JPH0536894A - ハイブリツド型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
ハイブリツド型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0536894A JPH0536894A JP21589491A JP21589491A JPH0536894A JP H0536894 A JPH0536894 A JP H0536894A JP 21589491 A JP21589491 A JP 21589491A JP 21589491 A JP21589491 A JP 21589491A JP H0536894 A JPH0536894 A JP H0536894A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒートサイクルで電極剥離，基板破壊等が発
生しない高信頼性ハイブリッド型半導体装置を得る。 【構成】 Ｓｉ基板１のＩｎ柱が形成された面を下方に
向けてＩｎの融点（１５４℃）以上の１６０℃に加熱す
ることでＩｎ柱を溶融し、重力の作用の利用して鉛直方
向に変形させた状態で、下方に配置したＣｄＨｇＴｅ基
板２の平面電極８に当接させて固化させ、基板１，２を
電気的，機械的に接合する。
生しない高信頼性ハイブリッド型半導体装置を得る。 【構成】 Ｓｉ基板１のＩｎ柱が形成された面を下方に
向けてＩｎの融点（１５４℃）以上の１６０℃に加熱す
ることでＩｎ柱を溶融し、重力の作用の利用して鉛直方
向に変形させた状態で、下方に配置したＣｄＨｇＴｅ基
板２の平面電極８に当接させて固化させ、基板１，２を
電気的，機械的に接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は機能性素子が２次元的
に平面内に形成され、それぞれの素子の電極が各素子に
対応して２次元的に配置されている第１の平面基板と、
別の機能を有する素子及びその電極が第１の平面基板と
鏡像の位置に形成されている第２の平面基板とを、柱状
のインジウム等の電極（バンプ）で鏡像関係にある第１
及び第２の平面基板の各電極を結線することにより電気
的，機械的に結合させたいわゆるハイブリッド型デバイ
スの構造及びその製造方法に関するものである。
に平面内に形成され、それぞれの素子の電極が各素子に
対応して２次元的に配置されている第１の平面基板と、
別の機能を有する素子及びその電極が第１の平面基板と
鏡像の位置に形成されている第２の平面基板とを、柱状
のインジウム等の電極（バンプ）で鏡像関係にある第１
及び第２の平面基板の各電極を結線することにより電気
的，機械的に結合させたいわゆるハイブリッド型デバイ
スの構造及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４はSPIE,Vol.1341,Infrared Technol
ogy XVI(1990), 316ページに示された従来のハイブリッ
ド型半導体装置の構造並びに製造方法を示す図であり、
例えばこの例では第１の平面基板１は、赤外線を吸収し
電気信号に変換するカドミウム水銀テルル（ＣｄＨｇＴ
ｅ）を機能性素子として有し、第２の平面基板２は第１
の平面基板１の各ｐｎ接合３で発生した電気信号を順番
に転送するシリコンの電荷結合素子（Charge Coupled D
evice:CCD)を機能性素子として有するものである。
ogy XVI(1990), 316ページに示された従来のハイブリッ
ド型半導体装置の構造並びに製造方法を示す図であり、
例えばこの例では第１の平面基板１は、赤外線を吸収し
電気信号に変換するカドミウム水銀テルル（ＣｄＨｇＴ
ｅ）を機能性素子として有し、第２の平面基板２は第１
の平面基板１の各ｐｎ接合３で発生した電気信号を順番
に転送するシリコンの電荷結合素子（Charge Coupled D
evice:CCD)を機能性素子として有するものである。
【０００３】図において、また２は第１の平面基板でＣ
ｄＨｇＴｅからなり、６は第２の基板１形成されたフォ
トダイオードのｐｎ接合であり、各ｐｎ接合６に対応す
るＣｒ／Ａｕ等の平面電極８が設けられ、さらに各電極
８間はＺｎＳ等の絶縁膜で隔てられている。１は第１の
平面基板でＳｉからなり、３は第１の基板１に形成され
たＣＣＤの電荷注入用のｐｎ接合であり、各ｐｎ接合３
