JP5897661B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

積層セラミックコンデンサは、一般に、長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、コンデンサ本体の長さ方向端部それぞれに設けられた外部電極とを備えている。コンデンサ本体は、複数の内部電極層が誘電体層を介して高さ方向に積層された容量部と、複数の内部電極層のうちの最上位の内部電極層の上側に位置する誘電体製の上側保護部と、複数の内部電極層のうちの最下位の内部電極層の下側に位置する誘電体製の下側保護部とを一体に有している（例えば後記特許文献１の図１を参照）。

この積層セラミックコンデンサの回路基板への実装は、積層セラミックコンデンサの各外部電極の被接合面を、回路基板に設けられたパッドそれぞれの表面にハンダを用いて接合することによって為されている。各パッドの表面の輪郭形状は、一般に、各外部電極の被接合面の輪郭形状より大きな矩形であるため、実装後の各外部電極の端面には、溶融ハンダの自由な濡れ上がりに基づくハンダフィレットが形成される（例えば後記特許文献１の図１及び図２を参照）。

この実装状態において、各パッドを通じて両外部電極に電圧、特に交流電圧が印加されると、コンデンサ本体に電歪現象に基づく伸縮（主として容量部が長さ方向に縮むような収縮及びその復元）が生じ、この伸縮に伴う応力が外部電極、ハンダ及びパッドを通じて回路基板に伝わって振動（主としてパッド間部分が凹むような反り及びその復元）を招来し、この振動によって可聴域の音（所謂、音鳴き）を発生することがある。

ところで、後記特許文献１には、前記音鳴きを抑制するために、「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を「パッドの表面とコンデンサ本体との間隔」＋「コンデンサ本体の下側保護部の厚さ」よりも低くした実装構造が記載されている（図２を参照）。

しかしながら、ハンダフィレットは、各外部電極の端面に対する溶融ハンダの自由な濡れ上がりに基づいて形成されるものであるため、各外部電極の端面のハンダ濡れ性が良好であることも相俟って、特別な方法を用いない限り、前記「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を制御することは極めて難しい。

具体例を挙げて説明すれば、各外部電極の端面の高さが５００μｍである積層セラミックコンデンサにあっては、ハンダ量が同じであっても、実際上、各外部電極の端面の下端を基準とした場合のハンダフィレットの高さが２００μｍを優に超えるものや２００μｍに満たないものが、非実装不良として発生する。

即ち、後記特許文献１に記載されている実装構造は「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を制御する特別な方法を採用したものではないため、実際上、「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を「パッドの表面とコンデンサ本体との間隔」＋「コンデンサ本体の下側保護部の厚さ」よりも低くすることは極めて難しく、故に音鳴き抑制に対する実用性は極めて低い。

特開２０１３−０４６０６９号公報

本発明の目的は、実装状態における音鳴き抑制に対し実用性の高い積層セラミックコンデンサを提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明は、長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向端部それぞれに設けられた外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体は、複数の内部電極層が誘電体層を介して高さ方向に積層された容量部と、前記複数の内部電極層のうちの最上位の内部電極層の上側に位置する誘電体製の上側保護部と、前記複数の内部電極層のうちの最下位の内部電極層の下側に位置する誘電体製の下側保護部と、を一体に有しており、前記容量部が前記コンデンサ本体の高さ方向上側に偏って位置するように、前記下側保護部の厚さが前記上側保護部の厚さよりも厚くなっている。

本発明によれば、実装状態における音鳴き抑制に対し実用性の高い積層セラミックコンデンサを提供することができる。

図１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第１実施形態）の上面図である。 図２は図１のＳ−Ｓ線に沿う縦断面図である。 図３は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサを回路基板に実装した構造を示す部分縦断面図である。 図４は効果確認用サンプル１〜５の仕様と特性を示す図である。 図５は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第２実施形態）の図２対応の縦断面図である。 図６は効果確認用サンプル６の仕様と特性を示す図である。 図７は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第３実施形態）の図２対応の縦断面図である。 図８は効果確認用サンプル７の仕様と特性を示す図である。 図９は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第４実施形態）の図２対応の縦断面図である。 図１０は効果確認用サンプル８の仕様と特性を示す図である。 図１１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第５実施形態）の図２対応の縦断面図である。 図１２は効果確認用サンプル９の仕様と特性を示す図である。

《第１実施形態》
図１及び図２は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）の基本構造を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-1は、長さＬ、幅Ｗ及び高さＨで規定された略直方体状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の長さ方向端部それぞれに設けられた外部電極１２とを備えている。

コンデンサ本体１１は、複数（図中は計３２層）の内部電極層１１ａ１が誘電体層１１ａ２（図中は計３１層）を介して高さ方向に積層された容量部１１ａと、複数の内部電極層１１ａ１のうちの最上位の内部電極層１１ａ１の上側に位置する誘電体製の上側保護部１１ｂと、複数の内部電極層１１ａ１のうちの最下位の内部電極層１１ａ１の下側に位置する誘電体製の下側保護部１１ｃとを一体に有している。因みに、図２には、図示の便宜上、計３２層の内部電極層１１ａ１を示したが、内部電極層１１ａ１の層数に特段の制限はない。

容量部１１ａに含まれる複数の内部電極層１１ａ１は、各々の輪郭形状が略等しい矩形であり、各々の厚さも略等しい。また、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２（隣接する内部電極層１１ａ１に挟まれた部分と挟まれていない周囲部分を含む層）は、各々の輪郭形状が略等しく、且つ、内部電極層１１ａ１の輪郭形状よりも大きな矩形であり、各々の厚さも略等しい。図２から分かるように、複数の内部電極層１１ａ１は長さ方向に交互にずれていて、上から奇数番目に当たる内部電極層１１ａ１の端縁は左側の外部電極１２に電気的に接続され、上から偶数番目に当たる内部電極層１１ａ１の端縁は右側の外部電極１２に電気的に接続されている。

