TWI811267B - 積層陶瓷電容器 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種兼具高耐濕性與大電容之積層陶瓷電容器。
本發明之積層陶瓷電容器具備電容形成部及保護部。上述電容形成部具有於第1方向上積層、與上述第1方向正交之第2方向之端部之位置於上述第2方向上於0.5 μm之範圍內相互對齊之複數個內部電極。上述保護部自上述第1及第2方向覆蓋上述電容形成部，且其外表面與上述複數個內部電極之上述第1方向之最外層之上述端部之間的最短距離超過10 μm。
Description
本發明係關於一種大型之積層陶瓷電容器。
於專利文獻1中，揭示有大型之積層陶瓷電容器。於此種大型之積層陶瓷電容器中，藉由內部電極之交叉面積之擴大、積層數之增加，可實現大電容化。藉此，積層陶瓷電容器可置換用作例如電解電容器。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-6964號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於積層陶瓷電容器中，重量會隨著大型化而增大。由此，於大型之積層陶瓷電容器中，即便於製造、安裝等時掉落約數cm時，亦會因本身重量造成較大衝擊。因此，大型之積層陶瓷電容器易產生裂痕。
於產生裂痕之積層陶瓷電容器中，存在若自外部環境滲入裂痕之水分到達內部電極，則無法確保內部電極間之充分之絕緣性之情況。因此，於積層陶瓷電容器中，隨著大型化，耐濕性之確保變得困難。
鑒於以上情況，本發明之目的在於提供一種兼具高耐濕性與大電容之積層陶瓷電容器。
[解決問題之技術手段]
為了達到上述目的，本發明之一形態之積層陶瓷電容器具備電容形成部及保護部。
上述電容形成部具有於第1方向上積層、與上述第1方向正交之第2方向之端部之位置於上述第2方向上於0.5 μm之範圍內相互對齊之複數個內部電極。
上述保護部自上述第1及第2方向覆蓋上述電容形成部，且其外表面與上述複數個內部電極之上述第1方向之最外層之上述端部之間的最短距離超過10 μm。
於該構成中，由於複數個內部電極之端部之位置對齊，故即便藉由壁厚較小之保護部，亦可適當保護複數個內部電極。因此，於該構成中，可減小保護部之壁厚，從而與此相對應地擴大內部電極之交叉面積。藉此，可實現大電容化而不導致大型化。如此，於該構成中，由於重量不會因大電容化而增大，故裂痕變得不易產生。
又，於該構成中，保護部之外表面與內部電極之最外層之端部之間的最短距離超過10 μm。即，於保護部中，於覆蓋內部電極之最外層之端部之周圍的稜部中，壁厚得以充分地確保。由此，於保護部之稜部，即便因掉落時之衝擊產生裂痕，滲入裂痕內之水分亦不易到達內部電極。
如此，於該積層陶瓷電容器中，不易產生裂痕，而且，即便產生裂痕亦不易使耐濕性受損。
上述保護部之上述外表面之與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之露出尺寸可為1 mm以上。
於該構成中，保護部之外表面之露出尺寸較大，雖然保護部容易受到衝擊，但藉由上述之構成而使耐濕性不易受損。
上述複數個內部電極之積層數可為500層以上。
於該構成中，可獲得更大電容之積層陶瓷電容器。
[發明之效果]
本發明可提供一種兼具高耐濕性與大電容之積層陶瓷電容器。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。