に対応するＡｌ等の平面電極５が設けられ、さらに各電
極５間はＳｉＮ等の絶縁膜で隔てられている。また、９
は基板２側に形成されたインジウム柱（バンプ電極）で
ある。
ｄＨｇＴｅからなり、６は第２の基板１形成されたフォ
トダイオードのｐｎ接合であり、各ｐｎ接合６に対応す
るＣｒ／Ａｕ等の平面電極８が設けられ、さらに各電極
８間はＺｎＳ等の絶縁膜で隔てられている。１は第１の
平面基板でＳｉからなり、３は第１の基板１に形成され
たＣＣＤの電荷注入用のｐｎ接合であり、各ｐｎ接合３
に対応するＡｌ等の平面電極５が設けられ、さらに各電
極５間はＳｉＮ等の絶縁膜で隔てられている。また、９
は基板２側に形成されたインジウム柱（バンプ電極）で
ある。
【０００４】次に製造方法につてい説明する。まずＣＣ
Ｄが形成された平面基板２に通常の写真製版技術を用い
てインジウムのバンプ電極９を各電極８上に形成した
後、バンプ電極９を上に向けて第２の平面基板２をイン
ジウムの溶融温度（１５４℃）以上に加熱するとインジ
ウムは図４(a) に示すように球状となる。この後第１及
び第２の平面基板１，２を図４(a) のように第１の基板
１を上に、第２の基板２を下に配置し、基板１を徐々に
下げると、インジウムが室温では軟らかい金属のため図
４(b) のように圧着され、第１及び第２の基板１，２が
電気的，機械的に接合される。
Ｄが形成された平面基板２に通常の写真製版技術を用い
てインジウムのバンプ電極９を各電極８上に形成した
後、バンプ電極９を上に向けて第２の平面基板２をイン
ジウムの溶融温度（１５４℃）以上に加熱するとインジ
ウムは図４(a) に示すように球状となる。この後第１及
び第２の平面基板１，２を図４(a) のように第１の基板
１を上に、第２の基板２を下に配置し、基板１を徐々に
下げると、インジウムが室温では軟らかい金属のため図
４(b) のように圧着され、第１及び第２の基板１，２が
電気的，機械的に接合される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のハイブリッド型
半導体装置は以上のようにして製造されているため、図
４(b) でも明らかなようにバンプ電極の基板垂直方向の
高さはその水平方向の径より大きくすることができな
い。一般にハイブリッド型デバイスでは第１の平面基板
と対向する第２の平面基板とはその材質が異なり、従っ
て熱膨張係数が異なる。例えば先の従来例では基板１
（ＣｄＨｇＴｅ），基板２（Ｓｉ）の線膨張係数はそれ
ぞれ６×１０-6／ｋ，２×１０-6／ｋである。そのため
デバイスを液体窒素温度（７７ｋ）で使用する場合など
では基板１に引張り応力が、また基板２には圧縮応力が
発生する。これら応力は軟らかいインジウムで吸収され
るが低温ではインジウムも硬くなり上記応力を充分吸収
できず、何回かの室温と低温（７７ｋ）のヒートサイク
ルで電極が剥がれたり、また基板が破壊したりする等の
問題点かあった。
半導体装置は以上のようにして製造されているため、図
４(b) でも明らかなようにバンプ電極の基板垂直方向の
高さはその水平方向の径より大きくすることができな
い。一般にハイブリッド型デバイスでは第１の平面基板
と対向する第２の平面基板とはその材質が異なり、従っ
て熱膨張係数が異なる。例えば先の従来例では基板１
（ＣｄＨｇＴｅ），基板２（Ｓｉ）の線膨張係数はそれ
ぞれ６×１０-6／ｋ，２×１０-6／ｋである。そのため
デバイスを液体窒素温度（７７ｋ）で使用する場合など
では基板１に引張り応力が、また基板２には圧縮応力が
発生する。これら応力は軟らかいインジウムで吸収され
るが低温ではインジウムも硬くなり上記応力を充分吸収
できず、何回かの室温と低温（７７ｋ）のヒートサイク
ルで電極が剥がれたり、また基板が破壊したりする等の
問題点かあった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ヒートサイクルによる電極剥
離，基板破壊等を低減し、信頼性の高いハイブリッド型
半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、ヒートサイクルによる電極剥
離，基板破壊等を低減し、信頼性の高いハイブリッド型
半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るハイブリ
