TWI831779B - 積層陶瓷電子零件之製造方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 46
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000037387 scars Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本發明提供一種可抑制內部電極發生短路之積層陶瓷電子零件之製造方法。
積層陶瓷電子零件之製造方法中，製作積層體，該積層體具有：複數個陶瓷層，其積層於第1方向；複數個內部電極，其配置於上述複數個陶瓷層之間；及側面，其朝向正交於上述第1方向之第2方向，露出上述複數個內部電極。燒成上述積層體。於燒成之上述積層體之上述側面形成側邊緣部。該構成中，由於在形成側邊緣部之前燒成積層體，故於燒成時不易發生因內部電極變形所致之短路。
Description
本揭示係關於一種後續附加側邊緣部之積層陶瓷電子零件之製造方法。
於專利文獻1中揭示有大型積層陶瓷電容器。如此之大型積層陶瓷電容器中，可能因內部電極之交叉面積之擴大或積層數之增加而大電容化。藉此，積層陶瓷電容器例如可置換成電解電容器而使用。
又，於專利文獻2中，揭示有一種於使內部電極露出於側面之積層體內，後續附加用以確保內部電極周圍之絕緣性之側邊緣部之技術。該技術中，可較薄地形成側邊緣部，可相對較大地獲取內部電極之交叉面積。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-6964號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-209539號公報
於後續附加側邊緣部之技術中，愈大尺寸之積層陶瓷電容器，燒成時之積層體與側邊緣部之收縮舉動差異愈大。藉此，因自側邊緣部施加於積層體之側面之應力所致之內部電極之變形，而易產生內部電極之短路。
鑑於如上情況，本揭示之目的在於提供一種可抑制內部電極之短路產生之積層陶瓷電子零件之製造方法。
為達成上述目的，本揭示之一形態之積層陶瓷電子零件之製造方法，其係製作積層體，該積層體具有：複數個陶瓷層，其積層於第1方向；複數個內部電極，其配置於上述複數個陶瓷層之間；及側面，其朝向正交於上述第1方向之第2方向，露出上述複數個內部電極。
燒成上述積層體。
於燒成之上述積層體之上述側面形成側邊緣部。
以該構成，由於在形成側邊緣部前燒成積層體，故於燒成時不易產生因內部電極變形所致之短路。
亦可於形成有上述側邊緣部之上述積層體之上述複數個內部電極之上述第2方向之端部形成氧化區域。
以該構成，藉由於積層體之側面附近形成氧化區域，進而不易產生內部電極之短路。又，由於形成側邊緣部後形成氧化區域，故可良好地控
制氧化區域之尺寸。
上述氧化區域之上述第2方向之尺寸亦可為10μm以上。
以該構成，可有效抑制內部電極之短路產生。
上述積層陶瓷電子零件中，上述第1方向之尺寸亦可為0.8mm以上。
上述積層陶瓷電子零件中，上述複數個內部電極之積層數亦可為500層以上。
以該等構成，獲得高性能之積層陶瓷電子零件。
亦可藉由浸漬法形成上述側邊緣部。
以該構成，可更有效抑制內部電極之短路產生。
可提供一種可抑制內部電極之短路產生之積層陶瓷電子零件之製造方法。
10:積層陶瓷電容器
11:陶瓷坯體
12、112:第1內部電極(內部電極)
13、113:第2內部電極(內部電極)
12a、13a:氧化區域
14、15:外部電極
16:積層體
17:側邊緣部
18:電容形成部
19:蓋體部
101:第1陶瓷片
102:第2陶瓷片
103:第3陶瓷片
104:積層片
116:積層體
117:側邊緣部
200:鋸刀
H:傷痕
L:尺寸
Lx、Ly:切斷線
R1:延展部
R2:延展部
R3:異物
S:側面
S01~S07:步驟
SL:陶瓷漿料
T1:膠帶
T2:膠帶
V:區域
圖1係本揭示之一實施形態之積層陶瓷電容器之立體圖。