於圖式中，適當表示有相互正交之X軸、Y軸、及Z軸。X軸、Y軸、及Z軸於所有圖中共通。
1.積層陶瓷電容器10之整體構成
圖1~3係表示本發明之一實施形態之積層陶瓷電容器10之圖。圖1係積層陶瓷電容器10之立體圖。圖2係積層陶瓷電容器10之沿圖1之A-A'線之剖視圖。圖3係積層陶瓷電容器10之沿圖1之B-B'線之剖視圖。
積層陶瓷電容器10具有重量為8 mg以上之大型且大電容之構成。於積層陶瓷電容器10中，典型而言，X軸方向之尺寸為1.6~5.7 mm左右，Y軸及Z軸方向之尺寸為0.8~5.0 mm左右。又，積層陶瓷電容器10之電容典型而言為100~1000 μF左右。
積層陶瓷電容器10可廣泛用於要求大電容之用途，典型而言，可用於以往利用電解電容器之用途。作為一例，積層陶瓷電容器10可置換用作廣泛用於行動通訊用固定型設備之電解電容器。
積層陶瓷電容器10具備陶瓷坯體11、第1外部電極14、及第2外部電極15。典型而言，陶瓷坯體11構成為具有朝向Z軸方向之2個主面、朝向Y軸方向之2個側面、及朝向X軸方向之2個端面之六面體。
外部電極14、15覆蓋陶瓷坯體11之端面，隔著陶瓷坯體11於X軸方向對向。外部電極14、15延出至陶瓷坯體11之端面向主面及側面。藉此，於外部電極14、15中，與X-Z平面平行之剖面、及與X-Y平面平行之剖面均為U字狀。
再者，外部電極14、15之形狀並不限定於圖1所示之形狀。例如，外部電極14、15亦可延伸至陶瓷坯體11之端面僅向一主面，與X-Z平面平行之剖面為L字狀。又，外部電極14、15亦可不延出至任何主面及側面。
外部電極14、15由電之良導體形成。作為形成外部電極14、15之電之良導體，例如可列舉以銅(Cu)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)等為主成分之金屬或合金。
陶瓷坯體11由介電陶瓷形成，具有積層體16、及側邊緣部17。積層體16具有朝向Z軸方向之2個主面M、及朝向Y軸方向之2個側面S。側邊緣部17分別被覆積層體16之2個側面S。
積層體16具有沿X-Y平面延伸之平板狀之複數個陶瓷層於Z軸方向上積層之構成。積層體16具有電容形成部18、及覆蓋部19。覆蓋部19自Z軸方向上下被覆電容形成部18，構成積層體16之2個主面M。
電容形成部18具有配置於複數個陶瓷層之間、沿X-Y平面延伸之片狀之複數個第1內部電極12及第2內部電極13。內部電極12、13沿Z軸方向交替配置。即，內部電極12、13隔著陶瓷層於Z軸方向上對向。
內部電極12、13遍及電容形成部18之Y軸方向之全寬形成，於積層體16之兩側面S露出。於陶瓷坯體11中，藉由覆蓋積層體16之兩側面S之側邊緣部17而確保積層體16之兩側面S之鄰接之內部電極12、13間之絕緣性。
覆蓋部19及側邊緣部17藉由自Y軸及Z軸方向覆蓋電容形成部18而構成為保護電容形成部18之保護部20。保護部20具有保護電容形成部免受積層陶瓷電容器10之製造、安裝時之掉落時等對陶瓷坯體11造成之衝擊的功能。
積層陶瓷電容器10由於具有重量為8 mg以上之大型之構成，故掉落時會因本身重量造成較大衝擊。由此，於積層陶瓷電容器10中，保護部20易產生裂痕。若該裂痕到達內部電極12、13，則外部環境之水分會導致內部電極12、13間之絕緣性降低。
特別是，於積層陶瓷電容器10中，可知若被施加3.0×10-6
J以上之衝擊能量，則容易產生裂痕。該衝擊能量相當於10 mg之積層陶瓷電容器10自3 cm之高度掉落並與其他積層陶瓷電容器10相碰撞時之能量。
