JP2014022484A - ソレノイドインダクタ - Google Patents
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Abstract
【課題】誘導結合の高い設計自由度を実現すると共に、小面積で寄生容量の小さな結合インダクタを提供する。
【解決手段】ソレノイドインダクタ1は、同軸状に配置された複数の多層インダクタ2〜4を備える。各多層インダクタ2〜4は、スパイラル状に形成された配線が複数層形成され、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されている。
【選択図】 図1
【解決手段】ソレノイドインダクタ1は、同軸状に配置された複数の多層インダクタ2〜4を備える。各多層インダクタ2〜4は、スパイラル状に形成された配線が複数層形成され、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光受信モジュールに用いるトランスインピーダンスアンプや光送信モジュールに用いるレーザ駆動回路などの高周波信号を扱う半導体集積回路において、金属配線層を用いて形成されるインダクタに関するものである。特に、本発明は、誘導結合インダクタに関するものである。
シリコンCMOSトランジスタは、集積度が高く、大量生産した場合に安価に半導体集積回路を提供できるという特長を持つ。一方で、シリコンCMOSトランジスタは、InP等に代表される化合物半導体を用いたトランジスタと比較すると利得遮断周波数が低く、回路の動作周波数が低くなる。この欠点を解決するため、金属配線をスパイラル状に巻いてインダクタを形成し、このインダクタをトランジスタの負荷抵抗や帰還抵抗などに付加してピーキング回路を作製して、帯域を延伸する手法が広く用いられている。
このようなスパイラルインダクタによるピーキング回路によれば、インダクタを使用する前と比較して半導体集積回路の帯域を2倍程度延伸することが可能となる。しかしながら、インダクタの面積はトランジスタの面積と比較して著しく大きいので、半導体集積回路の面積が大きくなり、半導体集積回路のコストが高くなるという問題点があった。
一方、特許文献1に記載の誘導結合されたインダクタを用いることにより、ピーキング回路の面積を削減し、ピーキング特性の設計の自由度を高めることが可能である。
ここで、複数の配線を誘導結合することにより構成される結合インダクタについて説明する。インダクタは巻線から形成される。巻線に流れる電流が変化すると、巻線を貫く磁束が変化し、その磁束によって磁束の変化を打ち消す方向に誘導起電力が発生する。Lを自己インダクタンス、Iをインダクタに流れる電流とすると、誘導起電力eの大きさは次のようになる。
ここで、複数の配線を誘導結合することにより構成される結合インダクタについて説明する。インダクタは巻線から形成される。巻線に流れる電流が変化すると、巻線を貫く磁束が変化し、その磁束によって磁束の変化を打ち消す方向に誘導起電力が発生する。Lを自己インダクタンス、Iをインダクタに流れる電流とすると、誘導起電力eの大きさは次のようになる。
図12に示すように、磁気的に結合された2つの巻線100,101の一方の電流I1を変化させると、もう一方の巻線101に誘導起電力が生じる。その大きさe2は、次のようになる。
ここで、相互インダクタンスMは、次の式で表される。
ここで、kは結合係数、L1は第1のインダクタ100の自己インダクタンス、L2は第2のインダクタ101の自己インダクタンスである。
次に、結合インダクタの1例として、非特許文献1に開示されたプレーナ型結合インダクタについて説明する。図13(A)はプレーナ型結合インダクタの平面図、図13(B)はこのプレーナ型結合インダクタの断面図である。プレーナ型結合インダクタは、金属配線をスパイラル状に巻いて形成する2つのインダクタ200,201を絶縁層202上に平面的に配置したもので、第1のインダクタ200の外側に第2のインダクタ201を配置している。
このプレーナ型結合インダクタでは、それぞれのインダクタ200,201の電磁誘導による結合により誘導結合が生じる。プレーナ型結合インダクタの課題は、インダクタ200とインダクタ201とが離れてしまうため、高い結合係数が実現できない(0.7程度が限界)ことと、占有面積が大きくなってしまうことである。
次に、結合インダクタの他の例として、スタック型結合インダクタについて説明する。図14(A)はスタック型結合インダクタの平面図、図14(B)はこのスタック型結合インダクタの断面図である。スタック型結合インダクタは、異なる配線層の金属配線を用いて、2つのインダクタ300,301を絶縁層302中に縦構造的に重ねて形成したもので、第1のインダクタ300の下層に第2のインダクタ301を配置している。このスタック型結合インダクタでは、それぞれのインダクタ300,301の電磁誘導による結合により誘導結合が生じる。