容量部１１ａに含まれる複数の内部電極層１１ａ１は、各々の組成が同じ導体から成り、該導体には好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用できる。また、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２は、各々の組成が同じ誘電体から成り、該誘電体には好ましくはチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、より好ましくはε＞１０００又はクラス２（高誘電率系）の誘電体セラミックスが使用できる。因みに、本段落で述べた「組成が同じ」は構成成分が同じことを意味するものであって、構成成分が同じで各成分の含有量が同じことを意味するものではない。

上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの組成は、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と同じである。この場合、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの誘電率は、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率と同等となる。また、容量部１１ａがコンデンサ本体１１の高さ方向上側に偏って位置するように、下側保護部１１ｃの厚さＴｃは上側保護部１１ｂの厚さＴｂよりも厚くなっている。因みに、本段落で述べた「組成が同じ」も構成成分が同じことを意味するものであって、構成成分が同じで各成分の含有量が同じことを意味するものではない。

上側保護部１１ｂの厚さＴｂと下側保護部１１ｃの厚さＴｃのそれぞれをコンデンサ本体１１の高さＨとの比で表すと、厚さＴｂは好ましくはＴｂ／Ｈ≦０．０６の条件を満足しており、且つ、厚さＴｃは好ましくはＴｃ／Ｈ≧０．２０の条件を満足している。また、上側保護部１１ｂの厚さＴｂと下側保護部１１ｃの厚さＴｃを両者の比で表すと、厚さＴｂと厚さＴｃは好ましくはＴｃ／Ｔｂ≧４．６の条件を満足している。さらに、コンデンサ本体１１の高さＨと幅Ｗを両者の比で表すと、高さＨと幅Ｗは好ましくはＨ＞Ｗの条件を満足している。

各外部電極１２は、コンデンサ本体１１の長さ方向端面と該端面と隣接する４側面の一部を覆っており、該４側面の一部を覆う部分の下面が実装時の被接合面として用いられる。図示を省略したが、各外部電極１２は、コンデンサ本体１１の外面に密着した下地膜と該下地膜の外面に密着した表面膜との２層構造、或いは、下地膜と表面膜との間に少なくとも１つの中間膜を有する多層構造となっている。下地膜は例えば焼き付け導体膜から成り、該導体には好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。また、表面膜は例えばメッキ導体膜から成り、該導体には好ましくはスズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。さらに、中間膜は例えばメッキ導体膜から成り、該導体には好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。

ここで、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1の好ましい製造例を紹介する。容量部１１ａに含まれる複数の内部電極層１１ａ１の主成分がニッケルで、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の主成分と上側保護部１１ｂの主成分と下側保護部１１ｃの主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む内部電極層用ペーストを準備すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含むセラミックスラリーを準備する。

そして、ダイコータ等の塗工装置と乾燥装置を用いて、キャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機等の印刷装置と乾燥装置を用いて、第１グリーンシート上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、下側保護部１１ｃに対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ａに対応した部位を作製する。続いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、上側保護部１１ｂに対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を積み重ねたものを最終的に本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、焼成チップを作製する。

そして、ローラ塗布機等の塗布装置を用いて、焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペースト（内部電極層用ペーストを流用）を塗布し乾燥して前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成し、その上に表面膜、或いは、中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理にて形成して、外部電極１２を作製する。因みに、各外部電極の下地膜は、未焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペーストを塗布し乾燥した後、これを未焼成チップと同時焼成することによって作製しても良い。

図３は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1を回路基板２１に実装した構造を示す。回路基板２１は各外部電極１２に対応した導電性のパッド２２を備えており、各外部電極１２の被接合面はハンダ２３を用いて各パッド２２の表面に接合されている。各パッド２２の表面の輪郭形状は、一般に、各外部電極１２の被接合面の輪郭形状より大きな矩形であるため、実装後の各外部電極１２の端面１２ａには、溶融ハンダの自由な濡れ上がりに基づくハンダフィレット２３ａが形成される。因みに、図３に示したＨｆは、コンデンサ本体１１の下面を基準としたハンダフィレット２３ａの最上点２３ａ１の高さである。

ここで、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1の好ましい実装例を紹介する。先ず、回路基板２１の各パッド２２上に適量のクリームハンダを塗布する。そして、塗布されたクリームハンダに各外部電極１２の被接合面が接するように積層セラミックコンデンサ１０-1を搭載する。そして、リフローハンダ付け法等の熱処理によってクリームハンダを一旦溶融してから硬化させ、各外部電極１２の被接合面をハンダ２３を介して各パッド２２の表面に接合する。

図４は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果を確認するために用意したサンプル１〜５の仕様と特性を示す。

図４に示したサンプル１〜５は前記製造例に準じて作製されたものであって、各々の基本仕様は以下の通りである。
〈サンプル１の基本仕様〉
コンデンサ本体１１の長さＬが１０００μｍ、幅Ｗが５００μｍ、高さＨが６８５μｍ。容量部１１ａの厚さＴａが４５０μｍ、上側保護部１１ｂの厚さＴｂが２５μｍ、下側保護部１１ｃの厚さＴｃが２１０μｍ。容量部１１ａに含まれる内部電極層１１ａ１の層数が３５０層で誘電体層１１ａ２の層数が３４９層、各内部電極層１１ａ１の厚さが０．７μｍで各誘電体層１１ａ２の厚さが０．６μｍ。容量部１１ａに含まれる各内部電極層１１ａ１の主成分がニッケル、容量部１１ａに含まれる各誘電体層１１ａ２と上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分がチタン酸バリウム。各外部電極１２の厚さが１０μｍ、４側面の一部を覆う部分の長さが２５０μｍ。各外部電極１２が、ニッケルを主成分とする下地膜と、銅を主成分とする中間膜と、スズを主成分とする表面膜の３層構造。
〈サンプル２の基本仕様〉
下側保護部１１ｃの厚さＴｃが３２０μｍでコンデンサ本体１１の高さＨが７９５μｍである以外はサンプル１と同じ。
〈サンプル３の基本仕様〉
下側保護部１１ｃの厚さＴｃが１１５μｍでコンデンサ本体１１の高さＨが５９０μｍである以外はサンプル１と同じ。
〈サンプル４の基本仕様〉
下側保護部１１ｃの厚さＴｃが４７５μｍでコンデンサ本体１１の高さＨが９５０μｍである以外はサンプル１と同じ。
〈サンプル５の基本仕様〉
下側保護部１１ｃの厚さＴｃが２５μｍでコンデンサ本体１１の高さＨが５００μｍである以外はサンプル１と同じ。