又，於積層陶瓷電容器10中，保護部20之外表面之未被外部電極14、15覆蓋而露出之X軸方向之尺寸(露出尺寸)越大，則保護部20越容易受到衝擊。具體而言，於保護部20之外表面之露出尺寸為1 mm以上、進而為2.5 mm以上之情形時，保護部20特別容易產生裂痕。
本實施形態之積層陶瓷電容器10之保護部20具有即便於製造、安裝等之際在掉落時產生裂痕亦不易使耐濕性受損之構成。關於使保護部20之耐濕性不易受損之構成，於下述「保護部20之詳細構成」之項中將詳細進行說明。
第1內部電極12僅引出至陶瓷坯體11之一端部，第2內部電極13僅引出至陶瓷坯體11之另一端部。藉此，第1內部電極12僅與第1外部電極14連接，第2內部電極13僅與第2外部電極15連接。
藉由此種構成，於積層陶瓷電容器10中，當對第1外部電極14與第2外部電極15之間施加電壓時，電壓施加至第1內部電極12與第2內部電極13之間之複數個陶瓷層。藉此，於積層陶瓷電容器10中，儲存有與第1外部電極14與第2外部電極15之間之電壓相應之電荷。
於陶瓷坯體11中，為了增大內部電極12、13間之各陶瓷層之電容，使用高介電常數之介電陶瓷。作為高介電常數之介電陶瓷，例如可列舉以鈦酸鋇(BaTiO3
)為代表之包含鋇(Ba)及鈦(Ti)之鈣鈦礦結構之材料。
再者，陶瓷層可由鈦酸鍶(SrTiO3
)系、鈦酸鈣(CaTiO3
)系、鈦酸鎂(MgTiO3
)系、鋯酸鈣(CaZrO3
)系、鈦酸鋯酸鈣(Ca(Zr、Ti)O3
)系、鋯酸鋇(BaZrO3
)系、氧化鈦(TiO2
)系等構成。
內部電極12、13由電之良導體形成。作為形成內部電極12、13之電之良導體，典型而言，可列舉鎳(Ni)，另外亦可列舉以銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)等為主成分之金屬或合金。
再者，於圖2、3中，為了便於觀察積層構造，將內部電極12、13之總積層數大幅減少而表示為8層。然而，於積層陶瓷電容器10中，為了獲得如上述之大電容，內部電極12、13之總積層數較佳為500層以上。
又，本實施形態之積層陶瓷電容器10之基本構成並不限定於圖1~3所示之構成，可適當變更。例如，陶瓷坯體11及外部電極14、15之形狀可根據積層陶瓷電容器10被要求之大小、性能適當決定。
2.積層陶瓷電容器10之製造方法
圖4係表示積層陶瓷電容器10之製造方法之流程圖。圖5、6A、6B係模式性地表示積層陶瓷電容器10之製造過程之圖。以下，關於積層陶瓷電容器10之製造方法，將沿著圖4一面適當參照圖5、6A、6B一面進行說明。
2.1步驟S01：積層體製作
於步驟S01中，製作未煅燒之積層體16。具體而言，首先，將適當以特定之圖案印刷有內部電極12、13之複數個未煅燒之介電坯片積層。然後，將所積層之介電坯片於X軸及Y軸方向切斷而單片化，藉此，獲得未煅燒之積層體16。
圖5係步驟S01中所得之未煅燒之積層體16之立體圖。於積層體16中，側面S構成為切斷面，內部電極12、13之兩者於側面S露出。即，於步驟S01中所得之積層體16中，內部電極12、13之Y軸方向之端部之位置於側面S對齊。
2.2步驟S02：煅燒
於步驟S02中，對步驟S01中所得之未煅燒之積層體16進行煅燒。關於積層體16之煅燒溫度，例如於使用鈦酸鋇(BaTiO3
)系材料之情形時，煅燒溫度可設為1000~1300℃左右。又，煅燒可於例如還原性氣氛下、或低氧分壓氣氛下進行。
