端６２Ｂと電気的に接続されている。
　第１外側コイル６１および第２外側コイル６２はそれぞれ，平面視において、四角形の渦巻状に形成されている。第１外側コイル６１および第２外側コイル６２は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２のうち一方の外側コイルの第１端から他方の外側コイルの第１端に電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれている。第２実施形態のトランス１３０において、第１外側コイル６１と第２外側コイル６２は、対称形状であり、点対称形状に形成されている。
　渦巻状の第１外側コイル６１において、第１端６１Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端６１Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第１外側コイル６１は、第１端６１Ａを内周側端部とし、第２端６１Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。同様に、渦巻状の第２外側コイル６２において、第１端６２Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端６２Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第２外側コイル６２は、第１端６２Ａを内周側端部とし、第２端６２Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。そして、第１外側コイル６１と第２外側コイル６２は、それぞれの外周縁端部とする第２端６１Ｂ，６２Ｂが互いに電気的に接続されている。
　（内側コイル導体配線）
　内側コイル導体配線７０は、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２とを含む。第１内側コイル７１は、第１端７１Ａと、第１端７１Ａとは反対側の第２端７１Ｂとを含む。第２内側コイル７２は、第１端７２Ａと、第１端７２Ａとは反対側の第２端７２Ｂとを含む。第１内側コイル７１は、平面視において、第１外側コイル６１の内側に配置されている。第１内側コイル７１は、平面視において、第１外側コイル６１と重ならないように配置されている。第２内側コイル７２は、平面視において、第２外側コイル６２の内側に配置されている。第２内側コイル７２は、平面視において、第２外側コイル６２と重ならないように配置されている。
　第１内側コイル７１および第２内側コイル７２はそれぞれ，平面視において、四角形の渦巻状に形成されている。第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、第１内側コイル７１および第２内側コイル７２のうち一方の内側コイルの第１端から他方の内側コイルの第１端に電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれている。第２実施形態のトランス１３０において、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２は、対称形状であり、点対称形状に形成されている。
　渦巻状の第１内側コイル７１において、第１端７１Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端７１Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第１内側コイル７１は、第１端７１Ａを内周側端部とし、第２端７１Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。同様に、渦巻状の第２内側コイル７２において、第１端７２Ａは渦巻きの内側に配置され、第２端７２Ｂは渦巻きの外側に配置されている。つまり、第２内側コイル７２は、第１端７２Ａを内周側端部とし、第２端７２Ｂを外周側端部とする螺旋状に捲き回されている。
　（配線部）
　トランス１３０は、１次側第１配線１８０および１次側第２配線１９０を含む。１次側第１配線１８０および１次側第２配線１９０は、外側コイル導体配線６０に電気的に接続されている。１次側第１配線１８０は、外側コイル導体配線６０の第１外側コイル６１の第１端６１Ａに電気的に接続されている。１次側第２配線１９０は、外側コイル導体配線６０の第２外側コイル６２の第１端６２Ａに電気的に接続されている。
