WO2014202459A1 - Formulierungen umfassend hydridosilane und hydridosilan-oligomere, verfahren zu ihrer herstellung und ihrer verwendung - Google Patents

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WO2014202459A1
WO2014202459A1 PCT/EP2014/062244 EP2014062244W WO2014202459A1 WO 2014202459 A1 WO2014202459 A1 WO 2014202459A1 EP 2014062244 W EP2014062244 W EP 2014062244W WO 2014202459 A1 WO2014202459 A1 WO 2014202459A1
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hydridosilane
weight
oligomer
formulation according
layers
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PCT/EP2014/062244
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Paul Henrich Wöbkenberg
Matthias Patz
Stephan Traut
Jutta Hessing
Miriam Deborah MALSCH
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Evonik Industries Ag
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Definitions

  • Formulations comprising hydridosilanes and hydridosilane oligomers, processes for their preparation and their use
  • the present invention relates to formulations comprising at least one low molecular weight hydridosilane and at least one hydridosilane oligomer, to processes for their preparation and their use, in particular for the preparation of silicon-containing layers.
  • Hydridosilanes or their oligomers are in the literature as possible starting materials for the
  • Hydridosilanes are compounds which essentially contain only silicon and hydrogen atoms and which have less than 20 silicon atoms. Hydridosilanes can in principle be gaseous, liquid or solid and are - especially in the case of solids - substantially soluble in solvents such as toluene or cyclohexane or in liquid silanes such as cyclopentasilane. Examples which may be mentioned are monosilane, disilane, trisilane, cyclopentasilane and neopentasilane.
  • Hydridosilane compound in the presence of a hydridosilane polymer with at least 500 g / mol is thermally reacted.
  • Silicon-containing layers can be deposited from the gas phase in vacuum chambers, for. Via PECVD.
  • gas phase processes are technically complex and often do not lead to layers of desired quality.
  • liquid phase processes are often preferred for producing silicon-containing layers.
  • the prior art describes various hydridosilane-containing formulations.
  • the usable semiconductor precursors also include hydridosilanes.
  • WO 2008/13781 1 A2 discloses compositions containing one or more semiconductor precursors selected from a group comprising (poly) silanes.
  • US 2009/0215219 A1 also discloses a method for producing a semiconductor layer in which a silicon atom-containing liquid
  • Coating composition is applied to a substrate.
  • Coating composition may include a silane polymer, which may be a polyhydridosilane.
  • a silane polymer which may be a polyhydridosilane.
  • US 2010/0197102 A1 discloses solutions containing a compound which is preferably a silane having four to nine silicon atoms. Coating compositions containing a polysilane are also described in EP 1 357 154 A1.
  • EP 1 640 342 A1 further discloses silane polymers having a weight-average molecular weight of 800 to 5000 g / mol, which can be used for producing silicon-containing films.
  • JP 2008-270603 A and JP 09-45922 A disclose
  • Coating compositions for producing silicon-containing films in which various silicon compounds can be used as precursors are not disclosed in the cited references.
  • JP 2004-134440 A discloses coating compositions for producing silicon-containing films containing various silane compounds and cyclic silanes.
  • EP 1 085 579 A1 and EP 1 087 428 A1 also disclose coating compositions for producing silicon-containing layers in which two silicon precursors are used. These are a cyclic silicon compound and a doped silicon compound.
  • JP 2000-031066 A discloses liquid coating compositions containing a hydrido-silane of the generic formula Si n H 2n + 20 of Si n H 2n or mixtures of the two.
  • DE 10 2010 030 696 A1 likewise discloses liquid coating compositions which may comprise hydridosilanes as silicon precursors.
  • Low molecular weight hydridosilanes have disadvantages in the production of silicon-containing layers.
  • they are not suitable for the production of very thin silicon-containing layers (Layers with a maximum thickness of 25 nm), since at typical conversion temperatures the low molecular weight material vaporizes before it can crosslink.
  • coating compositions containing high molecular weight hydridosilane oligomers are often used as an alternative.
  • these high molecular weight hydridosilane oligomers are in principle suitable for producing silicon-containing layers, they have the disadvantage that they dissolve only poorly in organic solvents, which leads to disadvantages of the layers produced with them. For this reason, existing in the art
  • Coating compositions which, in addition to high molecular weight hydridosilane oligomers, also comprise low molecular weight hydridosilanes, the latter acting as solubilizers.
  • the prior art describes coating compositions for producing silicon-containing layers containing a hydridosilane oligomer blended with a cyclic hydridosilane (Masuda et al., Thin Solid Films 520 (2012) 5091-5096).
  • corresponding coating compositions containing a cyclic hydridosilane have the disadvantage that they are stable only at high concentrations of cyclic hydridosilanes.
  • the formulations quickly turn cloudy and are then not suitable for producing high quality silicon-containing layers.
  • Hydridosilane oligomers are incorporated in the conversion in the composite layer. Because of this, these compounds in coating compositions containing hydridosilane oligomers are not suitable for producing thinner (corresponding to thicknesses less than or equal to 25 nm) and high-quality silicon-containing layers.
  • Appropriate Formulations are particularly suitable for the production of high-quality, thin layers with less than 25 nm thickness, in particular with thicknesses of 1-15 nm, from the liquid phase and wet in the coating process common substrates well.
  • the claimed formulation is in the present case a composition which comprises at least one hydridosilane and at least one hydridosilane oligomer or consists of a mixture of the two.
  • the formulation is liquid, since it is so easy to handle.
  • it is also in the inventive
  • composition of a coating composition especially for liquid phase or CVD deposition processes.
  • Corresponding coating compositions have the advantage of being suitable for the deposition of silicon-containing layers, in particular for the processes mentioned.
  • the composition of the invention is a coating composition suitable for liquid phase deposition processes.
  • Hydridosilanes of the formula Si n H 2n + 2 where n 3 to 6 are non-cyclic hydridosilanes.
  • Isomers of these compounds can be linear or branched.
  • Preferred non-cyclic hydridosilanes are trisilane, isotetrasilane, n-pentasilane, 2-silyl-tetrasilane and neopentasilane, the formulations of which result in particularly thin layers.
  • the hydridosilane of said generic formula is a branched hydridosilane, which leads to more stable solutions and better layers than a linear hydridosilane.
  • Further preferred compounds are the branched compounds isotetrasilane, 2-silyl-tetrasilane and neopentasilane, which have the advantage that they stabilize the solutions particularly well and must be used only in particularly small amounts and lead to very particularly thin and good layers.
  • the hydridosilane Most preferably, the hydridosilane
  • the hydridosilane oligomer is the oligomer of a hydridosilane compound, and preferably the oligomer of a hydridosilane.
