JP5454595B2 - 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびにパワーモジュール - Google Patents
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
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Description
特許文献1に示されるような電力用半導体装置の場合、その従来例の説明に記載されているようにソース電極とフィールドプレートとは電気的に接続されているので、例えば図2(C)に示される断面において、ゲートパッド下のPウェルに内に流れ込んだ変位電流は、ゲートパッド下のPウェル内をMOSFETセル方向からフィールドプレートに接続されているコンタクトホールに向けて流れ、フィールドプレートを介してソース電極に流入する。
この電位は、変位電流が大きくなる程大きくなり、上記ドレイン電圧Vの時間tに対する変動dV/dtが大きくなる程大きくなる。
本発明の実施の形態1においては、電力用半導体装置の一例として縦型のn型チャネル炭化珪素MOSFETを主としたものを用いて説明する。また、下記各実施の形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明するが、半導体の導電型については、その逆であっても構わない。
図3および図4において、n型で低抵抗の炭化珪素で構成される半導体基板20の表面上に、n型の炭化珪素で構成されるドリフト層21が形成されている。図2で説明したゲートパッド11およびゲート配線12が設けられている領域にほぼ対応する位置のドリフト層21の表層部には、p型の炭化珪素で構成される第2ウェル領域42、43が設けられている。
図3の第2ウェル領域43の両側、図4の第2ウェル領域42の右側、すなわちB’側(図2において第2ウェル領域42、43に取り囲まれた内側)のドリフト層21の表層部には、第2ウェル領域42、43から少なくとも所定の間隔を置いて、p型の炭化珪素で構成された第1ウェル領域41が複数設けられている。第1ウェル領域41などが形成された領域が、図2で説明したセル領域に対応する。
また、半導体基板20の裏面側には、裏面オーミック電極72を介してドレイン電極13が形成されている。
まず、n型で低抵抗の炭化珪素の半導体基板20上の表面(第1の主面)上に化学気相堆積(Chemical Vapor Deposition:CVD)法により1×1013cm-3〜1×1018cm-3のn型の不純物濃度、4〜200μmの厚さの炭化珪素で構成されるドリフト層21をエピタキシャル成長する。炭化珪素の半導体基板20は、第1の主面の面方位が(0001)面で4Hのポリタイプを有しc軸方向に対して8°以下に傾斜されているものを用いたが、他の面方位、ポリタイプ、傾斜角度であってもよく、また、傾斜していなくてもよい。
ただし、ドリフト層21の最表面近傍に限っては、MOSFETのチャネル領域における導電性を高めるために、第1ウェル領域41、第2ウェル領域42、43の各々のp型不純物濃度がドリフト層21のn型不純物濃度より低くなってもよい。
ゲート絶縁膜30の膜厚としては、30nm以上300nm以下であれば良く、より好ましくは50nm以上150nm以下であればよい。なお、この膜厚値は、どの程度のゲート電圧及びゲート電界でMOSFETを駆動(スイッチング動作)させるかに依存し、好ましくはゲート電界(ゲート絶縁膜30に印加される電界)として3MV/cm以下の大きさであればよい。
なお、ゲート電極50の最外端面は、フィールド絶縁膜31上にあるように配置してもよい。このようにすることで、ドライエッチング処理による端面のオーバーエッチングによって端面でむき出しになるゲート絶縁膜30の品質劣化を防ぐことができる。
次に、スパッタ法などによるNiを主成分とする金属膜の形成につづいて600〜1100℃の温度の熱処理を行ない、Niを主成分とする金属膜と炭化珪素層とを反応させて、炭化珪素層と金属膜との間にシリサイドを形成する。つづいて、反応してできたシリサイド以外の層間絶縁膜32上に残留した金属膜を、硫酸、硝酸、塩酸のいずれか、またはこれらと過酸化水素水との混合液などによるウェットエッチングにより除去する。
このようにしてソースコンタクトホール61、第1ウェルコンタクトホール62、第2ウェルコンタクトホール63内に形成されたシリサイドは、図3、図4に示したオーミック電極71(a)、71(b)、71(c)となり、ソース領域80などのn型の炭化珪素領域と、第1ウェル領域41などのp型の炭化珪素領域の両方に対してオーミック接続する。
その後、ここまで処理してきた半導体基板20の表面にスパッタ法または蒸着法によりAl等の配線金属を形成し、フォトリソグラフィー技術により所定の形状に加工することで、ソースパッド10、ゲートパッド11およびゲート配線12を形成する。さらに、基板の裏面の裏面オーミック電極72の表面上に金属膜を形成することによりドレイン電極13を形成し、図3、図4にその断面図を示した電力用半導体装置が完成する。