図４の「Ｔｂ／Ｈ」の数値は上側保護部１１ｂの厚さＴｂをコンデンサ本体１１の高さＨとの比で表した数値（１０個の平均値）であり、「Ｔｃ／Ｈ」の数値は下側保護部１１ｂの厚さＴｃをコンデンサ本体１１の高さＨとの比で表した数値（１０個の平均値）であり、「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値は上側保護部１１ｂの厚さＴｂと下側保護部１１ｃの厚さＴｃを両者の比で表した数値（１０個の平均値）である。

図４の「音鳴き」の数値は、各１０個のサンプル１〜５を用いて下記の実装構造を作製し、各１０個の実装構造においてサンプル１〜５の外部電極１２に交流電圧５Ｖを周波数を０〜１ＭＨｚに上げながら印加し、このときに発生した可聴域の音の強さ（単位はｄｂ）をブリュエル・ケア・ジャパン製のＴＹＰｅ−３５６０−Ｂ１３０を用いて防音・無響室（横浜音環境システムズ製）の中で個別に測定した結果（１０個の平均値）である。

各実装構造は前記実装例に準じて作製されたものであって、各々の基本仕様は以下の通りである。
〈実装構造の基本仕様〉
回路基板２１の厚さが１５０μｍ、その主成分がエポキシ樹脂。各パッド２２の長さが４００μｍ、幅が６００μｍ、長さ方向間隔が４００μｍ、厚さが１５μｍ、その主成分が銅。クリームハンダがスズ−アンチモン系。各パッド２２上へのクリームハンダの塗布量が厚さ換算で５０μｍ。各外部電極１２の被接合面の幅方向中心が各パッド２２の表面の幅方向中心と一致し、且つ、各外部電極１２の端面が各パッド２２の表面の長さ方向中心と略一致するように各サンプル１〜５を搭載。

音鳴きの理想上限値は概して２５ｄｂと言われているため、図４に示したサンプル１〜５のうち、サンプル５は「音鳴き」の数値が２５ｄｂ超過であることから音鳴き抑制に対して有効であるとは言えないが、サンプル１〜４の「音鳴き」の数値は何れも２５ｄｂ未満であることから、該サンプル１〜４、即ち、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1は音鳴き抑制に対して有効であると言える。

以下、図４に示したサンプル１〜４の「Ｔｂ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値と「音鳴き」の数値を考慮の上で、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1において音鳴き抑制に好適な「Ｔｂ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値範囲について説明する。

〈「Ｔｂ／Ｈ」の数値範囲について〉
容量部１１ａをコンデンサ本体１１の高さ方向上側に偏って位置させるには、上側保護部１１ｂの厚さＴｂを極力薄くした方が良い。けれども、上側保護部１１ｂに所期の保護効果を得るには、実用上、少なくとも２０〜３５μｍの厚さが必要となる。この数値範囲の上限値である３５μｍをサンプル１〜４に適用すると「Ｔｂ／Ｈ」の最大値は０．０６となることから、上側保護部１１ｂの厚さＴｂはＴｂ／Ｈ≦０．０６の条件を満足していることが好ましいと言える。また、前記数値範囲の下限値である２０μｍをサンプル１〜４に適用すると「Ｔｂ／Ｈ」の最小値は０．０２となることから、上側保護部１１ｂの厚さＴｂは０．０２≦Ｔｂ／Ｈ≦０．０６の条件を満足していることがより好ましいと言える。

〈「Ｔｃ／Ｈ」の数値範囲について〉
外部電極１２に交流電圧を印加したときに生じる長さ方向の伸縮は、図３に白抜き矢印で示したように高さ方向で一様ではなく、最も高い電界強度が生じる容量部１１ａで最大の伸縮量Ｄ１１ａが現れる。上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃに生じる電界強度は容量部１１ａの電界強度よりも格段低く、両者を単独で見た場合の伸縮量Ｄ１１ｂ及びＤ１１ｃは容量部１１ａの伸縮量Ｄ１１ａよりも格段小さいが、上側保護部１１ｂと、下側保護部１１ｂの上部分には、容量部１１ａの伸縮に伴う応力が減衰することなく伝わる。けれども、下側保護部１１ｃにそれ相応の厚さＴｃが確保できていれば、該下側保護部１１ｃの上部分から下側に伝達される応力を徐々に減衰して伸縮量Ｄ１１ｃを徐々に低減することができる。

一方、外部電極１２の端面には実装時において図３に示したようなハンダフィレット２３ａが形成される。このハンダフィレット２３ａは外部電極１２の端面１２ａに対する溶融ハンダの自由な濡れ上がりに基づくものであるため、ハンダ量が同じであっても、実際上、ハンダフィレット２３ａの最上点２３ａ１の高さＨｆは変化する。具体的には、非実装不良であっても、ハンダフィレット２３ａの最上点２３ａ１の高さＨｆが下側保護部１１ｃの上面と略同じになる場合（実線を参照）や、同高さＨｆが下側保護部１１ｃの上面よりも高くなる場合（上側の２点鎖線を参照）や、同高さＨｆが下側保護部１１ｃの上面よりも低くなる場合（下側の２点鎖線を参照）が発生する。

何れの場合も共通して言えることは、ハンダフィレット２３ａは最上点２３ａ１の厚さが最も薄く、且つ、下方に向かって厚さが徐々に厚くなる断面形状となる。つまり、ハンダフィレット２３ａの厚さが薄い部分には可撓性が見込めるため、ハンダフィレット２３ａの最上点２３ａ１の高さＨｆが下側保護部１１ｃの上面よりも高くなる場合（上側の２点鎖線を参照）であっても、容量部１１ａの伸縮量Ｄ１１ａを前記可撓性によって吸収することができるし、下側保護部１１ｃの最も大きな伸縮量Ｄ１１ｃも前記可撓性によって吸収することができる。後者については、ハンダフィレット２３ａの最上点２３ａ１の高さＨｆが下側保護部１１ｃの上面と略同じになる場合（実線を参照）と、同高さＨｆが下側保護部１１ｃの上面よりも低くなる場合（下側の２点鎖線を参照）でも、同様のことが言える。

