JP5113744B2 - 第1のワークピースと、第2のワークピースと、第1および第2のワークピースに実質的に直接に結合された導電性部材とを含む電子素子 - Google Patents
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Description
本出願は、米国特許法第119条(e)のもと、本願明細書において参照によりその全体が援用される、2005年6月6日出願の米国仮特許出願第60/687,350号明細書に基づく優先権の利益を主張する。
以下に記載の実施形態の詳細に入る前に、いくつかの用語が定義され、または明確化される。
図1は、電子素子についての多くの可能な回路設計の1つの説明図である。図1は、電子素子100の一部分の回路図を含む。電子素子100は、第1のピクセル120、第2のピクセル140、および第3のピクセル160を含む。ピクセル120、140、および160の各々は、図1に図示されるとおりピクセル回路を含む。各ピクセル回路は、制御回路および電子部品128、148、または168を含む。
図2〜6は、図1に図示される電子部品128、148、および168の形成中の電子素子の一部分の断面図の説明図を含む。これらの図(図2〜6)は、電子部品128、148、および168の1つのレイアウトの一例ならびに、電子部品128、148、および168および回路中のそれらの相互接続の製造順序を単に例示する。この説明図において、電子部品128、148、および168は、有機電子素子の一タイプの有機層を含む。この明細書を読了後、当業者は、電子部品は、異なるように配置され、および図1に図示される回路を達成するために代替的な順序を介して製造されることができることを理解するであろう。
電子素子についての第2のワークピースは、第1のワークピースの前または後に製造することができる。図7は、電子素子についての1つまたは複数の制御回路を含むバックパネルである第2のワークピースを図示する。図7を参照すると、基板700は、第1のワークピースの基板20に関して既述された1つまたは複数の材料を含む。一実施形態においては、基板20および700は、ガラスなどの同一の材料を含む。他の実施形態において、異なる材料を、基板20および700について用いることができる。制御回路722および他の回路(図示せず)は、基板700中または上に従来の技術を用いて形成され得る。アレイ外の他の回路(図示せず)は、アレイ中のピクセルの制御に用いられる周辺および遠隔回路構成要素を含み得る。製造の中心は、周辺または遠隔回路構成要素ではなくアレイ上にある。特定の一実施形態において、制御回路722は、第1のワークピースおよび第2のワークピースが後に連接されるとき、制御回路722の少なくとも一部分が、第1のワークピースの支持構造42の下または上に配設されるような位置であることができる。この方策においては、アパーチャ比は低減されない。
シーリング材料822が、図8中の上面図により図示されているとおり、第1のワークピース、第2のワークピース、または両方に適用され得る。シーリング材料822は、第1のワークピース、第2のワークピース、または両方のアレイ824および縁部826の間に配設されている。シーリング材料822は、電子産業において基板の連接に用いられるほとんどいずれの接着剤または他の材料をも含むことができる。シーリング材料の例としては、エポキシ、ガラスフリット等が挙げられる。一実施形態においては、基板20および700およびシーリング材料822は、比較的近い熱膨張係数を有する。例えば、3つのうちの最低の熱膨張係数は、3つのうちの最高の熱膨張係数の少なくとも90%であり得る。1つの特定の実施形態において、基板20および700およびシーリング材料822はガラスを含む。
電子素子は、単独で用いられ得、またはシステム中に組み込まれ得る。例えば、電子素子は、コンピュータ、テレビ用のモニターに組み込まれることができるディスプレイ、または携帯型通信デバイス等におけるディスプレイであることができる。
代替的な実施形態において、電子素子は、パッシブマトリックスディスプレイ、静止画像ディスプレイ、またはこれらのいずれかの組み合わせなどの他のタイプのディスプレイデバイスを含むことができる。他の実施形態において、電子部品は、放射線放射部品と併せてまたはその代わりに放射線反応性部品を含むことができる。このような放射線反応性部品は、放射線センサー、光起電力電池、または有機活性層によって受けられた放射線に反応する他の類似する電子部品を含むことができる。
