JP2008270603A - シリコン膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】液体シリコン材料中のSi成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料22の液滴24を基板10上に吐出させ、該液滴に光32を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。
【選択図】図3
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料22の液滴24を基板10上に吐出させ、該液滴に光32を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。
【選択図】図3
Description
本発明は、シリコン膜の形成方法に関する。
従来、シリコン膜のパターン形成方法として、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法等により基板全面にアモルファスやポリシリコンの膜を形成した後、フォトリソグラフィーにより不要なシリコン膜部分を除去する方法が利用されてきた。
しかしながら、この方法は、プロセス面において、以下の点で改良が待たれていた。(1)気相反応を用いるため、気相でシリコンの粒子が発生し、装置の汚染や異物の発生によって生産歩留まりが低い。(2)原料がガス状であるため、表面に凹凸のある基板上には均一膜厚のものが得られにくい。(3)膜の形成速度が遅いため生産性が低い。(4)プラズマCVD法においては複雑で高価な高周波発生装置や真空装置等が必要である。(5)フォトリソグラフィーはプロセスが複雑であり、原料の使用効率も低く、レジストやエッチング液等の大量の廃棄物が発生する。
また、材料面では、毒性および反応性の高い水素化ケイ素を用いるため取扱いに難点があるばかりでなく、ガス状であるため密閉状の真空装置が必要である。一般に、これらの装置は大掛かりなもので装置自体が高価であるばかりでなく、真空系やプラズマ系に多大のエネルギーを消費するため製品のコストアップに繋がっている。
近年、この方法に対して、真空系を使わずに液体状のシラン化合物や高次シラン、またはその溶液等の液体シリコン材料を基板上に塗布し、加熱または紫外線の照射によってシリコン膜を作製する方法が提案されている(例えば、特許文献1ないし特許文献5参照)。この方法では、原料が液体であるため取扱いが容易であり、大型装置を必要としないため、低コストでシリコン膜を形成することができる。
しかしながら、この方法によりシリコン膜を形成すると、液体シリコン材料中に含まれるSi成分の数%程度しか利用できていないことが確認された。これは、基板上に塗布された液体シリコン材料中の揮発成分が揮発していくのと同時に、Si成分も揮発してしまうことが原因として挙げられる。
特開2003−115532号公報
特開2003−124486号公報
特開2003−133306号公報
特開2003−171556号公報
特開2003−313299号公報
本発明の目的は、液体シリコン材料中のSi成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供することにある。
本発明に係るシリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料の液滴を基板上に吐出させ、該液滴に光を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。
本発明に係るシリコン膜の形成方法において、前記ケイ素化合物は、一般式SinXm(ここで、Xは水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種を表し、nは3以上の整数を表し、mはnまたは2n−2または2nまたは2n+2の整数を表す。)で表されることができる。
本発明に係るシリコン膜の形成方法において、前記ケイ素化合物は、一般式SiaXbYc(ここで、Xは水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種を表し、Yはホウ素原子およびリン原子から選択される少なくとも1種を表し、aは3以上の整数を表し、bはa以上で2a+c+2以下の整数を表し、cは1以上でa以下の整数を表す。)で表されることができる。
本発明に係るシリコン膜の形成方法において、前記光は、405nm以下の紫外線であることができる。
本発明に係るシリコン膜の形成方法を適用すると、液体シリコン材料中に存在するSi成分の利用効率を上げることができるため、実質的に使用する原材料を減らすことができる。これにより、コストを削減することができる。また、廃棄有害物の量を減らすことができ、環境への負荷を低減することができる。
