WO2022234848A1

WO2022234848A1 - 信号伝達装置および絶縁モジュール

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Publication number: WO2022234848A1
Application number: PCT/JP2022/019530
Authority: WO
Inventors: 弘治齊藤
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2021-05-07
Filing date: 2022-05-02
Publication date: 2022-11-10
Also published as: US20240072031A1; CN117242571A; DE112022002471T5; JPWO2022234848A1

Abstract

信号伝達装置は絶縁チップを備える。絶縁チップは、第１パッドおよび第２パッドが形成された表面および表面とは反対側の裏面を有する素子絶縁層と、素子絶縁層内に設けられた第１絶縁素子および第２絶縁素子と、を有する。第１絶縁素子は、第１パッドに電気的に接続された第１表面側導電部と、第１表面側導電部と素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第１裏面側導電部と、を備える。第２絶縁素子は、第２パッドに電気的に接続された第２表面側導電部と、第２表面側導電部と素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第２裏面側導電部と、を備える。第１裏面側導電部と第２裏面側導電部とは電気的に接続されており、第１表面側導電部と１次側回路とは、第１パッドを介して電気的に接続されており、第２表面側導電部と２次側回路とは、第２パッドを介して電気的に接続されている。

Description

信号伝達装置および絶縁モジュール

　本開示は、信号伝達装置および絶縁モジュールに関する。

　信号伝達装置の一例として、トランジスタ等のスイッチング素子のゲートにゲート電圧を印加する絶縁型のゲートドライバが知られている。たとえば特許文献１には、１次側の第１コイルおよび２次側の第２コイルを有するトランスを備える絶縁型のゲートドライバとしての半導体集積回路が記載されている。

特開２０１３－５１５４７号公報

　ここで、ゲートドライバは、１次側回路と２次側回路とを絶縁するのに用いられるトランスなどの絶縁素子を備えている。かかるゲートドライバにおいては、絶縁耐圧の向上が求められる場合がある。なお、このような問題は、ゲートドライバに限られず、１次側回路および２次側回路を絶縁するとともに信号を伝達する信号伝達装置および絶縁モジュールにおいて同様に生じ得る。

　上記課題を解決する信号伝達装置は、１次側回路を含む第１チップと、前記第１チップが実装される１次側ダイパッドと、絶縁チップと、前記絶縁チップを介して前記１次側回路と信号の送信および受信の少なくとも一方を行うように構成された２次側回路を含む第２チップと、前記第２チップが実装される２次側ダイパッドと、前記１次側ダイパッドまたは前記２次側ダイパッドと前記絶縁チップとの間に介在された絶縁板と、を備え、前記絶縁チップは、第１パッドおよび第２パッドが形成された表面、および前記表面とは反対側の裏面を有する素子絶縁層と、前記素子絶縁層内に設けられた第１絶縁素子および第２絶縁素子と、を有し、前記第１絶縁素子は、前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第１パッドに電気的に接続された第１表面側導電部と、前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第１表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第１裏面側導電部と、を備え、前記第２絶縁素子は、前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第２パッドに電気的に接続された第２表面側導電部と、前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第２表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第２裏面側導電部と、を備え、前記第１裏面側導電部と前記第２裏面側導電部とが電気的に接続されており、前記第１表面側導電部と前記１次側回路とは、前記第１パッドを介して電気的に接続されており、前記第２表面側導電部と前記２次側回路とは、前記第２パッドを介して電気的に接続されている。

　上記課題を解決する絶縁モジュールは、素子絶縁層と、前記素子絶縁層に埋め込まれた第１絶縁素子および第２絶縁素子を有する絶縁ユニットを備えた絶縁モジュールであって、前記素子絶縁層は、第１パッドおよび第２パッドが形成された表面、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記第１絶縁素子は、前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第１パッドに電気的に接続された第１表面側導電部と、前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第１表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第１裏面側導電部と、を備え、前記第２絶縁素子は、前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第２パッドに電気的に接続された第２表面側導電部と、前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第２表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第２裏面側導電部と、を備え、前記第１裏面側導電部と前記第２裏面側導電部とが電気的に接続されている。

　上記信号伝達装置および絶縁モジュールによれば、絶縁耐圧の向上を図ることができる。

図１は、第１実施形態の信号伝達装置の回路構成を模式的に示す回路図である。図２は、図１の信号伝達装置の断面構造を模式的に示す断面図である。図３は、図２の信号伝達装置のトランスチップの平面構造を模式的に示す平面図である。図４は、図３のトランスチップについて、トランスチップの厚さ方向と直交する平面で切った断面構造を模式的に示す断面図である。図５は、図３のトランスチップの５－５線の断面構造を模式的に示す断面図である。図６は、図３のトランスチップの６－６線の断面構造を模式的に示す断面図である。図７は、比較例のトランスチップの平面構造を模式的に示す平面図である。図８は、比較例のトランスチップについて、トランスチップの厚さ方向と直交する平面で切った断面構造を模式的に示す断面図である。図９は、図７のトランスチップの９－９線の断面構造を模式的に示す断面図である。図１０は、第２実施形態の信号伝達装置の回路構成を模式的に示す回路図である。図１１は、図１０の信号伝達装置の断面構造を模式的に示す断面図である。図１２は、図１１の信号伝達装置のキャパシタチップの平面構造を模式的に示す平面図である。図１３は、図１２のキャパシタチップについて、キャパシタチップの厚さ方向と直交する平面で切った断面構造を模式的に示す断面図である。図１４は、図１２のキャパシタチップの１４－１４線の断面構造を模式的に示す断面図である。図１５は、図１２のキャパシタチップの１５－１５線の断面構造を模式的に示す断面図である。図１６は、変更例のトランスチップについて、トランスチップの厚さ方向と直交する平面で切った断面構造を模式的に示す断面図である。図１７は、図１６のトランスチップの１７－１７線の断面構造を模式的に示す断面図である。図１８は、変更例のトランスチップの平面構造を模式的に示す平面図である。図１９は、図１８のトランスチップについて、トランスチップの厚さ方向と直交する平面で切った断面構造を模式的に示す断面図である。

　以下、信号伝達装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。

　［第１実施形態］
　図１～図６を参照して、第１実施形態の信号伝達装置１０について説明する。図１は、信号伝達装置１０の回路構成の一例を簡略化して示している。

　図１に示すように、信号伝達装置１０は、１次側端子１１と２次側端子１２との間を電気的に絶縁しつつパルス信号を伝達する装置である。信号伝達装置１０はデジタルアイソレータであり、その一例はＤＣ／ＤＣコンバータである。信号伝達装置１０は、１次側端子１１に電気的に接続された１次側回路１３と、２次側端子１２に電気的に接続された２次側回路１４と、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁するトランス１５とを有する信号伝達回路１０Ａを備えている。ここで、本実施形態では、トランス１５は「絶縁素子」に対応している。

　１次側回路１３は、第１電圧が印加されることによって動作するように構成された回路である。１次側回路１３は、たとえば外部の制御装置（図示略）に電気的に接続されている。

　２次側回路１４は、第１電圧とは異なる第２電圧が印加されることによって動作するように構成された回路である。第２電圧は、たとえば第１電圧よりも高い。第１電圧および第２電圧は直流電圧である。２次側回路１４は、たとえば制御装置の制御対象となる駆動回路に電気的に接続されている。駆動回路の一例は、スイッチング回路である。

　本実施形態の信号伝達装置１０は、外部の制御装置（図示略）からの制御信号が１次側端子１１に入力されると、１次側回路１３からトランス１５を介して２次側回路１４に信号が伝達されて２次側回路１４から２次側端子１２を介して駆動回路に信号が出力されるように構成されている。

　上述のとおり、信号伝達回路１０Ａは、トランス１５によって１次側回路１３と２次側回路１４とが電気的に絶縁されている。より詳細には、トランス１５によって１次側回路１３と２次側回路１４との間で直流電圧が伝達されることが規制されている一方、パルス信号の伝達は可能となっている。

　すなわち、１次側回路１３と２次側回路１４とが絶縁されている状態とは、１次側回路１３と２次側回路１４との間において、直流電圧の伝達が遮断されている状態を意味し、１次側回路１３から２次側回路１４へのパルス信号の伝達については許容している。

　信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、たとえば２５００Ｖｒｍｓ以上７５００Ｖｒｍｓ以下である。本実施形態の信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、５０００Ｖｒｍｓ程度である。ただし、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の具体的な数値はこれに限られず任意である。本実施形態では、１次側回路１３のグランドと２次側回路１４のグランドとが独立して設けられている。

　以下、トランス１５について詳細に説明する。
　本実施形態の信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４に向けて２種類の信号を伝達させることに対応させて、トランス１５を２つ備えている。より詳細には、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４への第１信号の伝達に用いられるトランス１５と、１次側回路１３から２次側回路１４への第２信号の伝達に用いられるトランス１５と、を備えている。本実施形態では、第１信号は信号伝達装置１０に入力される外部信号の立ち上がり情報を含む信号であり、第２信号は外部信号の立ち下がり情報を含む信号である。第１信号および第２信号によってパルス信号が生成される。

　以下、説明の便宜上、第１信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ａ」とし、第２信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ｂ」とする。ここで、本実施形態では、トランス１５Ａは「第１信号用トランス」に対応し、トランス１５Ｂは「第２信号用トランス」に対応している。

　信号伝達装置１０は、１次側回路１３とトランス１５Ａとを接続する１次側信号線１６Ａと、１次側回路１３とトランス１５Ｂとを接続する１次側信号線１６Ｂと、を備えている。このため、１次側信号線１６Ａは、第１信号を１次側回路１３からトランス１５Ａに伝達する。１次側信号線１６Ｂは、第２信号を１次側回路１３からトランス１５Ｂに伝達する。

　信号伝達装置１０は、トランス１５Ａと２次側回路１４とを接続する２次側信号線１７Ａと、２次側回路１４とトランス１５Ｂとを接続する２次側信号線１７Ｂと、を備えている。このため、２次側信号線１７Ａは、第１信号をトランス１５Ａから２次側回路１４に伝達する。２次側信号線１７Ｂは、第２信号をトランス１５Ｂから２次側回路１４に伝達する。

　トランス１５Ａは、１次側回路１３から２次側回路１４に第１信号を伝達する一方、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁している。トランス１５Ａは、互いに直列に接続された第１トランス２１Ａおよび第２トランス２２Ａを有している。本実施形態では、第１トランス２１Ａは「第１絶縁素子」に対応し、第２トランス２２Ａは「第２絶縁素子」に対応している。

　信号伝達装置１０は、第１トランス２１Ａと第２トランス２２Ａとを接続する一対の接続信号線１８Ａ，１９Ａを備えている。このため、一対の接続信号線１８Ａ，１９Ａは、第１信号が伝達される信号線である。

　本実施形態における各トランス２１Ａ，２２Ａの絶縁耐圧は、たとえば２５００Ｖｒｍｓ以上７５００Ｖｒｍｓ以下である。なお、各トランス２１Ａ，２２Ａの絶縁耐圧は、２５００Ｖｒｍｓ以上５７００Ｖｒｍｓ以下であってもよい。なお、各トランス２１Ａ，２２Ａの絶縁耐圧は任意に変更可能である。

　第１トランス２１Ａは、第１コイル３１Ａと、第１コイル３１Ａと電気的に絶縁されておりかつ磁気結合可能な第２コイル３２Ａと、を有している。第２トランス２２Ａは、第１コイル３３Ａと、第１コイル３３Ａと電気的に絶縁されておりかつ磁気結合可能な第２コイル３４Ａと、を有している。

　第１コイル３１Ａは、１次側信号線１６Ａによって１次側回路１３に接続されている一方、１次側回路１３のグランドに接続されている。つまり、第１コイル３１Ａの第１端部は１次側回路１３に電気的に接続されており、第１コイル３１Ａの第２端部は１次側回路１３のグランドに電気的に接続されている。

　第２コイル３２Ａは、一対の接続信号線１８Ａ，１９Ａによって第２コイル３４Ａに接続されている。一例では、第２コイル３２Ａおよび第２コイル３４Ａは、電気的にフローティング状態となるように互いに接続されている。第２コイル３２Ａの第１端部と第２コイル３４Ａの第１端部とは接続信号線１８Ａによって接続されている。第２コイル３２Ａの第２端部と第２コイル３４Ａの第２端部とは接続信号線１９Ａによって接続されている。このように、第２コイル３２Ａおよび第２コイル３４Ａは、第１コイル３１Ａと第１コイル３３Ａとの第１信号の伝達を中継する中継コイルとなる。

　第１コイル３３Ａは、２次側信号線１７Ａによって２次側回路１４に接続されている一方、２次側回路１４のグランドに接続されている。つまり、第１コイル３３Ａの第１端部は２次側回路１４と電気的に接続されており、第１コイル３３Ａの第２端部は２次側回路１４のグランドと電気的に接続されている。

　トランス１５Ｂは、１次側回路１３から２次側回路１４に第２信号を伝達する一方、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁している。トランス１５Ｂは、互いに直列に接続された第１トランス２１Ｂおよび第２トランス２２Ｂを有している。本実施形態では、第１トランス２１Ｂは「第１絶縁素子」に対応し、第２トランス２２Ｂは「第２絶縁素子」に対応している。

　信号伝達装置１０は、第１トランス２１Ｂと第２トランス２２Ｂとを接続する一対の接続信号線１８Ｂ，１９Ｂを備えている。このため、一対の接続信号線１８Ｂ，１９Ｂは、第２信号を伝達する信号線である。

　第１トランス２１Ｂは、第１コイル３１Ｂと、第１コイル３１Ｂと電気的に絶縁されておりかつ磁気結合可能な第２コイル３２Ｂと、を有している。第２トランス２２Ｂは、第１コイル３３Ｂと、第１コイル３３Ｂと電気的に絶縁されておりかつ磁気結合可能な第２コイル３４Ｂと、を有している。第１トランス２１Ｂの絶縁耐圧は第１トランス２１Ａの絶縁耐圧と同じであり、第２トランス２２Ｂの絶縁耐圧は第２トランス２２Ａの絶縁耐圧と同じである。なお、第１トランス２１Ｂおよび第２トランス２２Ｂの接続構成は、第１トランス２１Ａおよび第２トランス２２Ａの接続構成と同じであるため、詳細な説明を省略する。

　１次側回路１３から出力された第１信号は、第１トランス２１Ａおよび第２トランス２２Ａを介して２次側回路１４に伝達される。１次側回路１３から出力された第２信号は、第１トランス２１Ｂおよび第２トランス２２Ｂを介して２次側回路１４に伝達される。

　図２は、信号伝達装置１０の一部の内部構成を示す模式的な断面図の一例を示している。図２に示すように、信号伝達装置１０は、複数の半導体チップが１パッケージ化された半導体装置である。図示していないが、信号伝達装置１０のパッケージ形式はたとえばＳＯ（Small Outline）系であり、本実施形態ではＳＯＰ（Small Outline Package）である。なお、信号伝達装置１０のパッケージ形式は任意に変更可能である。

　信号伝達装置１０は、半導体チップとして第１チップ４０、第２チップ５０、およびトランスチップ６０と、第１チップ４０が搭載された１次側ダイパッド７０と、第２チップ５０が搭載された２次側ダイパッド８０と、各ダイパッド７０，８０および各チップ４０，５０，６０を封止する封止樹脂９０と、を備えている。ここで、本実施形態では、トランスチップ６０は「絶縁チップ」に対応している。

　封止樹脂９０は、電気絶縁性を有する材料によって形成されており、たとえば黒色のエポキシ樹脂によって形成されている。封止樹脂９０は、ｚ方向を厚さ方向とする矩形板状に形成されている。

　１次側ダイパッド７０および２次側ダイパッド８０の双方は、導体を含む材料によって形成されている。本実施形態では、各ダイパッド７０，８０は、Ｃｕ（銅）を含む材料によって形成されている。なお、各ダイパッド７０，８０は、Ａｌ（アルミニウム）等の他の金属材料によって形成されていてもよい。

　ｚ方向から視て、１次側ダイパッド７０および２次側ダイパッド８０は、互いに離間して配列されている。ｚ方向から視て、１次側ダイパッド７０および２次側ダイパッド８０の配列方向をｘ方向とする。ｚ方向から視て、ｘ方向と直交する方向をｙ方向とする。このため、本実施形態では、ｘ方向が「第１方向」に対応し、ｙ方向が「第２方向」に対応している。

　１次側ダイパッド７０および２次側ダイパッド８０の双方は、平板状に形成されている。本実施形態では、ｚ方向から視た１次側ダイパッド７０および２次側ダイパッド８０の形状はそれぞれ、矩形状である。ｚ方向から視て、各ダイパッド７０，８０は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる。本実施形態では、ｚ方向から視た１次側ダイパッド７０の面積は、ｚ方向から視た２次側ダイパッド８０の面積よりも大きい。なお、ｚ方向から視た各ダイパッド７０，８０の形状は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視て、１次側ダイパッド７０は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる。

　１次側ダイパッド７０には、第１チップ４０およびトランスチップ６０の双方が搭載されている。２次側ダイパッド８０には、第２チップ５０が搭載されている。各チップ４０，５０，６０は、ｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、各チップ４０，５０，６０は、ｘ方向において１次側ダイパッド７０から２次側ダイパッド８０に向かうにつれて、第１チップ４０、トランスチップ６０、および第２チップ５０の順に配置されている。換言すると、トランスチップ６０は、ｘ方向において第１チップ４０と第２チップ５０との間に配置されている。本実施形態では、各ダイパッド７０，８０は封止樹脂９０から露出していない。

