JP5306732B2 - パワーアップ時ピーク電流を減少させるマルチチップパッケージ - Google Patents
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Description
図1に示すように、2個のメモリチップ110、120を単一パッケージ100内に実装するデュアルチップパッケージ技術において、2個のメモリチップはオプションパッドを利用して上位メモリチップ120と下位メモリチップ110とに区別される。例えば、下位メモリチップ110のオプションパッドは接地電圧に連結され、上位メモリチップ120のオプションパッドは電源電圧に連結される。外部から入力されたアドレスが下位メモリチップ110を表す時(例えば、入力されたアドレスの最上位アドレスビットが下位メモリチップ110のオプションパッドの値と一致する時)、入力されたアドレスを利用して下位メモリチップ110をアクセスすることが可能である。
最近は、マルチチップパッケージ内に2個のチップだけでなく2個以上のチップを実装して、メモリ容量を増大させたり、様々な機能のチップを単一パッケージに具現するための努力が続いている。
本発明の他の目的は、過度なピーク電流の発生を防止することができるマルチチップパッケージを提供することにある。
本実施の形態において、前記第1及び第2内部パッドは前記複数のメモリチップ各々に対して類似する連結パターンを含み、前記第1メモリチップの前記第2内部パッドは前記第2メモリチップの前記第2内部パッドと連結される。
本実施の形態において、前記第1メモリチップの前記第1内部パッドは接地と連結される。
本実施の形態において、前記複数のメモリチップ各々は外部電源電圧と連結される外部パッドをさらに含む。
本実施の形態において、前記制御ロジック回路は、前記タイミング信号の遷移回数が前記第2及び第3内部パッドでの前記電源電圧または接地と一致すると、前記読み出し信号を出力する。
本実施の形態において、前記読み出し制御器は、前記第1内部パッドを介して前記共通制御信号と、前記読み出し信号とを受信し、カウント値を発生するインタフェース回路と、第1及び第2内部パッド各々を介して接地電圧または電源電圧のうちの一つと前記インタフェース回路からのカウント値とを受信し、読み出し信号及びイネーブル信号を発生する制御ロジック回路と、を含む。
本実施の形態において、前記タイミング信号の遷移回数が前記第2及び第3内部パッドで前記電源電圧または接地によって表れる値と等しいと、前記制御ロジック回路は前記読み出し信号を出力する。
本実施の形態において、前記メモリ装置はフラッシュメモリ装置である。
レーザ溶断(blown)ヒューズは歴史的にメモリリダンダンシの制御とダイ識別のための論理プロセッサで使用されてきた。最近、レーザ溶断ヒューズは、電気的にプログラム可能なヒューズによって取り替えられている。電気的にプログラム可能なヒューズ(electrical fuse 、以下E−ヒューズ)とは、メモリチップの動作に必要な情報、例えば、電源トリム(trim)情報、オプション(option)情報、リペア(repair)情報及びバッドブロック(bad block)情報をE−ヒューズデータとしてメモリセルアレイの特定領域に格納した後、パワーアップ時点にE−ヒューズデータ読み出しプロセスにより読み出されたE−ヒューズデータをラッチに格納する一連の過程を意味する。
図3に示すように、マルチチップパッケージ300は4個のメモリチップ310〜340を含む。メモリチップ310〜340のそれぞれは、E−ヒューズデータの読み出しに消費されるピーク電流を減少させるための2個のパッドと外部電源電圧を供給してもらうためのパッドを含む。マルチチップパッケージ300に含まれるメモリチップの数は様々に変更することができ、メモリチップのそれぞれはE−ヒューズデータの読み出しに消費されるピーク電流を減少させるための2個のパッドだけでなく複数のパッドをさらに含むことができる。
図4に示すように、メモリチップ310は、レベル検出器411、読み出し制御器412、メモリセルアレイ413、読み出し回路415及びラッチ416を含む。本明細書で、読み出し制御器412及び読み出し回路415を読み出し制御回路と称する。メモリセルアレイ413は、一般的なデータを格納する領域の他にE−ヒューズデータを格納するための領域414を含む。E−ヒューズデータ領域414に格納されるデータは、メモリチップの動作に必要な情報、例えば、電源トリム(trim)情報、オプション(option)情報、リペア(repair)情報及びバッドブロック(bad block)情報などを含む。
読み出し回路415は、読み出し制御器412からの読み出し命令信号RD_INV0に応じてE−ヒューズデータ領域414からE−ヒューズデータを読み出す。読み出し回路415で読み出されたE−ヒューズデータはラッチ316にラッチされる。
図5を参照すれば、マルチチップパッケージ300がパワーアップされて外部電源電圧EVCが所定レベルに上昇すると、読み出し制御器412はパッド311を介して入力されるローレベルの信号LP1に応じて所定時間の間ハイレベルに保持される読み出し命令信号RD_INV0を出力する。読み出し回路415は、ハイレベルの読み出し命令信号RD_INV0に応じてE−ヒューズデータ領域414からE−ヒューズデータを読み出す。読み出し制御器412は、読み出し命令信号RD_INV0がローレベルに遷移する時点に、パッド312にローレベルパルス信号RP0を出力する。