本発明に係るシリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料の液滴を基板上に吐出させ、該液滴に光を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。
以下、本発明に好適な実施形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変型例も含む。
1.液体シリコン材料
本実施形態に係る液体シリコン材料は、少なくともケイ素化合物と、それを溶解するための溶媒とを含む。
本実施形態に係る液体シリコン材料は、少なくともケイ素化合物と、それを溶解するための溶媒とを含む。
1.1 ケイ素化合物
本実施形態で用いられるケイ素化合物として、一般式SinXm(ここで、Xは水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種を表し、nは3以上の整数を表し、mはnまたは2n−2または2nまたは2n+2の整数を表す。)で表されるシラン化合物を挙げることができる。ここで、nは3以上であるが、熱力学安定性、溶解性、精製の容易性等の観点から、nは5〜20程度のものが好ましく、5または6の環状ケイ素化合物をより好ましく用いることができる。nが5よりも小さい場合には、シラン化合物自体の環の歪みにより不安定になるため取扱いが困難となる。また、nが20よりも大きい場合には、ケイ素化合物の凝集力に起因する溶解性の低下が認められ使用する溶媒選択の幅が狭まる。
本実施形態で用いられるケイ素化合物として、一般式SinXm(ここで、Xは水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種を表し、nは3以上の整数を表し、mはnまたは2n−2または2nまたは2n+2の整数を表す。)で表されるシラン化合物を挙げることができる。ここで、nは3以上であるが、熱力学安定性、溶解性、精製の容易性等の観点から、nは5〜20程度のものが好ましく、5または6の環状ケイ素化合物をより好ましく用いることができる。nが5よりも小さい場合には、シラン化合物自体の環の歪みにより不安定になるため取扱いが困難となる。また、nが20よりも大きい場合には、ケイ素化合物の凝集力に起因する溶解性の低下が認められ使用する溶媒選択の幅が狭まる。
また、本実施形態で用いられるケイ素化合物の一般式SinXm中のXは、水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種である。これらのシラン化合物は、シリコン膜を形成するための前駆体化合物であって、最終的には光処理によりアモルファス状シリコンまたは多結晶状シリコンを形成する。すなわち、ケイ素化合物中のケイ素−水素結合またはケイ素−ハロゲン結合は、光処理により開裂し、新たにケイ素−ケイ素結合が生じるためシリコン膜を形成することができる。
ハロゲン原子としては、通常フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、上述した結合開裂の観点から、塩素原子または臭素原子を好ましく用いることができる。
Xは、水素原子単独またはハロゲン原子単独でもよいし、水素原子とハロゲン原子の総和がmとなるような部分ハロゲン化シラン化合物であってもよい。
以下に上記一般式におけるケイ素化合物の具体例について説明する。
m=2n+2である具体例としては、トリシラン、テトラシラン、ペンタシラン、ヘキサシラン、ヘプタシランなどの水素化シラン、またこれらの水素原子の一部またはすべてをハロゲン原子に置換したものを挙げることができる。
m=2nである具体例としては、シクロトリシラン、シクロテトラシラン、シクロペンタシラン、シリルシクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シリルシクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン等の一個の環系を有する水素化シラン化合物およびこれらの水素原子の一部またはすべてをハロゲン原子に置換したヘキサクロルシクロトリシラン、トリクロルシクロトリシラン、オクタクロルシクロテトラシラン、テトラクロルシクロテトラシラン、デカクロルシクロペンタシラン、ペンタクロルシクロペンタシラン、ドデカクロルシクロヘキサシラン、ヘキサクロルシクロヘキサシラン、テトラデカクロルシクロヘプタシラン、ヘプタクロルシクロヘプタシラン、ヘキサブロモシクロトリシラン、トリブロモシクロトリシラン、ペンタブロモシクロトリシラン、テトラブロモシクロトリシラン、オクタブロモシクロテトラシラン、テトラブロモシクロテトラシラン、デカブロモシクロペンタシラン、ペンタブロモシクロペンタシラン、ドデカブロモシクロヘキサシラン、ヘキサブロモシクロヘキサシラン、テトラデカブロモシクロヘプタシラン、ヘプタブロモシクロヘプタシラン等のハロゲン化環状シラン化合物を挙げることができる。
