JP5579452B2 - チャックを使用する基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
本出願は、「真空予圧空気軸受チャックを使用する基板の安定」(STABILIZING A SUBSTRATE USING A VACUUM PRELOAD AIR BEARING CHUCK)と題する, (代理人整理番号 KLA−P2101/US),2007年3月20日付で出願の、Guoheng Zhaoによる米国特許出願第11/688,720,125号に基づく優先権を主張する。本発明は、一般に、ウエーハを安定させること、さらに詳しくは、真空予圧空気軸受チャックによるウエーハの取り扱いに関連する。
である。
(1) 基板処理方法であって、
基板をチャック表面の近傍に支持する工程であって、基板の裏面は、チャック表面に十分に接近しているので、ガス流と真空が基板の裏面とチャック表面を隔置された関係に維持することができる前記工程と;
チャック表面の一つあるいはそれ以上の開口を通してチャック表面にガス流を供給する工程と;
チャック表面に亘って分散された一つあるいはそれ以上のチャンネルを通して真空を引く工程と;
基板を基板表面に実質的に垂直な方向に沿って移動させる工程と
を含む方法。
(2) 前記基板を移動させることは、チャックを基板表面に実質的に垂直な方向に沿って移動させる工程と;
基板をチャックに対して固定した位置に維持する工程と
を含む(1)記載の方法。
(3) 基板表面に実質的に垂直な方向に沿って基板を移動させることは、
基板表面に実質的に垂直な軸の周りに、基板をチャック表面に対して回転させる工程を含む(1)記載の方法。
(4) 基板を回転させることは、基板を実質的に水平面で回転させる工程を含む(3)記載の方法。
(5) 基板が、回転中、実質的にチャック表面の微細構成に順応するように、基板の回転速度及び/あるいはガスの流速及び/あるいは真空を引く速度を選択する工程を含む(4)記載の方法。
(6) 基板の裏面とチャック表面間の間隙中のガス流が層流と見なされるように、基板の回転速度及び/あるいはガスの流速及び/あるいは真空を引く速度を選択する工程を含む(4)記載の方法。
(7) 基板の回転時に基板の前面に亘って走査測定を実施する工程をさらに含む(3)記載の方法。
(8) 走査測定を実施することは、基板の回転時に基板の回転面と実質的に平行な方向にプローブを走査する工程を含む(7)記載の方法。
(9) ガス流を供給する工程は、表面に亘って2箇所あるいはそれ以上の隔置された位置に分散されている位置でガスを供給する工程を含む(3)記載の方法。
(10) 基板が厚さ約1ミリメートル未満である(9)記載の方法。
(11) 基板が直径で約150、200、300あるいは450ミリメートルより大きい(10)記載の方法。
(12) 基板が半導体ウエーハである(10)記載の方法。
(13) 基板を支持することは、基板をそのエッジで支持する工程を含む(3)記載の方法。
(14) 基板をそのエッジで支持することは、前記エッジを3箇所、あるいは、それ以上の場所で輪に固定する工程を含む(3)記載の方法。
(15) 基板をチャック表面に対して回転させることは、前記輪をチャック表面に実質的に垂直な軸の周りに、チャック表面に対して回転させる工程を含む(14)記載の方法。
(16) 基板を支持することは、基板を基板の中心で支持する工程を含む(3)記載の方法。
(17) 前記基板を中心で保持することは、チャックの中心で、穴部から真空パッドで基板を把持する工程を含む(16)記載の方法。
(18) 基板をチャック表面に対して回転させることは、チャック表面に実質的に垂直な軸の周りに真空パッドを回転させる工程を含む(17)記載の方法。
(19) 基板処理装置であって、
表面を有するチャックを含み、
該表面は、一つあるいはそれ以上の、前記表面にガス流を供給するように構成した ガス流開口を含み、
該表面は、チャック表面に亘って分散された、一つあるいはそれ以上の真空チャンネルを含み、
該真空チャンネルは、それを通して真空が引けるように構成されている
処理装置。
(20) チャック表面と実質的に平行な方向付けに、基板を支持するように構成される基板支持体をさらに含み、該基板支持体が基板表面と実質的に平行な方向に沿って移動するよう適応されている(19)記載の装置。
(21) 基板表面と実質的に平行な一つあるいはそれ以上の軸に沿って並進するように基板支持体が適応されている(20)記載の装置。
(22) 基板支持体がチャックに取り付けられ、該チャックが一つあるいはそれ以上の軸に沿って並進するよう適応されている(20)記載の装置。
(23) 基板表面に実質的に垂直な軸の周りに回転するように基板支持体が適応されていて、回転機構が該軸の周りの回転運動を基板支持体に与えるように構成される(20)記載の装置。
