TW201512092A - 含氫矽烷與氫矽烷寡聚物之調配物，彼之製法與應用 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於包含至少一種通式SinH2n+2(其中n=3-6)的氫矽烷和至少一種氫矽烷寡聚物之調配物，彼之製法及彼之應用。
Description
本發明係關於包含至少一種低分子量氫矽烷和至少一種氫矽烷寡聚物之調配物，彼之製法及彼之應用，特別是於製造含矽層之應用。
文獻中曾描述氫矽烷(hydridosilanes)或其寡聚物作為製造含矽層之可能的反應物。
應瞭解氫矽烷是指基本上僅含矽和氫原子並具有低於20個矽原子之化合物。氫矽烷基本上為氣體、液體或固體-特別在固體的情況中-基本上可溶於溶劑(如甲苯或環己烷)或液態矽烷(如環五矽烷)。例子包括單矽烷、二矽烷、三矽烷、環五矽烷和新五矽烷。具有至少三或四個矽原子的氫矽烷可具有直鏈、支鏈或環狀(任意為二環/多環)之具Si-H鍵的結構，且可較佳地以通式SinH2n+2(直鏈或支鏈；其中n=2-20)、SinH2n(環狀；n=3-20)或SinH2(n-i)(二環或多環；n=4-20；i={環數}-1)表
示。
製造具有至少3個矽原子的氫矽烷之方法揭示於，例如，US 6,027,705 A。用於製造氫矽烷的寡聚物之熱方法揭示於WO 2011/104147 A1。此外，WO 2012/041837 A2揭示用於製造高矽的氫矽烷化合物之方法，其中將低矽的氫矽烷化合物在至少500克/莫耳的氫矽烷聚合物存在下，藉熱轉化。
在真空室中，含矽層可自氣相沈積，例如經由PECVD。但是，氣相法的技巧複雜且通常不會得到所欲品質的層。因此，液相法通常為用於製造含矽層之較佳者。
先前技術描述各種含氫矽烷的調配物。例如，US 5,866,471 A揭示含有半導體先質之調配物，使用彼可製造半導體層。可用的半導體先質亦包括氫矽烷。WO 2008/137811 A2亦揭示含有一或多種選自某一群組並包括(聚)矽烷的半導體先質之組成物。US 2009/0215219 A1亦揭示一種用於製造半導體層之方法，其中含有矽原子的液態塗覆組成物施於基板。此塗覆組成物可含有矽烷聚合物，其可為聚氫矽烷。US 2010/0197102 A1揭示含有化合物之溶液，其中該化合物較佳為具4至9個矽原子的矽烷。含有聚矽烷之塗覆組成物亦述於EP 1 357 154 A1。EP 1 640 342 A1進一步揭示具有800至5000克/莫耳的重量平均分子量之矽烷聚合物，其可用於製造含矽膜。JP 2008-270603 A和JP 09-45922A亦揭示用於製造含
矽膜之塗覆組成物，其中各種矽化合物可作為先質。各種氫矽烷先質之混合物未揭示於所列的參考論文中。
JP 2004-134440A揭示用於製造含矽膜之塗覆組成物，其含有各種矽烷化合物和環狀矽烷。EP 1 085 579 A1和EP 1 087 428 A1亦揭示用於製造含矽層之塗覆組成物，其中使用兩種矽先質。這些是環狀矽化合物和經摻雜的矽化合物。JP 2000-031066A揭示含有通式SinH2n+2或SinH2n的氫矽烷或此二者之混合物之液態塗覆組成物。DE 10 2010 030 696 A1亦揭示液態塗覆組成物，其可包括氫矽烷作為矽先質。
僅含有低分子量氫矽烷作為矽先質之塗覆組成物在製造含矽層方面具有缺點。更特別地，其不適用於製造非常薄的含矽層(厚度最高25奈米的層)，此因低分子量材料在典型轉化溫度之前即蒸發而未能交聯之故。因此，通常使用含有具高分子量的氫矽烷寡聚物之塗覆組成物作為替代品。這些高分子量氫矽烷寡聚物基本上適用於製造含矽層，但它們具有難溶於有機溶劑的缺點，此導致自彼製造的層的缺點。因此，先前技術中，有不僅包括高分子量氫矽烷寡聚物且亦包括低分子量氫矽烷之塗覆組成物存在，其中，後者作為溶劑。
先前技術揭示用於製造含矽層之塗覆組成物，其含有氫矽烷寡聚物與環狀氫矽烷之混合物(Masuda等人，Thin Solid Films 520(2012)5091-5096)。但是，含有環狀氫矽烷之對應的塗覆組成物的缺點在於其僅於環狀
氫矽烷濃度高時安定。環狀氫矽烷濃度低時，調配物迅速變成霧狀且變得不適用於製造高品質的含矽層。