m=2n−2である具体例としては、1,1′−ビスシクロブタシラン、1,1′−ビスシクロペンタシラン、1,1′−ビスシクロヘキサシラン、1,1′−ビスシクロヘプタシラン、1,1′−シクロブタシリルシクロペンタシラン、1,1′−シクロブタシリルシクロヘキサシラン、1,1′−シクロブタシリルシクロヘプタシラン、1,1′−シクロペンタシリルシクロヘキサシラン、1,1′−シクロペンタシリルシクロヘプタシラン、1,1′−シクロヘキサシリルシクロヘプタシラン、スピロ[2,2]ペンタシラン、スピロ[3,3]ヘプタシラン、スピロ[4,4]ノナシラン、スピロ[4,5]デカシラン、スピロ[4,6]ウンデカシラン、スピロ[5,5]ウンデカシラン、スピロ[5,6]ドデカシラン、スピロ[6,6]トリデカシラン等の2個の環系を有する水素化シラン化合物およびこれらの水素原子の一部または全てをSiH3基やハロゲン原子に置換したシラン化合物を挙げることができる。
m=nである具体例としては、下記式の化合物1〜5で表される多環系を有する水素化シラン化合物およびこれらの水素原子の一部または全てを部分的にSiH3基やハロゲン原子に置換したシラン化合物を挙げることができる。これらは2種以上を混合して使用することもできる。
これらのうち、溶媒への溶解性の観点から、1,1′−ビスシクロペンタシラン、1,1′−ビスシクロヘキサシラン、スピロ[4,4]ノナシラン、スピロ[5,5]ウンデカシラン、スピロ[5,6]ドデカシランおよびこれらの骨格にSiH3基を有するケイ素化合物が特に好ましい。
さらに、これらのシラン化合物は、必要に応じてホウ素やリン等の第三族または第五族の元素で変性した化合物を使用することもできる。変性シラン化合物の具体例としては、炭素原子を含まないものが好ましく、一般式SiaXbYc(ここで、Xは水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種を表し、Yはホウ素原子およびリン原子から選択される少なくとも1種を表し、aは3以上の整数を表し、bはa以上で2a+c+2以下の整数を表し、cは1以上でa以下の整数を表す。)で表される変性シラン化合物を挙げることができる。ここで、熱力学的安定性、溶解性、精製の容易性等の観点からaとcの和が5〜20程度のものが好ましく、5または6の変性シラン化合物をより好ましく用いることができる。a+cが20より大きい場合には変性シラン化合物の凝集力に起因する溶解性の低下が認められ使用する溶媒の選択の幅が狭まる。また、上記変性シラン化合物の一般式SiaXbYc中のXは、上記SinXmで表される無変性のシラン化合物の一般式中におけるXと同様に水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種である。
ハロゲン原子としては、通常フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、上述した結合開裂の観点から、塩素原子または臭素原子を好ましく用いることができる。
Xは、水素原子単独またはハロゲン原子単独でもよいし、水素原子とハロゲン原子の総和がbとなるような部分ハロゲン化シラン化合物であってもよい。
これらの変性シラン化合物の具体例としては、下記式で表される化合物6〜27を挙げることができる。
ここで、化合物8、9、10、18、19、20中のnは0以上の整数を表し、化合物26および化合物27中のnは2以上の整数を表す。なお、これらの式ではホウ素による変性シラン化合物のみを挙げたが、ホウ素をリンに置き換えてもホウ素による変性シラン化合物と同様の骨格を有する変性シラン化合物を得ることができ、これを用いることもできる。
本実施形態に係る変性シラン化合物は、変性シラン化合物のみで用いてもよいし、変性されていない前記シラン化合物と混合して用いることもできる。変性シラン化合物と変性されていないシラン化合物との混合割合はホウ素あるいはリンの変性元素の含有率により異なるが、ケイ素原子に対して変性元素が1ppb〜25%程度である。
1.2 溶媒
本実施形態で用いられる溶媒は、上記のケイ素化合物を溶解できるものであれば特に限定されることはない。また、本実施形態では、液体シリコン材料の塗布をインクジェット装置により行うため、液体シリコン材料はインクジェット装置内のノズルを通過することができれば不溶成分が存在していても構わない。例えば、エマルジョンやサスペンジョンのような分散系であってもよい。
本実施形態で用いられる溶媒は、上記のケイ素化合物を溶解できるものであれば特に限定されることはない。また、本実施形態では、液体シリコン材料の塗布をインクジェット装置により行うため、液体シリコン材料はインクジェット装置内のノズルを通過することができれば不溶成分が存在していても構わない。例えば、エマルジョンやサスペンジョンのような分散系であってもよい。