(24) 基板表面と実質的に平行な方向に沿って運動を基板支持体に与えるように構成した、一つあるいはそれ以上の機構をさらに含む(20)記載の装置。
(25) 前記一つあるいはそれ以上の機構は、基板支持体に前記軸の周りに回転する運動を与えるよう構成した回転機構を含む(24)記載の装置。
(26) 基板支持体は、基板を実質的に水平面で回転させるように構成される(24)記載の装置。
(27) 前記基板支持体は、基板エッジ支持体である(24)記載の装置。
(28) 基板エッジ支持体は、チャックに対して固定した位置でチャック表面に近接しており、基板エッジ支持体は、チャック表面と実質的に平行な方向付けで、基板のエッジにより基板を支持するよう構成されている(27)記載の装置。
(29) 基板エッジ支持体は、一つの輪及び基板のエッジを当該輪に3箇所あるいはそれ以上の場所で固定するように構成される、3個あるいはそれ以上のエッジクランプ含む(27)記載の装置。
(30) 前記輪は、チャック表面に実質的に垂直な軸の周りに、チャック表面に対して回転するように構成される(29)記載の装置。
(31) 前記基板支持体は、基板中心支持材である(24)記載の装置。
(32) 前記基板中心保持材は、チャックの中心穴部に配置される(31)記載の装置。
(33) 前記基板中心保持材は、基板の中心を把持するように構成される真空パッドを含む(32)記載の装置
(34) 前記真空パッドは、チャック表面に実質的に垂直な軸の周りに回転するように構成される(33)記載の装置。
(35) 走査機構に連結されたプローブを含む走査ツールをさらに含み、該走査機構は、基板の回転中基板の前面に亘ってプローブを走査するように構成される(24)記載の装置。
(36) 前記走査機構は、基板の回転中、基板の回転面と実質的に平行な方向にプローブを走査するするように構成される (35)記載の装置。
(37) 前記一つあるいはそれ以上のガス流開口および2個あるいはそれ以上の真空チャンネルは、前記表面に亘って分散され、隔置された位置に配置される(24)記載の装置。
(38) 前記一つあるいはそれ以上の真空チャンネルは、チャックの本体に形成された一つあるいはそれ以上の垂直のチャンネルを含む(19)記載の装置。
(39) 前記一つあるいはそれ以上の真空チャンネルは、チャック表面の突出部の間でチャック表面に形成された、一つあるいはそれ以上の水平のチャンネルを含む(19)記載の装置。
(40) 前記一つあるいはそれ以上のガス流開口は、前記突出領域に形成される(39)記載の装置。
(41) 前記ガス流開口は、チャックの本体に形成した一つあるいはそれ以上の垂直のガス導管を含む(19)記載の装置。
(42) 前記ガス流開口とチャック表面の間に配設された多孔性材料をさらに含む(41)記載の装置。
Claims (38)
- 基板処理方法であって、
基板をチャック表面の近傍に支持する工程であって、基板の裏面は、チャック表面に十分に接近しているので、ガス流と真空が基板の裏面とチャック表面を隔置された関係に維持することができる前記工程と;
チャック表面の一つあるいはそれ以上の開口を通してチャック表面にガス流を供給する工程と;
チャック表面に亘って分散された一つあるいはそれ以上のチャンネルを通して真空を引く工程と;
基板を基板表面に実質的に平行な方向に沿って移動させる工程であって、前記チャックを前記基板表面に実質的に平行な方向に沿って移動させる工程と;
基板をチャックに対して固定した位置に維持する工程と
を含み、
前記一つあるいはそれ以上のチャンネルは、前記チャック表面の突出部であって、前記ガス流開口を備えた突出部の間でチャック表面に形成された、一つあるいはそれ以上の水平のチャンネルを含む
方法。 - 基板表面に実質的に平行な方向に沿って基板を移動させることは、
基板表面に実質的に垂直な軸の周りに、基板をチャック表面に対して回転させる工程を含む請求項1記載の方法。 - 基板を回転させることは、基板を実質的に水平面で回転させる工程を含む請求項2記載の方法。
- 基板が、回転中、実質的にチャック表面の微細構成に順応するように、基板の回転速度及び/あるいはガスの流速及び/あるいは真空を引く速度を選択する工程を含む請求項3記載の方法。
- 基板の裏面とチャック表面間の間隙中のガス流が層流と見なされるように、基板の回転速度及び/あるいはガスの流速及び/あるいは真空を引く速度を選択する工程を含む請求項3記載の方法。
- 基板の回転時に基板の前面に亘って走査測定を実施する工程をさらに含む請求項2記載の方法。
- 走査測定を実施することは、基板の回転時に基板の回転面と実質的に平行な方向にプローブを走査する工程を含む請求項6記載の方法。
- ガス流を供給する工程は、表面に亘って2箇所あるいはそれ以上の隔置された位置に分散されている位置でガスを供給する工程を含む請求項2記載の方法。