要するに、図３に示した実装構造において生じ得る音鳴きを抑制するには、下側保護部１１ｃの厚さＴｃとして、先に述べた伝達応力の減衰と伸縮量の吸収を為し得るための厚さが確保できていれば音鳴きの抑制に貢献できることになる。図４に示したサンプル１〜４の「音鳴き」の数値からすれば、「Ｔｃ／Ｈ」が０．２０以上であれば音鳴きを２５ｄｂ以下に抑制することができるから、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1において下側保護部１１ｃの厚さＴｃはＴｃ／Ｈ≧０．２０の条件を満足していることが好ましいと言える。また、図４に示したサンプル１〜４の「音鳴き」の数値からすると、下側保護部１１ｃの厚さＴｃを極力厚くした方が音鳴き抑制に対して有効であるとも言えるが、極端に厚さＴｃを厚くするとコンデンサ本体１１の高さＨと幅Ｗの比Ｈ／Ｗが大きくなって、実装時に積層セラミックコンデンサ１０-1が倒れ易くなる等の懸念が生じる。この点を踏まえて図４に示したサンプル１〜４の仕様を鑑みると「Ｔｃ／Ｈ」の上限値はサンプル２の０．４０が妥当であるから、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1において下側保護部１１ｃの厚さＴｃは０．２０≦Ｔｃ／Ｈ≦０．４０の条件を満足していることがより好ましいと言える。

〈「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値範囲について〉
図４に示したサンプル１〜４の「音鳴き」の数値からすれば、「Ｔｃ／Ｔｂ」が４．６以上であれば音鳴きを２５ｄｂ以下に抑制することができるから、上側保護部１１ｂの厚さＴｂと下側保護部１１ｃの厚さＴｃはＴｃ／Ｔｂ≧４．６の条件を満足していることが好ましいと言える。また、前段落で述べた懸念を解消するには「Ｔｃ／Ｔｂ」の上限値はサンプル２の１２．８が妥当であるから、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1において上側保護部１１ｂの厚さＴｂと下側保護部１１ｃの厚さＴｃは４．６≦Ｔｃ／Ｔｂ≦１２．６の条件を満足していることがより好ましいと言える。

《第２実施形態》
図５は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-2（第２実施形態）の基本構造を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-2は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と、（Ｍ１）上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と同じであり、下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１を除く下部分１１ｃ２の組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と異なっている点、において相違する。下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の厚さＴｃ１は、上側保護部１１ｂの厚さＴｂと同じでも良いし、上側保護部１１ｂの厚さＴｂよりも薄くても厚くても良い。因みに、図５には、図示の便宜上、計３２層の内部電極層１１ａ１を示したが、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と同様に、内部電極層１１ａ１の層数に特段の制限はない。

前段落で述べた「組成が同じ」は構成成分が同じことを意味するものであって、各成分の含有量が同じことを意味するものではない。また、前段階で述べた「組成が異なる」は構成成分が異なることを意味する他、構成成分が同じで含有量が異なることを意味する。前段落で述べた「組成が異なる」を実現する手法としては、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の主成分（誘電体セラミックス）の種類を変えずに副成分の含有量又は種類を変える手法と、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の主成分（誘電体セラミックス）の種類を変える手法を例示することができる。

音鳴き抑制を前提とすると、前段落で述べた前者の手法にあっては、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２にこれが低誘電率化するような副成分、例えばＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素とＭｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素とＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させることが好ましい。また、前段落で述べた後者の手法にあっては、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の主成分（誘電体セラミックス）としてこれが低誘電率化するような誘電体セラミックスを選択することが望ましい。この場合、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の誘電率は、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率と同等となり、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の誘電率は、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率よりも低くなる。

ここで、図５に示した積層セラミックコンデンサ１０-2の好ましい製造例を紹介する。容量部１１ａに含まれる複数の内部電極層１１ａ１の主成分がニッケルで、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２と上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む内部電極層用ペーストを準備すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む第１セラミックスラリーと、第１セラミックスラリーにＭｇＯを適量添加した第２セラミックスラリーを準備する。

そして、ダイコータ等の塗工装置と乾燥装置を用いて、キャリアフィルム上に第１セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製すると共に、別のキャリアフィルム上に第２セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製する。また、スクリーン印刷機等の印刷装置と乾燥装置を用いて、第１グリーンシート上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第３グリーンシートを作製する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に対応した部位を作製する。続いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１に対応した部位を作製する。続いて、第３グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ａに対応した部位を作製する。続いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、上側保護部１１ｂに対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を順に積み重ねたものを最終的に本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、焼成チップを作製する。

そして、ローラ塗布機等の塗布装置を用いて、焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペースト（内部電極層用ペーストを流用）を塗布し乾燥して前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成し、その上に表面膜、或いは、中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理にて形成して、外部電極１２を作製する。因みに、各外部電極の下地膜は、未焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペーストを塗布し乾燥した後、これを未焼成チップと同時焼成することによって作製しても良い。

尚、図５に示した積層セラミックコンデンサ１０-2を回路基板２１に実装した構造とその好ましい実装例は、前記第１実施形態欄で述べた実装構造（図３を参照）と好ましい実装例と同じであるため、各々の説明を省略する。

図６は図５に示した積層セラミックコンデンサ１０-2によって得られる効果を確認するために用意したサンプル６の仕様と特性を示す。因みに、図６には、比較のために図４に示したサンプル１の仕様と特性が併記されている。

図６に示したサンプル６は前記製造例に準じて作製されたものであって、その基本仕様は以下の通りである。
〈サンプル６の基本仕様〉
下側保護部１１ｃの厚さＴｃ（２１０μｍ）のうち、上部分１１ｃ１の厚さＴｃ１が２５μｍで下部分１１ｃ２の厚さＴｃ２が１８５μｍであり、下部分１１ｃ２がＭｇを含有する以外はサンプル１と同じ。