スタック型結合インダクタの課題は、インダクタ300,301の間隔(絶縁層厚)が製造プロセスで決められているため、変更することができず、設計パラメータにできないことである。さらに、金属配線が上下方向に対向するため、上下方向には高い容量性結合(プレーナ型結合インダクタの10倍以上)が生じる。すなわち、容量性が大きくなり、高周波での影響が大きくなるため、増幅回路のピーキング回路などには使えないという問題がある。
次に、プレーナ型結合インダクタの別の例について説明する。図15(A)はプレーナ型結合インダクタの別の例の平面図、図15(B)はこのプレーナ型結合インダクタの断面図である。3つ以上の結合インダクタを使うピーキング技術は、増幅回路の広帯域化に有効である。図13(A)、図13(B)に示した第2のインダクタ201の外側に、さらに第3のインダクタ203を形成することにより3つのインダクタ200,201,203が結合する。
図15(A)、図15(B)に示した構造の課題は、第1のインダクタ200と第3のインダクタ203との間隔が数十μm程度となり、第1のインダクタ200と第3のインダクタ203の結合係数が低い(0.4程度が最大)ことである。すなわち、3つ以上の結合インダクタを使う複雑なピーキングには不適当である。
Jaeha Kim,et.al.,"Design Optimization of On-Chip Inductive Peaking Structures for 0.13-μm CMOS 40-Gb/s Transmitter Circuits",IEEE Transactions on Circuits and Systems-I,Vol.56,No.12,pp.2544-2555,December 2009
誘導結合インダクタを用いることにより、従来の個別インダクタを用いる場合よりも面積を小さくすることができ、かつピーキング特性の設計自由度を高めることが可能となるが、トランスインピーダンスアンプやレーザ駆動回路などの半導体集積回路の更なる高性能を実現するために、結合インダクタに以下のことが求められる。
(1)高い誘導結合ならびにその設計の自由度。
(2)低い寄生容量。
(3)高い面積効率。
(1)高い誘導結合ならびにその設計の自由度。
(2)低い寄生容量。
(3)高い面積効率。
従来のプレーナ型結合インダクタでは、その面積がトランジスタの面積と比較して著しく大きいので、半導体集積回路の面積が大きくなり、コストが高くなるという問題点があった。また、インダクタを構成する配線を平面的に配置するので、配線が長くなってしまい、寄生抵抗や寄生容量が増大するという問題点があった。
また、従来のスタック型結合インダクタでは、上下方向の寄生容量が大きくなってしまうという問題点があった。
また、従来のスタック型結合インダクタでは、上下方向の寄生容量が大きくなってしまうという問題点があった。
本発明は、上記の問題を解決し、誘導結合の高い設計自由度を実現すると共に、小面積で寄生容量の小さな結合インダクタを提供することを目的とする。
本発明のソレノイドインダクタは、同軸状に配置された複数の多層インダクタを備え、各多層インダクタは、スパイラル状に形成された配線が複数層形成され、この複数層の配線が層間接続されたものであることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、複数層の配線のうち少なくとも1つの層の配線が同軸状に複数形成された多重構成であることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、積層方向で隣接する他の多層インダクタと半径が異なることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、その半径が途中の層で変わることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、各多層インダクタは、平面視多角形である。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、各多層インダクタは、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されていることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、複数層の配線のうち少なくとも1つの層の配線が同軸状に複数形成された多重構成であることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、積層方向で隣接する他の多層インダクタと半径が異なることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、その半径が途中の層で変わることを特徴とする。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、各多層インダクタは、平面視多角形である。
