TWI541846B - 積層陶瓷電容器 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種積層陶瓷電容器。
積層陶瓷電容器一般而言具有由長度、寬度及高度規定之大致長方體狀之電容器本體、及分別設置於電容器本體之長度方向端部之外部電極。電容器本體一體地具有：電容部，其係將複數個內部電極層介隔電介質層於高度方向上積層而成；電介質製之上側保護部，其位於複數個內部電極層中之最上層之內部電極層之上側；及電介質製之下側保護部，其位於複數個內部電極層中之最下層之內部電極層之下側(例如參照下述專利文獻1之圖1)。
該積層陶瓷電容器對電路基板之安裝係使用焊料，將積層陶瓷電容器之各外部電極之被接合面接合於設於電路基板之焊墊之各自表面上而實施。各焊墊之表面之輪廓形狀一般而言為比各外部電極之被接合面之輪廓形狀大之矩形，因此，於安裝後之各外部電極之端面，形成基於熔融焊料自由延展之焊料圓角(例如參照下述專利文獻1之圖1及圖2)。
於該安裝狀態下，若通過各焊墊對兩外部電極施加電壓、尤其交流電壓，則存在如下情形：於電容器本體產生基於電致伸縮現象之伸縮(主要為電容部於長度方向收縮般之收縮及其回覆)，且伴隨著該伸縮之應力通過外部電極、焊料及焊墊傳遞至電路基板，造成振動
(主要為焊墊間部分凹陷般之翹曲及其回覆)，並因該振動而產生可聽區域之聲音(所謂之音鳴)。
而於下述專利文獻1中記載有如下安裝結構(參照圖2)：為抑制上述音鳴，而使「以焊墊之表面為基準之焊料圓角之高度」低於「焊墊之表面與電容器本體之間隔」+「電容器本體之下側保護部之厚度」。
然而，焊料圓角係基於熔融焊料相對於各外部電極端面之自由延展而形成，因而，結合各外部電極之端面之焊料潤濕性良好之情形，只要不採用特殊之方法，便極難控制上述「以焊墊之表面為基準之焊料圓角之高度」。
列舉具體例進行說明，於各外部電極之端面高度為500μm之積層陶瓷電容器中，即便焊料量相同，實際上，亦將作為非安裝不良而產生以各外部電極之端面之下端為基準時之焊料圓角之高度遠遠超過200μm或未達200μm者。
即，下述專利文獻1記載之安裝結構並未採用控制「以焊墊之表面為基準之焊料圓角之高度」之特殊方法，因而，實際上極難使「以焊墊之表面為基準之焊料圓角之高度」低於「焊墊之表面與電容器本體之間隔」+「電容器本體之下側保護部之厚度」，因此，對於抑制音鳴之實用性極低。
[專利文獻1]日本專利特開2013-046069號公報
本發明之目的在於提供一種安裝狀態下對於抑制音鳴之實用性較高之積層陶瓷電容器。
為達成上述目，本發明係一種積層陶瓷電容器，其係包含以長度、寬度及高度規定之大致長方體狀之電容器本體、及分別設置於上述電容器本體之長度方向端部之外部電極者，且，上述電容器本體一體地具有：電容部，其係將複數個內部電極層介隔電介質層在高度方向上積層而成；電介質製之上側保護部，其位於上述複數個內部電極層中之最上層之內部電極層之上側；及電介質製之下側保護部，其位於上述複數個內部電極層中之最下層之內部電極層之下側；上述下側保護部之厚度厚於上述上側保護部之厚度，以使上述電容部偏向位於上述電容器本體之高度方向上側。
根據本發明，可提供一種於安裝狀態下對於抑制音鳴之實用性較高之積層陶瓷電容器。
10、10-1、10-2、10-3、10-4、10-5‧‧‧積層陶瓷電容器
11‧‧‧電容器本體
11a‧‧‧電容部
11a1‧‧‧內部電極層
11a2‧‧‧電介質層
11b‧‧‧上側保護部
11c‧‧‧下側保護部
11c1‧‧‧下側保護部之上部分
11c2‧‧‧下側保護部之下部分
12‧‧‧外部電極
12a‧‧‧端面
21‧‧‧電路基板
22‧‧‧焊墊
23‧‧‧焊料
23a‧‧‧焊料圓角
23a1‧‧‧焊料圓角之最高點
D11a、D11b、D11c‧‧‧伸縮量
L‧‧‧電容器本體之長度
W‧‧‧電容器本體之寬度
H‧‧‧電容器本體之長度
Hf‧‧‧高度
Ta‧‧‧電容部之厚度
Tb‧‧‧上側保護部之厚度
Tc‧‧‧下側保護部之厚度
圖1係適用本發明之積層陶瓷電容器(第1實施形態)之俯視圖。
圖2係沿著圖1之S-S線之縱剖面圖。
圖3係表示圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器安裝於電路基板而成之結構之局部縱剖面圖。
圖4係表示效果確認用樣品1~5之規格與特性之圖。
圖5係適用本發明之積層陶瓷電容器(第2實施形態)之與圖2對應之縱剖面圖。
圖6係表示效果確認用樣品6之規格與特性之圖。
圖7係適用本發明之積層陶瓷電容器(第3實施形態)之與圖2對應之縱剖面圖。
圖8係表示效果確認用樣品7之規格與特性之圖。
圖9係適用本發明之積層陶瓷電容器(第4實施形態)之與圖2對應
之縱剖面圖。
圖10係表示效果確認用樣品8之規格與特性之圖。
圖11係適用本發明之積層陶瓷電容器(第5實施形態)之與圖2對應之縱剖面圖。
圖12係表示效果確認用樣品9之規格與特性之圖。
《第1實施形態》
圖1及圖2係表示適用本發明之積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)之基本結構。該積層陶瓷電容器10-1包含：以長度L、寬度W及高度H規定之大致長方體狀之電容器本體11、及分別設置於電容器本體11之長度方向端部之外部電極12。
電容器本體11一體地具有：電容部11a，其係將複數個(圖中合計為32層)內部電極層11a1介隔電介質層11a2(圖中合計為31層)於高度方向積層而成；電介質製之上側保護部11b，其位於複數個內部電極層11a1中最上層之內部電極層11a1之上側；及電介質製之下側保護部11c，其位於複數個內部電極層11a1中最下層之內部電極層11a1之下側。順帶而言，於圖2中，為便於圖示而表示了合計32層之內部電極層11a1，但內部電極層11a1之層數並無特別限制。
電容部11a中所含之複數個內部電極層11a1係各自之輪廓形狀大致相等之矩形，且各自之厚度亦大致相等。又，電容部11a中所含之複數個電介質層11a2(包括被鄰接之內部電極層11a1夾隔之部分與未被夾隔之周圍部分之層)係各自之輪廓形狀大致相等且比內部電極層11a1之輪廓形狀大之矩形，且各自之厚度亦大致相等。根據圖2可知，複數個內部電極層11a1係於長度方向上交替地偏移，且自上而下地相當於第奇數個之內部電極層11a1之端緣係電性連接於左側之外部電極12，自上而下地相當於第偶數個之內部電極層11a1之端緣係電性
連接於右側之外部電極12。
電容部11a中所含之複數個內部電極層11a1包含各自組成相同之導體，且該導體中可較佳地使用以鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、及該等之合金等為主成分之良導體。又，電容部11a中所含之複數個電介質層11a2包含各自之組成相同之電介質，且該電介質中可較佳地使用以鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等為主成分之電介質陶瓷，更佳為ε>1000或類別2(高介電常數系)之電介質陶瓷。順帶而言，本段落中所述之「組成相同」係指構成成分相同，而並非表示構成成分相同且各成分之含量相同。
上側保護部11b之組成與下側保護部11c之組成係與電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成相同。於該情形時，上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之介電常數變得與電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數相等。又，下側保護部11c之厚度Tc變為厚於上側保護部11b之厚度Tb，以使電容部11a偏向位於電容器本體11之高度方向上側。順帶而言，本段落中所述之「組成相同」亦表示構成成分相同，而並非表示構成成分相同且各成分之含量相同。
若將上側保護部11b之厚度Tb與下側保護部11c之厚度Tc分別以與電容器本體11之高度H之比表示，則厚度Tb較佳為滿足Tb/H≦0.06之條件，且，厚度Tc較佳為滿足Tc/H≧0.20之條件。又，若將上側保護部11b之厚度Tb與下側保護部11c之厚度Tc以兩者之比表示，則厚度Tb與厚度Tc較佳為滿足Tc/Tb≧4.6之條件。進而，若將電容器本體11之高度H與寬度W以兩者之比表示，則高度H與寬度W較佳為滿足H>W之條件。