  • the formulation of the invention is particularly well suited for the production of thin layers, if the
  • Hydridosilane oligomer has a weight average molecular weight of 200 to 10,000 g / ml. Methods for their preparation are known in the art. Appropriate
  • Molecular weights can be determined by gel permeation chromatography using a linear polystyrene column with cyclooctane can be determined as eluent against polybutadiene as a reference.
  • the hydridosilane oligomer is preferably obtained by oligomerization of non-cyclic hydridosilanes. Unlike hydridosilane oligomers of cyclic hydridosilanes, these oligomers have a high crosslinking ratio due to the dissociative polymerization mechanism that proceeds differently. Oligomers of cyclic hydridosilanes instead have due to the ring-opening reaction mechanism, the cyclic
  • Hydridosilanes are subjected, if at all, only a very small proportion of crosslinking.
  • Corresponding oligomers prepared from non-cyclic hydridosilanes unlike oligomers of cyclic hydridosilanes in solution, wet the substrate surface well, can be used particularly well for producing thin layers and lead to homogeneous and smooth surfaces. Even better results are shown by oligomers of non-cyclic, branched hydridosilanes.
  • a particularly preferred hydridosilane oligomer is an oligomer obtainable by thermal reaction of a composition comprising at least one non-cyclic hydridosilane having a maximum of 20 silicon atoms in the absence of a catalyst at temperatures of ⁇ 235 ° C.
  • Corresponding hydridosilane oligomers and their preparation are described in WO
  • This oligomer has even better properties than the other hydridosilane oligomers of non-cyclic, branched hydridosilanes.
  • the hydridosilane oligomer may have other radicals in addition to hydrogen and silicon.
  • advantages of the layers made with the formulations can result when the oligomer is carbonaceous.
  • Corresponding carbon-containing hydridosilane oligomers can be prepared by co-oligomerizing hydridosilanes with hydrocarbons.
  • the hydridosilane oligomer is an exclusively hydrogen- and silicon-containing compound which therefore has no halogen or alkyl radicals.
  • Hydridosilane oligomers which are doped are furthermore preferred for producing doped silicon-containing layers.
  • the hydridosilane oligomers are boron or phosphorous doped and corresponding formulations are suitable for the production of p- or n-doped silicon layers.
  • Corresponding hydridosilane oligomers can be produced by adding the corresponding dopants already during their preparation.
  • undoped hydridosilane oligomers with substances selected from the group of p-dopants, preferably the hydroborating (especially B 2 H 6 , BH 3 * THF, BEt 3 , BMe 3 ) p-doped or with n Dotants (especially PH 3 , P 4 ) by means of an energetic process (eg UV irradiation or thermal treatment) n-doped.
  • p-dopants preferably the hydroborating (especially B 2 H 6 , BH 3 * THF, BEt 3 , BMe 3 ) p-doped or with n Dotants (especially PH 3 , P 4 ) by means of an energetic process (eg UV irradiation or thermal treatment) n-doped.
  • the proportion of the hydridosilane (s) is preferably from 0.1 to 99% by weight, more preferably from 1 to 50% by weight, very preferably from 1 to 30% by weight, based on the total weight of the formulation.
  • the proportion of the or the hydridosilane oligomers is preferably 0.1 to 99 wt .-%, more preferably 1 to 50 wt .-%, most preferably 1 to 20 wt .-% based on the total weight of the formulation.
  • the proportion of the hydridosilane oligomer in the formulation is furthermore preferably 40 to 99.9% by weight, particularly preferably 60 to 99, very particularly preferably 70 to 90% by weight, based on the total mass of the compound present, in order to achieve particularly good results
  • Optimal is thus the range of 70-90 wt .-%, based on the total mass of present hydridosilane and hydridosilane oligomer.
  • the formulation of the invention need not contain a solvent. However, it preferably has at least one solvent. If it contains a solvent, the proportion thereof is preferably 0.1 to 99% by weight, more preferably 25 to 95% by weight, very preferably 60 to 95% by weight, based on the total weight of the formulation.
  • Preferred usable solvents are those selected from the group consisting of linear, branched or cyclic saturated, unsaturated or aromatic hydrocarbons having 1 to 12 carbon atoms (optionally partially or fully halogenated), alcohols, ethers, carboxylic acids, esters, nitriles, amines, amides, Sulfoxides and water.
  • n-pentane n-hexane, n-heptane, n-octane, n-decane, dodecane, cyclohexane, cyclooctane, cyclodecane, dicyclopentane, benzene, toluene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, indane, indene .
  • the formulation according to the invention may further comprise, in addition to the at least one hydridosilane and the at least one hydridosilane oligomer and the one or more optionally present
  • Solvents have further substances, in particular dopants (preferably B 2 H 6 , BH 3 * THF, BEt 3 , BMe 3 , PH 3 , P 4 ), nanoparticles or additives for adjusting the rheological properties. Corresponding substances are known to the person skilled in the art.
  • the present invention furthermore relates to a process for producing silicon-containing layers, in which the formulation according to the invention, in particular the
  • Coating composition applied from the gas phase or the liquid phase to an uncoated or precoated substrate and is converted thermally and / or with electromagnetic radiation in a silicon-containing layer.
  • a multiplicity of substrates can be used.
  • Substrates consisting of glass, quartz glass, graphite, metal, silicon or consisting of a silicon, indium tin oxide, ZnO: F, ZnO: Al or SnO 2 : F layer on a heat-compatible support are preferred.
  • Preferred metals are aluminum, stainless steel, Cr steel, titanium, chromium or molybdenum.
  • plastic films for example made of PEEK, PEN, PET or polyimides).
  • the formulation is preferably applied by a gas or liquid-phase coating process selected from printing processes (in particular flexo / gravure printing, nanoimage or microimprint, inkjet printing, offset printing, reverse offset printing, digital offset printing and screen printing ), Spray method, aerosol assisted chemical vapor deposition, direct liquid injection chemical vapor deposition, spin coating, dip coating and method selected from Meniscus Coating, Slit Coating, Slot Die Coating, and Curtain coating.
  • a gas or liquid-phase coating process selected from printing processes (in particular flexo / gravure printing, nanoimage or microimprint, inkjet printing, offset printing, reverse offset printing, digital offset printing and screen printing ), Spray method, aerosol assisted chemical vapor deposition, direct liquid injection chemical vapor deposition, spin coating, dip coating and method selected from Meniscus Coating, Slit Coating, Slot Die Coating, and Curtain coating.
  • aerosol-assisted chemical vapor deposition and direct liquid injection chemical vapor deposition are attributable to the gas phase process.
  • the application is carried out via a liquid
  • the coated substrate can furthermore preferably be dried before the conversion in order to remove any solvent present.
  • the heating temperature should be less than 200 ° C.