また、本発明のソレノイドインダクタの1構成例において、各多層インダクタは、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、同軸状に複数の多層インダクタを配置することにより、小さい面積で高い面積効率(単位面積当たりのインダクタンス)を実現することができ、同軸構造による高い誘導性結合と配線自由度の両立が可能である。また、本発明では、従来と比較して寄生抵抗や寄生容量を低減することができる。その結果、本発明では、帯域延伸効果の大きなピーキング回路を小面積で形成することができ、高速動作する半導体集積回路を低コストで提供することができる。
また、本発明では、複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタを多重構成とすることにより、大きなインダクタンスを得ることができる。
また、本発明では、複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタを、積層方向で隣接する他の多層インダクタと半径が異なるようにすることにより、誘導性結合を調整することができると共に、容量を低減することができる。
また、本発明では、複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタを、その半径が途中の層で変わるようにすることにより、誘導性結合を調整することができると共に、容量を低減することができる。
[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1(A)は本発明の第1の実施の形態に係るソレノイドインダクタの平面図、図1(B)は図1(A)のソレノイドインダクタのA−A線断面図である。なお、図1(A)では、複数の金属配線層を透視して記している。本実施の形態のソレノイドインダクタ1は、第1の多層インダクタ2と、第1の多層インダクタ2と同軸に配置された第2の多層インダクタ3と、第1の多層インダクタ2および第2の多層インダクタ3と同軸に配置された第3の多層インダクタ4とからなる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1(A)は本発明の第1の実施の形態に係るソレノイドインダクタの平面図、図1(B)は図1(A)のソレノイドインダクタのA−A線断面図である。なお、図1(A)では、複数の金属配線層を透視して記している。本実施の形態のソレノイドインダクタ1は、第1の多層インダクタ2と、第1の多層インダクタ2と同軸に配置された第2の多層インダクタ3と、第1の多層インダクタ2および第2の多層インダクタ3と同軸に配置された第3の多層インダクタ4とからなる。
第1の多層インダクタ2は、絶縁層5によって互いに絶縁された5層の配線、すなわち第1の金属配線層10、第2の金属配線層11、第3の金属配線層12、第4の金属配線層13および第5の金属配線層14の配線を用いて形成され、5層の配線が同軸かつ同一半径でスパイラル状に形成されている。この5層の配線は、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されている。層間接続には、図示しないコンタクト(ビアホール)が使用される。
第2の多層インダクタ3は、絶縁層5によって互いに絶縁された2層の配線、すなわち第1の金属配線層10および第2の金属配線層11の配線を用いて形成され、2層の配線が第1の多層インダクタ2の配線と同軸、かつ第1の多層インダクタ2の配線よりも大きい半径でスパイラル状に形成されている。各層の配線の半径は同一である。この2層の配線は、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されている。第1の多層インダクタ2と同様に、層間接続にはコンタクトが使用される。
第3の多層インダクタ4は、絶縁層5によって互いに絶縁された3層の配線、すなわち第3の金属配線層12、第4の金属配線層13および第5の金属配線層14の配線を用いて形成され、3層の配線が第1の多層インダクタ2の配線と同軸、かつ第1の多層インダクタ2の配線よりも大きい半径でスパイラル状に形成されている。各層の配線の半径は、第2の多層インダクタ3の半径と同一である。この3層の配線は、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されている。第1の多層インダクタ2と同様に、層間接続にはコンタクトが使用される。