尚、図６の「Ｔｂ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値の算出方法と「音鳴き」の数値の測定方法と測定のための実装構造の基本仕様は、前記第１実施形態欄で述べた算出方法と測定方法と実装構造の基本仕様と同じであるため、各々の説明を省略する。

先に述べたように、音鳴きの理想上限値は概して２５ｄｂと言われているため、図６に示したサンプル６、即ち、図５に示した積層セラミックコンデンサ１０-2は音鳴き抑制に対して有効であると言える。勿論、図５に示した積層セラミックコンデンサ１０-2にも、前記第１実施例欄で述べた音鳴き抑制に好適な「Ｔｂ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値範囲を適用することができる。

また、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の誘電率を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の誘電率よりも低くすることによって、実装状態における電圧印加時に下側保護部１１ｃに生じる電界強度を低減して、前記第１実施形態欄で述べた伝達応力の減衰をより確実に行って音鳴き抑制に貢献することができる。

さらに、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の組成と異なるため、他の部分と異なる下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の外観色に基づいて積層セラミックコンデンサ１０-2を実装するときの上下向きを簡単に判別することができる。

尚、前掲の製造例とサンプル６にあっては、本第２実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ１を充足するために、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２にＭｇを含有させたものを例示したが、該下部分１１ｃ２にＭｇ以外のＣａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素から選択した１種を含有させても、或いは、２種以上のアルカリ土類金属元素（Ｍｇを含む）を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。また、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に、アルカリ土類金属元素に代えて、Ｍｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素から選択した１種以上を含有させても、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。つまり、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に、前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含有させれば、前記同様の効果を得ることができる。勿論、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２と上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１が前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含む場合には、該含有量よりも下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に含まれる含有量を多くすれば、前記同様の効果を得ることができる。さらに、本第２実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ１を充足するために、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の主成分（誘電体セラミックス）の種類を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２と上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の主成分（誘電体セラミックス）と異ならせても、前記同様の効果を得ることができる。

《第３実施形態》
図７は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-3（第３実施形態）の基本構造を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-3は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と、（Ｍ２）上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの組成が同じであり、上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と異なっている点、において相違する。因みに、図７には、図示の便宜上、計３２層の内部電極層１１ａ１を示したが、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と同様に、内部電極層１１ａ１の層数に特段の制限はない。

前段落で述べた「組成が同じ」は構成成分が同じことを意味するものであって、各成分の含有量が同じことを意味するものではない。また、前段階で述べた「組成が異なる」は構成成分が異なることを意味する他、構成成分が同じで含有量が異なることを意味する。前段落で述べた「組成が異なる」を実現する手法としては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を変えずに副成分の含有量又は種類を変える手法と、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を変える手法を例示することができる。

音鳴き抑制を前提とすると、前段落で述べた前者の手法にあっては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃにこれらが低誘電率化するような副成分、例えばＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素とＭｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素とＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させることが好ましい。また、前段落で述べた後者の手法にあっては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）としてこれらが低誘電率化するような誘電体セラミックスを選択することが望ましい。この場合、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの誘電率は同等となり、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの誘電率は、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率よりも低くなる。

ここで、図７に示した積層セラミックコンデンサ１０-3の好ましい製造例を紹介する。容量部１１ａに含まれる複数の内部電極層１１ａ１の主成分がニッケルで、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２と上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む内部電極層用ペーストを準備すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む第１セラミックスラリーと、第１セラミックスラリーにＭｇＯを適量添加した第２セラミックスラリーを準備する。

そして、ダイコータ等の塗工装置と乾燥装置を用いて、キャリアフィルム上に第１セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製すると共に、別のキャリアフィルム上に第２セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製する。また、スクリーン印刷機等の印刷装置と乾燥装置を用いて、第１グリーンシート上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第３グリーンシートを作製する共に、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第４グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製する

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、下側保護部１１ｃに対応した部位を作製する。続いて、第４グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）の上に、第３グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ａに対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、上側保護部１１ｂに対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を順に積み重ねたものを最終的に本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、焼成チップを作製する。

そして、ローラ塗布機等の塗布装置を用いて、焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペースト（内部電極層用ペーストを流用）を塗布し乾燥して前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成し、その上に表面膜、或いは、中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理にて形成して、外部電極１２を作製する。因みに、各外部電極の下地膜は、未焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペーストを塗布し乾燥した後、これを未焼成チップと同時焼成することによって作製しても良い。

尚、図７に示した積層セラミックコンデンサ１０-3を回路基板２１に実装した構造とその好ましい実装例は、前記第１実施形態欄で述べた実装構造（図３を参照）と好ましい実装例と同じであるため、各々の説明を省略する。

図８は図７に示した積層セラミックコンデンサ１０-3によって得られる効果を確認するために用意したサンプル７の仕様と特性を示す。因みに、図８には、比較のために図４に示したサンプル１の仕様と特性が併記されている。

図８に示したサンプル７は前記製造例に準じて作製されたものであって、その基本仕様は以下の通りである。
〈サンプル７の基本仕様〉
上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃがＭｇを含有する以外はサンプル１と同じ。

尚、図８の「Ｔｂ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値の算出方法と「音鳴き」の数値の測定方法と測定のための実装構造の基本仕様は、前記第１実施形態欄で述べた算出方法と測定方法と実装構造の基本仕様と同じであるため、各々の説明を省略する。

先に述べたように、音鳴きの理想上限値は概して２５ｄｂと言われているため、図８に示したサンプル７、即ち、図７に示した積層セラミックコンデンサ１０-3は音鳴き抑制に対して有効であると言える。勿論、図７に示した積層セラミックコンデンサ１０-3にも、前記第１実施例欄で述べた音鳴き抑制に好適な「Ｔｂ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値範囲を適用することができる。

また、下側保護部１１ｃの誘電率を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率よりも低くすることによって、実装状態における電圧印加時に下側保護部１１ｃに生じる電界強度を低減して、前記第１実施形態欄で述べた伝達応力の減衰をより確実に行って音鳴き抑制に貢献することができる。