圖2係沿上述積層陶瓷電容器之A-A'線之剖視圖。
圖3係沿上述積層陶瓷電容器之B-B'線之剖視圖。
圖4係將上述積層陶瓷電容器之圖3之區域V放大顯示之部分剖視圖。
圖5係顯示上述積層陶瓷電容器之製造方法之流程圖。
圖6A-C係上述製造方法之步驟S01所準備之積層片之俯視圖。
圖7係顯示上述製造方法之步驟S02之積層片之立體圖。
圖8係顯示上述製造方法之步驟S03之積層片之俯視圖。
圖9A-C係顯示上述製造方法之步驟S03之積層片之剖視圖。
圖10A-C係例示上述製造方法之步驟S03後之積層體之側面之狀態之剖視圖。
圖11A、B係顯示上述製造方法之步驟S05之積層體之剖視圖。
圖12係顯示上述製造方法之步驟S06之積層體之部分剖視圖。
圖13係表示氧化區域之尺寸L與短路率之關係之圖表。
以下，一面參照圖式，一面說明本揭示之實施形態。
圖式中，適當地顯示互相正交之X軸、Y軸及Z軸。X軸、Y軸及Z軸於所有圖中共通。
1.積層陶瓷電容器10之構成
圖1~3係顯示本揭示之一實施形態之積層陶瓷電容器10之圖。圖1係積層陶瓷電容器10之立體圖。圖2係積層陶瓷電容器10之沿圖1之A-A'線之剖視圖。圖3係積層陶瓷電容器10之沿圖1之B-B'線之剖視圖。
積層陶瓷電容器10典型而言係構成為大型。大型積層陶瓷電容器10中，例如可將X軸方向之尺寸設為1.6~5.7mm左右，將Y軸及Z軸方向之尺寸設為0.8~5.0mm左右。又，積層陶瓷電容器10之電容典型而言為
100~1000μF左右。
大型積層陶瓷電容器10可廣泛使用於要求大電容之用途中，典型而言，可使用於利用電解電容器之用途中。作為一例，積層陶瓷電容器10可置換成廣泛使用於移動體通信用固定式機器之電解電容器而使用。
積層陶瓷電容器10具備陶瓷坯體11、第1外部電極14及第2外部電極15。陶瓷坯體11典型而言，構成為具有朝向X軸方向之2個端面、朝向Y軸方向之2個側面、及朝向Z軸方向之2個主面之六面體。
外部電極14、15覆蓋陶瓷坯體11之端面，隔著陶瓷坯體11於X軸方向對向。外部電極14、15自陶瓷坯體11之端面延伸至主面及側面。藉此，於外部電極14、15，與X-Z平面平行之剖面，及與X-Y平面平行之剖面均呈U字狀。
另，外部電極14、15之形狀不限於圖1所示者。例如，外部電極14、15亦可自陶瓷坯體11之端面僅向一主面延伸，與X-Z平面平行之剖面呈L字狀。又，外部電極14、15亦可不向任一主面及側面延伸出。
外部電極14、15係藉由電性之良導體形成。作為形成外部電極14、15之電性之良導體，列舉例如以銅(Cu)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)等為主成分之金屬或合金。
陶瓷坯體11以介電陶瓷形成，具有積層體16及側邊緣部17。積層體16具有朝向X軸方向之2個端面、朝向Y軸方向之2個側面S、及朝向Z軸方向之2個主面。側邊緣部17分別被覆積層體16之2個側面S。
積層體16具有沿X-Y平面延伸之平板狀複數個陶瓷層積層於Z軸方向之構成。積層體16具有電容形成部18及蓋體部19。蓋體部19自Z軸方向上下被覆電容形成部18，構成積層體16之2個主面。
電容形成部18具有配置於複數個陶瓷層之間，沿X-Y平面延伸之薄片狀複數個第1內部電極12及第2內部電極13。內部電極12、13係沿Z軸方向交替配置。即，內部電極12、13隔著陶瓷層與Z軸方向對向。
內部電極12、13遍及電容形成部18之Y軸方向之整個寬度而形成，露出於積層體16之兩側面S。陶瓷坯體11中，可藉由覆蓋積層體16之兩側面S之側邊緣部17，良好地保護露出於積層體16之兩側面S之內部電極12、13。
將第1內部電極12僅拉出至陶瓷坯體11之一端面，將第2內部電極13僅拉出至陶瓷坯體11之另一端面。藉此，第1內部電極12僅連接於第1外部電極14，第2內部電極13僅連接於第2外部電極15。
藉由如此之構成，積層陶瓷電容器10中，若對第1外部電極14與第2外部電極15間施加電壓，則對第1內部電極12與第2內部電極13間之複數