金属配線層10〜14および絶縁層5は、半導体基板6上に形成されている。
金属配線層10〜14および絶縁層5は、半導体基板6上に形成されている。
以上のように、本実施の形態のソレノイドインダクタ1は、半導体集積回路において多層配線を用いたインダクタであって、複数の多層インダクタを同軸で配置することにより、誘導性結合をもつインダクタを実現する構造を特徴としている。さらに、各多層インダクタは、任意の点から配線を引き出すことができる特徴を有している。本実施の形態によれば、小さい面積で高い面積効率(単位面積当たりのインダクタンス)を実現することができ、同軸構造による高い誘導性結合と配線自由度の両立が可能である。
以下、本実施の形態の効果についてより詳細に説明する。
以下、本実施の形態の効果についてより詳細に説明する。
[結合係数と面積効率]
本実施の形態のインダクタ1はソレノイド構造のため、面積を削減することができ、かつ外側の多層インダクタと内側の多層インダクタの半径を変えることにより、誘導性結合の度合いを自在に調整することが可能である。また、本実施の形態では、インダクタを同軸状に高密度に配置できるため、高い誘導性結合を得ることができる。さらに、本実施の形態では、スタック型結合インダクタのように上下方向の容量性結合が生じる部分が少ないため、高い誘導性結合と低い容量性結合の両立が可能である。容量性結合に対する誘導性結合の比率(M/C)は結合インダクタの性能指標であり、高い比率が得られる方が純度の高いインダクタンスとして作用し、回路中で使用した場合により高い性能が得られる。
本実施の形態のインダクタ1はソレノイド構造のため、面積を削減することができ、かつ外側の多層インダクタと内側の多層インダクタの半径を変えることにより、誘導性結合の度合いを自在に調整することが可能である。また、本実施の形態では、インダクタを同軸状に高密度に配置できるため、高い誘導性結合を得ることができる。さらに、本実施の形態では、スタック型結合インダクタのように上下方向の容量性結合が生じる部分が少ないため、高い誘導性結合と低い容量性結合の両立が可能である。容量性結合に対する誘導性結合の比率(M/C)は結合インダクタの性能指標であり、高い比率が得られる方が純度の高いインダクタンスとして作用し、回路中で使用した場合により高い性能が得られる。
本実施の形態のソレノイドインダクタ1の各多層インダクタ2〜4の自己インダクタンスLおよび結合係数kの数値例を表1に示し、図15(A)、図15(B)に示した従来のプレーナ型結合インダクタの自己インダクタンスLおよび結合係数kの数値例を表2に示す。
表1、表2の数値は、アンシス(Ansys)社製の電磁界解析ソフトウェアであるQ3DExtractorによるシミュレーションで求めたものである。また、各配線の幅を6μm、配線間隔を2μmとしている。なお、ここでは、自己インダクタンスL1がおよそ2nH、自己インダクタンスL2がおよそ3nH、自己インダクタンスをL3がおよそ6nHとなる条件で特性を求めている。
本実施の形態によれば、従来のプレーナ型結合インダクタに比べ高い誘導結合係数kが実現可能である。特に、本実施の形態では、第1の多層インダクタ2と第3の多層インダクタ4との間でも高い誘導結合が得られる。
従来のプレーナ型結合インダクタでは、最内周の第1のインダクタ200と最外周の第3のインダクタ203との間の誘導結合係数kが0.21であり、結合係数kを大きくすることができない。結合係数kを大きくできない理由は第1のインダクタ200と第3のインダクタ203との距離が離れているからである。プレーナ型結合インダクタでは、結合係数kを大きくすることができないため、設計自由度は著しく低い。これに対して、本実施の形態では、第1の多層インダクタ2と第3の多層インダクタ4との間の誘導結合係数kが0.74であり、高い誘導結合係数kを実現できていることが分かる。
[面積効率と誘導性結合/容量性結合比率]
本実施の形態のソレノイドインダクタ1および従来のインダクタの自己インダクタンスL1,L2、相互インダクタンスM、L1とL2との間の結合係数k、L1とL2との間の容量C12、誘導性結合/容量性結合比率M/C12、直径、および面積効率(インダクタンス/面積)の数値例を表3に示す。
本実施の形態のソレノイドインダクタ1および従来のインダクタの自己インダクタンスL1,L2、相互インダクタンスM、L1とL2との間の結合係数k、L1とL2との間の容量C12、誘導性結合/容量性結合比率M/C12、直径、および面積効率(インダクタンス/面積)の数値例を表3に示す。
表3におけるPlanar oct.はプレーナ型結合インダクタにおいて各金属配線を平面視八角形にした場合を示し、Planar sq.はプレーナ型結合インダクタにおいて各金属配線を平面視正方形にした場合を示している。プレーナ型結合インダクタの場合、第1のインダクタ200の自己インダクタンスをL1、第2のインダクタ201の自己インダクタンスをL2としている。