　第１チップ４０は、１次側回路１３を含む。ｚ方向から視た第１チップ４０の形状は、短辺および長辺を有する矩形状である。ｚ方向から視て、第１チップ４０は、短辺がｘ方向に沿い、長辺がｙ方向に沿うように１次側ダイパッド７０に搭載されている。第１チップ４０は、ｚ方向において互いに反対側を向くチップ主面４０ｓおよびチップ裏面４０ｒを有している。第１チップ４０のチップ裏面４０ｒは、はんだ、Ａｇ（銀）ペースト等の導電性接合材ＳＤによって１次側ダイパッド７０に接合されている。

　第１チップ４０のチップ主面４０ｓには、複数の第１電極パッド４１および複数の第２電極パッド４２が設けられている。各電極パッド４１，４２は、１次側回路１３と電気的に接続されている。

　複数の第１電極パッド４１は、チップ主面４０ｓのうちチップ主面４０ｓのｘ方向の中央に対してトランスチップ６０とは反対側に配置されている。図示していないが、複数の第１電極パッド４１は、ｙ方向において互いに離間して配列されている。複数の第２電極パッド４２は、チップ主面４０ｓのうちチップ主面４０ｓのｘ方向の中央に対してトランスチップ６０寄りに配置されている。図示していないが、複数の第２電極パッド４２は、ｙ方向において互いに離間して配列されている。

　第２チップ５０は、２次側回路１４を含む。ｚ方向から視た第２チップ５０の形状は、短辺および長辺を有する矩形状である。ｚ方向から視て、第２チップ５０は、短辺がｘ方向に沿い、長辺がｙ方向に沿うように２次側ダイパッド８０に搭載されている。第２チップ５０は、ｚ方向において互いに反対側を向くチップ主面５０ｓおよびチップ裏面５０ｒを有している。第２チップ５０のチップ裏面５０ｒは、導電性接合材ＳＤによって２次側ダイパッド８０に接合されている。

　第２チップ５０のチップ主面５０ｓには、複数の第１電極パッド５１および複数の第２電極パッド５２が設けられている。各電極パッド５１，５２は、２次側回路１４と電気的に接続されている。

　複数の第１電極パッド５１は、チップ主面５０ｓのうちチップ主面５０ｓのｘ方向の中央に対してトランスチップ６０寄りに配置されている。図示していないが、複数の第１電極パッド５１は、ｙ方向において互いに離間して配列されている。複数の第２電極パッド５２は、チップ主面５０ｓのうちチップ主面５０ｓのｘ方向の中央に対してトランスチップ６０とは反対側に配置されている。図示していないが、複数の第２電極パッド４２は、ｙ方向において互いに離間して配列されている。

　トランスチップ６０は、両トランス１５Ａ，１５Ｂを含む。ｚ方向から視たトランスチップ６０の形状は、短辺および長辺を有する矩形状である。本実施形態では、ｚ方向から視て、トランスチップ６０は、長辺がｙ方向に沿い、短辺がｘ方向に沿うように１次側ダイパッド７０に搭載されている。

　トランスチップ６０は、第１チップ４０のｘ方向の隣に配置されている。信号伝達装置１０の絶縁耐圧を予め設定された絶縁耐圧とするため、各ダイパッド７０，８０を互いに離間させる必要がある。このため、本実施形態では、ｚ方向から視て、第２チップ５０とトランスチップ６０との間の距離は、第１チップ４０とトランスチップ６０との間の距離よりも大きい。換言すると、トランスチップ６０は、第２チップ５０よりも第１チップ４０の近くに配置されている。

　トランスチップ６０は、ｚ方向において互いに反対側を向くチップ主面６０ｓおよびチップ裏面６０ｒを有している。チップ主面６０ｓは第１チップ４０のチップ主面４０ｓと同じ側を向き、チップ裏面６０ｒは第１チップ４０のチップ裏面４０ｒと同じ側を向いている。

　トランスチップ６０と１次側ダイパッド７０との間には、絶縁板１００が介在している。つまり、絶縁板１００は１次側ダイパッド７０に搭載されており、トランスチップ６０は絶縁板１００に搭載されている。

　絶縁板１００は、アルミナを含む絶縁基板、または、ガラスを含む絶縁基板によって形成されている。また、絶縁板１００は、絶縁樹脂によって形成されていてもよい。たとえば、絶縁樹脂は、トランスチップ６０のチップ裏面６０ｒに塗布されたものであってもよい。この場合、絶縁樹脂（換言すれば絶縁板１００）は、トランスチップ６０と一体化されている。

　ｚ方向から視た絶縁板１００の形状は、長辺および短辺を有する矩形状である。本実施形態では、ｚ方向から視て、絶縁板１００は、長辺がｙ方向に沿い、短辺がｘ方向に沿うように１次側ダイパッド７０に搭載されている。本実施形態では、ｚ方向から視た絶縁板１００のサイズは、ｚ方向から視たトランスチップ６０のサイズと等しい。なお、ｚ方向から視た絶縁板１００のサイズは、任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視た絶縁板１００のサイズは、ｚ方向から視たトランスチップ６０のサイズよりも大きくてもよい。

　絶縁板１００は、互いに反対側を向く主面１００ｓおよび裏面１００ｒを有している。主面１００ｓはトランスチップ６０のチップ主面６０ｓと同じ側を向き、裏面１００ｒはトランスチップ６０のチップ裏面６０ｒと同じ側を向いている。絶縁板１００の裏面１００ｒは、導電性接合材ＳＤによって１次側ダイパッド７０に接合されている。絶縁板１００の主面１００ｓには、トランスチップ６０が搭載されている。このように、トランスチップ６０は絶縁板１００に搭載されているため、トランスチップ６０のチップ主面６０ｓの１次側ダイパッド７０からの高さは、第１チップ４０のチップ主面４０ｓの１次側ダイパッド７０からの高さと、第２チップ５０のチップ主面５０ｓの２次側ダイパッド８０からの高さとの双方よりも高い。

　トランスチップ６０は、複数の第１電極パッド６１および複数の第２電極パッド６２を備えている。各第１電極パッド６１および各第２電極パッド６２は、チップ主面６０ｓに設けられている。より詳細には、ｚ方向から視て、各第１電極パッド６１および各第２電極パッド６２は、チップ主面６０ｓから露出するように設けられている。各第１電極パッド６１は、トランスチップ６０のｘ方向の中央よりも第１チップ４０の近くに配置されている。各第２電極パッド６２は、トランスチップ６０のｘ方向の中央よりも第２チップ５０の近くに配置されている。

　第１チップ４０、トランスチップ６０、および第２チップ５０のそれぞれには、複数のワイヤＷが接続されている。各ワイヤＷは、ワイヤボンディング装置によって形成されるボンディングワイヤであり、たとえばＡｕ（金）、Ａｌ、Ｃｕ等の導体からなる。

　第１チップ４０の複数の第１電極パッド４１は、図示していない複数の１次側リードに複数のワイヤＷによって個別に接続されている。１次側リードは、図１の１次側端子１１を構成する部品であり、１次側ダイパッド７０と同じ材料によって形成されている。１次側リードは、１次側ダイパッド７０に対して２次側ダイパッド８０とは反対側に間隔をあけて配置されており、封止樹脂９０を跨いで形成されている。つまり、１次側リードは、封止樹脂９０から外部に突出した部分を有している。これにより、１次側回路１３と１次側端子１１とが電気的に接続されている。

　第１チップ４０の複数の第２電極パッド４２は、複数のワイヤＷによってトランスチップ６０の複数の第１電極パッド６１と個別に接続されている。これにより、１次側回路１３と各トランス２１Ａ，２１Ｂ（図１参照）とが電気的に接続されている。トランスチップ６０の複数の第２電極パッド６２は、複数のワイヤＷによって第２チップ５０の複数の第１電極パッド５１と個別に接続されている。これにより、各トランス２２Ａ，２２Ｂ（図１参照）と２次側回路１４とが電気的に接続されている。

　第２チップ５０の複数の第２電極パッド５２は、図示していない複数の２次側リードに複数のワイヤＷによって個別に接続されている。２次側リードは、図１の２次側端子１２を構成する部品であり、２次側ダイパッド８０と同じ材料によって形成されている。２次側リードは、２次側ダイパッド８０に対して１次側ダイパッド７０とは反対側に間隔をあけて配置されており、封止樹脂９０を跨いで形成されている。つまり、２次側リードは、封止樹脂９０から外部に突出した部分を有している。これにより、２次側回路１４と２次側端子１２とが電気的に接続されている。

　図３～図６を参照して、トランスチップ６０の内部構造の一例について説明する。
　図３は、トランスチップ６０の平面構造を模式的に示した平面図である。図４は、トランスチップ６０の内部をｘｙ平面で切った断面構造を模式的に示した断面図である。図４では、図面の見やすさの観点からハッチング線を省略して示している。図５および図６は、トランスチップ６０が１次側ダイパッド７０に搭載された状態におけるトランスチップ６０の断面構造を示している。図５および図６は、トランスチップ６０の模式的な断面構造であり、後述する素子絶縁層６４の積層数は図５および図６の素子絶縁層６４の積層数に限定されない。また、図５および図６における各コイル３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ，３３Ａ，３４Ａは、模式的に示されているため、図３における各コイル３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ，３３Ａ，３４Ａの構成とは整合していない。また、図５および図６では、後述する第１端部３６を省略して示している。

　また以降の説明では、トランスチップ６０のチップ裏面６０ｒからチップ主面６０ｓに向かう方向を上方とし、チップ主面６０ｓからチップ裏面６０ｒに向かう方向を下方とする。

　図３～図６に示すように、トランスチップ６０は、両トランス１５Ａ，１５Ｂを含むものであり、より詳細には、両トランス１５Ａ，１５Ｂが１チップ化されたものである。つまり、トランスチップ６０は、第１チップ４０と第２チップ５０とは別の両トランス１５Ａ，１５Ｂ専用のチップである。

　図３に示すように、ｚ方向から視て、各トランス２１Ａ，２１Ｂは、トランスチップ６０のｘ方向の中央よりも第１チップ４０（図２参照）に近い部分に配置されている。ｚ方向から視て、各トランス２２Ａ，２２Ｂは、トランスチップ６０のｘ方向の中央よりも第２チップ５０（図２参照）に近い部分に配置されている。第１トランス２１Ａおよび第１トランス２１Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。第２トランス２２Ａおよび第２トランス２２Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。第１トランス２１Ａおよび第２トランス２２Ａは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。第１トランス２１Ｂおよび第２トランス２２Ｂは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。

　上述の各トランス２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂの配置関係から、第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）の第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）および第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）の第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）は、ｘ方向（第１方向）において隙間を介して配列されている。第１トランス２１Ａの第１コイル３１Ａおよび第１トランス２１Ｂの第１コイル３１Ｂは、ｙ方向（第２方向）において隙間を介して配列されている。第２トランス２２Ａの第１コイル３３Ａおよび第２トランス２２Ｂの第１コイル３３Ｂは、ｙ方向（第２方向）において隙間を介して配列されている。

　図３、図５、および図６に示すように、第１コイル３１Ａ、第１コイル３１Ｂ、第１コイル３３Ａ、および第１コイル３３Ｂは、ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。各コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷ（タングステン）のうち１つまたは複数が適宜選択される。本実施形態では、各コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、Ｃｕを含む材料によって形成されている。

　本実施形態では、各コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、同一形状である。各コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、渦巻き状に形成されたコイル部３５と、コイル部３５から内方に向けて引き出された第１端部３６と、コイル部３５から外方に向けて引き出された第２端部３７と、を有している。各コイル３１Ａ，３１Ｂの第１端部３６は１次側回路１３（図１参照）と電気的に接続される端部であり、各コイル３１Ａ，３１Ｂの第２端部３７は１次側回路１３のグランドに電気的に接続される端部である。各コイル３３Ａ，３３Ｂの第１端部３６は２次側回路１４（図１参照）と電気的に接続される端部であり、各コイル３３Ａ，３３Ｂの第２端部３７は２次側回路１４のグランドと電気的に接続される端部である。

　図３に示すように、複数（本実施形態では３つ）の第１電極パッド６１は各トランス２１Ａ，２１Ｂの第１コイル３１Ａ，３１Ｂと個別に電気的に接続されている。複数（本実施形態では３つ）の第２電極パッド６２は各トランス２２Ａ，２２Ｂの第１コイル３３Ａ，３３Ｂと個別に電気的に接続されている。複数の第１電極パッド６１は、チップ主面６０ｓのうちチップ主面６０ｓのｘ方向の中央よりも第１チップ４０（図２参照）の近く配置されている。複数の第１電極パッド６１は、ｙ方向において互いに離間して配列されている。複数の第２電極パッド６２は、チップ主面６０ｓのうちチップ主面６０ｓのｘ方向の中央よりも第２チップ５０（図２参照）の近くに配置されている。各電極パッド６１，６２は、たとえばＡｌを含む材料によって形成されている。

　複数の第１電極パッド６１は、ｙ方向から視て第１コイル３１Ａ，３１Ｂの第１端部３６と重なる位置に配置されている。複数の第２電極パッド６２は、ｙ方向から視て第１コイル３３Ａ，３３Ｂの第１端部３６と重なる位置に配置されている。以降の説明では、説明の便宜上、３つの第１電極パッド６１を第１電極パッド６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃとし、３つの第２電極パッド６２を第２電極パッド６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃとする。ここで、本実施形態では、第１電極パッド６１Ａ，６１Ｂは「第１パッド」に対応し、第１電極パッド６１Ｃは「第３パッド」に対応している。第２電極パッド６２Ａ，６２Ｂは「第２パッド」に対応し、第２電極パッド６２Ｃは「第４パッド」に対応している。

　ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ａは、第１コイル３１Ａの中心に対してずれて配置されている。ここで、第１コイル３１Ａの中心は、第１コイル３１Ａのコイル部３５の中心である。つまり、第１コイル３１Ａの中心は、第１コイル３１Ａの巻回中心である。図３に示すとおり、本実施形態では、ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ａは、第１コイル３１Ａの中心と重ならない位置に配置されている。これにより、第１コイル３１Ａから発生する磁束によって第１電極パッド６１Ａに生じる渦電流を低減できる。

　ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ａは、第１コイル３１Ａのコイル部３５よりも内方に配置されている。換言すると、第１コイル３１Ａのコイル部３５は、第１電極パッド６１Ａを囲むように形成されている。つまり、第１電極パッド６１Ａは、第１コイル３１Ａの内側に配置されているといえる。本実施形態では、第１電極パッド６１Ａは、第１コイル３１Ａの内側であって第１コイル３１Ａの中心に対してずれた位置に配置されている。第１電極パッド６１Ａには、第１コイル３１Ａの第１端部３６が電気的に接続されている。

　ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ｂは、第１コイル３１Ｂの中心に対してずれて配置されている。ここで、第１コイル３１Ｂの中心は、第１コイル３１Ｂのコイル部３５の中心である。つまり、第１コイル３１Ｂの中心は、第１コイル３１Ｂの巻回中心である。図３に示すとおり、本実施形態では、ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ｂは、第１コイル３１Ｂの中心と重ならない位置に配置されている。これにより、第１コイル３１Ｂから発生する磁束によって第１電極パッド６１Ｂに生じる渦電流を低減できる。

　ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ｂは、第１コイル３１Ｂのコイル部３５よりも内方に配置されている。換言すると、第１コイル３１Ｂのコイル部３５は、第１電極パッド６１Ｂを囲むように形成されている。つまり、第１電極パッド６１Ｂは、第１コイル３１Ｂの内側に配置されているといえる。本実施形態では、第１電極パッド６１Ｂは、第１コイル３１Ｂの内側であって第１コイル３１Ｂの中心に対してずれた位置に配置されている。第１電極パッド６１Ｂには、第１コイル３１Ｂの第１端部３６が電気的に接続されている。

　ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ｃは、第１コイル３１Ａのコイル部３５と第１コイル３１Ｂのコイル部３５とのｙ方向の間に配置されている。ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ｃは、第１電極パッド６１Ａと第１電極パッド６１Ｂとのｙ方向の間に配置されているともいえる。本実施形態では、第１電極パッド６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。第１電極パッド６１Ｃには、第１コイル３１Ａの第２端部３７および第１コイル３１Ｂの第２端部３７が電気的に接続されている。

　ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ａは、第１コイル３３Ａの中心に対してずれて配置されている。ここで、第１コイル３３Ａの中心は、第１コイル３３Ａのコイル部３５の中心である。つまり、第１コイル３３Ａの中心は、第１コイル３３Ａの巻回中心である。図３に示すとおり、本実施形態では、ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ａは、第１コイル３３Ａの中心と重ならない位置に配置されている。これにより、第１コイル３３Ａから発生する磁束によって第２電極パッド６２Ａに生じる渦電流を低減できる。

　ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ａは、第１コイル３３Ａのコイル部３５よりも内方に配置されている。換言すると、第１コイル３３Ａのコイル部３５は、第２電極パッド６２Ａを囲むように形成されている。つまり、第２電極パッド６２Ａは、第１コイル３３Ａの内側に配置されているといえる。本実施形態では、第２電極パッド６２Ａは、第１コイル３３Ａの内側であって第１コイル３３Ａの中心に対してずれた位置に配置されている。第２電極パッド６２Ａには、第１コイル３３Ａの第１端部３６が電気的に接続されている。

　ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ｂは、第１コイル３３Ｂの中心に対してずれて配置されている。ここで、第１コイル３３Ｂの中心は、第１コイル３３Ｂのコイル部３５の中心である。つまり、第１コイル３３Ｂの中心は、第１コイル３３Ｂの巻回中心である。図３に示すとおり、本実施形態では、ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ｂは、第１コイル３３Ｂの中心と重ならない位置に配置されている。これにより、第１コイル３３Ｂから発生する磁束によって第２電極パッド６２Ｂに生じる渦電流を低減できる。

　ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ｂは、第１コイル３３Ｂのコイル部３５よりも内方に配置されている。換言すると、第１コイル３３Ｂのコイル部３５は、第２電極パッド６２Ｂを囲むように形成されている。つまり、第２電極パッド６２Ｂは、第１コイル３３Ｂの内側に配置されているといえる。本実施形態では、第２電極パッド６２Ｂは、第１コイル３３Ｂの内側であって第１コイル３３Ｂの中心に対してずれた位置に配置されている。第２電極パッド６２Ｂには、第１コイル３３Ｂの第１端部３６が電気的に接続されている。

　ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ｃは、第１コイル３３Ａのコイル部３５と第１コイル３３Ｂのコイル部３５とのｙ方向の間に配置されている。ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ｃは、第２電極パッド６２Ａと第２電極パッド６２Ｂとのｙ方向の間に配置されているともいえる。本実施形態では、第２電極パッド６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。第２電極パッド６２Ｃには、第１コイル３３Ａの第２端部３７および第１コイル３３Ｂの第２端部３７が電気的に接続されている。

　本実施形態では、第１電極パッド６１Ａおよび第２電極パッド６２Ａは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。第１電極パッド６１Ｂおよび第２電極パッド６２Ｂは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。第１電極パッド６１Ｃおよび第２電極パッド６２Ｃは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。なお、各電極パッド６１Ａ～６１Ｃと各電極パッド６２Ａ～６２Ｃとの配置関係は、図３に示す各電極パッド６１Ａ～６１Ｃと各電極パッド６２Ａ～６２Ｃとの配置関係に限られず、任意に変更可能である。

　図４に示すように、第２コイル３２Ａおよび第２コイル３４Ａは、互いに一体化した第１コイル３８Ａとして形成されている。より詳細には、第１コイル３８Ａは、第１ループ状導電部３９Ａ、第２ループ状導電部３９Ｂ、第３ループ状導電部３９Ｃ、および第４ループ状導電部３９Ｄを有している。第１ループ状導電部３９Ａ、第２ループ状導電部３９Ｂ、第３ループ状導電部３９Ｃ、および第４ループ状導電部３９Ｄは互いに相似形状である。第２ループ状導電部３９Ｂは第１ループ状導電部３９Ａを囲むように配置され、第３ループ状導電部３９Ｃは第２ループ状導電部３９Ｂを囲むように配置され、第４ループ状導電部３９Ｄは第３ループ状導電部３９Ｃを囲むように配置されている。なお、本実施形態では、第１～第４ループ状導電部３９Ａ～３９Ｄのようにループ状導電部の個数は４つであったが、これに限られない。ループ状導電部の個数は任意に変更可能である。

　第１ループ状導電部３９Ａは、第１対向部３９ｐ、第２対向部３９ｑ、および連結部３９ｒを有している。第１対向部３９ｐ、第２対向部３９ｑ、および連結部３９ｒは、一体化されている。一体化された第１対向部３９ｐ、第２対向部３９ｑ、および連結部３９ｒは、ループ状を形成している。第１対向部３９ｐおよび第２対向部３９ｑは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。

　第１対向部３９ｐは、ｚ方向において第１コイル３１Ａと対向配置されており、第２コイル３２Ａを構成している。ｚ方向から視た第１対向部３９ｐの形状は、ｘ方向において第２対向部３９ｑ寄りの部位が開いた環状に形成されている。

　第２対向部３９ｑは、ｚ方向において第１コイル３３Ａと対向配置されており、第２コイル３４Ａを構成している。ｚ方向から視た第２対向部３９ｑの形状は、ｘ方向において第１対向部３９ｐ寄りの部位が開いた環状に形成されている。このように、ｚ方向から視て、第１対向部３９ｐおよび第２対向部３９ｑは、互いに向き合うように開口した開いた環状に形成されている。

　連結部３９ｒは、第１対向部３９ｐと第２対向部３９ｑとを連結している。連結部３９ｒは、第１連結部３９ｒａおよび第２連結部３９ｒｂを含む。第１連結部３９ｒａは、第１対向部３９ｐのうち開いた環状の第１端部である第１開口端と第２対向部３９ｑのうち開いた環状の第１端部である第１開口端とを連結している。第２連結部３９ｒｂは、第１対向部３９ｐのうち開いた環状の第２端部である第２開口端と第２対向部３９ｑのうち開いた環状の第２端部である第２開口端とを連結している。つまり、連結部３９ｒは、両対向部３９ｐ，３９ｑの開口端同士を連結している。各連結部３９ｒａ，３９ｒｂは、ｘ方向に沿って延びる直線状に形成されている。また、第２～第４ループ状導電部３９Ｂ～３９Ｄも同様に、第１対向部３９ｐ、第２対向部３９ｑ、および連結部３９ｒを有しているといえる。

　第２コイル３２Ｂおよび第２コイル３４Ｂは、互いに一体化した第２コイル３８Ｂとして形成されている。第２コイル３８Ｂは、第１コイル３８Ａと同じ形状である。このため、第２コイル３８Ｂの詳細な説明を省略する。第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。本実施形態では、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、Ａｌを含む材料によって形成されている。

　本実施形態では、第１コイル３１Ａの巻き数と、第２コイル３２Ａの巻き数（第１対向部３９ｐの個数）とは同じである。また本実施形態では、第１コイル３１Ａのコイル部３５の外径と、第２コイル３２Ａの外径とは等しい。ここで、第２コイル３２Ａの外径は、第４ループ状導電部３９Ｄの第１対向部３９ｐ（図４参照）の外径である。なお、第１コイル３１Ｂおよび第２コイル３２Ｂについても、第１コイル３１Ａおよび第２コイル３２Ａと同様の関係である。

　図３に示すように、本実施形態では、第１コイル３１Ａのコイル部３５の巻回方向と第１コイル３１Ｂのコイル部３５の巻回方向とは同一である。第１コイル３３Ａのコイル部３５の巻回方向と第１コイル３３Ｂのコイル部３５の巻回方向とは同一である。このため、図３に示すとおり、第１コイル３３Ａと第１コイル３３Ｂとは、第２電極パッド６２Ｃを中心とした点対称となるように配置されている。また、第１コイル３１Ａと第１コイル３１Ｂとは、第１電極パッド６１Ｃを中心とした点対称となるように配置されている。

　図５および図６に示すように、トランスチップ６０は、基板６３と、基板６３上に形成された素子絶縁層６４と、を有している。
　基板６３は、たとえば半導体基板によって形成されている。本実施形態では、基板６３は、Ｓｉ（シリコン）を含む材料から形成された基板である。なお、基板６３は、半導体基板として、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられていてもよい。また、基板６３は、半導体基板に代えて、ガラスを含む材料によって形成された絶縁基板が用いられていてもよい。

　ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ（炭化シリコン）であってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。

　基板６３は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面６３ｓおよび基板裏面６３ｒを有している。基板裏面６３ｒは、トランスチップ６０のチップ裏面６０ｒを構成している。このため、基板裏面６３ｒは、絶縁板１００の主面１００ｓに接合されている。

　本実施形態では、基板６３の基板表面６３ｓには、複数の素子絶縁層６４がｚ方向に積層されている。つまり、ｚ方向は、素子絶縁層６４の厚さ方向であるともいえる。本実施形態では、複数の素子絶縁層６４の合計の厚さは、基板６３の厚さよりも厚い。ただし、素子絶縁層６４の積層数は、トランスチップ６０に要求される絶縁耐圧に応じて設定される。このため、素子絶縁層６４の積層数によっては、複数の素子絶縁層６４の合計の厚さが基板６３の厚さよりも薄くなってもよい。

　素子絶縁層６４は、第１絶縁膜６４Ａと、第１絶縁膜６４Ａ上に形成された第２絶縁膜６４Ｂと、を有している。
　第１絶縁膜６４Ａは、たとえばエッチングストッパ膜であり、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ（窒素添加炭化シリコン）等を含む材料によって形成されている。本実施形態では、第１絶縁膜６４Ａは、ＳｉＮを含む材料によって形成されている。第２絶縁膜６４Ｂは、たとえば層間絶縁膜であり、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）を含む材料によって形成された酸化膜である。図５および図６に示すとおり、第２絶縁膜６４Ｂの厚さは、第１絶縁膜６４Ａの厚さよりも厚い。第１絶縁膜６４Ａの厚さは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満であってもよい。第２絶縁膜６４Ｂの厚さは、１０００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であってもよい。本実施形態では、第１絶縁膜６４Ａの厚さはたとえば３００ｎｍ程度であり、第２絶縁膜６４Ｂの厚さはたとえば２０００ｎｍ程度である。

　素子絶縁層６４の表面６４ｓには、第１電極パッド６１および第２電極パッド６２が設けられている。ここで、本実施形態では、素子絶縁層６４の表面６４ｓは、ｚ方向において積層された複数の素子絶縁層６４のうち最上層の素子絶縁層６４の表面である。

　素子絶縁層６４の裏面６４ｒは、素子絶縁層６４の表面６４ｓと反対側を向いており、基板６３の基板表面６３ｓと対向している。本実施形態では、素子絶縁層６４の裏面６４ｒは、基板６３の基板表面６３ｓと接している。素子絶縁層６４の裏面６４ｒは、ｚ方向において積層された複数の素子絶縁層６４のうち最下層の素子絶縁層６４の裏面である。

　トランスチップ６０は、素子絶縁層６４の表面６４ｓに形成された保護膜６５と、保護膜６５上に形成されたパッシベーション膜６６と、をさらに有している。保護膜６５は、素子絶縁層６４を保護する膜であり、たとえばシリコン酸化膜によって形成されている。パッシベーション膜６６は、トランスチップ６０の表面保護膜であり、たとえばシリコン窒化膜によって形成されている。パッシベーション膜６６は、トランスチップ６０のチップ主面６０ｓを構成している。

　第１電極パッド６１および第２電極パッド６２は、保護膜６５およびパッシベーション膜６６によって覆われている。一方、保護膜６５およびパッシベーション膜６６には、第１電極パッド６１および第２電極パッド６２を露出する開口部が設けられている。このため、各電極パッド６１，６２には、ワイヤＷを接続するための露出面が形成されている。

　図３～図６に示すように、第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、素子絶縁層６４内に設けられている。第１コイル３８Ａは、素子絶縁層６４内に設けられている。換言すると、各ループ状導電部３９Ａ～３９Ｄは、素子絶縁層６４内に設けられている。同様に、第２コイル３８Ｂは、素子絶縁層６４内に設けられている。このため、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、素子絶縁層６４内に設けられているともいえる。

　図３、図５、および図６に示すように、第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。換言すると、第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち同一の素子絶縁層６４に設けられている。本実施形態では、第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち最上層の素子絶縁層６４よりも１つ下の素子絶縁層６４に設けられている。換言すると、第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、素子絶縁層６４に埋め込まれているともいえる。

　図４、図５、および図６に示すように、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。換言すると、第１コイル３８Ａは、複数の素子絶縁層６４のうち同一の素子絶縁層６４に設けられている。より詳細には、第１コイル３８Ａの第１対向部３９ｐ、第２対向部３９ｑ、および連結部３９ｒは、複数の素子絶縁層６４のうち同一の素子絶縁層６４に設けられている。このため、第２コイル３２Ａ，３４Ａは、同一の素子絶縁層６４において互いに接続されているともいえる。第２コイル３２Ｂ，３４Ｂは、同一の素子絶縁層６４において互いに接続されているともいえる。本実施形態では、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち最下層の素子絶縁層６４に設けられている。換言すると、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、素子絶縁層６４に埋め込まれているともいえる。第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち同一の素子絶縁層６４に設けられている。

　図５に示すように、第１トランス２１Ａの第１コイル３１Ａおよび第２コイル３２Ａは、ｚ方向において互いに離間して配置されている。第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとのｚ方向の間には、１または複数の素子絶縁層６４が介在している。本実施形態では、第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとのｚ方向の間には、５層の素子絶縁層６４が介在している。このように、第１コイル３１Ａおよび第２コイル３２Ａは、素子絶縁層６４内に設けられているといえる。第１コイル３１Ａは素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置されており、第２コイル３２Ａは素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置されている。

　第１コイル３１Ａは、１層の素子絶縁層６４に対してｚ方向に貫通して設けられている。つまり、１層の素子絶縁層６４の第１絶縁膜６４Ａおよび第２絶縁膜６４Ｂの双方には、第１コイル３１Ａが形成されるための開口部が設けられている。開口部内にＣｕを含む材料からなる導電部材が埋め込まれることによって第１コイル３１Ａが形成されている。なお、第２コイル３２Ａも第１コイル３１Ａと同様に形成されている。

　第２トランス２２Ａの第１コイル３３Ａおよび第２コイル３４Ａは、ｚ方向において互いに離間して配置されている。第１コイル３３Ａと第２コイル３４Ａとの間には、１または複数の素子絶縁層６４が介在している。本実施形態では、第１コイル３３Ａと第２コイル３４Ａとのｚ方向の間には、５層の素子絶縁層６４が介在している。つまり、第１トランス２１Ａの第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとのｚ方向の間の距離ＤＡは、第２トランス２２Ａの第１コイル３３Ａと第２コイル３４Ａとのｚ方向の間の距離ＤＢと等しい。第１コイル３３Ａは素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置されており、第２コイル３４Ａは素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置されている。なお、第１コイル３３Ａおよび第２コイル３４Ａは、第１コイル３１Ａと同様に形成されている。

　図６に示すように、第１トランス２１Ｂの第１コイル３１Ｂおよび第２コイル３２Ｂは、ｚ方向において互いに離間して配置されている。第１コイル３１Ｂと第２コイル３２Ｂとの間には、１または複数の素子絶縁層６４が介在している。本実施形態では、第１コイル３１Ｂと第２コイル３２Ｂとのｚ方向の間には、５層の素子絶縁層６４が介在している。つまり、第１トランス２１Ｂの第１コイル３１Ｂと第２コイル３２Ｂとのｚ方向の間の距離ＤＣは、第１トランス２１Ａの第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとのｚ方向の間の距離ＤＡと等しい。第１コイル３１Ｂは素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置されており、第２コイル３２Ｂは素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置されている。なお、第１コイル３１Ｂおよび第２コイル３２Ｂは、第１コイル３１Ａと同様に形成されている。

　図示していないが、第２トランス２２Ｂの第１コイル３３Ｂおよび第２コイル３４Ｂは、ｚ方向において互いに離間して配置されている。第１コイル３３Ｂと第２コイル３４Ｂとの間には、１または複数の素子絶縁層６４が介在している。本実施形態では、第１コイル３３Ｂと第２コイル３４Ｂとのｚ方向の間には、５層の素子絶縁層６４が介在している。つまり、第２トランス２２Ｂの第１コイル３３Ｂと第２コイル３４Ｂとのｚ方向の間の距離は、第１トランス２１Ｂの第１コイル３１Ｂと第２コイル３２Ｂとのｚ方向の間の距離ＤＣと等しい。第１コイル３３Ｂは素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置されており、第２コイル３４Ｂは素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置されている。なお、第１コイル３３Ｂおよび第２コイル３４Ｂは、第１コイル３１Ａと同様に形成されている。

　図５に示すように、絶縁板１００の厚さＴ２は、トランスチップ６０の厚さＴ１よりも薄い。厚さＴ２は、絶縁板１００の主面１００ｓと裏面１００ｒとのｚ方向の間の距離によって定義できる。厚さＴ１は、トランスチップ６０のチップ主面６０ｓとチップ裏面６０ｒとのｚ方向の間の距離によって定義できる。

　また、絶縁板１００の厚さＴ２は、基板６３の厚さＴ３よりも厚い。厚さＴ３は、基板６３の基板表面６３ｓと基板裏面６３ｒとのｚ方向の間の距離によって定義できる。
　また、絶縁板１００の厚さＴ２は、素子絶縁層６４の厚さＴ４よりも厚い。厚さＴ４は、素子絶縁層６４の表面６４ｓと裏面６４ｒとのｚ方向の間の距離によって定義できる。一例では、絶縁板１００の厚さＴ２は５０μｍ程度であり、素子絶縁層６４の厚さＴ４は２０μｍ程度である。

　本実施形態では、第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとの間の距離ＤＡは、絶縁板１００の厚さＴ２よりも小さい。換言すると、絶縁板１００の厚さＴ２は、第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとの間の距離ＤＡよりも大きい。このため、第２コイル３２Ａと１次側ダイパッド７０との間の距離ＤＤは、第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとの間の距離ＤＡよりも大きい。第１コイル３３Ａと第２コイル３４Ａとの間の距離ＤＢは、上記距離ＤＡに等しいため、第２コイル３４Ａと１次側ダイパッド７０との間の距離ＤＥは、上記距離ＤＡよりも大きい。なお、第１コイル３１Ｂ、第２コイル３２Ｂ、および１次側ダイパッド７０の関係と、第１コイル３３Ｂ、第２コイル３４Ｂ、および１次側ダイパッド７０の関係との双方は、第１コイル３１Ａ、第２コイル３２Ａ、および１次側ダイパッド７０の関係と同様である。

　ここで、本実施形態では、第１コイル３１Ａ，３１Ｂは「第１表面側導電部」および「第１表面側コイル」に対応し、第２コイル３２Ａ，３２Ｂは「第１裏面側導電部」および「第１裏面側コイル」に対応している。第１コイル３３Ａ，３３Ｂは「第２表面側導電部」および「第２表面側コイル」に対応し、第２コイル３４Ａ，３４Ｂは「第２裏面側導電部」および「第２裏面側コイル」に対応している。

　図３および図５に示すように、第１コイル３１Ａの第１端部３６は、第１電極パッド６１Ａとｚ方向において対向する部分を有している。第１コイル３１Ａの第１端部３６は、接続線６７によって第１電極パッド６１Ａと接続されている。接続線６７は、素子絶縁層６４をｚ方向に貫通するビアであり、たとえばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。本実施形態では、接続線６７は、Ａｌを含む材料によって形成されている。ｚ方向から視て、接続線６７は、第１コイル３１Ａの第１端部３６と第１電極パッド６１Ａとの双方と重なる位置に配置されており、この第１端部３６と第１電極パッド６１Ａとを接続するようにｚ方向に延びている。