  • the thermal conversion of the process according to the invention is preferably carried out at temperatures of 200-1000 ° C., preferably 250-750 ° C., particularly preferably 300-700 ° C. Thermal conversion times are preferably between 0.1 ms and 360 min. The conversion time is more preferably between 0.1 ms and 10 minutes, more preferably between 1 s and 120 s.
  • Corresponding rapid energetic process guides can be, for example, by the use of an IR lamp, a hot plate, an oven, a flashlamp, a plasma with a suitable gas composition, an RTP system, a microwave system or a
  • Electron beam treatment (if necessary, in the preheated or warmed up state) done.
  • a conversion by irradiation with electromagnetic radiation, in particular with UV light take place.
  • the conversion time can preferably be between 1 s and 360 min.
  • Enrichment of the silicon-containing layers can be carried out with hydrogen.
  • This is a so-called “hydrogen passivation", which compensates for defects in the material, and for example with reactive hydrogen by the Hotwire method, with a hydrogen-containing plasma (remote or direct, in vacuum or at atmospheric pressure) or by corona treatment or a
  • the drying and / or the conversion step mentioned above can also be carried out in a hydrogen-enriched atmosphere, so that the material is hydrogen-rich from the outset.
  • oxidizing conditions For producing silicon oxide-containing layers, application, pre-crosslinking, drying and / or conversion under oxidizing conditions can furthermore be carried out. How oxidizing conditions can be set is known to the person skilled in the art.
  • the layer can be crystallized after conversion by the introduction of thermal energy, electromagnetic radiation and / or particle bombardment. Methods for this are known to the person skilled in the art.
  • the method described for the production of silicon-containing layers can furthermore be carried out several times simultaneously with respect to a substrate or consecutively in time (simultaneous or successive deposition, the resulting films being partly or completely superposed on one another).
  • Such a method for the production of multilayer systems is preferably suitable for the production of systems composed of intrinsic (ie non-doped) and doped layers, the z. B. are essential for the construction of solar cells.
  • the method is particularly preferably suitable for producing multilayer systems for optimum passivation or avoidance of defects at the interface with the substrate if a thin intrinsic (ie undoped) silicon-containing layer and then a layer doped opposite to the substrate are applied to the substrate.
  • a substantially dopant-free formulation is then applied to a doped substrate, followed by a formulation having an opposite dopant with respect to the substrate.
  • the substrate can be coated on both sides.
  • hydridosilane formulations which can be prepared according to the invention are suitable for a large number of uses. They are particularly well suited - in isolation or together with other formulations - for the production of electronic or optoelectronic
  • the invention thus also relates to the use of the hydridosilane formulations obtainable by the process according to the invention for producing optoelectronic or electronic component layers. Furthermore, an object of the invention is the use of the hydridosilane formulations according to the invention for
  • the hydridosilane formulations obtainable by the process according to the invention are preferably suitable for the preparation of charge-transporting components in optoelectronic or electronic components.
  • the hydridosilane formulations obtainable by the process according to the invention are furthermore suitable for the preparation of silicon-containing layers.
  • formulations according to the invention and the process according to the invention are suitable for the preparation of the following layers or components:
  • neopentasilane M w ⁇ 2200 g / mol
  • the resulting layer thickness is 6.5 nm.
  • the layers are suitable in principle for semiconductor applications, but have disadvantages.
  • Si wafer with 300 nm thermally grown Si0 2 is a mixture of 0.2 g undoped hydridosilane oligomer (28.6 wt .-%, based on the total mass of present hydridosilane and hydridosilane oligomer) from neopentasilane (M w 2200 g / mol) and 0.5 g of neopentasilane in 1 g of cyclooctane and 6 g of toluene at 9999 rpm and then converted at 500 ° C / 60 s.
  • the resulting layer thickness is 6.5 nm.
  • the layers are in principle suitable for semiconductor applications, but have disadvantages.
  • a mixture of 0.26 g of undoped hydridosilane oligomer (66.7% by weight, based on the total mass of hydridosilane present and hydridosilane present) is applied to an EagleXG glass. Oligomer) from neopentasilane (Mw ⁇ 1200 g / mol) and 0.13 g of neopentasilane in 1.60 g
  • n-doped hydridosilane oligomer 80 wt .-%, based on the total mass of hydridosilane present and Hydridosilan- oligomer
  • M w ⁇ 1 120 g / mol 0.02 g of neopentasilane in 0.18 g of cyclooctane and 0.42 g of toluene coated at 9999 U / min and then converted at 500 ° C / 60 s.
  • the resulting layer thickness is 12 nm. It can reproducibly very good

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft Formulierungen umfassend mindestens ein Hydridosilan der generischen Formel SinH2n+2 mit n = 3 - 6 und mindestens ein Hydridosilan-Oligomer, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.

Description

Formulierungen umfassend Hydridosilane und Hydridosilan-Oligomere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihrer Verwendung
Die vorliegende Erfindung betrifft Formulierungen umfassend mindestens ein niedermolekulares Hydridosilan und mindestens ein Hydridosilan-Oligomer, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihrer Verwendung, insbesondere zur Herstellung Silicium-haltiger Schichten.
Hydridosilane bzw. ihre Oligomerisate sind in der Literatur als mögliche Edukte für die
Erzeugung Silicium-haltiger Schichten beschrieben.
Dabei sind unter Hydridosilanen Verbindungen zu verstehen, die im Wesentlichen lediglich Silicium- und Wasserstoffatome enthalten und die weniger als 20 Siliciumatome aufweisen. Hydridosilane können prinzipiell gasförmig, flüssig oder fest sein und sind - insbesondere im Falle von Feststoffen - im Wesentlichen löslich in Lösemitteln wie Toluol oder Cyclohexan oder in flüssigen Silanen wie Cyclopentasilan. Als Beispiele seien Monosilan, Disilan, Trisilan, Cyclopentasilan und Neopentasilan genannt. Hydridosilane mit mindestens drei bzw. vier Siliciumatomen können eine lineare, verzweigte oder (ggf. bi-/poly-)cyclische Struktur mit Si-H- Bindungen aufweisen und lassen sich bevorzugt durch die jeweiligen generischen Formeln SinH2n+2 (linear bzw. verzweigt; mit n = 2 - 20), SinH2n (cyclisch; mit n = 3 - 20) oder SinH2(n-i) (bi- bzw. polycyclisch; n = 4 - 20; i = {Zahl der Cyclen} - 1 ) beschreiben.
Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen mit mindestens 3 Siliciumatomen werden z.B. in US 6,027,705 A offenbart. Ein thermisches Verfahren zur Herstellung von Oligomerisaten von Hydridosilanen offenbart WO 201 1/104147 A1 . Weiterhin offenbart WO 2012/041837 A2 ein Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilan-Verbindungen, bei dem eine niedere
Hydridosilan-Verbindung in Gegenwart eines Hydridosilan-Polymers mit mindestens 500 g/mol thermisch umgesetzt wird.
