KR20090103840A - 실리콘 박막 형성 방법 - Google Patents
실리콘 박막 형성 방법Info
- Publication number
- KR20090103840A KR20090103840A KR1020090026601A KR20090026601A KR20090103840A KR 20090103840 A KR20090103840 A KR 20090103840A KR 1020090026601 A KR1020090026601 A KR 1020090026601A KR 20090026601 A KR20090026601 A KR 20090026601A KR 20090103840 A KR20090103840 A KR 20090103840A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- silicon
- formula
- carbon atoms
- less
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 97
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 97
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 110
- -1 silicon organic compound Chemical class 0.000 claims abstract description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 25
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N methylene hexane Natural products CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical class CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- APRDARTZFVUGQN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-decakis-phenylpentasilolane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si]1(C=2C=CC=CC=2)[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 APRDARTZFVUGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical compound CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WONYMNWUJVKVII-UHFFFAOYSA-N 3,5-diiodothyropropionic acid Chemical compound IC1=CC(CCC(=O)O)=CC(I)=C1OC1=CC=C(O)C=C1 WONYMNWUJVKVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N bromoethane Chemical compound CCBr RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
본 발명은 실리콘 박막 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법은, (S1) 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 제조하는 단계; (S2) 상기 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 (S3) 상기 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 열처리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실리콘 박막 형성 방법에 따르면, 액상 공정을 이용함으로써 간단하고 저렴한 공정으로 실리콘 박막을 형성할 수 있다. 또한, 기판 위에 대면적의 박막을 용이하게 제조할 수 있고, 유기 화합물의 조성, 열처리 또는 광학 처리 공정 조건을 조절함에 의해 사용되는 소자에 적합하도록 실리콘 박막의 물리적, 전기적 물성을 변화시킬 수 있다. 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법은 태양전지, 박막 트랜지스터, 유기발광다이오드, 이미지 센서 등 다양한 제품의 제조에 폭 넓게 활용될 수 있다.
Description
본 발명은 실리콘 박막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액상 공정이 가능하며 실리콘 유기 화합물을 이용하여 탄소가 포함된 실리콘 박막을 제조하는 실리콘 박막 형성 방법과 이를 이용하여 형성된 탄소가 포함된 실리콘 박막을 포함하는 태양전지, 박막 트랜지스터 및 유기발광다이오드에 관한 것이다.
실리콘 박막은 태양전지, 박막 트랜지스터, 유기발광다이오드, 이미지 센서 등의 반도체 소자 재료로 널리 활용되고 있다. 비정질 또는 다결정 실리콘 박막 형성에는 일반적으로 열 화학 기상 성장법(Thermal CVD), 플라즈마 화학 기상 성장법(plasma CVD) 등이 이용된다.
Chikusa 등은 촉매 화학 기상 성장법(Cat-CVD)을 이용하여 붕소가 도핑되고 탄소가 포함된 실리콘 박막을 제조하였다(Thin solid films, 430(1-2), 2003). 탄소의 소스(source)로는 메탄, 에탄, 그리고 아세틸렌 가스를 이용하였으며, 탄소의 함량에 따라서 광학적 띠갭(optical bandgap) 에너지가 다르게 나타났다.
그러나, 화학 기상 성장법은 다음과 같은 해결해야 되는 문제점들이 있다. 첫째, 기체 상태에서 증착시키기 때문에 기판 위의 원하는 부분만 증착되는 것이 아니라 다른 부분에도 증착되기 때문에 재료의 손실이 많다. 둘째, 박막 형성 속도가 느리기 때문에 생산성이 떨어진다. 셋째, 박막 형성을 위한 진공 장비의 가격이 비싸다. 넷째, 재료로 사용되는 기상의 실리콘 하이드라이드(silicon hydride)는 매우 높은 독성과 반응성을 가지고 있기 때문에 취급이 어렵고 진공이 반드시 필요하다.