如此，於本實施形態中，對在下述步驟S03中形成側邊緣部17前之積層體16進行煅燒。藉此，可更確實地去除未煅燒之積層體16所含之溶劑、黏合劑。因此，於本實施形態中，可製造品質穩定之積層陶瓷電容器10。
2.3步驟S03：側邊緣部形成
於步驟S03中，藉由於步驟S02中所煅燒之積層體16之側面S設置側邊緣部17，而製作陶瓷坯體11。具體而言，於步驟S03中，藉由浸漬法於積層體16之側面S設置未煅燒之側邊緣部17，將未煅燒之側邊緣部17燒接於積層體16之側面S。
更詳細而言，首先，如圖6A所示，準備收容於容器中之陶瓷漿料SL，使以帶件T保持一側面S之積層體16之另一側面S與陶瓷漿料SL對向。可藉由陶瓷漿料SL中之溶劑、黏合劑之含量等調整側邊緣部17之厚度。
其次，將圖6A所示之積層體16向下方移動，使積層體16之側面S浸漬於陶瓷漿料SL。其後，如圖6B所示，將積層體16於側面S附著有陶瓷漿料SL之狀態下提起，藉此，於積層體16之側面S形成未煅燒之側邊緣部17。
繼而，藉由將積層體16轉印於與圖6B所示之帶件T不同之帶件而使積層體16之側面S之Y軸方向之朝向反轉。然後，於未形成側邊緣部17之積層體16之相反側之側面S，亦按與上述相同之要領形成未煅燒之側邊緣部17。
然後，對側面S形成有未煅燒之側邊緣部17之積層體16進行再煅燒。藉此，側邊緣部17燒結，並且將側邊緣部17燒接於積層體16之側面S。藉此，獲得積層陶瓷電容器10之陶瓷坯體11。
於燒接側邊緣部17時，與側邊緣部17之收縮行為相應之應力施加至積層體16與側邊緣部17之間。尤其於大型之積層陶瓷電容器10中，該應力易變大。存在因該應力導致側邊緣部17自積層體16之側面S剝離之情況。
關於該點，本實施形態之側邊緣部17由於係藉由陶瓷漿料SL之浸漬形成，故於未燒結之階段具有柔軟性。由此，因側邊緣部17之燒接時之收縮而施加至積層體16與側邊緣部17之間之應力得到抑制，因此，側邊緣部17之剝離不易發生。
再者，於積層體16之側面S設置未煅燒之側邊緣部17之方法並不限定於浸漬法。例如，亦可使用陶瓷片材代替陶瓷漿料SL。於該情形時，藉由以積層體16之側面S沖裁陶瓷片材，可於積層體16之側面S形成側邊緣部17。
又，可視需要於步驟S02前之未煅燒之積層體16之側面S設置未煅燒之側邊緣部17，形成未煅燒之陶瓷坯體11。藉此，於步驟S02中，可同時對構成陶瓷坯體11之積層體16及側邊緣部17進行煅燒。
2.4步驟S04：外部電極形成
於步驟S04中，於步驟S03中所得之陶瓷坯體11之X軸方向兩端部形成外部電極14、15，藉此，製作圖1~3所示之積層陶瓷電容器10。步驟S04中之外部電極14、15之形成方法可自公知之方法中任意選擇。
3.保護部20之詳細構成
3.1側邊緣部17之壁厚
於先前之未後安裝側邊緣部之製造方法中，藉由未煅燒之介電坯片上之內部電極之印刷圖案而形成側邊緣部。即，自單片化時之切斷面隔開與側邊緣部相對應之間隔而配置內部電極。由此，於單片化之時點成為具有側邊緣部之陶瓷坯體。
於此種先前之製造方法中，由於內部電極之印刷及積層之位置精度存在限制，故內部電極會發生位置偏移。因此，側邊緣部之壁厚易偏離設計值。由此，為了適當保護內部電極，考慮到內部電極之位置偏移，不得不放大設計側邊緣部之壁厚。
與此相對，如上所述，於本實施形態之積層陶瓷電容器10之製造方法中，內部電極12、13之Y軸方向之端部之位置於積層體16之側面S對齊。具體而言，內部電極12、13之Y軸方向之端部之位置於Y軸方向上於0.5 μm之範圍內相互對齊。