　１次側第１配線１８０は、接続配線１８１、端子部１８２、貫通配線１８３，１８４を含む。１次側第１配線１８０は、Ｃｕを含む材料により形成されている。図２０、図２１に示すように、接続配線１８１は、基板裏面１４２に設けられている。接続配線１８１は、基板裏面１４２と接している。接続配線１８１は、第１外側コイル６１の第１端６１Ａからｘ方向に延びている。接続配線１８１は、第１端１８１Ａと、第１端１８１Ａとは反対側の第２端１８１Ｂとを含む。接続配線１８１の第１端１８１Ａは、平面視において、第１外側コイル６１の第１端６１Ａと重なっている。図２０に示すように、貫通配線１８３は、第１外側コイル６１の第１端６１Ａと接続配線１８１の第１端１８１Ａとを電気的に接続する。図２１に示すように、貫通配線１８４は、基板主面１４１から基板裏面１４２まで絶縁体１４０を貫通している。貫通配線１８４は、接続配線１８１の第２端１８１Ｂに接続されている。貫通配線１８３，１８４は、ビアまたはスルーホールとして形成される。端子部１８２は、基板主面１４１に設けられ、貫通配線１８４と電気的に接続されている。端子部１８２は、貫通配線１８４から基板側面１４３に向けて延びている。
　１次側第２配線１９０は、接続配線１９１、端子部１９２、貫通配線１９３，１９４を含む。１次側第２配線１９０は、Ｃｕを含む材料により形成されている。接続配線１９１は、基板裏面１４２に設けられている。接続配線１９１は、基板裏面１４２と接している。接続配線１９１は、第２外側コイル６２の第１端６２Ａからｘ方向に延びている。接続配線１９１は、第１端１９１Ａと、第１端１９１Ａとは反対側の第２端１９１Ｂとを含む。接続配線１９１の第１端１９１Ａは、平面視において、第２外側コイル６２の第１端６２Ａと重なっている。貫通配線１９３は、第２外側コイル６２の第１端６２Ａと接続配線１９１の第１端１９１Ａとを電気的に接続する。貫通配線１９４は、基板主面１４１から基板裏面１４２まで絶縁体１４０を貫通している。貫通配線１９４は、接続配線１９１の第２端１９１Ｂに接続されている。貫通配線１９３，１９４は、ビアまたはスルーホールとして形成される。端子部１９２は、基板主面１４１に設けられ、貫通配線１９４と電気的に接続されている。端子部１９２は、貫通配線１９４から基板側面１４３に向けて延びている。
　図１９に示されるように、端子部１８２，１９２は、交流電源１１１が接続される。つまり、端子部１８２，１９２は、トランス１３０に交流電源１１１を接続する接続端子（外部接続パッド）として設けられている。なお、交流電源１１１は、基板裏面１４２の接続配線１８１，１９１に接続することもできる。この場合、接続配線１８１，１９１それぞれの一部が接続端子（外部接続パッド）として設けられる。
　図１９、図２０に示されるように、トランス１３０は、接続部材２００を含む。接続部材２００は、導電配線であり、配線部２０１、貫通配線２０２，２０３を含む。接続部材２００は、Ｃｕを含む材料により形成されている。配線部２０１は、基板主面１４１に設けられている。配線部２０１は、基板主面１４１に接する。配線部２０１は、第１端２０１Ａと、第１端２０１Ａとは反対側の第２端２０１Ｂとを含む。配線部２０１の第１端２０１Ａは、平面視において、第１内側コイル７１の第１端７１Ａと重なっている。配線部２０１の第２端２０１Ｂは、平面視において、第２内側コイル７２の第１端７２Ａと重なっている。図２０に示されるように、貫通配線２０２は、第１内側コイル７１の第１端７１Ａと配線部２０１の第１端２０１Ａとを電気的に接続する。貫通配線２０３は、第２内側コイル７２の第１端７２Ａと配線部２０１の第２端２０１Ｂとを電気的に接続する。
　トランス１３０は、２次側第１配線２１０および２次側第２配線２２０を含む。２次側第１配線２１０および２次側第２配線２２０は、内側コイル導体配線７０に電気的に接続されている。２次側第１配線２１０は、内側コイル導体配線７０の第１内側コイル７１の第２端７１Ｂに電気的に接続されている。２次側第２配線２２０は、内側コイル導体配線７０の第２内側コイル７２の第２端７２Ｂに電気的に接続されている。
　２次側第１配線２１０は、接続配線２１１、貫通配線２１２を含む。２次側第１配線２１０は、Ｃｕを含む材料により形成されている。図２０に示されるように、接続配線２１１は、基板主面１４１に設けられている。接続配線２１１は、基板主面１４１と接している。接続配線２１１は、第１内側コイル７１の第２端７１Ｂからｘ方向に延びる第１部分２１１Ｃと、第１部分２１１Ｃの先端からｙ方向に延びる第２部分２１１Ｄとを含む。接続配線２１１は、第１端２１１Ａと、第１端２１１Ａとは反対側の第２端２１１Ｂとを含む。接続配線２１１の第１端２１１Ａは、平面視において、第１内側コイル７１の第２端７１Ｂと重なっている。貫通配線２１２は、第１内側コイル７１の第２端７１Ｂと接続配線２１１の第１端２１１Ａとを電気的に接続する。