최근에는 화학 기상 성장법과 같이 크고 비싼 장비를 사용하는 증착 방식 대신에 공정 단가가 비교적 저렴하고 대면적의 박막 형성이 용이한 인쇄 기술이 주목 받고 있다. 전자 재료에 사용되는 프린트 재료(printed materials)로 유기 재료가 각광 받고 있으나, 성능 및 신뢰성이 무기 재료에 미치지 못한다.
한편, 최근 일본 Epson사는 폴리실란(polysilane)을 이용하여 액상 공정이 가능한 실리콘 박막을 제조하였다(nature, 440(6), 2006). 이 방법은 폴리실란(polysilane)을 이용하여 액상 공정을 통해 실리콘 박막을 형성할 수 있는 가능성을 보여 주었다. 그러나, 소재가 대기 중에서 발화 또는 폭발할 가능성이 있는 등 불안정성으로 인해 취급이 어려운 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 재료의 취급이 용이하고 공정 단가가 저렴하며, 우수한 성능과 신뢰성을 갖는 탄소가 포함된 실리콘 박막을 형성할 수 있는 실리콘 박막의 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 실리콘 박막을 포함하는 태양전지, 박막 트랜지스터 및 유기발광다이오드를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, (S1) 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 제조하는 단계; (S2) 상기 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 (S3) 상기 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법을 제공한다.
상기 실리콘 유기 화합물로는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물이 사용될 수 있다.
[화학식 1]
여기서, R1 및 R2는 탄화수소기이다.
[화학식 2]
여기서, R3, R4 및 R5는 탄화수소기이다.
상기 화학식 1 및 화학식 2에서 '탄화수소기'는 탄소와 수소로만 이루어진 화합물과 함께 탄소 및 수소를 주성분으로 하되 수소 원자의 일부가 다른 원자 또는 원자단으로 치환된 화합물을 포함하는 의미로 사용된다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 중합도 n1 및 n2는 4 이상인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에서 실리콘 사슬은 선형, 환형 또는 새장 형상일 수 있다.
상기 (S1) 단계에서 상기 박막 형성용 조성물은 상기 실리콘 유기 화합물을 용매에 용해시켜 형성될 수 있다. 이때, 용매로는 탄화수소계 용매, 에테르계 용매를 포함한 다양한 용매가 사용될 수 있다. 용매의 끓는점은 30 내지 400℃인 것이 바람직하다. 박막 형성용 조성물 제조를 위한 용매의 예로 아이소부탄, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 펜텐, 펜탄, 벤젠, 시클로헥산, 시클로헥산, 헥산, 헥센, 디메틸부탄, 톨루엔, 메틸시클로헥산, 헵텐, 헵탄, 메틸헥산, 스틸렌, 크실렌, 에틸벤젠, 옥텐, 옥탄, 쿠멘, 나프탈렌, 듀렌, 아닐린, 인딘, 데칸, 도데칸, 퓨란, 디클로로에탄, 브로모에탄, 디클로로메탄, 디에틸아민, 피리딘, 마세탈, 디에틸 카보네이트, 브로모벤젠, 디에틸 에테르, 디프로틸 에테르, 테트라하이드로퓨란, 테트라하이드로피란, 디메틸술폭사이드, 디메틸설파이드, 클로로포롬, 에틸렌이민, 메틸아민, 아세토나이트릴, 다이메틸포르말데아이드, 프로필렌 카보네이트 등이 대표적이다.
상기 박막 형성용 조성물에서 상기 실리콘 유기 화합물의 함량은 상기 용매 100 중량부에 대하여 0.01 내지 400 중량부인 것이 바람직하다.
상기 (S2) 단계에서 상기 박막 형성용 조성물의 도포를 위해 예를 들어 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 와이어 코팅, 오프셋 프린팅 또는 커튼 코팅 방법 등이 사용될 수 있다.
상기 기판으로는 예를 들어 유리, 금속, 플라스틱 또는 세라믹 등 다양한 재질의 기판이 사용될 수 있다.
상기 (S3) 단계는 100 내지 1200℃에서 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 (S3) 단계는 예를 들어 질소, 헬륨, 아르곤 및 수소로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체 분위기에서 이루어질 수 있다.