於本實施形態中，於如此內部電極12、13之Y軸方向之端部位置對齊之積層體16之側面S後安裝側邊緣部17。藉此，於本實施形態之積層陶瓷電容器10中，側邊緣部17之壁厚不易偏離設計值。
由此，於積層陶瓷電容器10中，決定側邊緣部17之壁厚時可不考慮先前之製造方法中所產生般之設計誤差。因此，於積層陶瓷電容器10中，可於能適當保護內部電極12、13之範圍內將側邊緣部17設為最小限度之壁厚。
因此，於積層陶瓷電容器10中，可減小側邊緣部17之壁厚，與此相對應地擴大內部電極12、13之Y軸方向之尺寸。藉此，於積層陶瓷電容器10中，可在不導致大型化下擴大內部電極12、13之交叉面積。
如此，於積層陶瓷電容器10中，即便實現大電容化，重量亦不會增大，即，由於掉落時之本身重量所導致之衝擊不會增大，故裂痕變得不易產生。因此，於本實施形態之積層陶瓷電容器10中，可兼具高耐濕性與大電容。
於積層陶瓷電容器10中，自大電容化之觀點而言，較佳為將側邊緣部17之最大壁厚抑制於50 μm以下。又，於積層陶瓷電容器10中，自確保內部電極12、13之保護性能之觀點而言，較佳為將側邊緣部17之最大壁厚確保為30 μm以上。
3.2保護部20之稜部20a
如圖3所示，於積層陶瓷電容器10之保護部20，形成有於X軸方向延伸之4個稜部20a。由於保護部20之稜部20a向外側突出，故易受到來自外部之衝擊。自緩和來自外部之衝擊之觀點而言，較佳為藉由倒角等而使保護部20之稜部20a帶有圓角。
圖7係放大表示積層陶瓷電容器10之圖3之一點鏈線所包圍之區域V之局部剖視圖。即，圖7表示保護部20之稜部20a附近。再者，於圖7中，僅表示有4個稜部20a中之1個，4個稜部20a均具有相同之構成。
於圖7中，表示自內部電極12、13之Z軸方向之最外層之Y軸方向之端部E至包含覆蓋部19及側邊緣部17之保護部20之外表面的最短距離D。即，最短距離D表示位於接近保護部20之稜部20a之位置的內部電極12、13之端部E周圍之保護部20之最小壁厚。
於積層陶瓷電容器10中，於內部電極12、13之端部E之周圍，保護部20之壁厚確保為最短距離D之大小以上。於本實施形態中，最短距離D大於10 μm。藉此，即便保護部20之稜部20a產生裂痕，裂痕亦不易到達內部電極12、13之端部E。
由此，於積層陶瓷電容器10中，滲入保護部20之稜部20a產生之裂痕之水分不易到達內部電極12、13。因此，於積層陶瓷電容器10中，由於內部電極12、13間之絕緣性不易被水分妨礙，故獲得高耐濕性。
此種利用保護部20而獲得高耐濕性之效果於重量為8 mg以上之積層陶瓷電容器10中可有效獲得，於重量為100 mg以上之積層陶瓷電容器10中可更有效獲得，於重量為300 mg以上之積層陶瓷電容器10中可更進一步有效獲得。
於圖7所示之構成中，保護部20之外表面之距內部電極12、13之端部E為最短距離D之位置位於側邊緣部17之帶圓角之Z軸方向之端部。然而，保護部20之構成並不限定於圖7所示之構成，例如亦可為圖8A~8C所示之構成。
於圖8A所示之構成中，與圖7所示之構成相比較，內部電極12、13落在Z軸方向內側，覆蓋部19之Z軸方向之厚度變大。於該構成中，保護部20之外表面之距內部電極12、13之端部E為最短距離D之位置位於較側邊緣部17之帶圓角之端部更靠Z軸方向內側之平坦部。
於圖8B所示之構成中，與圖7所示之構成相比較，內部電極12、13配置至Z軸方向外側，覆蓋部19之Z軸方向之厚度變小。於該構成中，保護部20之外表面之距內部電極12、13之端部E為最短距離D之位置位於覆蓋部19與側邊緣部17之連接部。
