JP5214139B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図13は、本発明の第1の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
は、−32kcalよりも小さい金属により構成されている。金属層27としては、例えば、Ni層を用いることができる。Niの酸素1グラム原子当たりの酸化に伴う自由エネルギー変化量
は、−46.1kcalである。金属層27としてNi層を用いた場合、金属層27の厚さは、例えば、10μmとすることができる。
が−32kcalよりも大きい金属からなる金属層を用いることができる。このような金属層に適用可能な金属としては、例えば、
等がある。酸化されにくい金属層28としては、例えば、Cu層、Ag層、Au層、及びPd層等を用いることができる。金属層28としてCu層を用いた場合、金属層28の厚さは、例えば、10μmとすることができる。なお、Cu層、Ag層、Au層、及びPd層のうち、少なくとも2つの層を積層させたものを金属層28として用いてもよい。
は、−32kcalよりも小さい金属により構成されている。金属層27としては、例えば、Ni層を用いることができる。Niの酸素1グラム原子当たりの酸化に伴う自由エネルギー変化量
は、−46.1kcalである。金属層27の厚さは、例えば、10μmとすることができる。
が−32kcalよりも大きい金属からなる金属層のことである。このような金属としては、
等がある。金属層28としては、例えば、Cu層、Ag層、Au層、及びPd層等を用いることができる。金属層28としてCu層を用いた場合、金属層28の厚さは、例えば、10μmとすることができる。なお、Cu層、Ag層、Au層、及びPd層のうち、少なくとも2つの層を積層させたものを酸化されにくい金属層28として用いてもよい。
図25は、本発明の第2の実施の形態に係る配線基板の断面図である。図25において、第1の実施の形態の配線基板10と同一構成部分には同一符号を付す。
11,16,21 絶縁層
11A,16A,21A,46A 上面
11B,26A 下面
12,61 パッド
13,17,22 ビア
14,18,23 配線
25,34,39,47A,49A 開口部
26〜28,63 金属層
31A,31B,36A,36B,41A,41B シード層
32A,32B,37A,37B,42A,42B Cu膜
46 金属板
47,49 レジスト膜
Claims (18)
- パッドと、前記パッドと接続されるビアとを備えた配線基板であって、
前記パッドは、前記配線基板から露出された金属層と、
前記配線基板から露出された金属層と前記ビアとの間に設けられ、前記ビアに含まれる金属が前記配線基板から露出された金属層に拡散することを防止する第1の金属層と、
前記ビアと前記第1の金属層との間に設けられ、前記第1の金属層よりも酸化されにくい第2の金属層と、を有し、
前記配線基板から露出された金属層と、前記第1の金属層との間に、前記配線基板から露出された金属層の酸化を防止する機能を有する第3の金属層が設けられており、
前記第2の金属層の上面は粗化処理されており、
前記ビアを前記第2の金属層の前記粗化処理された面と接続したことを特徴とする配線基板。 - 前記パッドは、その側面、及び、前記第2の金属層側の面が絶縁層により覆われており、前記配線基板から露出された金属層側の面が前記絶縁層より露出しており、
前記絶縁層には、前記第2金属層の前記粗化処理された面を露出する開口部が形成されており、
前記開口部に前記第2の金属層の粗化処理された面に接続される前記ビアが形成されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。 - 前記絶縁層の上面には前記ビアと接続された配線が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の配線基板。
- 前記絶縁層の上面、前記絶縁層に設けられた前記開口部の側面、および、前記開口部から露出する前記第2の金属層の粗化処理された面にシード層が設けられており、
前記シード層上にはさらにCu膜が設けられ、
前記シード層および前記Cu膜により、前記ビアおよび前記配線が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の配線基板。 - 前記絶縁層および前記配線の上面にはさらに、他の絶縁層、他の配線が複数形成されていることを特徴とする請求項3または4に記載の配線基板。
- 前記配線基板から露出された金属層が、Au層、Sn層、SnAg層から選択される層であることを特徴とする請求項1乃至5いずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第1の金属層が、Ni層であることを特徴とする請求項1乃至6いずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第3の金属層が、Pd層であることを特徴とする請求項1乃至7いずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第2の金属層は、Cu層、Ag層、Au層、及びPd層のうちの少なくとも1つの層からなることを特徴とする請求項1乃至8いずれか一項に記載の配線基板。
- パッドと、前記パッドと接続されるビアとを備えた配線基板の製造方法であって、
前記パッドは、前記配線基板から露出された金属層と、
前記配線基板から露出された金属層と前記ビアとの間に設けられ、前記ビアに含まれる金属が前記配線基板から露出された金属層に拡散することを防止する第1の金属層と、
前記ビアと前記第1の金属層との間に設けられ、前記第1の金属層よりも酸化されにくい第2の金属層と、を有しており、
支持板上に、めっき法により、前記配線基板から露出された金属層と、前記第1の金属層と、前記第2の金属層とを順次積層し、パッドを形成する工程と、
前記第2の金属層の上面を粗化処理する工程と、
前記支持板および前記パッド上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に前記第2の金属層の粗化処理された面を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部に前記第2の金属層の粗化処理された面と接続する前記ビアを形成するビア形成工程と、
前記支持板を除去し、前記パッドの、前記配線基板から露出された金属層側の面を前記絶縁層から露出させる工程と、
を含み、
前記パッドを形成する工程において、前記配線基板から露出された金属層と、前記第1の金属層との間に前記配線基板から露出された金属層の酸化を防止する機能を有する第3の金属層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程において、前記パッドの側面、及び、前記第2の金属層側の面を前記絶縁層により覆うことを特徴とする請求項10に記載の配線基板の製造方法。
- 前記絶縁層上に前記ビアと接続される配線を形成することを特徴とする請求項10または11に記載の配線基板の製造方法。
- 前記絶縁層の上面、前記絶縁層に設けられた前記開口部の側面、および、前記開口部から露出する前記第2の金属層の粗化処理された面にシード層を形成し、
前記シード層上にはCu膜を形成し、
前記シード層および前記Cu膜により、前記ビアおよび前記配線を形成することを特徴とする請求項12に記載の配線基板の製造方法。 - 前記絶縁層および前記配線の上面に、さらに他の絶縁層、他の配線を複数形成することを特徴とする請求項12または13に記載の配線基板の製造方法。
- 前記配線基板から露出された金属層が、Au層、Sn層、SnAg層から選択される層であることを特徴とする請求項10乃至14いずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第1の金属層が、Ni層であることを特徴とする請求項10乃至15いずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第3の金属層が、Pd層であることを特徴とする請求項10乃至16いずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第2の金属層は、Cu層、Ag層、Au層、及びPd層のうちの少なくとも1つの層からなることを特徴とする請求項10乃至17いずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
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