Silicium-haltige Schichten können aus der Gasphase in Vakuumkammern abgeschieden werden, z. B. über PECVD. Gasphasenverfahren sind jedoch technisch aufwendig und führen oft nicht zu Schichten gewünschter Qualität. Aus diesem Grund werden Flüssigphasen- verfahren zur Herstellung Silicium-haltiger Schichten oft bevorzugt. Der Stand der Technik beschreibt verschiedene Hydridosilan-haltige Formulierungen. So offenbart z. B. US 5,866,471 A Formulierungen enthaltend Halbleiter-Precursoren, mit denen Halbleiterschichten hergestellt werden können. Die einsetzbaren Halbleiter-Precursoren umfassen auch Hydridosilane. Auch WO 2008/13781 1 A2 offenbart Zusammensetzungen enthaltend einen oder mehrere Halbleiter-Precursoren, die aus einer Gruppe ausgewählt werden und (Poly-)Silane umfassen. Auch US 2009/0215219 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Schicht, bei dem eine Siliciumatom-haltige flüssige
Beschichtungszusammensetzung auf ein Substrat aufgebracht wird. Die
Beschichtungszusammensetzung kann ein Silan-Polymer enthalten, bei dem es sich um ein Poly-Hydridosilan handeln kann. US 2010/0197102 A1 offenbart Lösungen enthaltend eine Verbindung, bei der es sich bevorzugt um ein Silan mit vier bis neun Siliciumatomen handelt. Beschichtungszusammensetzungen enthaltend ein Polysilan werden auch in EP 1 357 154 A1 beschrieben. EP 1 640 342 A1 offenbart weiterhin Silan-Polymere mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 800 bis 5000 g/mol, die zur Herstellung Silicium-haltiger Filme eingesetzt werden können. Auch JP 2008-270603 A und JP 09-45922 A offenbaren
Beschichtungszusammensetzungen zur Herstellung Silicium-haltiger Filme, bei denen verschiedene Silicium-Verbindungen als Precursoren eingesetzt werden können. Gemische verschiedener Hydridosilan-Precursoren werden in den genannten Literaturstellen nicht offenbart.
JP 2004-134440 A offenbart Beschichtungszusammensetzungen zur Herstellung Silicium- haltiger Filme, die verschiedene Silan-Verbindungen und cyclische Silane enthalten. Auch EP 1 085 579 A1 und EP 1 087 428 A1 offenbaren Beschichtungszusammensetzungen zur Herstellung Silicium-haltiger Schichten, bei denen zwei Silicium-Precursoren eingesetzt werden. Bei diesen handelt es sich um eine cyclische Silicium-Verbindung und eine dotierte Silicium- Verbindung. JP 2000-031066 A offenbart flüssige Beschichtungszusammensetzungen enthaltend ein Hydrido-Silan der generischen Formel SinH2n+20der SinH2n oder Gemische der beiden. DE 10 2010 030 696 A1 offenbart ebenfalls flüssige Beschichtungszusammensetzungen, die Hydridosilane als Silicium-Precursoren aufweisen können.
Beschichtungszusammensetzungen enthaltend als Silicium-Precursor ausschließlich
niedermolekulare Hydridosilane haben Nachteile bei der Herstellung Silicium-haltiger Schichten. Insbesondere eignen sie sich nicht für die Herstellung sehr dünner Silicium-haltiger Schichten (Schichten mit einer Dicke von max. 25 nm), da bei typischen Konvertierungstemperaturen das niedermolekulare Material verdampft, bevor es vernetzen kann. Aus diesem Grunde werden als Alternative oft Beschichtungszusammensetzungen enthaltend Hydridosilan-Oligomere mit hohen Molekulargewichten eingesetzt. Diese hochmolekularen Hydridosilan-Oligomere eignen sich zwar prinzipiell zur Herstellung Silicium-haltiger Schichten, sie haben jedoch den Nachteil, sich in organischen Lösemitteln nur schlecht zu lösen, was zu Nachteilen der mit ihnen hergestellten Schichten führt. Aus diesem Grund existieren im Stand der Technik
Beschichtungszusammensetzungen, die neben hochmolekularen Hydridosilan-Oligomeren auch niedermolekulare Hydridosilane aufweisen, wobei letztere als Lösungsvermittler fungieren.
Im Stand der Technik sind Beschichtungszusammensetzungen zur Herstellung Silicium-haltiger Schichten beschrieben, die ein Hydridosilan-Oligomer im Gemisch mit einem cyclischen Hydridosilan enthalten (Masuda et at., Thin Solid Films 520 (2012) 5091 -5096). Entsprechende Beschichtungszusammensetzungen enthaltend ein cyclisches Hydridosilan haben jedoch den Nachteil, dass sie nur bei hohen Konzentrationen cyclischer Hydridosilane stabil sind. Bei niedrigen Konzentrationen cyclischer Hydridosilane werden die Formulierungen schnell trüb und eignen sich dann nicht zur Herstellung qualitativ hochwertiger Silicium-haltiger Schichten.
Es wurde weiterhin festgestellt, dass niedere Hydridosilane mit mehr als 6, insbesondere 7 bis 10 Siliciumatomen, ganz besonders solche der Formel SinH2n+2, in Formulierungen mit
Hydridosilan-Oligomeren bei der Konvertierung mit in den Schichtverbund eingebaut werden. Aufgrund dessen eignen sich diese Verbindungen in Beschichtungszusammensetzungen enthaltend Hydridosilan-Oligomere nicht zur Herstellung dünner (entsprechend Dicken kleiner gleich 25 nm) und qualitativ hochwertiger Silicium-haltiger Schichten.
Es ist somit die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, für die Herstellung dünner Silicium-haltiger Schichten geeignete Beschichtungszusammensetzungen bereitzustellen, die die vorliegenden Aufgaben lösen und insbesondere stabil sind und neben dem Hydridosilan-Oligomer eine weitere Komponente in nur geringen Anteilen erfordern.
Die vorliegende Aufgabe wird vorliegend gelöst durch die erfindungsgemäße Formulierung umfassend mindestens ein Hydridosilan und mindestens ein Hydridosilan-Oligomer, bei dem das Hydridosilan die generische Formel SinH2n+2 mit n = 3 bis 6 aufweist. Entsprechende Formulierungen eignen sich insbesondere zur Herstellung hochqualitativer, dünner Schichten mit weniger als 25 nm Dicke, insbesondere mit Dicken von 1 - 15 nm, aus der flüssigen Phase und benetzen im Beschichtungsprozess gängige Substrate gut. Bei der beanspruchten Formulierung handelt es sich vorliegend um eine Zusammensetzung, die mindestens ein Hydridosilan und mindestens ein Hydridosilan-Oligomer umfasst oder aus einem Gemisch der beiden besteht. Bevorzugt ist die Formulierung flüssig, da sie so besonders gut handhabbar ist. Bevorzugt handelt es sich weiterhin bei der erfindungsgemäßen
Formulierung um eine Beschichtungszusammensetzung, insbesondere für Flüssigphasen- oder CVD-Abscheidungsprozesse. Entsprechende Beschichtungszusammensetzungen haben den Vorteil, sich für die Abscheidung Silicium-haltiger Schichten, insbesondere für die genannten Prozesse, zu eignen. Ganz besonders bevorzugt ist die erfindungsgemäße Zusammensetzung eine für Flüssigphasen-Abscheidungsprozesse geeignete Beschichtungszusammensetzung.
