JP5854231B2 - アモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、アモルファス金属酸化物半導体層の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
第2観点として、前記溶媒は、当該溶媒の50質量%以上の水を含む第1観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、
第3観点として、前記第一アミドが、ホルムアミド、アセトアミド、フルオロアセトアミド、トリフルオロアセトアミド、プロピオン酸アミド、アクリルアミド、ペンタフルオロプロピオンアミド、ピバル酸アミド、尿素、1−メチル尿素、エチル尿素、1,1−ジメチル尿素、ニトロ尿素、アセチル尿素、ビュウレット、ビ尿素、アセトアルデヒド セミカルバゾン、セミカルバジド塩酸塩及びカルバミン酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である第1観点又は第2観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、
第4観点として、前記第一アミドが、ホルムアミド又は尿素である第1観点〜第3観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、
第6観点として、前記無機酸塩が、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、ホウ酸塩、塩酸塩及びフッ化水素酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である第1観点〜第5観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、
第7観点として、前記無機酸塩が、硝酸塩である第1観点〜第6観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、
第8観点として、酸性である第1観点〜第7観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、
第9観点として、pHが1〜3である第8観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、
第10観点として、第1観点〜第9観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を塗布して形成される前駆体薄膜を150℃以上500℃以下で焼成するアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法、
第11観点として、第1観点〜第9観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物をスピンコート、ディップコート、スクリーン印刷法、ロールコート、ダイコート法、転写印刷法、スプレー法及びスリットコート法のいずれかの塗布方法により塗布して前駆体薄膜を形成するアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法、
第12観点として、第1観点〜第9観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物をスピンコート、ディップコート、スクリーン印刷法、ロールコート、ダイコート法、転写印刷法、スプレー法及びスリットコート法のいずれかの塗布方法により塗布して形成される前駆体薄膜を150℃以上500℃以下で焼成してなるアモルファス金属酸化物半導体層を有する半導体デバイスの製造方法、である。
硝酸インジウム(III)3水和物0.36g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と尿素0.05g(関東化学製、特級99.0%)とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−1とした。前駆体組成物−1のpHは2.0であった。前駆体組成物−1を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.36g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)とホルムアミド0.05g(東京化成工業製、98.5%)とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−2とした。前駆体組成物−2のpHは2.2であった。前駆体組成物−2を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.36g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と尿素0.05g(関東化学製、特級99.0%)とを超純水4.28gとエタノール0.23gとの混合溶液に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−3とした。前駆体組成物−3のpHは2.0であった。前駆体組成物−3を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.27g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.08g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸ガリウム(III)8水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と尿素0.05g(関東化学製、特級99.0%)とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−4とした。前駆体組成物−4のpHは2.2であった。前駆体組成物−4を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、290℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.27g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.08g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸ガリウム(III)8水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と尿素0.05g(関東化学製、特級99.0%)とを超純水4.28gとエタノール0.23gとの混合溶液に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−5とした。前駆体組成物−5のpHは2.2であった。前駆体組成物−5を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.36g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)とホルムアミド0.05g(東京化成工業製、98.5%)とを超純水4.28gとエタノール0.23gとの混合溶液に添加し、溶液が完全に透明になるまで攪拌して水溶液としたものを前駆体組成物−6とした。前駆体組成物−6のpHは2.0であった。前駆体組成物−6を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.27g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.08g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸ガリウム(III)8水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)とホルムアミド0.05g(東京化成工業製、98.5%)とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−7とした。前駆体組成物−7のpHは2.2であった。前駆体組成物−7を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