まず、本実施の形態の電力用半導体装置を電気回路的に見た構成を説明しておく。本実施の形態の電力用半導体装置において、第1ウェルコンタクトホール62および第2ウェルコンタクトホール63によってソースパッド10に接続された第2導電型(本実施の形態ではp型)の第2ウェル領域42、43と、半導体基板20と裏面オーミック電極72とを介してドレイン電極13に接続された第1導電型(本実施の形態ではn型)のドリフト層21との間に、ダイオードが形成されている。また、第1導電型のソース領域80と第1導電型のドリフト層21との間にある第2導電型の第1ウェル領域41でゲート絶縁膜30に接した領域(チャネル領域)の導通をゲート絶縁膜30上のゲート電極50の電圧により制御でき、これらが縦型のMOSFETを構成する。本実施の形態の電力用半導体装置においては、MOSFET(本実施の形態ではn型MOSFET)のソースとゲートとがpnダイオードの第2導電型の電極と、また、MOSFETのドレインがpnダイオードの第1導電型の電極と、それぞれ一体になっており、MOSFETのソースとドレインとの間にダイオードが並列に接続されている構成となっている。
本実施の形態の電力用半導体装置において、MOSFETのゲート(本実施の形態においてはゲートパッド11)に印加する電圧を、MOSFETがオン状態からオフ状態にスイッチングするように変化させたとき、MOSFETのドレイン(本実施の形態においてはドレイン電極13)の電圧が急激に上昇し、略0Vから数百Vにまで変化する。そうすると、p型の第1ウェル領域41、第2ウェル領域42、43、JTE領域40と、n型のドリフト層21との間のそれぞれに発生する寄生容量を介して、図7に示すように、変位電流がp型、n型の両方の領域に流れる。p型の領域では、図7の実線矢印で模式的に示すように、p型の第1ウェル領域41、第2ウェル領域42などから、オーミック電極71を経てソースパッド10に向けて変位電流が流れる。n型の領域では、図7の破線矢印で模式的に示すように、n型のドリフト層21から半導体基板20、裏面オーミック電極72を経てドレイン電極13に向けて変位電流が流れる。
したがって、MOSFETをオフ状態にしてゲート電極50の電圧が略0Vになった場合においても、ゲート電極50がゲート絶縁膜30を介してウェル領域と対向している箇所でゲート絶縁膜30が絶縁破壊することを防止できる。また、高dV/dt条件で動作させたとしてもゲート絶縁膜30に発生する電界を小さくでき、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。
4種類の等価回路は、半導体基板20の第1の主面に平行で互いに直交するx方向、y方向に対して、上面から見てx方向、y方向の微小長Δx、Δyの2辺で囲まれる構造を、その中心で代表化させたものである。
次に、図8の(a)〜(d)に示した等価回路モデルを用いて、図3、図4に示した本発明の実施の形態1の構造と、本発明を用いない構造、すなわち、図3、図4の構造からウェルコンタクト領域48とオーミック電極71cを除いた構造とを等価回路に置き換え、両者のドレイン電極13の電圧を30V/nsecでオン状態からオフ状態に移行した場合のゲート絶縁膜30に発生する電界強度を計算した。例えば、本実施の形態の構造の図3の断面図部分に対しては、図11に示すように、図8の(a)、(b)、(c)、(d)の等価回路モデルを適用した。
したがって、本発明の本実施の形態の電力用半導体装置によれば、高速でスイッチングした場合においてもゲート絶縁膜30の絶縁不良が発生せず、高い信頼性の半導体装置を得ることができる。
このように、ゲートパッド11の位置、個数およびソースパッド10の形状等も多種多様のケースが有り得るが、本実施の形態の電力用半導装置の効果に何ら影響を及ぼすものではない。また、第2ウェル領域42、43は、第1ウェルコンタクトホール62、第2ウェルコンタクトホール63それぞれの下部にあるものが一体ではなく、分離して設けられてもよい。
なお、表面側のオーミック電極71を形成する際に、層間絶縁膜32上に残留した金属を除去した後に、再アニールを行なってもよい。再アニールによって、さらに低抵抗なオーミック接触を得ることができる。
また、本実施の形態の電力用半導体装置においては、ウェルコンタクト領域はコンタクトホールの下部に個別に位置するように説明したが、第1ウェルコンタクト領域62、第2ウェルコンタクト領域63は、断面奥行き方法に連続して形成されてもよい。
図14は、本発明の実施の形態2の電力用半導体装置を上面から透視した平面図である。また、図15は、図14のC−C’断面の断面図であり、図16は、図14のD−D’断面の断面図である。
本実施の形態の電力用半導体装置は、実施の形態1の電力用半導体装置から第1ウェルコンタクトホール62および第2オーミック電極71bを除いたものである。その他の部分については、実施の形態1で説明したものと同様であるので説明を省略する。
このため、本実施の形態の電力用半導体装置を高速スイッチングした場合であっても、ゲート絶縁膜30に高電界が印加されない。また、第1ウェルコンタクトホール62を設けることなく、より簡易な構成で、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。