図6に示すように、マルチチップパッケージ600内メモリチップ610〜640は、それぞれ2個のパッドを含む。メモリチップ610〜640はパッドを介して直列に連結されるが、メモリチップ610〜640に具備されたパッドが順番をずらして連結された構造を有する。一般的にマルチチップパッケージ600内に実装されるメモリチップ610〜640は積層型構造を有する。メモリチップを連結する配線が縺れることを防止するためには、図6のように、メモリチップ610〜640に具備されたパッドの順番をずらして連結することが好ましい。図6に図示されたメモリチップ610〜640それぞれの内部回路構成は、図4に図示されたものと同様である。
図7に示すように、読み出し制御器700は第1インタフェース710、第2インタフェース720及び制御ロジック730を含む。第1インタフェース710はパッド611と連結され、パッド611から入力される信号LP0及び/または制御ロジック730からの読み出し終了信号RD_C0及びイネーブル信号EN0に応じて読み出し開始信号RD_SOAを出力する。
図6乃至図8を参照すれば、パワーアップ時に一番目のメモリチップ610のパッド611に入力される信号LP0は接地電圧、即ち、ローレベルであり、他のパッド621〜641、612〜642は電源電圧、即ち、ハイレベルに設定される。
上述したように、マルチチップパッケージ600内メモリチップ610〜640が順次にE−ヒューズデータを読み出すことで、過度なピーク電流発生を防止することができる。
図9に示すように、マルチチップパッケージ900はメモリチップ910〜940を含む。メモリチップ910〜940はそれぞれ3個のパッドを含む。即ち、メモリチップ910はパッド911〜913を含み、メモリチップ920はパッド921〜923を含み、メモリチップ930はパッド931〜933を含み、そしてメモリチップ940はパッド941〜943を含む。メモリチップ910のパッド912、913、メモリチップ920のパッド922、923、メモリチップ930のパッド932、933、そしてメモリチップ940のパッド942、943は電源電圧及び/または接地電圧と連結されて、メモリチップ910〜940が区別されるようにする。例えば、マルチチップパッケージ900に含まれるメモリチップの数によって、メモリチップを区別するためのパッドの数が定まる。メモリチップ910〜940のパッド911、921、931、941は共通に連結される。
図10に示すように、読み出し制御回路は読み出し制御器914及び読み出し回路915を含む。読み出し制御器914は、プルアップ抵抗1011、NMOSトランジスタ1012、1014、1015、PMOSトランジスタ1013、カウンタ1016及び制御ロジック1017を含む。プルアップ抵抗1011の一端はパッド911と連結される。NMOSトランジスタ1012は、プルアップ抵抗1011の一端と接地電圧との間に連結され、読み出し回路915からの読み出し完了信号RD_C0によって制御される。
図9乃至図11を参照すれば、パワーアップ時プルアップ抵抗1011を介してパッド911にはハイレベルの信号LP0が印加される。カウンタ1016の初期値が0に設定されていたら、カウンタ1016から出力されるカウント値「0」とパッド912、913を介して入力される値「00」とが一致するので、制御ロジック1017は所定時間の間ハイレベルに保持される読み出し命令信号RD_INV0を出力する。また、制御ロジック1017はイネーブル信号EN0をローレベルに設定する。
例えば、メモリチップ920内カウンタはポイントt1でノードN1がディスチャージされることによってカウントアップする。カウンタのカウント値が「1」で、パッド922、923を介して入力される信号が「01」なので、制御ロジック1017はハイレベルの読み出し命令信号RD_INV1を出力する。同じく、メモリチップ930内カウンタはポイントt1、t2でそれぞれカウントアップを行い、カウント値が「2」で、パッド932、933を介して入力される信号が「10」なので、制御ロジック1017はハイレベルの読み出し命令信号RD_INV2を出力する。このような方法で、マルチチップパッケージ900内のメモリチップ910〜940は順次にE−ヒューズデータを読み出すことができる。
図12に示すように、マルチチップパッケージ1200はメモリチップ1210〜1240を含む。メモリチップ1210〜1240は、R/B(ready/busy)パッド1211〜1241を介して共通に連結され、プルアップ抵抗1201と連結される。図12に図示されたマルチチップパッケージ1200は、図9に図示されたマルチチップパッケージ900と異なり、プルアップ抵抗1201がメモリチップ1210〜1240の外に位置する。即ち、メモリチップ1210〜1240それぞれの内部にはプルアップ抵抗が存在しない。
このような構成を有するマルチチップパッケージ1200でもメモリチップ1210〜1240がそれぞれ順次にE−ヒューズデータを読み出すので、マルチチップパッケージ1200の過度なピーク電流発生が防止される。
310〜340 メモリチップ