ッド型半導体装置及びその製造方法は、第１の基板上に
バンプ電極を形成し、該電極を下方に向けた状態で基板
を加熱して電極を軟化させて鉛直方向に熱変形させた
後、第２の基板上に形成された平面電極に当接させて固
化し、第１及び第２の基板を機械的かつ電気的に接合す
るようにしたものである。
ッド型半導体装置及びその製造方法は、第１の基板上に
バンプ電極を形成し、該電極を下方に向けた状態で基板
を加熱して電極を軟化させて鉛直方向に熱変形させた
後、第２の基板上に形成された平面電極に当接させて固
化し、第１及び第２の基板を機械的かつ電気的に接合す
るようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、第１の基板上に柱状電極
を形成し、該電極を下方に向けた状態で基板を加熱して
電極を軟化させるようにしたから、重力の作用により柱
状電極が鉛直方向に変形し、柱状電極の高さがその径よ
り大きくなり、第２の基板上に形成された平面電極に当
接させて固化することで、従来よりも基板間が離間し、
熱膨張係数の差により発生する基板間の応力が吸収され
易くなる。
を形成し、該電極を下方に向けた状態で基板を加熱して
電極を軟化させるようにしたから、重力の作用により柱
状電極が鉛直方向に変形し、柱状電極の高さがその径よ
り大きくなり、第２の基板上に形成された平面電極に当
接させて固化することで、従来よりも基板間が離間し、
熱膨張係数の差により発生する基板間の応力が吸収され
易くなる。
【０００９】
【実施例】以下この発明の一実施例によるハイブリッド
型デバイスの構造及びその製造方法について説明する。
図１において、図４と同一符号は同一または相当部分を
示し、９１はインジウム（Ｉｎ）を用いたバンプ電極で
あり、基板間を接合する前は耐熱性の大きいＳｉ基板１
側に形成されている。
型デバイスの構造及びその製造方法について説明する。
図１において、図４と同一符号は同一または相当部分を
示し、９１はインジウム（Ｉｎ）を用いたバンプ電極で
あり、基板間を接合する前は耐熱性の大きいＳｉ基板１
側に形成されている。
【００１０】次に製造方法について説明する。まずＳｉ
基板１のＡｌ電極５上に通常の厚膜リフトオフ法により
Ｉｎ柱を形成する。このときの電極５／Ｉｎ柱のピッチ
は５０μｍで、Ｉｎ柱の高さ（基板垂直方向）は２５μ
ｍ、径（基板水平方向）は３０μｍである。このＳｉ基
板１をＣｄＨｇＴｅ基板２上に互いの各電極が鏡像関係
の位置にくるように配置した後、Ｓｉ基板１をＩｎの融
点（１５４℃）以上の１６０℃に加熱する。するとＩｎ
柱は溶融し図１(a) のように重力の作用により鉛直方向
に延び、径よりも高さの方が大きくなる（径／高＝１．
５）。この状態でＳｉ基板１を下げるとＩｎ柱９１の頂
点がＣｄＨｇＴｅ基板２側の各電極８に接する。この状
態でＳｉ基板１の移動を止め、同時に温度を下げると図
１(b) の状態でＩｎ柱９１が固化し、電極のアスペクト
比１．１〜１．２にて基板１，２が電気的，機械的に接
合される。
基板１のＡｌ電極５上に通常の厚膜リフトオフ法により
Ｉｎ柱を形成する。このときの電極５／Ｉｎ柱のピッチ
は５０μｍで、Ｉｎ柱の高さ（基板垂直方向）は２５μ
ｍ、径（基板水平方向）は３０μｍである。このＳｉ基
板１をＣｄＨｇＴｅ基板２上に互いの各電極が鏡像関係
の位置にくるように配置した後、Ｓｉ基板１をＩｎの融
点（１５４℃）以上の１６０℃に加熱する。するとＩｎ
柱は溶融し図１(a) のように重力の作用により鉛直方向
に延び、径よりも高さの方が大きくなる（径／高＝１．
５）。この状態でＳｉ基板１を下げるとＩｎ柱９１の頂
点がＣｄＨｇＴｅ基板２側の各電極８に接する。この状
態でＳｉ基板１の移動を止め、同時に温度を下げると図
１(b) の状態でＩｎ柱９１が固化し、電極のアスペクト
比１．１〜１．２にて基板１，２が電気的，機械的に接
合される。
【００１１】このように本実施例によれば、Ｓｉ基板１
のＩｎ柱が形成された面を下方に向けてＩｎの融点（１
５４℃）以上の１６０℃に加熱することでＩｎ柱を溶融
し、重力の作用の利用して鉛直方向に変形させた状態
で、下方に配置したＣｄＨｇＴｅ基板２の平面電極８に
当接させて固化させ、基板１，２を電気的，機械的に接
合するようにしたから、形成されたバンプ電極９１は、
その径に比べ高さの方が大きいものとなり（径／高＝
１．１〜１．２）、動作時のヒートサイクルで基板１，
