JP2016524046A - 構造化された被覆の製造方法、その方法で製造される構造化された被覆およびその使用 - Google Patents
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Abstract
Description
1.少なくとも2つの異なる被覆組成物を基材に塗布する工程、
2.すべての被覆組成物を塗布した後に結果として生じた被覆を、前記被覆された基材上で部分的に活性化させる工程、および
3.前記被覆された基材上の活性化されていない被覆を酸化させる工程。
さらに、前記被覆組成物の少なくとも1つが、真性のシリコン膜の製造に好適な組成物(つまり、少なくとも1つのシリコン前駆体を含み、ドーパントを含まないもの)であり、前記被覆組成物の少なくとも1つのさらなる組成物が、(p型またはn型に)ドープされたシリコン膜の製造に好適な組成物(つまり、シリコン前駆体と、少なくとも1つのp型もしくはn型ドーパント、好ましくは、少なくとも1つの相応のホウ素もしくはリンを含有する化合物とを含むもの)であるのが好ましい。前記2つの被覆組成物は、オーバーラップさせて、またはオーバーラップさせずに塗布されてもよい。
例1
図1は、局所的に2つの異なるインク(水玉および格子模様の領域)をオーバーラップさせずに析出させた基材を示している。これらのインクを、局所的に、タイプ1(横縞)およびタイプ2(「縦縞」)のアモルファスシリコンに変化させた。変化もしくは変換は、線状に行った。変換された領域は、「活性化された」と表されている。変換されなかった領域は、「活性化されていない」と表されている。この領域には、酸化シリコンが存在している。
図2は、局所的に2つの異なるインク(水玉および格子模様の領域)をオーバーラップさせずに析出させた基材を示している。これらのインクを、タイプ1(横縞)およびタイプ2(「縦縞」)のアモルファスシリコンに変化させた。変化もしくは変換は、点状に行った。変換された領域は、「活性化された」と表され、変換されなかった領域は、「活性化されていない」と表されている。この領域には、酸化シリコンが存在している。
図3は、局所的に2つの異なるインク(水玉もしくは格子模様の領域)をオーバーラップさせて(市松模様の領域)析出させた基材を示している。これらのインクを、局所的にタイプ1(横縞)とタイプ2(「縦縞」)のアモルファスシリコンに変化させた。変化もしくは変換は、線状に行った。変換された領域は、「活性化された」と表され、変換されていない領域は「活性化されていない」と表される。この領域には、酸化シリコンが存在している。この例では、同じく前記オーバーラップさせた領域内にも酸化シリコンが存在している。
Claims (16)
- シリコンおよび/またはゲルマニウムを含有する構造化された被覆を製造するための液相法であって、
・少なくとも1つの被覆組成物を基材に塗布し、
・得られた被覆を、前記被覆された基材上で部分的に活性化して、
・該基材上の活性化されていない被覆を酸化させる
ことを特徴とする前記方法。 - 前記被覆組成物が、少なくとも1つの溶媒と、SATP条件で液体状または固体状のシリコンおよび/またはゲルマニウムを含有する少なくとも1つの前駆体とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記前駆体が、一般式MnXc(式中、Mは、Siおよび/またはGeであり、Xは、H、F、Cl、Br、I、C1〜C10アルキル、C1〜C10アルケニル、C5〜C20アリールであり、n≧4、および2n≦c≦2n+2である)を有していることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記前駆体が、シリコンおよび/またはゲルマニウムを含有するナノ粒子であることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記被覆組成物が、少なくとも2つの前駆体を有しており、該前駆体のうち、少なくとも1つがヒドリドシランオリゴマーであり、少なくとも1つが一般式SinH2n+2(式中、nは、3〜10である)のヒドリドシランであることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 一般式SinH2n+2のヒドリドシランが、分岐鎖状であることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記ヒドリドシランが、イソテトラシラン、2−シリルテトラシラン、ネオペンタシランまたはノナシラン異性体の混合物であることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記ヒドリドシランオリゴマーが、200〜10,000g/molの質量平均分子量を有していることを特徴とする、請求項5から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記ヒドリドシランオリゴマーが、非環状ヒドリドシランのオリゴマー化によって得られたものであることを特徴とする、請求項5から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記ヒドリドシランオリゴマーが、最大20個のケイ素原子を有する非環状ヒドリドシランを少なくとも1つ含む組成物を、触媒の非存在下に、235℃より低い温度で熱により反応させて得られるものであることを特徴とする、請求項5から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記被覆組成物を構造化して基材に塗布することを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも2つの異なる被覆組成物を、同時にまたは連続して、ならびにオーバーラップさせてまたはオーバーラップさせずに、基材の異なる領域で構造化して塗布することを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 前記酸化を、酸素含有雰囲気において300℃以下の温度で行うことを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記酸化を、オゾン、二酸化炭素、過酸化水素(H2O2)、水蒸気(H2O)、一価または多価アルコール、ケトン、カルボン酸、炭酸エステル、およびトリクロロ酢酸と酸素を含む、ならびにHClと酸素を含む混合物からなる群から選択される酸化剤を用いて実施することを特徴とする、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1から14までのいずれか1項に記載の方法により製造される、構造化された被覆。
- 請求項15に記載の被覆の、電子部品または光電子部品を製造するための使用。
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