各外部電極12係將電容器本體11之長度方向端面、及與該端面鄰接之4側面之一部分覆蓋，且將覆蓋該4側面之一部分之部分之下表面用作安裝時之被接合面。雖省略圖示，但各外部電極12成為密接於電
容器本體11之外表面之基底膜與密接於該基底膜之外表面之表面膜之2層結構、或者於基底膜與表面膜之間具有至少1個中間膜之多層結構。基底膜包含例如燒付導體膜，且該導體中可較佳地適用以鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、及該等之合金等為主成分之良導體。又，表面膜包含例如電鍍導體膜，且該導體中可較佳地使用以錫、鈀、金、鋅、及該等之合金等為主成分之良導體。進而，中間膜包含例如電鍍導體膜，且該導體中可較佳地使用以鉑、鈀、金、銅、鎳、及該等之合金等為主成分之良導體。
此處，介紹圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1之較佳之製造例。於電容部11a中所含之複數個內部電極層11a1之主成分為鎳，電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之主成分、上側保護部11b之主成分及下側保護部11c之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備含有鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之內部電極層用焊膏，並且準備含有鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑之陶瓷漿料。
繼而，使用塗佈機等塗敷裝置與乾燥裝置，於載體膜上塗敷陶瓷漿料進行乾燥，製作第1生片。又，使用網版印刷機等印刷裝置與乾燥裝置，於第1生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第2生片。
繼而，使用沖切刀片及具有加熱器之吸附頭等積層裝置，將自第1生片沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與下側保護部11c對應之部位。繼而，將自第2生片沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)積層至特定片數進行熱壓接，製作與電容部11a對應之部位。繼而，將自第1生片沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與上側保護部11b對應之部位。繼而，使用熱等靜壓壓製機等主壓接裝置，將積層各部位所得者最終進行主熱壓
接，製作未煅燒積層片。
而且，使用分割機等切斷裝置，將未煅燒積層片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未煅燒晶片。繼而，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量之未煅燒晶片於還原性環境下、或低氧分壓環境下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈進行煅燒(包含脫黏處理與煅燒處理)，製作煅燒晶片。
繼而，使用輥塗機等塗佈裝置，對煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏(沿用內部電極層用焊膏)進行乾燥，且於上述同樣之環境下實施燒付處理，形成基底膜，於該基地膜之上，利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，製作外部電極12。順帶而言，各外部電極之基底膜可於對未煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏進行乾燥之後，藉由將該電極焊膏與未煅燒晶片同時進行煅燒而製作。
圖3係表示圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1安裝於電路基板21所得之結構。電路基板21具備與各外部電極12對應之導電性焊墊22，且各外部電極12之被接合面係使用焊料23而接合於各焊墊22之表面。各焊墊22之表面之輪廓形狀一般而言為比各外部電極12之被接合面之輪廓形狀大之矩形，因此，於安裝後之各外部電極12之端面12a，形成基於熔融焊料自由延展之焊料圓角23a。順帶而言，圖3所示之Hf係以電容器本體11之下表面為基準之焊料圓角23a之最高點23a1之高度。
此處，介紹圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1之較佳之安裝例。首先，於電路基板21之各焊墊22上塗佈適量之膏狀焊料。繼而，以各外部電極12之被接合面與所塗佈之膏狀焊料相接之方式，裝載積層陶瓷電容器10-1。又，利用回流焊接法等熱處理使膏狀焊料暫時熔融後進行硬化，將各外部電極12之被接合面介隔焊料23接合於各焊墊
22之表面。
圖4表示為確認利用圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1所得之效果而準備之樣品1~5之規格與特性。
圖4所示之樣品1~5係依據上述製造例而製作，且各個基本規格如下所述。
<樣品1之基本規格>
電容器本體11之長度L為1000μm，寬度W為500μm，且高度H為685μm。電容部11a之厚度Ta為450μm，上側保護部11b之厚度Tb為25μm，下側保護部11c之厚度Tc為210μm。電容部11a中所含之內部電極層11a1之層數為350層，電介質層11a2之層數為349層，各內部電極層11a1之厚度為0.7μm，各電介質層11a2之厚度為0.6μm。電容部11a中所含之各內部電極層11a1之主成分為鎳，電容部11a中所含之各電介質層11a2、上側保護部11b及下側保護部11c之主成分為鈦酸鋇。各外部電極12之厚度為10μm，將4側面之一部分覆蓋之部分之長度為250μm。各外部電極12係以鎳為主成分之基底膜、以銅為主成分之中間膜、及以錫為主成分之表面膜之3層結構。
<樣品2之基本規格>
除了下側保護部11c之厚度Tc為320μm且電容器本體11之高度H為795μm以外，與樣品1相同。
<樣品3之基本規格>
除了下側保護部11c之厚度Tc為115μm且電容器本體11之高度H為590μm以外，與樣品1相同。
<樣品4之基本規格>
除了下側保護部11c之厚度Tc為475μm且電容器本體11之高度H為950μm以外，與樣品1相同。
<樣品5之基本規格>
除了下側保護部11c之厚度Tc為25μm且電容器本體11之高度H為500μm以外，與樣品1相同。
圖4之「Tb/H」數值係將上側保護部11b之厚度Tb以與電容器本體11之高度H之比表示之數值(10個平均值)，「Tc/H」數值係將下側保護部11b之厚度Tc以與電容器本體11之高度H之比表示之數值(10個平均值)，「Tc/Tb」數值係將上側保護部11b之厚度Tb與下側保護部11c之厚度Tc以兩者之比表示之數值(10個平均值)。
圖4之「音鳴」數值係如下結果(10個平均值)：使用各10個樣品1~5，製作下述安裝結構，且於各10個安裝結構中，對樣品1~5之外部電極12一面施加交流電壓5V一面將頻率提昇至0~1MHz，採用Br üel & Kjaer Japan製造之TYPe-3560-B130，將此時產生之可聽區域之聲音強度(單位db)於防音、無回聲室(Yokohama Sound Environment Systems製造)中，單獨地進行測定所得。
各安裝結構係依據上述安裝例而製作，且各個基本規格如下所述。
<安裝結構之基本規格>
電路基板21之厚度為150μm，且其主成分為環氧樹脂。各焊墊22之長度為400μm，寬度為600μm，長度方向間隔為400μm，厚度為15μm，且其主成分為銅。膏狀焊料為錫-銻系。膏狀焊料對各焊墊22上之塗佈量係以厚度換算為50μm。以各外部電極12之被接合面之寬度方向中心與各焊墊22之表面之寬度方向中心一致，且各外部電極12之端面與各焊墊22之表面之長度方向中心大致一致之方式，裝載各樣品1~5。