- 基板が厚さ約1ミリメートル未満である請求項8記載の方法。
- 基板が直径で約150、200、300あるいは450ミリメートルより大きい請求項9記載の方法。
- 基板が半導体ウエーハである請求項9記載の方法。
- 基板を支持することは、基板をそのエッジで支持する工程を含む請求項2記載の方法。
- 基板をそのエッジで支持することは、前記エッジを3箇所、あるいは、それ以上の場所で輪に固定する工程を含む請求項2記載の方法。
- 基板をチャック表面に対して回転させることは、前記輪をチャック表面に実質的に垂直な軸の周りに、チャック表面に対して回転させる工程を含む請求項13記載の方法。
- 基板を支持することは、基板を基板の中心で支持する工程を含む請求項2記載の方法。
- 前記基板を中心で保持することは、チャックの中心で、穴部から真空パッドで基板を把持する工程を含む請求項15記載の方法。
- 基板をチャック表面に対して回転させることは、チャック表面に実質的に垂直な軸の周りに真空パッドを回転させる工程を含む請求項16記載の方法。
- 基板処理装置であって、
表面を有するチャックを含み、
該表面は、一つあるいはそれ以上の、前記表面にガス流を供給するように構成したガス流開口を含み、
該表面は、チャック表面に亘って分散された、一つあるいはそれ以上の真空チャンネルを含み、
該真空チャンネルは、それを通して真空が引けるように構成されており、
前記チャック表面と実質的に平行な方向付けに、基板を支持するように構成される基板支持体をさらに含み、該基板支持体が基板表面と実質的に平行な方向に沿って移動するよう適応されており、
前記一つあるいはそれ以上の真空チャンネルは、チャック表面の突出部であって、前記ガス流開口を備えた突出部の間でチャック表面に形成された、一つあるいはそれ以上の水平のチャンネルを含む
装置。 - 基板表面と実質的に平行な一つあるいはそれ以上の軸に沿って並進するように基板支持体が適応されている請求項18記載の装置。
- 基板支持体がチャックに取り付けられ、該チャックが一つあるいはそれ以上の軸に沿って並進するよう適応されている請求項18記載の装置。
- 基板表面に実質的に垂直な軸の周りに回転するように基板支持体が適応されていて、回転機構が該軸の周りの回転運動を基板支持体に与えるように構成される請求項18記載の装置。
- 基板表面と実質的に平行な方向に沿って運動を基板支持体に与えるように構成した、一つあるいはそれ以上の機構をさらに含む請求項18記載の装置。
- 前記一つあるいはそれ以上の機構は、基板支持体に前記軸の周りに回転する運動を与えるよう構成した回転機構を含む請求項22記載の装置。
- 基板支持体は、基板を実質的に水平面で回転させるように構成される請求項22記載の装置。
- 前記基板支持体は、基板エッジ支持体である請求項22記載の装置。
- 基板エッジ支持体は、チャックに対して固定した位置でチャック表面に近接しており、基板エッジ支持体は、チャック表面と実質的に平行な方向付けで、基板のエッジにより基板を支持するよう構成されている請求項25記載の装置。
- 基板エッジ支持体は、一つの輪及び基板のエッジを当該輪に3箇所あるいはそれ以上の場所で固定するように構成される、3個あるいはそれ以上のエッジクランプ含む請求項25記載の装置。
- 前記輪は、チャック表面に実質的に垂直な軸の周りに、チャック表面に対して回転するように構成される請求項27記載の装置。
- 前記基板支持体は、基板中心支持材である請求項22記載の装置。
- 前記基板中心保持材は、チャックの中心穴部に配置される請求項29記載の装置。
- 前記基板中心保持材は、基板の中心を把持するように構成される真空パッドを含む請求項30記載の装置
- 前記真空パッドは、チャック表面に実質的に垂直な軸の周りに回転するように構成される請求項31記載の装置。
- 走査機構に連結されたプローブを含む走査ツールをさらに含み、該走査機構は、基板の回転中基板の前面に亘ってプローブを走査するように構成される請求項22記載の装置。
- 前記走査機構は、基板の回転中、基板の回転面と実質的に平行な方向にプローブを走査するするように構成される請求項33記載の装置。
- 前記一つあるいはそれ以上のガス流開口および2個あるいはそれ以上の真空チャンネルは、前記表面に亘って分散され、隔置された位置に配置される請求項22記載の装置。
- 前記一つあるいはそれ以上の真空チャンネルは、チャックの本体に形成された一つあるいはそれ以上の垂直のチャンネルを含む請求項18記載の装置。
- 前記ガス流開口は、チャックの本体に形成した一つあるいはそれ以上の垂直のガス導管を含む請求項18記載の装置。
- 前記ガス流開口とチャック表面の間に配設された多孔性材料をさらに含む請求項37記載の装置。
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