　図５に示すように、第１コイル３３Ａの第１端部３６（図３参照）および第２電極パッド６２Ａは、上記接続線６７とは別の接続線６７によって接続されている。第１コイル３３Ａの第１端部３６と第２電極パッド６２Ａとの接続線６７による接続態様は、第１コイル３１Ａの第１端部３６および第１電極パッド６１Ａと同様である。また、図６に示すように、第１コイル３１Ｂの第１端部３６および第１電極パッド６１Ｂは、上記接続線６７とは別の接続線６７によって接続されている。第１コイル３１Ｂの第１端部３６と第１電極パッド６１Ｂとの接続線６７による接続態様は、第１コイル３１Ａの第１端部３６および第１電極パッド６１Ａと同様である。また図示していないが、第１コイル３３Ｂの第１端部３６および第２電極パッド６２Ｂは、上記接続線６７とは別の接続線６７によって接続されている。第１コイル３３Ｂの第１端部３６と第２電極パッド６２Ｂとの接続線６７による接続態様は、第１コイル３１Ａの第１端部３６および第１電極パッド６１Ａと同様である。

　図３および図６に示すように、第１コイル３１Ａの第２端部３７および第１コイル３１Ｂの第２端部３７は、接続線６８によって第１電極パッド６１Ｃと接続されている。接続線６８は、素子絶縁層６４をｚ方向に貫通するビアであり、たとえばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。本実施形態では、接続線６８は、Ａｌを含む材料によって形成されている。ｚ方向から視て、接続線６８は、第１コイル３１Ａの第２端部３７および第１コイル３１Ｂの第２端部３７と第１電極パッド６１Ｃとの双方と重なる位置に配置されており、これら第２端部３７と第１電極パッド６１Ｃとを接続するようにｚ方向に延びている。

　図示していないが、第１コイル３３Ａの第２端部３７および第１コイル３３Ｂの第２端部３７と第２電極パッド６２Ｃとは、上記接続線６８とは別の接続線６８によって接続されている。第１コイル３３Ａの第２端部３７および第１コイル３３Ｂの第２端部３７と第２電極パッド６２Ｃとの接続線６８による接続態様は、第１コイル３１Ａの第２端部３７および第１コイル３１Ｂの第２端部３７と第１電極パッド６１Ｃとの接続線６８による接続態様と同様である。

　（第１実施形態の作用）
　次に、本実施形態の作用について説明する。図７は、比較例のトランスチップ６０Ｘの平面図である。図８は、比較例のトランスチップ６０Ｘの内部をｘｙ平面で切った断面構造を模式的に示した断面図である。図８では、図面の見やすさの観点からハッチング線を省略して示している。図９は、比較例のトランスチップ６０Ｘの断面図である。なお、以降の説明では、比較例のトランスチップ６０Ｘの構成要素のうち本実施形態のトランスチップ６０の構成要素と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

　図９に示すように、比較例のトランスチップ６０Ｘでは、１次側回路１３（図１参照）と電気的に接続する第１コイル３１Ａが第２コイル３２Ａよりも素子絶縁層６４の裏面６４ｒの近くに配置されている。このため、図７に示すように、トランスチップ６０Ｘの第１電極パッド６１Ａは、ｘ方向において、第１コイル３１Ａよりも第１チップ４０（図２参照）の近くに配置されている。図示していないが、第１コイル３１Ｂが第２コイル３２Ｂよりも素子絶縁層６４の裏面６４ｒの近くに配置されているため、トランスチップ６０Ｘの第１電極パッド６１Ｂは、ｘ方向において、第１コイル３１Ｂよりも第１チップ４０の近くに配置されている。なお、図示された例においては、トランスチップ６０Ｘの第１電極パッド６１Ｃも各第１コイル３１Ａ，３１Ｂよりも第１チップ４０の近くに配置されている。

　また、図９に示すように、比較例のトランスチップ６０Ｘでは、２次側回路１４（図１参照）と電気的に接続する第１コイル３３Ａが第２コイル３４Ａよりも素子絶縁層６４の裏面６４ｒの近くに配置されている。このため、図７に示すように、トランスチップ６０Ｘの第２電極パッド６２Ａは、ｘ方向において、第１コイル３３Ａよりも第２チップ５０（図２参照）の近くに配置されている。図示していないが、第１コイル３３Ｂが第２コイル３４Ｂよりも素子絶縁層６４の裏面６４ｒの近くに配置されているため、トランスチップ６０Ｘの第２電極パッド６２Ｂは、ｘ方向において、第１コイル３３Ｂよりも第２チップ５０の近くに配置されている。なお、図示された例においては、トランスチップ６０Ｘの第２電極パッド６２Ｃも各第１コイル３３Ａ，３３Ｂよりも第２チップ５０の近くに配置されている。

　このように、各第１電極パッド６１Ａ～６１Ｃが第１コイル３１Ａ，３１Ｂよりも第１チップ４０の近くに配置され、各第２電極パッド６２Ａ～６２Ｃが第２コイル３２Ａ，３２Ｂよりも第２チップ５０の近くに配置されているため、トランスチップ６０Ｘがｘ方向に大型化してしまう。

　一方、本実施形態では、図３に示すように、第１電極パッド６１Ａが第１コイル３１Ａのコイル部３５よりも内方に配置され、第１電極パッド６１Ｂが第１コイル３１Ｂのコイル部３５よりも内方に配置されている。ｙ方向から視て、第１電極パッド６１Ｃは、第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）のコイル部３５とｘ方向において重なる位置に配置されている。つまり、各第１電極パッド６１Ａ～６１Ｃは、第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）よりも第１チップ４０の近くにずれて配置されていない。また、第２電極パッド６２Ａが第１コイル３３Ａのコイル部３５よりも内方に配置され、第２電極パッド６２Ｂが第１コイル３３Ｂのコイル部３５よりも内方に配置されている。ｙ方向から視て、第２電極パッド６２Ｃは、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）のコイル部３５とｘ方向において重なる位置に配置されている。つまり、各第２電極パッド６２Ａ～６２Ｃは、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）よりも第２チップ５０の近くにずれて配置されていない。このため、トランスチップ６０のｘ方向のサイズを比較例のトランスチップ６０Ｘのｘ方向のサイズよりも小さくできる。

　また、図７に示すように、比較例のトランスチップ６０Ｘでは、１次側回路１３と電気的に接続されていない第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）と、２次側回路１４と電気的に接続されていない第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）とが互いに電気的に接続されている。

　また、図８および図９に示すように、比較例のトランスチップ６０Ｘでは、１次側回路１３と電気的に接続された第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と、２次側回路１４と電気的に接続された第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）とが素子絶縁層６４の表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置されているため、第１電極パッド６１Ａ～６１Ｃに個別に接続される接続線６７と第２電極パッド６２Ａ～６２Ｃに個別に接続される接続線６８との双方が長くなる。図示された例においては、各接続線６７，６８は、複数の素子絶縁層６４のうち最上層の素子絶縁層６４から最下層の素子絶縁層６４までにわたりｚ方向に延びている。加えて、接続線６７，６８は、第１コイル３１Ａ（第１コイル３３Ａ）のコイル部３５よりも内方に形成された第１端部（図示略）に接続する必要があるため、図８および図９に示すように、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ａ（第１コイル３３Ａ）のコイル部３５を跨ぐ必要がある。このため、第１コイル３１Ａ（第１コイル３３Ａ）と基板６３との間には、接続線６７，６８を設けるための素子絶縁層６４が少なくとも１層必要となる。その結果、比較例のトランスチップ６０Ｘでは、第１コイル３１Ａ（３３Ａ）と第２コイル３２Ａ（３４Ａ）とのｚ方向の間の距離ＤＡ（ＤＢ）が小さくなる。なお、第１コイル３１Ｂ（３３Ｂ）および第２コイル３２Ｂ（３４Ｂ）と接続線６７との関係についても同様である。このように、各接続線６７，６８が長くなるため、素子絶縁層６４内に各接続線６７，６８を形成するための工程が複雑化してしまう。

　一方、本実施形態では、図５に示すように、第１コイル３１Ａ（３３Ａ）は、第２コイル３２Ａ（３４Ａ）よりも基板６３から離れた位置に配置されている。つまり、第１コイル３１Ａ（３３Ａ）は、ｚ方向において、第２コイル３２Ａ（３４Ａ）よりも第１電極パッド６１Ａ（第２電極パッド６２Ａ）の近くに配置されている。加えて、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ａの第１端部３６と第１電極パッド６１Ａとが互いに重なる位置に配置されており、第１コイル３３Ａの第１端部３６と第２電極パッド６２Ａとが互いに重なる位置に配置されている。このため、接続線６７，６８が短くなり、接続線６７，６８が素子絶縁層６４を貫通するビアとして形成されるため、素子絶縁層６４内に接続線６７，６８を形成するための工程の複雑化を抑制できる。加えて、比較例のトランスチップ６０Ｘのように基板６３に近いコイルと基板６３との間に接続線６７，６８を形成するための素子絶縁層６４を介在させなくてもよいため、第１コイル３１Ａ（３３Ａ）と第２コイル３２Ａ（３４Ａ）との間の距離ＤＡ（ＤＢ）が小さくなることを抑制できる。なお、第１コイル３１Ｂ（３３Ｂ）と第２コイル３２Ｂ（３４Ｂ）とについても同様である。

　（第１実施形態の効果）
　本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）信号伝達装置１０は、１次側回路１３を含む第１チップ４０と、第１チップ４０が実装される１次側ダイパッド７０と、絶縁チップとしてのトランスチップ６０と、トランスチップ６０を介して１次側回路１３と信号の受信を行うように構成された２次側回路１４を含む第２チップ５０と、第２チップ５０が実装される２次側ダイパッド８０と、１次側ダイパッド７０とトランスチップ６０との間に介在された絶縁板１００と、を備えている。トランスチップ６０は、第１電極パッド６１および第２電極パッド６２が形成された表面６４ｓ、および表面６４ｓとは反対側の裏面６４ｒを有する素子絶縁層６４と、素子絶縁層６４内に設けられた第１絶縁素子としての第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）および第２絶縁素子としての第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）と、を有している。第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）は、素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置された第１表面側導電部としての第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と、素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置された第１裏面側導電部としての第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）と、を有している。第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）は、第１電極パッド６１に電気的に接続されている。第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）は、第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と素子絶縁層６４の厚さ方向であるｚ方向に対向配置されている。第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）は、素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置された第２表面側導電部としての第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）と、素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置された第２裏面側導電部としての第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）と、を有している。第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）は、第２電極パッド６２に電気的に接続されている。第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）は、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）とｚ方向に対向配置されている。第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）と第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）とは電気的に接続されている。第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と１次側回路１３とは、第１電極パッド６１を介して電気的に接続されている。第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）と２次側回路１４とは、第２電極パッド６２を介して電気的に接続されている。

　この構成によれば、第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）と第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）とが直列に接続されているため、たとえばトランスが１つの場合の信号伝達装置と比較して、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。

　加えて、第１電極パッド６１Ａ（６１Ｂ）に接続された第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）が第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）よりも素子絶縁層６４の裏面６４ｒの近くに配置される場合と比較して、第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と第１電極パッド６１との間の距離が短くなる。同様に、第２電極パッド６２Ａ（６２Ｂ）に接続された第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）が第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）よりも素子絶縁層６４の裏面６４ｒの近くに配置される場合と比較して、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）と第２電極パッド６２との間の距離が短くなる。したがって、第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と第１電極パッド６１との間の導電経路の長さ、および、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）と第２電極パッド６２との間の導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できるため、第１信号および第２信号に含まれるノイズを低減できる。

　（１－２）絶縁板１００は、１次側ダイパッド７０に搭載されている。トランスチップ６０は、絶縁板１００に搭載されている。
　この構成によれば、トランスチップ６０と１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間に絶縁板１００が介在しているため、トランスチップ６０の第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂと１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ６０と１次側ダイパッド７０との間の絶縁耐圧の向上を図ることができる。

　（１－３）絶縁板１００の厚さＴ２は、ｚ方向における第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとの間の距離ＤＡと、ｚ方向における第１コイル３３Ａと第２コイル３４Ａとの間の距離ＤＢとの双方よりも厚い。また、絶縁板１００の厚さＴ２は、ｚ方向における第１コイル３１Ｂと第２コイル３２Ｂとの間の距離ＤＣと、ｚ方向における第１コイル３３Ｂと第２コイル３４Ｂとの間の距離との双方よりも厚い。

　この構成によれば、ｚ方向における第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）と１次側ダイパッド７０との間の距離ＤＤ（ＤＥ）が上記距離ＤＡ～ＤＣおよびｚ方向における第１コイル３３Ｂと第２コイル３４Ｂとの間の距離よりも大きくなるため、トランスチップ６０の絶縁耐圧の低下を抑制できる。

　（１－４）絶縁板１００は、アルミナを含む絶縁基板、または、ガラスを含む絶縁基板によって形成されている。
　この構成によれば、絶縁板１００を絶縁膜によって構成する場合と比較して、上記（１－２）の厚さＴ２を有する絶縁板１００を容易に形成することができる。

　（１－５）ｚ方向における第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとの間の距離ＤＡと、ｚ方向における第１コイル３３Ａと第２コイル３４Ａとの間の距離ＤＢとは、互いに等しい。また、ｚ方向における第１コイル３１Ｂと第２コイル３２Ｂとの間の距離ＤＣと、ｚ方向における第１コイル３３Ｂと第２コイル３４Ｂとの間の距離とは、互いに等しい。

　第１トランスの絶縁耐圧と第２トランスの絶縁耐圧とが互いに異なる場合、直列に接続された第１トランスと第２トランスとの合計の絶縁耐圧は、第１トランスの絶縁耐圧と第２トランスの絶縁耐圧との合計よりも低くなる場合がある。

　この構成によれば、第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）の絶縁耐圧と第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）の絶縁耐圧とが互いに等しくなる。このため、直列に接続された第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）と第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）との合計の絶縁耐圧は、第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）の絶縁耐圧と第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）の絶縁耐圧との合計と概ね等しくなる。したがって、第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）の絶縁耐圧と第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）の絶縁耐圧とが互いに異なる場合と比較して、トランスチップ６０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。

　（１－６）第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）および第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）は、ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。各第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、第１対向部３９ｐ、第２対向部３９ｑ、および連結部３９ｒを含む第１ループ状導電部３９Ａと、第１ループ状導電部３９Ａと相似状に形成されており、ｚ方向から視て第１ループ状導電部３９Ａを囲むように配置された第２ループ状導電部３９Ｂと、を有している。第１対向部３９ｐは、ｚ方向において第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と対向して配置されており、第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）を構成している。第２対向部３９ｑは、ｚ方向において第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）と対向して配置されており、第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）を構成している。連結部３９ｒは、第１対向部３９ｐと第２対向部３９ｑとを連結している。

　この構成によれば、互いに接続された第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）および第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）がｚ方向においてずれて形成されていないため、互いに接続された第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）および第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）を素子絶縁層６４内において容易に形成できる。

　（１－７）第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂは、銅を含む材料によって形成されている。第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、アルミニウムを含む材料によって形成されている。

　この構成によれば、比較的大きな電流が流れる第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂが銅を含む材料によって形成されているため、第１コイル３１Ａ，３１Ｂ，３３Ａ，３３Ｂに円滑に電流を流すことができる。一方、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂがアルミニウムを含む材料によって形成されているため、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂが銅を含む材料によって形成される場合と比較して、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂを安価に形成できる。

　（１－８）第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）とはｘ方向において互いに離間して配列されており、第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）と第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）とはｘ方向において互いに離間して配列されている。第１コイル３１Ａ（３３Ａ）と第１コイル３１Ｂ（３３Ｂ）とはｙ方向において互いに離間して配列されており、第２コイル３２Ａ（３４Ａ）と第２コイル３２Ｂ（３４Ｂ）とはｙ方向において互いに離間して配列されている。１次側回路１３に電気的に接続される第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）はｘ方向において第１チップ４０の近くに配置されており、２次側回路１４に電気的に接続される第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）はｘ方向において第２チップ５０の近くに配置されている。

　この構成によれば、１次側回路１３を含む第１チップ４０と第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）とをワイヤＷによって容易に接続できる。また、２次側回路１４を含む第２チップ５０と第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）とをワイヤＷによって容易に接続できる。

　（１－９）ｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ａは第１コイル３１Ａのコイル部３５よりも内側に配置されており、第１電極パッド６１Ｂは第１コイル３１Ｂのコイル部３５よりも内側に配置されている。第１電極パッド６１Ｃは、ｙ方向から視て、第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）とｘ方向に重なる位置に配置されている。ｚ方向から視て、第２電極パッド６２Ａは第１コイル３３Ａのコイル部３５よりも内側に配置されており、第２電極パッド６２Ｂは第１コイル３３Ｂのコイル部３５よりも内側に配置されている。第２電極パッド６２Ｃは、ｙ方向から視て、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）とｘ方向に重なる位置に配置されている。

　この構成によれば、たとえばｚ方向から視て、第１電極パッド６１Ａ～６１Ｃが第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）よりも第１チップ４０の近くに配置され、第２電極パッド６２Ａ～６２Ｃが第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）よりも第２チップ５０の近くに配置された構成と比較して、トランスチップ６０のｘ方向の小型化を図ることができる。

　（１－１０）第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち最下層の素子絶縁層６４に設けられている。
　この構成によれば、ｚ方向における第１コイル３１Ａと第２コイル３２Ａとの間の距離ＤＡと、ｚ方向における第１コイル３３Ａと第２コイル３４Ａとの間の距離ＤＢと、ｚ方向における第１コイル３１Ｂと第２コイル３２Ｂとの間の距離ＤＣと、ｚ方向における第１コイル３３Ｂと第２コイル３４Ｂとの間の距離とのそれぞれを大きくとることができる。したがって、トランスチップ６０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。