本実施形態で用いられる溶媒としては、例えば、n−ヘプタン、n−オクタン、n−デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロへキシルベンゼン等の炭化水素系溶媒;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサン等のエーテル系溶媒;プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン等の極性溶媒を挙げることができる。これらのうち、上記ケイ素化合物の溶解性と該溶液の安定性の観点から、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒を好ましく用いることができ、炭化水素系溶媒をより好ましく用いることができる。これらの溶媒は、単独でも、または2種以上の混合物としても用いることができる。
上記ケイ素化合物を溶媒に溶解する場合の濃度は、1〜80質量%程度である。形成すべきシリコン膜の膜厚に応じて濃度を調整することができる。80質量%を超えるとケイ素化合物が析出しやすく均一な塗布膜を得ることができない。
1.3 その他の添加剤
本実施形態に係る液体シリコン材料は、必要に応じて、重合反応を促進させるための反応触媒や界面活性剤を添加することもできる。
本実施形態に係る液体シリコン材料は、必要に応じて、重合反応を促進させるための反応触媒や界面活性剤を添加することもできる。
1.3.1 反応触媒
反応触媒として、例えば、白金触媒、Li触媒等を挙げることができる。
反応触媒として、例えば、白金触媒、Li触媒等を挙げることができる。
以下、略式を用いて説明するが、それぞれR:アルキル基、Ph:フェニル基、Vi:ビニル基、Me:メチル基、Bu:ブチル基を示すものとする。
白金触媒としては、白金の単体;塩化白金酸;アルミナ、シリカ、カーボンブラック等の担体に固体白金を担持させたもの;白金−ビニルシロキサン錯体(例えば、Ptn(ViMe2SiOSiMe2Vi)n、Pt[(MeViSiO)4]m);白金−ホスフィン錯体(例えば、Pt(PPh3)4、Pt(PBu3)4);白金−ホスファイト錯体(例えば、Pt[P(OPh)3]4、Pt[P(OBu)3]4)Pt(acac)2;Ashbyらの米国特許第3159601号および米国特許第3159662号明細書中に記載された白金−炭化水素複合体;Lamoreauxらの米国特許第3220972号明細書中に記載された白金アルコラート触媒、その他クロロ白金酸、クロロ白金酸塩、ジクロロアミン白金等の白金酸塩、白金化合物、白金合金等を挙げることができる。
Li触媒としては、一般式R(Li)x(ここで、Rは、好ましくは1〜20個、より好ましくは2〜8個の炭素原子を有するヒドロカルビル基を表し、xは1〜4の整数である。)で表される有機リチウム触媒を挙げることができる。
R基としては、脂肪族基および脂環式基、例えばアルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アルキルシクロアルキル、アリールおよびアルキルアリール基等を挙げることができる。具体的には、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、n−アミル、イソアミル、n−へキシル、n−オクチル、n−デシル、シクロペンチル−メチル、シクロへキシル−エチル、シクロペンチル−エチル、メチル−シクロペンチルエチル、シクロペンチル、ジメチルシクロペンチル、エチルシクロペンチル、メチルシクロへキシル、ジメチルシクロへキシル、エチルシクロへキシル、イソプロピルシクロへキシル等のヒドロカルビル基を挙げることができる。
他のLi触媒として、p−トリルリチウム、4−フェニルブチル−リチウム、4−ブチルシクロへキシルリチウム、4−シクロへキシルブチル−リチウム、リチウムジアルキルアミン類、リチウムジアルキルホスフィン類、リチウムアルキルアリールホスフィン、リチウムジアリールホスフィン類、リチウムアルコキシド類、リチウムアミド類、水素化リチウム、水素化アルミリチウム、フッ化リチウムを除くハビナフトール−リチウム錯体等のリチウム錯体を挙げることができる。
その他の触媒として、チタン、クロム、パラジウム、銅、亜鉛、ニッケル、ロジウム、鉄、イリジウム、アルミニウム、スズ等の単体およびその金属錯体、化合物、塩、合金;シリカ担持ロジウム、ロジウム−鉄触媒、アルキルアルミ、メタロセン系担持触媒Bu3SnH、Sn(OOCR)2、PhCl(PPh3)3、PhCl3、Ph/Al2O3、RuCl3、IrCl3、FeCl3、AlCl3、PdCl2・2H2O、NiCl2、TiCl4;酸化クロム、水素化アルミカリウム、水素化アルミナトリウム等を挙げることができる。
1.3.2 界面活性剤