音鳴之理想上限值被認為大體上為25db，因而，於圖4所示之樣品1~5中，樣品5因「音鳴」數值超過25db而不能認為對於抑制音鳴有效，但樣品1~4之「音鳴」數值均未達25db，因此，可認為該樣
品1~4、即圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1對於抑制音鳴有效。
以下，於考慮圖4所示之樣品1~4之「Tb/H」數值、「Tc/H」數值、「Tc/Tb」數值、及「音鳴」數值之基礎上，對圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1中適合抑制音鳴之「Tb/H」數值範圍、「Tc/H」數值範圍、及「Tc/Tb」數值範圍進行說明。
<關於「Tb/H」之數值範圍>
於使電容部11a偏向位於電容器本體11之高度方向上側時，則儘量使上側保護部11b之厚度Tb變薄即可。但，為了於上側保護部11b獲得預期之保護效果，而在實用方面，至少需要20~35μm之厚度。若將作為該數值範圍上限值之35μm應用於樣品1~4，則「Tb/H」之最大值達到0.06，因此，可認為上側保護部11b之厚度較佳為滿足Tb/H≦0.06之條件。又，若將作為上述數值範圍下限值之20μm應用於樣品1~4，則「Tb/H」之最小值達到0.02，因此，可認為上側保護部11b之厚度Tb更佳為滿足0.02≦Tb/H≦0.06之條件。
<關於「Tc/H」之數值範圍>
對外部電極12施加交流電壓時所產生之長度方向之伸縮係如圖3中以中空箭頭所示，於高度方向不均勻一致，且產生最高電場強度之電容部11a出現最大伸縮量D11a。上側保護部11b與下側保護部11c中所產生之電場強度明顯低於電容部11a之電場強度，且單獨觀察兩者時之伸縮量D11b及D11c明顯小於電容部11a之伸縮量D11a，但於上側保護部11b與下側保護部11b之上部分，伴隨著電容部11a之伸縮之應力不衰減地進行傳遞。然而，若可於下側保護部11c確保與之相應之厚度Tc，則可使自該下側保護部11c之上部分傳遞至下側之應力逐漸衰減，從而逐漸減少伸縮量D11c。
另一面，於外部電極12之端面，於安裝時將形成圖3所示之焊料圓角23a。該焊料圓角23a係基於熔融焊料對於外部電極12之端面12a
之自由延展而成者，因而，即便焊料量相同，實際上，焊料圓角23a之最高點23a1之高度Hf亦產生變化。具體而言，即便非安裝不良，亦產生焊料圓角23a之最高點23a1之高度Hf與下側保護部11c之上表面大致相同之情形(參照實線)、此高度Hf變得高於下側保護部11c之上表面之情形(參照上側之2點鏈線)、或此高度Hf變得低於下側保護部11c之上表面之情形(參照下側之2點鏈線)。
無論何種情形均可共通地認為，焊料圓角23a成為最高點23a1之厚度最薄，且朝向下方厚度逐漸變厚之剖面形狀。即，由於在焊料圓角23a之厚度較薄之部分可預計產生可撓性，因而，即便焊料圓角23a之最高點23a1之高度Hf變得高於下側保護部11c之上表面之情形時(參照上側之2點鏈線)，亦可利用上述可撓性吸收電容部11a之伸縮量D11a，或利用上述可撓性亦可吸收下側保護部11c之最大伸縮量D11c。對於後者之情形，無論焊料圓角23a之最高點23a1之高度Hf變得與下側保護部11c之上表面大致相同之情形(參照實線)，抑或是此高度Hf變得低於下側保護部11c之上表面之情形(參照下側之2點鏈線)，均可視作相同。
總而言之，為了抑制圖3所示之安裝結構中可能產生之音鳴，若作為下側保護部11c之厚度Tc，可確保用以能夠實現如上所述之傳遞應力之衰減與伸縮量之吸收之厚度，則將有助於抑制音鳴。就圖4所示之樣品1~4之「音鳴」數值來看，若「Tc/H」為0.20以上，則可將音鳴抑制為25db以下，因此，可認為於圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1中，下側保護部11c之厚度Tc較佳為滿足Tc/H≧0.20之條件。又，就圖4所示之樣品1~4之「音鳴」數值來看，可認為儘量使下側保護部11c之厚度Tc變厚將對於抑制音鳴較為有效，但若過度地使厚度Tc變厚，則電容器本體11之高度H與寬度W之比H/W變大，於安裝時產生積層陶瓷電容器10-1容易倒塌等擔憂。據此，鑒於圖4所示之
樣品1~4之規格，「Tc/H」之上限值宜為樣品2之0.40，因而，可認為於圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1中，下側保護部11c之厚度Tc更佳為滿足0.20≦Tc/H≦0.40之條件。
<關於「Tc/Tb」之數值範圍>
就圖4所示之樣品1~4之「音鳴」數值來看，若「Tc/Tb」為4.6以上，則可將音鳴抑制為25db以下，因而，可認為上側保護部11b之厚度Tb與下側保護部11c之厚度Tc較佳為滿足Tc/Tb≧4.6之條件。又，為消除此前段落中所述之擔憂，「Tc/Tb」之上限值宜為樣品2之12.8，因而，可認為於圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1中，上側保護部11b之厚度Tb與下側保護部11c之厚度Tc更佳為滿足4.6≦Tc/Tb≦12.6之條件。
《第2實施形態》
圖5表示適用本發明之積層陶瓷電容器10-2(第2實施形態)之基本結構。該積層陶瓷電容器10-2與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1之不同之處在於：(M1)上側保護部11b之組成及下側保護部11c之上部分11c1之組成與電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成相同，且下側保護部11c之除了上部分11c1以外之下部分11c2之組成不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成。下側保護部11c之上部分11c1之厚度Tc1既可與上側保護部11b之厚度Tb相同，亦可厚於或薄於上側保護部11b之厚度Tb。順帶而言，圖5中，為便於圖示而表示了合計32層之內部電極層11a1，但與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1相同，對於內部電極層11a1之層數並無特別限制。
此前段落中所述之「組成相同」係表示構成成分相同，而並非表示各成分之含量相同。又，此前階段中所述之「組成不同」除了表示構成成分不同，亦表示構成成分相同但含量不同。作為實現此前段落中所述之「組成不同」之方法，可例示不改變下側保護部11c之下
部分11c2之主成分(電介質陶瓷)之種類而改變副成分之含量或種類之方法、及改變下側保護部11c之下部分11c2之主成分(電介質陶瓷)之種類之方法。
若將抑制音鳴作為前提，則於此前段落中所述之前者方法中，較佳為使下側保護部11c之下部分11c2含有使之低介電常數化般之副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等鹼土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中之1種以上。又，於此前段落中所述之後者方法中，作為下側保護部11c之下部分11c2之主成分(電介質陶瓷)，較理想為選擇使之低介電常數化般之電介質陶瓷。於該情形時，上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之上部分11c1之介電常數變得與電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數相等，且下側保護部11c之下部分11c2之介電常數變得低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數。
此處，介紹圖5所示之積層陶瓷電容器10-2之較佳之製造例。於電容部11a中所含之複數個內部電極層11a1之主成分為鎳，電容部11a中所含之複數個電介質層11a2、上側保護部11b及下側保護部11c之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)及散劑等添加劑之內部電極層用焊膏，並且準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(黏合劑)及分散劑等添加劑之第1陶瓷漿料、以及於第1陶瓷漿料中適量添加MgO所得之第2陶瓷漿料。