Hydridosilane der Formel SinH2n+2 mit n = 3 bis 6 sind nicht-cyclische Hydridosilane. Die
Isomere dieser Verbindungen können linear oder verzweigt sein. Bevorzugte nicht-cyclische Hydridosilane sind Trisilan, iso-Tetrasilan, n-Pentasilan, 2-Silyl-Tetrasilan und Neopentasilan, deren Formulierungen zu besonders dünnen Schichten führen. Ebenfalls bevorzugt handelt es sich bei dem Hydridosilan der genannten generischen Formel um ein verzweigtes Hydridosilan, das zu stabileren Lösungen und besseren Schichten führt als ein lineares Hydridosilan. Weiter bevorzugte Verbindungen sind die verzweigten Verbindungen iso-Tetrasilan, 2-Silyl-Tetrasilan und Neopentasilan, die den Vorteil haben, dass sie die Lösungen besonders gut stabilisieren und nur in besonders geringen Mengen eingesetzt werden müssen und zu ganz besonders dünnen und guten Schichten führen. Ganz besonders bevorzugt ist das Hydridosilan
Neopentasilan, mit dem die besten Ergebnisse erzielt werden können.
Bei dem Hydridosilan-Oligomer handelt es sich um das Oligomerisat einer Hydridosilan- Verbindung und bevorzugt um das Oligomerisat eines Hydridosilans. Besonders gut eignet sich die erfindungsgemäße Formulierung für die Herstellung dünner Schichten, wenn das
Hydridosilan-Oligomer ein gewichtsmittleres Molekulargewicht von 200 bis 10.000 g/ml aufweist. Verfahren zur ihrer Herstellung sind dem Fachmann bekannt. Entsprechende
Molekulargewichte können über Gelpermeations-Chromatographie unter Verwendung einer linearen Polystyrolsäule mit Cyclooktan als Eluent gegen Polybutadien als Referenz bestimmt werden.
Das Hydridosilan-Oligomer wird bevorzugt durch Oligomerisation nicht-cyclischer Hydridosilane erhalten. Anders als Hydridosilan-Oligomere aus cyclischen Hydridosilanen weisen diese Oligomere aufgrund des unterschiedlich ablaufenden, dissoziativen Polymerisationsmechanismus einen hohen Quervernetzungsanteil auf. Oligomere aus cylischen Hydridosilanen haben stattdessen aufgrund des ringöffnenden Reaktionsmechanismus, dem cyclische
Hydridosilane unterworfen sind, wenn überhaupt, nur einen sehr geringen Quervernetzungs- anteil. Entsprechende aus nicht-cyclischen Hydridosilanen hergestellte Oligomere benetzen anders als Oligomere aus cyclischen Hydridosilanen in Lösung die Substratoberfläche gut, können für die Herstellung dünner Schichten besonders gut eingesetzt werden und führen zu homogenen und glatten Oberflächen. Noch bessere Ergebnisse zeigen Oligomere aus nicht- cyclischen, verzweigten Hydridosilanen.
Ein besonders bevorzugtes Hydridosilan-Oligomer ist ein durch thermische Umsetzung einer Zusammensetzung umfassend mindestens ein nicht-cyclisches Hydridosilan mit maximal 20 Siliciumatomen in Abwesenheit eines Katalysators bei Temperaturen von < 235 °C erhältliches Oligomer. Entsprechende Hydridosilan-Oligomere und ihre Herstellung werden in WO
201 1/104147 A1 beschrieben, worauf in Bezug auf die Verbindungen und ihre Herstellung Bezug genommen wird. Dieses Oligomer weist noch bessere Eigenschaften auf als die weiteren Hydridosilan-Oligomere aus nicht-cyclischen, verzweigten Hydridosilanen.
Das Hydridosilan-Oligomer kann neben Wasserstoff und Silicium noch andere Reste aufweisen. So können Vorteile der mit den Formulierungen hergestellten Schichten resultieren, wenn das Oligomer kohlenstoffhaltig ist. Entsprechende kohlenstoffhaltige Hydridosilan-Oligomere können durch Co-Oligomerisation von Hydridosilanen mit Kohlenwasserstoffen hergestellt werden. Bevorzugt handelt es sich jedoch bei dem Hydridosilan-Oligomer um eine ausschließlich Wasserstoff- und Silicium-aufweisende Verbindung, die also keine Halogen- oder Alkylreste aufweist.
Bevorzugt zur Herstellung dotierter Silicium-haltiger Schichten sind weiterhin Hydridosilan- Oligomere, die dotiert sind. Bevorzugt sind die Hydridosilan-Oligomere bor- oder phosphordotiert und entsprechende Formulierungen eignen sich zur Herstellung p- bzw. n- dotierter Siliciumschichten. Entsprechende Hydridosilan-Oligomere können durch Zugabe der entsprechenden Dotierstoffe bereits bei ihrer Herstellung erzeugt werden. Alternativ können auch bereits hergestellte, nicht dotierte Hydridosilan-Oligomere mit Stoffen ausgewählt aus der Gruppe der p-Dotanden, bevorzugt der Hydroborierungsreagenzien (insbesondere B2H6, BH3 *THF, BEt3, BMe3) p-dotiert oder mit n-Dotanten (insbesondere PH3, P4) mittels eines energetischen Prozesses (z.B. UV-Bestrahlung oder thermische Behandlung) n-dotiert werden.
Der Anteil des bzw. der Hydridosilane beträgt bevorzugt 0,1 bis 99 Gew.-%, weiter bevorzugt 1 bis 50 Gew.-%, ganz besonders bevorzugt 1 bis 30 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Formulierung.
Der Anteil des bzw. der Hydridosilan-Oligomere beträgt bevorzugt 0,1 bis 99 Gew.-%, weiter bevorzugt 1 bis 50 Gew.-%, ganz besonders bevorzugt 1 bis 20 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Formulierung.