亦發現，在包含氫矽烷寡聚物之調配物中轉化的期間內，具有超過6，特別是7至10，個矽原子的低矽的氫矽烷寡聚物，極特別是式SinH2n+2者，亦摻入層狀結構中。因此，這些化合物，在含有氫矽烷寡聚物的塗覆組成物中，不適合用於製造薄(對應於厚度低於或等於25奈米)和高品質的含矽層。
因此，本發明針對的問題在於提出適用於製造薄的含矽層之塗覆組成物，其解決目前的問題且，更特別地，該組成物為安定且，除了氫矽烷寡聚物以外，須要僅小比例的其他組份。
此處，藉本發明之調配物解決本問題，該調配物包含至少一種氫矽烷和至少一種氫矽烷寡聚物，其中該氫矽烷具有通式SinH2n+2，其中n=3-6。對應的調配物特別適合用於自液相製造高品質之厚度低於25奈米的薄層(特別是厚度為1-15奈米者)，且對於塗覆法常用的基板具有良好潤濕性。
此處提出的調配物係包含至少一種氫矽烷和至少一種氫矽烷寡聚物或由此二者之混合物所組成之組成物。此調配物較佳為液體，因為如此而可以特別有效率的方式操作之故。另較佳地，本發明之調配物係塗覆組成
物，特別用於液相或CVD沈積法。對應的塗覆組成物之優點在於適用於含矽層之沈積，特別是用於所述方法。本發明之組成物最佳地為適用於液相沈積法之塗覆組成物。
圖1：實例3製造之層的照片和顯微影像。
圖2：實例4製造之層的照片和顯微影像。
圖3：實例6製造之層的照片和顯微影像。
圖4：實例8製造之層的照片和顯微影像。
圖5：實例9製造之層的照片和顯微影像。
式SinH2n+2(其中n=3-6)之氫矽烷係非環狀氫矽烷。這些化合物的異構物可為直鏈或支鏈。較佳的非環狀氫矽烷係三矽烷、異四矽烷、正五矽烷、2-矽基四矽烷或新五矽烷，此調配物得到特別薄的層。亦較佳地，該通式的氫矽烷係支鏈氫矽烷，相較於直鏈氫矽烷，其得到更安定的溶液和較佳的層。更佳的化合物是支鏈化合物異四矽烷、2-矽基四矽烷和新五矽烷，其優點在於其提供溶液特別佳的安定性且僅須以特別小量使用並得到特別薄且良好的層。最佳地，該氫矽烷係新五矽烷，使用彼可得到最佳結果。
氫矽烷寡聚物是氫矽烷化合物的寡聚物，且
較佳為氫矽烷的寡聚物。當此氫矽烷寡聚物具有200至10,000克/莫耳的重量平均分子量時，本發明之調配物在用於薄層之製造方法具有特別良好的適用性。其製法為嫻於此技術之人士已知者。對應的分子量可經由凝膠滲透層析術，使用直鏈聚苯乙烯管柱，以環辛烷作為洗提液，相對於聚丁二烯作為標準品的方式測定。
氫矽烷寡聚物較佳地藉非環狀氫矽烷之寡聚反應得到。不同於自環狀氫矽烷得到的氫矽烷寡聚物，這些寡聚物具有高交聯程度，此因進行解離聚合反應機構的方式不同之故。取而代之地，因為環狀氫矽烷採取開環反應機構，所以自環狀氫矽烷形成的寡聚物僅具有極低的交聯程度，若有的話。自非環狀氫矽烷製造之對應的寡聚物，不同於自環狀氫矽烷形成的寡聚物，在溶液中提供基材表面良好的潤濕，可以特別有效率地用以製造薄層及得到均勻和平坦的表面。藉自非環狀支鏈氫矽烷形成的寡聚物，可展現更佳的結果。
特別佳的氫矽烷寡聚物是可藉包含至少一種具有不超過20個矽原子的非環狀氫矽烷之組成物在無觸媒存在時，於低於235℃的溫度之熱轉化而得的寡聚物。對應的氫矽烷寡聚物和其製法述於WO 2011/104147 A1，茲將其中與化合物和其製法相關者列入參考。此寡聚物所具有的性質更優於自非環狀支鏈氫矽烷形成的其他氫矽烷寡聚物。
除了氫和矽以外，此氫矽烷寡聚物亦可具有
其他基團。因此，當寡聚物含有碳時，以此調配物製造的層具有優點。對應之含碳的氫矽烷寡聚物可藉氫矽烷寡聚物與烴之共寡聚反應製得。但是，較佳地，此氫矽烷寡聚物是僅含有氫和矽的化合物，且其因此而不具有任何鹵基或烷基。
用於製造經摻雜的含矽層，較佳為進一步提供經摻雜的氫矽烷寡聚物。此氫矽烷寡聚物較佳地經硼或磷摻雜，且對應的調配物適用於製造經p-或n-摻雜的矽層。對應的氫矽烷寡聚物可藉由在其製法的早期階段添加適當的摻雜物而製得。或者，也可能對未經摻雜的氫矽烷寡聚物中進行p-摻雜處理(其藉選自p-摻雜劑，較佳為氫硼化反應試劑(特別是B2H6、BH3*THF、BEt3、BMe3)之物質製得)，或者以n-摻雜劑(特別是PH3、P4)進行n-摻雜處理，此藉高能量法(例如UV照射或熱處理)進行。
以調配物總重計，氫矽烷的比例較佳為0.1至99重量%，更佳為1至50重量%，最佳為1至30重量%。