繼而，利用塗佈機等塗敷裝置及乾燥裝置，於載體膜上塗敷第1陶瓷漿料進行乾燥，製作第1生片，並且於另外之載體膜上塗敷第2陶瓷漿料進行乾燥，製作第2生片(含有MgO)。又，使用網版印刷機等印刷裝置與乾燥裝置，於第1生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極
層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第3生片。
繼而，使用沖切刀片及具有加熱器之吸附頭等積層裝置，將自第2生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與下側保護部11c之下部分11c2對應之部位。繼而，將自第1生片沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與下側保護部11c之上部分11c1對應之部位。繼而，將自第3生片沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)積層至特定片數進行熱壓接，製作與電容部11a對應之部位。繼而，將自第1生片沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與上側保護部11b對應之部位。繼而，使用熱等靜壓壓製機等主壓接裝置，將依序積層各部位所得者最終進行主熱壓接，製作未煅燒積層片。
繼而，使用分割機等切斷裝置，將未煅燒積層片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未煅燒晶片。繼而，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量之未煅燒晶片於還原性環境下、或低氧分壓環境下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈實施煅燒(包含脫黏處理與煅燒處理)，製作煅燒晶片。
繼而，使用輥塗機等塗佈裝置，於煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏(沿用內部電極層用焊膏)進行乾燥，於上述相同之環境下進行燒付處理，形成基底膜，且於該基底膜之上利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，製作外部電極12。順帶而言，各外部電極之基底膜亦可於對未煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏進行乾燥之後，藉由將該電極焊膏與未煅燒晶片同時進行煅燒而製作。
再者，圖5所示之積層陶瓷電容器10-2安裝於電路基板21而成之結構及其之較佳安裝例因與上述第1實施形態欄中所述之安裝結構(參照圖3)及較佳之安裝例相同，而將各自之說明省略。
圖6表示為確認利用圖5所示之積層陶瓷電容器10-2獲得之效果而準備之樣品6之規格與特性。順帶而言，圖6中，為進行比較而合併記載圖4所示之樣品1之規格與特性。
圖6所示之樣品6係依據上述製造例而製作，且其基本規格如下所述。
<樣品6之基本規格>
除了下側保護部11c之厚度Tc(210μm)中，上部分11c1之厚度Tc1為25μm且下部分11c2之厚度Tc2為185μm，且下部分11c2含有Mg以外，與樣品1相同。
再者，圖6之「Tb/H」數值、「Tc/H」數值、「Tc/Tb」數值之計算方法、「音鳴」數值之測定方法、及用於測定之安裝結構之基本規格，因與上述第1實施形態欄中所述之計算方法、測定方法、及安裝結構之基本規格相同，而將各自之說明省略。
如先前所述，由於認為音鳴之理想上限值大體上為25db，因而，可認為圖6所示之樣品6、即圖5所示之積層陶瓷電容器10-2對於抑制音鳴較為有效。當然，圖5所示之積層陶瓷電容器10-2中，亦可適用上述第1實施例欄中所述之適於抑制音鳴之「Tb/H」數值範圍、「Tc/H」數值範圍、及「Tc/Tb」數值範圍。
又，可藉由使下側保護部11c之下部分11c2之介電常數低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數與下側保護部11c之上部分11c1之介電常數，而降低安裝狀態下施加電壓時產生於下側保護部11c之電場強度，更確實地實施上述第1實施形態欄中所述之傳遞應力之衰減，從而有助於抑制音鳴。
進而，由於下側保護部11c之下部分11c2之組成不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成、上側保護部11b之組成、及下側保護部11c之上部分11c1之組成，因此，可基於與其他部分不同之
下側保護部11c之下部分11c2之外觀顏色，簡單地判別安裝積層陶瓷電容器10-2時之上下方向。
再者，於前面所述之製造例與樣品6中，為補充本第2實施形態欄之開頭中所述之要件M1，而例示使下側保護部11c之下部分11c2含有Mg之情形，但無論使該下部分11c2含有Mg以外之選自Ca、Sr等鹼土類金屬元素之1種，或者含有2種以上之鹼土類金屬元素(包含Mg)，均可獲得上述同樣之效果。又，使下側保護部11c之下部分11c2，無論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素之1種以上，抑或是含有選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素之1種以上，而取代鹼土類金屬元素，均可獲得上述同樣之效果。即，若使下側保護部11c之下部分11c2，含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以上，則可獲得上述同樣之效果。當然，於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2、上側保護部11b、及下側保護部11c之上部分11c1含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以上之情形時，若使下側保護部11c之下部分11c2中所含之含量多於該含量，則可獲得上述同樣之效果。進而，即便為補充本第2實施形態欄之開頭中所述之要件M1，而使下側保護部11c之下部分11c2之主成分(電介質陶瓷)之種類不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2、上側保護部11b、及下側保護部11c之上部分11c1之主成分(電介質陶瓷)，仍可獲得上述同樣之效果。
《第3實施形態》
圖7表示適用本發明之積層陶瓷電容器10-3(第3實施形態)之基本結構。該積層陶瓷電容器10-3與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1不同之處在於：(M2)上側保護部11b之組成與下側保護部11c之組成相同，且上側保護部11b之組成與下側保護部11c之組成不同於電容部
11a中所含之複數個電介質層11a2之組成。順帶而言，圖7中為便於圖示而表示合計32層之內部電極層11a1，但與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1相同，對於內部電極層11a1之層數並無特別限制。
此前段落中所述之「組成相同」表示構成成分相同，而並非表示各成分之含量相同。又，此前階段中所述之「組成不同」除了表示構成成分不同，亦表示構成成分相同且含量不同。作為實現此前段落中所述之「組成不同」之方法，可例示不改變上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類而改變副成分之含量或種類之方法、及改變上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類之方法。