個陶瓷層施加電壓。藉此，積層陶瓷電容器10中，蓄積與第1外部電極14與第2外部電極15間之電壓對應之電荷。
陶瓷坯體11中，為了增大內部電極12、13間之各陶瓷層之電容，而使用高介電常數之介電陶瓷。作為高介電常數之介電陶瓷，列舉例如以鈦酸鋇(BaTiO3)為代表之包含鋇(Ba)及鈦(Ti)之鈣鈦礦構造之材料。
另，陶瓷層亦可以鈦酸鍶(SrTiO3)、鈦酸鈣(CaTiO3)、鈦酸鎂(MgTiO3)、鋯酸鈣(CaZrO3)、鋯酸鈦酸鈣(Ca(Zr，Ti)O3)、鋯酸鋇(BaZrO3)、氧化鈦(TiO2)等之組成系構成。
內部電極12、13係藉由電性良導體形成。作為形成內部電極12、13之電性良導體，典型而言，列舉鎳(Ni)，此外列舉以銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)等為主成分之金屬或合金。
圖4係將積層陶瓷電容器10之圖3之一點鏈線所包圍之區域V放大顯示之部分剖視圖。圖4係顯示內部電極12、13之Y軸方向之端部。於內部電極12、13，於隣接於積層體16之側面S之Y軸方向之兩端部形成有氧化區域12a、13a。
氧化區域12a、13a係以包含構成內部電極12、13之金屬元素之氧化物構成。因此，氧化區域12a、13a具有絕緣性。藉此，以積層陶瓷電容器10，可抑制積層體16之側面S及其附近之內部電極12、13之短路產生。
絕緣性氧化區域12a、13a無助於電容之形成。因此，氧化區域12a、13a之Y軸方向之尺寸L愈大，積層陶瓷電容器10之電容愈降低。但，電容較大之大型積層陶瓷電容器10中，可將因氧化區域12a、13a所致之電容降低視為誤差範圍內。
因此，以大型積層陶瓷電容器10，藉由於可確保必要電容之範圍內增大氧化區域12a、13a之尺寸L，而可更確實防止內部電極12、13之短路產生。由該觀點而言，氧化區域12a、13a之尺寸L較佳為10μm以上。
另，圖2、3係為易於觀察積層構造，將內部電極12、13之合計積層數相當地減少為8層而顯示。但，大型積層陶瓷電容器10中，為獲得大電容，內部電極12、13之合計積層數較佳為500層以上。
又，本實施形態之積層陶瓷電容器10之基本構成不限於圖1~3所示之構成，可適當變更。例如，陶瓷坯體11及外部電極14、15之形狀可根據積層陶瓷電容器10所要求之尺寸或性能而適當決定。
2.積層陶瓷電容器10之製造方法
圖5係顯示本實施形態之積層陶瓷電容器10之製造方法之流程圖。圖6~12係模式性顯示積層陶瓷電容器10之製造過程之圖。以下，針對積層陶瓷電容器10之製造方法，沿圖5一面適當參照圖6~12一面說明。
2.1步驟S01：準備陶瓷片
步驟S01中，準備用以形成電容形成部18之第1陶瓷片101及第2陶瓷片102、及用以形成蓋體部19之第3陶瓷片103。陶瓷片101、102、103係構成為以介電陶瓷為主成分之未燒成介電質坯片。
陶瓷片101、102、103例如使用輥塗機或刮刀等形成為薄片狀。將陶瓷片101、102之厚度根據燒成後之電容形成部18之陶瓷層之厚度加以調整。陶瓷片103之厚度可適當調整。
圖6係陶瓷片101、102、103之俯視圖。該階段中，陶瓷片101、102、103未單片化。圖6係顯示要單片化為各個積層陶瓷電容器10時之切斷線Lx、Ly。切斷線Lx與X軸平行，切斷線Ly與Y軸平行。
如圖6所示，於第1陶瓷片101形成有對應於第1內部電極12之未燒成第1內部電極112，於第2陶瓷片102形成有對應於第2內部電極13之未燒成第2內部電極113。另，於對應於蓋體部19之第3陶瓷片103未形成內部電極。
內部電極112、113可藉由以對應於燒成後之電容形成部18之內部電極12、13之厚度，將任意的導電性膏塗佈於陶瓷片101、102而形成。作為導電性膏之塗佈方法，可使用例如絲網印刷法或凹版印刷法。
於內部電極112、113，沿切斷線Ly之X軸方向之間隙係間隔1條切斷