　２次側第２配線２２０は、接続配線２２１、貫通配線２２２を含む。２次側第２配線２２０は、Ｃｕを含む材料により形成されている。図２０に示されるように、接続配線２２１は、基板主面１４１に設けられている。接続配線２２１は、基板主面１４１と接している。接続配線２２１は、第２内側コイル７２の第２端７２Ｂからｘ方向に延びる第１部分２２１Ｃと、第１部分２２１Ｃの先端からｙ方向に延びる第２部分２２１Ｄとを含む。接続配線２２１は、第１端２２１Ａと、第１端２２１Ａとは反対側の第２端２２１Ｂとを含む。接続配線２２１の第１端２２１Ａは、平面視において、第２内側コイル７２の第２端７２Ｂと重なっている。貫通配線２２２は、第２内側コイル７２の第２端７２Ｂと接続配線２２１の第２端２２１Ｂとを電気的に接続する。
　図１９に示されるように、接続配線２１１の第２端２１１Ｂと接続配線２２１の第２端２２１Ｂとの間には、ダイオード１０２～１０５が接続される。４つのダイオード１０２～１０５は、トランス１３０の２次側における全波整流回路を構成する。つまり、接続配線２１１，２２１の第２端２１１Ｂ，２２１Ｂは、トランス１３０にダイオード１０２～１０５を接続する接続端子（外部接続パッド）として設けられている。
　（作用）
　第２実施形態のトランス１３０を含む電力伝達装置１００では、第１実施形態のトランス４０を含む信号伝達装置１０と同様に、トランス１３０において向上された伝達特性が得られる。
　第２実施形態のトランス１３０を含む電力伝達装置１００は、たとえば、金属製のベース板に取着されたり、金属製の筐体に収容されたりする。図７で示した比較例のトランス４０Ｘと同様に、１次側コイルと２次側コイルとが絶縁体の厚さ方向に並べられたトランスでは、第１実施形態で説明したように、ベース板や筐体に渦電流が生じるため、トランスの磁束に対して損失が生じる。これに対し、第２実施形態のトランス１３０は、第１実施形態のトランス４０と同様の磁束が生じるため、ベース板や筐体に渦電流が生じ難い。このため、第２実施形態のトランス１３０では、磁束に対する損失を低減することができる。そして、トランス１３０における磁気結合の効率に対する影響を低減することができる。この結果、トランス１３０の外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間における伝達特性を向上することができる。
　（効果）
　以上記述したように、第２実施形態のトランス１３０によれば、以下の効果を奏する。
　（２－１）第２実施形態のトランス１３０では、第１実施形態のトランス４０の効果（１－１）～（１－６）と同様の効果を奏する。
　（２－２）第２実施形態のトランス１３０を含む電力伝達装置１００では、交流電源１１１による電力を負荷１１２に対して効率良く伝達することができる。
　（第２実施形態の変更例）
　上記第２実施形態は例えば以下のように変更できる。上記第２実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記第２実施形態と共通する部分については、上記第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
　・図２２に示される変更例のトランス１３０Ａにおいて、外側コイル導体配線６０は、絶縁体１４０の厚さ方向（ｚ方向）に並べられた２つの第１外側コイル６１および第２外側コイル６２を含む。２つの第１外側コイル６１は、ビア６５によって互いに並列に接続されている。２つの第２外側コイル６２は、ビア６６によって互いに並列に接続されている。なお、絶縁体１４０の厚さ方向（ｚ方向）において、３つ以上の第１外側コイル６１および第２外側コイル６２が並べられてもよい。この構成により、外側コイル導体配線６０の配線抵抗値を低減することができる。
　内側コイル導体配線７０は、絶縁体１４０の厚さ方向（ｚ方向）に並べられた３つの第１内側コイル７１および第２内側コイル７２を含む。３つの第１内側コイル７１および第２内側コイル７２は、ビア７５によって並列に接続されている。なお、絶縁体１４０の厚さ方向（ｚ方向）において、２つまたは４つ以上の第１内側コイル７１および第２内側コイル７２が並べられてもよい。この構成により、内側コイル導体配線７０の配線抵抗値を低減することができる。
　・図２３に示される変更例のトランス１３０Ｂにおいて、外側コイル導体配線６０は、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２と、第１外側コイル６１に接続された第３外側コイル６３と、第２外側コイル６２に接続された第４外側コイル６４とを含む。
　第３外側コイル６３は、第１外側コイル６１とｚ方向から視て重なるように配置されている。第３外側コイル６３は、ｚ方向に並べられた２つのコイル部分６３１，６３２を含む。コイル部分６３１，６３２は、第１外側コイル６１の第１端６１Ａと、１次側第１配線１８０との間に直列に接続されている。
　第４外側コイル６４は、第２外側コイル６２とｚ方向から視て重なるように配置されている。第４外側コイル６４は、ｚ方向に並べられた２つのコイル部分６４１，６４２を含む。コイル部分６４１，６４２は、第２外側コイル６２の第１端６２Ａと、１次側第２配線１９０との間に直列に接続されている。