本実施形態に係る液体シリコン材料は、必要に応じて、界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤として、カチオン系、アニオン系、両イオン系、または非イオン系の界面活性剤を用いることができる。このうち、非イオン系界面活性剤は、液体シリコン材料の塗布対象物への濡れ性を良好化し、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生等を防止に役立つ点で好ましく使用することができる。
本実施形態に係る液体シリコン材料は、必要に応じて、界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤として、カチオン系、アニオン系、両イオン系、または非イオン系の界面活性剤を用いることができる。このうち、非イオン系界面活性剤は、液体シリコン材料の塗布対象物への濡れ性を良好化し、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生等を防止に役立つ点で好ましく使用することができる。
非イオン系界面活性剤としては、例えば、フッ化アルキル基若しくはパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤、またはオキシアルキル基を有するポリエーテルアルキル系界面活性剤を挙げることができる。
1.4 液体シリコン材料の物性
液体シリコン材料の粘度は、1〜50mPa・sであることが好ましい。インクジェット装置を用いて液体シリコン材料を塗布するため、粘度が1mPa・sより小さい場合には、ノズルの周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合には、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
液体シリコン材料の粘度は、1〜50mPa・sであることが好ましい。インクジェット装置を用いて液体シリコン材料を塗布するため、粘度が1mPa・sより小さい場合には、ノズルの周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合には、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
液体シリコン材料の表面張力は、20〜70dyn/cmであることが好ましい。インクジェット装置を用いて液体シリコン材料を塗布するため、表面張力が20dyn/cm未満であると、液体シリコン材料のノズル面に対する濡れ性が大きくなるため飛行曲がりが生じやすくなり、70dyn/cmを超えるとノズル先端におけるメニスカスの形状が安定しないため、液体シリコン材料の吐出量、吐出のタイミングの制御が困難となる。
2.シリコン膜の形成方法
本実施形態に係るシリコン膜の形成方法について、図面を用いて詳細に説明する。
本実施形態に係るシリコン膜の形成方法について、図面を用いて詳細に説明する。
本実施形態に係るシリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料の液滴を基板上に吐出させながら該液滴に光を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。
以下に、シリコン膜の形成方法の一例を説明する。
(1)まず、図1に示すように、基板10を用意する。さらに、液体シリコン材料22を充填したインクジェット式記録ヘッド20と、光源30と、を備えたインクジェット装置を用意する。
本実施形態に係るシリコン膜の形成方法に使用する基板10は特に限定されない。平面でも、段差のある非平面でもよく、その形態についても特に限定されるものではない。
このような基板の材質の具体例としては、ガラス、金属、プラスチック、セラミックス等を挙げることができる。ガラスとしては、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス、ランタン系ガラス等を用いることができる。金属としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、シリコン、アルミニウム、鉄、ステンレス鋼等を用いることができる。プラスチックとしては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ノルボルネン系開環重合体およびその水素添加物等を用いることができる。さらにこれらの基板の形状は、塊状、板状、フィルム形状等、特に制限されるものではない。
(2)図2に示すように、インクジェット式記録ヘッド20から液体シリコン材料22の微小液滴24を基板10上の所定の領域へ吐出する。
本実施形態では、インクジェット法を適用して、膜を形成することができる。インクジェット法を適用すると、所定の部分に数十ng程度の微量の液体シリコン材料22を基板10上へ吐出することができ、基板10上に液体シリコン材料22の微小液滴24を形成することができる。すなわち、スピンコート法等のように基板の全面に膜を形成することなく、液体シリコン材料22の微小液滴24を連続的に吐出することにより膜を形成することができる。