異なる実施形態は種々の利点を有し得る。各利点は、実施形態のすべてではなく、その1つまたは複数で生じ得ることに注意する。従って、利点のいずれも本発明に必須または重要であるとして解釈されるべきではない。
本発明が、特許請求の範囲に記載の本発明の範囲を制限しない以下の実施例においてさらに説明されるであろう。
実施例1は、基板間の電気接続はリフロープロセスを用いて形成されることができることを実証する。2基板バックライトがこの実施例において形成される。
実施例2は、インジウムの導電性部材が、リフロープロセス中にITO層の縁部から離れて形成されることができることを実証する。
実施例3は、パッシブマトリックスディスプレイおよびバックライトがリフロープロセスを用いて形成されることができることを実証する。
実施例4は、本願明細書に記載のリフロープロセスを用いて形成されるAMOLEDディスプレイは、従来のAMOLEDディスプレイと比して著しく大きいアパーチャ比を有することができることを実証する。実施例4はまた、電極が、支持構造が形成された後に形成されることができることを実証し、ここで、電気的短絡または漏電径路は電極間に形成されていない。この実施例4について、少なくとも部分的にリフロープロセスで形成されたAMOLEDディスプレイは「リフローAMOLEDディスプレイ」として称され、従来のAMOLEDディスプレイは「従来のAMOLEDディスプレイ」として称されることとなる。
実施例5は、電子素子の非機能性部分は、金属リフロープロセスを用いて修復されることができることを実証する。
なお、本発明の好ましい態様としては、以下のものを挙げることができる。
1 第1の電極および第1の有機層を含む第1の電子部品と、
第1の電子部品に隣接して配設された支持構造と
を含む第1のワークピースと、
第1のコンダクタを含む第2のワークピースと、
第1の電極および第1のコンダクタに実質的に直接に結合されている第1の導電性部材と
を含むことを特徴とする電子素子。
2 第1の電極と第1のコンダクタとの間の概ね中間の点での第1の導電性部材の幅が、第1の電極または第1のコンダクタにより近い点での第1の導電性部材の幅より広いことを特徴とする前記1に記載の電子素子。
3 第1の導電性部材が、少なくとも3.5ミクロンの高さを有することを特徴とする前記1に記載の電子素子。
4 少なくとも4,000個の他の導電性部材をさらに含む電子素子であって、
第1のワークピースが少なくとも4,000個の他の電子部品をさらに含み、
ここで、少なくとも4,000個の他の電子部品の各々が第1の電極を含み、
第2のワークピースが、第1のコンダクタに実質的に同じである他のコンダクタをさらに含み、
第1の導電性部材および少なくとも4,000個の他の導電性部材の各々が、第1の電極の少なくとも1つに、および第1のコンダクタまたは少なくとも4,000個の他のコンダクタのいずれかに実質的に直接に結合されていることを特徴とする前記1に記載の電子素子。
5 第1の電子部品が、放射線放射部品、放射線反応性部品、またはこれらの組み合わせを含み、
第2のワークピースが、第1の電子部品を制御するための第1の制御回路を含み、
ここで、第1の制御回路が第1のコンダクタに電気的に接続されていることを特徴とする前記1に記載の電子素子。
6 放射線放射部品、放射線反応性部品、またはこれらの組み合わせが、放射線を放射し、または第1のワークピース、第2のワークピース、またはこれらの組み合わせを透過した放射線に反応することを特徴とする前記5に記載の電子素子。
7 第2の導電性部材および第3の導電性部材をさらに含む電子素子であって、
第1の電子部品が赤色光発光部品であり、
第1の有機層が赤色光発光有機層を含み、
第1のワークピースが、第1の電極および緑色光発光有機層を含む緑色光発光部品と、
第1の電極および青色光発光有機層を含む青色光発光部品と
をさらに含み、
支持構造が、赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品の間に配設され、
第2のワークピースが、緑色光発光部品を制御するための第2の制御回路であって、第2のコンダクタに電気的に接続された第2の制御回路と、青色光発光部品を制御するための第3の制御回路であって、第3のコンダクタに電気的に接続された第3の制御回路と
を含み、
第2の導電性部材が緑色光発光部品の第1の電極および第2のコンダクタに実質的に直接に結合されており、
第3の導電性部材が、青色光発光部品の第1の電極および第3のコンダクタに実質的に直接に結合されていることを特徴とする前記5に記載の電子素子。