　（１－１１）絶縁モジュールとしてのトランスチップ６０は、第１電極パッド６１および第２電極パッド６２が形成された表面６４ｓ、および表面６４ｓとは反対側の裏面６４ｒを有する素子絶縁層６４と、素子絶縁層６４内に設けられた第１絶縁素子としての第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）および第２絶縁素子としての第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）と、を有している。第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）は、素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置された第１表面側導電部としての第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と、素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置された第１裏面側導電部としての第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）と、を有している。第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）は、第１電極パッド６１に電気的に接続されている。第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）は、第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と素子絶縁層６４の厚さ方向であるｚ方向に対向配置されている。第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）は、素子絶縁層６４内における裏面６４ｒよりも表面６４ｓの近くに配置された第２表面側導電部としての第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）と、素子絶縁層６４内における表面６４ｓよりも裏面６４ｒの近くに配置された第２裏面側導電部としての第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）と、を有している。第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）は、第２電極パッド６２に電気的に接続されている。第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）は、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）とｚ方向に対向配置されている。第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）と第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）とは電気的に接続されている。第１コイル３１Ａ（３１Ｂ）と１次側回路１３とは、第１電極パッド６１を介して電気的に接続されている。第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）と２次側回路１４とは、第２電極パッド６２を介して電気的に接続されている。

　この構成によれば、第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）と第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）とが直列に接続されているため、たとえばトランスが１つの場合のトランスチップと比較して、トランスチップ６０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。

　［第２実施形態］
　図１０～図１５を参照して、第２実施形態の信号伝達装置１０について説明する。本実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、トランス１５による絶縁構造からキャパシタ１１０による絶縁構造に変更した点が主に異なる。以降の説明では、第１実施形態と異なる点を主に説明し、第１実施形態と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図１０は、本実施形態の信号伝達装置１０の模式的な回路図である。図１０に示すように、信号伝達装置１０の信号伝達回路１０Ａは、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁する絶縁構造としてキャパシタ１１０を備えている。キャパシタ１１０は、第１信号を伝達する信号線に接続されたキャパシタ１１０Ａと、第２信号を伝達する信号線に接続されたキャパシタ１１０Ｂと、を有している。キャパシタ１１０Ａ，１１０Ｂの双方は、１次側回路１３と２次側回路１４との間に設けられている。ここで、本実施形態では、キャパシタ１１０Ａは「第１信号用キャパシタ」に対応し、キャパシタ１１０Ｂは「第２信号用キャパシタ」に対応している。

　信号伝達回路１０Ａは、第１信号を伝達する信号線として接続信号線２０Ａと、第２信号線を伝達する信号線として接続信号線２０Ｂと、を有している。接続信号線２０Ａは、１次側信号線１６Ａと２次側信号線１７Ａとの間に設けられている。接続信号線２０Ｂは、１次側信号線１６Ｂと２次側信号線１７Ｂとの間に設けられている。つまり、第１信号を伝達する信号線は、１次側信号線１６Ａ、２次側信号線１７Ａ、および接続信号線２０Ａを含む。第２信号を伝達する信号線は、１次側信号線１６Ｂ、２次側信号線１７Ｂ、および接続信号線２０Ｂを含む。

　キャパシタ１１０Ａは、接続信号線２０Ａを介して互いに直列に接続された第１キャパシタ１１１Ａおよび第２キャパシタ１１２Ａを有している。第１キャパシタ１１１Ａは１次側回路１３に電気的に接続されており、第２キャパシタ１１２Ａは２次側回路１４に電気的に接続されている。より詳細には、第１キャパシタ１１１Ａは第１電極１１３Ａおよび第２電極１１４Ａを有しており、第２キャパシタ１１２Ａは第１電極１１５Ａおよび第２電極１１６Ａを有している。第１キャパシタ１１１Ａの第１電極１１３Ａは１次側信号線１６Ａによって１次側回路１３に接続されており、第２電極１１４Ａは接続信号線２０Ａを介して第２キャパシタ１１２Ａの第２電極１１６Ａに接続されている。第２キャパシタ１１２Ａの第１電極１１５Ａは、２次側信号線１７Ａによって２次側回路１４に接続されている。このため、１次側回路１３と２次側回路１４とは、互いに直列に接続された第１キャパシタ１１１Ａおよび第２キャパシタ１１２Ａを介して第１信号を伝達する。

　キャパシタ１１０Ｂは、接続信号線２０Ｂを介して互いに直列に接続された第１キャパシタ１１１Ｂおよび第２キャパシタ１１２Ｂを有している。第１キャパシタ１１１Ｂは第１電極１１３Ｂおよび第２電極１１４Ｂを有しており、第２キャパシタ１１２Ｂは第１電極１１５Ｂおよび第２電極１１６Ｂを有している。キャパシタ１１０Ｂの構成と、１次側回路１３および２次側回路１４との接続構成とは、キャパシタ１１０Ａと同様であるため、その詳細な説明を省略する。１次側回路１３と２次側回路１４とは、互いに直列に接続された第１キャパシタ１１１Ｂおよび第２キャパシタ１１２Ｂを介して第２信号を伝達する。ここで、本実施形態では、第１キャパシタ１１１Ａ，１１１Ｂは「第１絶縁素子」に対応し、第２キャパシタ１１２Ａ，１１２Ｂは「第２絶縁素子」に対応している。

　図１１は、本実施形態の信号伝達装置１０の一部の模式的な断面図である。なお、図１１では、図面の見やすさの観点から、ハッチング線を省略して示している。
　図１１に示すように、信号伝達装置１０は、第１実施形態のトランスチップ６０（図２参照）に代えて、キャパシタチップ１２０を備えている。キャパシタチップ１２０は、トランスチップ６０と同様に、ｘ方向において第１チップ４０と第２チップ５０との間に配置されている。第１実施形態のトランスチップ６０と同様に、本実施形態では、キャパシタチップ１２０と第２チップ５０とのｘ方向の間の距離は、キャパシタチップ１２０と第１チップ４０とのｘ方向の間の距離よりも大きい。

　キャパシタチップ１２０は、１次側ダイパッド７０に搭載されている。より詳細には、第１実施形態と同様に、１次側ダイパッド７０には、絶縁板１００が搭載されている。キャパシタチップ１２０は、絶縁板１００に搭載されている。つまり、絶縁板１００は、１次側ダイパッド７０とキャパシタチップ１２０との間に介在している。ここで、本実施形態では、キャパシタチップ１２０は「絶縁チップ」に対応している。

　図１１～図１５を参照して、キャパシタチップ１２０の内部構成の一例について説明する。
　図１２は、キャパシタチップ１２０の平面構造を模式的に示した平面図である。図１３は、キャパシタチップ１２０の内部をｘｙ平面で切った断面構造を模式的に示した断面図である。図１３では、図面の見やすさの観点からハッチング線を省略して示している。図１４および図１５は、キャパシタチップ１２０が１次側ダイパッド７０に搭載された状態におけるキャパシタチップ１２０の断面構造を示している。

　図１１に示すように、キャパシタチップ１２０は、ｚ方向において互いに反対側を向くチップ主面１２０ｓおよびチップ裏面１２０ｒを有している。チップ主面１２０ｓは第１チップ４０のチップ主面４０ｓと同じ側を向き、チップ裏面１２０ｒは第１チップ４０のチップ裏面４０ｒと同じ側を向いている。以降の説明では、キャパシタチップ１２０のチップ裏面１２０ｒからチップ主面１２０ｓに向かう方向を上方とし、チップ主面１２０ｓからチップ裏面１２０ｒに向かう方向を下方とする。

　図１２～図１５に示すように、キャパシタチップ１２０は、両キャパシタ１１０Ａ，１１０Ｂを含むものであり、より詳細には、両キャパシタ１１０Ａ，１１０Ｂが１チップ化されたものである。つまり、キャパシタチップ１２０は、第１チップ４０と第２チップ５０とは別の両キャパシタ１１０Ａ，１１０Ｂ専用のチップである。

　図１２および図１３に示すように、ｚ方向から視て、各キャパシタ１１１Ａ，１１１Ｂはキャパシタチップ１２０のうち第１チップ４０（図１１参照）に近い部分に配置されており、各キャパシタ１１２Ａ，１１２Ｂはキャパシタチップ１２０のうち第２チップ５０（図１１参照）に近い部分に配置されている。第１キャパシタ１１１Ａおよび第１キャパシタ１１１Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。第２キャパシタ１１２Ａおよび第２キャパシタ１１２Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。第１キャパシタ１１１Ａおよび第２キャパシタ１１２Ａは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。第１キャパシタ１１１Ｂおよび第２キャパシタ１１２Ｂは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。

　第１キャパシタ１１１Ａは、第１電極板１２１Ａと、ｚ方向において第１電極板１２１Ａと対向配置されている第２電極板１２２Ａと、を備えている。第１電極板１２１Ａは第１キャパシタ１１１Ａの第１電極１１３Ａを構成し、第２電極板１２２Ａは第１キャパシタ１１１Ａの第２電極１１４Ａを構成している。

　第１キャパシタ１１１Ｂは、第１電極板１２１Ｂと、ｚ方向において第１電極板１２１Ｂと対向配置されている第２電極板１２２Ｂと、を備えている。第１電極板１２１Ｂは第１キャパシタ１１１Ｂの第１電極１１３Ｂを構成し、第２電極板１２２Ｂは第１キャパシタ１１１Ｂの第２電極１１４Ｂを構成している。

　図１２に示すように、第１電極板１２１Ａおよび第１電極板１２１Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第１電極板１２１Ａおよび第１電極板１２１Ｂは、ｚ方向から視て、ｙ方向において隙間を介して配列されている。図１３に示すように、第２電極板１２２Ａおよび第２電極板１２２Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第２電極板１２２Ａおよび第２電極板１２２Ｂは、ｚ方向から視て、ｙ方向において隙間を介して配列されている。

　図１２および図１３に示すように、第２キャパシタ１１２Ａは、第１電極板１２３Ａと、ｚ方向において第１電極板１２３Ａと対向配置されている第２電極板１２４Ａと、を備えている。第１電極板１２３Ａは第２キャパシタ１１２Ａの第１電極１１５Ａを構成し、第２電極板１２４Ａは第２キャパシタ１１２Ａの第２電極１１６Ａを構成している。

　第２キャパシタ１１２Ｂは、第１電極板１２３Ｂと、ｚ方向において第１電極板１２３Ｂと対向配置されている第２電極板１２４Ｂと、を備えている。第１電極板１２３Ｂは第２キャパシタ１１２Ｂの第１電極１１５Ｂを構成し、第２電極板１２４Ｂは第２キャパシタ１１２Ｂの第２電極１１６Ｂを構成している。

　図１２に示すように、第１電極板１２３Ａおよび第１電極板１２３Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第１電極板１２３Ａおよび第１電極板１２３Ｂは、ｚ方向から視て、ｙ方向において隙間を介して配列されている。図１３に示すように、第２電極板１２４Ａおよび第２電極板１２４Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第２電極板１２４Ａおよび第２電極板１２４Ｂは、ｚ方向から視て、ｙ方向において隙間を介して配列されている。

　図１２に示すように、第１電極板１２１Ａおよび第１電極板１２３Ａは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第１電極板１２１Ａおよび第１電極板１２３Ａは、ｚ方向から視て、ｘ方向において隙間を介して配列されている。第１電極板１２１Ｂおよび第１電極板１２３Ｂは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第１電極板１２１Ｂおよび第１電極板１２３Ｂは、ｚ方向から視て、ｘ方向において隙間を介して配列されている。

　図１３に示すように、第２電極板１２２Ａおよび第２電極板１２４Ａは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第２電極板１２２Ａおよび第２電極板１２４Ａは、ｚ方向から視て、ｘ方向において隙間を介して配列されている。第２電極板１２２Ｂおよび第２電極板１２４Ｂは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。つまり、第２電極板１２２Ｂおよび第２電極板１２４Ｂは、ｚ方向から視て、ｘ方向において隙間を介して配列されている。

　本実施形態では、各電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。本実施形態では、各電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、Ｃｕを含む材料によって形成されている。各電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、平板状に形成されている。ｚ方向から視た各電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂの形状は、互いに同一形状であり、本実施形態では矩形状に形成されている。なお、ｚ方向から視た各電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂの形状は、矩形状に限られず、任意に変更可能である。

　図１４および図１５に示すように、キャパシタチップ１２０は、第１実施形態のトランスチップ６０と同様に、基板６３および素子絶縁層６４を有している。基板６３および素子絶縁層６４の構成は、第１実施形態と同様である。また、キャパシタチップ１２０は、第１実施形態のトランスチップ６０と同様に、保護膜６５およびパッシベーション膜６６を有している。保護膜６５およびパッシベーション膜６６の構成は、第１実施形態と同様である。

　図１２、図１４、および図１５に示すように、第１電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂは、素子絶縁層６４内に設けられている。本実施形態では、第１電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂは、ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。換言すると、第１電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち同一の素子絶縁層６４に設けられている。本実施形態では、第１電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち最上層の素子絶縁層６４よりも１つ下の素子絶縁層６４に設けられている。換言すると、第１電極板１２１Ａ，１２１Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂは、素子絶縁層６４に埋め込まれているともいえる。

　図１３～図１５に示すように、第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、素子絶縁層６４内に設けられている。第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。換言すると、第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち同一の素子絶縁層６４に設けられている。本実施形態では、第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、複数の素子絶縁層６４のうち最下層の素子絶縁層６４に設けられている。換言すると、第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは、素子絶縁層６４に埋め込まれているともいえる。

　このように、本実施形態では、第１電極板１２１Ａと第２電極板１２２Ａとのｚ方向の間の距離ＤＦと、第１電極板１２３Ａと第２電極板１２４Ａとのｚ方向の間の距離ＤＧとは互いに等しい。第１電極板１２１Ｂと第２電極板１２２Ｂとのｚ方向の間の距離ＤＨと、第１電極板１２３Ｂと第２電極板１２４Ｂとのｚ方向の間の距離とは互いに等しい。また、距離ＤＦ，ＤＧは、距離ＤＨと等しい。

　また、本実施形態では、絶縁板１００の厚さＴ２は、第１電極板１２１Ａと第２電極板１２２Ａとのｚ方向の間の距離ＤＦと、第１電極板１２３Ａと第２電極板１２４Ａとのｚ方向の間の距離ＤＧと、第１電極板１２１Ｂと第２電極板１２２Ｂとのｚ方向の間の距離ＤＨと、第１電極板１２３Ｂと第２電極板１２４Ｂとのｚ方向の間の距離とのそれぞれよりも大きい。このため、第２電極板１２２Ａと１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間の距離ＤＩと、第２電極板１２４Ａと１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間の距離ＤＪとのそれぞれは、距離ＤＦ，ＤＧよりも大きい。また、第２電極板１２２Ｂと１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間の距離と、第２電極板１２４Ｂと１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間の距離との双方は、距離ＤＨ、および第１電極板１２３Ｂと第２電極板１２４Ｂとのｚ方向の間の距離よりも大きい。なお、本実施形態では、第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂは同一の素子絶縁層６４に設けられているため、距離ＤＩと距離ＤＪとは互いに等しく、第２電極板１２２Ｂと１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間の距離と、第２電極板１２４Ｂと１次側ダイパッド７０とのｚ方向の間の距離とは距離ＤＩ（ＤＪ）に等しい。

　ここで、本実施形態では、第１電極板１２１Ａ，１２１Ｂは「第１表面側導電部」および「第１表面側電極板」に対応し、第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂは「第１裏面側導電部」および「第１裏面側電極板」に対応している。第１電極板１２３Ａ，１２３Ｂは「第２表面側導電部」および「第２表面側電極板」に対応し、第２電極板１２４Ａ，１２４Ｂは「第２裏面側導電部」および「第２裏面側電極板」に対応している。

　図１２に示すように、キャパシタチップ１２０は、複数（本実施形態では２つ）の第１電極パッド１３１および複数（本実施形態では２つ）の第２電極パッド１３２を備えている。各電極パッド１３１，１３２は、キャパシタチップ１２０のチップ主面１２０ｓから露出するようにキャパシタチップ１２０に設けられている。以下、便宜上、２つの第１電極パッド１３１を第１電極パッド１３１Ａ，１３１Ｂとし、２つの第２電極パッド１３２を第２電極パッド１３２Ａ，１３２Ｂとする場合がある。ここで、本実施形態では、第１電極パッド１３１Ａ，１３１Ｂは「第１パッド」に対応し、第２電極パッド１３２Ａ，１３２Ｂは「第２パッド」に対応している。

　複数の第１電極パッド１３１は、第１キャパシタ１１１Ａの第１電極板１２１Ａおよび第１キャパシタ１１１Ｂの第１電極板１２１Ｂと個別に電気的に接続されている。
　より詳細には、図１４に示すように、第１キャパシタ１１１Ａの第１電極板１２１Ａと第１電極パッド１３１Ａとは、接続線１４１によって接続されている。第１電極板１２１Ａに接続された接続線１４１は、素子絶縁層６４に埋め込まれている。つまり、第１キャパシタ１１１Ａの第１電極板１２１Ａと第１電極パッド１３１Ａとは、素子絶縁層６４内で電気的に接続されている。

　図１５に示すように、第１キャパシタ１１１Ｂの第１電極板１２１Ｂと第１電極パッド１３１Ｂとは、接続線１４１によって接続されている。第１電極板１２１Ｂに接続された接続線１４１は、素子絶縁層６４に埋め込まれている。つまり、第１キャパシタ１１１Ｂの第１電極板１２１Ｂと第１電極パッド１３１Ｂとは、素子絶縁層６４内で電気的に接続されている。