図17および図18は、実施の形態1の電力用半導体装置の第2ウェル領域42、43の断面横方向の抵抗を小さくするために、実施の形態1の電力用半導体装置の第2ウェル領域42、43の表層部に、第2導電型の不純物を高濃度に添加した高不純物濃度ウェル領域45を設けた、本実施の形態の電力用半導体装置の断面模式図である。その他の部分については、実施の形態1で説明したものと同様であるので詳しい説明を省略する。図19に、本実施の形態の電力用半導体装置の上面図を示す。図17、図18はそれぞれ図19のE−E’断面の断面図、F−F’断面の断面図に相当する。
図22は、本実施の形態の電力用半導体装置を上面から透視して見た平面図である。また、図23および図24は、それぞれ、図22の平面図のG−G’部分の断面、H−H’部分の断面を模式的に表した本実施の形態における電力用半導体装置の断面模式図である。
本実施の形態の電力用半導体装置においては、実施の形態1の電力用半導体装置の第2ウェル領域42、43のうち、ゲート電極50、ゲートパッド11、ゲート配線12などが設けられている領域で、ゲート酸化膜30が形成されている領域の下部を除いた部分にのみ、第2導電型の不純物を高濃度に添加した高不純物濃度ウェル領域45を設けている。その他の部分については、実施の形態1で説明したものと同様であるので詳しい説明を省略する。
図25および図26は、本実施の形態の電力用半導体装置の断面を模式的に表した断面模式図であり、それぞれ、実施の形態2の図14の平面図のC−C’部分の断面、D−D’部分の断面に対応したものである。
本実施の形態の電力用半導体装置においては、実施の形態2の電力用半導体装置の第2ウェル領域42、43のうち、ゲート電極50、ゲートパッド11、ゲート配線12などが設けられている領域で、ゲート酸化膜30が形成されている領域の下部を除いた部分にのみ、第2導電型の不純物を高濃度に添加した高不純物濃度ウェル領域45が設けられている。その他の部分については、実施の形態2で説明したものと同様であるので詳しい説明を省略する。
また、実施の形態1〜5で縦型MOSFETと説明した電力用半導体装置のゲート絶縁膜30は、必ずしもMOSの名の通りの二酸化珪素などの酸化膜である必要はなく、窒化珪素膜、酸化アルミニューム膜などの絶縁膜であってもよい。
Claims (13)
- ワイドバンドギャップ半導体材料からなる第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の主面側に形成された、ワイドバンドギャップ半導体材料からなる第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層の一部に形成された、複数の第2導電型の第1ウェル領域を含むユニットセルからなるセル領域と、
前記セル領域の隣に前記セル領域と離間して形成された前記第1ウェル領域より面積の大きな第2導電型の第2ウェル領域と、
前記セル領域上と、前記第2ウェル領域上の前記セル領域側とに形成されたゲート絶縁膜と、
前記第2ウェル領域上の前記セル領域側とは反対側に形成され、前記ゲート絶縁膜より膜厚の大きなフィールド絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上と、前記フィールド絶縁膜上とに形成されたゲート電極と、
前記セル領域上の前記ゲート絶縁膜を貫通して形成されたソースコンタクトホールと、
前記第2ウェル領域上の前記フィールド絶縁膜を貫通して形成された第2ウェルコンタクトホールと、
前記ソースコンタクトホールと前記第2ウェルコンタクトホールとを介して前記セル領域と前記第2ウェル領域とを電気的に接続するソースパッドと、
前記第1の主面とは反対の第2の主面側に形成されたドレイン電極と、
前記第2ウェル領域の表層の一部に、前記第2ウェル領域内の他の領域よりも第2導電型の不純物濃度が高い高不純物濃度ウェル領域と、を備え、
前記フィールド絶縁膜は、前記ゲート電極と前記高不純物濃度ウェル領域に挟まれた領域に形成されたこと
を特徴とする電力用半導体装置。 - ワイドバンドギャップ半導体材料からなる第2導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の主面側に形成された、ワイドバンドギャップ半導体材料からなる第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層の一部に形成された、複数の第2導電型の第1ウェル領域を含むユニットセルからなるセル領域と、
前記セル領域の隣に前記セル領域と離間して形成された前記第1ウェル領域より面積の大きな第2導電型の第2ウェル領域と、
前記セル領域上と、前記第2ウェル領域上の前記セル領域側とに形成されたゲート絶縁膜と、
前記第2ウェル領域上の前記セル領域側とは反対側に形成され、前記ゲート絶縁膜より膜厚の大きなフィールド絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上と、前記フィールド絶縁膜上とに形成されたゲート電極と、
前記セル領域上の前記ゲート絶縁膜を貫通して形成されたソースコンタクトホールと、
前記第2ウェル領域上の前記フィールド絶縁膜を貫通して形成された第2ウェルコンタクトホールと、