表3におけるStack oct.はスタック型結合インダクタにおいて各金属配線を平面視八角形にした場合を示し、Stack Sq.はスタック型結合インダクタにおいて各金属配線を平面視正方形にした場合を示している。スタック型結合インダクタの場合、第1のインダクタ300の自己インダクタンスをL1、第2のインダクタ301の自己インダクタンスをL2としている。
また、表3におけるSolenoid oct.は本実施の形態のソレノイドインダクタ1において各金属配線を平面視八角形にした場合を示し、Solenoid sq.はソレノイドインダクタ1において各金属配線を平面視正方形にした場合を示している。ソレノイドインダクタ1の場合、第1の多層インダクタ2の自己インダクタンスをL1、第2の多層インダクタ3の自己インダクタンスをL2としている。
図2(A)は表3の数値例を求める電磁界解析シミュレーションで用いた平面視八角形のプレーナ型結合インダクタ(Planar oct)の斜視図、図2(B)はシミュレーションで用いた平面視正方形のプレーナ型結合インダクタ(Planar sq.)の斜視図である。図3(A)はシミュレーションで用いた平面視八角形のスタック型結合インダクタ(Stack oct.)の斜視図、図3(B)はシミュレーションで用いた平面視正方形のスタック型結合インダクタ(Stack Sq.)の斜視図である。
図4(A)はシミュレーションで用いた平面視八角形のソレノイドインダクタ1(Solenoid oct.)の斜視図、図4(B)はシミュレーションで用いた平面視正方形のソレノイドインダクタ1(Solenoid sq.)の斜視図である。なお、本シミュレーションでは、自己インダクタンスL1,L2がおよそ6nHとなる条件で特性を求めている。
本実施の形態のソレノイドインダクタ1によると、表3に示すように、従来のプレーナ型結合インダクタおよびスタック型結合インダクタと比較して、容量性結合に対する高い誘導性結合比率(M/C12)が得られ、また高い面積効率(インダタンス/面積)が得られることが分かる。従来のプレーナ型結合インダクタでは、容量性結合に対する誘導性結合比率が40[pH/fF]以下で、面積効率が109[nH/mm2]以下であり、従来のスタック型結合インダクタでは、容量性結合に対する誘導性結合比率が10pH/fF]以下で、面積効率が200[nH/mm2]以下である。これに対して、本実施の形態のソレノイドインダクタ1では、容量性結合に対する誘導性結合比率が50[pH/fF]程度で、面積効率が370[nH/mm2]程度であり、いずれも高い値が得られていることが分かる。
[引き出し線]
インダクタを実際に回路の中で使う場合、配線を外部に引き出す必要があるが、従来のプレーナ型結合インダクタの場合、最内周の第1のインダクタ200の引き出し線を、第2、第3のインダクタ201,203の下層の配線で引き出す必要がある。このため、第1のインダクタ200の引き出し線が例えば数十μmの長さとなってしまう。配線長が長くなると、配線抵抗が大きくなってしまうという問題がある。また、第1のインダクタ200の引き出し線を第2、第3のインダクタ201,203の下層を通すことにより、第1のインダクタ200と第2、第3のインダクタ201,203との間の容量性結合が大きくなってしまうという問題がある。
インダクタを実際に回路の中で使う場合、配線を外部に引き出す必要があるが、従来のプレーナ型結合インダクタの場合、最内周の第1のインダクタ200の引き出し線を、第2、第3のインダクタ201,203の下層の配線で引き出す必要がある。このため、第1のインダクタ200の引き出し線が例えば数十μmの長さとなってしまう。配線長が長くなると、配線抵抗が大きくなってしまうという問題がある。また、第1のインダクタ200の引き出し線を第2、第3のインダクタ201,203の下層を通すことにより、第1のインダクタ200と第2、第3のインダクタ201,203との間の容量性結合が大きくなってしまうという問題がある。
一方、本実施の形態のインダクタは、多層配線を使ったソレノイド型のため、引き出し線の引き廻しの自由度を高めることができ、引き出し線の長さを短くすることができ、他のインダクタの下層を通る部分を少なくすることができるという特徴がある。すなわち、本実施の形態のソレノイドインダクタ1では、寄生成分を最小にできるという効果がある。
本実施の形態による引き出し線長さ低減の具体的な数値例を図5(A)、図5(B)を用いて説明する。図5(A)は従来のプレーナ型結合インダクタの断面図であり、204は第1のインダクタ200の引き出し線、205は第2のインダクタ201の引き出し線、206は第3のインダクタ203の引き出し線である。従来のプレーナ型結合インダクタの場合、最内周の第1のインダクタ200の引き出し線204の長さLPは次式のように求めることができる。