さらに、上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と異なり、しかも、下側保護部１１ｃの厚さＴｃが上側保護部１１ｂの厚さＴｂよりも厚いため、他の部分と異なる上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの外観色と下側保護部１１ｃの厚さＴｃに基づいて積層セラミックコンデンサ１０-3を実装するときの上下向きを簡単に判別することができる。

尚、前掲の製造例とサンプル７にあっては、本第３実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ２を充足するために、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃにＭｇを含有させたものを例示したが、該上側保護部１１ｂ及び下側保護部１１ｃにＭｇ以外のＣａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素から選択した１種を含有させても、或いは、２種以上のアルカリ土類金属元素（Ｍｇを含む）を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。また、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃに、アルカリ土類金属元素に代えて、Ｍｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素から選択した１種以上を含有させても、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。つまり、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃに、前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含有させれば、前記同様の効果を得ることができる。勿論、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２が前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含む場合には、該含有量よりも上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃに含まれる含有量を増加すれば、前記同様の効果を得ることができる。さらに、本第３実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ２を充足するために、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の主成分（誘電体セラミックス）と異ならせても、前記同様の効果を得ることができる。

《第４実施形態》
図９は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-4（第４実施形態）の基本構造を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-4は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と、（Ｍ３）上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの組成が異なっており、上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成とも異なっている点、において相違する。因みに、図９には、図示の便宜上、計３２層の内部電極層１１ａ１を示したが、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と同様に、内部電極層１１ａ１の層数に特段の制限はない。

前段階で述べた「組成が異なる」は構成成分が異なることを意味する他、構成成分が同じで含有量が異なることを意味する。前段落で述べた「組成が異なる」を実現する手法としては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を変えずに副成分の含有量又は種類を変える手法と、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を変える手法を例示することができる。

音鳴き抑制を前提とすると、前段落で述べた前者の手法にあっては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃにこれらが低誘電率化するような副成分、例えばＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素とＭｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素とＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させ、且つ、下側保護部１１ｃの含有量を上側保護部１１ｂの含有量よりも増加させることが好ましい。また、前段落で述べた後者の手法にあっては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）としてこれらが低誘電率化するような２種類の誘電体セラミックスを選択することが望ましい。この場合、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの誘電率は、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率よりも低くなり、下側保護部１１ｃの誘電率は上側保護部１１ｂの誘電率よりも低くなる。

ここで、図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-4の好ましい製造例を紹介する。容量部１１ａに含まれる複数の内部電極層１１ａ１の主成分がニッケルで、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２と上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む内部電極層用ペーストを準備すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む第１セラミックスラリーと、第１セラミックスラリーにＭｇＯを適量添加した第２セラミックスラリーと、第１セラミックスラリーに第２セラミックスラリーよりも多めのＭｇＯを添加した第３セラミックスラリーと、を準備する。

そして、ダイコータ等の塗工装置と乾燥装置を用いて、キャリアフィルム上に第１セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製すると共に、別のキャリアフィルム上に第２セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製し、別のキャリアフィルム上に第３セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第３グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製する。また、スクリーン印刷機等の印刷装置と乾燥装置を用いて、第１グリーンシート上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第４グリーンシートを作製する共に、第３グリーンシート（ＭｇＯを含有）上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第５グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製する

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第３グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、下側保護部１１ｃに対応した部位を作製する。続いて、第５グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）の上に、第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ａに対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、上側保護部１１ｂに対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を順に積み重ねたものを最終的に本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、焼成チップを作製する。

そして、ローラ塗布機等の塗布装置を用いて、焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペースト（内部電極層用ペーストを流用）を塗布し乾燥して前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成し、その上に表面膜、或いは、中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理にて形成して、外部電極１２を作製する。因みに、各外部電極の下地膜は、未焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペーストを塗布し乾燥した後、これを未焼成チップと同時焼成することによって作製しても良い。

尚、図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-4を回路基板２１に実装した構造とその好ましい実装例は、前記第１実施形態欄で述べた実装構造（図３を参照）と好ましい実装例と同じであるため、各々の説明を省略する。

図１０は図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-4によって得られる効果を確認するために用意したサンプル８の仕様と特性を示す。因みに、図１０には、比較のために図４に示したサンプル１の仕様と特性が併記されている。

図１０に示したサンプル８は前記製造例に準じて作製されたものであって、その基本仕様は以下の通りである。
〈サンプル８の基本仕様〉
上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃがＭｇを含有し、下側保護部１１ｃのＭｇ含有量が上側保護部１１ｂのＭｇ含有量よりも多い以外はサンプル１と同じ。

尚、図１０の「Ｔｂ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値の算出方法と「音鳴き」の数値の測定方法と測定のための実装構造の基本仕様は、前記第１実施形態欄で述べた算出方法と測定方法と実装構造の基本仕様と同じであるため、各々の説明を省略する。

先に述べたように、音鳴きの理想上限値は概して２５ｄｂと言われているため、図１０に示したサンプル８、即ち、図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-4は音鳴き抑制に対して有効であると言える。勿論、図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-4にも、前記第１実施例欄で述べた音鳴き抑制に好適な「Ｔｂ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値範囲を適用することができる。

また、下側保護部１１ｃの誘電率を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率よりも低くすることによって、実装状態における電圧印加時に下側保護部１１ｃに生じる電界強度を低減して、前記第１実施形態欄で述べた伝達応力の減衰をより確実に行って音鳴き抑制に貢献することができる。

さらに、上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と異なり、しかも、下側保護部１１ｃの厚さＴｃが上側保護部１１ｂの厚さＴｂよりも厚いため、他の部分と異なる上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの外観色と下側保護部１１ｃの厚さＴｃに基づいて積層セラミックコンデンサ１０-4を実装するときの上下向きを簡単に判別することができる。