２間に引っ張り応力や圧縮応力が働いても、従来に比べ
基板間が離間しているために応力が吸収され易く、その
ため電極９１が剥がれたり、また基板１，２が破壊した
りする等の不具合を低減することができる。
のＩｎ柱が形成された面を下方に向けてＩｎの融点（１
５４℃）以上の１６０℃に加熱することでＩｎ柱を溶融
し、重力の作用の利用して鉛直方向に変形させた状態
で、下方に配置したＣｄＨｇＴｅ基板２の平面電極８に
当接させて固化させ、基板１，２を電気的，機械的に接
合するようにしたから、形成されたバンプ電極９１は、
その径に比べ高さの方が大きいものとなり（径／高＝
１．１〜１．２）、動作時のヒートサイクルで基板１，
２間に引っ張り応力や圧縮応力が働いても、従来に比べ
基板間が離間しているために応力が吸収され易く、その
ため電極９１が剥がれたり、また基板１，２が破壊した
りする等の不具合を低減することができる。
【００１２】図２は本発明の第２の実施例によるハイブ
リッド型デバイスの製造方法を示す図であり、上記実施
例と同様にして図２(a) に示すように、Ｓｉ基板１にＩ
ｎ柱を形成した後、平面基板１を１６０℃に加熱する。
その後基板１の上部を回転運動の中心側として、基板１
及び２の相対位置を変えずに基板１，２を回転させる。
この回転運動により図２(b) に示すように、Ｉｎ柱９１
に遠心力が印加され図２(a) よりさらに伸長変形してそ
の径は細くなる。回転数を上げていきＩｎ柱９１が基板
２の平面電極８に接したら回転数増加を止め、一定にす
るとともに基板１の温度を下げる。そしてＩｎ柱が固化
したら回転も止める。このようにすることで第１の実施
例よりもさらに細長いインジウムバンプ９１ａを形成す
ることができる。
リッド型デバイスの製造方法を示す図であり、上記実施
例と同様にして図２(a) に示すように、Ｓｉ基板１にＩ
ｎ柱を形成した後、平面基板１を１６０℃に加熱する。
その後基板１の上部を回転運動の中心側として、基板１
及び２の相対位置を変えずに基板１，２を回転させる。
この回転運動により図２(b) に示すように、Ｉｎ柱９１
に遠心力が印加され図２(a) よりさらに伸長変形してそ
の径は細くなる。回転数を上げていきＩｎ柱９１が基板
２の平面電極８に接したら回転数増加を止め、一定にす
るとともに基板１の温度を下げる。そしてＩｎ柱が固化
したら回転も止める。このようにすることで第１の実施
例よりもさらに細長いインジウムバンプ９１ａを形成す
ることができる。
【００１３】なお下側に位置する基板２側に電極９１を
形成して、基板２側を中心軸側に位置させて遠心運動の
みで細長いインジウムバンプを形成することも条件によ
っては可能である。
形成して、基板２側を中心軸側に位置させて遠心運動の
みで細長いインジウムバンプを形成することも条件によ
っては可能である。
【００１４】また図３は本発明の第３の実施例によるハ
イブリッド型デバイスの製造方法を示す図であり、上記
第２の実施例と同様にして図３(a) に示すように、Ｉｎ
柱を形成したＳｉ基板１を１６０℃に加熱してＩｎ柱を
溶融し、基板２の平面電極８と接触させる。そして基板
１の温度が１６０℃の状態で、即ちＩｎ柱９１が溶融し
ている状態で、基板１を基板２に対して上方へ戻す等し
て基板間の間隔を大きくすると図３(b) に示すように、
Ｉｎ柱９１は伸長変形して長く細くなる。この後基板１
の温度を下げることにより細長いＩｎバンプ９１ｂで基
板１と基板２とが電気的，機械的に接合される。
イブリッド型デバイスの製造方法を示す図であり、上記
第２の実施例と同様にして図３(a) に示すように、Ｉｎ
柱を形成したＳｉ基板１を１６０℃に加熱してＩｎ柱を
溶融し、基板２の平面電極８と接触させる。そして基板
１の温度が１６０℃の状態で、即ちＩｎ柱９１が溶融し
ている状態で、基板１を基板２に対して上方へ戻す等し
て基板間の間隔を大きくすると図３(b) に示すように、
Ｉｎ柱９１は伸長変形して長く細くなる。この後基板１
の温度を下げることにより細長いＩｎバンプ９１ｂで基
板１と基板２とが電気的，機械的に接合される。
【００１５】なお上記各実施例では基板１にＳｉを用
い、基板２にＣｄＨｇＴｅを用いたが、基板１及び２の
材料はこれに限られるものではなく、また各基板に形成
される機能性素子の種類もＣＣＤやフォトダイオード以
外であってもよいことは言うまでもない。
い、基板２にＣｄＨｇＴｅを用いたが、基板１及び２の