　この変更例のトランス１３０Ｂは、１次側第１配線１８０と第２外側コイル６２との間に、第３外側コイル６３と第１外側コイル６１とが直列に接続されている。また、第１外側コイル６１と１次側第２配線１９０との間に、第２外側コイル６２と第４外側コイル６４とが直列に接続されている。したがって、第１内側コイル７１および第２内側コイル７２のそれぞれの外側に配置される外側コイル導体配線６０の巻数を多くすることができる。これにより、外側コイル導体配線６０によって生じる磁束量を多くすることができる。
　なお、ｚ方向に配列された２つのコイル部分６３１，６３２は、並列に接続されてもよい。同様に、ｚ方向に配列された２つのコイル部分６４１，６４２は、並列に接続されてもよい。また、第１外側コイル６１および第２外側コイル６２は、図８に示されるように、複数の第１絶縁層に形成され、並列に接続されてもよい。このように第３外側コイル６３および第４外側コイル６４を並列に接続することにより、外側コイル導体配線６０の巻数を多くするとともに配線抵抗値の増加を抑制することができる。
　・図２４に示される変更例のトランス１３０Ｃは、図２３に示されるトランス１３０Ｂに対して、ｚ方向において絶縁体１４０の中央に配置されたコイル部分６３１は、第１外側コイル６１と、基板裏面１４２寄りに配置されたコイル部分６３２に対して、ｚ方向から視て重ならないように配置されている。同様に、ｚ方向において絶縁体１４０の中央に配置されたコイル部分６４１は、第２外側コイル６２と、基板裏面１４２寄りに配置されたコイル部分６４２に対して、ｚ方向から視て重ならないように配置されている。このように、第１外側コイル６１と第３外側コイル６３、第２外側コイル６２と第４外側コイル６４とを配置することにより、ｚ方向における対向面積が少なくなり、寄生キャパシタの容量を低減することができる。
　・図２５に示される変更例のトランス１３０Ｄにおいて、外側コイル導体配線６０は、ｚ方向において、内側コイル導体配線７０に対して基板主面１４１寄りに配置されている。また、内側コイル導体配線７０は、ｚ方向において、外側コイル導体配線６０に対して基板裏面１４２寄りに配置されている。このように外側コイル導体配線６０および内側コイル導体配線７０が配置されることにより、外側コイル導体配線６０と内側コイル導体配線７０との間の対向面積が少なくなり、寄生キャパシタの容量を低減することができる。
　・図２６は、変更例の電力伝達装置１００Ａの構成を模式的に示す回路図である。図２７は、図２６の電力伝達装置１００Ａの概略平面図である。
　この変更例の電力伝達装置１００Ａは、第２実施形態の電力伝達装置１００と比べ、２次側コイル１２２の中性点（第１コイル１２２Ａと第２コイル１２２Ｂとの間の接続点）が負荷１１２のグランドに接続されている。
　図２７に示されるように、この変更例の電力伝達装置１００Ａは、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２とを互いに接続する第１接続部材２３１と、第１接続部材２３１に第１端２３２Ａが接続され、ｘ方向に延びる第２接続部材２３２とを含む。第２接続部材２３２の第２端２３２Ｂには、負荷１１２、平滑用キャパシタ１０６が接続される。この第１接続部材２３１および第２接続部材２３２は、第１内側コイル７１と第２内側コイル７２との間の接続点を負荷１１２に接続する中性点となる。
　図２７に示される変更例のトランス１３０Ｅにおいて、２次側第１配線２１０の接続配線２１１と２次側第２配線２２０の接続配線２２１は、ｘ方向に延びる部分のみを含む。２次側第１配線２１０の接続配線２１１の第２端２１１Ｂには、ダイオード１０５のアノードが接続され、２次側第２配線２２０の接続配線２２１の第２端２２１Ｂにはダイオード１０３のアノードが接続される。
　トランス１３０Ｅは、基板主面１４１に配置された負荷接続配線２４０を含む。負荷接続配線２４０は、ダイオード１０３，１０５のカソードが接続されるとともに、負荷１１２および平滑用キャパシタ１０６が接続される。
　（その他の変更例）
　上記各実施形態は例えば以下のように変更できる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
　・第１実施形態のトランス４０を含む電力伝達装置が構成されてもよい。
　図２８は、変更例の電力伝達装置３００の構成の一例を示す回路図である。この電力伝達装置３００は、制御回路３０１、発振器３０２、トランス１５（４０）、ダイオード３０３，３０４，３０５，３０６、平滑用キャパシタ３０７を含む。制御回路３０１、発振器３０２、トランス１５（４０）、ダイオード３０３～３０６，および平滑用キャパシタ３０７は、第１実施形態の信号伝達装置１０と同様に、封止樹脂２７により封止される。