尚、前掲の製造例とサンプル８にあっては、本第４実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ３を充足するために、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃにＭｇを含有させたものを例示したが、該上側保護部１１ｂ及び下側保護部１１ｃにＭｇ以外のＣａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素から選択した１種を含有させても、或いは、２種以上のアルカリ土類金属元素（Ｍｇを含む）を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。また、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃに、アルカリ土類金属元素に代えて、Ｍｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素から選択した１種以上を含有させても、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。つまり、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃに、前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含有させれば、前記同様の効果を得ることができる。勿論、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２が前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含む場合には、該含有量よりも上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃに含まれる含有量を増加すれば、前記同様の効果を得ることができる。さらに、本第４実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ３を充足するために、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の主成分（誘電体セラミックス）と異ならせても、前記同様の効果を得ることができる。

《第５実施形態》
図１１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-5（第５実施形態）の基本構造を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-5は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と、（Ｍ４）上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の組成が同じであり、上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と異なっており、下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１を除く下部分１１ｃ２の組成が、上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の組成と容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成とも異なっている点、において相違する。因みに、図１１には、図示の便宜上、計３２層の内部電極層１１ａ１を示したが、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1と同様に、内部電極層１１ａ１の層数に特段の制限はない。

前段階で述べた「組成が異なる」は構成成分が異なることを意味する他、構成成分が同じで含有量が異なることを意味する。前段落で述べた「組成が異なる」を実現する手法としては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を変えずに副成分の含有量又は種類を変える手法と、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分（誘電体セラミックス）の種類を変える手法を例示することができる。

音鳴き抑制を前提とすると、前段落で述べた前者の手法にあっては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１及び下部分１１ｃ２にこれらが低誘電率化するような副成分、例えばＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素とＭｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素とＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させ、且つ、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の含有量を上側保護部１１ｂの含有量と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の含有量よりも増加させることが好ましい。また、前段落で述べた後者の手法にあっては、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１と下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の主成分（誘電体セラミックス）としてこれらが低誘電率化するような２種類の誘電体セラミックスを選択することが望ましい。この場合、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の誘電率は同等となり、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の誘電率は、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率よりも低くなり、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の誘電率は、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の誘電率よりも低くなる。

ここで、図１１に示した積層セラミックコンデンサ１０-5の好ましい製造例を紹介する。容量部１１ａに含まれる複数の内部電極層１１ａ１の主成分がニッケルで、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２と上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む内部電極層用ペーストを準備すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む第１セラミックスラリーと、第１セラミックスラリーにＭｇＯを適量添加した第２セラミックスラリーと、第１セラミックスラリーに第２セラミックスラリーよりも多めのＭｇＯを添加した第３セラミックスラリーと、を準備する。

そして、ダイコータ等の塗工装置と乾燥装置を用いて、キャリアフィルム上に第１セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製すると共に、別のキャリアフィルム上に第２セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製し、別のキャリアフィルム上に第３セラミックスラリーを塗工し乾燥して、第３グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製する。また、スクリーン印刷機等の印刷装置と乾燥装置を用いて、第１グリーンシート上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第４グリーンシートを作製する共に、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）上に内部電極層用ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第５グリーンシート（ＭｇＯを含有）を作製する

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第３グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１に対応した部位を作製する。続いて、第５グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）の上に、第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ａに対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシート（ＭｇＯを含有）から打ち抜いた単位シートを所定枚数に至るまで積み重ねて熱圧着して、上側保護部１１ｂに対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を順に積み重ねたものを最終的に本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、焼成チップを作製する。

そして、ローラ塗布機等の塗布装置を用いて、焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペースト（内部電極層用ペーストを流用）を塗布し乾燥して前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成し、その上に表面膜、或いは、中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理にて形成して、外部電極１２を作製する。因みに、各外部電極の下地膜は、未焼成チップの長さ方向端部それぞれに電極ペーストを塗布し乾燥した後、これを未焼成チップと同時焼成することによって作製しても良い。

尚、図１１に示した積層セラミックコンデンサ１０-5を回路基板２１に実装した構造とその好ましい実装例は、前記第１実施形態欄で述べた実装構造（図３を参照）と好ましい実装例と同じであるため、各々の説明を省略する。

図１２は図１１に示した積層セラミックコンデンサ１０-5によって得られる効果を確認するために用意したサンプル９の仕様と特性を示す。因みに、図１２には、比較のために図４に示したサンプル１の仕様と特性が併記されている。

図１２に示したサンプル９は前記製造例に準じて作製されたものであって、その基本仕様は以下の通りである。
〈サンプル９の基本仕様〉
下側保護部１１ｃの厚さＴｃ（２１０μｍ）のうち、上部分１１ｃ１の厚さＴｃ１が２５μｍで下部分１１ｃ２の厚さＴｃ２が１８５μｍであり、上部分１１ｃ１と下部分１１ｃ２と上側保護部１１ｂがＭｇを含有し、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２のＭｇ含有量が上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１のＭｇ含有量よりも多い以外はサンプル１と同じ。

尚、図１２の「Ｔｂ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｈ」の数値と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値の算出方法と「音鳴き」の数値の測定方法と測定のための実装構造の基本仕様は、前記第１実施形態欄で述べた算出方法と測定方法と実装構造の基本仕様と同じであるため、各々の説明を省略する。

先に述べたように、音鳴きの理想上限値は概して２５ｄｂと言われているため、図１２に示したサンプル９、即ち、図１１に示した積層セラミックコンデンサ１０-5は音鳴き抑制に対して有効であると言える。勿論、図１１に示した積層セラミックコンデンサ１０-5にも、前記第１実施例欄で述べた音鳴き抑制に好適な「Ｔｂ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｈ」の数値範囲と「Ｔｃ／Ｔｂ」の数値範囲を適用することができる。

また、上側保護部１１ｂの誘電率と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の誘電率を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の誘電率よりも低くし、下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の誘電率を、下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の誘電率よりも低くすることによって、実装状態における電圧印加時に下側保護部１１ｃに生じる電界強度を低減して、前記第１実施形態欄で述べた伝達応力の減衰をより確実に行って音鳴き抑制に貢献することができる。