線Ly形成。第1內部電極112之間隙與第2內部電極113之間隙係於X軸方向相互錯位地配置。即，通過第1內部電極112之間隙之切斷線Ly及通過第2內部電極113之間隙之切斷線Ly交替排列。
2.2步驟S02：積層
步驟S02中，藉由將步驟S01準備之陶瓷片101、102、103如圖7所示般積層而製作積層片104。積層片104中，將對應於電容形成部18之第1陶瓷片101及第2陶瓷片102於Z軸方向交替積層。
又，積層片104中，於交替積層之陶瓷片101、102之Z軸方向上下面，積層對應於蓋體部19之第3陶瓷片103。另，圖7所示例中，將第3陶瓷片103分別各積層3片，但第3陶瓷片103之片數可適當變更。
積層片104藉由壓接陶瓷片101、102、103而一體化。對於陶瓷片101、102、103之壓接，較佳例如使用等靜壓加壓或單軸加壓等。藉此，可將積層片104高密度化。
2.3步驟S03：切斷
步驟S03中，藉由將步驟S02所得之積層片104如圖8所示，以膠帶T1固定之狀態沿切斷線Lx、Ly切斷，而製作未燒成之積層體116。積層體116對應於燒成後之積層體16。積層片104之切斷可使用例如鋸刀或旋轉刀等。
圖9係顯示使用具備鋸刀200之切斷裝置，將積層片104切斷之製程之剖視圖。鋸刀200如圖9(A)所示，以其前端朝向Z軸方向下方之狀態，配置於經固定於膠帶T1之積層片104之Z軸方向上側。
自圖9(A)所示狀態後，如圖9(B)所示，使鋸刀200於Z軸方向下方移動，直至鋸刀200之前端到達膠帶T1為止，將積層片104切斷。並且，如圖9(C)所示，使鋸刀200於Z軸方向上方移動，將鋸刀200自積層片104抽出。
藉此，積層片104單片化成複數個積層體116。積層片104之沿X軸方向之切斷面成為積層體116之朝向Y軸方向之側面S。圖10係例示步驟S03中剛單片化後之積層體116之側面S之狀態之擴大剖視圖。
於圖10(A)所示之積層體116之側面S，因鋸刀200之異物夾帶等，而形成傷痕H。形成傷痕H之過程中，若鋸刀200沿積層體116之側面S拖拽到內部電極112、113，則內部電極112、113沿傷痕H拉長，藉此形成延展部R1。
於圖10(B)所示之積層體116之側面S，未形成如圖10(A)所示之傷痕H。但，於該情形時，若鋸刀200亦沿積層體116之側面S拖拽到內部電極112、113，則內部電極112、113沿側面S拉長，而形成延展部R2。
於圖10(C)示之積層體116之側面S，附著具有導電性之異物R3。作
為步驟S03中假設附著於積層體116之側面S之異物R3，列舉例如於切斷過程中自內部電極112、113或鋸刀200等產生之金屬性異物。
若延展部R1、R2自內部電極112、113之一者到達另一者，或異物R3遍及內部電極112、113之兩者附著，則內部電極112、113彼此經由延展部R1、R2或異物R3連接。如此，有於積層體116之側面S，產生內部電極112、113短路之情形。
本實施形態中，即使於步驟S03之階段，產生積層體116之側面S之內部電極112、113之短路，亦可於後述之步驟S06(形成氧化區域)中消除短路。因此，步驟S03中，無需消除積層體116之側面S之內部電極112、113之短路。
2.4步驟S04：燒成
步驟S04中，將步驟S03所得之未燒成之積層體116予以燒成。藉此，獲得積層體16。積層體116之燒成溫度例如於使用鈦酸鋇系材料之情形時，可設為1000~1300℃左右。燒成例如可於還原氛圍下或低氧分壓氛圍下進行。
如此，本實施形態中，於後述之步驟S05中將形成側邊緣部117前之積層體116予以燒成。藉此，可將未燒成之積層體116所含之溶劑或黏合劑自側面S良好地去除。因此，本實施形態中，可製造穩定品質之積層陶瓷電容器10。
2.5步驟S05：形成側邊緣部
步驟S05中，藉由於步驟S04燒成之積層體16之側面S設置側邊緣部17，而製作陶瓷坯體11。具體而言，步驟S05中，將以浸漬法設置於積層體16之側面S之未燒成之側邊緣部117燒接於積層體16之側面S。