以調配物總重計，氫矽烷寡聚物的比例較佳為0.1至99重量%，更佳為1至50重量%，最佳為1至20重量%。
此外，欲達到特別佳的結果，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計，氫矽烷寡聚物在調配物中之比例較佳為40-99.9重量%，更佳為60-99重量%，且最佳為70-90重量%。
低於70重量%，會得到不均勻、起泡或不完整的層。另一缺點為調配物過稀且在塗覆法中無法充分潤濕基板。使此溶劑調配物和溶劑含量最佳化可解決此問題，但此花費高且不方便。
高於90重量%，會得到不均勻或不完整的層，且層中有缺陷(如起泡)。此外，在一些情況中，以對應的塗覆組成物難得到薄層(即，厚度低於25奈米的層)。
因此，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計，最適範圍是70-90重量%。
本發明之調配物不須含有任何溶劑。但是，其較佳地包括至少一種溶劑。若其含有溶劑，則以調配物總重計，其比例較佳為0.1至99重量%，更佳為25至95重量%，最佳為60至95重量%。
以調配物總重計，極特別佳之調配物具有1-30重量%的氫矽烷、1-20重量%的氫矽烷寡聚物和60-95重量%的溶劑。
所用較佳溶劑選自具1至12個碳原子的直鏈、支鏈和環狀，飽和、不飽和和芳族烴(任意地部分或全數鹵化)、醇、醚、羧酸、酯、腈、胺、醯胺、亞碸和水。特別佳者是正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、十二碳烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、二環戊烷、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、1,3,5-三甲苯、茚烷、茚、四氫萘、十氫萘、二乙醚、二丙醚、乙二醇二甲
醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、四氫呋喃、對-二烷、乙腈、二甲基甲醯胺、二甲亞碸、二氯甲烷和氯仿。
除了存在的至少一種氫矽烷和至少一種氫矽烷寡聚物及任何溶劑以外，本發明之調配物可進一步包含其他物質，特別是摻雜劑(較佳為B2H6、BH3*THF、BEt3、BMe3、PH3、P4)、奈米粒子或用於調整流變性之添加劑。對應物質為嫻於此技術之人士已知者。
本發明進一步提出製造本發明之調配物之方法，其中通式SinH2n+2(其中n=3-6)之氫矽烷與氫矽烷寡聚物和任意的溶劑混合。
本發明進一步提出製造含矽層之方法，其中本發明之調配物，特別是塗覆組成物，自氣相或液相施用於未經塗覆或經預塗覆的基板，及以熱和/或電磁射線轉化成含矽層。
可使用多個基板用於根據本發明之方法中。較佳地，基板由玻璃、石英玻璃、石墨、金屬、矽所組成，或由存在於熱安定的載體上的矽、銦錫氧化物、ZnO：F、ZnO：Al或SnO2：F層所組成。較佳金屬是鋁、不銹鋼、Cr鋼、鈦、鉻或鉬。此外，選擇適當的轉化條件，亦可使用聚合物膜(例如PEEK、PEN、PET或聚醯亞胺)。
此調配物較佳地經由氣相或液相塗覆法(選自
印刷法(特別是快乾印刷/凹版印刷、奈米或微米印刷、噴墨印刷、平版印刷、逆向平版印刷(reverse offset printing)、數位平版印刷和網版印刷)、噴霧法、氣溶膠輔助的化學蒸氣沈積、直接液體噴注化學蒸氣沈積、旋塗法、浸塗法)及選自半月板塗覆(meniscus coating)、狹縫塗覆(slit coating)、狹縫式擠出塗覆(slot-die coating)、和簾塗覆施用。前述方法中，氣溶膠輔助的化學蒸氣沈積和直接液體噴注化學蒸氣沈積應含括於氣相法中。較佳者為經由液相塗覆法施用。
施用調配物之後，可以經由UV照射在基板上的液態膜，較佳地進行預交聯操作，之後此仍為液態的膜具有經交聯的先質部分。
在調配物的施用和任何預交聯之後，經塗覆的基板亦較佳地在轉化之前經乾燥，以移除存在的任何溶劑。用於此目的的對應方式和條件為嫻於此技術之人士已知者。欲僅移除揮發性調配物構份，在熱乾燥操作的情況中，加熱溫度應低於200℃。