基板1を熱酸化膜(SiO2、ゲート絶縁膜3)が上部に形成されているp型過剰ドープシリコンウエハー(抵抗値0.02Ω・cm以下、熱酸化膜200nm、ケイ・エス・ティ・ワールド株式会社製)とし、1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。なお、この基板は、ゲート電極としても機能するものである。この基板1上に、前駆体組成物−1をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層6を形成した。そして、形成したアモルファス金属酸化物半導体層6上に、チャネル長さ90μm、チャネル幅2000μm、膜厚100nmになるようなシャドーマスクを介してアルミ電極を真空蒸着により作成し、その2点をソース電極4、ドレイン電極5とし、一方で基板1表面をダイヤモンドカッターで熱酸化膜までスクラッチした箇所をゲート電極として、薄膜トランジスタを作製した。この薄膜トランジスタの構造を図4の概略断面図で示す。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−2をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−3をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−6をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−7をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−2をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、275℃で12時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−6をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、275℃で12時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−1をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250℃で24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−2をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250℃で24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−6をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250℃で24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.27g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.08g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−R1とした。前駆体組成物−R1のpHは1.9であった。前駆体組成物−R1を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.27g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.08g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)とを2−メトキシエタノール4.50g(東京化成工業製、99.0%)に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して溶液としたものを前駆体組成物−R2とした。前駆体組成物−R2のpHは有機溶媒組成物であったため測定できなかった。前駆体組成物−R2を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.27g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.08g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)とをエタノール4.50g(関東化学、特級99.5%)に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して溶液としたものを前駆体組成物−R3とした。前駆体組成物−R3のpHは有機溶媒組成物であったため測定できなかった。前駆体組成物−R3を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.36g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と2−アミノエタノール0.05g(東京化成工業製、99.0%)とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−R4とした。前駆体組成物−R4のpHは2.5であった。前駆体組成物−R4を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
硝酸インジウム(III)3水和物0.36g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)と硝酸亜鉛6水和物0.10g(Aldrich社製、99.999%trace metals basis)とグリシン0.05g(東京化成工業製、99.0%)とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物−R5とした。前駆体組成物−R5のpHは2.1であった。前駆体組成物−R5を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で15分ホットプレート上にて焼成した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−R3をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−R4をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−R5をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300℃で60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−R5をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、275℃で12時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−R3をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250℃で24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−R4をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250℃で24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物−R5をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150℃で5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250℃で24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。