更詳細而言，首先，如圖11(A)所示，準備收納於容器之陶瓷漿料SL，使以膠帶T2保持一側面S之積層體16之另一側面S與陶瓷漿料SL對向。可根據陶瓷漿料SL之溶劑或黏合劑之含量等，調整側邊緣部117之厚度。
接著，藉由使圖11(A)所示之積層體16於下方移動，而將積層體16之側面S浸漬於陶瓷漿料SL。其後，如圖11(B)所示，藉由將積層體16以陶瓷漿料SL附著於側面S之狀態拉起，而於積層體16之側面S形成側邊緣部117。
接著，藉由將積層體16轉印於與圖11(B)所示之膠帶T2不同之膠帶，而使積層體16之側面S之Y軸方向之朝向反轉。並且，亦於未形成側邊緣部117之積層體16之另一側面S，以與上述相同之要領形成未燒成之側邊緣部117。
並且，將於側面S形成有側邊緣部117之積層體16再燒成。藉此，側邊緣部117燒結而成為側邊緣部17，且燒接於積層體16之側面S。藉此，
獲得具有側邊緣部17之陶瓷坯體11。
一般而言，於積層體116設置側邊緣部117後同時燒成積層體116及側邊緣部117之方法中，因積層體116與側邊緣部117之收縮舉動之差異，而對積層體116之側面S施加應力。藉此，易產生因內部電極112、113之變形所致之短路。
燒成時之積層體116與側邊緣部117之收縮舉動之差異於Z軸方向上易變大。因此，Z軸方向之尺寸為0.8mm以上之積層陶瓷電容器10易產生短路，Z軸方向之尺寸為1.25mm以上之積層陶瓷電容器10進而易產生短路。
即，具體而言，1608尺寸(1.6mm×0.8mm×0.8mm)以上之積層陶瓷電容器10易產生短路，2012尺寸(2.0mm×1.25mm×1.25mm)以上之積層陶瓷電容器10進而易產生短路。
相對於此，本實施形態中，於步驟S04中預先燒結之積層體16，於步驟S05形成側邊緣部17。即，積層體16及側邊緣部17係於不同階段燒結。因此，本實施形態中，積層體16與側邊緣部17之燒結舉動之差異不會成為問題。
因此，本實施形態中，即使1608尺寸以上，進而2012尺寸以上之大型積層陶瓷電容器10，亦不易產生積層體16之側面S附近之內部電極
112、113之變形。藉此，可抑制積層體16之側面S及其附近之短路產生。
另，本實施形態中，燒接側邊緣部117時，對積層體16之側面S施加側邊緣部117收縮產生之應力。但，由於以陶瓷漿料SL之浸漬形成之側邊緣部117具有柔軟性，故抑制施加於積層體16之側面S之應力。
另，於積層體16之側面S設置未燒成之側邊緣部117之方法不限於浸漬法。例如，亦可取代陶瓷漿料SL使用陶瓷片。該情形時，亦可藉由於積層體16之側面S將陶瓷片打穿，而於積層體16之側面S形成側邊緣部117。
2.6步驟S06：形成氧化區域
步驟S06中，於步驟S05中形成側邊緣部17之陶瓷坯體11之內部電極12、13形成氧化區域12a、13a。更詳細而言，如圖12所示，藉由使內部電極12、13之氧化自積層體16之側面S開始進行，而形成氧化區域12a、13a。
步驟S06中，即使因圖10所示之延展部R1、R2或異物R3等而於積層體16之側面S，內部電極12、13短路之情形，延展部R1、R2或異物R3亦隨內部電極12、13一起氧化。藉此，可消除積層體16之側面S之內部電極12、13之短路。
步驟S06之氧化區域12a、13a之形成方法只要使內部電極12、13之
氧化自被側邊緣部17覆蓋之積層體16之側面S開始進行即可，不限於特定之構成。典型而言，可採取一面對積層體16之側面S供給氧，一面對陶瓷坯體11施加熱處理之構成。
例如，對側邊緣部17添加促進內部電極12、13之氧化之添加劑較為有效。該情形時，藉由對陶瓷坯體11施加熱處理，而隨著添加劑自積層體16之側面S擴散，進行內部電極12、13之氧化，形成氧化區域12a、13a。
作為一例，以鎳形成內部電極12、13之情形時，可於側邊緣部17添加鎂作為促進鎳氧化之添加劑。藉此，於內部電極12、13，形成包含含有鎳及鎂之氧化物之氧化區域12a、13a。