根據本發明之方法中之熱轉化的實施溫度較佳為200-1000℃，較佳為250-750℃，特別佳為300-700℃。熱轉化時間較佳為介於0.1毫秒和360分鐘之間。轉化時間更佳為介於0.1毫秒和10分鐘之間，特別佳為介於1秒和120秒之間。
對應之迅速的高能量法可藉，例如，使用IR燈、加熱板、烤箱、閃光燈、適當氣體組成物的電漿、
RTP系統、微波系統或電子束處理(須要時，在各自預熱或溫熱狀態)而進行。
替代地或額外地，轉化可藉以電磁射線照射，特別是使用UV光，而進行。轉化時間較佳為介於1秒和360分鐘之間。
轉化期間內或之後，較佳地，亦可以氫進行含矽層之增濃。此被稱為“氫鈍化”，其消除材料中的缺陷，並可以，例如，藉熱網法以反應性氫進行，以含氫的電漿(遠距或直接；在還原性壓力下或在大氣壓下)進行，或藉電暈處理或供應氫以電子束處理。此外，也可以在氫增濃的氣氛中，進行已述的乾燥和/或轉化步驟，使得材料自最初富含氫。
用於製造含氧化矽的層，可進行施用，預交聯，乾燥和/或在氧化性條件下轉化。建立氧化性條件的方式為嫻於此技術之人士已知者。
用於製造完全或部分晶狀含矽層時，在藉由引入熱能、電磁射線和/或粒子轟擊而轉化之後可以使層結晶化。用於此目的之方法為嫻於此技術之人士已知者。
所述之用於製造含矽層之方法亦可同時進行或在基板上接二連三地進行(同時或連續沈積，各情況中，所得膜互相地部分或完全重疊)。此製造多層系統之方法較佳地適用於製造自原有(即，未經摻雜)和經摻雜的層形成的系統，其基本上，例如，用於建構太陽能電池。更佳地，當薄原有(即，未經摻雜)的含矽層及之後面對基
板之具有摻雜物的層施用於基板時，此方法適用以製造用於最佳鈍化或防止在基板的界面之缺陷的多層系統。此情況中，首先基本上無摻雜劑的調配物及之後面對基板之具有摻雜物的調配物施用於經摻雜的基板。此外，基板的兩面上可經塗覆。
根據本發明可製造的氫矽烷調配物適用於多種應用。它們(單獨或與其他調配物一起)於製造電子或光電組件層方面具有特別良好的適用性。本發明因此亦提出藉根據本發明之方法可得到的氫矽烷調配物於製造光電或電子組件層之應用。本發明進一步提出本發明之氫矽烷調配物於製造電子和光電組件之應用。藉根據本發明之方法可得的氫矽烷調配物較佳地適用於製造光電或電子組件中的電荷轉移組件。藉根據本發明之方法可得的氫矽烷調配物進一步適用於製造含矽層。
更特別地，本發明之調配物和本發明之方法適用於製造以下的層或組件：
- 雜發射器太陽能電池
- HIT(與原有薄層的異質接面)太陽能電池
- 選擇性發射器太陽能電池
- 背接觸太陽能電池
- 場效應電晶體，薄膜電晶體
- 微電子組件中的介電層
- 半導體材料的表面鈍化
- 含有量子點的組件和層之製造
- 阻擋構份自環境擴散穿透層之阻擋物，
- 用於層的上和下側的熱去偶合之阻擋層。
實例：
實例1：
0.2克自新五矽烷(Mw約2200克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(28.6重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.5克新五矽烷在1克環辛烷和6克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為6.5奈米。
此層基本上適用於半導體應用，但有缺點。
實例2：
0.2克自新五矽烷(Mw約2200克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(28.6重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.5克新五矽烷在1克環辛烷和6克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於300奈米的熱生長Si晶圓上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為6.5奈米。
此層基本上適用於半導體應用，但有缺點。
實例3：
0.26克自新五矽烷(Mw約1200克/莫耳)形成