Der Anteil des Hydridosilan-Oligomers an der Formulierung, beträgt weiterhin zur Erzielung besonders guter Ergebnisse bevorzugt 40 - 99,9 Gew.-%, besonders bevorzugt 60 - 99, ganz besonders bevorzugt 70 - 90 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem
Hydridosilan und Hydridosilan-Oligomer.
Unterhalb von 70 Gew.-% können inhomogene, blasige oder nicht geschlossene Schichten resultieren. Nachteilig kann weiterhin sein, dass die Formulierungen zu dünn sind und das Substrat im Beschichtungsprozess nicht ausreichend benetzen. Diesem Problem kann zwar durch Optimierung der Lösemittel-Formulierung und der Lösemittel-Anteile entgegengetreten werden; dies ist jedoch aufwändig.
Oberhalb von 90 Gew.-% können inhomogene bzw. nicht geschlossene Schichten resultieren und Fehlbilder in den Schichten auftreten (z.B. Bläschen). Weiterhin ist es z.T. schwierig, dünne Schichten, d.h. Schichten mit weniger als 25 nm Dicke, mit entsprechenden
Beschichtungszusammensetzungen zu realisieren. Optimal ist somit der Bereich von 70 - 90 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan-Oligomer.
Die erfindungsgemäße Formulierung muss kein Lösemittel enthalten. Bevorzugt weist sie jedoch mindestens ein Lösemittel auf. Enthält sie ein Lösemittel, beträgt dessen Anteil bevorzugt 0,1 bis 99 Gew.-%, weiter bevorzugt 25 bis 95 Gew.-%, ganz besonders bevorzugt 60 bis 95 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Formulierung.
Ganz besonders bevorzugt ist eine Formulierung aufweisend 1 - 30 Gew.-% Hydridosilan, 1 - 20 Gew.-% Hydridosilan-Oligomer und 60 - 95 Gew.-% Lösemittel, bezogen auf die
Gesamtmasse der Formulierung.
Bevorzugt einsetzbare Lösemittel sind die ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus linearen, verzweigten oder cydischen gesättigten, ungesättigten oder aromatischen Kohlenwasserstoffen mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen (ggf. partiell oder vollständig halogeniert), Alkoholen, Ethern, Carbonsäuren, Estern, Nitrilen, Aminen, Amiden, Sulfoxiden und Wasser. Besonders bevorzugt sind n-Pentan, n-Hexan, n-Heptan, n-Oktan, n-Dekan, Dodekan, Cyclohexan, Cyclooctan, Cyclodekan, Dicyclopentan, Benzol, Toluol, m-Xylol, p-Xylol, Mesitylen, Indan, Inden,
Tetrahydronaphtalin, Decahydronaphtalin, Diethylether, Dipropylether, Ethylenglycoldimethyl- ether, Ethylenglycoldiethylether, Ethylenglycol-methylethylether, Diethylenglycoldimethylether, Diethylenglycol-diethylether, Diethylenglycolmethylethylether, Tetrahydrofuran, p-Dioxan, Acetonitril, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Dichlormethan und Chloroform.
Die erfindungsgemäße Formulierung kann weiterhin neben dem mindestens einen Hydridosilan und dem mindestens einen Hydridosilan-Oligomer und dem oder den ggf. anwesenden
Lösemitteln noch weitere Stoffe, insbesondere Dotierstoffe (bevorzugt B2H6, BH3 *THF, BEt3, BMe3, PH3, P4), Nanopartikel oder Additive zur Einstellung der rheologischen Eigenschaften aufweisen. Entsprechende Stoffe sind dem Fachmann bekannt. Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Formulierung, bei dem ein Hydridosilan der generischen Formel SinH2n+2 mit n = 3 - 6 mit einem Hydridosilan-Oligomer und ggf. einem Lösemittel vermischt wird. Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist weiterhin ein Verfahren zur Herstellung Silicium- haltiger Schichten, bei dem die erfindungsgemäße Formulierung, insbesondere die
Beschichtungszusammensetzung, aus der Gasphase oder der flüssigen Phase auf ein unbeschichtetes oder vorbeschichtetes Substrat aufgebracht und thermisch und/oder mit elektromagnetischer Strahlung in eine Silicium-haltige Schicht konvertiert wird.
Für das erfindungsgemäße Verfahren können eine Vielzahl von Substraten eingesetzt werden. Bevorzugt sind Substrate bestehend aus Glas, Quarzglas, Graphit, Metall, Silicium oder bestehend aus einer auf einem hitzeverträglichen Träger befindlichen Silicium-, Indiumzinnoxid-, ZnO:F-, ZnO:AI- oder Sn02:F-Schicht. Bevorzugte Metalle sind Aluminium, Edelstahl, Cr-Stahl, Titan, Chrom bzw. Molybdän. Ferner können bei Wahl geeigneter Konvertierungsbedingungen auch Kunststofffolien (z. B. aus PEEK, PEN, PET oder Polyimiden) eingesetzt werden.
Das Aufbringen der Formulierung erfolgt bevorzugt über ein Gas- oder Flüssigphasen- Beschichtungsverfahren ausgewählt aus Druckverfahren (insbesondere Flexo/Gravur-Druck, Nano- bzw. Mikroimprint, Inkjet-Druck, Offset-Druck, reverse Offset-Druck, digitalem Offset- Druck und Siebdruck), Sprühverfahren, aerosol assisted chemical vapour deposition, direct liquid injection chemical vapour deposition, Rotationsbeschichtungsverfahren („Spin-coating"), Tauchverfahren („Dip-coating") und Verfahren ausgewählt aus Meniscus Coating, Slit Coating, Slot-Die Coating, und Curtain Coating. Von den zuvor genannten Verfahren sind dabei aerosol assisted chemical vapour deposition und direct liquid injection chemical vapour deposition den Gasphasenverfahren zuzuordnen. Bevorzugt erfolgt die Aufbringung über ein Flüssigphasen- Beschichtungsverfahren. Nach der Aufbringung der Formulierung kann bevorzugt eine Vorvernetzung über eine UV- Bestrahlung des flüssigen Filmes auf dem Substrat durchgeführt werden, nach der der noch flüssige Film quervernetzte Precursoranteile aufweist.
Nach Aufbringen und ggf. Vorvernetzen der Formulierung kann das beschichtete Substrat weiterhin bevorzugt vor der Konvertierung getrocknet werden, um ggf. anwesendes Lösemittel zu entfernen. Entsprechende Maßnahmen und Bedingungen hierfür sind dem Fachmann bekannt. Um ausschließlich leicht flüchtige Formulierungsbestandteile zu entfernen, sollte im Falle einer thermischen Trocknung die Heiztemperatur weniger als 200 °C betragen. Die thermische Konvertierung des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt bevorzugt bei Temperaturen von 200 - 1000 °C, vorzugsweise 250 - 750 °C, insbesondere bevorzugt 300 - 700 °C. Thermische Konvertierungszeiten betragen bevorzugt zwischen 0,1 ms und 360 min. Die Konvertierungszeit beträgt weiter bevorzugt zwischen 0,1 ms und 10 min, besonders bevorzugt zwischen 1 s und 120 s.