LP=(W+S)×N ・・・(4)
LP=(W+S)×N ・・・(4)
ここで、Wは配線幅、Sは配線間隔、Nはプレーナ型結合インダクタの最外周から最外周までのインダクタの平面的な巻数(多重数)である。W=2μm、S=2μm、N=10とすると、引き出し線204の長さLPは40μmとなる。
一方、図5(B)は本実施の形態のソレノイドインダクタ1の断面図であり、7は第1の多層インダクタ2の引き出し線、8は第2の多層インダクタ3の引き出し線、9は第3の多層インダクタ4の引き出し線である。本実施の形態の場合、W=2μm、S=2μm、N=2とすると、最内周の第1の多層インダクタ2の引き出し線7の長さは式(4)より4μmとなる。すなわち、本実施の形態のソレノイドインダクタ1では、従来構成に比べて、引き出し線の長さをおよそ1/10に低減可能である。この引き出し線の長さに比例して寄生抵抗および寄生容量が生じるため、本実施の形態によれば、従来と比較して寄生成分を1/10に低減できる。
次に、本実施の形態のソレノイドインダクタ1をピーキング回路として使用したトランスインピーダンスアンプの回路図を図6に示す。トランスインピーダンスアンプは、図示しないフォトダイオードからの電流信号を帰還抵抗の値に比例するトランスインピーダンス利得によって増幅すると同時に電圧信号に変換するものである。図6のトランスインピーダンスアンプは、ゲートが信号入力端子に接続され、ソースが接地されたトランジスタM1と、ゲートに電源電圧が供給されたトランジスタM2と、ドレインに電源電圧が供給され、ソースが信号出力端子に接続されたトランジスタM3と、ソースが接地されたトランジスタM4と、ゲートがトランジスタM4のゲートに接続され、ドレインが信号出力端子に接続され、ソースが接地されたトランジスタM5と、一端に電源電圧が供給され、他端がトランジスタM4のゲートおよびソースとトランジスタM5のゲートに接続された電流源ISと、一端に電源電圧が供給される負荷抵抗RLと、一端が信号入力端子に接続され、他端が信号出力端子に接続された帰還抵抗RFと、一端が負荷抵抗RLの他端に接続され、他端がトランジスタM2のドレインに接続された多層インダクタ2と、一端がトランジスタM2のドレインに接続され、他端がトランジスタM3のゲートに接続された多層インダクタ3と、一端がトランジスタM2のソースに接続され、他端がトランジスタM1のドレインに接続された多層インダクタ4とから構成される。
本実施の形態によれば、相互に結合した多層インダクタ2〜4からなるピーキング回路によってトランスインピーダンスアンプの周波数帯域を延伸することができる。本実施の形態では、帯域延伸効果の大きなピーキング回路を小面積で形成することができ、高速動作する半導体集積回路を低コストで提供することができる。また、本実施の形態では、ピーキング回路の寄生抵抗や寄生容量を低減することができるので、帯域延伸効果の大きなピーキング回路を実現することができる。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図7(A)は本発明の第2の実施の形態に係るソレノイドインダクタの平面図、図7(B)は図7(A)のソレノイドインダクタのB−B線断面図である。なお、図7(A)では、複数の金属配線層を透視して記している。本実施の形態のソレノイドインダクタ1aは、第1の多層インダクタ2と、第1の多層インダクタ2と同軸に配置された第2の多層インダクタ3aと、第1の多層インダクタ2および第2の多層インダクタ3aと同軸に配置された第3の多層インダクタ4aとからなる。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図7(A)は本発明の第2の実施の形態に係るソレノイドインダクタの平面図、図7(B)は図7(A)のソレノイドインダクタのB−B線断面図である。なお、図7(A)では、複数の金属配線層を透視して記している。本実施の形態のソレノイドインダクタ1aは、第1の多層インダクタ2と、第1の多層インダクタ2と同軸に配置された第2の多層インダクタ3aと、第1の多層インダクタ2および第2の多層インダクタ3aと同軸に配置された第3の多層インダクタ4aとからなる。
本実施の形態は、第1の実施の形態において外側の多層インダクタ3a,4aを多重(図7(A)、図7(B)の例では2重)にした例である。第1の多層インダクタ2については第1の実施の形態で説明したとおりである。