之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(66.7重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.13克新五矽烷在1.60克環辛烷和0.7克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為23奈米。
由圖1的照片和顯微影像亦得知此層基本上適用於半導體應用。但是，此調配物非常稀且具有在基板上潤濕性損耗的趨勢。另一缺點在於得到起泡的層。
實例4：
0.38克自新五矽烷(Mw約2000克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(66.7重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.19克新五矽烷在1.00克環辛烷和2.10克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為14奈米。
由圖2的照片和顯微影像亦得知此層基本上適用於半導體應用。但是，此調配物非常稀且具有在基板上潤濕損耗的趨勢。另一缺點在於得到起泡的層。
實例5：
0.1克自新五矽烷(Mw約760克/莫耳)形成之經p-摻雜的氫矽烷寡聚物(71.4重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.04克新五矽烷在0.176克環
辛烷和1.584克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為15奈米。能夠以再製方式製造極佳的層。
實例6：
0.20克自新五矽烷(Mw約1200克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(76.9重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.06克新五矽烷在0.06克環辛烷與0.54克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為25奈米。
由圖3所附的照片和顯微影像亦可明顯看出，能夠以再製方式製造極佳的層。
實例7：
0.08克自新五矽烷(Mw約1120克/莫耳)形成之經n-摻雜的氫矽烷寡聚物(80重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.02克新五矽烷在0.18克環辛烷和0.42克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為12奈米。能夠以再製方式製造極佳的層。
實例8：
0.24克自新五矽烷(Mw約1200克/莫耳)形成
之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(96重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.01克新五矽烷在0.37克環辛烷和0.87克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為15奈米。
由圖4的照片和顯微影像亦可明顯看出此層基本上適用於半導體應用。但是，一些層具有缺陷。
實例9：
0.24克自新五矽烷(Mw約1200克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(96重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和0.01克新五矽烷在0.37克環辛烷和0.87克甲苯中之混合物於9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得層的厚度為15奈米。
由圖5的照片和顯微影像基本上亦可明顯看出此層適用於半導體應用。但是，一些層不完整和/或不均勻，且層中有明顯缺陷(起泡)。
比較例1：
0.1克自新五矽烷寡聚物(Mw約760克/莫耳)形成之經p-摻雜的氫矽烷、0.176克環辛烷和1.624克甲苯之未添加新五矽烷之比較用調配物顯示明顯霧狀且無法用於塗覆。
比較例2：