　制御回路３０１は、直流電源３１１が接続される。発振器３０２は、制御回路３０１により制御され、交流信号を出力する。この交流信号は、トランス４０により伝達される。負荷３１２には、ダイオード３０３～３０６および平滑用キャパシタ３０７による直流電圧が供給される。つまり、この電力伝達装置３００は、直流電源３１１の電圧を、負荷３１２の動作電圧に変換する直流電圧変換回路（ＤＣ－ＤＣコンバータ）として働く。
　図２９は、変更例の電力伝達装置３２０の構成の一例を示す回路図である。この電力伝達装置３２０は、制御回路３０１、発振器３０２、トランス４０、ダイオード３０４，３０６、平滑用キャパシタ３０７を含む。トランス４０の２次側コイル１７を構成する第１コイル１７Ａと第２コイル１７Ｂとの間の中性点が２次側端子３２２Ｂに電気的に接続されている。２次側端子３２２Ａ，３２２Ｂには負荷３１２が接続される。この電力伝達装置３２０は、直流電源３１１の電圧を、負荷３１２の動作電圧に変換する直流電圧変換回路（ＤＣ－ＤＣコンバータ）として働く。
　本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「第１層が第２層上に形成される」という表現は、或る実施形態では第１層が第２層に接触して第２層上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１層が第２層に接触することなく第２層の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１層と第２層との間に他の層が形成される構造を排除しない。
　本開示で使用されるｚ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造（たとえば、図４に示される構造）は、本明細書で説明されるＺ軸方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。たとえば、ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはｙ方向が鉛直方向であってもよい。
　（付記）
　本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
　（付記１）
　平板状の絶縁体（５２）と、
　前記絶縁体内に配置された外側コイル導体配線（６０）および内側コイル導体配線（７０）と、
　を含み、
　前記外側コイル導体配線（６０）は、第１端（６１Ａ，６２Ａ）と第２端（６１Ｂ，６２Ｂ）をそれぞれ有する第１外側コイル（６１）および第２外側コイル（６２）を含み、
　前記第１外側コイル（６１）の第２端（６１Ｂ）および前記第２外側コイル（６２）の第２端（６２Ｂ）は互いに接続されており、前記第１外側コイル（６１）および前記第２外側コイル（６２）は、前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルのうち一方の外側コイルの第１端から他方の外側コイルの第１端に電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれており、
　前記内側コイル導体配線（７０）は、第１端（７１Ａ，７２Ａ）と第２端（７１Ｂ，７２Ｂ）をそれぞれ有する第１内側コイル（７１）および第２内側コイル（７２）を含み、
　平面視において、前記第１内側コイル（７１）は前記第１外側コイル（６１）の内側に前記第１外側コイル（６１）と重ならないように配置され、前記第２内側コイル（７２）は前記第２外側コイル（６２）の内側に前記第２外側コイル（６２）と重ならないように配置されている、
　トランス。
　（付記２）
　前記第１外側コイル（６１）および前記第２外側コイル（６２）は、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）から視て渦巻状に形成されている、付記１に記載のトランス。
　（付記３）
　前記第１外側コイル（６１）および前記第２外側コイル（６２）はそれぞれ、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）に複数設けられ、複数の前記第１外側コイル（６１）は互いに接続され、複数の前記第２外側コイル（６２）は互いに接続されている、付記１または付記２に記載のトランス。
　（付記４）
　前記外側コイル導体配線（６０）は、前記第１外側コイル（６１）の第１端に接続された第３外側コイル（６３）と、前記第２外側コイル（６２）の第１端に接続された第４外側コイル（６４）と、
　を含む、付記１から付記３のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記５）
　前記第３外側コイル（６３）は、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）から視て前記第１外側コイル（６１）と重なるように配置され、