상기 실리콘 박막 형성 방법은 상기 열처리 단계(S3)에 더하여 상기 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 노광시켜 광학처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 광학처리 시 노광은 0.1 내지 120분 동안 실시되는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되는 탄소를 함유한 실리콘 박막을 포함하는 태양전지를 제공한다.
본 발명은 또한, 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되는 실리콘 박막을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
본 발명은 또한, 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되는 실리콘 박막을 포함하는 유기발광다이오드를 제공한다.
본 발명의 실리콘 박막 형성 방법에 따르면, 액상 공정을 이용함으로써 간단하고 저렴한 공정으로 실리콘 박막을 형성할 수 있다. 액상 공정을 위한 대표적인 재료로 알려진 폴리실란은 불안정성으로 인해 그 취급에 어려움이 있고 그에 따라 고가의 특별한 장비가 필요하나, 상기 실리콘 박막 형성 방법은 공기 중에서도 안정성을 갖는 실리콘 유기 화합물을 이용함으로써 공정을 간소화하고 비용을 절감할 수 있다.
또한, 기판 위에 대면적의 박막을 용이하게 제조할 수 있고, 실리콘 박막에 포함된 탄소의 함량을 조절함으로써 광학적 띠갭 및 전도도를 포함한 실리콘 박막의 물리적, 전기적 물성을 변화시킬 수 있어 다양한 전자 재료 소자에 이용될 수 있다. 실리콘 박막에 포함된 탄소의 성분은 실리콘 유기 화합물의 조성, 열처리 또는 광학 처리 공정 조건을 조절함에 의해 변화시킬 수 있다.
본 발명의 실리콘 박막 형성 방법은 태양전지, 박막 트랜지스터, 유기발광다이오드, 이미지 센서 등 다양한 제품의 제조에 폭 넓게 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법에 따라 실리콘 박막이 형성되는 과정을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 2는 실시예 1에서 유리 기판 상에 박막 형성용 조성물을 스핀코팅하여 실리콘 박막을 형성한 후 측정한 원자력간현미경(AFM) 이미지이다.
도 3은 실시예 1에서 실리콘 박막이 형성된 유리 기판을 열처리하여 제조한 후 측정한 원자력간현미경(AFM) 이미지이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명에 따르면, 실리콘 유기 화합물을 이용하여 액상 공정을 통해 실리콘 박막을 형성함으로써 실리콘 박막 형성 공정을 단순화할 수 있다. 본 발명은 태양전지, 박막 트랜지스터 등 다양한 제품의 소자 제조에 널리 활용될 수 있으며, 사용되는 소자에 요구되는 특성을 만족하도록 실리콘 박막의 물리적, 전기적 물성을 용이하게 변화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법에 따라 실리콘 박막이 형성되는 과정을 설명하기 위한 공정 흐름도이다. 도 1을 참조하여 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법을 설명한다.
먼저, 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 제조한다(S1). 본 단계는 액상 공정을 위한 박막 형성용 조성물을 제조하기 위한 단계로서, 박막 형성용 조성물 제조를 위해 실리콘 유기 화합물이 사용된다.
실리콘 유기 화합물이란 실리콘(Si), 탄소(C) 및 수소(H)를 주성분으로 하는 화합물로서, 공기 중에서도 매우 안정하여 액상 공정을 통한 실리콘 박막 형성 시 취급이 용이하고 공정상의 제약을 줄일 수 있다.
실리콘 유기 화합물로는 예를 들어 하기 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 화합물이 사용될 수 있다. 이들은 공기 중에서 특히 안정하고, 다양한 용매에 용해되는 특성을 갖는다.
[화학식 1]
여기서, R1 및 R2는 탄화수소기이다.
[화학식 2]
여기서, R3, R4 및 R5는 탄화수소기이다.
화학식 1 및 화학식 2에서 '탄화수소기'는 탄소와/또는 수소로만 이루어진 화합물에 더하여 탄소 및 수소를 주성분으로 하되 수소 및 탄소 원자의 일부가 다른 원자 또는 원자단으로 치환된 화합물까지 포함하는 의미로 사용된다.