前記ソースコンタクトホールと前記第2ウェルコンタクトホールとを介して前記セル領域と前記第2ウェル領域とを電気的に接続するソースパッドと、
前記第1の主面とは反対の第2の主面側に形成されたドレイン電極と、
前記第2ウェル領域の表層の一部に、前記第2ウェル領域内の他の領域よりも第2導電型の不純物濃度が高い高不純物濃度ウェル領域と、を備え、
前記フィールド絶縁膜は、前記ゲート電極と前記高不純物濃度ウェル領域に挟まれた領域に形成されたこと
を特徴とする電力用半導体装置。 - 前記高不純物濃度ウェルは、3×10 18 cm −3 以上1×10 21 cm −3 以下の範囲の第2導電型の不純物濃度を有すること
を特徴とする請求項1又は2に記載の電力用半導体装置。 - 前記第2ウェル領域上に形成されたゲートコンタクトホールと、
前記ゲートコンタクトホールを介して、前記ゲート電極と電気的に接続されたゲートパッドと、
を備え、
前記第2ウェルコンタクトホールは、前記ゲートコンタクトホールよりも前記セル領域側に形成されたこと
を特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記高不純物濃度ウェル領域は、前記第2ウェルコンタクトホール下から前記ゲート電極下に連続的に形成されたこと
を特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 複数の前記第2ウェルコンタクトホールは、前記セル領域を取り囲むように形成されたこと
を特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体材料は炭化珪素であること
を特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記ユニットセルは、第1導電型のソース領域と第2導電型の第1ウェル領域とを含み、前記ソース領域と前記ドリフト層とに挟まれた前記第1ウェル領域内に形成されるチャネル領域は、前記第1の主面と平行であること
を特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記ユニットセルは、第1導電型のソース領域と第2導電型の第1ウェル領域とを含み、前記ソース領域と前記ドリフト層とに挟まれた前記第1ウェル領域内に形成されるチャネル領域は、前記第1の主面と垂直であること
を特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記ソースパッドと前記ドレイン電極間にかかる電圧の変化速度が10V/nsec以上であること
を特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の電力用半導体装置と、前記電力用半導体装置の動作を制御する制御回路とを搭載したリードフレームを備えること
を特徴とするパワーモジュール。 - ワイドバンドギャップ半導体材料からなる第1導電型、または第2導電型の半導体基板の第1の主面側にワイドバンドギャップ半導体材料からなる第1導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の表層の一部に、複数の第2導電型の第1ウェル領域を形成する工程と、
前記第1ウェル領域の各々の表層の一部に第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記第1ウェル領域の隣に前記第1ウェル領域と離間して形成された前記第1ウェル領域より面積の大きな第2導電型の第2ウェル領域を形成する工程と、
前記第2ウェル領域の表層の一部に、前記第2ウェル領域内の他の領域よりも第2導電型の不純物濃度が高い高不純物濃度ウェル領域を形成する工程と、
前記高不純物濃度ウェル上にフィールド絶縁膜を形成する工程と、
複数の前記第1ウェル領域と前記ソース領域の上、および、前記高不純物濃度ウェルより前記第1ウェル領域側の前記第2ウェル領域上に、前記フィールド絶縁膜より膜厚の小さなゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記フィールド絶縁膜上と、前記ゲート絶縁膜上とにゲート電極を形成する工程と、
前記第1ウェル領域上の前記ゲート絶縁膜を貫通するソースコンタクトホールを形成する工程と、
前記高不純物濃度ウェル領域上の前記フィールド絶縁膜を貫通する第2ウェルコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソースコンタクトホールと前記第2ウェルコンタクトホールを介して、前記第1ウェル領域と前記第2ウェル領域とを電気的に接続するソースパッドを形成する工程と、
前記第1の主面とは反対の第2の主面側に形成されたドレイン電極を形成する工程と、
を備えること
を特徴とする電力用半導体装置の製造方法。 - 前記フィールド絶縁膜を形成する工程は、前記第2ウェルコンタクトホールが形成される箇所の前記フィールド絶縁膜を除去する工程を含むこと
を特徴とする請求項12に記載の電力用半導体装置の製造方法。
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