　前記第４外側コイル（６４）は、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）から視て前記第２外側コイル（６２）と重なるように配置されている、
　付記４に記載のトランス。
　（付記６）
　前記第３外側コイル（６３）および前記第４外側コイル（６４）はそれぞれ、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）に複数設けられ、複数の前記第３外側コイル（６３）は互いに接続され、複数の前記第４外側コイル（６４）は互いに接続されている、付記４または付記５に記載のトランス。
　（付記７）
　前記第１内側コイル（７１）および前記第２内側コイル（７２）は、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）から視て渦巻状に形成されている、付記１から付記６のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記８）
　前記第１内側コイル（７１）および前記第２内側コイル（７２）はそれぞれ、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）に複数設けられ、複数の前記第１内側コイル（７１）は互いに接続され、複数の前記第２内側コイル（７２）は互いに接続されている、付記１から付記７のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記９）
　前記内側コイル導体配線は、前記第１内側コイル（７１）の第２端に接続された第３内側コイルと、前記第２内側コイル（７２）の第２端に接続された第４内側コイルと、を含む、付記１から付記８のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１０）
　前記第３内側コイルは、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）から視て前記第１内側コイル（７１）と重なるように配置され、
　前記第４内側コイルは、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）から視て前記第２内側コイル（７２）と重なるように配置されている、
　付記９に記載のトランス。
　（付記１１）
　前記第３内側コイルおよび前記第４内側コイルはそれぞれ、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）に複数設けられ、複数の前記第３内側コイルは互いに接続され、複数の前記第４内側コイルは互いに接続されている、付記９または付記１０に記載のトランス。
　（付記１２）
　前記絶縁体（５２）は、上面と、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）において前記上面とは反対側を向く下面とを有し、
　前記外側コイル導体配線および前記内側コイル導体配線の双方は、前記絶縁体（５２）の上面寄りに配置されている、付記１から付記１１のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１３）
　前記第１外側コイル（６１）および前記第２外側コイル（６２）は、前記第１内側コイル（７１）および前記第２内側コイル（７２）のうちの少なくとも一方と、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）で同じ位置であり、厚さ方向（ｚ）と直交する同一平面上に配置されている、付記１から付記１２のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１４）
　前記第１外側コイル（６１）および前記第２外側コイル（６２）は、前記第１内側コイル（７１）および前記第２内側コイル（７２）のうちの少なくとも一方に対して、前記絶縁体（５２）の厚さ方向（ｚ）において異なる位置に配置されている、付記１から付記１２のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１５）
　平面視における前記第１内側コイル（７１）と前記第１外側コイル（６１）との間の第１最短距離と、平面視における前記第２内側コイル（７２）と前記第２外側コイル（６２）との間の第２最短距離とが同一である、付記１から付記１４のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１６）
　前記絶縁体（５２）は、半導体基板（５１）上に形成された絶縁層である、付記１から付記１５のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１７）
　前記絶縁体（５２）は、絶縁性を有する、付記１から付記１５のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１８）