화학식 1에서 R1 및 R2는 탄소 원자가 20개 미만인 탄화수소기이다. 탄소 원자가 20개 이상이면 용매에 대한 용해도가 떨어진다.
화학식 2에서의 R3, R4는 탄소 원자가 20개 미만인 탄화수소기이다. 탄소 원자가 20개 이상이면 용매에 대한 용해도가 떨어진다. R5는 탄소 원자가 5개 미만인 탄화수소기이다. 탄소 원자가 5개 이상이면 용매에 대한 용해도가 떨어지며, 전자재료에서 요구되는 전기적인 특성을 나타내기 어렵다.
화학식 1 및 화학식 2에서 탄소와 수소 원자를 제외한 다른 원자 및 원자단으로는 할로겐 원자, 3족 원소 및 5족 원소 등이 포함될 수 있다.
화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물에 있어서 중합도 n1 및 n2는 4 이상인 것이 바람직하다. 중합도가 3 이하인 경우 대기 중에 불안정하기 때문에 바람직하지 못하다.
화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에서 실리콘 사슬은 선형(Linear type), 환형(ring type) 또는 새장 모형(cage-like type)일 수 있다.
실리콘 유기 화합물의 조성을 변화시켜 최종 생성물인 실리콘 박막의 실리콘과 탄소의 함량을 조절함으로써 광학적 띠갭 및 전도도 등을 포함한 전기적, 반도체적 특성을 조절할 수 있다.
본 단계에서 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물은 실리콘 유기 화합물을 용매에 용해시켜 형성될 수 있다. 이때, 용매로는 탄화수소계 용매 및 에테르계 용매를 포함한 다양한 용매가 사용될 수 있으며, 1종 또는 2종의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.
용매의 끓는점은 30 내지 400℃인 것이 바람직하다. 용매의 끓는점이 30 ℃ 미만이면 박막의 형성되기 전에 용매가 기화되어 균일한 박막을 만들기 어렵고, 400 ℃를 초과하면 박막이 형성되는 시간이 길어져 박막에 용매가 남아 있을 수 있다.
박막 형성용 조성물 제조를 위한 용매의 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 쿠멘, 듀렌, 아닐린, 인딘, 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 도데칸, 시클로헥산, 시클로옥탄, 스티렌, 다이에틸 에테르, 다이프로틸 에테르, 테트라하이드로퓨란, 테트라하이드로피란, 다이메틸 술폭사이드, 클로로포롬, 메틸렌 클로라이드, 아세토나이트릴, 다이메틸포르말데아이드, 프로필렌 카보네이트 등이 대표적이다.
박막 형성용 조성물에서 상기 실리콘 유기 화합물의 함량은 상기 용매 100 중량부에 대하여 0.01 내지 400 중량부인 것이 바람직한데, 0.01 중량부 미만이면 박막의 두께가 지나치게 얇아지며, 400 중량부를 초과하면 박막 형성용 조성물을 도포하기 어려워져 바람직하지 못하다.
다음으로, 박막 형성용 조성물을 기판에 도포한다(S2).
박막 형성용 조성물의 도포를 위해 다양한 도포 방법들이 사용될 수 있으며, 예를 들어 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 와이어 코팅, 오프셋 프린팅 또는 커튼 코팅 방법 등이 사용될 수 있다.
기판의 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 유리, 금속, 플라스틱 또는 세라믹 등 다양한 재질의 기판이 사용될 수 있다.
다음으로, 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 열처리한다(S3). 열처리를 통해 SixCyHz 박막이 형성된다.
열처리 조건을 변화시켜 x,y를 조절, 즉 실리콘과 탄소의 함량을 조절함으로써 광학적 띠갭 및 전도도 등을 포함한 전기적, 반도체적 특성을 조절 가능한 실리콘 박막을 만들 수 있다.
열처리는 100 내지 1200℃에서 이루어지는 것이 바람직한데, 열처리 온도가 100℃ 미만이면 충분한 전기적 물성을 얻을 수 있는 정도의 열처리 효과를 기대할 수 없으며, 1200℃를 초과하면 실리콘이 파괴될 문제가 있어 바람직하지 못하다.