若將抑制音鳴作為前提，則於此前段落中所述之前者之方法中，較佳為使上側保護部11b與下側保護部11c含有使其等低介電常數化般之副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等鹼土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中之1種以上。又，於此前段落中所述之後者之方法中，作為上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)，較理想為選擇使其等低介電常數化般之電介質陶瓷。於該情形時，上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之介電常數變得相等，且上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之介電常數變得低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數。
此處，介紹圖7所示之積層陶瓷電容器10-3之較佳之製造例。於電容部11a中所含之複數個內部電極層11a1之主成分為鎳，電容部11a中所含之複數個電介質層11a2、上側保護部11b、及下側保護部11c之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備含有鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之內部電極層用焊膏，並且
準備含有鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(黏合劑)、分散劑等添加劑之第1陶瓷漿料、及於第1陶瓷漿料中適量添加MgO所得之第2陶瓷漿料。
繼而，使用塗佈機等塗敷裝置與乾燥裝置，於載體膜上塗敷第1陶瓷漿料進行乾燥，製作第1生片，並且於另外之載體膜上塗敷第2陶瓷漿料進行乾燥，製作第2生片(含有MgO)。又，使用網版印刷機等印刷裝置與乾燥裝置，於第1生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第3生片，並且於第2生片(含有MgO)上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第4生片(含有MgO)。
繼而，使用沖切刀片及具有加熱器之吸附頭等積層裝置，將自第2生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與下側保護部11c對應之部位。繼而，於自第4生片(含有MgO)沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)之上，將自第3生片沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)積層至特定片數進行熱壓接，製作與電容部11a對應之部位。繼而，將自第2生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與上側保護部11b對應之部位。繼而，使用熱等靜壓壓製機等主壓接裝置，將依序積層各部位所得者最終進行主熱壓接，製作未煅燒積層片。
繼而，使用分割機等切斷裝置，將未煅燒積層片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未煅燒晶片。繼之，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量之未煅燒晶片於還原性環境下、或低氧分壓環境下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈進行煅燒(包含脫黏處理與煅燒處理)，製作煅燒晶片。
繼而，使用輥塗機等塗佈裝置，於煅燒晶片之長度方向端部分
別塗佈電極焊膏(沿用內部電極層用焊膏)進行乾燥，於上述同樣之環境下進行燒付處理，形成基底膜，且於該基底膜之上利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，製作外部電極12。順帶而言，各外部電極之基底膜亦可於對未煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏進行乾燥之後，藉由將該電極焊膏與未煅燒晶片同時進行煅燒而製作。
再者，圖7所示之積層陶瓷電容器10-3安裝於電路基板21所得之結構及其之較佳安裝例因與上述第1實施形態欄中所述之安裝結構(參照圖3)及較佳之安裝例相同，而將各自之說明省略。
圖8表示為確認利用圖7所示之積層陶瓷電容器10-3獲得之效果而準備之樣品7之規格與特性。順帶而言，圖8中為進行比較而合併記載圖4所示之樣品1之規格與特性。
圖8所示之樣品7係依據上述製造例而製作，且其基本規格如下所述。
<樣品7之基本規格>
除了上側保護部11b與下側保護部11c含有Mg以外，與樣品1相同。
再者，圖8之「Tb/H」數值、「Tc/H」數值、及「Tc/Tb」數值之計算方法、「音鳴」數值之測定方法、及用於測定之安裝結構之基本規格因與上述第1實施形態欄中所述之計算方法、測定方法、及安裝結構之基本規格相同，而將各自之說明省略。
如先前所述，可認為音鳴之理想上限值大體上為25db，因而，可認為圖8所示之樣品7、即圖7所示之積層陶瓷電容器10-3對於抑制音鳴較為有效。當然，圖7所示之積層陶瓷電容器10-3中，亦可適用上述第1實施例欄中所述之適於抑制音鳴之「Tb/H」之數值範圍、「Tc/H」之數值範圍、及「Tc/Tb」之數值範圍。
又，可藉由使下側保護部11c之介電常數低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數，而降低安裝狀態下施加電壓時產生於下側保護部11c之電場強度，更確實地實施上述第1實施形態欄中所述之傳遞應力之衰減，從而有助於抑制音鳴。
進而，由於上側保護部11b之組成與下側保護部11c之組成不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成，並且，下側保護部11c之厚度Tc厚於上側保護部11b之厚度Tb，因而，可基於與其他部分不同之上側保護部11b與下側保護部11c之外觀顏色、及下側保護部11c之厚度Tc，簡單地判別安裝積層陶瓷電容器10-3時之上下方向。
再者，於前面所述之製造例與樣品7中，為補充本第3實施形態欄之開頭中所述之要件M2，而例示了使上側保護部11b與下側保護部11c含有Mg之情形，但即便使該上側保護部11b及下側保護部11c含有Mg以外之選自Ca、Sr等鹼土類金屬元素中之1種，或含有2種以上鹼土類金屬元素(包含Mg)，均可獲得上述同樣之效果。又，使上側保護部11b與下側保護部11c無論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素中之1種以上，抑或是含有選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中之1種以上，而取代鹼土類金屬元素，均可獲得上述同樣之效果。即，若使上側保護部11b與下側保護部11c含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以上，則可獲得上述同樣之效果。當然，於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以上之情形時，若相較該含量而增加上側保護部11b與下側保護部11c中所含之含量，則可獲得上述同樣之效果。進而，即便為補充本第3實施形態欄之開頭中所述之要件M2，而使上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類不同於電容部11a中所含之複數個電介
質層11a2之主成分(電介質陶瓷)，仍可獲得上述同樣之效果。
《第4實施形態》