　前記第１内側コイル（７１）の第２端と前記第２内側コイル（７２）の第２端とを接続する接続部材を有する、付記１から付記１７のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記１９）
　接続部材は、ボンディングワイヤである、付記１８に記載のトランス。
　（付記２０）
　前記接続部材は、前記絶縁体（５２）の内部または前記絶縁体（５２）の表面に配置された導電配線である、付記１８に記載のトランス。
　（付記２１）
　前記外側コイル導体配線（６０）は厚さ方向（ｚ）から視て点対称形状である、付記１から付記２０のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記２２）
　前記内側コイル導体配線（７０）は厚さ方向（ｚ）から視て点対称形状または線対称形状である、付記１から付記２０のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記２３）
　前記第１外側コイル（６１）および前記第２外側コイル（６２）は、厚さ方向（ｚ）から視て円形の渦巻き状である、付記１から付記２２のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記２４）
　前記第１外側コイル（６１）および前記第２外側コイル（６２）は、厚さ方向（ｚ）から視て多角形の渦巻き状である、付記１から付記２２のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記２５）
　前記第１内側コイル（７１）および前記第２内側コイル（７２）は、厚さ方向（ｚ）から視て円形の渦巻き状である、付記１から付記２２のいずれか一つに記載のトランス。
　（付記２６）
　前記第１内側コイル（７１）および前記第２内側コイル（７２）は、厚さ方向（ｚ）から視て多角形の渦巻き状である、付記１から付記２２のいずれか一つに記載のトランス。
　以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
　１０，１０Ａ　信号伝達装置
　１１　１次側端子
　１２　２次側端子
　１３　１次側回路
　１３Ｔ　送信回路
　１４，１４Ａ　２次側回路
　１４Ｒ，１４ＲＡ　受信回路
　１５　トランス
　１６　１次側コイル
　１７　２次側コイル
　１７Ａ　第１コイル
　１７Ｂ　第２コイル
　２１　１次側ダイパッド
　２２　２次側ダイパッド
　２３，２３Ａ～２３Ｄ　リード（１次側リード）
　２４，２４Ａ～２４Ｄ　リード（２次側リード）
　２７　封止樹脂
　３１　第１チップ
　３２　第２チップ
　４０，４０Ａ～４０Ｇ　トランス
　５１　基板
　５２　絶縁体
　５３　絶縁層
　５３１～５３１０　絶縁層（第１絶縁層）
　５３Ｄ　絶縁層（第１絶縁層）
　５３Ｕ　絶縁層（第２絶縁層）
　５３Ｕ１～５３Ｕ６　開口
　６０　外側コイル導体配線
　６１　第１外側コイル
　６１Ａ　第１端
　６１Ｂ　第２端
　６２　第２外側コイル
　６２Ａ　第１端
　６２Ｂ　第２端
　６３　第３外側コイル
　６４　第４外側コイル
　６５　ビア
　６６　ビア
　７０　内側コイル導体配線
　７１　第１内側コイル
　７１Ａ　第１端
　７１Ｂ　第２端
　７２　第２内側コイル
　７２Ａ　第１端
　７２Ｂ　第２端
　７５　ビア
　８０　第１配線部
　９０　第２配線部
　１００，１００Ａ　電力伝達装置
　１０１　トランス
　１３０Ａ～１３０Ｅ　トランス
　１４０　絶縁体
　１８０　１次側第１配線
　１８１　接続配線
　１９０　１次側第２配線
　２００　接続部材
　２１０　２次側第１配線
　２４０　負荷接続配線
　３００　電力伝達装置
　３２０　電力伝達装置
　Ｃ１１，Ｃ１２　寄生キャパシタ
　Ｃ２１，Ｃ２２　寄生キャパシタ
　Ｃ６０，Ｃ７０　寄生キャパシタ
　Ｄ１１，Ｄ１２　距離
　Ｄ２１，Ｄ２２　距離
　Ｄ６１，Ｄ６２　距離
　Ｄ７１，Ｄ７２　距離
　Ｄ８０，Ｄ９０　距離
　Ｉ１Ｘ　渦電流
　Ｍ１，Ｍ１Ｘ　磁束

Claims (17)

  1. 　平板状の絶縁体と、
    　前記絶縁体内に配置された外側コイル導体配線および内側コイル導体配線と、
    　を含み、
    　前記外側コイル導体配線は、第１端と第２端をそれぞれ有する第１外側コイルおよび第２外側コイルを含み、
    　前記第１外側コイルの第２端および前記第２外側コイルの第２端は互いに接続されており、前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルは、前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルのうち一方の外側コイルの第１端から他方の外側コイルの第１端に電流が流れた場合に互いに逆向きの磁束が生じるように捲かれており、