材料はこれに限られるものではなく、また各基板に形成
される機能性素子の種類もＣＣＤやフォトダイオード以
外であってもよいことは言うまでもない。
【００１６】さらに上記実施例ではバンプ電極にインジ
ウム（Ｉｎ）を用いたものを示したが、バンプ電極とし
て用いられる材料はこれに限られるものでないことは言
うまでもない。
ウム（Ｉｎ）を用いたものを示したが、バンプ電極とし
て用いられる材料はこれに限られるものでないことは言
うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第１の
基板上に柱状電極を形成し、該電極を下方に向けた状態
で基板を加熱して電極を軟化させるようにしたから、重
力の作用により電極が鉛直方向に変形し、バンプ電極の
高さがその径より大きくなり、第２の基板上に形成され
た平面電極に当接させて固化することで、従来よりも基
板間が離間し、細長いバンプ電極で接合することがで
き、熱膨張係数の差により発生する基板間の応力が容易
に吸収でき、その結果、電極剥離，基板破壊等の少ない
信頼性の高いハイブリッド型デバイスを得ることができ
るという効果がある。
基板上に柱状電極を形成し、該電極を下方に向けた状態
で基板を加熱して電極を軟化させるようにしたから、重
力の作用により電極が鉛直方向に変形し、バンプ電極の
高さがその径より大きくなり、第２の基板上に形成され
た平面電極に当接させて固化することで、従来よりも基
板間が離間し、細長いバンプ電極で接合することがで
き、熱膨張係数の差により発生する基板間の応力が容易
に吸収でき、その結果、電極剥離，基板破壊等の少ない
信頼性の高いハイブリッド型デバイスを得ることができ
るという効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるハイブリッド型半導
体装置及びその製造方法を示す断面図である。
体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例によるハイブリッド型
半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図３】この発明の第３の実施例によるハイブリッド型
半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図４】従来のハイブリッド型半導体装置及びその製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
１ 第１の平面基板
２ 第２の平面基板
３，６ ｐｎ接合
４，７ 絶縁膜
５，８ 電極
９１ 柱状電極（バンプ電極）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】図において、２は第２の平面基板でＳｉか
らなり、６は第２の基板２上に形成されたＣＣＤの電荷
注入用のｐｎ接合であり、各ｐｎ接合６に対応するＣｒ
／Ａｕ等の平面電極８が設けられ、さらに各電極８間は
ＳｉＮ等の絶縁膜で隔てられている。１は第１の平面基
板でＣｄＨｇＴｅからなり、３は第１の基板１に形成さ
れたフォトダイオードのｐｎ接合であり、各ｐｎ接合３
に対応するＡｌ等の平面電極５が設けられ、さらに各電
極５間はＺｎＳ等の絶縁膜で隔てられている。また、９
は基板２側に形成されたインジウム柱（バンプ電極）で
ある。
らなり、６は第２の基板２上に形成されたＣＣＤの電荷
注入用のｐｎ接合であり、各ｐｎ接合６に対応するＣｒ
／Ａｕ等の平面電極８が設けられ、さらに各電極８間は
ＳｉＮ等の絶縁膜で隔てられている。１は第１の平面基
板でＣｄＨｇＴｅからなり、３は第１の基板１に形成さ
れたフォトダイオードのｐｎ接合であり、各ｐｎ接合３
に対応するＡｌ等の平面電極５が設けられ、さらに各電
極５間はＺｎＳ等の絶縁膜で隔てられている。また、９
は基板２側に形成されたインジウム柱（バンプ電極）で
ある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【実施例】以下この発明の一実施例によるハイブリッド
型デバイスの構造及びその製造方法について説明する。
図１において、図４と同一符号は同一または相当部分を
示し、ここでは第１の平面基板１としてＣＣＤのｐｎ接
合が形成されたＳｉ基板を用い、第２の平面基板２とし
てフォトダイオードのｐｎ接合６が形成されたＣｄＨｇ