圖9表示適用本發明之積層陶瓷電容器10-4(第4實施形態)之基本結構。該積層陶瓷電容器10-4與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1不同之處在於：(M3)上側保護部11b之組成與下側保護部11c之組成不同，且上側保護部11b之組成與下側保護部11c之組成不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成。順帶而言，圖9中為便於圖示而表示合計32層之內部電極層11a1，但與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1相同，內部電極層11a1之層數並無特別限制。
此前階段中所述之「組成不同」除了表示構成成分不同以外，還表示構成成分相同但含量不同。作為實現此前段落中所述之「組成不同」之方法，可例示不改變上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類而改變副成分之含量或種類之方法、及改變上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類之方法。
若將抑制音鳴作為前提，則於此前段落中所述之前者之方法中，較佳為使上側保護部11b與下側保護部11c含有使其等低介電常數化之副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等鹼土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中之1種以上，且，使下側保護部11c之含量相較上側保護部11b之含量増加。又，於此前段落中所述之後者之方法中，作為上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)，較理想為選擇使其等低介電常數化般之2種電介質陶瓷。於該情形時，上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之介電常數變得低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數，且下側保護部11c之介電常數變得低於上側保護部11b之介電常數。
此處，介紹圖9所示之積層陶瓷電容器10-4之較佳之製造例。於電容部11a中所含之複數個內部電極層11a1之主成分為鎳，電容部11a中所含之複數個電介質層11a2、上側保護部11b、及下側保護部11c之主成分為鈦酸鋇之情形，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之內部電極層用焊膏，並且準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑之第1陶瓷漿料、於第1陶瓷漿料中適量添加MgO所得之第2陶瓷漿料、及於第1陶瓷漿料中相較第2陶瓷漿料添加更多之MgO所得之第3陶瓷漿料。
繼而，使用塗佈機等塗敷裝置與乾燥裝置，於載體膜上塗敷第1陶瓷漿料進行乾燥，製作第1生片，並且於另外之載體膜上塗敷第2陶瓷漿料進行乾燥，製作第2生片(含有MgO)，且於另外之載體膜上塗敷第3陶瓷漿料進行乾燥，製作第3生片(含有MgO)。又，使用網版印刷機等印刷裝置與乾燥裝置，於第1生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第4生片，並且於第3生片(含有MgO)上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第5生片(含有MgO)。
繼而，使用沖切刀片及具有加熱器之吸附頭等積層裝置，將自第3生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與下側保護部11c對應之部位。繼而，於自第5生片(含有MgO)沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)之上，將自第4生片沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)積層至特定片數進行熱壓接，製作與電容部11a對應之部位。繼而，將自第2生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與上側保護部11b對應之部位。繼而，使用熱等靜壓壓製機等主壓接裝
置，將依序積層各部位所得者最終進行主熱壓接，製作未煅燒積層片。
繼而，使用分割機等切斷裝置，將未煅燒積層片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未煅燒晶片。繼之，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量之未煅燒晶片於還原性環境下、或低氧分壓環境下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈實施煅燒(包含脫黏處理與煅燒處理)，製作煅燒晶片。
繼而，使用輥塗機等塗佈裝置，於煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏(沿用內部電極層用焊膏)進行乾燥，於上述同樣之環境下進行燒付處理，形成基底膜，且於該基底膜之上利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，製作外部電極12。順帶而言，各外部電極之基底膜可於對未煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏進行乾燥之後，藉由將該電極焊膏與未煅燒晶片同時進行煅燒而製作。
再者，圖9所示之積層陶瓷電容器10-4安裝於電路基板21而成之結構及其之較佳安裝例因與上述第1實施形態欄中所述之安裝結構(參照圖3)及較佳之安裝例相同，而將各自之說明省略。
圖10表示為確認利用圖9所示之積層陶瓷電容器10-4獲得之效果而準備之樣品8之規格與特性。順帶而言，圖10中，為進行比較而合併記載圖4所示之樣品1之規格與特性。
圖10所示之樣品8係依據上述製造例而製作，且其基本規格如下所述。
<樣品8之基本規格>
除了上側保護部11b與下側保護部11c含有Mg，且下側保護部11c之Mg含量多於上側保護部11b之Mg含量以外，與樣品1相同。
再者，圖10之「Tb/H」數值、「Tc/H」數值、及「Tc/Tb」數值之
計算方法、「音鳴」數值之測定方法、以及用於測定之安裝結構之基本規格因與上述第1實施形態欄中所述之計算方法、測定方法、安裝結構之基本規格相同，而將各自之說明省略。
如先前所述，可認為音鳴之理想上限值大體上為25db，因而，可認為圖10所示之樣品8、即圖9所示之積層陶瓷電容器10-4對於抑制音鳴較為有效。當然，圖9所示之積層陶瓷電容器10-4中，亦可適用上述第1實施例欄中所述之適於抑制音鳴之「Tb/H」之數值範圍、「Tc/H」之數值範圍、及「Tc/Tb」之數值範圍。
又，可藉由使下側保護部11c之介電常數低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數，而降低安裝狀態下施加電壓時產生於下側保護部11c之電場強度，更確實地進行上述第1實施形態欄中所述之傳遞應力之衰減，從而有助於抑制音鳴。
進而，由於上側保護部11b之組成與下側保護部11c之組成不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成，並且，下側保護部11c之厚度Tc厚於上側保護部11b之厚度Tb，因而，可基於與其他部分不同之上側保護部11b與下側保護部11c之外觀顏色、及下側保護部11c之厚度Tc，簡單地判別安裝積層陶瓷電容器10-4時之上下方向。
再者，於前面所述之製造例與樣品8中，為補充本第4實施形態欄之開頭中所述之要件M3，而例示了使上側保護部11b與下側保護部11c含有Mg之情形，但即便使該上側保護部11b及下側保護部11c，含有Mg以外之選自Ca、Sr等鹼土類金屬元素中之1種，或者含有2種以上之鹼土類金屬元素(含有Mg)，仍可獲得上述同樣之效果。又，使上側保護部11b與下側保護部11c無論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素中之1種以上，抑或是含有選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中之1種以上，而取代鹼土類金屬元素，仍可獲得上述同樣之效果。即，若使上