インクジェット法を適用すると、膜厚のコントロールが容易となり、基板上の異なった場所に異なった膜厚のシリコン膜を形成することができる。また、必要な場所にのみ吐出することができるため、材料の使用量が少なくてすむというメリットもある。
本実施形態で使用するインクジェット方式の液滴吐出装置は任意の液滴を一定量吐出できるものであれば、いかなる機構のものでもよく、特に数十ng程度の液滴を形成、吐出できる圧電素子を用いたインクジェット方式、ヒーターの熱エネルギーを利用して気泡を発生させるバブルジェット(登録商標)方式等いずれの方式のものでも構わない。但し、熱エネルギーによって液体シリコン材料中の溶媒が揮発することがあるため、圧電素子を用いたインクジェット方式の方がより好ましい。
インクジェット方式で液体シリコン材料を塗布するときの雰囲気は通常アルゴン、ヘリウム、窒素等の不活性ガス中であり、温度は液体シリコン材料の特性により室温から100℃程度まで適宜選択することができる。
(3)図3に示すように、基板10上に吐出された液体シリコン材料22の微小液滴24に、光32を照射する。
液体シリコン材料22の微小液滴24が基板10上へ着弾するのと同時に、微小液滴24の表面から溶媒が揮発していく。そうすると、微小液滴24中に含まれるケイ素化合物(モノマーや低重合度のポリマー)も同時に揮発してしまうため、液体シリコン材料22中に含まれるSi成分を高効率に利用することができなかった。
本実施形態では、液体シリコン材料22の微小液滴24が基板10へ着弾するのと同時またはその直後から光を連続的に照射することにより、微小液滴24中に含まれるケイ素化合物の重合反応を開始させ、微小液滴24内でポリマー化させる。これにより、微小液滴24中に含まれる溶媒は、形成されたポリマー膜によって保護され揮発を防ぐことができる。その結果、微小液滴24中に含まれるSi成分の揮発が抑制され、Si成分を高効率に利用することができる。
本実施形態で使用する光の光源として、可視光線、紫外線、遠紫外線、低圧若しくは高圧の水銀ランプ、重水素ランプ若しくはアルゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスの放電光、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等のエキシマレーザー等をあげることができる。これらの光源は、好ましくは10〜5,000Wの出力のものが用いられる。通常100〜1,000Wで十分である。これらの光源の波長は、液体シリコン材料中のポリシラン化合物が多少でも吸収するものであれば特に限定されないが、好ましくは170〜600nmであり、より好ましくは405nm以下の紫外線領域である。
光照射処理により、微小液滴24中のポリシラン化合物のケイ素−ケイ素結合の開裂および再結合反応を生起させることにより、基材への密着性等の膜物性が改善されるものと推察される。さらには、微小液滴24中のシラン化合物が光照射により開環重合してポリシランとなり、より緻密な膜が形成されるものと考えられる。
(4)最後に焼成して、シリコン膜を形成する。
非酸化性雰囲気下、好ましくはアルゴン雰囲気あるいは水素を含有したアルゴン中で焼成を行うことが好ましい。焼成温度は、好ましくは100〜1,000℃程度で、より好ましくは200〜850℃程度で、さらに好ましくは300〜500℃程度である。一般に、到達温度が約550℃以下の温度ではアモルファス状のシリコン膜が得られ、それ以上の温度では多結晶状のシリコン膜が得られる。到達温度が300℃未満の場合は、ポリシラン化合物の熱分解が十分に進行せず、十分な厚さのシリコン膜を形成できない場合がある。多結晶状のシリコン膜を得ようとする場合には、上記で得られたアモルファス状シリコン膜にレーザーを照射して多結晶シリコン膜に変換することもできる。上記レーザーを照射する場合の雰囲気としても、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス、若しくはそれらに水素等の還元ガスを混入したものを用いることが好ましい。
熱処理は、ホットプレート、オーブン等の加熱手段を用いて、好ましくは100〜800℃、より好ましくは200〜600℃で、さらに好ましくは300〜500℃にて行われる。熱処理時間は、好ましくは1〜300分、より好ましくは5〜120分、さらに好ましくは10〜60分行われる。処理温度が100℃より低いと酸化反応が不十分である場合があり、一方処理温度が800℃より高い場合には酸化後の膜にクラックが入ることがあり好ましくない。また、処理時間が1分より短いと酸化反応が不十分である場合があり、一方、300分を超えて長時間加熱処理する必要はない。