　第１電極パッド１３１Ａ，１３１Ｂは、複数のワイヤＷ（図１１参照）によって第１チップ４０の複数の第２電極パッド４２（図１１参照）と個別に接続されている。これにより、第１キャパシタ１１１Ａの第１電極板１２１Ａ（第１電極１１３Ａ）および第１キャパシタ１１１Ｂの第１電極板１２１Ｂ（第１電極１１３Ｂ）が１次側回路１３（図１０参照）と電気的に接続されている。

　図１２に示すように、第１電極パッド１３１Ａは、ｚ方向から視て、第１電極板１２１Ａと重なる位置に配置されている。第１電極パッド１３１Ｂは、ｚ方向から視て、第１電極板１２１Ｂと重なる位置に配置されている。このため、図１４および図１５に示すように、各接続線１４１は、ｚ方向において素子絶縁層６４を貫通するビアによって形成されている。本実施形態では、各接続線１４１は、１層の素子絶縁層６４を貫通するビアとして形成されている。各接続線１４１は、たとえばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。本実施形態では、各接続線１４１は、Ａｌを含む材料によって形成されている。

　図１２に示すように、複数の第２電極パッド１３２は、第２キャパシタ１１２Ａの第１電極板１２３Ａおよび第２キャパシタ１１２Ｂの第１電極板１２３Ｂと個別に電気的に接続されている。

　より詳細には、図１４に示すように、第２キャパシタ１１２Ａの第１電極板１２３Ａと第２電極パッド１３２Ａとは、接続線１４２によって接続されている。第１電極板１２３Ａに接続された接続線１４２は、素子絶縁層６４に埋め込まれている。つまり、第２キャパシタ１１２Ａの第１電極板１２３Ａと第２電極パッド１３２Ａとは、素子絶縁層６４内で電気的に接続されている。

　図示していないが、第２キャパシタ１１２Ｂの第１電極板１２３Ｂと第２電極パッド１３２Ｂとは、第１電極板１２３Ａおよび第２電極パッド１３２Ａと同様に、接続線１４２によって接続されている。第１電極板１２３Ｂに接続された接続線１４２は、素子絶縁層６４に埋め込まれている。つまり、第２キャパシタ１１２Ｂの第１電極板１２３Ｂと第２電極パッド１３２Ｂとは、素子絶縁層６４内で電気的に接続されている。

　第２電極パッド１３２Ａ，１３２Ｂは、複数のワイヤＷによって第２チップ５０の複数の第１電極パッド５１（図１１参照）と個別に接続されている。これにより、第２キャパシタ１１２Ａの第１電極板１２３Ａ（第１電極１１５Ａ）および第２キャパシタ１１２Ｂの第１電極板１２３Ｂ（第１電極１１５Ｂ）が２次側回路１４（図１０参照）と電気的に接続されている。

　図１２に示すように、第２電極パッド１３２Ａは、ｚ方向から視て、第１電極板１２３Ａと重なる位置に配置されている。第２電極パッド１３２Ｂは、ｚ方向から視て、第１電極板１２３Ｂと重なる位置に配置されている。このため、図１４に示すように、各接続線１４２は、ｚ方向において素子絶縁層６４を貫通するビアによって形成されている。本実施形態では、各接続線１４２は、１層の素子絶縁層６４を貫通するビアとして形成されている。各接続線１４２は、たとえばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。本実施形態では、各接続線１４２は、Ａｌを含む材料によって形成されている。

　図１３に示すように、第１キャパシタ１１１Ａの第２電極板１２２Ａおよび第２キャパシタ１１２Ａの第２電極板１２４Ａは、互いに一体化した第１電極体１２５Ａとして形成されている。より詳細には、第１電極体１２５Ａは、第１対向部１２５ｐ、第２対向部１２５ｑ、および連結部１２５ｒを有している。第１対向部１２５ｐ、第２対向部１２５ｑ、および連結部１２５ｒは一体化されている。第１対向部１２５ｐおよび第２対向部１２５ｑは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。

　第１対向部１２５ｐは、ｚ方向において第１電極板１２１Ａと対向する位置に配置されており、第２電極板１２２Ａを構成している。ｚ方向から視た第１対向部１２５ｐの形状は、ｚ方向から視た第１電極板１２１Ａの形状と同一形状である。つまり、本実施形態では、ｚ方向から視た第２電極板１２２Ａの形状は、ｚ方向から視た第１電極板１２１Ａの形状と同一形状である。

　第２対向部１２５ｑは、ｚ方向において第１電極板１２１Ｂと対向する位置に配置されており、第２電極板１２２Ｂを構成している。ｚ方向から視た第２対向部１２５ｑの形状は、ｚ方向から視た第１電極板１２１Ｂの形状と同一形状である。つまり、本実施形態では、ｚ方向から視た第２電極板１２２Ｂの形状は、ｚ方向から視た第１電極板１２１Ｂの形状と同一形状である。

　連結部１２５ｒは、第１対向部１２５ｐと第２対向部１２５ｑとを連結している。本実施形態では、連結部１２５ｒは、ｘ方向に沿って延びている。連結部１２５ｒの幅（連結部１２５ｒのｙ方向の寸法）は、第１対向部１２５ｐのｙ方向の寸法よりも小さい。本実施形態では、連結部１２５ｒは１つであるが、連結部１２５ｒの個数はこれに限られない。連結部１２５ｒは複数設けられていてもよい。この場合、複数の連結部１２５ｒは、ｙ方向において互いに離間して配列されている。

　第１キャパシタ１１１Ｂの第２電極板１２２Ｂおよび第２キャパシタ１１２Ｂの第２電極板１２４Ｂは、互いに一体化した第２電極体１２５Ｂとして形成されている。第２電極体１２５Ｂは、第１電極体１２５Ａと同じ形状である。このため、第２電極体１２５Ｂの詳細な説明を省略する。なお、本実施形態によれば、第１実施形態の効果に準じた効果が得られる。

　［変更例］
　上記各実施形態は本開示に関する信号伝達装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する信号伝達装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは省略した形態、または上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記各実施形態に共通する部分については、上記各実施形態と同一符号を付してその説明を省略する。

　・第１実施形態において、ｚ方向から視て、トランスチップ６０の第１電極パッド６１Ａ，６１Ｂの位置は任意に変更可能である。一例では、第１電極パッド６１Ａは、第１コイル３１Ａのコイル部３５よりも外側に配置されていてもよい。この場合、第１電極パッド６１Ａは、ｙ方向から視て、第１コイル３１Ａのコイル部３５とｘ方向に重なる位置に配置されていてもよい。また、第１電極パッド６１Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ａのコイル部３５よりもｘ方向において第１チップ４０の近くまたは第２チップ５０の近くに配置されていてもよい。つまり、第１電極パッド６１Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ａに対してｘ方向において第１コイル３３Ａとは反対側に配置されていてもよい。第１電極パッド６１Ｂは、第１コイル３１Ｂのコイル部３５よりも外側に配置されていてもよい。この場合、第１電極パッド６１Ｂは、ｙ方向から視て、第１コイル３１Ｂのコイル部３５とｘ方向に重なる位置に配置されていてもよい。また、第１電極パッド６１Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ｂのコイル部３５よりもｘ方向において第１チップ４０の近くまたは第２チップ５０の近くに配置されていてもよい。つまり、第１電極パッド６１Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ｂに対してｘ方向において第１コイル３３Ｂとは反対側に配置されていてもよい。

　また一例では、第１電極パッド６１Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ａのコイル部３５と重なる位置に配置されていてもよい。また、第１電極パッド６１Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ｂのコイル部３５と重なる位置に配置されていてもよい。

　また一例では、第１電極パッド６１Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ａの中心と重なる位置に配置されていてもよい。また、第１電極パッド６１Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３１Ｂの中心と重なる位置に配置されていてもよい。

　・第１実施形態において、ｚ方向から視て、トランスチップ６０の第２電極パッド６２Ａ，６２Ｂの位置は任意に変更可能である。一例では、第２電極パッド６２Ａは、第１コイル３３Ａのコイル部３５よりも外側に配置されていてもよい。この場合、第２電極パッド６２Ｂは、ｙ方向から視て、第１コイル３３Ａのコイル部３５とｘ方向に重なる位置に配置されていてもよい。また、第２電極パッド６２Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ａのコイル部３５よりもｘ方向において第１チップ４０の近くまたは第２チップ５０の近くに配置されていてもよい。つまり、第２電極パッド６２Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ａに対してｘ方向において第１コイル３１Ａとは反対側に配置されていてもよい。第２電極パッド６２Ｂは、第１コイル３３Ｂのコイル部３５よりも外側に配置されていてもよい。この場合、第２電極パッド６２Ｂは、ｙ方向から視て、第１コイル３３Ｂのコイル部３５とｘ方向に重なる位置に配置されていてもよい。また、第２電極パッド６２Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ｂのコイル部３５よりもｘ方向において第１チップ４０の近くまたは第２チップ５０の近くに配置されていてもよい。つまり、第２電極パッド６２Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ｂに対してｘ方向において第１コイル３１Ｂとは反対側に配置されていてもよい。

　また一例では、第２電極パッド６２Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ａのコイル部３５と重なる位置に配置されていてもよい。また、第２電極パッド６２Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ｂのコイル部３５と重なる位置に配置されていてもよい。

　また一例では、第２電極パッド６２Ａは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ａの中心と重なる位置に配置されていてもよい。また、第２電極パッド６２Ｂは、ｚ方向から視て、第１コイル３３Ｂの中心と重なる位置に配置されていてもよい。

　・第１実施形態において、ｚ方向における第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂの位置は任意に変更可能である。一例では、第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂと基板６３とのｚ方向の間に、１または複数の素子絶縁層６４が介在していてもよい。

　・第１実施形態において、ｚ方向から視た第２コイル３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂの形状はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第２コイル３２Ａおよび第２コイル３２Ｂは個別に形成されていてもよい。この場合、ｚ方向から視た第２コイル３２Ａおよび第２コイル３２Ｂの形状はそれぞれ、環状または渦巻き状であってもよい。また同様に、第２コイル３４Ａおよび第２コイル３４Ｂは個別に形成されていてもよい。この場合、ｚ方向から視た第２コイル３４Ａおよび第２コイル３４Ｂの形状はそれぞれ、環状または渦巻状であってもよい。

　図１６および図１７は、第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）および第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）が渦巻き状に形成された場合を示している。図１６に示すように、第２コイル３２Ａ（３２Ｂ）のコイル部３５と第２コイル３４Ａ（３４Ｂ）のコイル部３５とは、第１端部３６および第２端部３７によって接続されている。図１７に示すように、第２コイル３２Ａ，３４Ａの第２端部３７は、ｚ方向において、第２コイル３２Ａ，３４Ａのコイル部３５と同じ位置に設けられている。第２コイル３２Ａ，３４Ａの第１端部３６は、ｚ方向において、第２コイル３２Ａ，３４Ａのコイル部３５とは異なる位置に設けられている。図示された例においては、第２コイル３２Ａ，３４Ａの第１端部３６は、第２コイル３２Ａ，３４Ａのコイル部３５が形成された素子絶縁層６４よりも１層上の素子絶縁層６４に形成されている。

　なお、第２コイル３２Ａ，３４Ａの第１端部３６のｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、第２コイル３２Ａ，３４Ａの第１端部３６は、第２コイル３２Ａ，３４Ａのコイル部３５が形成された素子絶縁層６４が最下層の素子絶縁層６４ではない場合において、第２コイル３２Ａ，３４Ａのコイル部３５が形成された素子絶縁層６４よりも基板６３に近い素子絶縁層６４に形成されていてもよい。

　・第１実施形態において、１次側回路１３から２次側回路１４に第１信号を伝達する信号経路と、１次側回路１３から２次側回路１４に第２信号を伝達する信号経路とのいずれかを省略してもよい。その一例として、図１８および図１９では、１次側回路１３から２次側回路１４に第２信号を伝達する信号経路を省略した場合のトランスチップ６０の構成を示している。

　図１８および図１９に示すように、トランスチップ６０は、トランス１５Ａを１チップ化したものである。つまり、トランスチップ６０の素子絶縁層６４には、第１トランス２１Ａの第１コイル３１Ａおよび第２コイル３２Ａと、第２トランス２２Ａの第１コイル３３Ａおよび第２コイル３４Ａとが埋め込まれている。図１９に示すとおり、第２コイル３２Ａおよび第２コイル３４Ａは、第１コイル３８Ａを構成している。

　図１８に示すように、第１トランス２１Ａの第１コイル３１Ａと第２トランス２２Ａの第１コイル３３Ａとは、ｚ方向から視てｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。第１コイル３１Ａおよび第１コイル３３Ａは、ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。

　図１８に示すように、トランスチップ６０は、２つの第１電極パッド６１Ａ，６１Ｃおよび２つの第２電極パッド６２Ａ，６２Ｃを有している。第１電極パッド６１Ａは第１コイル３１Ａのコイル部３５の内方に配置されており、第１電極パッド６１Ｃは第１コイル３１Ａのコイル部３５よりも外方に配置されている。第１電極パッド６１Ａには第１コイル３１Ａの第１端部３６が接続されており、第１電極パッド６１Ｃには第１コイル３１Ａの第２端部３７が接続されている。第２電極パッド６２Ａは第１コイル３３Ａのコイル部３５の内方に配置されており、第２電極パッド６２Ｃは第１コイル３３Ａのコイル部３５よりも外方に配置されている。第２電極パッド６２Ａには第１コイル３３Ａの第１端部３６が接続されており、第２電極パッド６２Ｃには第１コイル３３Ａの第２端部３７が接続されている。なお、第２実施形態についても同様に変更することができる。

　・第１実施形態において、トランスチップ６０は、ダミーパターンを備えていてもよい。ダミーパターンは、たとえばｚ方向から視て、第１コイル３８Ａを囲むように環状に設けられた第１ダミーパターンと、第２コイル３８Ｂを囲むように環状に設けられた第２ダミーパターンと、を含む。また、ダミーパターンは、たとえばｚ方向から視て、第１コイル３３Ａ（３３Ｂ）を囲むように環状に設けられた第３ダミーパターンを含む。

　・第１実施形態において、第１トランス２１Ａ（２１Ｂ）の第２コイル３２Ａ，３２Ｂと基板６３との間には、少なくとも１層の素子絶縁層６４が介在していてもよい。また、第２トランス２２Ａ（２２Ｂ）の第２コイル３４Ａ，３４Ｂと基板６３との間には、少なくとも１層の素子絶縁層６４が介在していてもよい。

　・第２実施形態において、ｚ方向から視て、キャパシタチップ１２０の複数の第１電極パッド１３１の位置は任意に変更可能である。一例では、第１電極パッド１３１Ａは、ｚ方向から視て、第１電極板１２１Ａと重ならない位置に配置されていてもよい。第１電極パッド１３１Ｂは、ｚ方向から視て、第１電極板１２１Ｂと重ならない位置に配置されていてもよい。

　・第２実施形態において、ｚ方向から視て、キャパシタチップ１２０の複数の第２電極パッド１３２の位置は任意に変更可能である。一例では、第２電極パッド１３２Ａは、ｚ方向から視て、第１電極板１２３Ａと重ならない位置に配置されていてもよい。第２電極パッド１３２Ｂは、ｚ方向から視て、第１電極板１２３Ｂと重ならない位置に配置されていてもよい。

　・第２実施形態において、ｚ方向における第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂの位置は任意に変更可能である。一例では、第２電極板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂと基板６３とのｚ方向の間に、１または複数の素子絶縁層６４が介在していてもよい。

　・第２実施形態において、第１キャパシタ１１１Ａ（１１１Ｂ）の第２電極板１２２Ａ（１２２Ｂ）と基板６３との間には、少なくとも１層の素子絶縁層６４が介在していてもよい。第２キャパシタ１１２Ａ（１１２Ｂ）の第２電極板１２４Ａ（１２４Ｂ）と基板６３との間には、少なくとも１層の素子絶縁層６４が介在していてもよい。

　・各実施形態において、トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、２次側ダイパッド８０に搭載されていてもよい。この場合、２次側ダイパッド８０には絶縁板１００が搭載されている。トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、２次側ダイパッド８０に搭載された絶縁板１００に搭載されている。

　・各実施形態において、トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、１次側ダイパッド７０および２次側ダイパッド８０とは異なる中間ダイパッドに搭載されていてもよい。中間ダイパッドは、ｘ方向において１次側ダイパッド７０と２次側ダイパッド８０との間に配置されている。

　・各実施形態において、信号伝達装置１０から封止樹脂９０を省略してもよい。
　・各実施形態において、絶縁板１００と１次側ダイパッド７０との間に介在する接合材は任意に変更可能である。一例では、導電性接合材ＳＤに代えて、絶縁性接合材を用いてもよい。

　・各実施形態において、トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、素子絶縁層６４の構成として、１層または複数層から構成された樹脂層を備えていてもよい。この樹脂層としては、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、およびエポキシ樹脂のいずれかを含む材料が用いられていてもよい。

　・トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、各実施形態の信号伝達装置１０以外にも適用可能である。
　トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、たとえば１次側回路モジュールに適用されてもよい。つまり、１次側回路モジュールは、第１チップ４０と、トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）と、これらチップ４０，６０（１２０）を封止する封止樹脂と、を備えている。また１次側回路モジュールは、第１チップ４０およびトランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）が搭載された１次側ダイパッド７０を備えている。１次側ダイパッド７０には、絶縁板１００が搭載されている。トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、絶縁板１００に搭載されている。

　トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、たとえば２次側回路モジュールに適用されてもよい。つまり、２次側回路モジュールは、第２チップ５０と、トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）と、これらチップ４０，６０（１２０）を封止する封止樹脂と、を備えている。また２次側回路モジュールは、第２チップ５０およびトランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）が搭載された２次側ダイパッド８０を備えている。２次側ダイパッド８０には、絶縁板１００が搭載されている。トランスチップ６０（キャパシタチップ１２０）は、絶縁板１００に搭載されている。