側保護部11b與下側保護部11c含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以上，則可獲得上述同樣之效果。當然，於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以上之情形時，若相較該含量使上側保護部11b與下側保護部11c中所含之含量増加，則可獲得上述同樣之效果。進而，即便為補充本第4實施形態欄之開頭中所述之要件M3，而使上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之主成分(電介質陶瓷)，仍可獲得上述同樣之效果。
《第5實施形態》
圖11表示適用本發明之積層陶瓷電容器10-5(第5實施形態)之基本結構。該積層陶瓷電容器10-5與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1不同之處在於：(M4)上側保護部11b之組成與下側保護部11c之上部分11c1之組成相同，上側保護部11b之組成與下側保護部11c之上部分11c1之組成不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成，且下側保護部11c之除了上部分11c1以外之下部分11c2之組成均不同於上側保護部11b之組成、下側保護部11c之上部分11c1之組成、及電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成。順帶而言，圖11中為便於圖示而表示合計32層之內部電極層11a1，但與圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器10-1相同，內部電極層11a1之層數並無特別限制。
此前階段中所述之「組成不同」除了表示構成成分不同，而且表示構成成分相同但含量不同。作為實現此前段落中所述之「組成不同」之方法，可例示不改變上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類而改變副成分之含量或種類之方法、及改變上側保護部11b與下側保護部11c之主成分(電介質陶瓷)之種類之方法。
若將抑制音鳴作為前提，則於此前段落中所述之前者之方法
中，較佳為使上側保護部11b與下側保護部11c之上部分11c1及下部分11c2含有使其等低介電常數化般之副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等鹼土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中之1種以上，且使下側保護部11c之下部分11c2之含量相較上側保護部11b之含量與下側保護部11c之上部分11c1之含量増加。又，於此前段落中所述之後者之方法中，作為上側保護部11b、下側保護部11c之上部分11c1及下側保護部11c之下部分11c2之主成分(電介質陶瓷)，較理想為選擇使其等低介電常數化般之2種電介質陶瓷。於該情形時，上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之上部分11c1之介電常數變得相等，上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之上部分11c1之介電常數變得低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數，且下側保護部11c之下部分11c2之介電常數變得低於上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之上部分11c1之介電常數。
此處，介紹圖11所示之積層陶瓷電容器10-5之較佳之製造例。於電容部11a中所含之複數個內部電極層11a1之主成分為鎳，電容部11a中所含之複數個電介質層11a2、上側保護部11b及下側保護部11c之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之內部電極層用焊膏，並且準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑之第1陶瓷漿料、於第1陶瓷漿料中適量添加MgO而成之第2陶瓷漿料、及於第1陶瓷漿料中比第2陶瓷漿料添加更多之MgO而成之第3陶瓷漿料。
繼而，使用塗佈機等塗敷裝置與乾燥裝置，於載體膜上塗覆第1陶瓷漿料進行乾燥，製作第1生片，並且於另外之載體膜上塗覆第2陶瓷漿料進行乾燥，製作第2生片(含有MgO)，且於另外之載體膜上塗
覆第3陶瓷漿料進行乾燥，製作第3生片(含有MgO)。又，使用網版印刷機等印刷裝置與乾燥裝置，於第1生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第4生片，並且於第2生片(含有MgO)上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內部電極層用焊膏進行乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第5生片(含有MgO)。
繼而，使用沖切刀片及具有加熱器之吸附頭等積層裝置，將自第3生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與下側保護部11c之下部分11c2對應之部位。繼而，將自第2生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與下側保護部11c之上部分11c1對應之部位。繼而，於自第5生片(含有MgO)沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)之上，將自第4生片沖切所得之單位片材(包含內部電極層用圖案群)積層至特定片數進行熱壓接，製作與電容部11a對應之部位。繼而，將自第2生片(含有MgO)沖切所得之單位片材積層至特定片數進行熱壓接，製作與上側保護部11b對應之部位。繼而，使用熱等靜壓壓製機等主壓接裝置，將依序積層各部位所得者最終進行主熱壓接，製作未煅燒積層片。
繼而，使用分割機等切斷裝置，將未煅燒積層片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未煅燒晶片。繼而，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量之未煅燒晶片於還原性環境下、或低氧分壓環境下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈實施煅燒(包含脫黏處理與煅燒處理)，製作煅燒晶片。
繼而，使用輥塗機等塗佈裝置，於煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏(沿用內部電極層用焊膏)進行乾燥，且於上述同樣之環境下進行燒付處理，形成基底膜，且於該基底膜之上，利用電解電
鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜及表面膜，製作外部電極12。順帶而言，各外部電極之基底膜可於未煅燒晶片之長度方向端部分別塗佈電極焊膏進行乾燥之後，藉由將該電極焊膏與未煅燒晶片同時進行煅燒而製作。
再者，圖11所示之積層陶瓷電容器10-5安裝於電路基板21所得之結構及其之較佳安裝例因與上述第1實施形態欄中所述之安裝結構(參照圖3)及較佳之安裝例相同，而將各自之說明省略。
圖12表示為確認利用圖11所示之積層陶瓷電容器10-5獲得之效果而準備之樣品9之規格與特性。順帶而言，於圖12中，為進行比較而合併記載圖4所示之樣品1之規格與特性。
圖12所示之樣品9係依據上述製造例而製作，且其基本規格如下所述。
<樣品9之基本規格>
除了下側保護部11c之厚度Tc(210μm)中，上部分11c1之厚度Tc1為25μm，下部分11c2之厚度Tc2為185μm，上部分11c1、下部分11c2及上側保護部11b含有Mg，且下側保護部11c之下部分11c2之Mg含量多於上側保護部11b與下側保護部11c之上部分11c1之Mg含量以外，與樣品1相同。