Entsprechende schnelle energetische Prozessführungen können zum Beispiel durch den Einsatz einer IR-Lampe, einer Heizplatte, einem Ofen, einer Blitzlampe, eines Plasmas mit geeigneter Gaszusammensetzung, einer RTP-Anlage, einer Mikrowellenanlage oder einer
Elektronenstrahlbehandlung (wenn erforderlich, im jeweils vorgeheizten bzw. warmgelaufenen Zustand) erfolgen.
Alternativ bzw. ergänzend kann eine Konvertierung durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung, insbesondere mit UV-Licht, erfolgen. Die Konvertierungszeit kann dabei bevorzugt zwischen 1 s und 360 min betragen.
Während der oder im Anschluss an die Konvertierung kann weiterhin bevorzugt eine
Anreicherung der Silicium-haltigen Schichten mit Wasserstoff durchgeführt werden. Dabei handelt es sich um eine sogenannte„Wasserstoffpassivierung", die Defekte im Material ausgleicht, und z. B. mit reaktivem Wasserstoff nach dem Hotwire Verfahren, mit einem wasserstoffhaltigen Plasma (remote oder direkt; im Vakuum oder unter Atmosphärendruck) oder mittels Coronabehandlung oder einer Elektronenstrahlbehandlung unter Zufuhr von Wasserstoff erfolgen kann. Weiterhin kann auch der bereits erwähnte Trocknungs- und/oder der Konvertierungsschritt in mit Wasserstoff angereicherter Atmosphäre durchgeführt werden, so dass das Material von vornherein wasserstoffreich ist.
Zur Herstellung Siliciumoxid-haltiger Schichten kann weiterhin Aufbringen, Vorvernetzen, Trocknen und/oder Konvertieren unter oxidierenden Bedingungen durchgeführt werden. Wie oxidierende Bedingungen eingestellt werden können ist dem Fachmann bekannt.
Zur Herstellung voll- oder teilkristalliner Silicium-haltiger Schichten kann die Schicht nach dem Konvertieren mittels Eintrag von thermischer Energie, elektromagnetischer Strahlung und/oder Partikelbeschuss kristallisiert werden. Methoden hierzu sind dem Fachmann bekannt. Das beschriebene Verfahren zur Herstellung Silicium-haltiger Schichten kann weiterhin bezogen auf ein Substrat gleichzeitig oder zeitlich hintereinander mehrfach durchgeführt werden (gleichzeitiges oder aufeinander folgendes Abscheiden, wobei die resultierenden Filme teilweise oder komplett übereinanderliegen). Ein solches Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtsystemen eignet sich bevorzugt zur Herstellung von Systemen aufgebaut aus intrinsischen (d. h. nicht dotierten) und dotierten Schichten, die z. B. essentiell für den Aufbau von Solarzellen sind. Besonders bevorzugt eignet sich das Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtsystemen zur optimalen Passivierung oder Vermeidung von Defekten an der Grenzfläche zum Substrat, wenn auf das Substrat eine dünne intrinsische (d. h. nicht dotierte) Silicium-haltige Schicht und dann eine zum Substrat gegensätzlich dotierte Schicht aufgebracht wird. In diesem Fall wird somit auf ein dotiertes Substrat zunächst eine im Wesentlichen Dotierstoff-freie Formulierung und anschließend auf diese eine einen in Bezug auf das Substrat entgegengesetzten Dotierstoff aufweisende Formulierung aufgebracht. Außerdem kann das Substrat beidseitig beschichtet werden.
Die erfindungsgemäß herstellbaren Hydridosilan-Formulierungen eignen sich für eine Vielzahl von Verwendungen. Besonders gut eignen sie sich - für sich genommen oder zusammen mit anderen Formulierungen - zur Herstellung elektronischer oder optoelektronischer
Bauteilschichten. Gegenstand der Erfindung ist somit auch die Verwendung der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhältlichen Hydridosilan-Formulierungen zur Erzeugung optoelektronischer oder elektronischer Bauteilschichten. Weiterhin ist ein Gegenstand der Erfindung die Verwendung der erfindungsgemäßen Hydridosilan-Formulierungen zur
Erzeugung elektronischer und optoelektronischer Bauteile. Bevorzugt eignen sich die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhältlichen Hydridosilan-Formulierungen zur Herstellung ladungstransportierender Komponenten in optoelektronischen oder elektronischen Bauteilen. Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhältlichen Hydridosilan-Formulierungen eignen sich weiterhin zur Herstellung Silicium-haltiger Schichten.
Insbesondere eignen sich die erfindungsgemäßen Formulierungen und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der folgenden Schichten bzw. Bauteile:
Heteroemitter Solarzellen
HIT (heterojunction with intrinsic thin layer) Solarzellen Selective Emitter Solarzellen
Back contact Solarzellen
Feldeffekt Transistoren, Dünnschichttransistoren
Dielektrische Schichten in mikroelektronischen Bauteilen
- Oberflächenpassivierung von Halbleitermaterialien
Herstellung von Quantum Dots enthaltenden Schichten und Bauteilen
Barrieren gegen Diffusion von Bestandteilen der Umgebung durch Schichten,
Barriereschichten zur thermischen Entkopplung von Ober- und Unterseite von Schichten Beispiele:
Beispiel 1 :
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,2 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (28,6 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 2200 g/mol) und 0,5 g Neopentasilan in 1 g Cyclooktan und 6 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 6,5 nm. Die Schichten sind prinzipiell für Halbleiteranwendungen geeignet, weisen jedoch Nachteile auf.
Beispiel 2:
Auf einem Si Wafer mit 300 nm thermisch gewachsenem Si02 wird eine Mischung aus 0,2 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (28,6 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan-Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 2200 g/mol) und 0,5 g Neopentasilan in 1 g Cyclooktan und 6 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 6,5 nm.
Die Schichten sind prinzipiell für Halbleiteranwendungen geeignet, weisen jedoch Nachteile auf.
Beispiel 3:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,26 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (66,7 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 1200 g/mol) und 0,13 g Neopentasilan in 1 ,60 g
Cyclooktan und 0,7 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 23 nm. Die prinzipielle Eignung der Schichten für Halbleiteranwendungen geht auch aus den in Abbildung 1 enthaltenen Fotos bzw. Mikroskop-Aufnahmen hervor. Jedoch sind die
Formulierungen sehr dünn und neiden zur Entnetzung auf dem Substrat. Nachteilig sind weiterhin die resultierenden blasigen Schichten. Beispiel 4:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,38 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (66,7 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 2000 g/mol) und 0,19 g Neopentasilan in 1 ,00 g Cyclooktan und 2,10 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 14 nm.