    　前記内側コイル導体配線は、第１端と第２端をそれぞれ有する第１内側コイルおよび第２内側コイルを含み、
    　平面視において、前記第１内側コイルは前記第１外側コイルの内側に前記第１外側コイルと重ならないように配置され、前記第２内側コイルは前記第２外側コイルの内側に前記第２外側コイルと重ならないように配置されている、
    　トランス。
  2. 　前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルは、前記絶縁体の厚さ方向から視て渦巻状に形成されている、請求項１に記載のトランス。
  3. 　前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルはそれぞれ、前記絶縁体の厚さ方向に複数設けられ、複数の前記第１外側コイルは互いに接続され、複数の前記第２外側コイルは互いに接続されている、請求項１または２に記載のトランス。
  4. 　前記外側コイル導体配線は、前記第１外側コイルの第１端に接続された第３外側コイルと、前記第２外側コイルの第１端に接続された第４外側コイルと、
    　を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のトランス。
  5. 　前記第３外側コイルは、前記絶縁体の厚さ方向から視て前記第１外側コイルと重なるように配置され、
    　前記第４外側コイルは、前記絶縁体の厚さ方向から視て前記第２外側コイルと重なるように配置されている、
    　請求項４に記載のトランス。
  6. 　前記第３外側コイルおよび前記第４外側コイルはそれぞれ、前記絶縁体の厚さ方向に複数設けられ、複数の前記第３外側コイルは互いに接続され、複数の前記第４外側コイルは互いに接続されている、請求項４または５に記載のトランス。
  7. 　前記第１内側コイルおよび前記第２内側コイルは、前記絶縁体の厚さ方向から視て渦巻状に形成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載のトランス。
  8. 　前記第１内側コイルおよび前記第２内側コイルはそれぞれ、前記絶縁体の厚さ方向に複数設けられ、複数の前記第１内側コイルは互いに接続され、複数の前記第２内側コイルは互いに接続されている、請求項１～７のいずれか一項に記載のトランス。
  9. 　前記内側コイル導体配線は、前記第１内側コイルの第２端に接続された第３内側コイルと、前記第２内側コイルの第２端に接続された第４内側コイルと、を含む、請求項１～８のいずれか一項に記載のトランス。
  10. 　前記第３内側コイルは、前記絶縁体の厚さ方向から視て前記第１内側コイルと重なるように配置され、
    　前記第４内側コイルは、前記絶縁体の厚さ方向から視て前記第２内側コイルと重なるように配置されている、
    　請求項９に記載のトランス。
  11. 　前記第３内側コイルおよび前記第４内側コイルはそれぞれ、前記絶縁体の厚さ方向に複数設けられ、複数の前記第３内側コイルは互いに接続され、複数の前記第４内側コイルは互いに接続されている、請求項９または１０に記載のトランス。
  12. 　前記絶縁体は、上面と、前記絶縁体の厚さ方向において前記上面とは反対側を向く下面とを有し、
    　前記外側コイル導体配線および前記内側コイル導体配線の双方は、前記絶縁体の上面寄りに配置されている、請求項１～１１のいずれか一項に記載のトランス。
  13. 　前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルは、前記第１内側コイルおよび前記第２内側コイルのうちの少なくとも一方と、前記絶縁体の厚さ方向で同じ位置であり、厚さ方向と直交する同一平面上に配置されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載のトランス。
  14. 　前記第１外側コイルおよび前記第２外側コイルは、前記第１内側コイルおよび前記第２内側コイルのうちの少なくとも一方に対して、前記絶縁体の厚さ方向において異なる位置に配置されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載のトランス。
  15. 　平面視における前記第１内側コイルと前記第１外側コイルとの間の第１最短距離と、平面視における前記第２内側コイルと前記第２外側コイルとの間の第２最短距離とが同一である、請求項１～１４のいずれか一項に記載のトランス。
  16. 　前記絶縁体は、半導体基板上に形成された絶縁層である、請求項１～１５のいずれか一項に記載のトランス。
  17. 　前記絶縁体は、絶縁性を有する、請求項１～１５のいずれか一項に記載のトランス。
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