8 赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品が共通電極を共有し、放射線が赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品の共通電極を透過することを特徴とする前記7に記載の電子素子。
9 第1の部品が、バックライト、静止画像ディスプレイ、パッシブマトリックスディスプレイ、センサアレイ、または光電池の少なくとも一部であることを特徴とする前記1に記載の電子素子。
10 支持構造が第2のワークピースに接触し、または支持構造の上に配設された層が第2のワークピースに接触し、ここで、層が、第1の電極と実質的に同一の組成を有することを特徴とする前記1に記載の電子素子。
11 シーリング材料をさらに含み、
シーリング材料が、第1の電子部品を含むアレイの外側の第1および第2のワークピースに取り付けられており、
ガスが第1の導電性部材に接触すると共に第1の導電性部材を側方に囲むことを特徴とする前記1に記載の電子素子。
12 第2の導電性部材をさらに含み、第1および第2の導電性部材の各々が、第1の電極および第1のコンダクタに接触することを特徴とする前記11に記載の電子素子。
13 第1のワークピース、第2のワークピースおよび第1の導電性部材に接触する封入層をさらに含むことを特徴とする前記1に記載の電子素子。
14 第1の導電性部材が、少なくとも1つの空隙部を有する金属含有材料を含むことを特徴とする前記1に記載の電子素子。
15 第1の電極および第1の活性有機層を含む、放射線放射部品を含む第1の電子部品と、
第1の電子部品に隣接して配設された支持構造と
を含む第1のワークピースと、
第1の電子部品を制御するための第1の制御回路であって、第1のコンダクタに電気的に接続された第1の制御回路を含むと共に、支持構造が第2のワークピースに接触し、または支持構造の上に配設された層が第2のワークピースに接触し、
ここで、層が、第1の電極と実質的に同一の組成を有する第2のワークピースと、
第1の電極および第1のコンダクタに実質的に直接に結合されている第1の導電性部材と
を含むことを特徴とする電子素子。
16 第1の電極と第1のコンダクタとの間の概ね中間の点での第1の導電性部材の幅が、第1の電極または第1のコンダクタにより近い点での第1の導電性部材の幅より広いことを特徴とする前記15に記載の電子素子。
17 第1の導電性部材が、少なくとも1つの空隙部を有する金属含有材料を含むことを特徴とする前記15に記載の電子素子。
18 放射線放射部品が、第1のワークピース、第2のワークピースまたはこれらの組み合わせを介して放射線を放射することを特徴とする前記15に記載の電子素子。
19 第1のコンダクタの表面エネルギーが、導電性部材の表面エネルギーより低いことを特徴とする前記15に記載の電子素子。
20 第1の導電性部材が、240℃以下の融点を有することを特徴とする前記15に記載の電子素子。
Claims (2)
- 第1の電極および第1の有機層を含む第1の電子部品と、
第1の電子部品に隣接して配設された支持構造と
を含む第1のワークピースと、
第1のコンダクタを含む第2のワークピースと、
第1の電極および第1のコンダクタに直接に結合されている第1の導電性部材と
を含み、
第1の電極および第1のコンダクタの表面エネルギーは第1の導電性部材より低く、
第1の電極および第1のコンダクタの間の電気接続が、第1の導電性部材のリフローにより形成されていることを特徴とする電子素子。 - 第1の電極および第1の活性有機層を含む、放射線放射部品と、
放射線放射部品に隣接して配設された支持構造と
を含む第1のワークピースと、
放射線放射部品を制御するための第1の制御回路であって、第1のコンダクタに電気的に接続された第1の制御回路を含むと共に、
支持構造が第2のワークピースに接触し、または
支持構造の上に配設された層が第2のワークピースに接触し、ここで、層が、第1の電極と同一の組成を有する
第2のワークピースと、
第1の電極および第1のコンダクタに直接に結合されている第1の導電性部材と
を含み、
第1の電極および第1のコンダクタの表面エネルギーは第1の導電性部材より低く、
第1の電極および第1のコンダクタの間の電気接続が、第1の導電性部材のリフローにより形成されていることを特徴とする電子素子。
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