311〜313、321〜323、331〜333、341〜343 パッド
Claims (6)
- 複数のメモリチップを含むマルチチップパッケージであって、
前記メモリチップの各々は、
E−ヒューズデータを格納するメモリセルアレイと、
読み出し信号に応じてE−ヒューズデータの読み出し動作を行う読み出し回路と、
第1制御信号を外部から受信、または、外部へ送信する第1内部パッドと、
第2制御信号を外部から受信、または、外部へ送信する第2内部パッドと、
前記第1または第2内部パッドが受信した前記第1または第2制御信号に応じて読み出し動作のための読み出し期間を定義する前記読み出し信号を発生し、前記読み出し期間によって制御信号を発生する読み出し制御器と、を有し、
前記読み出し制御器は、
前記第1内部パッドが前記第1制御信号を外部から受信した場合には、発生した前記制御信号を第2の制御信号として外部へ送信するために前記第2内部パッドへ送信し、
前記第2内部パッドが第2制御信号を外部から受信した場合には、発生した前記制御信号を第1の制御信号として外部へ送信するために前記第1内部パッドへ送信し、
前記複数のメモリチップは直列に連結され、前記複数のメモリチップ各々内の前記読み出し制御回路及び前記読み出し制御器は、前記複数のメモリチップ各々内のメモリセルアレイに格納されたE−ヒューズデータを順次に読み出すことを可能とすることを特徴とするマルチチップパッケージ。 - 前記読み出し制御器は、
前記読み出し信号、読み出し終了信号及びイネーブル信号を発生する制御ロジック回路と、
前記第1内部パッドに接続され、前記制御ロジック回路から前記読み出し終了信号及び前記イネーブル信号を受信し、第1読み出し信号を発生する第1インタフェースと、
前記第2内部パッドに接続され、前記制御ロジック回路から前記読み出し終了信号及びイネーブル信号を受信し、第2読み出し信号を発生する第2インタフェースと、を含み、
前記制御ロジック回路は、前記第1及び第2インタフェース各々から提供された前記第1及び第2読み出し信号に応じて読み出し信号を発生し、
前記第1のインタフェースが受信に用いられる場合には、前記第2のインタフェースは送信に用いられ、前記第1のインタフェースが送信に用いられる場合には、前記第2のインタフェースは受信に用いられることを特徴とする請求項1に記載のマルチチップパッケージ。 - 前記第1インタフェースは、
前記第1内部パッドと連結されたプルアップ抵抗と、
前記プルアップ抵抗と接地との間に連結され、前記読み出し終了信号によって制御される第1トランジスタと、
電源電圧と接地との間に連結された第2、第3及び第4トランジスタと、を含み、
前記第2及び第3トランジスタのゲートはプルアップ抵抗と連結され、前記第4トランジスタのゲートは前記イネーブル信号と連結され、前記第1読み出し信号は前記第2及び第3トランジスタ間のノードで発生されることを特徴とする請求項2に記載のマルチチップパッケージ。 - 前記第2インタフェースは、
前記第2内部パッドに連結されたプルアップ抵抗と、
前記プルアップ抵抗と接地との間に連結され、前記読み出し終了信号によって制御される第5トランジスタと、
前記電源電圧と接地との間に連結される第6、第7及び第8トランジスタと、を含み、
前記第6及び第7トランジスタのゲートは前記プルアップ抵抗と連結され、前記第8トランジスタのゲートは前記イネーブル信号と連結され、前記第2読み出し信号は前記第6及び第7トランジスタ間のノードで発生されることを特徴とする請求項3に記載のマルチチップパッケージ。 - パッケージを含むコンピューティングロジックシステムであって、
バスを介して連結され、マルチチップパッケージに具現されたメモリ装置内データを格納するために作用するマイクロプロセッサ及びメモリコントローラを含み、
前記パッケージは複数のメモリチップを含み、
前記メモリチップの各々は、
E−ヒューズデータを格納するメモリセルアレイと、
読み出し信号に応じてE−ヒューズデータの読み出し動作を行う読み出し回路と、
第1制御信号を外部から受信、または、外部へ送信する第1内部パッドと、
第2制御信号を外部から受信、または、外部へ送信する第2内部パッドと、
前記第1または第2内部パッドが受信した前記第1または第2制御信号に応じて読み出し動作のための読み出し期間を定義する前記読み出し信号を発生し、前記読み出し期間によって制御信号を発生する読み出し制御器と、を有し、
前記読み出し制御器は、
前記第1内部パッドが前記第1制御信号を外部から受信した場合には、発生した前記制御信号を第2の制御信号として外部へ送信するために前記第2内部パッドへ送信し、
前記第2内部パッドが第2制御信号を外部から受信した場合には、発生した前記制御信号を第1の制御信号として外部へ送信するために前記第1内部パッドへ送信し、
前記複数のメモリチップは直列に連結され、前記複数のメモリチップ各々内の前記読み出し制御回路及び前記読み出し制御器は、前記複数のメモリチップ各々内のメモリセルアレイに格納されたE−ヒューズデータを順次に読み出すことを可能とすることを特徴とするコンピューティングロジックシステム。 - 前記メモリ装置はフラッシュメモリ装置であることを特徴とする請求項5に記載のコンピューティングロジックシステム。
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