3.実施例
以下、実施例を参照して本発明を具体的に説明する。
以下、実施例を参照して本発明を具体的に説明する。
3.1 実施例1
石英ガラス基板上に、前処理として172nmの波長の紫外光を10mWで10分間照射してクリーニングを行った。次にシクロペンタシラン1gをデカリン20gに溶解させた液体シリコン材料を調製した。アルゴン雰囲気下、圧電素子を備えたインクジェット式記録ヘッドを用いて、上記洗浄後の石英ガラス基板にこの液体シリコン材料を10ng吐出し微小液滴とした。それと同時に500Wの高圧水銀ランプで紫外線を照射した。最後に、ホットプレートを用いて300℃で10分間焼成した。これにより、石英ガラス基板上にアモルファス状のシリコン膜を形成することができた。
石英ガラス基板上に、前処理として172nmの波長の紫外光を10mWで10分間照射してクリーニングを行った。次にシクロペンタシラン1gをデカリン20gに溶解させた液体シリコン材料を調製した。アルゴン雰囲気下、圧電素子を備えたインクジェット式記録ヘッドを用いて、上記洗浄後の石英ガラス基板にこの液体シリコン材料を10ng吐出し微小液滴とした。それと同時に500Wの高圧水銀ランプで紫外線を照射した。最後に、ホットプレートを用いて300℃で10分間焼成した。これにより、石英ガラス基板上にアモルファス状のシリコン膜を形成することができた。
液体シリコン材料に含まれるSi成分のうち、シリコン膜の形成に利用されたSi成分の収率を測定したところ、40.3%であった。従来技術によるSi成分の収率の平均値は、12.5%である。したがって、本発明に係るシリコン膜の形成方法を適用すると、従来法よりも高効率にSi成分を利用できていることが確認された。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…基板、20…インクジェット式記録ヘッド、22…液体シリコン材料、24…微小液滴、30…光源、32…光
Claims (4)
- インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料の液滴を基板上に吐出させ、該液滴に光を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成する、シリコン膜の形成方法。
- 請求項1において、
前記ケイ素化合物は、一般式SinXm(ここで、Xは水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種を表し、nは3以上の整数を表し、mはnまたは2n−2または2nまたは2n+2の整数を表す。)で表される、シリコン膜の形成方法。 - 請求項1または2において、
前記ケイ素化合物は、一般式SiaXbYc(ここで、Xは水素原子およびハロゲン原子から選択される少なくとも1種を表し、Yはホウ素原子およびリン原子から選択される少なくとも1種を表し、aは3以上の整数を表し、bはa以上で2a+c+2以下の整数を表し、cは1以上でa以下の整数を表す。)で表される、シリコン膜の形成方法。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記光は、405nm以下の紫外線である、シリコン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007113013A JP2008270603A (ja) | 2007-04-23 | 2007-04-23 | シリコン膜の形成方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2013531740A (ja) * | 2010-04-06 | 2013-08-08 | エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション | 液体シラン系組成物およびシリコン系材料を生成するための方法 |
DE102013010102A1 (de) | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Evonik Industries Ag | Formulierungen umfassend Hydridosilane und Hydridosilan-Oligomere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihrer Verwendung |
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2007
- 2007-04-23 JP JP2007113013A patent/JP2008270603A/ja not_active Withdrawn
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