第2の多層インダクタ3aは、絶縁層5によって互いに絶縁された2層の配線、すなわち第1の金属配線層10および第2の金属配線層11の配線を用いて形成され、2層の配線が第1の多層インダクタ2の配線と同軸、かつ第1の多層インダクタ2の配線よりも大きい半径でスパイラル状に形成されている。第2の多層インダクタ3aの層毎の配線は上記のとおり多重になっており、内側のスパイラル状の配線によって形成されるインダクタと外側のスパイラル状の配線によって形成されるインダクタとが直列に接続されるように内側の配線と外側の配線とが接続されている。さらに、2層の配線は、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されている。第1の多層インダクタ2と同様に、層間接続にはコンタクトが使用される。内側の配線の半径は各層で同一である。外側の配線の半径は、各層で同一であり、かつ内側の配線の半径よりも大きくなっている。
第3の多層インダクタ4aは、絶縁層5によって互いに絶縁された3層の配線、すなわち第3の金属配線層12、第4の金属配線層13および第5の金属配線層14の配線を用いて形成され、3層の配線が第1の多層インダクタ2の配線と同軸、かつ第1の多層インダクタ2の配線よりも大きい半径でスパイラル状に形成されている。第3の多層インダクタ4aの層毎の配線は上記のとおり多重になっており、内側のスパイラル状の配線によって形成されるインダクタと外側のスパイラル状の配線によって形成されるインダクタとが直列に接続されるように内側の配線と外側の配線とが接続されている。さらに、3層の配線は、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されている。第1の多層インダクタ2と同様に、層間接続にはコンタクトが使用される。内側の配線の半径は各層で同一である。外側の配線の半径は、各層で同一であり、かつ内側の配線の半径よりも大きくなっている。
このように、本実施の形態では、多層インダクタ3a,4aを多重構成にすることにより、大きなインダクタンスを得ることができる。具体的には、インダクタの多重数(巻数)が2倍になると、およそ2倍のインダクタンスが得られる。また、多重インダクタの数は、多層インダクタの数を増やして、端子を引き出すことにより増やすことが可能である。
本実施の形態のソレノイドインダクタ1aの各多層インダクタ2,3a,4aの自己インダクタンス、結合係数、容量および結合容量の数値例を表4に示す。表4では、第1の多層インダクタ2の自己インダクタンスをL1、第2の多層インダクタ3aの自己インダクタンスをL2、第3の多層インダクタ4aの自己インダクタンスをL3としている。また、表4では、L1の行とL2の列が交差する欄にL1とL2との間の結合係数kと結合容量を記載し、L1の行とL3の列が交差する欄にL1とL3との間の結合係数kと結合容量を記載し、L2の行とL3の列が交差する欄にL2とL3との間の結合係数kと結合容量を記載している。
表4の数値例を求める電磁界解析シミュレーションでは、ソレノイドインダクタ1aを0.18μmCMOS(5層配線)に適用し、第2の多層インダクタ3aの外側の配線の直径を116μmとしている。図8(A)は電磁界解析シミュレーションで用いたソレノイドインダクタ1aの平面図、図8(B)はこのソレノイドインダクタ1aの断面図、図9(A)はソレノイドインダクタ1aの斜視図、図9(B)は図9(A)の90の部分を拡大した斜視図である。
なお、本実施の形態では、外側の多層インダクタ3a,4aを多重構成にしているが、これに限るものではなく、内側の多層インダクタ2を多重構成にすることも可能である。
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図10(A)は本発明の第3の実施の形態に係るソレノイドインダクタの平面図、図10(B)は図10(A)のソレノイドインダクタのC−C線断面図である。なお、図10(A)では、複数の金属配線層を透視して記している。本実施の形態のソレノイドインダクタ1bは、第1の多層インダクタ2と、第1の多層インダクタ2と同軸に配置された第2の多層インダクタ3bと、第1の多層インダクタ2および第2の多層インダクタ3bと同軸に配置された第3の多層インダクタ4bとからなる。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図10(A)は本発明の第3の実施の形態に係るソレノイドインダクタの平面図、図10(B)は図10(A)のソレノイドインダクタのC−C線断面図である。なお、図10(A)では、複数の金属配線層を透視して記している。本実施の形態のソレノイドインダクタ1bは、第1の多層インダクタ2と、第1の多層インダクタ2と同軸に配置された第2の多層インダクタ3bと、第1の多層インダクタ2および第2の多層インダクタ3bと同軸に配置された第3の多層インダクタ4bとからなる。