実施例1〜7及び比較例1〜5で作製した無アルカリガラス基板上の金属酸化物半導体層の表面を、走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製、S4800)により25,000倍に拡大して観察した。結果の一例を、実施例1について図5に、比較例1について図6に、実施例4について図7に示す。この結果、実施例1〜7で作製された金属酸化物半導体層は、全体が緻密で均一なアモルファス層であった。一方、比較例1及び2では凹凸があり、不均一で実施例1〜7と比較して緻密性が顕著に劣る層が形成されていることが観察された。なお、実施例1〜7で作成された膜がアモルファス層であることは、電子線回折(ナノビーム電子線回折)によってアモルファス由来のハローリングが観察されたことで確認した。また、比較例1及び比較例2は、アモルファスではなく結晶の金属酸化物半導体層であった。
実施例1〜7及び比較例1〜5について、それぞれ金属酸化物半導体層が形成される温度を、TG−DTA分析により求めた。測定にはTG−DTA分析装置(ブルカー・エイエックスエ(株)製、TG−DTA/MS9610)を用い、毎分5℃で昇温させ、室温から450℃までのTG−DTA曲線を得た。結果の一例として、実施例1について図8に示す。図8に示すように、DTA曲線の最後の吸熱ピーク温度(図8においてD1と記載する。)とTG曲線の重量減少の停止温度がほぼ一致しているため、D1(℃)を「焼成下限温度」とした。なお、焼成下限温度は、前駆体組成物中の金属塩の酸化反応が開始され、金属酸化物半導体層が形成される温度である。この結果、実施例1〜7及び比較例1の前駆体組成物においては、焼成下限温度は300℃未満、具体的には240℃以下であるのに対し、比較例2〜5では、300℃を超えていた。
実施例8〜17及び比較例6〜12で作製した薄膜トランジスタについて、真空(5×10−2Pa)のシールドケース中で半導体パラメータアナライザーHP4156C(アジレント・テクノロジー(株)製)を用い、電気特性評価を行った。ゲートバイアスは−20Vから+20Vまで掃引(Sweep)し、ドレインバイアスは+20Vとしたときのドレイン電流の増加(伝達特性)を観測した。測定されたデータより、移動度(cm2/Vs)と、ON/OFF比(LOG値)を算出した。なお、薄膜トランジスタの測定は、室温23±3℃、湿度40%±10%に調整された恒温室で行った。
2 ・・・・・・・・ ゲート電極
3 ・・・・・・・・ ゲート絶縁膜
4 ・・・・・・・・ ソース電極
5 ・・・・・・・・ ドレイン電極
6 ・・・・・・・・ アモルファス金属酸化物半導体層
Claims (12)
- 無機酸塩と第一アミドと溶媒とを含み、
当該アモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物中の前記無機酸塩と前記第一アミドの合計の濃度は、0.1質量%以上30.0質量%以下であり、
前記第一アミドは、アセトアミド、アセチル尿素、アクリルアミド、アジポアミド、アセトアルデヒド セミカルバゾン、アゾジカルボンアミド、4−アミノ−2,3,5,6−テトラフルオロベンズアミド、β−アラニンアミド塩酸塩、L−アラニンアミド塩酸塩、ベンズアミド、ベンジル尿素、ビ尿素、ビュウレット、ブチルアミド、3−ブロモプロピオンアミド、ブチル尿素、3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンズアミド、カルバミン酸tert−ブチル、ヘキサンアミド、カルバミン酸アンモニウム、カルバミン酸エチル、2−クロロアセトアミド、2−クロロエチル尿素、クロトンアミド、2−シアノアセトアミド、カルバミン酸ブチル、カルバミン酸イソプロピル、カルバミン酸メチル、シアノアセチル尿素、シクロプロパンカルボキサミド、シクロヘキシル尿素、2,2−ジクロロアセトアミド、リン酸ジシアンジアミジン、グアニル尿素硫酸塩、1,1−ジメチル尿素、2,2−ジメトキシプロピオンアミド、エチル尿素、フルオロアセトアミド、ホルムアミド、フマルアミド、グリシンアミド塩酸塩、ヒドロキシ尿素、ヒダントイン酸、2−ヒドロキシエチル尿素、ヘプタフルオロブチルアミド、2−ヒドロキシイソブチルアミド、イソ酪酸アミド、乳酸アミド、マレアミド、マロンアミド、1−メチル尿素、ニトロ尿素、オキサミン酸、オキサミン酸エチル、オキサミド、オキサミン酸ヒドラジド、オキサミン酸ブチル、フェニル尿素、フタルアミド、プロピオン酸アミド、ピバル酸アミド、ペンタフルオロベンズアミド、ペンタフルオロプロピオンアミド、セミカルバジド塩酸塩、こはく酸アミド、トリクロロアセトアミド、トリフルオロアセトアミド、硝酸尿素、尿素、バレルアミドからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記第一アミドの含有量は、前記無機酸塩に対して0.1〜100質量%であることを特徴とするアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。 - 前記溶媒は、当該溶媒の50質量%以上の水を含むことを特徴とする請求項1に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- 前記第一アミドが、ホルムアミド、アセトアミド、フルオロアセトアミド、トリフルオロアセトアミド、プロピオン酸アミド、アクリルアミド、ペンタフルオロプロピオンアミド、ピバル酸アミド、尿素、1−メチル尿素、エチル尿素、1,1−ジメチル尿素、ニトロ尿素、アセチル尿素、ビュウレット、ビ尿素、アセトアルデヒド セミカルバゾン、セミカルバジド塩酸塩及びカルバミン酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1又は2に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- 前記第一アミドが、ホルムアミド又は尿素であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- 前記無機酸塩の金属が、Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ir、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- 前記無機酸塩が、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、ホウ酸塩、塩酸塩及びフッ化水素酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- 前記無機酸塩が、硝酸塩であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- 酸性であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- pHが1〜3であることを特徴とする請求項8に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を塗布して形成される前駆体薄膜を150℃以上500℃以下で焼成することを特徴とするアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物をスピンコート、ディップコート、スクリーン印刷法、ロールコート、ダイコート法、転写印刷法、スプレー法及びスリットコート法のいずれかの塗布方法により塗布して前駆体薄膜を形成することを特徴とするアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物をスピンコート、ディップコート、スクリーン印刷法、ロールコート、ダイコート法、転写印刷法、スプレー法及びスリットコート法のいずれかの塗布方法により塗布して形成される前駆体薄膜を150℃以上500℃以下で焼成してなるアモルファス金属酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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