　・各実施形態において、信号伝達装置１０の構成は任意に変更可能である。
　一例では、信号伝達装置１０は、上記１次側回路モジュールと第２チップ５０とを備えていてもよい。この場合、第２チップ５０が２次側ダイパッド８０に搭載され、２次側ダイパッド８０および第２チップ５０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。

　また一例では、信号伝達装置１０は、上記２次側回路モジュールと第１チップ４０とを備えていてもよい。この場合、第１チップ４０が１次側ダイパッド７０に搭載され、１次側ダイパッド７０および第１チップ４０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。

　・各実施形態において、信号伝達装置１０から絶縁板１００を省略してもよい。この場合、第１実施形態では、トランスチップ６０は１次側ダイパッド７０に搭載されている。つまり、トランスチップ６０は導電性接合材ＳＤによって１次側ダイパッド７０に接合されている。第２実施形態では、キャパシタチップ１２０は１次側ダイパッド７０に搭載されている。つまり、キャパシタチップ１２０は導電性接合材ＳＤによって１次側ダイパッド７０に接合されている。なお、トランスチップ６０は２次側ダイパッド８０に搭載されていてもよい。キャパシタチップ１２０は２次側ダイパッド８０に搭載されていてもよい。

　・各実施形態において、信号伝達装置１０における信号の伝達方向は任意に変更可能である。一例では、信号伝達装置１０は、トランス１５を介して２次側回路１４から１次側回路１３に信号が伝達されるように構成されていてもよい。より詳細には、２次側回路１４と２次側端子１２を介して電気的に接続された駆動回路からの信号（たとえばフィードバック信号）が２次側端子１２に入力されると、２次側回路１４からトランス１５を介して１次側回路１３に信号が伝達される。そして、１次側回路１３と１次側端子１１を介して電気的に接続された制御装置に、１次側回路１３の信号が出力される。また、信号伝達装置１０は、１次側回路１３と２次側回路１４との間で双方向に信号が伝達されるように構成されていてもよい。要するに、信号伝達装置１０は、１次側回路１３と、トランス１５を介して１次側回路１３と信号の送信および受信の少なくとも一方を行うように構成された２次側回路１４と、を含んでいてもよい。

　本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、「ＡがＢ上に形成される」という表現は、本実施形態ではＡがＢに接触してＢ上に直接配置され得るが、変更例として、ＡがＢに接触することなくＢの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、ＡとＢとの間に他の部材が形成される構造を排除しない。

　本開示で使用されるｚ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるｚ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはｙ方向が鉛直方向であってもよい。

　本明細書における記述「Ａ及びＢの少なくとも一つ」は、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡとＢの両方」を意味するものとして理解されたい。
　本明細書で使用する「環状」という用語は、ループを形成する任意の構造、または両端のない連続した形状、およびＣ形状のような隙間を有する一般的にループ状の構造を指す場合がある。「環状」形状には、円形状、楕円形状、および角が鋭いまたは丸みを帯びた多角形状が含まれるが、これらに限定されるものではない。

　［付記］
　上記各実施形態および上記各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。

　（付記１）
　１次側回路（１３）を含む第１チップ（４０）と、
　前記第１チップ（４０）が実装される１次側ダイパッド（７０）と、
　絶縁チップ（６０／１２０）と、
　前記絶縁チップ（６０／１２０）を介して前記１次側回路（１３）と信号の送信および受信の少なくとも一方を行うように構成された２次側回路（１４）を含む第２チップ（５０）と、
　前記第２チップ（５０）が実装される２次側ダイパッド（８０）と、
　前記１次側ダイパッド（７０）または前記２次側ダイパッド（８０）と前記絶縁チップ（６０／１２０）との間に介在された絶縁板（１００）と、を備え、
　前記絶縁チップ（６０／１２０）は、
　第１パッド（６１／１３１）および第２パッド（６２／１３２）が形成された表面（６４ｓ）、および前記表面（６４ｓ）とは反対側の裏面（６４ｒ）を有する素子絶縁層（６４）と、
　前記素子絶縁層（６４）内に設けられた第１絶縁素子（２１Ａ，２１Ｂ／１１１Ａ，１１１Ｂ）および第２絶縁素子（２２Ａ，２２Ｂ／１１２Ａ，１１２Ｂ）と、を有し、
　前記第１絶縁素子（２１Ａ，２１Ｂ／１１１Ａ，１１１Ｂ）は、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記裏面（６４ｒ）よりも前記表面（６４ｓ）の近くに配置され、前記第１パッド（６１／１３１）に電気的に接続された第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記表面（６４ｓ）よりも前記裏面（６４ｒ）の近くに配置され、前記第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）に対向配置された第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）と、を備え、
　前記第２絶縁素子（２２Ａ，２２Ｂ／１１２Ａ，１１２Ｂ）は、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記裏面（６４ｒ）よりも前記表面（６４ｓ）の近くに配置され、前記第２パッド（６２／１３２）に電気的に接続された第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記表面（６４ｓ）よりも前記裏面（６４ｒ）の近くに配置され、前記第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）に対向配置された第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１２４Ａ，１２４Ｂ）と、を備え、
　前記第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）と前記第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１２４Ａ，１２４Ｂ）とが電気的に接続されており、
　前記第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と前記１次側回路（１３）とは、前記第１パッド（６１／１３１）を介して電気的に接続されており、
　前記第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と前記２次側回路（１４）とは、前記第２パッド（６２／１３２）を介して電気的に接続されている
　信号伝達装置（１０）。

　（付記２）
　前記絶縁板（１００）は、前記１次側ダイパッド（７０）に搭載されている
　付記１に記載の信号伝達装置。

　（付記３）
　前記絶縁板（１００）は、前記２次側ダイパッド（８０）に搭載されている
　付記１に記載の信号伝達装置。

　（付記４）
　前記絶縁板（１００）の厚さ（Ｔ２）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）における前記第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と前記第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）との間の距離（ＤＡ，ＤＣ）と、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）における前記第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と前記第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１２４Ａ，１２４Ｂ）との間の距離（ＤＣ）との双方よりも厚い
　付記２または３に記載の信号伝達装置。

　（付記５）
　前記絶縁板（１００）は、アルミナを含む絶縁基板、ガラスを含む絶縁基板、または絶縁樹脂によって形成されている
　付記１～４のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記６）
　前記第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）および前記第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１２４Ａ，１２４Ｂ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）において互いに同じ位置に配置されている
　付記１～５のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記７）
　前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）における前記第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と前記第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）との間の距離（ＤＡ，ＤＣ）と、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）における前記第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と前記第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１２４Ａ，１２４Ｂ）との間の距離（ＤＣ）とは、互いに等しい
　付記１～６のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記８）
　前記第１表面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）であり、
　前記第１裏面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第１裏面側コイル（３２Ａ，３２Ｂ）であり、
　前記第２表面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）であり、
　前記第２裏面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第２裏面側コイル（３４Ａ，３４Ｂ）である
　付記１～７のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記９）
　前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第１パッド（６１Ａ，６１Ｂ）は、前記第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）の中心からずれて配置されており、
　前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第２パッド（６２Ａ，６２Ｂ）は、前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）の中心からずれて配置されている
　付記８に記載の信号伝達装置。

　（付記１０）
　前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第１パッド（６１Ａ，６１Ｂ）は、前記第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）の内側に配置されており、
　前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第２パッド（６２Ａ，６２Ｂ）は、前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）の内側に配置されている
　付記９に記載の信号伝達装置。

　（付記１１）
　前記第１裏面側コイル（３２Ａ，３２Ｂ）および前記第２裏面側コイル（３４Ａ，３４Ｂ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）において同じ位置に配置されており、
　前記絶縁チップ（６０）は、前記素子絶縁層（６４）内に設けられた第１ループ状導電部（３９Ａ）および第２ループ状導電部（３９Ｂ）を含み、
　前記第１ループ状導電部（３９Ａ）は、
　互いに向き合うように開口した開いた環状の第１対向部（３９ｐ）および第２対向部（３９ｑ）と、
　前記両対向部（３９ｐ，３９ｑ）の開口端同士を連結している連結部（３９ｒ）と、によってループ状に構成されており、
　前記第１対向部（３９ｐ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）において前記第１表面側コイル（３１Ａ／３１Ｂ）と対向する位置に配置され、前記第１裏面側コイル（３２Ａ／３２Ｂ）を構成しており、
　前記第２対向部（３９ｑ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）において前記第２表面側コイル（３３Ａ／３３Ｂ）と対向する位置に配置され、前記第２裏面側コイル（３４Ａ／３４Ｂ）を構成しており、
　前記第２ループ状導電部（３９Ｂ）は、
　前記第１ループ状導電部（３９Ａ）と相似状に形成されており、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第１ループ状導電部（３９Ａ）を囲むように配置されている
　付記８～１０のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記１２）
　前記第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）および前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）の双方は、銅を含む材料によって形成されており、
　前記第１裏面側コイル（３２Ａ，３２Ｂ）および前記第２裏面側コイル（３４Ａ，３４Ｂ）の双方は、アルミニウムを含む材料によって形成されている
　付記８～１１のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記１３）
　前記信号伝達装置（１０）は、前記第１絶縁素子（２１Ａ，２１Ｂ）および前記第２絶縁素子（２２Ａ，２２Ｂ）を有するトランス（１５Ａ，１５Ｂ）を介して前記１次側回路（１３）から前記２次側回路（１４）に向けて信号が伝達されるように構成されており、
　前記トランスは、第１信号用トランス（１５Ａ）および第２信号用トランス（１５Ｂ）を含み、
　前記トランス（１５Ａ，１５Ｂ）を介して伝達される前記信号は、第１信号および第２信号を含み、
　前記第１信号は、前記第１信号用トランス（１５Ａ）を介して前記１次側回路（１３）から前記２次側回路（１４）に向けて伝達され、
　前記第２信号は、前記第２信号用トランス（１５Ｂ）を介して前記１次側回路（１３）から前記２次側回路（１４）に向けて伝達される
　付記８～１２のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記１４）
　前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記１次側ダイパッド（７０）と前記２次側ダイパッド（８０）とは、隙間を介して配列されており、
　前記第１チップ（４０）、前記第２チップ（５０）、および前記絶縁チップ（６０）は、前記１次側ダイパッド（７０）と前記２次側ダイパッド（８０）との配列方向である第１方向（ｘ方向）において互いに隙間を介して配列されており、
　前記第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）および前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）は、前記第１方向（ｘ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１裏面側コイル（３２Ａ，３２Ｂ）および前記第２裏面側コイル（３４Ａ，３４Ｂ）は、前記第１方向（ｘ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第１表面側コイル（３１Ａ）および前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第１表面側コイル（３１Ｂ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記第１方向（ｘ方向）と直交する第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第２表面側コイル（３３Ａ）および前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第２表面側コイル（３３Ｂ）は、前記第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第１裏面側コイル（３２Ａ）および前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第１裏面側コイル（３２Ｂ）は、前記第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第２裏面側コイル（３４Ａ）および前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第２裏面側コイル（３４Ｂ）は、前記第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されている
　付記１３に記載の信号伝達装置。

　（付記１５）
　前記素子絶縁層（６４）の前記表面（６４ｓ）には、第３パッド（６１Ｃ）および第４パッド（６２Ｃ）が形成されており、
　前記第３パッド（６１Ｃ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第１表面側コイル（３１Ａ）と前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第１表面側コイル（３１Ｂ）との間に配置され、前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第１表面側コイル（３１Ａ）と前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第１表面側コイル（３１Ｂ）とに電気的に接続されており、
　前記第４パッド（６２Ｃ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第２表面側コイル（３３Ａ）と前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第２表面側コイル（３３Ｂ）との間に配置され、前記第１信号用トランス（１５Ａ）の前記第２表面側コイル（３３Ａ）と前記第２信号用トランス（１５Ｂ）の前記第２表面側コイル（３３Ｂ）とに電気的に接続されている
　付記１４に記載の信号伝達装置。

　（付記１６）
　前記第１表面側導電部は、平板状に形成された第１表面側電極板（１２１Ａ，１２１Ｂ）であり、
　前記第１裏面側導電部は、平板状に形成された第１裏面側電極板（１２２Ａ，１２２Ｂ）であり、
　前記第２表面側導電部は、平板状に形成された第２表面側電極板（１２３Ａ，１２３Ｂ）であり、
　前記第２裏面側導電部は、平板状に形成された第２裏面側電極板（１２４Ａ，１２４Ｂ）である
　付記１～７のいずれか１つに記載の信号伝達装置。

　（付記１７）
　前記信号伝達装置（１０）は、前記第１絶縁素子（１１０Ａ）および前記第２絶縁素子（１１０Ｂ）を有するキャパシタ（１１０）を介して前記１次側回路（１３）から前記２次側回路（１５）に向けて信号が伝達されるように構成されており、
　前記キャパシタ（１１０）は、第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）および第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）を含み、
　前記キャパシタ（１１０）を介して伝達される前記信号は、第１信号および第２信号を含み、
　前記第１信号は、前記第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）を介して前記１次側回路（１３）から前記２次側回路（１４）に向けて伝達され、
　前記第２信号は、前記第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）を介して前記１次側回路（１３）から前記２次側回路（１４）に向けて伝達される
　付記１６に記載の信号伝達装置。

　（付記１８）
　前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記１次側ダイパッド（７０）と前記２次側ダイパッド（８０）とは、隙間を介して配列されており、
　前記第１チップ（４０）、前記第２チップ（５０）、および前記絶縁チップ（１２０）は、前記１次側ダイパッド（７０）と前記２次側ダイパッド（８０）との配列方向である第１方向（ｘ方向）において互いに隙間を介して配列されており、
　前記第１表面側電極板（１２１Ａ，１２１Ｂ）および前記第２表面側電極板（１２３Ａ，１２３Ｂ）は、前記第１方向（ｘ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１裏面側電極板（１２２Ａ，１２２Ｂ）および前記第２裏面側電極板（１２４Ａ，１２４Ｂ）は、前記第１方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）の前記第１表面側電極板（１２１Ａ）および前記第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）の前記第１表面側電極板（１２１Ｂ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記第１方向（ｘ方向）と直交する第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）の前記第２表面側電極板（１２３Ａ）および前記第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）の前記第２表面側電極板（１２３Ｂ）は、前記第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）の前記第１裏面側電極板（１２２Ａ）および前記第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）の前記第１裏面側電極板（１２２Ｂ）は、前記第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）の前記第２裏面側電極板（１２４Ａ）および前記第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）の前記第２裏面側電極板（１２４Ｂ）は、前記第２方向（ｙ方向）において隙間を介して配列されている
　付記１７に記載の信号伝達装置。

　（付記１９）
　前記第１パッド（１３１）は、前記第２方向（ｙ方向）から視て、前記第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）の前記第１表面側電極板（１２１Ａ）および前記第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）の前記第１表面側電極板（１２１Ｂ）と重なる位置に配置されており、
　前記第２パッド（１３２）は、前記第２方向（ｙ方向）から視て、前記第１信号用キャパシタ（１１０Ａ）の前記第２表面側電極板（１２３Ａ）および前記第２信号用キャパシタ（１１０Ｂ）の前記第２表面側電極板（１２３Ｂ）と重なる位置に配置されている
　付記１８に記載の信号伝達装置。

　（付記２０）
　素子絶縁層（６４）と、前記素子絶縁層（６４）に埋め込まれた第１絶縁素子（２１Ａ，２１Ｂ／１１１Ａ，１１１Ｂ）および第２絶縁素子（２２Ａ，２２Ｂ／１１２Ａ，１１２Ｂ）を有する絶縁ユニットを備えた絶縁モジュールであって、
　前記素子絶縁層（６４）は、第１パッド（６１／１３１）および第２パッド（６２／１３２）が形成された表面（６４ｓ）、および前記表面（６４ｓ）とは反対側の裏面（６４ｒ）を有し、
　前記第１絶縁素子（２１Ａ，２１Ｂ／１１１Ａ，１１１Ｂ）は、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記裏面（６４ｒ）よりも前記表面（６４ｓ）の近くに配置され、前記第１パッド（６１／１３１）に電気的に接続された第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記表面（６４ｓ）よりも前記裏面（６４ｒ）の近くに配置され、前記第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）に対向配置された第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）と、を備え、
　前記第２絶縁素子（２２Ａ，２２Ｂ／１１２Ａ，１１２Ｂ）は、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記裏面（６４ｒ）よりも前記表面（６４ｓ）の近くに配置され、前記第２パッド（６２／１３２）に電気的に接続された第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記表面（６４ｓ）よりも前記裏面（６４ｒ）の近くに配置され、前記第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）に対向配置された第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１３４Ａ，１３４Ｂ）と、を備え、
　前記第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）と前記第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１３４Ａ，１３４Ｂ）とが電気的に接続されている
　絶縁モジュール。