Die prinzipielle Eignung der Schichten für Halbleiteranwendungen geht auch aus den in Abbildung 2 enthaltenen Fotos bzw. Mikroskop-Aufnahmen hervor. Jedoch sind die
Formulierungen sehr dünn und neiden zur Entnetzung auf dem Substrat. Nachteilig sind weiterhin die resultierenden blasigen Schichten.
Beispiel 5:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,1 g p-dotiertem Hydridosilan-Oligomer (71 ,4 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 760 g/mol) und 0,04 g Neopentasilan in 0,176 g Cyclooktan und 1 ,584 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 15 nm. Es lassen sich reproduzierbar sehr gute
Schichten herstellen. Beispiel 6:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,20 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (76,9 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 1200 g/mol) und 0,06 g Neopentasilan in 0.06 g Cyclooktan und 0,54 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 25 nm.
Wie auch aus den als Abbildung 3 beigefügten Fotos und Mikroskop-Aufnahmen hervorgeht, lassen sich reproduzierbar sehr gute Schichten herstellen.
Beispiel 7:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,08 g n-dotiertem Hydridosilan-Oligomer (80 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 1 120 g/mol) und 0,02 g Neopentasilan in 0,18 g Cyclooktan und 0,42 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 12 nm. Es lassen sich reproduzierbar sehr gute
Schichten herstellen. Beispiel 8:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,24 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (96 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 1200 g/mol) und 0,01 g Neopentasilan in 0,37 g
Cyclooktan und 0.87 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 15 nm.
Die prinzipielle Eignung der Schichten für Halbleiteranwendungen geht auch aus den in Abbildung 4 enthaltenen Fotos bzw. Mikroskop-Aufnahmen hervor. Die Schichten weisen jedoch z.T. Defekte auf.
Beispiel 9:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,24 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (96 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 1200 g/mol) und 0,01 g Neopentasilan in 0,37 g
Cyclooktan und 0.87 g Toluol bei 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Die resultierende Schichtdicke beträgt 15 nm. Die prinzipielle Eignung der Schichten für Halbleiteranwendungen geht auch aus den in
Abbildung 5 enthaltenen Fotos bzw. Mikroskop-Aufnahmen hervor. Die Schichten sind jedoch z.T. nicht geschlossen bzw. inhomogen und es sind Fehlerbilder in der Schiht zu erkennen (Bläschen).
Vergleichsbeispiel 1 :
Eine Vergleichsformulierung aus 0,1 g p-dotiertem Hydridosilan aus Neopentasilan-Oligomer (Mw ~ 760 g/mol), 0,176 g Cyclooktan und 1 ,624 g Toluol ohne Neopentasilan-Zugabe zeigte eine starke Trübung und konnte nicht beschichtet werden.
Vergleichsbeispiel 2:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,001 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer aus Neopentasilan (Mw ~ 2000 g/mol) und 1 ,0 g Neopentasilan in 3,0 g Cyclooktan und 7,0 g Toluol bei 1000 U/min, 3000 U/min und 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Auf den resultierenden Proben können keine Schichten detektiert werden.
Vergleichsbeispiel 3:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,01 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (1 ,0 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 2000 g/mol) und 1 ,0 g Neopentasilan in 3,0 g Cyclooktan und 7,0 g Toluol bei 1000 U/min, 3000 U/min und 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Auf den resultierenden Proben können keine Schichten detektiert werden.
Vergleichsbeispiel 4:
Auf einem EagleXG Glas wird eine Mischung aus 0,1 g undotiertem Hydridosilan-Oligomer (9,9 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan- Oligomer) aus Neopentasilan (Mw ~ 2000 g/mol) und 1 ,0 g Neopentasilan in 3,0 g Cyclooktan und 7,0 g Toluol bei 1000 U/min, 3000 U/min und 9999 U/min beschichtet und anschließend bei 500 °C / 60 s konvertiert. Auf den resultierenden Proben können keine Schichten detektiert werden.

Claims

Patentansprüche
1 . Formulierung umfassend mindestens ein Hydridosilan und mindestens ein Hydridosilan- Oligomer,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan die generische Formel SinH2n+2 mit n = 3-6 aufweist.
2. Formulierung nach Anspruch 1 ,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan Trisilan, iso-Tetrasilan, n-Pentasilan, 2-Silyl-Tetrasilan oder Neopentasilan ist.
3. Formulierung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan ein verzweigtes Hydridosilan ist.
4. Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan-Oligomer ein gewichtsmittleres Molekulargewicht von 200 bis 10.000 g/mol aufweist.
5. Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan-Oligomer durch Oligomerisation nicht-cyclischer Hydridosilane erhalten wurde.
6. Formulierung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan-Oligomer durch thermische Umsetzung einer Zusammensetzung umfassend mindestens ein nicht-cyclisches Hydridosilan mit maximal 20 Siliciumatomen in Abwesenheit eines Katalysators bei Temperaturen von kleiner 235 °C erhältlich ist.
7. Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan-Oligomer kohlenstoffhaltig ist. 8. Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Hydridosilan-Oligomer dotiert ist.
Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Anteil des mindestens einen Hydridosilans 1 bis 50 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Formulierung beträgt.
10. Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Anteil des mindestens einen Hydridosilan-Oligomers 1 bis 50 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Formulierung beträgt.
Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Anteil des Hydridosilan-Oligomers, bezogen auf die Gesamtmasse an anwesendem Hydridosilan und Hydridosilan-Oligomer, 40 - 99,9 Gew.-%, bevorzugt 60 99 Gew.-%, besonders bevorzugt 70 - 90 Gew.-% beträgt.
Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass sie mindestens ein Lösemittel aufweist.
13. Formulierung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Anteil des Lösemittels 25 bis 95 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Formulierung beträgt.
14. Formulierung nach Anspruch 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet,
dass sie 1 - 30 Gew.-% Hydridosilan, 1 - 20 Gew.-% Hydridosilan-Oligomer und 60 - 95 Gew.-% Lösemittel, bezogen auf die Gesamtmasse der Formulierung, aufweist.
15. Verfahren zur Herstellung einer Formulierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Hydridosilan die generischen Formel SinH2n+2 mit n = 3 - 6 mit einem
Hydridosilan-Oligomer und ggf. einem Lösemittel vermischt wird. 16. Verwendung einer Formulierung nach einem der Ansprüche 1 bis 14 für die Herstellung Silicium-haltiger Schichten.
17. Verwendung einer Formulierung nach einem der Ansprüche 1 bis 14 für die Herstellung elektronischer oder optoelektronischer Schichten.
18. Verwendung einer Formulierung nach einem der Ansprüche 1 bis 14 für die Herstellung elektronischer oder optoelektronischer Bauteile.
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