本実施の形態は、第1の実施の形態において外側の多層インダクタ3b,4bの半径を途中の層で変えている例である。第1の多層インダクタ2については第1の実施の形態で説明したとおりである。第2の多層インダクタ3bについては、途中の層で配線の半径が変更されている点以外は、第2の多層インダクタ3aと同様の構成であるので、詳細な説明は省略する。同様に、第3の多層インダクタ4bについても、途中の層で配線の半径が変更されている点以外は、第3の多層インダクタ4aと同様の構成であるので、詳細な説明は省略する。
本実施の形態のように多層インダクタの半径を途中の層で変更することにより、誘導性結合を調整することができると共に、容量を低減することができる。
本実施の形態における第2の多層インダクタ3bと第3の多層インダクタ4bとの間の結合容量の数値例を表5に示す。
本実施の形態における第2の多層インダクタ3bと第3の多層インダクタ4bとの間の結合容量の数値例を表5に示す。
ここでは、図11に示す第2の多層インダクタ3bと第3の多層インダクタ4bの半径の差を変位量dとして、この変位量dをパラメータとし、d=0μm、d=1μm、d=2μmの3つの場合について電磁界解析シミュレーションを行い、結合容量を求めた。配線幅Wおよび配線間隔Sを2μm、配線厚を0.6μm、配線層間隔(絶縁層厚)を0.6μmとした。表5に示すように、変位量d=0μmの場合と比較して、変位量d=1μmの場合には結合容量を6%低減することができ、変位量d=2μmの場合には結合容量を14%低減することができる。
[第4の実施の形態]
図1(A)、図1(B)、図7(A)、図7(B)、図10(A)、図10(B)では、平面視正方形のソレノイドインダクタについて説明したが、第1〜第3の実施の形態のソレノイドインダクタは図4(A)に示したように平面視八角形のソレノイドインダクタであってもよい。インダクタの平面形状を円形に近づけることにより、面積効率が減少するが、容量性結合に対する高い誘導性結合比率(M/C12)を得ることができる。また、八角形に限らず、平面視多角形のソレノイドインダクタであってもよい。
図1(A)、図1(B)、図7(A)、図7(B)、図10(A)、図10(B)では、平面視正方形のソレノイドインダクタについて説明したが、第1〜第3の実施の形態のソレノイドインダクタは図4(A)に示したように平面視八角形のソレノイドインダクタであってもよい。インダクタの平面形状を円形に近づけることにより、面積効率が減少するが、容量性結合に対する高い誘導性結合比率(M/C12)を得ることができる。また、八角形に限らず、平面視多角形のソレノイドインダクタであってもよい。
本発明は、半導体集積回路の周波数帯域を延伸するピーキング回路等に使用されるインダクタに適用することができる。
1,1a,1b…ソレノイドインダクタ、2…第1の多層インダクタ、3,3a,3b…第2の多層インダクタ、4,4a,4b…第3の多層インダクタ、5…絶縁層、6…半導体基板、7〜9…引き出し線、10〜14…金属配線層。
Claims (6)
- 同軸状に配置された複数の多層インダクタを備え、
各多層インダクタは、スパイラル状に形成された配線が複数層形成され、この複数層の配線が層間接続されたものであることを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項1記載のソレノイドインダクタにおいて、
前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、複数層の配線のうち少なくとも1つの層の配線が同軸状に複数形成された多重構成であることを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項1または2記載のソレノイドインダクタにおいて、
前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、積層方向で隣接する他の多層インダクタと半径が異なることを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項1または2記載のソレノイドインダクタにおいて、
前記複数の多層インダクタのうち少なくとも1つの多層インダクタは、その半径が途中の層で変わることを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のソレノイドインダクタにおいて、
各多層インダクタは、平面視多角形であることを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のソレノイドインダクタにおいて、
各多層インダクタは、層毎の配線によって形成される個々のインダクタが直列に接続されるように層間接続されていることを特徴とするソレノイドインダクタ。
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2012
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