使用如此之添加劑之方法中，可根據施加於陶瓷坯體11之熱處理之時間或溫度、添加劑對側邊緣部17之添加量等，控制氧化區域12a、13a之尺寸L。藉此，可將氧化區域12a、13a之尺寸L調整為10μm以上。
一般而言，形成側邊緣部17前之積層體16中，難以控制氧化區域12a、13a之尺寸L。即，若自積層體16之露出側面S供給氧，則氧化遍及內部電極12、13之廣範圍急遽進行，難以將氧化區域12a、13a之尺寸L限制在適當大小。
該方面於本實施形態中，可藉由以側邊緣部17被覆積層體16之側面S後形成氧化區域12a、13a，而使內部電極12、13之氧化緩慢進行。藉
此，可良好地控制氧化區域12a、13a之尺寸L。
另，用以於內部電極12、13形成氧化區域12a、13a之熱處理亦可於步驟S05中於燒接側邊緣部117之前進行。藉此，可藉由1次熱處理，一併進行側邊緣部117之燒接及氧化區域12a、13a之形成。
2.7步驟S07：形成外部電極
步驟S07中，藉由於步驟S06中形成有氧化區域12a、13a之陶瓷坯體11之X軸方向兩端部形成外部電極14、15，而製作圖1~3所示之積層陶瓷電容器10。步驟S07之外部電極14、15之形成方法可自眾所周知之方法任意選擇。
3.實施例
作為本揭示之實施例，製作各100個僅氧化區域12a、13a之尺寸L互不相同之複數種積層陶瓷電容器10之樣本。任一樣本皆將X軸方向之尺寸設為20μm，將Y軸及Z軸方向之尺寸設為12.5μm，將電容設為100μF。
藉由對氧化區域12a、13a之尺寸L互不相同之各100個樣本進行電阻測定，而判定有無發生短路。並且，求得氧化區域12a、13a之尺寸L相等之100個樣本中發生短路之樣本之比例即短路率。
圖13係顯示氧化區域12a、13a之尺寸L與短路率之關係之圖表。圖13中，作為短路率，顯示將未形成氧化區域12a、13a、即氧化區域12a、
13a之尺寸L為零之樣本之短路率作為1而標準化之相對值。
參照圖13，相對於未形成氧化區域12a、13a、即氧化區域12a、13a之尺寸L為零之樣本，形成氧化區域12a、13a之樣本獲得較低的短路率。
又，經發現有氧化區域12a、13a之尺寸L愈大之樣本則短路率愈低之傾向。再者，可知於氧化區域12a、13a之尺寸L未達10μm之區域中，短路率之變化急遽，相對於此，於氧化區域12a、13a之尺寸L為10μm以上之區域中，短路率之變化和緩。
由此，積層陶瓷電容器10中，確認藉由將氧化區域12a、13a之尺寸L設為10μm以上，可更有效抑制短路發生。又，即使氧化區域12a、13a之尺寸L大於10μm，亦無法期待短路率大幅提高，故限制在20μm以下較佳。
4.其他實施形態
以上，雖針對本揭示之實施形態進行了說明，但本揭示並非僅限定於上述實施形態，當然可加入各種變更。
例如，上述實施形態中，作為積層陶瓷電子零件之一例，針對積層陶瓷電容器進行了說明，但本揭示可應用於具有一對外部電極之積層陶瓷電子零件全體。作為如此之積層陶瓷電子零件，列舉例如晶片式壓敏電阻、晶片式熱敏電阻、積層感應器等。
12‧‧‧內部電極
12a、13a‧‧‧氧化區域
16‧‧‧積層體
17‧‧‧側邊緣部
18‧‧‧電容形成部
19‧‧‧蓋體部
S‧‧‧側面
V‧‧‧區域
Claims (6)
- 一種積層陶瓷電子零件之製造方法，其包含以下工序：製作積層體，該積層體具有：複數個陶瓷層，其積層於第1方向；複數個內部電極，其配置於上述複數個陶瓷層之間；及側面，其朝向正交於上述第1方向之第2方向，露出上述複數個內部電極；燒成上述積層體；於燒成之上述積層體之上述側面形成側邊緣部，該側邊緣部添加有促進上述複數個內部電極之氧化的添加劑；及於與燒成上述積層體之工序不同之氛圍下，燒成上述側邊緣部；且於燒成上述側邊緣部之工序中，一面對上述積層體之上述側面供給氧，一面進行熱處理，藉此，於形成有上述側邊緣部之上述積層體之上述複數個內部電極之上述第2方向之端部形成氧化區域，上述氧化區域之上述第2方向之尺寸為10μm以上20μm以下，上述積層陶瓷電子零件之與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸為1.6mm以上5.7mm以下，上述積層陶瓷電子零件之上述第1方向及上述第2方向之尺寸為0.8mm以上5.0mm以下。