Ｔｅ基板を用いる。また９１はインジウム（Ｉｎ）を用
いたバンプ電極であり、基板間を接合する前は耐熱性の
大きいＳｉ基板１側に形成されている。
型デバイスの構造及びその製造方法について説明する。
図１において、図４と同一符号は同一または相当部分を
示し、ここでは第１の平面基板１としてＣＣＤのｐｎ接
合が形成されたＳｉ基板を用い、第２の平面基板２とし
てフォトダイオードのｐｎ接合６が形成されたＣｄＨｇ
Ｔｅ基板を用いる。また９１はインジウム（Ｉｎ）を用
いたバンプ電極であり、基板間を接合する前は耐熱性の
大きいＳｉ基板１側に形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】なお上記各実施例では基板１にＳｉを用
い、基板２にＣｄＨｇＴｅを用いたが、それぞれの基板
の材料が逆であっても、あるいは基板１及び２の材料に
他のものを用いてもよく、また各基板に形成される機能
性素子の種類もＣＣＤやフォトダイオード以外であって
もよいことは言うまでもない。
い、基板２にＣｄＨｇＴｅを用いたが、それぞれの基板
の材料が逆であっても、あるいは基板１及び２の材料に
他のものを用いてもよく、また各基板に形成される機能
性素子の種類もＣＣＤやフォトダイオード以外であって
もよいことは言うまでもない。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 25/07
25/18
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の平面基板面に形成された第１の平
面電極と、第２の平面基板面の、上記第１の平面電極と
対向する位置に形成された第２の平面電極と、上記第１
及び第２の平面電極とを電気的かつ機械的に接合する柱
状電極とを備えたハイブリッド型半導体装置において、 上記柱状電極は、その径方向の寸法よりも高さ方向の寸
法の方が大きくなるように形成されたものであり、 該電極の高さの方向の寸法が上記第１及び第２の平面基
板間の離間距離となっていることを特徴とするハイブリ
ッド型半導体装置。 - 【請求項２】 第１の平面基板面に第１の平面電極を形
成し、第２の平面基板面の、上記第１の平面電極と対向
する位置に第２の平面電極を形成し、上記第１及び第２
の平面電極とを柱状電極を用いて電気的かつ機械的に接
合し、ハイブリッド型半導体装置を製造する方法におい
て、 第１の平面基板の平面電極上に柱状電極を形成した後、
該柱状電極を鉛直方向に向けて第１の平面基板を加熱
し、柱状電極を鉛直方向に熱変形させる第１の工程と、 第２の平面基板を、その表面に形成された第２の平面電
極が上記熱変形した柱状電極と対向するように配置し、
両基板間を近接させて上記熱変形した柱状電極を第２の
平面電極に接着させる第２の工程と、 上記第１の平面基板の温度を下げて上記熱変形した柱状
電極を固化し、両基板を固着する第３の工程とを含むこ
とを特徴とするハイブリッド型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のハイブリッド型半導体装
置の製造方法において、 上記第２の工程は、 上記熱変形した柱状電極を第２の平面電極に対向するよ
うに配置した状態で、第１の平面基板側を回転軸側とし
て遠心運動を加えて柱状電極を伸長変形させて第２の平
面電極に接着させるものであることを特徴とするハイブ
リッド型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載のハイブリッド型半導体装
置の製造方法において、 上記第２の工程は、 上記熱変形した柱状電極を第２の平面電極に接着させた
後、両基板間を離間させて柱状電極を伸長変形させる工
程を有することを特徴とするハイブリッド型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21589491A JPH0536894A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ハイブリツド型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21589491A JPH0536894A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ハイブリツド型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536894A