　（付記２１）
　１次側回路（１３）を含む第１チップ（４０）と、
　前記第１チップ（４０）が実装される１次側ダイパッド（７０）と、
　絶縁チップ（６０／１２０）と、
　前記絶縁チップ（６０／１２０）を介して前記１次側回路（１３）と信号の送信および受信の少なくとも一方を行うように構成された２次側回路（１４）を含む第２チップ（５０）と、
　前記第２チップ（５０）が実装される２次側ダイパッド（８０）と、を備え、
　前記絶縁チップ（６０／１２０）は、前記１次側ダイパッド（７０）または前記２次側ダイパッド（８０）に搭載されており、
　第１パッド（６１／１３１）および第２パッド（６２／１３２）が形成された表面（６４ｓ）、および前記表面（６４ｓ）とは反対側の裏面（６４ｒ）を有する素子絶縁層（６４）と、
　前記素子絶縁層（６４）内に設けられた第１絶縁素子（２１Ａ，２１Ｂ／１１１Ａ，１１１Ｂ）および第２絶縁素子（２２Ａ，２２Ｂ／１１２Ａ，１１２Ｂ）と、を有し、
　前記第１絶縁素子（２１Ａ，２１Ｂ／１１１Ａ，１１１Ｂ）は、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記裏面（６４ｒ）よりも前記表面（６４ｓ）の近くに配置され、前記第１パッド（６１／１３１）に電気的に接続された第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記表面（６４ｓ）よりも前記裏面（６４ｒ）の近くに配置され、前記第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）に対向配置された第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）と、を備え、
　前記第２絶縁素子（２２Ａ，２２Ｂ／１１２Ａ，１１２Ｂ）は、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記裏面（６４ｒ）よりも前記表面（６４ｓ）の近くに配置され、前記第２パッド（６２／１３２）に電気的に接続された第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と、
　前記素子絶縁層（６４）内における前記表面（６４ｓ）よりも前記裏面（６４ｒ）の近くに配置され、前記第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）に対向配置された第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１２４Ａ，１２４Ｂ）と、を備え、
　前記第１裏面側導電部（３２Ａ，３２Ｂ／１２２Ａ，１２２Ｂ）と前記第２裏面側導電部（３４Ａ，３４Ｂ／１２４Ａ，１２４Ｂ）とが電気的に接続されており、
　前記第１表面側導電部（３１Ａ，３１Ｂ／１２１Ａ，１２１Ｂ）と前記１次側回路（１３）とは、前記第１パッド（６１／１３１）を介して電気的に接続されており、
　前記第２表面側導電部（３３Ａ，３３Ｂ／１２３Ａ，１２３Ｂ）と前記２次側回路（１４）とは、前記第２パッド（６２／１３２）を介して電気的に接続されている
　信号伝達装置（１０）。

　（付記２２）
　前記第１パッド（６１Ａ，６１Ｂ）は、前記第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）に対して前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）とは反対側に配置され、
　前記第２パッド（６２Ａ，６２Ｂ）は、前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）に対して前記第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）とは反対側に配置されている
　付記１０に記載の信号伝達装置。

　（付記２３）
　前記第１パッド（６１Ａ，６１Ｂ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）および前記第１表面側（３１Ａ，３１Ｂ）と前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）との配列方向（ｘ方向）との双方と直交する方向（ｙ方向）から視て、前記第１表面側コイル（３１Ａ，３１Ｂ）と重なる位置に配置され、
　前記第２パッド（６２Ａ，６２Ｂ）は、前記素子絶縁層（６４）の厚さ方向（ｚ方向）および前記第１表面側（３１Ａ，３１Ｂ）と前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）との配列方向（ｘ方向）との双方と直交する方向（ｙ方向）から視て、前記第２表面側コイル（３３Ａ，３３Ｂ）と重なる位置に配置されている
　付記１０に記載の信号伝達装置。

　１０…信号伝達装置
　１０Ａ…信号伝達回路
　１１…１次側端子
　１２…２次側端子
　１３…１次側回路
　１４…２次側回路
　１５…トランス（絶縁素子）
　１５Ａ…トランス（第１信号用トランス）
　１５Ｂ…トランス（第２信号用トランス）
　１６Ａ，１６Ｂ…１次側信号線
　１７Ａ，１７Ｂ…２次側信号線
　１８Ａ，１８Ａ…接続信号線
　１９Ｂ，１９Ｂ…接続信号線
　２１Ａ，２１Ｂ…第１トランス（第１絶縁素子）
　２２Ａ，２２Ｂ…第２トランス（第２絶縁素子）
　３１Ａ，３１Ｂ…第１コイル（第１表面側導電部、第１表面側コイル）
　３２Ａ，３２Ｂ…第２コイル（第１裏面側導電部、第１裏面側コイル）
　３３Ａ，３３Ｂ…第１コイル（第２表面側導電部、第２表面側コイル）
　３４Ａ，３４Ｂ…第２コイル（第２裏面側導電部、第２裏面側コイル）
　３５…コイル部
　３６…第１端部
　３７…第２端部
　３８Ａ…第１コイル
　３８Ｂ…第２コイル
　３９Ａ…第１ループ状導電部
　３９Ｂ…第２ループ状導電部
　３９Ｃ…第３ループ状導電部
　３９Ｄ…第４ループ状導電部
　３９ｐ…第１対向部
　３９ｑ…第２対向部
　３９ｒ…連結部
　３９ｒａ…第１連結部
　３９ｒｂ…第２連結部
　４０…第１チップ
　４０ｓ…チップ主面
　４０ｒ…チップ裏面
　４１…第１電極パッド
　４２…第２電極パッド
　５０…第２チップ
　５０ｓ…チップ主面
　５０ｒ…チップ裏面
　５１…第１電極パッド
　５２…第２電極パッド
　６０…トランスチップ（絶縁チップ）
　６０ｓ…チップ主面
　６０ｒ…チップ裏面
　６１…第１電極パッド
　６１Ａ，６１Ｂ…第１電極パッド（第１パッド）
　６１Ｃ…第１電極パッド（第３パッド）
　６２…第２電極パッド
　６２Ａ，６２Ｂ…第２電極パッド（第２パッド）
　６２Ｃ…第２電極パッド（第４パッド）
　６３…基板
　６３ｓ…基板表面
　６３ｒ…基板裏面
　６４…素子絶縁層
　６４ｓ…表面
　６４ｒ…裏面
　６４Ａ…第１絶縁膜
　６４Ｂ…第２絶縁膜
　６５…保護膜
　６６…パッシベーション膜
　６７…接続線
　６８…接続線
　７０…１次側ダイパッド
　８０…２次側ダイパッド
　９０…封止樹脂
　１００…絶縁板
　１００ｓ…主面
　１００ｒ…裏面
　１１０…キャパシタ
　１１０Ａ…キャパシタ（第１信号用キャパシタ）
　１１０Ｂ…キャパシタ（第２信号用キャパシタ）
　１１１Ａ，１１１Ｂ…第１キャパシタ（第１絶縁素子）
　１１２Ａ，１１２Ｂ…第２キャパシタ（第２絶縁素子）
　１１３Ａ，１１３Ｂ…第１電極
　１１４Ａ，１１４Ａ…第２電極
　１１５Ａ，１１５Ｂ…第１電極
　１１６Ａ，１１６Ｂ…第２電極
　１２０…キャパシタチップ（絶縁チップ）
　１２１Ａ，１２１Ｂ…第１電極板（第１表面側導電部、第１表面側電極板）
　１２２Ａ，１２２Ｂ…第２電極板（第１裏面側導電部、第１裏面側電極板）
　１２３Ａ，１２３Ｂ…第１電極板（第２表面側導電部、第２表面側電極板）
　１２４Ａ，１２４Ｂ…第２電極板（第２裏面側導電部、第２裏面側電極板）
　１２５Ａ…第１電極体
　１２５Ｂ…第２電極体
　１２５ｐ…第１対向部
　１２５ｑ…第２対向部
　１２５ｒ…連結部
　１３１Ａ，１３１Ｂ…第１電極パッド（第１パッド）
　１３２Ａ，１３２Ｂ…第２電極パッド（第２パッド）
　１４１…接続線
　１４２…接続線
　Ｔ１…トランスチップの厚さ
　Ｔ２…絶縁層の厚さ
　Ｔ３…基板の厚さ
　Ｔ４…素子絶縁層の厚さ
　ＤＡ～ＤＣ…第１コイルと第２コイルとの間の距離
　ＤＤ，ＤＥ…第２コイルと１次側ダイパッドとの間の距離
　ＤＦ～ＤＨ…第１電極板と第２電極板との間の距離
　ＤＩ，ＤＪ…第２電極板と１次側ダイパッドとの間の距離

Claims

　１次側回路を含む第１チップと、
　前記第１チップが実装される１次側ダイパッドと、
　絶縁チップと、
　前記絶縁チップを介して前記１次側回路と信号の送信および受信の少なくとも一方を行うように構成された２次側回路を含む第２チップと、
　前記第２チップが実装される２次側ダイパッドと、
　前記１次側ダイパッドまたは前記２次側ダイパッドと前記絶縁チップとの間に介在された絶縁板と、
を備え、
　前記絶縁チップは、
　第１パッドおよび第２パッドが形成された表面、および前記表面とは反対側の裏面を有する素子絶縁層と、
　前記素子絶縁層内に設けられた第１絶縁素子および第２絶縁素子と、
を有し、
　前記第１絶縁素子は、
　前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第１パッドに電気的に接続された第１表面側導電部と、
　前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第１表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第１裏面側導電部と、
を備え、
　前記第２絶縁素子は、
　前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第２パッドに電気的に接続された第２表面側導電部と、
　前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第２表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第２裏面側導電部と、
を備え、
　前記第１裏面側導電部と前記第２裏面側導電部とが電気的に接続されており、
　前記第１表面側導電部と前記１次側回路とは、前記第１パッドを介して電気的に接続されており、
　前記第２表面側導電部と前記２次側回路とは、前記第２パッドを介して電気的に接続されている
　信号伝達装置。
　前記絶縁板は、前記１次側ダイパッドに搭載されている
　請求項１に記載の信号伝達装置。
　前記絶縁板は、前記２次側ダイパッドに搭載されている
　請求項１に記載の信号伝達装置。
　前記絶縁板の厚さは、前記素子絶縁層の厚さ方向における前記第１表面側導電部と前記第１裏面側導電部との間の距離と、前記素子絶縁層の厚さ方向における前記第２表面側導電部と前記第２裏面側導電部との間の距離との双方よりも厚い
　請求項２または３に記載の信号伝達装置。
　前記絶縁板は、アルミナを含む絶縁基板、ガラスを含む絶縁基板、または、絶縁樹脂によって形成されている
　請求項１～４のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記第１裏面側導電部および前記第２裏面側導電部は、前記素子絶縁層の厚さ方向において互いに同じ位置に配置されている
　請求項１～５のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記素子絶縁層の厚さ方向における前記第１表面側導電部と前記第１裏面側導電部との間の距離と、前記素子絶縁層の厚さ方向における前記第２表面側導電部と前記第２裏面側導電部との間の距離とは、互いに等しい
　請求項１～６のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記第１表面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第１表面側コイルであり、
　前記第１裏面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第１裏面側コイルであり、
　前記第２表面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第２表面側コイルであり、
　前記第２裏面側導電部は、渦巻き状または環状に形成された第２裏面側コイルである
　請求項１～７のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記第１パッドは、前記第１表面側コイルの中心からずれて配置されており、
　前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記第２パッドは、前記第２表面側コイルの中心からずれて配置されている
　請求項８に記載の信号伝達装置。
　前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記第１パッドは、前記第１表面側コイルの内側に配置されており、
　前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記第２パッドは、前記第２表面側コイルの内側に配置されている
　請求項９に記載の信号伝達装置。
　前記第１裏面側コイルおよび前記第２裏面側コイルは、前記素子絶縁層の厚さ方向において同じ位置に配置されており、
　前記絶縁チップは、前記素子絶縁層内に設けられた第１ループ状導電部および第２ループ状導電部を含み、
　前記第１ループ状導電部は、
　互いに向き合うように開口した開いた環状の第１対向部および第２対向部と、
　前記両対向部の開口端同士を連結している連結部と、によってループ状に構成されており、
　前記第１対向部は、前記素子絶縁層の厚さ方向において前記第１表面側コイルと対向する位置に配置され、前記第１裏面側コイルを構成しており、
　前記第２対向部は、前記素子絶縁層の厚さ方向において前記第２表面側コイルと対向する位置に配置され、前記第２裏面側コイルを構成しており、
　前記第２ループ状導電部は、
　前記第１ループ状導電部と相似状に形成されており、前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記第１ループ状導電部を囲むように配置されている
　請求項８～１０のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記第１表面側コイルおよび前記第２表面側コイルの双方は、銅を含む材料によって形成されており、
　前記第１裏面側コイルおよび前記第２裏面側コイルの双方は、アルミニウムを含む材料によって形成されている
　請求項８～１１のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記信号伝達装置は、前記第１絶縁素子および前記第２絶縁素子を有するトランスを介して前記１次側回路から前記２次側回路に向けて信号が伝達されるように構成されており、
　前記トランスは、第１信号用トランスおよび第２信号用トランスを含み、
　前記トランスを介して伝達される前記信号は、第１信号および第２信号を含み、
　前記第１信号は、前記第１信号用トランスを介して前記１次側回路から前記２次側回路に向けて伝達され、
　前記第２信号は、前記第２信号用トランスを介して前記１次側回路から前記２次側回路に向けて伝達される
　請求項８～１２のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記１次側ダイパッドと前記２次側ダイパッドとは、隙間を介して配列されており、
　前記第１チップ、前記第２チップ、および前記絶縁チップは、前記１次側ダイパッドと前記２次側ダイパッドとの配列方向である第１方向において互いに隙間を介して配列されており、
　前記第１表面側コイルおよび前記第２表面側コイルは、前記第１方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１裏面側コイルおよび前記第２裏面側コイルは、前記第１方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランスの前記第１表面側コイルおよび前記第２信号用トランスの前記第１表面側コイルは、前記素子絶縁層の厚さ方向から視て前記第１方向と直交する第２方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランスの前記第２表面側コイルおよび前記第２信号用トランスの前記第２表面側コイルは、前記第２方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランスの前記第１裏面側コイルおよび前記第２信号用トランスの前記第１裏面側コイルは、前記第２方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用トランスの前記第２裏面側コイルおよび前記第２信号用トランスの前記第２裏面側コイルは、前記第２方向において隙間を介して配列されている
　請求項１３に記載の信号伝達装置。
　前記素子絶縁層の前記表面には、第３パッドおよび第４パッドが形成されており、
　前記第３パッドは、前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記第１信号用トランスの前記第１表面側コイルと前記第２信号用トランスの前記第１表面側コイルとの間に配置され、前記第１信号用トランスの前記第１表面側コイルと前記第２信号用トランスの前記第１表面側コイルとに電気的に接続されており、
　前記第４パッドは、前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記第１信号用トランスの前記第２表面側コイルと前記第２信号用トランスの前記第２表面側コイルとの間に配置され、前記第１信号用トランスの前記第２表面側コイルと前記第２信号用トランスの前記第２表面側コイルとに電気的に接続されている
　請求項１４に記載の信号伝達装置。
　前記第１表面側導電部は、平板状に形成された第１表面側電極板であり、
　前記第１裏面側導電部は、平板状に形成された第１裏面側電極板であり、
　前記第２表面側導電部は、平板状に形成された第２表面側電極板であり、
　前記第２裏面側導電部は、平板状に形成された第２裏面側電極板である
　請求項１～７のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
　前記信号伝達装置は、前記第１絶縁素子および前記第２絶縁素子を有するキャパシタを介して前記１次側回路から前記２次側回路に向けて信号が伝達されるように構成されており、
　前記キャパシタは、第１信号用キャパシタおよび第２信号用キャパシタを含み、
　前記キャパシタを介して伝達される前記信号は、第１信号および第２信号を含み、
　前記第１信号は、前記第１信号用キャパシタを介して前記１次側回路から前記２次側回路に向けて伝達され、
　前記第２信号は、前記第２信号用キャパシタを介して前記１次側回路から前記２次側回路に向けて伝達される
　請求項１６に記載の信号伝達装置。
　前記素子絶縁層の厚さ方向から視て、前記１次側ダイパッドと前記２次側ダイパッドとは、隙間を介して配列されており、
　前記第１チップ、前記第２チップ、および前記絶縁チップは、前記１次側ダイパッドと前記２次側ダイパッドとの配列方向である第１方向において互いに隙間を介して配列されており、
　前記第１表面側電極板および前記第２表面側電極板は、前記第１方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１裏面側電極板および前記第２裏面側電極板は、前記第１方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタの前記第１表面側電極板および前記第２信号用キャパシタの前記第１表面側電極板は、前記素子絶縁層の厚さ方向から視て前記第１方向と直交する第２方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタの前記第２表面側電極板および前記第２信号用キャパシタの前記第２表面側電極板は、前記第２方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタの前記第１裏面側電極板および前記第２信号用キャパシタの前記第１裏面側電極板は、前記第２方向において隙間を介して配列されており、
　前記第１信号用キャパシタの前記第２裏面側電極板および前記第２信号用キャパシタの前記第２裏面側電極板は、前記第２方向において隙間を介して配列されている
　請求項１７に記載の信号伝達装置。
　前記第１パッドは、前記第２方向から視て、前記第１信号用キャパシタの前記第１表面側電極板および前記第２信号用キャパシタの前記第１表面側電極板と重なる位置に配置されており、
　前記第２パッドは、前記第２方向から視て、前記第１信号用キャパシタの前記第２表面側電極板および前記第２信号用キャパシタの前記第２表面側電極板と重なる位置に配置されている
　請求項１８に記載の信号伝達装置。
　素子絶縁層と、前記素子絶縁層に埋め込まれた第１絶縁素子および第２絶縁素子を有する絶縁ユニットを備えた絶縁モジュールであって、
　前記素子絶縁層は、第１パッドおよび第２パッドが形成された表面、および前記表面とは反対側の裏面を有し、
　前記第１絶縁素子は、
　前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第１パッドに電気的に接続された第１表面側導電部と、
　前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第１表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第１裏面側導電部と、
を備え、
　前記第２絶縁素子は、
　前記素子絶縁層内における前記裏面よりも前記表面の近くに配置され、前記第２パッドに電気的に接続された第２表面側導電部と、
　前記素子絶縁層内における前記表面よりも前記裏面の近くに配置され、前記第２表面側導電部と前記素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第２裏面側導電部と、
を備え、
　前記第１裏面側導電部と前記第２裏面側導電部とが電気的に接続されている
　絶縁モジュール。