於圖8C所示之構成中，於圖8B所示之側邊緣部17，形成有自積層體16之側面S向主面M延出若干之延出部17a。於該構成中，保護部20之外表面之距內部電極12、13之端部E為最短距離D之位置位於覆蓋部19與側邊緣部17之延出部17a之交界部。
於圖8A~8C之任一構成中，藉由設為最短距離D超過10 μm之構成，與圖7所示之構成相同地，保護部20之稜部20a所產生之裂痕不易到達內部電極12、13之端部E。藉此，於積層陶瓷電容器10中，獲得高耐濕性。
4.實施例及比較例
對上述實施形態之實施例及比較例進行說明。以下所說明之實施例及比較例僅為用於確認上述實施形態之效果之一例。由此，上述實施形態之構成並不限定於實施例之構成。於實施例及比較例中，基於上述之製造方法製作以BaTiO3
為主成分之積層陶瓷電容器之樣品。
於實施例1~8及比較例1~11中，藉由變更大小，於8 mg以上且339 mg以下之範圍內製作各種重量之樣品各1000個。又，於實施例1~8中，均設為最短距離D超過10 μm之構成，於比較例1~11中，均設為最短距離D為10 μm以下之構成。
表1表示實施例1~8及比較例1~11之各樣品之大小、重量、及最短距離D。關於表1所示之實施例1~8及比較例1~11之各樣品之大小，「長度」表示X軸方向之尺寸，「寬度」表示Y軸方向之尺寸，「厚度」表示Z軸方向之尺寸。
[表1]
對於實施例1~8及比較例1~11之各樣品，使其自特定之高度掉落並與另外準備之相同之樣品相碰撞。其後，進行將各樣品於溫度為40℃且濕度為95%之環境下保持500小時之耐濕負荷試驗。然後，測定耐濕負荷試驗後各樣品之電阻，將電阻未達1 MΩ之樣品設為NG(不合格)。
表2、3表示耐濕負荷試驗之評價結果。於表2、3中，表示掉落時施加於各樣品之碰撞能量、耐濕負荷試驗中NG之樣品之比率即NG率。碰撞能量(J)可藉由「各樣品之重量(kg)×掉落高度(m)×重力加速度(m/s2
)」算出。
表2表示對於實施例1~8及比較例1~11之各樣品於掉落高度為3 cm時之耐濕負荷試驗之NG率。如表2所示，實施例1~8於耐濕負荷試驗中均未產生NG之樣品。另一方面，比較例1~11於耐濕負荷試驗中均產生NG之樣品。
[表2]
表3表示實施例1~8及比較例3、4、7、10、11之各樣品於掉落高度為5 cm時之耐濕負荷試驗之NG率。如表3所示，實施例1~8於耐濕負荷試驗中均未產生NG之樣品。另一方面，比較例3、4、7、10、11於耐濕負荷試驗中均產生NG之樣品。
[表3]
根據該等結果，可認為於實施例1~8之樣品之任一者中，保護部20均未產生到達內部電極12、13之裂痕。另一方面，可認為於比較例1~11之耐濕負荷試驗結果為NG之樣品中，保護部產生了到達內部電極之裂痕。
圖9A係總結耐濕負荷試驗之評價結果而得之圖表。於圖9A中，橫軸表示碰撞能量，縱軸表示耐濕負荷試驗之NG率。比較例之樣品觀察到碰撞能量越大則耐濕負荷試驗之NG率越發增加之傾向，可知保護部易產生到達內部電極之裂痕。
圖9B係變更圖9A中之橫軸為掉落高度而得之圖表。於通常之製造、安裝時設想之掉落高度為3 cm左右，最大不過5 cm左右。由此，可知於實施例1~8之樣品中，可有效地抑制通常之製造、安裝時之掉落時產生之裂痕所導致之耐濕性之降低。
又，於圖9B中，亦針對積層陶瓷電容器之小型品之樣品表示與實施例及比較例相同之耐濕負荷試驗之評價結果。具體而言，小型品之樣品之大小設為長度1.0 mm、寬度0.5 mm、厚度0.5 mm。又，小型品之樣品將重量設為2 mg，將最短距離D設為10 μm。