さらに、上側保護部１１ｂの組成と下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１の組成と下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の組成が、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の組成と異なり、しかも、下側保護部１１ｃの厚さＴｃが上側保護部１１ｂの厚さＴｂよりも厚いため、他の部分と異なる上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの外観色と下側保護部１１ｃの厚さＴｃに基づいて積層セラミックコンデンサ１０-5を実装するときの上下向きを簡単に判別することができる。

尚、前掲の製造例とサンプル９にあっては、本第５実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ４を充足するために、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１と下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２にＭｇを含有させたものを例示したが、該上側保護部１１ｂ、下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１及び下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２にＭｇ以外のＣａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属元素から選択した１種を含有させても、或いは、２種以上のアルカリ土類金属元素（Ｍｇを含む）を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。また、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１と下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に、アルカリ土類金属元素に代えて、Ｍｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の遷移金属元素から選択した１種以上を含有させても、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選択した１種以上を含有させても、前記同様の効果を得ることができる。つまり、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１と下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に、前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含有させれば、前記同様の効果を得ることができる。勿論、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２が前記アルカリ土類金属元素と前記遷移金属元素と前記希土類元素から選択した１種以上を含む場合には、該含有量よりも上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１と下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２に含まれる含有量を増加すれば、前記同様の効果を得ることができる。さらに、本第５実施形態欄の冒頭で述べた要件Ｍ４を充足するために、上側保護部１１ｂと下側保護部１１ｃの上部分１１ｃ１と下側保護部１１ｃの下部分１１ｃ２の主成分（誘電体セラミックス）の種類を、容量部１１ａに含まれる複数の誘電体層１１ａ２の主成分（誘電体セラミックス）と異ならせても、前記同様の効果を得ることができる。

《他の実施形態》
（１）第１実施形態欄〜第５実施形態欄には、コンデンサ本体１１の高さＨが幅Ｗよりも大きな積層セラミックコンデンサ１０-1〜１０-5を例示したが、容量部１１ａの厚さＴａを薄くできる場合には、コンデンサ本体の高さＨが幅Ｗと同じであっても、コンデンサ本体の高さＨが幅Ｗよりも小さくても、下側保護部１１ｃの厚さＴｃを上側保護１１ｂの厚さＴｂよりも厚くして、容量部１１ａをコンデンサ本体１１の高さ方向上側に偏って位置させることは可能である。

（２）第２実施形態欄と第５実施形態欄には、コンデンサ本体１１の下側保護層１１ｃの下部分１１ｃ２として誘電体セラミックスを主成分とするものを例示したが、該下部分１１ｃ２を誘電体セラミックス以外の誘電体、例えばＬｉ−Ｓｉ系やＢ−Ｓｉ系やＬｉ−Ｓｉ−Ｂａ系やＢ−Ｓｉ−Ｂａ系のガラスや、これらにシリカやアルミナ等のフィラーを分散させたガラスや、エポキシ樹脂やポリイミド等の熱硬化性プラスチックにて形成しても良い。この場合には、第２実施形態欄と第５実施形態欄で述べた製造例の未焼成積層シート工程において下側保護層１１ｃの下部分１１ｃ２を除くものを作製した後、これに該下部分１１ｃ２に対応するシート状物を接着剤等を用いて貼り付ける手法が好ましく採用できる。

１０，１０-1，１０-2，１０-3，１０-4，１０-5…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、Ｌ…コンデンサ本体の長さ、Ｗ…コンデンサ本体の幅、Ｈ…コンデンサ本体の長さ、１１ａ…容量部、１１ａ１…内部電極層、１１ａ２…誘電体層、１１ｂ…上側保護部、１１ｃ…下側保護部、１１ｃ１下側保護部の上部分、１１ｃ２…下側保護部の下部分、Ｔａ…容量部の厚さ、Ｔｂ…上側保護部の厚さ、Ｔｃ…下側保護部の厚さ、１２…外部電極。

Claims (8)

1. 長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向端部それぞれに設けられた外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、
   前記コンデンサ本体は、複数の内部電極層が誘電体層を介して高さ方向に積層された容量部と、前記複数の内部電極層のうちの最上位の内部電極層の上側に位置する誘電体製の上側保護部と、前記複数の内部電極層のうちの最下位の内部電極層の下側に位置する誘電体製の下側保護部と、を一体に有しており、
   前記容量部が前記コンデンサ本体の高さ方向上側に偏って位置するように、前記下側保護部の厚さが前記上側保護部の厚さよりも厚くなっており、
   前記コンデンサ本体の高さをＨとし、前記上側保護部の厚さをＴｂとし、前記下側保護部の厚さをＴｃとしたとき、前記高さＨと前記厚さＴｂはＴｂ／Ｈ≦０．０６の条件を満足し、且つ、前記高さＨと前記厚さＴｃは０．３１≦Ｔｃ／Ｈ≦０．５０の条件を満足している、
   積層セラミックコンデンサ。
2. 前記厚さＴｂと前記厚さＴｃはＴｃ／Ｔｂ≧４．６の条件を満足している、
   請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記コンデンサ本体の高さをＨとし幅をＷとしたとき、前記高さＨと前記幅ＷはＨ＞Ｗの条件を満足している、
   請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記上側保護部の組成と前記下側保護部の組成は、前記誘電体層の組成と同じである、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記上側保護部の組成と前記下側保護部の上部分の組成は、前記誘電体層の組成と同じであり、
   前記下側保護部の上部分を除く下部分の組成は、前記誘電体層の組成と異なっている、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記上側保護部の組成と前記下側保護部の組成は同じであり、
   前記上側保護部の組成と前記下側保護部の組成は、前記誘電体層の組成と異なっている、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記上側保護部の組成と前記下側保護部の組成は異なっており、
   前記上側保護部の組成と前記下側保護部の組成は、前記誘電体層の組成とも異なっている、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
8. 前記上側保護部の組成と前記下側保護部の上部分の組成は同じであり、
   前記上側保護部の組成と前記下側保護部の上部分の組成は、前記誘電体層の組成と異なっており、
   前記下側保護部の上部分を除く下部分の組成は、前記上側保護部の組成と前記下側保護部の上部分の組成と前記誘電体層の組成とも異なっている、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。

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