0.001克自新五矽烷(Mw約2000克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物和1.0克新五矽烷在3.0克環辛烷和7.0克甲苯中之混合物於1000rpm、3000rpm與9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得樣品上沒有偵測得到的層。
比較例3：
0.01克自新五矽烷(Mw約2000克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(1.0重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和1.0克新五矽烷在3.0克環辛烷和7.0克甲苯中之混合物於1000rpm、3000rpm和9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得樣品上沒有偵測得到的層。
比較例4：
0.1克自新五矽烷(Mw約2000克/莫耳)形成之未經摻雜的氫矽烷寡聚物(9.9重量%，以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計)和1.0克新五矽烷在3.0克環辛烷和7.0克甲苯中之混合物於1000rpm、3000rpm和9999rpm塗覆於EagleXG玻璃上，之後於500℃/60秒轉化。所得樣品上沒有偵測得到的層。
Claims (18)
- 一種包含至少一種氫矽烷和至少一種氫矽烷寡聚物之調配物，其特徵在於該氫矽烷具有通式SinH2n+2，其中n=3-6。
- 如申請專利範圍第1項之調配物，其中該氫矽烷係三矽烷、異四矽烷、正五矽烷、2-矽基四矽烷或新五矽烷。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中該氫矽烷係支鏈氫矽烷。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中該氫矽烷寡聚物的重量平均分子量為200至10,000克/莫耳。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中該氫矽烷寡聚物係藉非環狀氫矽烷之寡聚反應得到。
- 如申請專利範圍第5項之調配物，其中該氫矽烷寡聚物可藉包含至少一種具有不超過20個矽原子的非環狀氫矽烷之組成物在無觸媒存在時，於低於235℃的溫度之熱轉化而得。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中該氫矽烷寡聚物含有碳。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中該氫矽烷寡聚物經摻雜。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中以該調配物總重計，該至少一種氫矽烷的比例是1至50重量 %。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中以該調配物總重計，該至少一種氫矽烷寡聚物的比例是1至50重量%。
- 如申請專利範圍第1或2項之調配物，其中以存在的氫矽烷和氫矽烷寡聚物總重計，該氫矽烷寡聚物的比例是40-99.9重量%，較佳地為60-99重量%，更佳地為70-90重量%。
- 如申請專利範圍第1項之調配物，其含括至少一種溶劑。
- 如申請專利範圍第12項之調配物，其中以該調配物總重計，該溶劑的比例是25至95重量%。
- 如申請專利範圍第12或13項之調配物，其中以該調配物總重計，其包括1-30重量%氫矽烷、1-20重量%氫矽烷寡聚物和60-95重量%溶劑。
- 一種製造如申請專利範圍第1或2項之調配物之方法，其中將通式SinH2n+2(其中n=3-6)之氫矽烷與氫矽烷寡聚物和任意的溶劑混合。
- 一種如申請專利範圍第1至14項中任一項之調配物之應用，其用以製造含矽層。
- 一種如申請專利範圍第1至14項中任一項之調配物之應用，其用以製造電子或光電層。
- 一種如申請專利範圍第1至14項中任一項之調配物之應用，其用以製造電子或光電組件。
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