JP2012248891A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線基板10は、パッド11Pと、パッド11Pを覆い、その表面からパッド11Pの表面が露出し、その裏面にパッド11Pの裏面が露出する開口部VH1が設けられた最外層の絶縁層12と、開口部VH1内に形成されたビアと、絶縁層12の裏面に形成され、ビア13に接続された配線層13とを備え、パッド11Pは絶縁層12に埋設されて、パッド11Pの側面及び裏面が絶縁層12に接している。このパッド11Pは、第1の金属層21と、第1の金属層21上に設けられた第2の金属層22と、第2の金属層22上に設けられ、ビア13に接続された第3の金属層23とを有し、第2の金属層22の周縁部がパッド11Pの周縁部から内側に後退している。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態に係る配線基板(半導体パッケージ)の構成を断面図の形態で示したものである。
図5は本発明の第2の実施形態に係る配線基板(半導体パッケージ)の構成を断面図の形態で示したものである。
11,13,15…配線層、
12,12a,14…樹脂層(絶縁層)、
11P,15P…パッド、
16…ソルダレジスト層(絶縁層)、
20…はんだボール(外部接続端子)、
21,22,23…(パッドを構成する)金属層、
24…金属層(犠牲導体層)、
41…半導体素子(チップ)、
50,50a…半導体装置、
A…パッド側面の段差状部分、
DP…凹部、
VH1,VH2…ビアホール。
Claims (12)
- パッドと、
前記パッドを覆い、その表面から前記パッドの表面が露出し、且つ、その裏面に前記パッドの裏面が露出する開口部が設けられた最外層の絶縁層と、
前記最外層の絶縁層の開口部内に形成され、前記パッドの裏面に接続されたビアと、
前記最外層の絶縁層の裏面に形成され、前記ビアに接続された配線層と
を備え、
前記最外層の絶縁層は樹脂からなり、
前記パッドは前記最外層の絶縁層に埋設されて、前記パッドの側面及び裏面が前記最外層の絶縁層に接していて、
前記パッドが、前記最外層の絶縁層の表面からその表面が露出した第1の金属層と、該第1の金属層上に設けられた第2の金属層と、該第2の金属層上に設けられ、前記ビアに接続された第3の金属層とを有し、
前記第2の金属層の周縁部が前記パッドの周縁部から内側に後退して、前記第2の金属層の平面形状が前記パッドの平面形状に対して小さく形成されていることを特徴とする配線基板。 - 前記第1の金属層の周縁部と前記第3の金属層の周縁部とが同じ位置にあることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記第1の金属層はAuもしくはAu/Pdからなり、前記第2の金属層はNiからなり、前記第3の金属層はCuからなることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。
- 前記ビアは前記最外層の絶縁層の開口部を充填していて、
前記ビアと前記配線層とが一体に形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記パッド、前記ビア及び前記配線層は、めっき法により形成された導体からなることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記最外層の絶縁層から露出する前記パッドの第1の金属層の表面が、前記最外層の絶縁層の表面から基板内に後退した位置にあることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の配線基板。
- 支持基材上に、めっき法により、第1の金属層、第2の金属層及び第3の金属層を順次積層してパッドを形成する工程と、
前記第2の金属層の周縁部をエッチングして、前記第2の金属層の周縁部を前記パッドの周縁部から内側に後退させる工程と、
前記支持基材上に、前記パッドの上面及び側面を被覆するように樹脂からなる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記第3の金属層が露出する開口部を形成する工程と、
前記絶縁層の開口部内に、前記第3の金属層に接続されるビアを形成するとともに、前記絶縁層上に、該ビアに接続される配線層を形成する工程と、
前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記パッドを形成する工程が、前記支持基材上に、めっき法により、犠牲導体層を形成し、さらに前記第1の金属層、前記第2の金属層及び前記第3の金属層を順次積層して前記パッドを形成する工程を含み、
前記支持基板を除去する工程が、前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の配線基板の製造方法。 - 前記パッドを形成する工程では、前記第1の金属層の周縁部と前記第3の金属層の周縁部とを同じ位置にすることを特徴とする請求項7又は8に記載の配線基板の製造方法。
- 前記パッドを形成する工程では、前記第1の金属層をAuもしくはAu/Pdにより形成し、前記第2の金属層をNiにより形成し、前記第3の金属層をCuにより形成することを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記ビア及び前記配線層を形成する工程では、前記ビアは前記絶縁層の開口部を充填し、
前記ビアと前記配線層とを一体に形成することを特徴とする請求項7から10のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記ビア及び前記配線層を形成する工程は、
前記開口部の内面を含む前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に、前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記ビア及び前記配線層となる導体パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7から11のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
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