true JPH0536894A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16680021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21589491A Pending JPH0536894A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ハイブリツド型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536894A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726500A (en) * | 1994-04-08 | 1998-03-10 | Thomson-Csf | Semiconductor hybrid component |
| US6599776B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-07-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of testing and assembling bumped devices using an anisotropically conductive layer |
| US6753644B1 (en) | 1999-11-02 | 2004-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Color cathode-ray tube and color cathode-ray tube apparatus |
| US6831354B2 (en) * | 2001-08-10 | 2004-12-14 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Semiconductor package and method of fabricating same |
| JP2008546022A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-12-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ワークピースおよびその間に導電性部材を含む電子素子 |
| JP2019504511A (ja) * | 2015-12-15 | 2019-02-14 | グーグル エルエルシー | 超伝導バンプボンド |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP21589491A patent/JPH0536894A/ja active Pending
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| JP2008546022A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-12-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ワークピースおよびその間に導電性部材を含む電子素子 |
| JP2019504511A (ja) * | 2015-12-15 | 2019-02-14 | グーグル エルエルシー | 超伝導バンプボンド |
| US10497853B2 (en) | 2015-12-15 | 2019-12-03 | Google Llc | Superconducting bump bonds |
| US11133451B2 (en) | 2015-12-15 | 2021-09-28 | Google Llc | Superconducting bump bonds |
| US11133450B2 (en) | 2015-12-15 | 2021-09-28 | Google Llc | Superconducting bump bonds |
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