於小型品之樣品中，即便自遠大於通常之製造、安裝時設想之掉落高度之10 cm、甚至15 cm掉落，於耐濕負荷試驗中亦未產生NG之樣品。由此，可認為於小型品之樣品中，無論最短距離D是否為10 μm以下，保護部均未產生到達內部電極之裂痕。
對此，可認為於重量未達8 mg之積層陶瓷電容器之小型品中，即便掉落高度較高，碰撞能量亦不會變大，因此，不易產生裂痕。由此，於重量未達8 mg之小型品之樣品中，即便不設為最短距離D超過10 μm之構成，亦不易因產生裂痕而導致耐濕性降低。
10‧‧‧積層陶瓷電容器
11‧‧‧陶瓷坯體
12‧‧‧內部電極
13‧‧‧內部電極
14‧‧‧外部電極
15‧‧‧外部電極
16‧‧‧積層體
17‧‧‧側邊緣部
17a‧‧‧延出部
18‧‧‧電容形成部
19‧‧‧覆蓋部
20‧‧‧保護部
20a‧‧‧稜部
D‧‧‧最短距離
E‧‧‧端部
M‧‧‧主面
S‧‧‧側面
SL‧‧‧陶瓷漿料
T‧‧‧帶件
V‧‧‧區域
圖1係本發明之一實施形態之積層陶瓷電容器之立體圖。
圖2係上述積層陶瓷電容器之沿A-A'線之剖視圖。
圖3係上述積層陶瓷電容器之沿B-B'線之剖視圖。
圖4係表示上述積層陶瓷電容器之製造方法之流程圖。
圖5係上述製造方法之步驟S01中所製作之積層體之立體圖。
圖6A係模式性地表示上述製造方法之步驟S02之剖視圖。
圖6B係模式性地表示上述製造方法之步驟S02之剖視圖。
圖7係放大表示上述積層陶瓷電容器之圖3之區域V之局部剖視圖。
圖8A係表示上述積層陶瓷電容器之變化例之局部剖視圖。
圖8B係表示上述積層陶瓷電容器之變化例之局部剖視圖。
圖8C係表示上述積層陶瓷電容器之變化例之局部剖視圖。
圖9A係表示實施例及比較例之評價結果之圖表。
圖9B係表示實施例及比較例之評價結果之圖表。
12‧‧‧內部電極
13‧‧‧內部電極
16‧‧‧積層體
17‧‧‧側邊緣部
18‧‧‧電容形成部
19‧‧‧覆蓋部
20a‧‧‧稜部
D‧‧‧最短距離
E‧‧‧端部
M‧‧‧主面
S‧‧‧側面
V‧‧‧區域
Claims (4)
- 一種積層陶瓷電容器，其係重量為8mg以上者，且具備：陶瓷坯體，其包含電容形成部，上述電容形成部具有於第1方向上積層、與上述第1方向正交之第2方向之端部之位置於上述第2方向上於0.5μm之範圍內相互對齊之複數個內部電極；複數個外部電極，其等隔著上述陶瓷坯體於與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向上對向；及保護部，其自上述第1及第2方向覆蓋上述電容形成部，且其外表面與上述複數個內部電極之上述第1方向之最外層之上述端部之間的最短距離超過10μm；且於上述保護部之上述外表面，未被上述複數個外部電極覆蓋而露出之上述第3方向之露出尺寸為1mm以上。
- 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述複數個內部電極之積層數為500層以上。
- 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述保護部之第2方向上之最大厚度為30μm以上。
- 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述保護部之第2方向上之最大厚度為50μm以下。
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