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中燒成上述積層體之工序係：於還原氛圍下或低氧分壓氛圍下進行。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中燒成上述側邊緣部之工序係：於氧氛圍下進行。
- 如請求項1至3中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中上述複數個內部電極之積層數為500層以上。
- 如請求項1至3中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中使用浸漬法形成上述側邊緣部。
- 如請求項1至3中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中上述陶瓷電子零件為1608尺寸以上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-097022 | 2018-05-21 | ||
| JP2018097022A JP7266969B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202004793A TW202004793A (zh) | 2020-01-16 |
| TWI831779B true TWI831779B (zh) | 2024-02-11 |
Family
ID=68533950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108115853A TWI831779B (zh) | 2018-05-21 | 2019-05-08 | 積層陶瓷電子零件之製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11551873B2 (zh) |
| JP (1) | JP7266969B2 (zh) |
| KR (1) | KR102640003B1 (zh) |
| CN (1) | CN110517888B (zh) |
| TW (1) | TWI831779B (zh) |
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| CN107799306A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-03-13 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电容器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190132924A (ko) | 2019-11-29 |
| JP7266969B2 (ja) | 2023-05-01 |
| US20190355521A1 (en) | 2019-11-21 |
| CN110517888A (zh) | 2019-11-29 |
| TW202004793A (zh) | 2020-01-16 |
| KR102640003B1 (ko) | 2024-02-27 |
| US11551873B2 (en) | 2023-01-10 |
| CN110517888B (zh) | 2023-06-23 |
| JP2019204817A (ja) | 2019-11-28 |
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