再者，圖12之「Tb/H」數值、「Tc/H」數值、及「Tc/Tb」數值之計算方法、「音鳴」數值之測定方法、及用於測定之安裝結構之基本規格，因與上述第1實施形態欄中所述之計算方法、測定方法及安裝結構之基本規格相同，而將各自之說明省略。
如先前所述，可認為音鳴之理想上限值大體上為25db，因此，可認為圖12所示之樣品9、即圖11所示之積層陶瓷電容器10-5對於抑制音鳴較為有效。當然，圖11所示之積層陶瓷電容器10-5中，亦可適用上述第1實施例欄中所述之適於抑制音鳴之「Tb/H」之數值範圍、
「Tc/H」之數值範圍、及「Tc/Tb」之數值範圍。
又，可藉由使上側保護部11b之介電常數與下側保護部11c之上部分11c1之介電常數低於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之介電常數，且使下側保護部11c之下部分11c2之介電常數低於下側保護部11c之上部分11c1之介電常數，而降低安裝狀態下施加電壓時產生於下側保護部11c之電場強度，更確實地進行上述第1實施形態欄中所述之傳遞應力之衰減，從而有助於抑制音鳴。
進而，由於上側保護部11b之組成、下側保護部11c之上部分11c1之組成及下側保護部11c之下部分11c2之組成不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之組成，並且，下側保護部11c之厚度Tc厚於上側保護部11b之厚度Tb，因而，可基於與其他部分不同之上側保護部11b與下側保護部11c之外觀顏色、及下側保護部11c之厚度Tc，簡單地判別安裝積層陶瓷電容器10-5時之上下方向。
再者，於前面所述之製造例與樣品9中，為補充本第5實施形態欄之開頭中所述之要件M4，而例示了使上側保護部11b、下側保護部11c之上部分11c1、及下側保護部11c之下部分11c2含有Mg之情形，但即便使該上側保護部11b、下側保護部11c之上部分11c1、及下側保護部11c之下部分11c2含有Mg以外之選自Ca、Sr等鹼土類金屬元素中之1種，或者含有2種以上之鹼土類金屬元素(含有Mg)，均可獲得上述同樣之效果。又，使上側保護部11b、下側保護部11c之上部分11c1、及下側保護部11c之下部分11c2，無論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過渡金屬元素中之1種以上，抑或是含有選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中之1種以上，均可獲得上述同樣之效果。即，若使上側保護部11b、下側保護部11c之上部分11c1、及下側保護部11c之下部分11c2含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以
上，則可獲得上述同樣之效果。當然，於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2含有選自上述鹼土類金屬元素、上述過渡金屬元素、及上述稀土類元素中之1種以上之情形時，若相較該含量，使上側保護部11b、下側保護部11c之上部分11c1、及下側保護部11c之下部分11c2中所含之含量増加，則可獲得上述同樣之效果。進而，即便為補充本第5實施形態欄之開頭中所述之要件M4，而使上側保護部11b、下側保護部11c之上部分11c1、及下側保護部11c之下部分11c2之主成分(電介質陶瓷)之種類不同於電容部11a中所含之複數個電介質層11a2之主成分(電介質陶瓷)，仍可獲得上述同樣之效果。
《其他實施形態》
(1)於第1實施形態欄~第5實施形態欄中，例示了電容器本體11之高度H大於寬度W之積層陶瓷電容器10-1~10-5，但於可使電容部11a之厚度Ta變薄之情形時，無論電容器本體之高度H與寬度W相同，抑或是電容器本體之高度H小於寬度W，均可使下側保護部11c之厚度Tc厚於上側保護11b之厚度Tb，使電容部11a偏向位於電容器本體11之高度方向上側。
(2)於第2實施形態欄與第5實施形態欄中，作為電容器本體11之下側保護層11c之下部分11c2，例示了將電介質陶瓷作為主成分之情形，但亦可以利用電介質陶瓷以外之電介質、例如Li-Si系、B-Si系、Li-Si-Ba系、B-Si-Ba系玻璃、或使氧化矽或氧化鋁等填充劑分散於其等中所得之玻璃、及環氧樹脂或聚醯亞胺等熱硬化性塑料形成該下部分11c2。於該情形時，較佳為如下方法：於第2實施形態欄及第5實施形態欄中所述之製造例之未煅燒積層片步驟中，製作將下側保護層11c之下部分11c2去除所得者之後，對其利用黏合劑等貼合與該下部分11c2對應之片狀物等。
10-1‧‧‧積層陶瓷電容器
11‧‧‧電容器本體
11a‧‧‧電容部
11a1‧‧‧內部電極層
11a2‧‧‧電介質層
11b‧‧‧上側保護部
11c‧‧‧下側保護部
12‧‧‧外部電極
L‧‧‧電容器本體之長度
H‧‧‧電容器本體之長度
Ta‧‧‧電容部之厚度
Tb‧‧‧上側保護部之厚度
Tc‧‧‧下側保護部之厚度
Claims (9)
- 一種積層陶瓷電容器，其係包含以長度、寬度及高度規定之大致長方體狀之電容器本體、及分別設置於上述電容器本體之長度方向端部之外部電極者，且上述電容器本體一體地具有：電容部，其係將複數個內部電極層介隔電介質層於高度方向上積層而成；電介質製之上側保護部，其位於上述複數個內部電極層中之最上層之內部電極層之上側；及電介質製之下側保護部，其位於上述複數個內部電極層中之最下層之內部電極層之下側；上述下側保護部之厚度厚於上述上側保護部之厚度，以使上述電容部偏向位於上述電容器本體之高度方向上側；當將上述電容器本體之高度設為H，上述上側保護部之厚度設為Tb，且上述下側保護部之厚度設為Tc時，上述高度H與上述厚度Tb滿足Tb/H≦0.06之條件，且，上述高度H與上述厚度Tc滿足0.31≦Tc/H≦0.50之條件。
- 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中當將上述上側保護部之厚度設為Tb，上述下側保護部之厚度設為Tc時，上述厚度Tb與上述厚度Tc滿足Tc/Tb≧4.6之條件。
- 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中當將上述電容器本體之高度設為H，寬度設為W時，上述高度H與上述寬度W滿足H>W之條件。
- 如請求項2之積層陶瓷電容器，其中當將上述電容器本體之高度設為H，寬度設為W時，上述高度H與上述寬度W滿足H>W之條件。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器，其中 上述上側保護部之組成及上述下側保護部之組成與上述電介質層之組成相同。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述上側保護部之組成及上述下側保護部之上部分之組成與上述電介質層之組成相同，且上述下側保護部之除上部分以外之下部分之組成不同於上述電介質層之組成。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述上側保護部之組成與上述下側保護部之組成相同，且上述上側保護部之組成與上述下側保護部之組成不同於上述電介質層之組成。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述上側保護部之組成與上述下側保護部之組成不同，且上述上側保護部之組成與上述下側保護部之組成均不同於上述電介質層之組成。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述上側保護部之組成與上述下側保護部之上部分之組成相同，上述上側保護部之組成與上述下側保護部之上部分之組成不同於上述電介質層之組成，且上述下側保護部之除上部分以外之下部分之組成與上述上側保護部之組成、上述下側保護部之上部分之組成、及上述電介質層之組成均不相同。
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