열처리 시간이 지나치게 길어지면 생산성이 떨어지며 실리콘이 파괴될 문제가 있고, 지나치게 짧을 경우 충분한 전기적, 물리적 물성을 얻기 어렵다. 따라서 열처리 시간은 적절히 조절되어야 하는데, 대략 1 내지 300분이 적절하다.
한편, 열처리는 다양한 기체 분위기하에서 이루어질 수 있다. 예를 들어 헬륨, 아르곤과 같은 불활성 기체와 질소, 수소 등이 사용될 수 있는데, 이들은 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
열처리 단계는 1회만 진행될 수도 있으나, 물성 조절을 위해 수회 반복될 수 있다.
열처리와 함께 광학처리를 병용할 수 있는데, 광학처리는 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 노광시킴에 의해 이루어질 수 있다. 광학처리 시 노광은 0.1 내지 120분 동안 실시되는 것이 바람직하다. 노광시간이 0.1분 미만이면 결합의 절단 및 재배열이 충분히 이루어지지 않는 문제가 있고, 대략 120분 정도이면 충분한 노광 효과를 얻을 수 있다.
광학처리 조건을 변화시켜 x,y를 조절, 즉 실리콘과 탄소의 함량을 조절함으로써 광학적 띠갭 및 전도도 등을 포함한 전기적, 반도체적 특성을 조절 가능한 실리콘 박막을 만들 수 있다.
상술한 바와 같은 실리콘 유기 화합물을 이용한 본 발명의 실리콘 박막 형성방법을 이용하면 광학적 띠갭이 조절 가능한 SixCyHz 박막이 형성된다. 또한, 기판 위에 대면적의 박막을 용이하게 제조할 수 있고, 실리콘 유기 화합물의 조성, 열처리 또는 광학 처리 공정 조건을 조절함에 의해 사용되는 전자 재료 소자에 적합하도록 광학적 띠갭 및 전도도를 포함한 실리콘 박막의 물리적, 전기적 물성을 변화시킬 수 있다.
본 발명의 실리콘 박막 형성 방법을 이용하여 형성된 실리콘 박막은 성능 및 신뢰성이 우수하여 태양전지, 박막 트랜지스터, 유기발광다이오드의 반도체 소자 등에 효과적으로 활용될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
<
실시예
1>
데카페닐사이클로 펜타실란을 벤젠에 8 중량% 함량으로 녹여 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 제조하였다. 이후, 세라믹 기판 상에 상기 조성물을 스핀코팅하여 실리콘 박막을 형성하였고 형성된 실리콘 박막에 대해 원자력간현미경(Atomic Force Microscopy, AFM) 이미지를 측정하여 도 2에 나타내었다. 이후 상기 실리콘 박막이 형성된 유리 기판을 튜브형 가열로에 넣고 고순도 아르곤을 흘려주면서 900 ℃ 까지 가열하여 실리콘 박막을 제조하였고, 제조된 실리콘 박막에 대해 원자력간현미경(AFM) 이미지를 측정하여 도 3에 나타내었다. 이와 같이 열처리하여 생성된 실리콘 박막은 탄소를 소량 포함하게 되며, Si/C = 12.5/1 의 비율을 갖는 것으로 확인되었다.
Claims (18)
- (S1) 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 제조하는 단계;(S2) 상기 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및(S3) 상기 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 유기 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법:[화학식 1]여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20개 미만인 탄화수소기이고,[화학식 2]여기서, R3 및 R4 는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임.
- 제2항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 중합도 n1 및 n2는 4 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제2항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에서 실리콘 사슬은 선형, 환형 또는 새장 형상인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (S1) 단계에서 상기 박막 형성용 조성물은 상기 실리콘 유기 화합물을 용매에 용해시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제5항에 있어서,상기 박막 형성용 조성물에서 상기 실리콘 유기 화합물의 함량은 상기 용매 100 중량부에 대하여 0.01 내지 400 중량부인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (S2) 단계에서는 상기 박막 형성용 조성물을 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 와이어 코팅, 오프셋 프린팅 또는 커튼 코팅으로 상기 기판에 도포하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (S3) 단계는 100 내지 1200℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (S3) 단계는 질소, 헬륨, 아르곤 및 수소로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 노광시켜 광학처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 제11항에 있어서,상기 광학처리 시 노광은 0.1 내지 120분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법.
