JP6410808B2 - ヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーを含む配合物、その製造方法ならびにその使用 - Google Patents
ヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーを含む配合物、その製造方法ならびにその使用 Download PDFInfo
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Description
・ヘテロエミッタ太陽電池(Heteroemitter Solarzellen)
・HIT(heterojunction with intrinsic thin layer)太陽電池
・選択エミッタ型太陽電池
・バックコンタクト型太陽電池
・電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ
・マイクロ電子部品中の誘電体膜
・半導体材料の表面不動態化
・量子ドットを含む膜および部品の製造
・周囲の成分の拡散に対する膜によるバリア、
・膜の上側および下側の熱デカップリングのためのバリア層。
例1:
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜2200g/mol)0.2g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して28.6質量%)と、シクロオクタン1gおよびトルエン6g中のネオペンタシラン0.5gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、6.5nmである。
熱成長させたSiO2 300nmを有するSiウェハ上に、ドープされていないネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜2200g/mol)0.2g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して28.6質量%)と、シクロオクタン1gおよびトルエン6g中のネオペンタシラン0.5gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、6.5nmである。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜1200g/mol)0.26g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して66.7質量%)と、シクロオクタン1.60gおよびトルエン0.7g中のネオペンタシラン0.13gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、23nmである。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜2000g/mol)0.38g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して66.7質量%)と、シクロオクタン1.00gおよびトルエン2.10g中のネオペンタシラン0.19gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、14nmであった。
EagleXGガラス上に、p型ドープされた、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜760g/mol)0.1g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して71.4質量%)と、シクロオクタン0.176gおよびトルエン1.584g中のネオペンタシラン0.04gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、15nmである。きわめて優れた膜を再現可能に製造することができる。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜1200g/mol)0.20g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して76.9質量%)と、シクロオクタン0.06gおよびトルエン0.54g中のネオペンタシラン0.06gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、25nmである。
EagleXGガラス上に、n型ドープされた、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜1120g/mol)0.08g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して80質量%)と、シクロオクタン0.18gおよびトルエン0.42g中のネオペンタシラン0.02gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、12nmである。きわめて優れた膜が再現可能に製造できる。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜1200g/mol)0.24g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して96質量%)と、シクロオクタン0.37gおよびトルエン0.87g中のネオペンタシラン0.01gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、15nmである。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜1200g/mol)0.24g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して96質量%)と、シクロオクタン0.37gおよびトルエン0.87g中のネオペンタシラン0.01gからなる混合物を9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた膜厚は、15nmである。
p型ドープされた、ネオペンタシランオリゴマー(Mw 〜760g/mol)からのヒドリドシラン0.1g、シクロオクタン0.176gおよびトルエン1.624gからなる、ネオペンタシランを添加しない比較配合物は、著しい混濁を示し、被覆することができなかった。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜2000g/mol)0.001g、シクロオクタン3.0gおよびトルエン7.0g中のネオペンタシラン1.0gからなる混合物を、1000rpm、3000rpm、および9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた試料上で、膜は検出できない。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜2000g/mol)0.01g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して1.0質量%)と、シクロオクタン3.0gおよびトルエン7.0g中のネオペンタシラン1.0gからなる混合物を、1000rpm、3000rpm、および9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた試料上で、膜は検出できない。
EagleXGガラス上に、ドープされていない、ネオペンタシランからのヒドリドシランオリゴマー(Mw 〜2000g/mol)0.1g(存在しているヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して9.9質量%)と、シクロオクタン3.0gおよびトルエン7.0g中のネオペンタシラン1.0gからなる混合物を、1000rpm、3000rpm、および9999rpmで被覆して、続いて500℃/60秒で変換させる。結果として生じた試料上で、膜は検出できない。
Claims (13)
- 少なくとも1つのヒドリドシランおよび少なくとも1つのヒドリドシランオリゴマーを含む配合物であって、
前記ヒドリドシランが、一般式SinH2n+2(式中、nは、3〜6である)を有し、
前記ヒドリドシランオリゴマーが、200〜10,000g/molの質量平均分子量を有し、
前記ヒドリドシランオリゴマーの割合が、ヒドリドシランおよびヒドリドシランオリゴマーの総質量に対して70〜90質量%であることを特徴とする前記配合物。 - 前記ヒドリドシランが、トリシラン、イソテトラシラン、n−ペンタシラン、2−シリルテトラシラン、またはネオペンタシランであることを特徴とする、請求項1に記載の配合物。
- 前記ヒドリドシランが、分岐鎖のヒドリドシランであることを特徴とする、請求項1または2に記載の配合物。
- 前記ヒドリドシランオリゴマーが、炭素を含有していることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の配合物。
- 前記ヒドリドシランオリゴマーが、ドープされていることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の配合物。
- 前記少なくとも1つのヒドリドシランの割合が、前記配合物の総質量に対して1〜50質量%であることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の配合物。
- 前記少なくとも1つのヒドリドシランオリゴマーの割合が、前記配合物の総質量に対して1〜50質量%であることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の配合物。
- 少なくとも1つの溶媒を有していることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の配合物。
- 前記溶媒の割合が、前記配合物の総質量に対して25〜95質量%であることを特徴とする、請求項8に記載の配合物。
- 一般式SinH2n+2(式中、nは、3〜6である)のヒドリドシランに、ヒドリドシランオリゴマーを混合する、請求項1から9までのいずれか1項に記載の配合物の製造方法。
- 請求項1から9までのいずれか1項に記載の配合物の、シリコン含有膜を製造するための使用。
- 請求項1から9までのいずれか1項に記載の配合物の、電子膜または光電子膜を製造するための使用。
- 請求項1から9までのいずれか1項に記載の配合物の、電子部品または光電子部品を製造するための使用。
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