- 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되는 실리콘 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제13항에 있어서,상기 실리콘 유기 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 태양전지:[화학식 1]여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고,[화학식 2]여기서, R3 및 R4는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임.
- 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되는 실리콘 박막을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제15항에 있어서,상기 실리콘 유기 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터:[화학식 1]여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고,[화학식 2]여기서, R3 및 R4는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임.
- 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되는 실리콘 박막을 포함하는 유기발광다이오드.
- 제17항에 있어서,상기 실리콘 유기 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드:[화학식 1]여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고,[화학식 2]여기서, R3 및 R4는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090026601A KR101114293B1 (ko) | 2008-03-28 | 2009-03-27 | 실리콘 박막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20080029259 | 2008-03-28 | ||
| KR1020080029259 | 2008-03-28 | ||
| KR1020090026601A KR101114293B1 (ko) | 2008-03-28 | 2009-03-27 | 실리콘 박막 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090103840A true KR20090103840A (ko) | 2009-10-01 |
| KR101114293B1 KR101114293B1 (ko) | 2012-03-05 |
Family
ID=41533351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090026601A KR101114293B1 (ko) | 2008-03-28 | 2009-03-27 | 실리콘 박막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101114293B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190087251A (ko) * | 2018-01-15 | 2019-07-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 |
-
2009
- 2009-03-27 KR KR1020090026601A patent/KR101114293B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190087251A (ko) * | 2018-01-15 | 2019-07-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101114293B1 (ko) | 2012-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI605492B (zh) | 用於製造摻雜ｐ的矽層之方法及藉由彼所製造之光伏打單元、以及經塗布之基板 | |
| KR100436319B1 (ko) | 실리콘 막의 형성방법 | |
| US10385217B2 (en) | Formulations comprising hydridosilanes and hydridosilane oligomers, their process of manufacture and their use | |
| CN106463366A (zh) | 制造不同掺杂的半导体的方法 | |
| KR20170035323A (ko) | 무전사식 그래핀층의 형성 방법 | |
| US10457813B2 (en) | Formulations comprising hydridosilanes and hydridosilane oligomers, their process of manufacture and their use | |
| JP6012469B2 (ja) | シリコン層の製造方法 | |
| TW202031738A (zh) | 氫矽烷寡聚物之製備方法 | |
| KR101114293B1 (ko) | 실리콘 박막 형성 방법 | |
| CN106185897B (zh) | 一种在多种基底上可控制备石墨烯纳米带的方法 | |
| EP2024291A2 (en) | Method of depositing zinc oxide coatings on a substrate | |
| TW201303974A (zh) | 製造非晶形半導體層之方法 | |
| CN113353922B (zh) | 一种氮掺杂石墨烯的制备方法及其制备的氮掺杂石墨烯 | |
| CN112968127B (zh) | 一种制备多孔有机半导体薄膜的方法 | |
| JP3462976B2 (ja) | シリコン粒子の製造方法及びシリコン膜の形成方法 | |
| CN114057187A (zh) | 一种针尖诱导合成一维石墨烯的方法 | |
| US10370392B2 (en) | Doped hydridosilane compositions, and method for producing same | |
| CN112647042A (zh) | 一种用热板制备二维WS2/PbI2垂直异质结的制备方法 | |
| KR20040018009A (ko) | 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(ＳｉＣＮ) 박막 제조방법 | |
| CN116791197A (zh) | 一种传输极性和掺杂浓度可调控的二维过渡金属二硫族化物及其制备方法和应用 | |
| CN117577538A (zh) | 一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga2O3薄膜的制备方法 | |
| KR20100130009A (ko) | 실리콘 용액 프로세스를 이용한 실리콘막 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150115 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160113 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |